JP3458806B2 - 非可逆回路素子及び通信機装置 - Google Patents
非可逆回路素子及び通信機装置Info
- Publication number
- JP3458806B2 JP3458806B2 JP2000009837A JP2000009837A JP3458806B2 JP 3458806 B2 JP3458806 B2 JP 3458806B2 JP 2000009837 A JP2000009837 A JP 2000009837A JP 2000009837 A JP2000009837 A JP 2000009837A JP 3458806 B2 JP3458806 B2 JP 3458806B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- conductors
- central
- magnetic body
- port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯等の
高周波帯域で使用されるアイソレータやサーキュレータ
等の非可逆回路素子、及びこれを用いた通信機装置に関
する。
高周波帯域で使用されるアイソレータやサーキュレータ
等の非可逆回路素子、及びこれを用いた通信機装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】最近の移動体通信機器では小型化が急速
に進展しており、これらの機器に用いられる非可逆回路
素子も更なる小型化が強く求められている。この小型化
を実現するために直方体の磁性体にを用いた非可逆回路
素子が提案されている（特開平１１−９７９０８号公報
参照）。このような直方体の磁性体を用いた場合、１つ
の中心導体を磁性体の一辺に平行に配置し、他の２つの
中心導体を各辺に傾斜するように配置し、各中心導体を
互いに電気的絶縁状態でかつ略１２０度の角度で交差さ
せている。また、各中心導体の導体幅及び導体間隔は同
様のものを用いている。
に進展しており、これらの機器に用いられる非可逆回路
素子も更なる小型化が強く求められている。この小型化
を実現するために直方体の磁性体にを用いた非可逆回路
素子が提案されている（特開平１１−９７９０８号公報
参照）。このような直方体の磁性体を用いた場合、１つ
の中心導体を磁性体の一辺に平行に配置し、他の２つの
中心導体を各辺に傾斜するように配置し、各中心導体を
互いに電気的絶縁状態でかつ略１２０度の角度で交差さ
せている。また、各中心導体の導体幅及び導体間隔は同
様のものを用いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常、これ
ら非可逆回路素子が用いられる回路の入出力部のインピ
ーダンスは所定のインピーダンス値（通常、５０Ω）と
なっており、非可逆回路素子の各ポートでのインピーダ
ンス（以下、ポートインピーダンスと記す）も所定のイ
ンピーダンス値となるように設定される。
ら非可逆回路素子が用いられる回路の入出力部のインピ
ーダンスは所定のインピーダンス値（通常、５０Ω）と
なっており、非可逆回路素子の各ポートでのインピーダ
ンス（以下、ポートインピーダンスと記す）も所定のイ
ンピーダンス値となるように設定される。
【０００４】しかしながら、直方体の磁性体は１２０度
方向において回転非対称の形状であり、各中心導体の導
体幅及び導体間隔を同様に形成した場合、磁性体の一辺
に平行な中心導体のポートインピーダンスは、他の２つ
の中心導体のポートインピーダンスよりも高くなる。例
えば、上記従来の非可逆回路素子において、各辺に傾斜
して配置された２つの中心導体のポートインピーダンス
を５０Ωとしたとき、一辺に平行に配置された中心導体
のポートインピーダンスが８０Ωとなる場合がある。つ
まり、各辺に傾斜して配置された２つの中心導体は磁性
体と中心導体との関係において対称的な配置となってい
るが、平行に配置された中心導体は他の２つの中心導体
と非対称な配置関係となっている。このため、上記従来
の非可逆回路素子おいては、磁性体の一辺に平行な中心
導体のポートの反射特性が劣化するという問題があっ
た。
方向において回転非対称の形状であり、各中心導体の導
体幅及び導体間隔を同様に形成した場合、磁性体の一辺
に平行な中心導体のポートインピーダンスは、他の２つ
の中心導体のポートインピーダンスよりも高くなる。例
えば、上記従来の非可逆回路素子において、各辺に傾斜
して配置された２つの中心導体のポートインピーダンス
を５０Ωとしたとき、一辺に平行に配置された中心導体
のポートインピーダンスが８０Ωとなる場合がある。つ
まり、各辺に傾斜して配置された２つの中心導体は磁性
体と中心導体との関係において対称的な配置となってい
るが、平行に配置された中心導体は他の２つの中心導体
と非対称な配置関係となっている。このため、上記従来
の非可逆回路素子おいては、磁性体の一辺に平行な中心
導体のポートの反射特性が劣化するという問題があっ
た。
【０００５】そこで、本発明の目的は、磁性体の一辺に
平行に配置された中心導体のポートの反射特性を向上し
た非可逆回路素子及びこれを用いた通信機装置を提供す
ることにある。
平行に配置された中心導体のポートの反射特性を向上し
た非可逆回路素子及びこれを用いた通信機装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る非可逆回路素子は、直方体の磁性体
に、３つの中心導体を互いに電気的絶縁状態でかつ略１
２０度の角度で交差させて配置するとともに、１つの中
心導体を磁性体の長辺に略平行に配置した非可逆回路素
子において、磁性体の長辺に略平行に配置された中心導
体の導体幅を他の２つの中心導体の導体幅よりも広く設
定する。また、各中心導体を複数の導体で構成した場
合、磁性体の長辺に略平行に配置された中心導体の導体
間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定す
る。
に、本発明に係る非可逆回路素子は、直方体の磁性体
に、３つの中心導体を互いに電気的絶縁状態でかつ略１
２０度の角度で交差させて配置するとともに、１つの中
心導体を磁性体の長辺に略平行に配置した非可逆回路素
子において、磁性体の長辺に略平行に配置された中心導
体の導体幅を他の２つの中心導体の導体幅よりも広く設
定する。また、各中心導体を複数の導体で構成した場
合、磁性体の長辺に略平行に配置された中心導体の導体
間隔を他の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定す
る。
【０００７】この構成によれば、磁性体の長辺に略平行
に配置された中心導体のポートインピーダンスは低くな
り、この中心導体のポートの反射特性を向上することが
できる。すなわち、本発明では、磁性体の長辺に平行に
配置された中心導体のポートインピーダンスを他の２つ
