JP2006041433A - ダイヤモンド積層シリコンウエハ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコンウエハ(半導体シリコン基板10)の表面の全域又は一部の領域上に、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる電気的絶縁膜11、13を形成し、電気的絶縁膜上又はシリコンウエハ及び電気的絶縁膜上にダイヤモンド膜12、14をマイクロ波化学気相成長法により成膜する。マイクロ波化学気相成長法によるダイヤモンド膜の成膜条件は、マイクロ波投入電力密度がシリコンウエハ表面の単位面積当たり3乃至10kJ/mm2、総投入量が50MJ以上である。
【選択図】 図1
Description
2;ダイヤモンド薄膜
3;支持基板
4:酸化シリコン膜
10:半導体シリコン基板
11、13:電気的絶縁膜
12、14:ダイヤモンド膜
Claims (5)
- シリコンウエハと、このシリコンウエハの表面の一部又は全部の上に形成された酸化シリコン又は窒化シリコンからなる電気的絶縁膜と、この電気的絶縁膜の表面上にマイクロ波化学気相成長法により直接成膜されたダイヤモンド薄膜と、を有することを特徴とするダイヤモンド積層シリコンウエハ。
- 前記電気的絶縁膜の厚さが0.01乃至5μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンド積層シリコンウエハ。
- 前記気相合成されたダイヤモンド膜の膜厚が0.1乃至5μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のダイヤモンド積層シリコンウエハ。
- 前記気相合成されたダイヤモンド膜の膜厚が10乃至300μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のダイヤモンド積層シリコンウエハ。
- シリコンウエハの表面の全域又は一部の領域上に、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる電気的絶縁膜を形成する工程と、前記電気的絶縁膜上又は前記シリコンウエハ及び前記電気的絶縁膜上にダイヤモンド膜をマイクロ波化学気相成長法により成膜する工程とを有し、前記マイクロ波化学気相成長法による前記ダイヤモンド膜の成膜条件は、マイクロ波投入電力密度がシリコンウエハ表面の単位面積当たり3乃至10kJ/mm2、総投入量が50MJ以上であることを特徴とするダイヤモンド積層シリコンウエハの製造方法。
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