JP3625707B2 - 基板現像装置および基板現像方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板上に形成された感光性膜に現像液を供給して現像処理を行なう基板現像装置および基板現像方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
周知のように、フォトリソグラフィー工程においては、基板の主面に対しては、レジスト塗布、露光、現像、それらに付随する熱処理などの処理が順次行われ、基板上にパターンが形成される。一般に、これらの処理は、まずレジスト塗布装置により基板にレジスト膜が形成される。そして、基板に対して熱処理が施された後、レジスト膜の形成された基板が露光機に搬送されて露光される。続いて露光後の熱処理が施された後、基板は基板現像装置SDに搬送され、基板現像装置SD内において基板に現像液が供給され、所定時間が経過して基板の現像処理が進んだ後に基板にリンス液が供給されてリンス処理が行われる。その後、振り切り乾燥等の乾燥処理が行われて現像処理を終了し、加熱処理装置および冷却処理装置へ搬送されて熱処理が行われ、基板上に所望のパターンが形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の一連の基板処理の中の現像処理時に、図7に示すように基板上においてパターン形成領域Rではない部分(以下、「オープンフレーム」と称す)Oや、パターン形成領域R(図8参照)に形成された複数のパターンPの間のパターンの形成されていない部分に約0.1μm程度の微小なドット状またはサテライト状の粘着性の付着物Eが発生することがわかってきた。この付着物Eは微小ではあるが数千個にも及ぶ場合もあり、大量の付着物Eが発生すると現像欠陥となるため不都合が生じる。特に近年、半導体デバイスの高集積化に伴ってパターンを高精細化する技術が求められており、化学増幅型レジスト等の高解像度レジストを用いることにより基板の主面に形成されるパターンの線幅が微小になってきているため、この付着物Eが無視できない存在となってきた。
この付着物Eの発生原因は不明であるが、本発明者らが鋭意研究したところ、基板上において現像液が供給されて溶解されたレジストの現像残りカスがリンス処理によって基板上から洗い流されることなく微細なゲル状の付着物Eとなって強度の粘着力を有しつつ基板に付着しているのではないかと推測される。そしてこの付着物Eは現像液供給の後、通常のリンス処理を行っても洗い流すことはできずに基板上に付着したままである。
さらに、一般的にレジストを塗布する前に基板上にBARCと呼ばれる反射防止膜を形成することが行われているが、この反射防止膜は図8に示すように表面が粗いため、表面付着した付着物Eが密着して離れにくくなる要因となっていると考えられる。
【0004】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、現像処理後の基板、特に基板のオープンフレームやパターン形成領域に微小な付着物が残留するのを防止できる基板現像装置および基板現像方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、請求項1に記載の基板現像装置は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と基板保持手段に保持された基板の主面に対して現像液を供給する現像液供給手段と現像液供給手段により現像液の供給された基板の主面に対してリンス液を供給して第1のリンス処理を行う第1のリンス液供給手段と第1のリンス処理の終了した基板に残留する付着物を乾燥させるために前記基板を加熱する基板加熱手段と、基板加熱手段による加熱処理後の基板の主面に対してリンス液を供給して第2のリンス処理を行なう第2のリンス液供給手段とを備えたことを特徴とするものである。
【0006】
また、請求項2に記載の基板現像装置は、請求項1に記載の基板現像装置において、基板加熱手段は、基板の主面に対して加熱された気体を供給する加熱気体供給手段よりなることを特徴とするものである。
【0007】
また、請求項3に記載の基板現像装置は、請求項1に記載の基板現像装置において、基板加熱手段は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱手段よりなることを特徴とするものである。