の中心導体のポートインピーダンスに近づくように、磁
性体の長辺に平行に配置された中心導体の導体幅または
導体間隔を他の２つの中心導体の導体幅または導体間隔
よりも広く設定している。したがって、各ポートで適正
なインピーダンスマッチングをとることができるので、
各中心導体のポートでの反射特性を向上することができ
る。
に配置された中心導体のポートインピーダンスは低くな
り、この中心導体のポートの反射特性を向上することが
できる。すなわち、本発明では、磁性体の長辺に平行に
配置された中心導体のポートインピーダンスを他の２つ
の中心導体のポートインピーダンスに近づくように、磁
性体の長辺に平行に配置された中心導体の導体幅または
導体間隔を他の２つの中心導体の導体幅または導体間隔
よりも広く設定している。したがって、各ポートで適正
なインピーダンスマッチングをとることができるので、
各中心導体のポートでの反射特性を向上することができ
る。
【０００８】また、各中心導体を２つの導体で構成する
ことにより、簡単な構造で挿入損失を低減することがで
きる。
ことにより、簡単な構造で挿入損失を低減することがで
きる。
【０００９】また、いずれか１つの中心導体のポートに
終端抵抗を接続してアイソレータを構成する。この場
合、磁性体の長辺に平行に配置された中心導体のポート
は他の中心導体のポートよりもポートインピーダンスが
ずれやすいので任意の値の抵抗で終端できるアイソレー
ションポートに適しており、このポートに終端抵抗を接
続するのが望ましい。
終端抵抗を接続してアイソレータを構成する。この場
合、磁性体の長辺に平行に配置された中心導体のポート
は他の中心導体のポートよりもポートインピーダンスが
ずれやすいので任意の値の抵抗で終端できるアイソレー
ションポートに適しており、このポートに終端抵抗を接
続するのが望ましい。
【００１０】また、本発明に係る通信機装置は上記の特
徴を有する非可逆回路素子を備えて構成される。これに
より、特性が良好な通信機装置を得ることができる。
徴を有する非可逆回路素子を備えて構成される。これに
より、特性が良好な通信機装置を得ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態に係る非可
逆回路素子の構成を図１〜図４を参照して説明する。本
実施形態の非可逆回路素子は、図１に示すように直方体
角板状すなわち上面及び下面の形状が四角形の磁性体５
５に３つの中心導体５１，５２，５３を配置した磁性組
立体５を有している。中心導体５１，５２，５３は、銅
等の金属導体板を打ち抜き加工して形成されたものであ
り、図２の展開図で示すように、共通のアース端となる
アース部５４で連接一体化され、アース部５４から外方
に突出して設けられている。
逆回路素子の構成を図１〜図４を参照して説明する。本
実施形態の非可逆回路素子は、図１に示すように直方体
角板状すなわち上面及び下面の形状が四角形の磁性体５
５に３つの中心導体５１，５２，５３を配置した磁性組
立体５を有している。中心導体５１，５２，５３は、銅
等の金属導体板を打ち抜き加工して形成されたものであ
り、図２の展開図で示すように、共通のアース端となる
アース部５４で連接一体化され、アース部５４から外方
に突出して設けられている。
【００１２】磁性組立体５は、共通のアース部５４上に
磁性体５５を載置し、磁性体５５を包み込むように各中
心導体５１〜５３を磁性体５５の上面に絶縁シート（図
示省略）を介在させて互いに略１２０度の角度をなすよ
うに折り曲げて配置して構成されている。各中心導体５
１〜５３の先端部にあたる各ポートＰ１〜Ｐ３は他の部
材との接続に適した形状とされ、磁性体５５の外周から
外方に突出するように構成されている。各中心導体５１
〜５３はそれぞれ２つの導体で構成され、中心導体５
１，５２は磁性体５５の各辺に対して傾斜するように配
置され、中心導体５３は磁性体５５の一辺に平行に配置
されている。
磁性体５５を載置し、磁性体５５を包み込むように各中
心導体５１〜５３を磁性体５５の上面に絶縁シート（図
示省略）を介在させて互いに略１２０度の角度をなすよ
うに折り曲げて配置して構成されている。各中心導体５
１〜５３の先端部にあたる各ポートＰ１〜Ｐ３は他の部
材との接続に適した形状とされ、磁性体５５の外周から
外方に突出するように構成されている。各中心導体５１
〜５３はそれぞれ２つの導体で構成され、中心導体５
１，５２は磁性体５５の各辺に対して傾斜するように配
置され、中心導体５３は磁性体５５の一辺に平行に配置
されている。
【００１３】そして、本実施形態では、磁性体５５の一
辺に平行に配置された中心導体５３の各導体幅Ａ３は、
他の中心導体５１，５２の各導体幅Ａ１，Ａ２よりも広
く形成されている。すなわち、本実施形態では、磁性体
５５の一辺に平行に配置された中心導体５３を構成する
２つの導体の導体幅Ａ３を他の中心導体５１，５２の導
体幅Ａ１，Ａ２よりも広く設定している。各中心導体５
１〜５３の導体間隔Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は同一寸法で形成
されている。
辺に平行に配置された中心導体５３の各導体幅Ａ３は、
他の中心導体５１，５２の各導体幅Ａ１，Ａ２よりも広
く形成されている。すなわち、本実施形態では、磁性体
５５の一辺に平行に配置された中心導体５３を構成する
２つの導体の導体幅Ａ３を他の中心導体５１，５２の導
体幅Ａ１，Ａ２よりも広く設定している。各中心導体５
１〜５３の導体間隔Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は同一寸法で形成
されている。
【００１４】上記磁性組立体５を用いて構成した非可逆
回路素子の一例を図３及び図４に示す。図３は全体構造
を示す分解斜視図、図４は永久磁石及び上部ヨークを除
いた状態での平面図である。この非可逆回路素子は、磁
性体５５の一辺に平行な中心導体５３のポートＰ３に終
端抵抗Ｒを接続してアイソレータとしたものであり、ポ
ートＰ１からポートＰ２方向を順方向とし、ポートＰ２
からポートＰ１方向を逆方向としている。
回路素子の一例を図３及び図４に示す。図３は全体構造
を示す分解斜視図、図４は永久磁石及び上部ヨークを除
いた状態での平面図である。この非可逆回路素子は、磁
性体５５の一辺に平行な中心導体５３のポートＰ３に終
端抵抗Ｒを接続してアイソレータとしたものであり、ポ
ートＰ１からポートＰ２方向を順方向とし、ポートＰ２
からポートＰ１方向を逆方向としている。
【００１５】このアイソレータは、磁性体金属からなる
箱状の上部ヨーク２の内面に永久磁石３を配置するとと
もに、該上部ヨーク２に同じく磁性体金属からなる概略
コ字状の下部ヨーク８を装着して磁気閉回路を形成し、
下部ヨーク８内の底面８ａ上に端子ケース７を配設し、
該端子ケース７内に磁性組立体５、整合用コンデンサＣ
