JP2006032604A - 現像処理装置及びその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 現像ユニットの基板保持部3に加熱手段32を組み込み、現像ユニットにて、例えば化学増幅型レジスト膜が形成されたウエハに表面改質液であるグリセリンが存在する状態でPEB処理を行う。これにより露光処理時にレジスト膜に与えるエネルギーが不足する場合であっても、この不足分が補完され、化学増幅型レジスト液の酸触媒反応が促進されて酸発生の連鎖反応が起こるので、スループットの低下を抑えながら、良好なパターン形状を得ることができる。
【選択図】 図4
Description
前記基板保持部に保持された熱処理後の基板を冷却する冷却手段と、
前記基板保持部に保持された冷却後の基板に対して現像液を供給するための現像液供給手段と、を備えたことを特徴とする。
次いで前記基板を現像処理を行う温度まで冷却する冷却工程と、
次いで前記基板保持部に保持されている基板のレジスト膜の上に現像液を液盛りし、所定の現像処理を行う現像工程と、を含むことを特徴とする。ここで前記レジスト膜が化学増幅型である場合には、レジスト膜の酸触媒反応を促進させる表面改質液を前記基板保持部に保持されている基板に供給する工程を更に備えることが望ましい。また前記加熱工程の後であって、現像工程の前に、基板表面の表面改質液を除去するために、当該基板表面に剥離液を供給する工程を行うようにしてもよい。
(実施例1)
本例は、表面改質液としてグリセリンを露光後のウエハの表面に塗布した状態でウエハの加熱を行った実施例である。詳しい試験条件を以下に記載する。図4に示す構成の現像処理装置を用い、ウエハWにグリセリンを塗布した状態で、所定時間加熱した後、ウエハWを回転させた状態で剥離液である純水を供給して表面改質液を洗い流し、ウエハWを高速で回転させることにより、ウエハW上の剥離液を除去すると共に、ウエハWを23℃まで冷却した。更にウエハWの表面に現像液を液盛りし、次いでウエハWを回転させた状態でリンス液である純水を供給して、現像液を洗い流し、ウエハWを高速で回転させることにより、ウエハW上のリンス液を除去してパターンを形成した。形成されたパターンを電子顕微鏡を用いて撮像した結果を図13に示す。
・レジスト膜厚:100nm
・線幅目標値:250nm
・電子ビーム照射量:6mJ/cm2
・電子ビーム照射時間:90秒
・加熱温度及び加熱時間:90℃,90秒
・剥離液供給時間:30秒
・剥離液供給時回転数:500rpm
・剥離液温度:23℃
・剥離液除去時回転数及び時間:4000rpm,15秒
・現像液及び現像時間:TMAH=2.38重量%,60秒
・リンス液供給時間:15秒
・リンス液供給時回転数:500rpm
・リンス液除去時回転数及び時間:4000rpm,15秒
(比較例1)
本例は、表面改質液を用いなかったことを除いて実施例1と同じ処理を行った比較例である。形成されたパターンを電子顕微鏡を用いて撮像した結果を図14に示す。
(実施例1及び比較例1の結果と考察)
図13及び図14の結果からも明らかなように、表面改質液であるグリセリンを載せた状態で加熱した実施例の場合、描画した領域(電子ビームを当てた領域)が現像液に溶解し、描画しなかった領域にあるレジストが残ってパターンが形成されている。パターンの線幅も目標値を満足するものが形成されている。これに対し、グリセリンを用いなかった比較例は描画した領域のレジストが溶解せずに残ってしまってパターンが全くといっていいほど形成されていない。以上の結果から表面改質液としてグリセリンを用いれば、電子ビームを低加速に設定したとしても、加熱時において酸触媒反応を促進させることができることが確認された。
C キャリア
B1 キャリア載置部
B2 処理部
B3 インターフェイス部
B4 露光装置
DEV 現像ユニット
3,7 基板保持部
31,71 吸着部
32,72 加熱手段
35 電力供給部
41 回転軸
44 回転駆動部
5 カップ
61 表面改質液ノズル
62 剥離液ノズル
63 現像液ノズル
64 リンス液ノズル
73 冷却手段
83 供給ノズル
Claims (12)
- 基板を略水平に保持すると共に、露光されたレジスト膜を熱処理するために基板を加熱する加熱手段を備えた基板保持部と、
前記基板保持部に保持された熱処理後の基板を冷却する冷却手段と、
前記基板保持部に保持された冷却後の基板に対して現像液を供給するための現像液供給手段と、を備えたことを特徴とする現像処理装置。 - 前記レジスト液は化学増幅型であり、レジスト膜の熱処理時における酸触媒反応を促進させるための表面改質液を基板に供給する表面改質液供給手段を更に備えたことを特徴とする請求項1記載の現像処理装置。
- 前記表面改質液は、グリセリンであることを特徴とする請求項2記載の現像処理装置。
- 前記表面改質液供給手段により前記基板に表面改質液を供給してから所定時間経過後、前記基板表面の表面改質液を除去するために、当該基板表面に剥離液を供給する剥離液供給手段を備えたことを特徴とする請求項2又は3に記載の現像処理装置。
- 前記冷却手段は、前記基板を回転させて放熱させるために、前記基板保持部を回転させる回転機構であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の現像処理装置。
- 前記冷却手段は、前記基板保持部に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の現像処理装置。
- 前記基板表面の液を吸引して除去するための吸引手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一に記載の現像処理装置。
- 前記露光は、化学増幅型レジスト膜が形成された基板の表面に、電子ビームを照射して所定のマスクパターンを描画するものであることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一に記載の現像処理装置。
- 露光されたレジスト膜を熱処理するために、前記レジスト膜が形成された基板を基板保持部に載置して加熱する加熱工程と、
次いで前記基板を現像処理を行う温度まで冷却する冷却工程と、
次いで前記基板保持部に保持されている基板のレジスト膜の上に現像液を液盛りし、所定の現像処理を行う現像工程と、を含むことを特徴とする現像処理方法。 - レジスト膜は化学増幅型であり、レジスト膜の酸触媒反応を促進させる表面改質液を前記基板保持部に保持されている基板に供給する工程を更に備えたことを特徴とする請求項9記載の現像処理方法。
- 前記加熱工程の後であって、現像工程の前に、基板表面の表面改質液を除去するために、当該基板表面に剥離液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項11記載の現像処理方法。
- 前記露光は、化学増幅型レジスト膜が形成された基板の表面に、電子ビームを照射して所定のマスクパターンを描画するものであることを特徴とする請求項10又は11記載の現像処理方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009290108A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びその洗浄方法 |
JP2010219168A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP2011129953A (ja) * | 2011-03-03 | 2011-06-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
KR101543699B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2015-08-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US9748118B2 (en) | 2013-07-31 | 2017-08-29 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
TWI677038B (zh) * | 2015-03-19 | 2019-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於減少半導體結構中由輻射引起的變化的方法和裝置 |
KR20200017027A (ko) * | 2018-08-08 | 2020-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20200017026A (ko) * | 2018-08-08 | 2020-02-18 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4853537B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP2011124352A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