【0008】
また、請求項4に記載の基板現像装置は、請求項1ないし請求項3に記載の基板現像装置において、第1および第2のリンス液供給手段は、単一のリンス液供給手段により兼用されることを特徴とするものである。
【0009】
また、請求項5に記載の基板現像方法は、基板保持手段によって水平姿勢に保持された基板の主面に対して現像液を供給する現像液供給工程と、現像液供給後の基板の主面に対してリンス液を供給して第1のリンス処理を行う第1のリンス液供給工程と、リンス処理後の基板に残留する付着物を乾燥させるために基板に対して加熱処理を行う加熱処理工程と、加熱処理後の基板の主面に対してリンス液を供給して第2のリンス処理を行う第2のリンス液供給工程とを備えたことを特徴とするものである。
【0010】
また、請求項6に記載の基板現像方法は、請求項5に記載の基板現像方法において、加熱処理工程は、基板の主面に対して加熱された加熱気体を供給する加熱気体供給工程よりなることを特徴とするものである。
【0011】
また、請求項7に記載の基板現像方法は、請求項5に記載の基板現像方法において、熱処理工程は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱工程よりなることを特徴とする
【0012】
請求項1に係る発明の基板現像装置においては、現像液の供給された基板の主面に対する第1のリンス処理後に基板を加熱する基板加熱手段と、加熱処理後の基板の主面に対して第2のリンス処理を行う第2のリンス液供給手段を備えたことにより、第1のリンス処理後に基板の主面を加熱することにより基板の主面に残留する付着物を乾燥させることができ、続いて行う第2のリンス処理によって乾燥した付着物を基板の主面から洗い流して除去することができる。
【0013】
請求項2に係る発明の基板現像装置においては、基板加熱手段は、基板の主面に対して加熱された気体を供給する加熱気体供給手段としたことにより、第1のリンス処理後の基板の主面を加熱でき、基板の主面に付着する付着物を乾燥させることが可能となる。その結果、第2のリンス処理によって基板の主面の付着物を効果的に洗い流して除去できる。また、加熱気体供給手段を基板現像装置内に備えたことによって専用の加熱処理装置を設ける必要がなく、スループットの低下を招かず、また装置全体のスペース効率を向上させることができる。
【0014】
請求項3に係る発明の基板現像装置においては、基板加熱手段は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱手段としたことにより、第1のリンス処理後の基板の主面を加熱でき、基板の主面に付着する付着物を乾燥させることができる。その結果、第2のリンス処理によって基板の主面の付着物を洗い流して効果的に除去できる。また、光照射加熱手段を基板現像装置内に備えたことによって専用の加熱処理装置を設ける必要がなく、スループットの低下を招かず、また装置全体のスペース効率を向上させることができる。
【0015】
請求項4に係る発明の基板現像装置においては、第1および第2のリンス液供給手段を単一のリンス液供給手段により兼用することにより、装置構成を簡略化することができる。
【0016】
請求項5に係る発明の基板現像方法においては、第1のリンス液供給工程の後に基板に対して加熱処理を行なう加熱処理工程と、加熱処理後の基板の主面に対して第2のリンス処理を行う第2のリンス液供給工程を備えたことにより、第1のリンス処理後の基板の主面を加熱して基板の主面に残留する付着物を乾燥させることができ、続いて行う第2のリンス処理によって乾燥した付着物を洗い流して除去することができる。
【0017】
請求項6に係る発明の基板現像方法においては、加熱処理工程は基板の主面に対して加熱された加熱気体を供給する加熱気体供給工程よりなるとしたことにより、第1のリンス液供給工程後の基板の主面を加熱でき、基板の主面に付着する付着物を乾燥させることが可能となる。その結果、その後の第2のリンス液供給工程によって基板の主面の付着物を効果的に除去できる。
【0018】
請求項7に係る発明の基板現像方法においては、加熱処理工程は基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱工程よりなるとしたことにより、第1のリンス液供給工程後の基板の主面全面をより迅速に加熱でき、基板の主面に付着する付着物を乾燥させることができる。その結果、基板の主面の付着物を効果的に除去できる。