１〜Ｃ３、終端抵抗Ｒを配設し、磁性組立体５に永久磁
石３により直流磁界を印加して構成されている。
箱状の上部ヨーク２の内面に永久磁石３を配置するとと
もに、該上部ヨーク２に同じく磁性体金属からなる概略
コ字状の下部ヨーク８を装着して磁気閉回路を形成し、
下部ヨーク８内の底面８ａ上に端子ケース７を配設し、
該端子ケース７内に磁性組立体５、整合用コンデンサＣ
１〜Ｃ３、終端抵抗Ｒを配設し、磁性組立体５に永久磁
石３により直流磁界を印加して構成されている。
【００１６】端子ケース７は、電気的絶縁部材からな
り、矩形枠状の側壁７ａに底壁７ｂを一体形成した構造
のもので、入出力端子７１、７２、アース端子７３がそ
の一部を樹脂内に埋設して設けられ、底壁７ｂの略中央
部には挿通孔７ｃが形成され、挿通孔７ｃの周縁部には
所定の箇所に複数の凹部が形成されている。
り、矩形枠状の側壁７ａに底壁７ｂを一体形成した構造
のもので、入出力端子７１、７２、アース端子７３がそ
の一部を樹脂内に埋設して設けられ、底壁７ｂの略中央
部には挿通孔７ｃが形成され、挿通孔７ｃの周縁部には
所定の箇所に複数の凹部が形成されている。
【００１７】挿通孔７ｃの周縁に形成された凹部には整
合用コンデンサＣ１〜Ｃ３、終端抵抗Ｒが配置され、挿
通孔７ｃ内には磁性組立体５が挿入配置され、磁性組立
体５の上部に永久磁石３が配設されている。
合用コンデンサＣ１〜Ｃ３、終端抵抗Ｒが配置され、挿
通孔７ｃ内には磁性組立体５が挿入配置され、磁性組立
体５の上部に永久磁石３が配設されている。
【００１８】磁性組立体５下面の共通のアース部５４は
下部ヨーク８の底面８ａに接続されている。各整合用コ
ンデンサＣ１〜Ｃ３の下面電極、及び終端抵抗Ｒの一端
側の電極はそれぞれアース端子７３に接続されている。
各整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３の上面電極にはそれぞれ
各中心導体５１〜５３のポートＰ１〜Ｐ３が接続され、
終端抵抗Ｒの他端側はポートＰ３に接続されている。
下部ヨーク８の底面８ａに接続されている。各整合用コ
ンデンサＣ１〜Ｃ３の下面電極、及び終端抵抗Ｒの一端
側の電極はそれぞれアース端子７３に接続されている。
各整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３の上面電極にはそれぞれ
各中心導体５１〜５３のポートＰ１〜Ｐ３が接続され、
終端抵抗Ｒの他端側はポートＰ３に接続されている。
【００１９】なお、ポートＰ３に終端抵抗Ｒを接続する
ことなく、ポートＰ３を第３の入出力ポートとすればサ
ーキュレータとなる。
ことなく、ポートＰ３を第３の入出力ポートとすればサ
ーキュレータとなる。
【００２０】次に、第１実施形態の構成での効果を図５
を参照して説明する。図５は磁性体の一辺に平行な中心
導体５３のポートにおける第１実施形態の構成（図１の
構成）と従来の構成（各中心導体を同一の導体幅、導体
間隔で構成）の反射特性を示す図である。磁性体の寸法
はいずれも３．１ｍｍ×２．７ｍｍ、厚み０．５ｍｍ、
従来例の各中心導体及び実施形態の中心導体５１，５２
の導体幅０．１５ｍｍ、導体間隔０．２ｍｍ、実施形態
の中心導体５３の導体幅０．５ｍｍ、導体間隔０．１５
ｍｍのものを用いている。なお、飽和磁化は０．１Ｔに
設定し、測定系のインピーダンスは５０Ωである。従来
例のものでは、ポートＰ３に対応するポートインピーダ
ンスが中心周波数で約８０Ωであるのに対し、実施形態
のポートＰ３のポートインピーダンスは中心周波数で約
５０Ωとなる。他のポートインピーダンスは中心周波数
でいずれも約５０Ωである。
を参照して説明する。図５は磁性体の一辺に平行な中心
導体５３のポートにおける第１実施形態の構成（図１の
構成）と従来の構成（各中心導体を同一の導体幅、導体
間隔で構成）の反射特性を示す図である。磁性体の寸法
はいずれも３．１ｍｍ×２．７ｍｍ、厚み０．５ｍｍ、
従来例の各中心導体及び実施形態の中心導体５１，５２
の導体幅０．１５ｍｍ、導体間隔０．２ｍｍ、実施形態
の中心導体５３の導体幅０．５ｍｍ、導体間隔０．１５
ｍｍのものを用いている。なお、飽和磁化は０．１Ｔに
設定し、測定系のインピーダンスは５０Ωである。従来
例のものでは、ポートＰ３に対応するポートインピーダ
ンスが中心周波数で約８０Ωであるのに対し、実施形態
のポートＰ３のポートインピーダンスは中心周波数で約
５０Ωとなる。他のポートインピーダンスは中心周波数
でいずれも約５０Ωである。
【００２１】図５に示すように、本実施形態の反射特性
は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅
に向上されている。例えば中心周波数（９００ＭＨｚ）
での反射損失は、従来例のものが１２．９ｄＢであるの
に対して、実施形態のものは３８．７ｄＢと大幅に改善
されている。
は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅
に向上されている。例えば中心周波数（９００ＭＨｚ）
での反射損失は、従来例のものが１２．９ｄＢであるの
に対して、実施形態のものは３８．７ｄＢと大幅に改善
されている。
【００２２】このように、本実施形態においては、従来
のように各中心導体を同一導体幅で構成した場合にポー
トインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわち
磁性体の一辺に平行に配置された中心導体５３の導体幅
Ａ３を他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２より
も広く形成したので、この中心導体５３のポートインピ
ーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向上す
る。すなわち、導体幅Ａ３を広く設定することにより中
心導体５３のポートインピーダンスを下げて、回路系の
インピーダンスにより近づくようにし、他の中心導体５
１，５２のポートインピーダンスとほぼ同様の値となる
ようにしている。これにより、全ての中心導体のポート
インピーダンスを回路系のインピーダンスに合致するよ
うに設定することができる。したがって、上記実施形態
の磁性組立体を用いれば、磁性体の一辺に平行に配置さ
れた中心導体のポートを入出力ポートとした場合の挿入
損失、及び磁性体の一辺に平行に配置された中心導体の
ポートをアイソレーションポートとした場合のアイソレ
ーション特性を向上することができる。
のように各中心導体を同一導体幅で構成した場合にポー
トインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわち
磁性体の一辺に平行に配置された中心導体５３の導体幅
Ａ３を他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２より
