JP2002134402A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法及び基板処理装置Info
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
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- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に現像処理後にレジストを硬化させ、ウエ
ハに対するレジストの密着性の向上を図ること。 【解決手段】 ウエハＷに塗布されたフォトレジストを
現像処理し、その現像液を洗浄液により洗浄して、その
後リンス液及びレジストが乾燥する前に、電子線照射ユ
ニット（ＥＢ）へ搬送されて、照射室Ｒは所定の真空度
又は大気圧までヘリウムガス置換され、照射装置４１に
より電子線がウエハＷ表面に所定時間だけ照射・加熱さ
れる。これにより現像後の乾燥によるパターン変形・折
れを防止することができる。
ハに対するレジストの密着性の向上を図ること。 【解決手段】 ウエハＷに塗布されたフォトレジストを
現像処理し、その現像液を洗浄液により洗浄して、その
後リンス液及びレジストが乾燥する前に、電子線照射ユ
ニット（ＥＢ）へ搬送されて、照射室Ｒは所定の真空度
又は大気圧までヘリウムガス置換され、照射装置４１に
より電子線がウエハＷ表面に所定時間だけ照射・加熱さ
れる。これにより現像後の乾燥によるパターン変形・折
れを防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ基板に光を照射して塗布膜を改質させる基板処理方法
及び基板処理装置に関する。
ハ基板に光を照射して塗布膜を改質させる基板処理方法
及び基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトリソグラフ
ィー工程では、半導体ウエハの表面にフォトレジストを
塗布し（レジスト塗布工程）、レジスト上にマスクパタ
ーンを焼き付けてから（露光工程）、レジストの感光部
もしくは非感光部を選択的に現像液に溶解させて現像液
をリンス液により洗い流し（現像工程）、ウエハ表面に
レジストパターンを形成するようにしている。近年のレ
ジストパターンの線幅は、技術の進歩に伴い著しい微細
化への傾向にある。
ィー工程では、半導体ウエハの表面にフォトレジストを
塗布し（レジスト塗布工程）、レジスト上にマスクパタ
ーンを焼き付けてから（露光工程）、レジストの感光部
もしくは非感光部を選択的に現像液に溶解させて現像液
をリンス液により洗い流し（現像工程）、ウエハ表面に
レジストパターンを形成するようにしている。近年のレ
ジストパターンの線幅は、技術の進歩に伴い著しい微細
化への傾向にある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
トパターンの線幅があまりにも微細であるため、特にア
スペクト比が高い場合には、パターンの焼き付け処理を
行っても、そのアスペクト比に適するレジストの硬度が
得られず、パターンの変形や、あるいは折れが生ずるこ
とがあった。
トパターンの線幅があまりにも微細であるため、特にア
スペクト比が高い場合には、パターンの焼き付け処理を
行っても、そのアスペクト比に適するレジストの硬度が
得られず、パターンの変形や、あるいは折れが生ずるこ
とがあった。
【０００４】特に現像工程においては、各パターン間の
現像液をリンス液により洗い流すために基板を高速で回
転させ、リンス液を飛散させることにより乾燥させるた
め、その回転の遠心力によってもパターン折れが生じて
いた。
現像液をリンス液により洗い流すために基板を高速で回
転させ、リンス液を飛散させることにより乾燥させるた
め、その回転の遠心力によってもパターン折れが生じて
いた。
【０００５】本発明は、このような事情に基づきなされ
たもので、パターンの変形やパターンの折れを防止する
ことができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
たもので、パターンの変形やパターンの折れを防止する
ことができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】また、本発明の目的は、特に現像処理後に
レジストを硬化させ、ウエハに対するレジストの密着性
の向上を図ることができる基板処理方法及び基板処理装
置を提供することにある。
レジストを硬化させ、ウエハに対するレジストの密着性
の向上を図ることができる基板処理方法及び基板処理装
置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の観点に係る本発明の基板処理方法は、（ａ）
前記基板上に所定のパターンを形成する工程と、（ｂ）
前記工程（ａ）の後に、前記基板上に水溶液を使った処
理を実行する工程と、（ｃ）前記基板上に可視光線の波
長より短い波長の光線を照射する工程とを具備する。
め、第１の観点に係る本発明の基板処理方法は、（ａ）
前記基板上に所定のパターンを形成する工程と、（ｂ）
前記工程（ａ）の後に、前記基板上に水溶液を使った処
理を実行する工程と、（ｃ）前記基板上に可視光線の波
長より短い波長の光線を照射する工程とを具備する。
【０００８】第２の観点に係る基板処理方法は、（ａ）
現像液により基板上の感光性材料を現像する工程と、
（ｂ）洗浄液を用いて前記現像液を洗い流す工程と、
（ｃ）前記感光性材料及び前記洗浄液が乾燥する前に、
前記感光性材料に可視光線の波長より短い波長の光線を
照射する工程とを具備する。
現像液により基板上の感光性材料を現像する工程と、
（ｂ）洗浄液を用いて前記現像液を洗い流す工程と、
（ｃ）前記感光性材料及び前記洗浄液が乾燥する前に、
前記感光性材料に可視光線の波長より短い波長の光線を
照射する工程とを具備する。
【０００９】第３の観点に係る基板処理方法は、基板上
に感光性材料を塗布する工程と、前記感光性材料に可視
光線の波長より短い波長の光線を照射する工程と、現像
液を用いて前記感光性材料を現像する工程と、洗浄液を
用いて前記現像液を洗い流す工程とを具備する。
に感光性材料を塗布する工程と、前記感光性材料に可視
光線の波長より短い波長の光線を照射する工程と、現像
液を用いて前記感光性材料を現像する工程と、洗浄液を
用いて前記現像液を洗い流す工程とを具備する。
【００１０】第４の観点に係る基板処理方法は、基板を
第１の温度で加熱する工程と、前記加熱後に、基板上に
可視光線の波長より短い波長の光線を照射する工程と、
前記光線が照射された基板を前記第１の温度より高い第
２の温度で加熱する工程とを具備する。
第１の温度で加熱する工程と、前記加熱後に、基板上に
可視光線の波長より短い波長の光線を照射する工程と、
前記光線が照射された基板を前記第１の温度より高い第
２の温度で加熱する工程とを具備する。
【００１１】第５の観点に係る基板処理方法は、（ａ）
前記基板上に所定のパターンを形成する工程と、（ｂ）
前記工程（ａ）の後に、前記基板上に水溶液を使った処
理を実行する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前
記パターン間の水溶液を所定の電磁エネルギーで弾き飛
ばす工程とを具備する。
前記基板上に所定のパターンを形成する工程と、（ｂ）
前記工程（ａ）の後に、前記基板上に水溶液を使った処
理を実行する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前
記パターン間の水溶液を所定の電磁エネルギーで弾き飛
ばす工程とを具備する。
【００１２】第６の観点に係る基板処理装置は、現像液
により基板上の感光性材料を現像し、洗浄液を用いて前
記現像液を洗い流す現像・洗浄部と、前記感光性材料及
び前記洗浄液が乾燥する前に、前記感光性材料に可視光
線の波長より短い波長の光線を照射する照射部とを具備
する。
により基板上の感光性材料を現像し、洗浄液を用いて前
記現像液を洗い流す現像・洗浄部と、前記感光性材料及
び前記洗浄液が乾燥する前に、前記感光性材料に可視光
線の波長より短い波長の光線を照射する照射部とを具備
する。
【００１３】本発明では、例えば現像処理後の基板を完
全には乾燥させない状態で電子線により感光性材料を硬
化・改質させているので、現像後の乾燥や洗浄液の表面
張力によるパターン変形・折れを防止でき、基板に対す
る感光性材料の密着性を向上させることができる。
全には乾燥させない状態で電子線により感光性材料を硬
化・改質させているので、現像後の乾燥や洗浄液の表面
張力によるパターン変形・折れを防止でき、基板に対す
る感光性材料の密着性を向上させることができる。
【００１４】本発明では、例えば感光性材料を塗布した
後、その感光性材料を硬化・改質させているので、その
後の工程において、パターン変形・折れを防止でき、基
板に対する感光性材料の密着性が向上する。
後、その感光性材料を硬化・改質させているので、その
後の工程において、パターン変形・折れを防止でき、基
板に対する感光性材料の密着性が向上する。
【００１５】本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と
利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認
することができる。
利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認
することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【００１７】図１〜図３は本発明が適用される基板処理
装置の全体構成を示す図であって、図１は平面図、図２
は正面図及び図３は背面図である。
装置の全体構成を示す図であって、図１は平面図、図２
は正面図及び図３は背面図である。
【００１８】この基板処理装置１は、被処理基板として
半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚例えば２
５枚単位で外部からシステムに搬入し又はシステムから
搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハ
Ｗを搬入・搬出したりするためのカセットステーション
１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつ半導体ウエハＷに
所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置
に多段配置してなる処理ステーション１２と、この処理
ステーション１２と隣接して設けられる露光装置（図示
せず）との間で半導体ウエハＷを受け渡しするためのイ
ンタフェース部１４とを一体に接続した構成を有してい
る。
半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚例えば２
５枚単位で外部からシステムに搬入し又はシステムから
搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハ
Ｗを搬入・搬出したりするためのカセットステーション
１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつ半導体ウエハＷに
所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置
に多段配置してなる処理ステーション１２と、この処理
ステーション１２と隣接して設けられる露光装置（図示
せず）との間で半導体ウエハＷを受け渡しするためのイ
ンタフェース部１４とを一体に接続した構成を有してい
る。
【００１９】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれ
のウエハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ方
向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウ
エハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方
向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウエハ
カセットＣＲに選択的にアクセスするようになってい
る。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転可
能に構成されており、後述するように処理ステーション
１２側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）及びイクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれ
のウエハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ方
向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウ
エハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方
向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウエハ
カセットＣＲに選択的にアクセスするようになってい
る。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転可
能に構成されており、後述するように処理ステーション
１２側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）及びイクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２０】処理ステーション１２では、図１に示すよ
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２４が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ１,Ｇ２,Ｇ３,Ｇ４,Ｇ５の多段配置構成であり、第
１及び第２の組Ｇ１,Ｇ２の多段ユニットはシステム正
面（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ３の
多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配
置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインタフェース
部１４に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニッ
トは背部側に配置されている。なお第５の組Ｇ５は、主
ウエハ搬送機構２４のメンテナンスのためにレール２５
に沿って移動可能に構成されている。
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２４が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ１,Ｇ２,Ｇ３,Ｇ４,Ｇ５の多段配置構成であり、第
１及び第２の組Ｇ１,Ｇ２の多段ユニットはシステム正
面（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ３の
多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配
置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインタフェース
部１４に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニッ
トは背部側に配置されている。なお第５の組Ｇ５は、主
ウエハ搬送機構２４のメンテナンスのためにレール２５
に沿って移動可能に構成されている。
【００２１】主ウエハ搬送機構２４は図３に示すように
搬送体２４ａを有し、θ方向に回転可能に構成され、搬
送体２４ａはウエハＷを周りの各処理ユニットに搬送す
るためにＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動・アクセス可能となって
いる。
搬送体２４ａを有し、θ方向に回転可能に構成され、搬
送体２４ａはウエハＷを周りの各処理ユニットに搬送す
るためにＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動・アクセス可能となって
いる。
【００２２】図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カ
ップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例え
ばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、及び後述する現像
ユニット４０（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。第２の組Ｇ２でも、２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユ
ニット４０（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の
排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であること
から、このように下段に配置するのが好ましい。しか
し、必要に応じて上段に配置することも可能である。
ップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例え
ばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、及び後述する現像
ユニット４０（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。第２の組Ｇ２でも、２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユ
ニット４０（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の
排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であること
から、このように下段に配置するのが好ましい。しか
し、必要に応じて上段に配置することも可能である。
【００２３】図３に示すように、第３の組Ｇ３では、半
導体ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリング
ユニット（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、本発明に係る電子線照射ユニット（ＥＢ）３０、
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンション
ユニット（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥ
ＢＡＫＥ）が３段及びポストベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が重ねられている。第４の組Ｇ４でも、オー
ブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）が２段、イクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、本発明に係る電子線照射ユニット（Ｅ
Ｂ）３０、ポストエクスポージャーベーキングユニット
（ＰＥＢＡＫＥ）が２段及びポストベーキングユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が２段重ねられている。
導体ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリング
ユニット（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、本発明に係る電子線照射ユニット（ＥＢ）３０、
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンション
ユニット（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥ
ＢＡＫＥ）が３段及びポストベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が重ねられている。第４の組Ｇ４でも、オー
ブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）が２段、イクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、本発明に係る電子線照射ユニット（Ｅ
Ｂ）３０、ポストエクスポージャーベーキングユニット
（ＰＥＢＡＫＥ）が２段及びポストベーキングユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が２段重ねられている。
【００２４】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）や
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を上段に配
置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくす
ることができる。しかし、ランダムな多段配置とするこ
とも可能である。
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）や
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を上段に配
置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくす
ることができる。しかし、ランダムな多段配置とするこ
とも可能である。
【００２５】インタフェース部１４は、奥行方向では処
理ステーション１２と同じ寸法を有するが、幅方向では
小さなサイズにつくられている。インタフェース部１４
の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置
型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部に
は周辺露光装置２８が配設され、中央部にはウエハ搬送
体２６が設けられている。このウエハ搬送体２６は、
Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲ及び周辺露
光装置２８にアクセスするようになっている。さらに、
ウエハ搬送体２６は、θ方向に回転可能に構成され、処
理ステーション１２側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに
属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）にも、及び
隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも
アクセスできるようになっている。
理ステーション１２と同じ寸法を有するが、幅方向では
小さなサイズにつくられている。インタフェース部１４
の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置
型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部に
は周辺露光装置２８が配設され、中央部にはウエハ搬送
体２６が設けられている。このウエハ搬送体２６は、
Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲ及び周辺露
光装置２８にアクセスするようになっている。さらに、
ウエハ搬送体２６は、θ方向に回転可能に構成され、処
理ステーション１２側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに
属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）にも、及び
隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも
アクセスできるようになっている。
【００２６】図４及び図５は現像ユニット（ＤＥＶ）に
おける現像装置３５の概略断面図を示しており、この現
像装置３５は、環状のカップＣＰが配設され、その内側
にスピンチャック６０が配置されている。このスピンチ
ャック６０は真空吸着によってウエハＷを固定保持した
状態で、駆動モータ６２の回転駆動力で回転するように
構成され、この駆動モータ６２にはスピンチャック６０
を上下動させる機構も設けられている。ウエハＷの上方
には、現像液をウエハＷ上に供給するための現像液ノズ
ル６１が配置されており、この現像液ノズル６１は図示
しないがＹ方向の移動機構により移動可能なアームに取
り付けられており、現像液ノズル６１はこのアームの移
動により、ノズルが待機する位置であるノズル待機位置
７８まで移動可能となっている。また、この現像液ノズ
ル６１には図示せずとも現像液を吐出させる孔が設けら
れており、この孔の個数は１つであっても、あるいは複
数であってもよい。カップＣＰの図５中左方には、現像
液を洗い流すために洗浄液としてのリンス液を供給する
リンスノズル６３が待機しており、このリンスノズル６
３も同一のＹ方向の移動機構によりウエハＷの上方まで
移動可能となっている。カップＣＰの中には、廃液用の
ドレイン口６４が設けられ、このドレイン口６４から処
理後の現像液及びリンス液が廃棄されるようになってい
る。
おける現像装置３５の概略断面図を示しており、この現
像装置３５は、環状のカップＣＰが配設され、その内側
にスピンチャック６０が配置されている。このスピンチ
ャック６０は真空吸着によってウエハＷを固定保持した
状態で、駆動モータ６２の回転駆動力で回転するように
構成され、この駆動モータ６２にはスピンチャック６０
を上下動させる機構も設けられている。ウエハＷの上方
には、現像液をウエハＷ上に供給するための現像液ノズ
ル６１が配置されており、この現像液ノズル６１は図示
しないがＹ方向の移動機構により移動可能なアームに取
り付けられており、現像液ノズル６１はこのアームの移
動により、ノズルが待機する位置であるノズル待機位置
７８まで移動可能となっている。また、この現像液ノズ
ル６１には図示せずとも現像液を吐出させる孔が設けら
れており、この孔の個数は１つであっても、あるいは複
数であってもよい。カップＣＰの図５中左方には、現像
液を洗い流すために洗浄液としてのリンス液を供給する
リンスノズル６３が待機しており、このリンスノズル６
３も同一のＹ方向の移動機構によりウエハＷの上方まで
移動可能となっている。カップＣＰの中には、廃液用の
ドレイン口６４が設けられ、このドレイン口６４から処
理後の現像液及びリンス液が廃棄されるようになってい
る。
【００２７】図６に上記現像ユニット（ＤＥＶ）と同様
なスピン系のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）における
レジスト塗布装置５５の概略断面図を示す。このレジス
ト塗布装置５５については、スピンチャック６０や駆動
モータ６２、またウエハＷ上に感光性材料としてのフォ
トレジストを吐出するノズル５１の移動機構等は現像装
置３５の場合と同様である。カップＣＰの形状及びノズ
ル５１の形状が現像装置３５における場合と異なるだけ
であり、この形状等については本発明の要旨には関係し
ないのでその説明を省略する。また、フォトレジストと
しては電子線照射に対して不溶性をもつものを使用す
る。
なスピン系のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）における
レジスト塗布装置５５の概略断面図を示す。このレジス
ト塗布装置５５については、スピンチャック６０や駆動
モータ６２、またウエハＷ上に感光性材料としてのフォ
トレジストを吐出するノズル５１の移動機構等は現像装
置３５の場合と同様である。カップＣＰの形状及びノズ
ル５１の形状が現像装置３５における場合と異なるだけ
であり、この形状等については本発明の要旨には関係し
ないのでその説明を省略する。また、フォトレジストと
しては電子線照射に対して不溶性をもつものを使用す
る。
【００２８】次に図７を参照して電子線照射ユニット
（ＥＢ）３０の構成について説明する。
（ＥＢ）３０の構成について説明する。
【００２９】この電子線照射ユニット（ＥＢ）３０のユ
ニット両側には搬送体２４ａ（図３）によるウエハＷの
受け渡しをするための開口部４５が形成されており、こ
れら開口部４５にそれぞれ設けられた開閉自在のシャッ
タ４３が閉まることにより、この電子線照射ユニット
（ＥＢ）３０内の照射室Ｒが密閉されるようになってい
る。また、ユニット上方には、外部から不活性ガス、例
えばヘリウムガスをユニット内部の照射室Ｒを取り込む
ためのガス供給口４４が設けられている。ユニット下方
には排気口４２がもうけられ、この排気口４２から照射
室Ｒ内のガスが、図示しない真空ポンプにより排気さ
れ、照射室Ｒ内を真空状態にできるようになっている。
ニット両側には搬送体２４ａ（図３）によるウエハＷの
受け渡しをするための開口部４５が形成されており、こ
れら開口部４５にそれぞれ設けられた開閉自在のシャッ
タ４３が閉まることにより、この電子線照射ユニット
（ＥＢ）３０内の照射室Ｒが密閉されるようになってい
る。また、ユニット上方には、外部から不活性ガス、例
えばヘリウムガスをユニット内部の照射室Ｒを取り込む
ためのガス供給口４４が設けられている。ユニット下方
には排気口４２がもうけられ、この排気口４２から照射
室Ｒ内のガスが、図示しない真空ポンプにより排気さ
れ、照射室Ｒ内を真空状態にできるようになっている。
【００３０】照射室Ｒ内の下方中央付近にはウエハＷを
載置するための載置台４７が設置され、この載置台に
は、搬送体２４ａ（図３）によるウエハＷの受け渡しの
際に、昇降する３本のピン４６が内蔵されている。この
載置台４７の上方にはウエハＷに電子線を照射するため
の照射装置４１が配置されている。この照射装置４１
は、高さ方向に上下移動可能に構成されており、略円筒
形のハウジング４１ａ内に電子ビームを発生する図示し
ない電子線ランプを複数有している。
載置するための載置台４７が設置され、この載置台に
は、搬送体２４ａ（図３）によるウエハＷの受け渡しの
際に、昇降する３本のピン４６が内蔵されている。この
載置台４７の上方にはウエハＷに電子線を照射するため
の照射装置４１が配置されている。この照射装置４１
は、高さ方向に上下移動可能に構成されており、略円筒
形のハウジング４１ａ内に電子ビームを発生する図示し
ない電子線ランプを複数有している。
【００３１】以上のように構成される基板処理装置の作
用について図８に示すフロー図を参照しながら説明す
る。
用について図８に示すフロー図を参照しながら説明す
る。
【００３２】先ず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送体２２がカセット載置台２０上の処理前
のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスして、
そのカセットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出し
（Ｓ１）、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送さ
れる。このアライメントユニット（ＡＬＩＭ）にてウエ
ハＷの位置合わせが行われた後（Ｓ２）、主ウエハ搬送
機構２４によりアドヒージョンユニット（ＡＤ）へ搬送
され疎水化処理が行われ（Ｓ３）、次いでクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）にて所定の冷却処理（第１冷却）が行
われた後（Ｓ４）、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に
搬送される。
て、ウエハ搬送体２２がカセット載置台２０上の処理前
のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスして、
そのカセットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出し
（Ｓ１）、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送さ
れる。このアライメントユニット（ＡＬＩＭ）にてウエ
ハＷの位置合わせが行われた後（Ｓ２）、主ウエハ搬送
機構２４によりアドヒージョンユニット（ＡＤ）へ搬送
され疎水化処理が行われ（Ｓ３）、次いでクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）にて所定の冷却処理（第１冷却）が行
われた後（Ｓ４）、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に
搬送される。
【００３３】このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）（図
６）においては、ウエハＷがカップＣＰの直上位置まで
搬送されるとスピンチャック６０が上昇し、ウエハＷを
真空吸着させた後に下降してウエハＷがカップＣＰ内の
所定の位置（図６に示す状態）に収まり、続いてノズル
待機位置に待機していたノズル５１がウエハＷ上の中心
位置まで移動する。そしてレジストが供給され、ウエハ
Ｗの回転（例えば１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの回転
数）によりレジストが均一に塗布される（Ｓ５）。
６）においては、ウエハＷがカップＣＰの直上位置まで
搬送されるとスピンチャック６０が上昇し、ウエハＷを
真空吸着させた後に下降してウエハＷがカップＣＰ内の
所定の位置（図６に示す状態）に収まり、続いてノズル
待機位置に待機していたノズル５１がウエハＷ上の中心
位置まで移動する。そしてレジストが供給され、ウエハ
Ｗの回転（例えば１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの回転
数）によりレジストが均一に塗布される（Ｓ５）。
【００３４】次にプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）において所定の加熱処理（第１加熱）が行われ
（Ｓ６）、クーリングユニット（ＣＯＬ）において冷却
処理（第２冷却）され（Ｓ７）、その後ウエハ搬送体２
６によりインターフェース部１４を介して（Ｓ８）図示
しない露光装置により露光処理が行われる（Ｓ９）。露
光処理が終了した後は、ポストエクスポージャーベーキ
ングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）で露光後の所定の加熱処
理（第２加熱）（Ｓ１０）が行われ、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）において冷却処理（第３冷却）（Ｓ１１）
が行われる。その後ウエハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）
に搬送される。
ＫＥ）において所定の加熱処理（第１加熱）が行われ
（Ｓ６）、クーリングユニット（ＣＯＬ）において冷却
処理（第２冷却）され（Ｓ７）、その後ウエハ搬送体２
６によりインターフェース部１４を介して（Ｓ８）図示
しない露光装置により露光処理が行われる（Ｓ９）。露
光処理が終了した後は、ポストエクスポージャーベーキ
ングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）で露光後の所定の加熱処
理（第２加熱）（Ｓ１０）が行われ、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）において冷却処理（第３冷却）（Ｓ１１）
が行われる。その後ウエハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）
に搬送される。
【００３５】この現像ユニット（ＤＥＶ）では、ウエハ
ＷがカップＣＰの直上位置まで搬送されるとスピンチャ
ック６０が上昇し、ウエハＷを真空吸着させた後に下降
してウエハＷがカップＣＰ内の所定の位置（図４に示す
状態）に収まり、続いてノズル待機位置７８に待機して
いたノズル６１がウエハＷ上の中心位置まで移動する。
そしてレジストが供給され、ウエハＷの回転（例えば１
００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍの回転数）により現像液が
均一に塗布される（Ｓ１２）。そして、所定の現像時間
が経過した後に、今度はリンスノズル６３がウエハＷの
直上位置に移動してリンス液、例えば純水を吐出させ、
基板回転の遠心力で現像液を洗い流す。
ＷがカップＣＰの直上位置まで搬送されるとスピンチャ
ック６０が上昇し、ウエハＷを真空吸着させた後に下降
してウエハＷがカップＣＰ内の所定の位置（図４に示す
状態）に収まり、続いてノズル待機位置７８に待機して
いたノズル６１がウエハＷ上の中心位置まで移動する。
そしてレジストが供給され、ウエハＷの回転（例えば１
００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍの回転数）により現像液が
均一に塗布される（Ｓ１２）。そして、所定の現像時間
が経過した後に、今度はリンスノズル６３がウエハＷの
直上位置に移動してリンス液、例えば純水を吐出させ、
基板回転の遠心力で現像液を洗い流す。
【００３６】この際、ウエハＷを低速回転、例えば３０
ｒｐｍ〜５０ｒｐｍの回転で所定時間回転させてリンス
液を飛散させることにより、その低速回転の遠心力でパ
ターン折れが生じないようにし、また図９Ａに示すよう
に、リンス液７２がレジスト７０のパターン間に残存し
ている状態であって、レジスト７０自体も乾燥していな
い状態になるようにする（すなわち、レジスト７０及び
リンス液７２が完全に乾燥又は固化する前）。このとき
完全に乾燥してしまうと、パターンはもろくなり、折れ
やすくなってしまうからである。そしてウエハＷは、こ
の乾燥していない状態のまま、次工程の電子線照射ユニ
ット（ＥＢ）３０へ搬送される。こうすることによりレ
ジストパターンは、変形や折れは生じずに水分を保った
状態で次工程に搬送されることになる。
ｒｐｍ〜５０ｒｐｍの回転で所定時間回転させてリンス
液を飛散させることにより、その低速回転の遠心力でパ
ターン折れが生じないようにし、また図９Ａに示すよう
に、リンス液７２がレジスト７０のパターン間に残存し
ている状態であって、レジスト７０自体も乾燥していな
い状態になるようにする（すなわち、レジスト７０及び
リンス液７２が完全に乾燥又は固化する前）。このとき
完全に乾燥してしまうと、パターンはもろくなり、折れ
やすくなってしまうからである。そしてウエハＷは、こ
の乾燥していない状態のまま、次工程の電子線照射ユニ
ット（ＥＢ）３０へ搬送される。こうすることによりレ
ジストパターンは、変形や折れは生じずに水分を保った
状態で次工程に搬送されることになる。
【００３７】電子線照射ユニット（ＥＢ）では、まず一
方のシャッタ４３が開き、ウエハＷが照射室Ｒに搬送さ
れ、ピン４６に受け渡されたウエハＷがピンの下降によ
り載置台４７に載置されるとともに開いていた上記一方
のシャッタ４３が閉じ、照射室Ｒは密閉される。次に、
照射室Ｒは所定の真空度にされ、例えば大気圧までヘリ
ウムガス置換される。そして、照射装置４１により例え
ば３０ｋＶ〜２００ｋＶの加速電圧で電子線がウエハＷ
表面に所定時間だけ照射・加熱され、これによりレジス
トは硬化・改質する（Ｓ１３）。なお、ヘリウムガスに
代えて窒素ガスを用いても良いし、大気中の酸素濃度に
比べて低い酸素濃度雰囲気や減圧雰囲気でＳ１３を実行
してもよい。
方のシャッタ４３が開き、ウエハＷが照射室Ｒに搬送さ
れ、ピン４６に受け渡されたウエハＷがピンの下降によ
り載置台４７に載置されるとともに開いていた上記一方
のシャッタ４３が閉じ、照射室Ｒは密閉される。次に、
照射室Ｒは所定の真空度にされ、例えば大気圧までヘリ
ウムガス置換される。そして、照射装置４１により例え
ば３０ｋＶ〜２００ｋＶの加速電圧で電子線がウエハＷ
表面に所定時間だけ照射・加熱され、これによりレジス
トは硬化・改質する（Ｓ１３）。なお、ヘリウムガスに
代えて窒素ガスを用いても良いし、大気中の酸素濃度に
比べて低い酸素濃度雰囲気や減圧雰囲気でＳ１３を実行
してもよい。
【００３８】ところで電子線は、加速電圧の大きさに応
じてレジスト内の電子の到達深度を変えることができ
る。図９Ｂ、Ｃはそれぞれ図９Ａの破線で囲んだＡの部
分を拡大した模式図であるが、例えば図９Ｂに示すよう
にレジスト表面部分（到達深度小）７０ａを硬化させた
い場合には低電圧で照射し、あるいは図９Ｃに示すよう
にレジストの根元部分（到達深度大）７０ｂまで硬化さ
せたい場合には高電圧で照射して、レジストの硬化部分
を適宜選択することができる。なお、このようなレジス
トの硬化のほか、上記の電子線によって図９Ａに示した
ようにリンス液７２を蒸発させつつ表面改質を行うよう
にしてもよい。また、電子線（電磁エネルギー）によっ
てリンス液７２を弾き飛ばすようにしても構わない。
じてレジスト内の電子の到達深度を変えることができ
る。図９Ｂ、Ｃはそれぞれ図９Ａの破線で囲んだＡの部
分を拡大した模式図であるが、例えば図９Ｂに示すよう
にレジスト表面部分（到達深度小）７０ａを硬化させた
い場合には低電圧で照射し、あるいは図９Ｃに示すよう
にレジストの根元部分（到達深度大）７０ｂまで硬化さ
せたい場合には高電圧で照射して、レジストの硬化部分
を適宜選択することができる。なお、このようなレジス
トの硬化のほか、上記の電子線によって図９Ａに示した
ようにリンス液７２を蒸発させつつ表面改質を行うよう
にしてもよい。また、電子線（電磁エネルギー）によっ
てリンス液７２を弾き飛ばすようにしても構わない。
【００３９】電子線の照射が終了してレジストが所定の
硬度にされた後、照射室Ｒ内を減圧して、ウエハＷを乾
燥させる。この際、レジストはアスペクト比に応じた硬
度が得られているため、パターン間に存在するリンス液
の乾燥時の表面張力による変形・折れが生ずるおそれは
ない。このように現像後のウエハＷを完全には乾燥させ
ないで、レジストを硬化させることにより、現像後の乾
燥によるパターン変形・折れを防止することができる。
硬度にされた後、照射室Ｒ内を減圧して、ウエハＷを乾
燥させる。この際、レジストはアスペクト比に応じた硬
度が得られているため、パターン間に存在するリンス液
の乾燥時の表面張力による変形・折れが生ずるおそれは
ない。このように現像後のウエハＷを完全には乾燥させ
ないで、レジストを硬化させることにより、現像後の乾
燥によるパターン変形・折れを防止することができる。
【００４０】また、照射室Ｒ内はヘリウム雰囲気とされ
ていることにより、ヘリウムガスは熱伝導率が窒素等の
不活性ガスよりも高いので、電子線照射によるパターン
間のリンス液の蒸発を促進させて、ウエハＷを即座に乾
燥させることができる。これにより窒素ガスで置換した
場合に比べてタクトが短縮される。なお、これらの不活
性ガスの使用は、無酸素状態にすることにより酸素によ
る光の吸収を防止するためでもある。従ってこれらの不
活性ガスを使用せずに真空状態、すなわち無酸素状態で
照射処理を行うようにしてもよい。
ていることにより、ヘリウムガスは熱伝導率が窒素等の
不活性ガスよりも高いので、電子線照射によるパターン
間のリンス液の蒸発を促進させて、ウエハＷを即座に乾
燥させることができる。これにより窒素ガスで置換した
場合に比べてタクトが短縮される。なお、これらの不活
性ガスの使用は、無酸素状態にすることにより酸素によ
る光の吸収を防止するためでもある。従ってこれらの不
活性ガスを使用せずに真空状態、すなわち無酸素状態で
照射処理を行うようにしてもよい。
【００４１】電子線照射処理が終了すると、ポストベー
キングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）で所定の加熱処理（第
３加熱）が行われる（Ｓ１４）。この加熱処理は例えば
１００℃以上で加熱処理する。そしてクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）にて冷却処理（第４冷却）が行われた後
（Ｓ１５）、カセットステーション１０に戻される（Ｓ
１６）。
キングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）で所定の加熱処理（第
３加熱）が行われる（Ｓ１４）。この加熱処理は例えば
１００℃以上で加熱処理する。そしてクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）にて冷却処理（第４冷却）が行われた後
（Ｓ１５）、カセットステーション１０に戻される（Ｓ
１６）。
【００４２】次に図１０を参照して、本発明の他の実施
形態による現像後の処理を説明する。本実施形態では、
第１の実施形態における現像処理時においてリンス液に
よる洗浄後、例えばパターン７０の間隔ＬとＭとが異な
る場合には、図示するように間隔の大きいＬの方に存在
するリンス液７２ａによる表面張力は、間隔の小さいＭ
の方に存在する表面張力に比べて大きくなる。この場
合、図５に示す現像液ノズル６１及びリンス液ノズル６
３とは別のノズル（図示せず）を用意し、そのノズルに
よりリンス液の上から界面活性剤を供給して、表面張力
を小さくする。これによりパターンの変形・折れを抑制
して、更にその後、第１の実施形態と同様に電子線照射
を行うことにより確実にパターンの変形・折れを防止す
ることができる。なお、このような表面張力の調整は、
界面活性剤ではなく、例えば表面処理等の他の手段を講
じても勿論構わない。このような表面張力の調整を行う
ことでパターン間の引張り力によるパターンの変形・折
れを防止する、という効果も期待できる。
形態による現像後の処理を説明する。本実施形態では、
第１の実施形態における現像処理時においてリンス液に
よる洗浄後、例えばパターン７０の間隔ＬとＭとが異な
る場合には、図示するように間隔の大きいＬの方に存在
するリンス液７２ａによる表面張力は、間隔の小さいＭ
の方に存在する表面張力に比べて大きくなる。この場
合、図５に示す現像液ノズル６１及びリンス液ノズル６
３とは別のノズル（図示せず）を用意し、そのノズルに
よりリンス液の上から界面活性剤を供給して、表面張力
を小さくする。これによりパターンの変形・折れを抑制
して、更にその後、第１の実施形態と同様に電子線照射
を行うことにより確実にパターンの変形・折れを防止す
ることができる。なお、このような表面張力の調整は、
界面活性剤ではなく、例えば表面処理等の他の手段を講
じても勿論構わない。このような表面張力の調整を行う
ことでパターン間の引張り力によるパターンの変形・折
れを防止する、という効果も期待できる。
【００４３】なお、本発明は以上説明した実施形態には
限定されない。
限定されない。
【００４４】上記実施形態では現像処理後に電子線を照
射してレジストの改質を行うようにしたが、例えば、露
光後現像前に電子線照射によりレジスト改質を行うよう
にしてもよい。あるいはレジスト塗布処理後や、エッチ
ング処理前であってもよい。また、ステップ１３でのＥ
Ｂ照射を行わずに、図８に示したステップ１４の第３加
熱工程において、電子線の照射処理を行ってもよい。そ
の場合、図１１に示すように、まず第１の温度でウエハ
Ｗを加熱処理し（Ｓ１１１）、次に電子線の照射処理を
行い（Ｓ１１２）、次に第１の温度より高い第２の温度
で加熱処理すればよい（Ｓ１１３）。第２の温度よりも
低い第１の温度で電子線照射前に加熱処理を行うことで
電子線照射時により効率よく改質処理を行うことが可能
となる。
射してレジストの改質を行うようにしたが、例えば、露
光後現像前に電子線照射によりレジスト改質を行うよう
にしてもよい。あるいはレジスト塗布処理後や、エッチ
ング処理前であってもよい。また、ステップ１３でのＥ
Ｂ照射を行わずに、図８に示したステップ１４の第３加
熱工程において、電子線の照射処理を行ってもよい。そ
の場合、図１１に示すように、まず第１の温度でウエハ
Ｗを加熱処理し（Ｓ１１１）、次に電子線の照射処理を
行い（Ｓ１１２）、次に第１の温度より高い第２の温度
で加熱処理すればよい（Ｓ１１３）。第２の温度よりも
低い第１の温度で電子線照射前に加熱処理を行うことで
電子線照射時により効率よく改質処理を行うことが可能
となる。
【００４５】また、上記実施形態ではレジスト硬化に電
子線を使用したが、これに代えて紫外線を使用してもよ
い。
子線を使用したが、これに代えて紫外線を使用してもよ
い。
【００４６】また、上記実施形態では照射室をヘリウム
雰囲気にして照射処理を行うようにしたが、窒素雰囲気
にして処理を行うようにしてもよい。
雰囲気にして照射処理を行うようにしたが、窒素雰囲気
にして処理を行うようにしてもよい。
【００４７】上述した実施形態では、レジストが塗布さ
れたウエハを例にとり説明したが、例えば基板としては
ウエハに限らず、液晶装置用のガラス基板等の他の基板
にも本発明は適用できる。また、基板上に形成されるパ
ターンとしてはレジストに限らず、例えば絶縁層（ＳＯ
Ｄ膜）が形成された基板等に対しても本発明を当然適用
することが可能である。
れたウエハを例にとり説明したが、例えば基板としては
ウエハに限らず、液晶装置用のガラス基板等の他の基板
にも本発明は適用できる。また、基板上に形成されるパ
ターンとしてはレジストに限らず、例えば絶縁層（ＳＯ
Ｄ膜）が形成された基板等に対しても本発明を当然適用
することが可能である。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えば現像処理後の基板を完全には乾燥させない状態で
電子線によりレジストを硬化・改質させているので、現
像後の乾燥や洗浄液の表面張力によるパターン変形・折
れを防止でき、ウエハに対するレジストの密着性を向上
させることができる。
例えば現像処理後の基板を完全には乾燥させない状態で
電子線によりレジストを硬化・改質させているので、現
像後の乾燥や洗浄液の表面張力によるパターン変形・折
れを防止でき、ウエハに対するレジストの密着性を向上
させることができる。
【図１】本発明が適用される半導体ウエハ基板の処理装
置の全体構成を示す平面図である。
置の全体構成を示す平面図である。
【図２】同基板処理装置の全体構成を示す正面図であ
る。
る。
【図３】同基板処理装置の全体構成を示す背面図であ
る。
る。
【図４】本発明に係る現像装置の概略断面図である。
【図５】同現像装置の概略平面図である。
【図６】本発明に係るレジスト塗布装置の概略断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明に係る電子線照射ユニットの概略断面図
である。
である。
【図８】本発明による基板処理装置の一連の動作を示す
フロー図である。
フロー図である。
【図９】（ａ）はレジストのパターン間にリンス液が残
存している状態を示す拡大断面図、（ｂ）は照射到達深
度が小さい場合を示す拡大断面図、（ｃ）は照射到達深
度が大きい場合を示す拡大断面図である。
存している状態を示す拡大断面図、（ｂ）は照射到達深
度が小さい場合を示す拡大断面図、（ｃ）は照射到達深
度が大きい場合を示す拡大断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態によるレジストのパタ
ーン間隔を示す拡大断面図である。
ーン間隔を示す拡大断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る動作フロー図で
ある。
ある。
Ｗ...半導体ウエハ １…基板処理装置 ３０…電子線照射ユニット ３５…現像装置 ４１…照射装置 ４１ａ…ハウジング ４２…排気口 ４３…シャッタ ４３…一方のシャッタ ４４…ガス供給口 ５５…レジスト塗布装置 ６３…リンスノズル ７０…レジスト ７２…リンス液
Claims (29)
- 【請求項１】 （ａ）基板上に所定のパターンを形成す
る工程と、 （ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記基板上に水溶液を使
った処理を実行する工程と、（ｃ）前記基板上に可視光
線の波長より短い波長の光線を照射する工程とを具備す
ることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
て、 前記工程（ｂ）が、前記基板上を洗浄液を用いて洗浄す
る工程であることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理方法におい
て、 前記工程（ｃ）は前記工程（ｂ）の後に実行されること
を特徴とする基板処理方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理方法におい
て、 前記工程（ｃ）は、前記パターン間に前記水溶液が残存
している状態で行われることを特徴とする基板処理方
法。 - 【請求項５】 請求項３に記載の基板処理方法におい
て、 前記工程（ｃ）は、前記パターン内に含有する水溶液
（水分）のうち所定の深さの位置にある水分を除去する
ように光線を照射することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項６】 請求項３に記載の基板処理方法におい
て、 前記工程（ｃ）前に、前記パターン表面の表面張力を調
整する工程を更に具備することを特徴とする基板処理方
法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の基板処理方法におい
て、 前記調整工程は、前記パターン表面に界面活性剤を供給
する工程を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載の基板処理方法におい
て、 前記光線は電子線であることを特徴とする基板処理方
法。 - 【請求項９】 請求項１に記載の基板処理方法におい
て、 前記光線は紫外線であることを特徴とする基板処理方
法。 - 【請求項１０】 （ａ）現像液により基板上の感光性材
料を現像する工程と、（ｂ）洗浄液を用いて前記現像液
を洗い流す工程と、（ｃ）前記感光性材料及び前記洗浄
液が乾燥する前に、前記感光性材料に可視光線の波長よ
り短い波長の光線を照射する工程とを具備することを特
徴とする基板処理方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
いて、 前記工程（ａ）及び前記工程（ｂ）は、第１の室内で実
行され、 前記工程（ｃ）は、前記第１の室とは異なる第２の室内
で実行されることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の基板処理方法であ
って、 前記工程（ｃ）は、前記第２の室内を減圧する工程を含
むことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項１３】 請求項１１に記載の基板処理方法であ
って、 前記工程（ｃ）は、前記第２の室内の空気を不活性ガス
で置換する工程を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の基板処理方法であ
って、 前記不活性ガスはヘリウムガスを含むことを特徴とする
基板処理方法。 - 【請求項１５】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
いて、 前記光線は電子線であることを特徴とする基板処理方
法。 - 【請求項１６】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
いて、 前記光線は紫外線であることを特徴とする基板処理方
法。 - 【請求項１７】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
いて、 前記洗浄液の供給後に、前記基板上に界面活性剤を供給
する工程を更に具備することを特徴とする基板処理方
法。 - 【請求項１８】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
いて、 前記工程（ｃ）は、前記感光性材料及び前記洗浄液が完
全に乾燥又は固化する前に、前記感光性材料に可視光線
の波長より短い波長の光線を照射することを特徴とする
基板処理方法。 - 【請求項１９】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
いて、 前記工程（ｃ）は、ヘリウムガス又は窒素ガス、及び／
又は大気中の酸素濃度に比べて低い酸素濃度雰囲気及び
／又は減圧雰囲気で実行されることを特徴とする基板処
理方法。 - 【請求項２０】 基板上に感光性材料を塗布する工程
と、 前記感光性材料に可視光線の波長より短い波長の光線を
照射する工程と、 現像液を用いて前記感光性材料を現像する工程と、 洗浄液を用いて前記現像液を洗い流す工程とを具備する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２１】 請求項２０に記載の基板処理方法にお
いて、 前記照射工程は、前記感光性材料に対する前記照射の深
度を選択することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２２】 基板を第１の温度で加熱する工程と、 前記加熱後に、基板上に可視光線の波長より短い波長の
光線を照射する工程と、 前記光線が照射された基板を前記第１の温度より高い第
２の温度で加熱する工程とを具備することを特徴とする
基板処理方法。 - 【請求項２３】 （ａ）基板上に所定のパターンを形成
する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記基板上
に水溶液を使った処理を実行する工程と、（ｃ）前記工
程（ｂ）の後に、前記パターン間の水溶液を所定の電磁
エネルギーで弾き飛ばす工程とを具備することを特徴と
する基板処理方法。 - 【請求項２４】 現像液により基板上の感光性材料を現
像し、洗浄液を用いて前記現像液を洗い流す現像・洗浄
部と、 前記感光性材料及び前記洗浄液が乾燥する前に、前記感
光性材料に可視光線の波長より短い波長の光線を照射す
る照射部とを具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載の基板処理装置にお
いて、 前記光線は電子線であることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項２６】 請求項２４に記載の基板処理装置にお
いて、 前記光線は紫外線であることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項２７】 請求項２４に記載の基板処理装置にお
いて、 前記照射部は、減圧可能な密閉空間を形成可能であるこ
とを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２８】 請求項２７に記載の基板処理装置にお
いて、 前記密閉空間内に不活性ガスを供給するガス供給機構を
更に具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２９】 請求項２４に記載の基板処理装置にお
いて、 前記基板上に界面活性剤を供給する供給機構を更に具備
することを特徴とする基板処理装置。
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