JP2009054703A - 透過型液晶表示素子基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板20上に遮光膜21をトランジスタ形成領域25にあわせパターン形成する工程と、全面に酸化シリコン膜22を形成する工程と、酸化シリコン膜22の平坦化処理をする工程と、シリコン基板23を酸化シリコン膜22上に接着する工程と、所定の位置に水素イオン注入で水素リッチ層24を形成する工程と、水素リッチ層24部でシリコン基板23を分離する工程と、水素リッチ層24を研磨して除去する工程と、シリコン膜22上に集積回路を形成する工程を具備する製造方法において、遮光膜21のパターン形成では、認識マーク21AとID刻印部21Bを形成し。接着する工程では、透明基板20側から酸化シリコン膜22に遮光膜21の有無によりレーザーの照射量を変えてレーザーを照射する。
【選択図】図1
Description
透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程と、
透明基板と遮光膜パターン上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
酸化シリコン膜の平坦化処理をする工程と、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程と、
酸化シリコン膜表面から所定の位置に水素インプランテーションで水素リッチ層を形成する工程と、
水素リッチ層部で透明基板側とシリコン基板側を分離する工程と、
透明基板側の水素リッチ層を研磨して除去し、単結晶シリコンを露出する工程と、
単結晶シリコン上に集積回路を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子基板の製造方法において、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程では透明基板側から酸化シリコン膜にレーザーを照射して接着し、遮光膜の有無によりレーザーの照射量を変える透過型液晶表示素子基板の製造方法とする。
透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程と、
透明基板と遮光膜パターン上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
酸化シリコン膜の平坦化処理をする工程と、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程と、
酸化シリコン膜表面から所定の位置に水素インプランテーションで水素リッチ層を形成する工程と、
水素リッチ層部で透明基板側とシリコン基板側を分離する工程と、
透明基板側の水素リッチ層を研磨して除去し、単結晶シリコンを露出する工程と、
単結晶シリコン上に集積回路を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子基板の製造方法において、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程で透明基板認識マークを形成する透過型液晶表示素子基板の製造方法とする。
透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程と、
透明基板と遮光膜パターン上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
酸化シリコン膜の平坦化処理をする工程と、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程と、
酸化シリコン膜表面から所定の位置に水素インプランテーションで水素リッチ層を形成する工程と、
水素リッチ層部で透明基板側とシリコン基板側を分離する工程と、
透明基板側の水素リッチ層を研磨して除去し、単結晶シリコンを露出する工程と、
単結晶シリコン上に集積回路を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子基板の製造方法において、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程で透明基板ID刻印部を形成する透過型液晶表示素子基板の製造方法とする。
透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程と、
透明基板と遮光膜パターン上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
酸化シリコン膜の平坦化処理をする工程と、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程と、
酸化シリコン膜表面から所定の位置に水素インプランテーションで水素リッチ層を形成する工程と、
水素リッチ層部で透明基板側とシリコン基板側を分離する工程と、
透明基板側の水素リッチ層を研磨して除去し、単結晶シリコンを露出する工程と、
単結晶シリコン上に集積回路を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子基板の製造方法において、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程で、遮光膜を利用して透明基板認識マークと透明基板ID刻印部を形成し、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程では透明基板側から酸化シリコン膜にレーザーを照射して接着し、遮光膜の有無によりレーザーの照射量を変える透過型液晶表示素子基板の製造方法とする。
2 単結晶シリコン層
2a チャネル領域
2b ソース領域
2c ドレイン領域
2d ゲート絶縁膜
3 酸化膜層
4 遮光層
5 絶縁層
6 ゲート電極
7 第1の層間膜
8 ドレイン線
9 ソース線
10 層間膜
11 上部遮光層
12a 基板表面側からの入射光
12b 反射光
12c 基板裏面側からの入射光
20 透明基板
21 遮光膜
21A 透明基板認識マーク
21B ID刻印部
22 酸化シリコン膜
23 単結晶シリコン基板
24 水素リッチ層
25 トランジスタ
Claims (3)
- 少なくとも、
透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程と、
透明基板と遮光膜パターン上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
酸化シリコン膜の平坦化処理をする工程と、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程と、
酸化シリコン膜表面から所定の位置に水素インプランテーションで水素リッチ層を形成する工程と、
水素リッチ層部で透明基板側とシリコン基板側を分離する工程と、
透明基板側の水素リッチ層を研磨して除去し、単結晶シリコンを露出する工程と、
単結晶シリコン上に集積回路を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子基板の製造方法において、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程では透明基板側から酸化シリコン膜にレーザーを照射して接着し、遮光膜の有無によりレーザーの照射量を変えることを特徴とする透過型液晶表示素子基板の製造方法。 - 少なくとも、
透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程と、
透明基板と遮光膜パターン上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
酸化シリコン膜の平坦化処理をする工程と、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程と、
酸化シリコン膜表面から所定の位置に水素インプランテーションで水素リッチ層を形成する工程と、
水素リッチ層部で透明基板側とシリコン基板側を分離する工程と、
透明基板側の水素リッチ層を研磨して除去し、単結晶シリコンを露出する工程と、
単結晶シリコン上に集積回路を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子基板の製造方法において、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程で透明基板認識マークを形成することを特徴とする透過型液晶表示素子基板の製造方法。 - 少なくとも、
透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程と、
透明基板と遮光膜パターン上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
酸化シリコン膜の平坦化処理をする工程と、
シリコン基板を酸化シリコン膜上に接着する工程と、
酸化シリコン膜表面から所定の位置に水素インプランテーションで水素リッチ層を形成する工程と、
水素リッチ層部で透明基板側とシリコン基板側を分離する工程と、
透明基板側の水素リッチ層を研磨して除去し、単結晶シリコンを露出する工程と、
単結晶シリコン上に集積回路を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子基板の製造方法において、
遮光膜をトランジスタ形成領域にあわせてパターン形成する工程で透明基板ID刻印部を形成することを特徴とする透過型液晶表示素子基板の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US8698993B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat display panel, mother substrate for flat display panel, and method of manufacturing the flat display panel |
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