も広く形成したので、この中心導体５３のポートインピ
ーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向上す
る。すなわち、導体幅Ａ３を広く設定することにより中
心導体５３のポートインピーダンスを下げて、回路系の
インピーダンスにより近づくようにし、他の中心導体５
１，５２のポートインピーダンスとほぼ同様の値となる
ようにしている。これにより、全ての中心導体のポート
インピーダンスを回路系のインピーダンスに合致するよ
うに設定することができる。したがって、上記実施形態
の磁性組立体を用いれば、磁性体の一辺に平行に配置さ
れた中心導体のポートを入出力ポートとした場合の挿入
損失、及び磁性体の一辺に平行に配置された中心導体の
ポートをアイソレーションポートとした場合のアイソレ
ーション特性を向上することができる。
【００２３】上記実施形態（図３及び図４）では、磁性
体５５の一辺に平行に配置された中心導体５３に終端抵
抗Ｒを接続してアイソレータとしたが、これに限るもの
ではなく、中心導体５１または５２のいずれかに終端抵
抗Ｒを接続してアイソレータを構成するようにしてもよ
い。上記のように中心導体５１，５２に対してそのポー
トインピーダンスがずれ易い中心導体５３に終端抵抗Ｒ
を接続するのが望ましい。すなわち終端抵抗Ｒの値を中
心導体５３のポートインピーダンスに正確に合わせるこ
とにより、さらにアイソレーション特性を向上すること
ができる。
体５５の一辺に平行に配置された中心導体５３に終端抵
抗Ｒを接続してアイソレータとしたが、これに限るもの
ではなく、中心導体５１または５２のいずれかに終端抵
抗Ｒを接続してアイソレータを構成するようにしてもよ
い。上記のように中心導体５１，５２に対してそのポー
トインピーダンスがずれ易い中心導体５３に終端抵抗Ｒ
を接続するのが望ましい。すなわち終端抵抗Ｒの値を中
心導体５３のポートインピーダンスに正確に合わせるこ
とにより、さらにアイソレーション特性を向上すること
ができる。
【００２４】次に、第２実施形態に係る磁性組立体の構
成を図６を参照して説明する。図６に示す磁性組立体５
では、各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で構
成され、磁性体５５の一辺に平行に配置された中心導体
５３の導体間隔Ｂ３は、他の中心導体５１，５２の導体
間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く形成されている。すなわち、
本実施形態では、磁性体５５の一辺に平行に配置された
中心導体５３を構成する２つの導体の導体間隔Ｂ３を他
の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く
設定している。各中心導体５１〜５３の各導体幅Ａ１，
Ａ２，Ａ３は同一寸法で形成されている。
成を図６を参照して説明する。図６に示す磁性組立体５
では、各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で構
成され、磁性体５５の一辺に平行に配置された中心導体
５３の導体間隔Ｂ３は、他の中心導体５１，５２の導体
間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く形成されている。すなわち、
本実施形態では、磁性体５５の一辺に平行に配置された
中心導体５３を構成する２つの導体の導体間隔Ｂ３を他
の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く
設定している。各中心導体５１〜５３の各導体幅Ａ１，
Ａ２，Ａ３は同一寸法で形成されている。
【００２５】図７は磁性体の一辺に平行な中心導体５３
のポートにおける第２実施形態の構成（図６の構成）と
従来の構成の反射特性を示す図である。実施形態の中心
導体５３の導体幅０．１５ｍｍ、導体間隔０．９のもの
を用いている。なお、他の寸法や測定条件は前述の第１
実施形のときと同様である。本実施形態では、ポートＰ
３のポートインピーダンスは中心周波数で約６５Ωとな
る。他のポートインピーダンスは中心周波数でいずれも
約５０Ωである。
のポートにおける第２実施形態の構成（図６の構成）と
従来の構成の反射特性を示す図である。実施形態の中心
導体５３の導体幅０．１５ｍｍ、導体間隔０．９のもの
を用いている。なお、他の寸法や測定条件は前述の第１
実施形のときと同様である。本実施形態では、ポートＰ
３のポートインピーダンスは中心周波数で約６５Ωとな
る。他のポートインピーダンスは中心周波数でいずれも
約５０Ωである。
【００２６】図７に示すように、本実施形態の反射特性
は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅
に向上されている。例えば中心周波数（９００ＭＨｚ）
での反射損失は、従来例のものが１２．９ｄＢであるの
に対して、本実施形態のものは１８．１ｄＢと改善され
ている。
は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅
に向上されている。例えば中心周波数（９００ＭＨｚ）
での反射損失は、従来例のものが１２．９ｄＢであるの
に対して、本実施形態のものは１８．１ｄＢと改善され
ている。
【００２７】このように、本実施形態においては、従来
のように各中心導体を同一導体間隔で構成した場合にポ
ートインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわ
ち磁性体の一辺に平行に配置された中心導体５３の導体
間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ
２よりも広く形成したので、この中心導体５３のポート
インピーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向
上する。すなわち、導体間隔Ｂ３を広く設定することに
より中心導体５３のポートインピーダンスを下げて、回
路系のインピーダンスにより近づくようにしている。し
たがって、本実施形態の磁性組立体を用いれば、磁性体
の一辺に平行に配置された中心導体のポートを入出力ポ
ートとした場合の挿入損失、及び磁性体の一辺に平行に
配置された中心導体のポートをアイソレーションポート
とした場合のアイソレーション特性を向上することがで
きる。
のように各中心導体を同一導体間隔で構成した場合にポ
ートインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわ
ち磁性体の一辺に平行に配置された中心導体５３の導体
間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ
２よりも広く形成したので、この中心導体５３のポート
インピーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向
上する。すなわち、導体間隔Ｂ３を広く設定することに
より中心導体５３のポートインピーダンスを下げて、回
路系のインピーダンスにより近づくようにしている。し
たがって、本実施形態の磁性組立体を用いれば、磁性体
の一辺に平行に配置された中心導体のポートを入出力ポ
ートとした場合の挿入損失、及び磁性体の一辺に平行に
配置された中心導体のポートをアイソレーションポート
とした場合のアイソレーション特性を向上することがで
きる。
【００２８】次に、第３実施形態に係る磁性組立体の構
成を図８を参照して説明する。図８に示す磁性組立体５
では、各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で構
成され、磁性体５５の一辺に平行に配置された中心導体
５３の各導体幅Ａ３は他の中心導体５１，５２の導体幅
Ａ１，Ａ２よりも広く、かつ中心導体５３の導体間隔Ｂ
３は他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２より
も広く形成されている。すなわち、本実施形態では、磁
性体５５の一辺に平行に配置された中心導体５３を構成
する２つの導体の導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を他の中
心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２及び導体間隔Ｂ
１，Ｂ２よりも広く設定している。
成を図８を参照して説明する。図８に示す磁性組立体５
では、各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で構
成され、磁性体５５の一辺に平行に配置された中心導体
５３の各導体幅Ａ３は他の中心導体５１，５２の導体幅
Ａ１，Ａ２よりも広く、かつ中心導体５３の導体間隔Ｂ
３は他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２より
も広く形成されている。すなわち、本実施形態では、磁
性体５５の一辺に平行に配置された中心導体５３を構成
する２つの導体の導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を他の中
心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２及び導体間隔Ｂ
１，Ｂ２よりも広く設定している。
【００２９】図９は磁性体の一辺に平行な中心導体５３
のポートにおける第３実施形態の構成（図８の構成）と
従来の構成の反射特性を示す図である。実施形態の中心
導体５３の導体幅０．３ｍｍ、導体間隔０．６のものを
用いている。なお、他の寸法や測定条件は前述の第１実
施形のときと同様である。本実施形態では、ポートＰ３
のポートインピーダンスは中心周波数で約５５Ωとな
る。他のポートインピーダンスは中心周波数でいずれも
約５０Ωである。
のポートにおける第３実施形態の構成（図８の構成）と
従来の構成の反射特性を示す図である。実施形態の中心
導体５３の導体幅０．３ｍｍ、導体間隔０．６のものを
用いている。なお、他の寸法や測定条件は前述の第１実
施形のときと同様である。本実施形態では、ポートＰ３
のポートインピーダンスは中心周波数で約５５Ωとな
る。他のポートインピーダンスは中心周波数でいずれも
約５０Ωである。
【００３０】図９に示すように、本実施形態の反射特性
は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅
に向上されている。例えば中心周波数（９００ＭＨｚ）
での反射損失は、従来例のものが１２．９ｄＢであるの
に対して、本実施形態のものは２５．４と改善されてい
る。
は、所要の周波数帯域において従来例のものに比べ大幅
に向上されている。例えば中心周波数（９００ＭＨｚ）
での反射損失は、従来例のものが１２．９ｄＢであるの
に対して、本実施形態のものは２５．４と改善されてい
る。
【００３１】このように、本実施形態においては、従来
のように各中心導体を同一導体幅及び同一導体間隔で構
成した場合にポートインピーダンスが最も大きくなる中
心導体、すなわち磁性体の一辺に平行に配置された中心
導体５３の導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を他の中心導体
５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２及び導体間隔Ｂ１，Ｂ２
よりも広く形成したので、この中心導体５３のポートイ
ンピーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向上
する。すなわち、導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を広く設
定することにより中心導体５３のポートインピーダンス
を下げて、回路系のインピーダンスにより近づくように
している。したがって、本実施形態の磁性組立体を用い
れば、磁性体の一辺に平行に配置された中心導体のポー
トを入出力ポートとした場合の挿入損失、及び磁性体の
一辺に平行に配置された中心導体のポートをアイソレー
ションポートとした場合のアイソレーション特性を向上
することができる。
のように各中心導体を同一導体幅及び同一導体間隔で構
成した場合にポートインピーダンスが最も大きくなる中
心導体、すなわち磁性体の一辺に平行に配置された中心
導体５３の導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を他の中心導体
５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２及び導体間隔Ｂ１，Ｂ２
よりも広く形成したので、この中心導体５３のポートイ
ンピーダンスは低くなり、このポートの反射特性が向上
する。すなわち、導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を広く設
定することにより中心導体５３のポートインピーダンス
を下げて、回路系のインピーダンスにより近づくように
している。したがって、本実施形態の磁性組立体を用い
れば、磁性体の一辺に平行に配置された中心導体のポー
トを入出力ポートとした場合の挿入損失、及び磁性体の
一辺に平行に配置された中心導体のポートをアイソレー
ションポートとした場合のアイソレーション特性を向上
することができる。
【００３２】なお、上記各実施形態では、各中心導体５
１，５２，５３を２つの導体で構成したもので説明した
が、これに限るものではなく、各中心導体を１つの導体
で構成してもよく、また各中心導体を３つ以上の導体で
構成してもよい。
１，５２，５３を２つの導体で構成したもので説明した