【0019】
【発明の実施形態】
図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明における基板現像装置SDを含む基板処理システム1のシステム構成図である。基板処理システム1は、図示しない基板収納カセットと搬送装置とが配置され、搬送装置により基板収納カセットから処理前の基板を取出すとともに、所定の処理が終了した基板を基板収納カセットへ収納するインデクサIDと、基板に対して所定の処理を行う複数の基板処理装置群と当該基板処理装置に対して基板の搬送を行う搬送ユニットTRとが配置される基板処理エリア12と、図示しない搬送装置を備え、基板処理エリア12と露光装置STとの間での基板の受渡しを行うインターフェース部ICとを備えている。
【0020】
基板処理エリア12には、搬送ユニットを挟んだその一方側に基板に対して反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する塗布装置SC1と、基板に対して化学増幅型レジスト液を塗布する塗布装置SC2と、露光装置STで露光された基板に対して現像処理を行う現像装置SDとが配置され、その他方側に基板に対して加熱処理を行う加熱処理装置HP1、HP2、HP3、PEBと、加熱処理後の基板に対して冷却処理を行う冷却処理装置CP1、CP2、CP3、CP4とが配置されている。
【0021】
本発明に係る基板現像装置SDは、このような基板処理システム1内に組み込まれており、他の基板処理装置とともに基板Wの主面に対して所定の処理を行う。
【0022】
なお、図1では、加熱処理装置と冷却装置とが平面的に配置されているように描かれているが、各加熱処理装置HP並びに各冷却処理装置は上下方向に配置されている。また、各処理装置の数は上記したものに限らず任意の数設置すればよい。
【0023】
図1に示した基板処理システム1および露光装置STにおける基板の処理フローの一例について図2に示す。この図2に基づいて基板の処理手順を簡単に説明すると、まず、インデクサ部IDから基板収納カセットに収納された処理前の基板が図示しない搬送装置により1枚ずつ基板処理エリア12の搬送ユニットTRへ供給され、搬送ユニットTRが、基板上に反射防止膜としての反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する塗布装置SC1,反射防止膜の塗布された基板を加熱して溶媒成分を揮発させる加熱処理装置HP1、加熱処理後の基板を冷却する冷却処理装置CP1、基板上にレジスト膜を塗布する塗布装置SC2、レジスト液の塗布された基板を加熱して溶媒成分を揮発させる加熱処理装置HP2および加熱処理後の基板を冷却する冷却処理装置CP2へと順番に移動しながら、それぞれ各処理装置において、先に入っていた基板を取出すとともに処理しようとする基板を投入し、それぞれ各処理装置により基板に対し所要の処理が施される。これにより、基板の主面にレジスト膜が形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基板は、搬送ユニットTRからインターフェース部IFへと渡され、インターフェース部IFを通して露光装置STへ搬入される。そして、露光装置STにおいて基板が露光され、露光処理が終了した基板は、露光装置STからインターフェース部IFへ戻され、インターフェース部IFを通して搬送ユニットTRへ受け渡される。
【0024】
搬送ユニットTRに戻された露光処理後の基板は、搬送ユニットTRによって加熱処理装置PEBへ搬送され、加熱処理装置PEBにより加熱処理される。この加熱処理により、露光部分における化学反応が促進される。そして、搬送ユニットTRによって基板が加熱処理装置PEBから冷却処理装置CP3へ搬送され、冷却処理装置CP3で基板が冷却処理される。この冷却処理により、レジストの露光部分における反応が停止する。その後、搬送ユニットTRが、基板を冷却処理装置CP3から基板現像装置SDへ搬送し、基板の現像処理が行われる。現像処理の終了した基板は、現像処理後のいわゆるポストベークを行うためHP3へと搬送され、ポストベークを行なった後、CP4に送られて冷却処理が施され、インデクサIDへと搬送される。