US8703403B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for drying a wafer |
US9354521B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US11267012B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Spatial control of vapor condensation using convection |
US11220737B2 (en) | 2014-06-25 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
EP2960059B1 (en) | 2014-06-25 | 2018-10-24 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
JP6447354B2 (ja) * | 2014-07-23 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置 |
JP6461617B2 (ja) * | 2015-01-20 | 2019-01-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US10566534B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP) |
CN105246261B (zh) * | 2015-10-16 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种芯片去除装置 |
US10203604B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-02-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers |
US9958782B2 (en) * | 2016-06-29 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for post exposure bake |
US12023734B2 (en) | 2019-12-16 | 2024-07-02 | National Research Council Of Canada | Apparatus and method for temperature controlled cold spray |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3272815B2 (ja) * | 1993-05-20 | 2002-04-08 | 株式会社東芝 | レジスト感度調整装置および方法 |
JP3559139B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2004-08-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH1140470A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
JP3453073B2 (ja) | 1998-10-14 | 2003-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置 |
JP4294154B2 (ja) | 1999-04-14 | 2009-07-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 微細パターン形成材料を用いた半導体装置の製造方法 |
TW476073B (en) * | 1999-12-09 | 2002-02-11 | Ebara Corp | Solution containing metal component, method of and apparatus for forming thin metal film |
JP2002134402A (ja) * | 2000-08-15 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP4189141B2 (ja) | 2000-12-21 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 |
JP4015823B2 (ja) | 2001-05-14 | 2007-11-28 | 株式会社東芝 | アルカリ現像液の製造方法,アルカリ現像液,パターン形成方法,レジスト膜の剥離方法,及び薬液塗布装置 |
KR100904361B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2009-06-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 온도제어방법 및 시스템 |
JP4271095B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
-
2004
- 2004-07-15 JP JP2004208506A patent/JP4343050B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-13 WO PCT/JP2005/012957 patent/WO2006009046A1/ja active Application Filing
- 2005-07-13 US US11/631,514 patent/US7740410B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-05-05 US US12/774,006 patent/US8021062B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009290108A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びその洗浄方法 |
JP2010219168A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
KR101522437B1 (ko) * | 2009-03-13 | 2015-05-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 |
JP2011129953A (ja) * | 2011-03-03 | 2011-06-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
KR101543699B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2015-08-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US9748118B2 (en) | 2013-07-31 | 2017-08-29 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
TWI677038B (zh) * | 2015-03-19 | 2019-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於減少半導體結構中由輻射引起的變化的方法和裝置 |
KR20200017027A (ko) * | 2018-08-08 | 2020-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20200017026A (ko) * | 2018-08-08 | 2020-02-18 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
KR102243063B1 (ko) | 2018-08-08 | 2021-04-22 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
KR102288984B1 (ko) * | 2018-08-08 | 2021-08-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100216077A1 (en) | 2010-08-26 |
US7740410B2 (en) | 2010-06-22 |
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