が、これに限るものではなく、各中心導体を１つの導体
で構成してもよく、また各中心導体を３つ以上の導体で
構成してもよい。
【００３３】また、上記実施形態では金属導体板からな
る各中心導体を磁性体に折り曲げて配置した構造のもの
で説明したが、中心導体の構造はこれに限るものではな
く、中心導体を誘電体や磁性体の内部または表面に電極
膜で形成した構造のものであってもよい。また、永久磁
石３の形状は円形に限るものではなく、平面視四角形等
の多角形状のものを用いてもよい。
る各中心導体を磁性体に折り曲げて配置した構造のもの
で説明したが、中心導体の構造はこれに限るものではな
く、中心導体を誘電体や磁性体の内部または表面に電極
膜で形成した構造のものであってもよい。また、永久磁
石３の形状は円形に限るものではなく、平面視四角形等
の多角形状のものを用いてもよい。
【００３４】次に、第４実施形態に係る通信機装置の構
成を図１０に示す。この通信機装置は、送信用フィルタ
ＴＸ及び受信用フィルタＲＸからなるデュプレクサＤＰ
Ｘのアンテナ端にアンテナＡＮＴが接続され、送信用フ
ィルタＴＸの入力端とと送信回路との間にアイソレータ
ＩＳＯが接続され、受信用フィルタＲＸの出力端に受信
回路が接続されて構成されている。送信回路からの送信
信号はアイソレータＩＳＯを経由し、送信用フィルタＴ
Ｘを通してアンテナＡＮＴから発信される。また、アン
テナＡＮＴで受信された受信信号は受信用フィルタＲＸ
を通して受信回路に入力される。
成を図１０に示す。この通信機装置は、送信用フィルタ
ＴＸ及び受信用フィルタＲＸからなるデュプレクサＤＰ
Ｘのアンテナ端にアンテナＡＮＴが接続され、送信用フ
ィルタＴＸの入力端とと送信回路との間にアイソレータ
ＩＳＯが接続され、受信用フィルタＲＸの出力端に受信
回路が接続されて構成されている。送信回路からの送信
信号はアイソレータＩＳＯを経由し、送信用フィルタＴ
Ｘを通してアンテナＡＮＴから発信される。また、アン
テナＡＮＴで受信された受信信号は受信用フィルタＲＸ
を通して受信回路に入力される。
【００３５】ここに、アイソレータＩＳＯとして、上記
各実施形態のアイソレータを使用することができる。本
発明に係る反射特性を向上した非可逆回路素子を用いる
ことにより、特性が良好な通信機装置を得ることができ
る。
各実施形態のアイソレータを使用することができる。本
発明に係る反射特性を向上した非可逆回路素子を用いる
ことにより、特性が良好な通信機装置を得ることができ
る。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る非可
逆回路素子によれば、磁性体の長辺に平行に配置された
中心導体の導体幅または導体間隔を他の２つの中心導体
の導体幅または導体間隔よりも広く設定しているので、
磁性体の長辺に平行に配置された中心導体のポートイン
ピーダンスが低くなり、このポートでの反射特性を向上
することができる。したがって、本発明によれば、挿入
損失及びアイソレーション特性が良好な非可逆回路素子
を得ることができる。
逆回路素子によれば、磁性体の長辺に平行に配置された
中心導体の導体幅または導体間隔を他の２つの中心導体
の導体幅または導体間隔よりも広く設定しているので、
磁性体の長辺に平行に配置された中心導体のポートイン
ピーダンスが低くなり、このポートでの反射特性を向上
することができる。したがって、本発明によれば、挿入
損失及びアイソレーション特性が良好な非可逆回路素子
を得ることができる。
【００３７】また、本発明に係る非可逆回路素子を実装
することにより、特性が良好な通信機装置を得ることが
できる。
することにより、特性が良好な通信機装置を得ることが
できる。
【図１】第１実施形態に係る磁性組立体の平面図
【図２】第１実施形態に係る中心導体の展開図
【図３】第１実施形態に係る非可逆回路素子の全体構造
を示す分解斜視図
を示す分解斜視図
【図４】第１実施形態に係る非可逆回路素子の永久磁石
及び上部ヨークを除いた状態での平面図
及び上部ヨークを除いた状態での平面図
【図５】第１実施形態及び従来の構成における反射損失
を示す図
を示す図
【図６】第２実施形態に係る磁性組立体の平面図
【図７】第２実施形態及び従来の構成における反射損失
を示す図
を示す図
【図８】第３実施形態に係る磁性組立体の平面図
【図９】第３実施形態及び従来の構成における反射損失
を示す図
を示す図
【図１０】第４実施形態に係る通信機装置のブロック図
２ 上部ヨーク
３ 永久磁石
５ 磁性組立体
５１〜５３ 中心導体
Ａ１〜Ａ３ 導体幅
Ｂ１〜Ｂ３ 導体間隔
５４ アース部
５５ 磁性体
７ 端子ケース
７１、７２ 入出力端子
７３ アース端子
８ 下部ヨーク
Ｃ１〜Ｃ３ コンデンサ
Ｒ 終端抵抗
Ｐ１〜Ｐ３ ポート
Claims (7)
- 【請求項１】 直方体の磁性体に、３つの中心導体を互
いに電気的絶縁状態でかつ略１２０度の角度で交差させ
て配置するとともに、１つの中心導体を磁性体の長辺に
略平行に配置した非可逆回路素子において、 磁性体の長辺に略平行に配置された中心導体の導体幅を
他の２つの中心導体の導体幅よりも広く設定したことを
特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項２】 直方体の磁性体に、３つの中心導体を互
いに電気的絶縁状態でかつ略１２０度の角度で交差させ
て配置するとともに、１つの中心導体を磁性体の長辺に
略平行に配置した非可逆回路素子において、 前記各中心導体を複数の導体で構成し、磁性体の長辺に
略平行に配置された中心導体の導体間隔を他の２つの中
心導体の導体間隔よりも広く設定したことを特徴とする
非可逆回路素子。 - 【請求項３】 直方体の磁性体に、３つの中心導体を互
いに電気的絶縁状態でかつ略１２０度の角度で交差させ
て配置するとともに、１つの中心導体を磁性体の長辺に
略平行に配置した非可逆回路素子において、 前記各中心導体を複数の導体で構成し、磁性体の長辺に
略平行に配置された中心導体の導体幅及び導体間隔を他
の２つの中心導体の導体幅及び導体間隔よりも広く設定
したことを特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項４】 前記各中心導体を２つの導体で構成した
ことを特徴とする請求項１、２または３に記載の非可逆
回路素子。 - 【請求項５】 前記３つの中心導体のうちいずれか１つ
の中心導体のポートに終端抵抗を接続したことを特徴と
する請求項１、２、３または４に記載の非可逆回路素
子。 - 【請求項６】 前記磁性体の長辺に略平行に配置された
中心導体のポートに終端抵抗を接続したことを特徴とす
る請求項５に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６に記
載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信機装