【0025】
次に、図3および図4を参照して本発明に係る基板現像装置の第1の実施の形態について説明する。図3は本発明の第1の実施形態に係る基板現像装置SDを示す平面図である。また、図4は図3に示す矢印X方向から見た本発明の第1の実施形態に係る基板現像装置SDを示す概略構成図である。
【0026】
基板現像装置SDは、基板Wを水平姿勢で回転保持する基板保持手段としての回転保持部40と、回転保持部40によって保持された基板Wの主面に現像液を供給する現像液供給部50と、現像液の供給後および後述する加熱気体の供給後の基板Wの主面にリンス液(本実施形態では純水)を供給するリンス液供給部60と、リンス液が供給された基板Wの主面に対して加熱気体を供給する加熱気体供給部80と、上記基板現像装置SDに備えられた各機構の動作を制御する制御部110とを備えている。
【0027】
図4に示すように、回転保持部40は基板Wを水平姿勢に吸着保持する回転台41と、回転台41の下面側中央に垂設された回転軸42と、回転軸42を介して回転台41を鉛直方向を軸として回転駆動するスピンモータ43とにより構成される。なお、回転台40は基板Wを吸着保持する形態に限定されるものではなく、基板Wの周縁部を保持する形態の回転台であってもよい。
【0028】
また、基板Wの周辺を覆うようにして飛散防止カップ70が配置されており、基板Wの回転によって飛散した現像液やリンス液は当該飛散防止カップ70によって回収される。さらに、飛散防止カップの外側には外壁75が配置されている。
【0029】
現像液供給部50は、図3に示すように待機時には紙面における基板Wの左側方の第1の待機位置55aに位置し、基板と同等以上の長さを有する図示しないスリット状の現像液供給口を有する現像液供給ノズル51と、現像液供給ノズル51に対して現像液を供給する現像液供給源56(図4参照)と、現像液供給ノズル51と現像液供給源56とを連通接続して現像液を供給せしめる現像液供給配管58と、現像液供給配管58の途中に設けられ、電気的に接続された制御部110による制御に基づいて現像液の供給および停止を行う開閉バルブ57と、現像液供給ノズル51を保持する水平アーム52と、水平アーム52に連結する移動部54と、移動部54が第1の待機位置55aと第2の待機位置55bとの間で水平かつ直線的に移動するように回転駆動されるボールネジ53とにより構成される。なお、図示を省略しているが、モータ59も制御部110と電気的に接続され制御部110により制御される。そして、基板に対する現像液供給時には、図3において現像液供給ノズル51が基板Wの左端上方に位置する手前から現像液の供給を開始し、現像液供給ノズル51が基板Wの右端上方を通過した後に現像液の供給を停止する。ここで、現像液供給ノズル51および現像液供給配管58が本発明における現像液供給手段に該当する。
【0030】
なお、現像液供給ノズルは、必ずしもスリット状の現像液供給ノズルである必要はなく、例えば、基板中心部に現像液を供給して基板Wを回転させることによって基板W上に現像液を液盛りするタイプのものでもよく、任意の構成をとりうる。
【0031】
リンス液供給部60は図3において紙面における基板Wの上部側に配置され、基板Wの主面に対してリンス液を供給するリンス液供給ノズル61と、リンス液供給ノズル61に対してリンス液を供給するリンス液供給源65と、リンス液供給ノズル61とリンス液供給源65とを連通接続するリンス液供給配管64と、リンス液供給配管64内の途中に設けられて電気的に接続された制御部110による制御に基づいてリンス液の供給および停止を行う開閉バルブ66と、リンス液供給ノズル61を支持するリンス液供給ノズル支持部62と、ノズル支持部62をその上端部に固設する支柱67と、電気的に制御部110と接続され、制御部110による制御に基づいてリンス液供給ノズル61が基板上で回動可能なようにリンス液供給ノズル61を駆動するノズル回動モータ63とにより構成される。なお、リンス液供給ノズル61とリンス液供給配管64とが本発明のリンス液供給手段に該当する。
【0032】