置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009837A JP3458806B2 (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| US09/765,140 US6642831B2 (en) | 2000-01-19 | 2001-01-18 | Nonreciprocal circuit device and communication device using same |
| FR0100769A FR2805085B1 (fr) | 2000-01-19 | 2001-01-19 | Dispositif a circuit non reciproque et dispositif de telecommunications l'utilisant |
| CNB011047089A CN1159796C (zh) | 2000-01-19 | 2001-01-19 | 非互易电路器件和使用它的通信设备 |
| GB0101448A GB2359668B (en) | 2000-01-19 | 2001-01-19 | Nonreciprocal circuit device and communication device using same |
| KR10-2001-0003142A KR100394806B1 (ko) | 2000-01-19 | 2001-01-19 | 비가역 회로 소자 및 이를 사용하는 통신기 장치 |
| US10/627,643 US6882262B2 (en) | 2000-01-19 | 2003-07-28 | Nonreciprocal circuit device and communication device using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009837A JP3458806B2 (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203507A JP2001203507A (ja) | 2001-07-27 |
| JP3458806B2 true JP3458806B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=18537937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000009837A Expired - Fee Related JP3458806B2 (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6642831B2 (ja) |
| JP (1) | JP3458806B2 (ja) |
| KR (1) | KR100394806B1 (ja) |
| CN (1) | CN1159796C (ja) |
| FR (1) | FR2805085B1 (ja) |
| GB (1) | GB2359668B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3458806B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2003-10-20 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP3395748B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2003-04-14 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| US6900704B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-05-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Two-port isolator and communication device |
| JP2004336645A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Alps Electric Co Ltd | アイソレータ |
| JP2006050543A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Hitachi Metals Ltd | 非可逆回路素子 |
| JPWO2016047323A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2017-06-15 | 株式会社村田製作所 | フロントエンド回路および通信装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2917124A1 (de) | 1979-04-27 | 1980-11-06 | Licentia Gmbh | Breitbandiger mikrowellenzirkulator |
| JP3196491B2 (ja) * | 1994-05-12 | 2001-08-06 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| JP2721306B2 (ja) | 1994-06-15 | 1998-03-04 | 日立金属株式会社 | 集中定数型非可逆回路素子 |
| JP3702595B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2005-10-05 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| JP3164029B2 (ja) | 1997-09-17 | 2001-05-08 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| EP0903801B1 (en) | 1997-09-17 | 2004-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device |
| JPH11106842A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 溶媒抽出法を用いた銅電解液の浄液方法 |
| JP3539351B2 (ja) * | 1999-07-06 | 2004-07-07 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子の製造方法 |