加熱気体供給部80は図3において基板Wの斜め左上に位置し、上述した現像液供給ノズル51の基板Wに沿った水平移動時に現像液供給ノズル51と干渉しないような高さ関係で配置されている。この加熱気体供給部80は、基板Wの主面に対して例えば窒素ガス等の気体を吹き付ける気体供給ノズル81と、気体供給ノズル81が少なくとも基板Wの端部上方と基板Wの中央部上方との間で水平方向に往復移動するように伸縮動作するノズル保持アーム82と、気体供給ノズル81に対して窒素ガスを供給する窒素ガス供給源83と、気体供給ノズル81と気体供給源83とを連通接続する窒素ガス供給配管84と、窒素ガス供給配管84内を通る窒素ガスを電熱コイル等の加熱手段により加熱する加熱部85と、窒素ガス供給配管84の途中に設けられ、電気的に接続された制御部110による制御に基づき窒素ガスの供給および停止を行う開閉バルブ86とにより構成される。なお、このうち気体供給ノズル81と窒素ガス供給配管84と、加熱部85とが本発明における加熱気体供給手段に該当する。
【0033】
次に、上記構成を有する第1の実施形態の基板現像装置SDにおける現像処理時の動作について説明する。
基板現像装置SDに露光処理後の熱処理の終了した基板Wが搬送ユニットTRにより搬入されると、回転台41の上面に基板Wが吸着保持される。そして、まずモータ59の駆動によりボールネジ53が回転され、現像液供給部50の水平アーム52に連結する移動部54がボールネジ53に沿って水平かつ直線的に移動を開始し、それに伴って現像液供給ノズル51が基板Wの主面との間に所定の高さ関係を維持しながら、図3の紙面における基板Wの左側方から右側方まで移動する。図3において現像液供給ノズル51が基板Wの左端の手前の位置に達すると開閉バルブ57が開かれ、現像液供給ノズル51の先端部に設けられたスリット状の現像液供給口から静止状態の基板Wの主面に対して現像液の供給が開始されるとともに、現像液供給ノズル51が基板Wの右端を通過すると現像液の供給が停止される。これにより基板W上に現像液を均一に液盛りすることができる。
【0034】
上記のようにして現像液を基板Wの全面に液盛りした後、この状態を一定時間保持することによって現像を進める。また、現像液供給ノズル51を待機位置55bに移動させるとともに図4中に二点鎖線で示すように飛散防止カップ70を上昇させる。そして、一定時間が経過した後、リンス液供給部60により基板Wに対してリンス液を供給し、現像の進行を停止させるための第1のリンス処理が行われる。第1のリンス処理では、まずリンス液供給ノズル61の先端部が基板中央部上方に位置するようにノズル回動モータ63が支柱67を回動させてノズル支持部62を駆動する。リンス液供給ノズル61が基板中央部上方に到達すると、スピンモータ43により回転台41上の基板を回転動作させながら、開閉バルブ66を開放してリンス液供給源65からリンス液を供給し、基板W上の現像液をリンス液で置き換えて現像の進行を停止させる。そしてリンス液での置き換えが完了すると、開閉バルブ66を閉じてリンス液の供給を停止し、リンス液供給ノズル61をノズル回動モータ63の駆動により基板Wの上方から退避させて第1のリンス処理が終了する。そしてさらに基板Wを回転動作させ、基板Wの振り切り乾燥を行なった後、回転台41の回転を停止させる。
【0035】
次に基板の加熱を行う。ここでははまず、スピンモータ43の駆動により回転台41上の基板Wを例えば約数十rpm./sec.の速度で低速回転させる。そして、開閉バルブ86を開き、窒素ガス供給源83からの窒素ガスの供給を開始する。当該窒素ガスは加熱部85で例えば40度以上の温度に加熱されて窒素ガス供給配管84を通じて気体供給ノズル81から基板Wの主面に対して供給される。そして窒素ガスを供給した状態でノズル保持アーム82が図4に示す矢印方向に伸縮し、基板W全面に対して所定時間、例えば1分間加熱気体を供給しながら基板Wを乾燥させ、第1のリンス処理によっても基板W上から流し去ることができなかった現像欠陥の基となる基板W上の付着物も乾燥させて基板W上から取り除き易くする。
【0036】
最後に再びリンス液供給部60による第2のリンス処理により現像欠陥のもととなる基板W上の付着物を流し去る。即ち、第2のリンス処理でも、第1のリンス処理時と同様にまずリンス液供給ノズル61の先端部が基板中央部上方に位置するようにノズル回動モータ63が支柱67を介してノズル支持部62を回動駆動する。リンス液供給ノズル61が基板中央部上方に到達すると、スピンモータ43により回転台41上の基板Wを回転動作させながら、開閉バルブ66を開放してリンス液供給源65からのリンス液を基板Wに対して所定時間供給し、リンス液の流れと回転による遠心力によって基板Wに付着している付着物を基板W表面から離脱させるとともに基板W上から流し去る。そして所定時間が経過すると、開閉バルブ66を閉じてリンス液の供給を停止し、リンス液供給ノズル61をノズル回動モータ63の駆動により基板Wの上方から退避させて第2のリンス処理を終了する。そしてさらに基板Wを回転動作させ、基板Wの振り切り乾燥を行なった後、回転台41の回転を停止させる。
なお、本実施の形態においては、単一のリンス液供給ノズル61によって第1および第2のリンス処理を行う構成としたが、複数のリンス液供給ノズル61を設けて第1、第2のリンス処理時にそれぞれ使い分ける構成としてもよい。
【0037】
このようにして施された現像処理は、基板Wに現像液を供給してリンス処理をおこなった後に、基板Wの主面に対して加熱気体を供給することで、基板に付着した微細なゲル状の付着物Eを乾燥させることができ、続いて行うリンス処理によって付着物Eを基板W上から洗い流すことを容易にする。本発明者らの実験によると、通常の現像処理では基板の現像処理が終了した後に1枚の基板のオープンフレームOやパターン形成領域Rに数千個残留していた付着物Eが、本実施の形態を実際に実施することによって数十個にまで激減したことが確認されている。
【0038】
次に、図5を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図5は第2の実施の形態に係る基板現像装置100を示す概略構成図である。なお、この第2の実施の形態において第1の実施の形態と共通する部分は図4と同一の符号を付してその説明は省略する。尚、主に異なるのは第1のリンス処理の後に基板Wの加熱処理を行う基板加熱手段として、加熱された窒素ガスを供給する代わりに光照射加熱部90を備える構成を採る点のみであり、それ以外の構成、および処理動作は上述した第1の実施形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。
【0039】
光照射加熱部90は、図5、および図6に示すように制御部110の制御により基板Wの主面に対して光照射加熱を行う発光体91と、発光体91を有する発光体保持手段92とによって構成されている。なお、発光体91が本発明における光照射加熱手段に該当する。
【0040】
発光体91は図6に示すように棒状の赤外線ランプが一定間隔を有して基板Wを覆うように複数配置されている。尚、発光体91は赤外線ランプの他、ハロゲンランプ、キセノンアークランプ等でも良い。また、発光体41は基板Wの主面の面積に近似する範囲を覆うようにその長さや配置個数が適宜決定される。
【0041】
第2の実施形態の光照射加熱手段による基板の加熱も上記第1の実施の形態と同様に、基板Wに対する第1のリンス処理の後に行われる。ここで基板Wを加熱する際には、制御部110の制御によって発光体91が点灯され、回転台41上で静止状態の基板Wの主面に対して40度以上の温度で約1分間光照射加熱処理を行う。このように、基板加熱手段を図5および図6に示す形態としたことによっても上記第1の実施の形態と同等の効果を得ることが可能になる。また、簡易な構成で基板全面を加熱することができるため効果的である。
【0042】
上記第1の実施の形態においては、単一の気体供給ノズル81について開示したが、気体供給ノズルは複数設けてもよく、1本以上であればよい。また、基板を加熱する際に、ノズル保持アーム82が気体供給ノズル81が基板Wの端部上方と基板Wの中央部上方との間で水平方向に往復移動するように伸縮動作する構成としたが、気体供給ノズル81は固定式でもよく、また揺動等他の移動手段、方法を有するものでもよく基板W全面を加熱できる構成であればよい。
【0043】
また、上記第2の実施の形態において光照射加熱部90の発光体91を複数としたが、発光体91は単一でもよく、基板Wを光照射加熱できる構成であればよい。
【0044】
さらに、上記第2の実施の形態においては、基板加熱処理時に基板Wを静止状態としたが、基板を回転させながら加熱処理を行う構成としてもよい。
【0045】
なお、上記各実施の形態においては基板加熱手段による加熱温度を40度以上、加熱時間を約1分間としたが、それぞれこの数値に限定されるものではなく、基板Wの主面の付着物が十分に乾燥する加熱温度および加熱時間であればよい。
【0046】
さらに、本発明の基板加熱手段としては上記第1および第2の実施形態のものに限らず、例えば回転台41内に加熱手段を設けるなど、一連の現像処理過程で基板Wを加熱できる構成であればよい。
【0047】
【発明の効果】
本発明の基板現像装置によると、現像液が供給された後の第1のリンス処理の終了した基板が、基板加熱手段により加熱され、さらに第2のリンス処理が施されるので、第1のリンス処理によっても洗い流せなかった基板W上の付着物を容易に基板W上から洗い流すことができる。
【0048】
更に本発明の基板現像方法によると、現像液が供給された後の第1のリンス処理の終了基板が、加熱され、さらに第2のリンス処理が施されるので、第1のリンス処理によっても洗い流せなかった基板上の付着物を容易に基板上から洗い流すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における基板現像装置を含む基板処理システムのシステム構成図である。
【図2】図1に示した基板処理システムおよび露光装置における基板の処理フローを示す図である。
【図3】第1の実施形態に係る基板現像装置の概略構成を示す平面図である。
【図4】第1の実施形態に係る基板現像装置の構成を示す概略図である。
【図5】第2の実施形態に係る基板現像装置の構成を示す概略図である。
【図6】第2の実施形態に係る光照射加熱手段の構成を示す平面概略図である
【図7】従来の基板上での付着物の様子を示す平面概略図である。
【図8】従来の基板上での付着物の様子を示す断面概略図である。
【符号の説明】
SD、100 基板現像装置
40 回転保持部
50 現像液供給部
60 リンス液供給部
80 加熱気体供給部
81 気体供給ノズル
82 ノズル保持アーム
83 気体供給源
84 窒素ガス供給配管
85 加熱部
86 開閉バルブ
90 光照射加熱部
91 発光体
92 発光体保持手段
110 制御部
W 基板
Claims (7)
- 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の主面に対して現像液を供給する現像液供給手段と、
前記現像液供給手段により現像液の供給された基板の主面に対してリンス液を供給して第1のリンス処理を行う第1のリンス液供給手段と、
前記第1のリンス処理の終了した基板に残留する付着物を乾燥させるために前記基板を加熱する基板加熱手段と、
前記基板加熱手段による加熱処理後の基板の主面に対してリンス液を供給して第2のリンス処理を行う第2のリンス液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板現像装置。 - 請求項1に記載の基板現像装置において、
前記基板加熱手段は、基板の主面に対して加熱された気体を供給する加熱気体供給手段よりなることを特徴とする基板現像装置。 - 請求項1に記載の基板現像装置において、
前記基板加熱手段は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱手段よりなることを特徴とする基板現像装置。 - 請求項1ないし請求項3に記載の基板現像装置において、
前記第1および第2のリンス液供給手段は、単一のリンス液供給手段により兼用されることを特徴とする基板現像装置。 - 水平姿勢に保持された基板の主面に対して現像液を供給する現像液供給工程と、
現像液供給後の基板の主面に対してリンス液を供給して第1のリンス処理を行う第1のリンス液供給工程と、
第1のリンス処理後の基板に残留する付着物を乾燥させるために前記基板に対して加熱処理を行う加熱処理工程と、
加熱処理後の基板の主面に対してリンス液を供給して第2のリンス処理を行う第2のリンス液供給工程と、
を備えたことを特徴とする基板現像方法。 - 請求項5に記載の基板現像方法において、
前記加熱処理工程は、基板の主面に対して加熱された加熱気体を供給する加熱気体供給工程よりなることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項5に記載の基板現像方法において、
前記熱処理工程は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱工程よりなることを特徴とする基板現像方法。
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