| JP3458806B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2003-10-20 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP3395748B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2003-04-14 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP3680682B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2005-08-10 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子および通信機装置 |
| JP2003087014A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子および通信装置 |
-
2000
- 2000-01-19 JP JP2000009837A patent/JP3458806B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-18 US US09/765,140 patent/US6642831B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-19 GB GB0101448A patent/GB2359668B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-19 FR FR0100769A patent/FR2805085B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-19 CN CNB011047089A patent/CN1159796C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-19 KR KR10-2001-0003142A patent/KR100394806B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-28 US US10/627,643 patent/US6882262B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010020883A1 (en) | 2001-09-13 |
| FR2805085B1 (fr) | 2003-12-19 |
| US6642831B2 (en) | 2003-11-04 |
| US6882262B2 (en) | 2005-04-19 |
| GB2359668A (en) | 2001-08-29 |
| FR2805085A1 (fr) | 2001-08-17 |
| CN1159796C (zh) | 2004-07-28 |
| GB0101448D0 (en) | 2001-03-07 |
| JP2001203507A (ja) | 2001-07-27 |
| KR100394806B1 (ko) | 2003-08-14 |
| KR20010076382A (ko) | 2001-08-11 |
| CN1307378A (zh) | 2001-08-08 |
| GB2359668B (en) | 2002-01-16 |
| US20040056731A1 (en) | 2004-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3417370B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP3269409B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP2002076711A (ja) | 中心電極組立体及びその製造方法、それを用いた非可逆回路素子及び通信装置 | |
| JP3458806B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP3384367B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP3395748B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP4345254B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信装置 | |
| JP3539351B2 (ja) | 非可逆回路素子の製造方法 | |
| JP3419369B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP4110688B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP3651137B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP3649161B2 (ja) | 中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置 | |
| JP3417380B2 (ja) | 非可逆回路素子および通信装置 | |
| JP2001358504A (ja) | 非可逆回路素子および通信装置 | |
| JP3334284B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP2001024405A (ja) | アイソレータ及び通信機装置 | |
| JP2001267811A (ja) | 非可逆回路素子および通信装置 | |
| JP2002135008A (ja) | 非可逆回路素子および通信装置 | |
| JPH1079606A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP2001127505A (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP2001060808A (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP2002246812A (ja) | 中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100808 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100808 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |