JP2017092306A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】周縁露光ユニットの動作状態の検査を短時間で容易に実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】エッジ露光部ＥＥＷの検査モードと基板処理を行う処理モードとが選択的に実行される。検査モード時に、基板Ｗの表面に感光性膜が塗布処理部１２１により形成される。塗布処理部１２１により形成された基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜がエッジ露光部ＥＥＷにより露光される。エッジ露光部ＥＥＷにより露光された基板Ｗの表面の感光性膜が現像処理部１３１により現像される。現像処理部１３１により現像された基板Ｗの表面の感光性膜の状態が状態検出処理ユニットにより検出される。状態検出処理ユニットにより検出された基板Ｗの表面の感光性膜の状態に基づいてエッジ露光部ＥＥＷの動作状態が検査される。【選択図】図９

Description

本発明は、基板の周縁部の露光処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

基板処理装置においては、スピンチャックにより水平に支持された基板が回転される。この状態で、基板の上面の中央部に塗布ノズルからレジスト液が吐出されることにより、基板の表面全体にレジスト膜が形成される。ここで、基板の周縁部にレジスト膜が形成されると、基板を搬送する搬送機構が基板の周縁部を把持した際に、レジスト膜が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の周縁部のレジスト膜を除去するため、基板処理装置にエッジ露光ユニットが設けられる（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載された基板処理装置のエッジ露光ユニットにおいては、吸着チャックにより水平に保持された基板が回転されるとともに、基板の周縁部に光が照射されることによりレジスト膜に露光処理が行なわれる。その後、基板に現像処理が行われることにより、基板の周縁部のレジスト膜が除去される。

特開２００９−３２８９８号公報

特許文献１のような基板処理装置においては、基板処理前等のメンテナンス時にエッジ露光ユニットの動作状態検査が行われる。動作状態検査工程では、検査用基板へのレジスト膜の形成、基板の周縁部の露光処理および現像処理が順次行われる。その後、検査作業員により基板が基板処理装置から取り出され、基板処理装置の外部の検査装置に移される。測定装置において、基板の周縁部のレジスト膜の除去幅が許容範囲内であるか否かが検査される。

しかしながら、上記の動作状態検査工程では、検査作業員の作業が多くなるので、検査作業員の負担が大きい。また、動作状態検査工程のために長時間を要すると、基板処理装置の稼動停止時間が長期化し、製品の製造効率が低下する。

本発明の目的は、周縁露光ユニットの動作状態の検査を短時間で容易に実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、基板の表面の周縁部を露光する周縁露光ユニットと、基板の表面の感光性膜を現像する現像ユニットと、基板の表面の状態を検出する検出ユニットと、周縁露光ユニットの検査モードと基板処理を行う処理モードとで選択的に制御動作を行う制御部とを備え、制御部は、検査モード時に、基板の表面に感光性膜が形成されるように感光性膜形成ユニットを制御し、感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように周縁露光ユニットを制御し、周縁露光ユニットにより露光された基板の表面の感光性膜を現像するように現像ユニットを制御し、現像ユニットにより現像された基板の表面の感光性膜の状態を検出するように検出ユニットを制御し、検出ユニットにより検出された基板の表面の感光性膜の状態に基づいて周縁露光ユニットの動作状態を検査する。

この基板処理装置においては、周縁露光ユニットの検査モードと基板処理を行う処理モードとが選択的に実行される。検査モード時に、基板の表面に感光性膜が感光性膜形成ユニットにより形成される。感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の周縁部の感光性膜が周縁露光ユニットにより露光される。周縁露光ユニットにより露光された基板の表面の感光性膜が現像ユニットにより現像される。現像ユニットにより現像された基板の表面の感光性膜の状態が検出ユニットにより検出される。検出ユニットにより検出された基板の表面の感光性膜の状態に基づいて周縁露光ユニットの動作状態が検査される。

この構成によれば、周縁露光ユニットの動作状態の検査のために表面が露光された基板を基板処理装置から取り出す必要がないので、基板処理装置の稼動停止時間を最小限にすることができる。また、基板の表面の周縁部における感光性膜が露光された領域を検出することにより、周縁露光ユニットの動作状態を検査することができる。そのため、検査作業員は外部の検査装置を用いて基板の表面を検査する必要がない。これらの結果、周縁露光ユニットの動作状態の検査を短時間で容易に実行することができる。

（２）基板処理装置は、基板の表面を露光する露光装置に隣接するように配置され、基板を搬送する搬送機構をさらに備え、制御部は、処理モード時に、基板の表面に感光性膜が形成されるように感光性膜形成ユニットを制御し、感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の感光性膜の状態を検出するように検出ユニットを制御し、感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように周縁露光ユニットを制御し、周縁露光ユニットにより露光された基板を露光装置に搬送するとともに露光装置により表面が露光された基板を現像ユニットに搬送するように搬送機構を制御し、露光装置により露光された基板の表面の感光性膜を現像するように現像ユニットを制御してもよい。

この場合、処理モード時に基板の表面の露光および現像が行われる。ここで、露光装置による基板の表面の露光前に、基板の表面の感光性膜の状態が検出ユニットにより検出される。これにより、基板処理装置に検出部を追加することなく、処理モード時に基板の表面に形成された感光性膜が正常であるか否かを検出することができる。

（３）検出ユニットは、周縁露光ユニット内に配置され、制御部は、検査モード時に、基板の表面の周縁部の感光性膜の露光と基板の表面の感光性膜の状態の検出とを選択的に行うように周縁露光ユニットを制御し、検査モード時に、基板の表面の感光性膜の状態の検出と基板の表面の周縁部の感光性膜の露光とを順次行うように周縁露光ユニットを制御してもよい。

この場合、検査モード時に、周縁露光ユニットにより基板の表面の周縁部の感光性膜の露光または基板の表面の感光性膜の状態の検出が行われる。処理モード時に、周縁露光ユニットにより基板の表面の感光性膜の状態の検出と基板の表面の周縁部の感光性膜の露光とが順次行われる。そのため、基板処理装置の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。

（４）基板処理装置は、基板を収納する基板収納部をさらに備え、検査モードは、第１および第２の処理を含み、制御部は、第１の処理時に、基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように周縁露光ユニットを制御するとともに、基板収納部に収納された基板を感光性膜形成ユニットに搬送し、感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を周縁露光ユニットに搬送し、周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を現像ユニットに搬送し、現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を基板収納部に搬送するように搬送機構を制御し、第２の処理時に、基板の表面の感光性膜の状態を検出するように周縁露光ユニットを制御するとともに、第１の処理が行われかつ基板収納部に収納された基板を周縁露光ユニットに搬送し、周縁露光ユニットにより表面の感光性膜の状態が検出された基板を基板収納部に搬送するように搬送機構を制御してもよい。

この場合、検査モードの第１の処理時に、周縁露光ユニットにより基板の表面の周縁部の感光性膜が露光された後、現像ユニットにより基板の表面の感光性膜が現像される。検査モードの第２の処理時に、周縁露光ユニットにより基板の表面の感光性膜の状態が検出される。

この構成によれば、検査モード時に、共通の周縁露光ユニットを用いて簡単な制御により基板の表面の周縁部の感光性膜の露光と基板の表面の感光性膜の状態の検出とを適宜行うことができる。処理モード時に、共通の周縁露光ユニットを用いて基板の表面の感光性膜の状態の検出と基板の表面の周縁部の感光性膜の露光とを順次行うことができる。これにより、基板処理装置の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。

（５）基板処理装置は、基板を収納する基板収納部をさらに備え、検査モードは、第１および第２の処理を含み、制御部は、第１の処理時に、基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように周縁露光ユニットを制御するとともに、基板収納部に収納された基板を感光性膜形成ユニットに搬送し、感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を周縁露光ユニットに搬送し、周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を基板収納部に搬送するように搬送機構を制御し、第２の処理時に、基板の表面の感光性膜の状態を検出するように周縁露光ユニットを制御するとともに、第１の処理が行われかつ基板収納部に収納された基板を現像ユニットに搬送し、現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を周縁露光ユニットに搬送し、周縁露光ユニットにより表面の感光性膜の状態が検出された基板を基板収納部に搬送するように搬送機構を制御してもよい。

この場合、検査モードの第１の処理時に、周縁露光ユニットにより基板の表面の周縁部の感光性膜が露光される。検査モードの第２の処理時に、現像ユニットにより基板の表面の感光性膜が現像された後、周縁露光ユニットにより基板の表面の感光性膜の状態が検出される。

この構成によれば、検査モード時に、共通の周縁露光ユニットを用いて簡単な制御により基板の表面の周縁部の感光性膜の露光と基板の表面の感光性膜の状態の検出とを適宜行うことができる。処理モード時に、共通の周縁露光ユニットを用いて基板の表面の感光性膜の状態の検出と基板の表面の周縁部の感光性膜の露光とを順次行うことができる。これにより、基板処理装置の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。

（６）周縁露光ユニットは、複数設けられ、制御部は、検査モード時に、基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように一の周縁露光ユニットを制御し、基板の表面の感光性膜の状態を検出するように他の周縁露光ユニットを制御するとともに、感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を一の周縁露光ユニットに搬送し、一の周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を現像ユニットに搬送し、現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を他の周縁露光ユニットに搬送するように搬送機構を制御してもよい。

この場合、検査モード時に、いずれかの周縁露光ユニットにより基板の表面の周縁部の感光性膜の露光または基板の表面の感光性膜の状態の検出を適宜行うことができる。処理モード時に、複数の周縁露光ユニットにより並列的に基板の表面の感光性膜の状態の検出と基板の表面の周縁部の感光性膜の露光と順次行うことができる。これにより、処理モード時の基板の処理効率を向上させることができる。

（７）検出ユニットと周縁露光ユニットとは別体として設けられ、制御部は、検査モード時に、感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を周縁露光ユニットに搬送し、周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を現像ユニットに搬送し、現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を検出ユニットに搬送するように搬送機構を制御してもよい。

この場合、検査モード時と処理モード時とで検出ユニットの制御および周縁露光ユニットの制御を変更する必要がない。これにより、基板処理装置の制御を簡単化することができる。

（８）基板処理装置は、第１および第２の基板処理ユニットをさらに備え、第１の基板処理ユニットは、感光性膜形成ユニット、周縁露光ユニットおよび現像ユニットとして第１の感光性膜形成ユニット、第１の周縁露光ユニットおよび第１の現像ユニットをそれぞれ含み、第２の基板処理ユニットは、感光性膜形成ユニット、周縁露光ユニットおよび現像ユニットとして第２の感光性膜形成ユニット、第２の周縁露光ユニットおよび第２の現像ユニットをそれぞれ含み、制御部は、検査モード時に、基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように第１の周縁露光ユニットを制御し、基板の表面の感光性膜の状態を検出するように第２の周縁露光ユニットを制御するとともに、第１の感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を第１の周縁露光ユニットに搬送し、第１の周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を第１または第２の現像ユニットに搬送し、第１または第２の現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を第２の周縁露光ユニットに搬送するように搬送機構を制御し、処理モード時に、第１の感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を第１の周縁露光ユニットに搬送し、第１の周縁露光ユニットにより表面の感光性膜の状態の検出と表面の周縁部の感光性膜の露光とが順次行われた基板を露光装置に搬送し、露光装置により表面が露光された基板を第１の現像ユニットに搬送するように搬送機構を制御するとともに、第２の感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を第２の周縁露光ユニットに搬送し、第２の周縁露光ユニットにより表面の感光性膜の状態の検出と表面の周縁部の感光性膜の露光とが順次行われた基板を露光装置に搬送し、露光装置により表面が露光された基板を第２の現像ユニットに搬送するように搬送機構を制御してもよい。

この場合、検査モード時に、第１の周縁露光ユニットにより基板の表面の周縁部の感光性膜が露光される。第１または第２の現像ユニットにより基板の表面の感光性膜が現像される。第２の周縁露光ユニットにより基板の表面の感光性膜の状態が検出される。これにより、検査モード時に、第１および第２の周縁露光ユニットを用いて簡単な制御により基板の表面の周縁部の感光性膜の露光および基板の表面の感光性膜の状態の検出を適宜行うことができる。

一方、処理モード時に、第１および第２の基板処理ユニットにより並列的に基板の処理を行うことができる。これにより、処理モード時の基板の処理効率を向上させることができる。

（９）検出ユニットは、基板の外周部の位置および基板の表面における感光性膜が形成された部分を検出し、制御部は、検査モード時に、検出ユニットにより検出された基板の外周部の位置と基板の表面における感光性膜の外周部との位置に基づいて周縁露光ユニットの露光幅を算出してもよい。この場合、周縁露光ユニットの露光幅を容易に算出することができる。

（１０）検出ユニットは、基板の外周部の位置および基板の表面における感光性膜の外周部との位置を示す画像データを生成し、制御部は、検出ユニットにより生成された画像データを処理することにより周縁露光ユニットの露光幅を算出してもよい。

この場合、生成された画像データを処理することにより、周縁露光ユニットの露光幅を容易かつ正確に算出することができる。

（１１）検出ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、回転保持部により保持された基板の外周部の位置および基板の表面における感光性膜が形成された部分を検出する位置検出部とを含み、制御部は、回転保持部により保持された基板が少なくとも１回転するように回転保持部を制御し、位置検出部は、回転保持部により回転される基板の外周部の位置および基板の表面における感光性膜の外周部との位置を検出してもよい。

この場合、小型の位置検出部を用いて基板の表面の周縁部の全体を検出することができる。これにより、検出ユニットを小型化することができる。

（１２）第２の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、検査モード時に、基板の表面に感光性膜を感光性膜形成ユニットにより形成するステップと、検査モード時に、感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の周縁部の感光性膜を周縁露光ユニットにより露光するステップと、検査モード時に、周縁露光ユニットにより露光された基板の表面の感光性膜を現像ユニットにより現像するステップと、検査モード時に、現像ユニットにより現像された基板の表面の感光性膜の状態を検出ユニットにより検出するステップと、検査モード時に、検出ユニットにより検出された基板の表面の感光性膜の状態に基づいて周縁露光ユニットの動作状態を検査するステップと、処理モード時に、基板処理を行うステップとを含む。

この基板処理方法によれば、周縁露光ユニットの検査モードと基板処理を行う処理モードとが選択的に実行される。検査モード時に、基板の表面に感光性膜が感光性膜形成ユニットにより形成される。感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の周縁部の感光性膜が周縁露光ユニットにより露光される。周縁露光ユニットにより露光された基板の表面の感光性膜が現像ユニットにより現像される。現像ユニットにより現像された基板の表面の感光性膜の状態が検出ユニットにより検出される。検出ユニットにより検出された基板の表面の感光性膜の状態に基づいて周縁露光ユニットの動作状態が検査される。

この方法によれば、周縁露光ユニットの動作状態の検査のために表面が露光された基板を基板処理装置から取り出す必要がないので、基板処理装置の稼動停止時間を最小限にすることができる。また、基板の表面の周縁部における感光性膜が露光された領域を検出することにより、周縁露光ユニットの動作状態を検査することができる。そのため、検査作業員は外部の検査装置を用いて基板の表面を検査する必要がない。これらの結果、周縁露光ユニットの動作状態の検査を短時間で容易に実行することができる。

本発明によれば、周縁露光ユニットの動作状態の検査を短時間で容易に実行することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 エッジ露光部の一側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の他の側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の模式的平面図である。 周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。 搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。 動作状態検査工程における基板の搬送経路を示すブロック図である。 第１の実施の形態の変形例における基板の搬送経路を示すブロック図である。 第２の実施の形態における熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 第２の実施の形態の動作状態検査工程における基板の搬送経路を示すブロック図である。 第３の実施の形態における熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 第３の実施の形態の動作状態検査工程における基板の搬送経路を示すブロック図である。 第４の実施の形態の動作状態検査工程における基板の搬送経路を示すブロック図である。

［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置
以下、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。

インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図８参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図８参照）が設けられる。

現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図８参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図８参照）が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図８参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。

（２）塗布処理部および現像処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

図１および図２に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、ノズル搬送機構２９および複数のエッジリンスノズル３０を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル３０は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。

各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。

各処理液ノズル２８には、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して後述する種々の処理液が供給される。基板Ｗに処理液が供給されない待機時には、各処理液ノズル２８は待機位置に配置される。基板Ｗへの処理液の供給時には、待機位置に配置されたいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により保持され、基板Ｗの上方に搬送される。

スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２８から処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、スピンチャック２５が回転しつつエッジリンスノズル３０から回転する基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出されることにより、基板Ｗに塗布された処理液の周縁部が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の処理液が除去される。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの表面において基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。

本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液（反射防止液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液（レジスト液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。スリットノズル３８が移動しつつ回転する各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（３）熱処理部
図３は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理部１２３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。これにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。その結果、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

また、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの表面の状態検出処理が行われる。エッジ露光部ＥＥＷの動作状態検査処理においては、基板Ｗの周縁部の状態検出処理を行うことにより基板Ｗの周縁部におけるレジスト膜の除去幅を検査することができる。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（４）エッジ露光部
図４は、エッジ露光部ＥＥＷの一側面を模式的に示す図である。図５は、エッジ露光部ＥＥＷの他の側面を模式的に示す図である。図６は、エッジ露光部ＥＥＷの模式的平面図である。図４および図５に示すように、エッジ露光部ＥＥＷは、投光部５１０、投光部保持ユニット５２０、基板回転ユニット５４０および状態検出処理ユニット５８０を備える。

投光部５１０は、光ファイバケーブル等からなるライトガイドを介して図示しない後述の露光用光源と接続されている。これにより、投光部５１０はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Ｗの周縁部に照射する。以下、基板Ｗ上のレジスト膜を露光するために投光部５１０により基板Ｗに照射される光を露光用光と呼ぶ。投光部保持ユニット５２０は、投光部５１０をＸ方向およびＹ方向に移動可能に保持する。基板回転ユニット５４０は、基板Ｗを吸着保持するとともに、基板Ｗを回転させる。

図６に示すように、状態検出処理ユニット５８０は、照明部５８１、反射ミラー５８２およびＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサ５８３を備える。照明部５８１は、Ｙ方向に沿うように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー５８２は、照明部５８１と対向するように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー５８２の上方にＣＣＤラインセンサ５８３が配置される。ＣＣＤラインセンサ５８３は、画素の配列方向がＹ方向に沿うように配置される。

照明部５８１から基板Ｗの表面の状態を検出するための帯状の光（以下、照明光と呼ぶ。）が発生される。照明光は、基板Ｗの表面に照射される。照射された照明光は、基板Ｗの表面で反射され、さらに反射ミラー５８２上で反射され、ＣＣＤラインセンサ５８３に投射される。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布は、基板Ｗの表面の反射光の明るさの分布に対応する。

ここで、基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布は、基板Ｗの表面の状態によって異なる。具体的には、基板Ｗ上のレジスト膜の形成領域に応じて基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布が異なる。本実施の形態では、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの表面の状態検出処理が行われる。

このように、状態検出処理ユニット５８０をエッジ露光部ＥＥＷ内に配置することにより、基板処理装置１００の大型化およびフットプリントの増加を防止しつつ基板Ｗのエッジ露光処理および状態検出処理を行うことができる。

（５）基板の周縁部の状態検出処理
状態検出処理では、図５のエッジ露光部ＥＥＷのＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布がローカルコントローラＬＣ２を介してメインコントローラ１１４に与えられる。上記のように、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布は、基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布に対応する。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの表面の状態の検査が行われる。

基板Ｗの表面の状態に基づいてエッジ露光部ＥＥＷの動作状態が検査される。ここで、エッジ露光部ＥＥＷの動作状態は、基板回転ユニット５４０の回転中心に対する基板Ｗの中心のずれ、基板回転ユニット５４０に対する投光部５１０の位置のずれ、および投光部５１０により照射される光の幅を含む。

エッジ露光部ＥＥＷの動作状態検査処理においては、周縁部を除く表面にレジスト膜が形成された基板Ｗが図４の基板回転ユニット５４０に載置される。この状態で、基板Ｗが１回転することにより、基板Ｗの周縁部の全体に照明光が照射される。基板Ｗが１回転する期間に、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布が連続的にメインコントローラ１１４に与えられる。メインコントローラ１１４は、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの周縁部の全体での反射光の明るさの分布を示す周縁部画像データを作成する。

図７は、周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。図７（ａ），（ｂ），（ｃ）には、基板Ｗ上における照明光の照射状態が順に示され、図７（ｄ），（ｅ），（ｆ）には、図７（ａ），（ｂ），（ｃ）の状態で作成される周縁部画像データがそれぞれ示される。なお、図７（ａ）〜（ｃ）において、照明光が照射された基板Ｗ上の領域にハッチングが付される。また、図７（ｄ）〜（ｆ）においては、理解を容易にするために、周縁部画像データがその周縁部画像データに基づいて表示される画像の形態で表示される。

図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板Ｗ上の周縁部に継続的に照明光が照射されつつ基板Ｗが回転する。それにより、基板Ｗの周方向に連続的に照明光が照射される。基板Ｗが１回転すると、基板Ｗの周縁部の全体に照明光が照射される。基板Ｗが１回転する期間に連続的に得られるＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、図７（ｄ）〜（ｆ）に示すように、矩形の周縁部画像データｄ１が作成される。

周縁部画像データｄ１の縦方向の位置は、ＣＣＤラインセンサ５８３の各画素の位置（基板Ｗの半径方向の位置）に対応し、周縁部画像データｄ１の横方向の位置は、基板Ｗの回転角度に対応する。この場合、周縁部画像データｄ１の縦方向の変化は、基板Ｗの周縁部の領域Ｔ１での基板Ｗの半径方向における反射光の明るさの分布を表わす。周縁部画像データｄ１の横方向の変化は、基板Ｗの周方向における基板Ｗの周縁部の領域Ｔ１での反射光の明るさの分布を表わす。

基板Ｗが１回転した時点で、基板Ｗの周縁部全体での反射光の明るさの分布が１つの矩形の周縁部画像データｄ１として得られる。周縁部画像データｄ１に基づいて基板Ｗの周縁部の画像（以下、周縁部画像と呼ぶ。）が表示される。周縁部画像データｄ１における基板Ｗの外周部ＥＤＧの位置からの距離に基づいて、基板Ｗの周縁部におけるレジスト膜の除去幅Ｄ１が検出される。除去幅Ｄ１が許容範囲内であるか否かを判定することにより、エッジ露光部ＥＥＷの動作状態検査を行うことができる。

（６）搬送部
図８は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図８に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図３）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図３）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。

搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、現像ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

搬送機構１２７は、塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図８）および上段熱処理部３０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１２８は、塗布処理室２３，２４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図８）および下段熱処理部３０２（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送機構１３７は、現像処理室３１，３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図８）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図８）および上段熱処理部３０３（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１３８は、現像処理室３３，３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図８）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図８）および下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

（７）動作状態検査処理
図９は、動作状態検査工程における基板Ｗの搬送経路を示すブロック図である。本実施の形態の動作状態検査工程は第１の処理と第２の処理とを含み、第２の処理は第１の処理の後に行われる。図９においては、第１の処理における基板Ｗの搬送経路が実線の矢印で示され、第２の処理における基板Ｗの搬送経路が一点鎖線の矢印で示される。図１、図２、図３、図８および図９を参照しながら動作状態検査処理における各処理ブロックの動作を説明する。

（ａ）インデクサブロック
キャリア載置部１１１には、基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。キャリア載置部１１１には、第１の処理においては未処理の基板Ｗが収容され、第２の処理においては現像処理後の基板Ｗが収容される。搬送機構１１５（図８）は、キャリア１１３から基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４には、第１の処理においては現像処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においては状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

（ｂ）塗布ブロック
基板載置部ＰＡＳＳ１には、第１の処理においては未処理の基板Ｗが載置され、第２の処理においては現像処理後の基板Ｗが載置される。第１の処理においては、搬送機構１２７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを熱処理部１２３の上段熱処理部３０１と塗布処理部１２１の塗布処理室２１，２２との間で搬送する。その後、搬送機構１２７は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に搬送する。

具体的には、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび塗布処理室２２に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰ、塗布処理室２１、熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ５に順に搬送する。

この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、塗布処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

第２の処理においては、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に搬送する。これにより、現像処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ６には、第１の処理においては現像処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においては状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ３には、第１の処理においては未処理の基板Ｗが載置され、第２の処理においては現像処理後の基板Ｗが載置される。第１の処理においては、搬送機構１２８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ３の基板Ｗを熱処理部１２３の下段熱処理部３０２と塗布処理部１２１の塗布処理室２３，２４との間で搬送する。その後、搬送機構１２８は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。

具体的には、搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび塗布処理室２２に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰ、塗布処理室２１、熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ７に順に搬送する。塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２における基板Ｗの処理内容は、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。これにより、塗布処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。

第２の処理においては、搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。これにより、現像処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８には、第１の処理においては現像処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においては状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に搬送する。

（ｃ）現像ブロック
基板載置部ＰＡＳＳ５には、第１の処理においては塗布処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においては現像処理後の基板Ｗが載置される。第１の処理においては、搬送機構１３７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗを熱処理部１３３の上段熱処理部３０３と現像処理部１３１の現像処理室３１，３２との間で搬送する。その後、搬送機構１３７は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に搬送する。

具体的には、搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。次に、搬送機構１３７は、エッジ露光部ＥＥＷの基板Ｗを、冷却ユニットＣＰ、現像処理室３１，３２のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ６に順に搬送する。

この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。次に、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、現像処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

第２の処理においては、搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗを上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ６に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの状態検出処理が行われ、状態検出処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理においては塗布処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においては現像処理後の基板Ｗが載置される。第１の処理においては、搬送機構１３８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗを熱処理部１３３の下段熱処理部３０４と現像処理部１３１の現像処理室３３，３４との間で搬送する。その後、搬送機構１３８は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。

具体的には、搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。次に、搬送機構１３８は、エッジ露光部ＥＥＷの基板Ｗを、冷却ユニットＣＰ、現像処理室３３，３４のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ８に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。これにより、状態検出処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

第２の処理においては、搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗを下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ８に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの状態検出処理が行われ、状態検出処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

（８）基板処理
図１、図２、図３および図８を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図８）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図８）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

塗布ブロック１２において、搬送機構１２７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図８）に順に搬送する。また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図８）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図８）に搬送する。

搬送機構１２８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図８）に順に搬送する。また、搬送機構１２８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図８）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図８）に搬送する。

基板処理時における塗布処理室２１〜２４、上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の処理内容は、動作状態検査処理における塗布処理室２１〜２４、上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の処理内容とそれぞれ同様である。

現像ブロック１３において、搬送機構１３７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図８）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの状態検出処理およびエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

また、搬送機構１３７（図８）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図８）に順に搬送する。

この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

搬送機構１３８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図８）に順に搬送する。

また、搬送機構１３８（図８）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図８）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図８）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図８）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）および上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図８）に搬送する。

（９）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、エッジ露光部ＥＥＷの動作状態検査処理と基板処理とが選択的に実行される。動作状態検査処理時には、エッジ露光部ＥＥＷの動作状態の検査のために表面が露光された基板Ｗを基板処理装置１００から取り出す必要がないので、基板処理装置１００の稼動停止時間を最小限にすることができる。また、基板Ｗの表面の周縁部における感光性膜が露光された領域を検出することにより、エッジ露光部ＥＥＷの動作状態を検査することができる。そのため、検査作業員は外部の検査装置を用いて基板Ｗの表面を検査する必要がない。これらの結果、エッジ露光部ＥＥＷの動作状態の検査を短時間で容易に実行することができる。

基板処理時においては、露光装置１５による基板Ｗの表面の露光前に、基板Ｗの表面の感光性膜の状態をエッジ露光部ＥＥＷにより検出することができる。これにより、基板処理装置１００に検出部を追加することなく、基板処理時に基板Ｗの表面に形成された感光性膜が正常であるか否かを検出することができる。

また、動作状態検査処理の第１の処理時に、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜が露光された後、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの表面の感光性膜が現像される。動作状態検査処理の第２の処理時に、エッジ露光部ＥＥＷにより基板Ｗの表面の感光性膜の状態が検出される。

この構成によれば、動作状態検査処理時に、共通のエッジ露光部ＥＥＷを用いて簡単な制御により基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜の露光と基板Ｗの表面の感光性膜の状態の検出とを適宜行うことができる。基板処理時に、共通のエッジ露光部ＥＥＷを用いて基板Ｗの表面の感光性膜の状態の検出と基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜の露光とを順次行うことができる。これにより、基板処理装置１００の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。

（１０）変形例
本実施の形態においては、現像処理が動作状態検査工程の第１の処理時に行われるが、本発明はこれに限定されない。現像処理が動作状態検査工程の第２の処理時に行われてもよい。図１０は、第１の実施の形態の変形例における基板Ｗの搬送経路を示すブロック図である。図１０においては、第１の処理における基板Ｗの搬送経路が実線の矢印で示され、第２の処理における基板Ｗの搬送経路が一点鎖線の矢印で示される。図１、図２、図３、図８および図１０を参照しながら動作状態検査処理における各処理ブロックの動作を説明する。

図１０の動作状態検査工程においては、キャリア載置部１１１には、第１の処理においては未処理の基板Ｗが収容され、第２の処理においてはエッジ露光処理後の基板Ｗが収容される。搬送機構１１５（図８）は、キャリア１１３から基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４には、第１の処理においてはエッジ露光処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においては状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ１には、第１の処理においては未処理の基板Ｗが載置され、第２の処理においてはエッジ露光処理後の基板Ｗが載置される。第１の処理においては、搬送機構１２７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを熱処理部１２３の上段熱処理部３０１と塗布処理部１２１の塗布処理室２１，２２との間で搬送する。その後、搬送機構１２７は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に搬送する。これにより、塗布処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

第２の処理においては、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に搬送する。これにより、エッジ露光処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ６には、第１の処理においてはエッジ露光処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においては状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ３には、第１の処理においては未処理の基板Ｗが載置され、第２の処理においてはエッジ露光処理後の基板Ｗが載置される。第１の処理においては、搬送機構１２８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ３の基板Ｗを熱処理部１２３の下段熱処理部３０２と塗布処理部１２１の塗布処理室２３，２４との間で搬送する。その後、搬送機構１２８は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。これにより、塗布処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。

第２の処理においては、搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。これにより、エッジ露光処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８には、第１の処理においてはエッジ露光処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においては状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ５には、第１の処理においては塗布処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においてはエッジ露光処理後の基板Ｗが載置される。第１の処理においては、搬送機構１３７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗを上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ６に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗのエッジ露光処理が行われ、エッジ露光処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

第２の処理においては、搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗを熱処理部１３３の上段熱処理部３０３と現像処理部１３１の現像処理室３１，３２との間で搬送する。その後、搬送機構１３７は、基板Ｗを上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ６に順に搬送する。

具体的には、搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗを冷却ユニットＣＰ、現像処理室３１，３２のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ６に順に搬送する。この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて基板Ｗの熱処理が行われ、エッジ露光部ＥＥＷにおいて基板Ｗの状態検出処理が行われる。状態検出処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理においては塗布処理後の基板Ｗが載置され、第２の処理においてはエッジ露光処理後の基板Ｗが載置される。第１の処理においては、搬送機構１３８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗを下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ８に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗのエッジ露光処理が行われ、エッジ露光処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

第２の処理においては、搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗを熱処理部１３３の下段熱処理部３０４と現像処理部１３１の現像処理室３３，３４との間で搬送する。その後、搬送機構１３８は、基板Ｗを下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ８に順に搬送する。

具体的には、搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗを冷却ユニットＣＰ、現像処理室３３，３４のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ８に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。これにより、状態検出処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

この構成によれば、動作状態検査処理の第１の処理時に、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜が露光される。動作状態検査処理の第２の処理時に、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの表面の感光性膜が現像された後、エッジ露光部ＥＥＷにより基板Ｗの表面の感光性膜の状態が検出される。

この場合、動作状態検査処理時に、共通のエッジ露光部ＥＥＷを用いて簡単な制御により基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜の露光と基板Ｗの表面の感光性膜の状態の検出とを適宜行うことができる。基板処理時に、共通のエッジ露光部ＥＥＷを用いて基板Ｗの表面の感光性膜の状態の検出と基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜の露光とを順次行うことができる。これにより、基板処理装置１００の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。

［２］第２の実施の形態
（１）動作状態検査処理
以下、第２の実施の形態に係る基板処理装置１００について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図１１は、第２の実施の形態における熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図１１に示すように、本実施の形態における上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、状態検出処理ユニット５８０がエッジ露光部ＥＥＷとは別体的に設けられる。

図１２は、第２の実施の形態の動作状態検査工程における基板Ｗの搬送経路を示すブロック図である。図１、図２、図８、図１１および図１２を参照しながら動作状態検査処理における各処理ブロックの動作を説明する。

キャリア載置部１１１には、現像処理前の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５（図８）は、キャリア１１３から現像処理前の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３に搬送する。基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４には、状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ１には、現像処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１２７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを熱処理部１２３の上段熱処理部３０１と塗布処理部１２１の塗布処理室２１，２２との間で搬送する。その後、搬送機構１２７は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に搬送する。これにより、レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ６には、状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に搬送する。これにより、状態検出処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ３には、現像処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１２８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ３の基板Ｗを熱処理部１２３の下段熱処理部３０２と塗布処理部１２１の塗布処理室２３，２４との間で搬送する。その後、搬送機構１２８は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。これにより、レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８には、状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ８の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に搬送する。これにより、状態検出処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ５には、現像処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１３７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗを熱処理部１３３の上段熱処理部３０３と現像処理部１３１の現像処理室３１，３２のいずれか一方との間で搬送する。その後、搬送機構１３７は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に搬送する。

具体的には、搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。次に、搬送機構１３７は、エッジ露光部ＥＥＷの基板Ｗを、冷却ユニットＣＰ、現像処理室３１，３２のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ、状態検出処理ユニット５８０および基板載置部ＰＡＳＳ６に順に搬送する。

この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。次に、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われる。その後、状態検出処理ユニット５８０において、基板Ｗの状態検出処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ７には、現像処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１３８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗを熱処理部１３３の下段熱処理部３０４と現像処理部１３１の現像処理室３３，３４のいずれか一方との間で搬送する。その後、搬送機構１３８は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。

具体的には、搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。次に、搬送機構１３８は、エッジ露光部ＥＥＷの基板Ｗを、冷却ユニットＣＰ、現像処理室３３，３４のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ、状態検出処理ユニット５８０および基板載置部ＰＡＳＳ８に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。

（２）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、状態検出処理ユニット５８０とエッジ露光部ＥＥＷとは別体として設けられる。この場合、動作状態検査処理時と基板処理時とで状態検出処理ユニット５８０の制御およびエッジ露光部ＥＥＷの制御を変更する必要がない。これにより、基板処理装置１００の制御を簡単化することができる。

［３］第３の実施の形態
（１）動作状態検査処理
以下、第３の実施の形態に係る基板処理装置１００について、第２の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図１３は、第３の実施の形態における熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図１３に示すように、本実施の形態における上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、第１の実施の形態と同様のエッジ露光部ＥＥＷが２つ設けられる。本実施の形態においては、２つのエッジ露光部ＥＥＷをそれぞれエッジ露光部ＥＥＷ１，ＥＥＷ２と呼ぶ。

図１４は、第３の実施の形態の動作状態検査工程における基板Ｗの搬送経路を示すブロック図である。図１、図２、図８、図１３および図１４を参照しながら動作状態検査処理における各処理ブロックの動作を説明する。

本実施の形態におけるインデクサブロック１１および塗布ブロック１２の動作は、第２の実施の形態におけるインデクサブロック１１および塗布ブロック１２の動作とそれぞれ同様である。

基板載置部ＰＡＳＳ５には、現像処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１３７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗを熱処理部１３３の上段熱処理部３０３と現像処理部１３１の現像処理室３１，３２のいずれか一方との間で搬送する。その後、搬送機構１３７は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に搬送する。

具体的には、搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ１に搬送する。次に、搬送機構１３７は、エッジ露光部ＥＥＷ１の基板Ｗを、冷却ユニットＣＰ、現像処理室３１，３２のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ、エッジ露光部ＥＥＷ２および基板載置部ＰＡＳＳ６に順に搬送する。

この場合、エッジ露光部ＥＥＷ１において、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。次に、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われる。その後、エッジ露光部ＥＥＷ２において、基板Ｗの状態検出処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ７には、現像処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１３８（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗを熱処理部１３３の下段熱処理部３０４と現像処理部１３１の現像処理室３３，３４のいずれか一方との間で搬送する。その後、搬送機構１３８は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送する。

具体的には、搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ１に搬送する。次に、搬送機構１３８は、エッジ露光部ＥＥＷ１の基板Ｗを、冷却ユニットＣＰ、現像処理室３３，３４のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ、エッジ露光部ＥＥＷ２および基板載置部ＰＡＳＳ８に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。

（２）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、動作状態検査処理時に、一方のエッジ露光部ＥＥＷにより基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜の露光を行い、他方のＥＥＷにより基板Ｗの表面の感光性膜の状態の検出を行うことができる。基板処理時に、複数のエッジ露光部ＥＥＷにより並列的に基板Ｗの表面の感光性膜の状態の検出と基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜の露光と順次行うことができる。これにより、基板処理時の基板Ｗの処理効率を向上させることができる。

［４］第４の実施の形態
（１）動作状態検査処理
以下、第４の実施の形態に係る基板処理装置１００について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。本実施の形態の動作状態検査処理においては、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ７は用いられない。また、下段熱処理部３０２の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび熱処理ユニットＰＨＰならびに塗布処理室２３，２４は用いられない。さらに、下段熱処理部３０４の冷却ユニットＣＰおよび熱処理ユニットＰＨＰならびに現像処理室３３，３４は用いられない。

図１５は、第４の実施の形態の動作状態検査工程における基板Ｗの搬送経路を示すブロック図である。図１、図２、図３、図８および図１５を参照しながら動作状態検査処理における各処理ブロックの動作を説明する。

キャリア載置部１１１には、現像処理前の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５（図８）は、キャリア１１３から現像処理前の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。基板載置部ＰＡＳＳ４には、状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ１には、現像処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１２７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを熱処理部１２３の上段熱処理部３０１と塗布処理部１２１の塗布処理室２１，２２との間で搬送する。その後、搬送機構１２７は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に搬送する。これにより、レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８には、状態検出処理後の基板Ｗが載置される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ８の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に搬送する。これにより、状態検出処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ５には、現像処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１３７（図８）は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗを熱処理部１３３の上段熱処理部３０３と現像処理部１３１の現像処理室３１，３２のいずれか一方との間で搬送する。その後、搬送機構１３７は、基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に搬送する。

具体的には、搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。次に、搬送機構１３７は、エッジ露光部ＥＥＷの基板Ｗを、冷却ユニットＣＰ、現像処理室３１，３２のいずれか一方および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に順に搬送する。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２には、現像処理後でかつ状態検出処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１３８（図８）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２の基板Ｗを熱処理部１３３の下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ８に順に搬送する。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１には、現像処理後でかつ状態検出処理前の基板Ｗが載置される。搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に搬送する。これにより、現像処理後でかつ状態検出処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置される。

（２）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、動作状態検査処理時に、上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷにより基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜が露光される。現像処理室３１または現像処理室３２の現像処理ユニット１３９により基板Ｗの表面の感光性膜が現像される。下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷにより基板Ｗの表面の感光性膜の状態が検出される。

これにより、動作状態検査処理時に、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の２つのエッジ露光部ＥＥＷを用いて簡単な制御により基板Ｗの表面の周縁部の感光性膜の露光および基板Ｗの表面の感光性膜の状態の検出を適宜行うことができる。

一方、基板処理時に、塗布処理室２１〜２４、上段熱処理部３０１，３０３、下段熱処理部３０２，３０４および現像処理室３１〜３４により並列的に基板Ｗの処理を行うことができる。これにより、基板処理時の基板Ｗの処理効率を向上させることができる。

［５］他の実施の形態
（１）第１、第２および第４の実施の形態においては、状態検出処理ユニット５８０はエッジ露光部ＥＥＷ内に設けられるが、これに限定されない。状態検出処理ユニット５８０は、エッジ露光部ＥＥＷとは別体として設けられてもよい。

また、状態検出処理ユニット５８０として基板の表面状態を検査するマクロ検査装置が設けられてもよい。この場合、マクロ検査装置のＣＣＤカメラにより基板Ｗの表面が撮像される。撮像された基板Ｗの表面の画像に基づいて、除去幅Ｄ１が算出される。

（２）上記実施の形態において、位置検出部としてＣＣＤラインセンサ５８３が状態検出処理ユニット５８０に設けられるが、本発明はこれに限定されない。位置検出部として画素の配列方向がＸ方向およびＹ方向に沿うように配置された二次元状のセンサが状態検出処理ユニット５８０に設けられてもよい。ここで、位置検出部の検出領域が基板Ｗの寸法よりも大きい場合には、動作状態検査処理時に基板Ｗが回転されなくてもよい。

（３）上記実施の形態においては、エッジ露光部ＥＥＷが現像ブロック１３に配置されるが、本発明はこれに限定されない。エッジ露光部ＥＥＷは、塗布ブロック１２に配置されてもよい。この場合、塗布ブロック１２内で塗布処理が行われた基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７に載置される前に基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。また、第１の実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７に載置される前に基板Ｗの状態検出処理が行われる。第４の実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される前に基板Ｗの状態検出処理が行われる。

第３の実施の形態においては、エッジ露光部ＥＥＷ１，ＥＥＷ２の一方または両方が塗布ブロック１２に配置されてもよい。エッジ露光部ＥＥＷ１が塗布ブロック１２に配置される場合、塗布ブロック１２内で塗布処理が行われた基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７に載置される前に基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光部ＥＥＷ２が塗布ブロック１２に配置される場合、基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４に載置される前に基板Ｗの状態検出処理が行われる。

（４）第２の実施の形態において、状態検出処理ユニット５８０が現像ブロック１３に配置されるが、本発明はこれに限定されない。状態検出処理ユニット５８０は、塗布ブロック１２に配置されてもよい。この場合、基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４に載置される前に基板Ｗの状態検出処理が行われる。

（５）第４の実施の形態において、上段熱処理部３０３および現像処理室３１，３２により基板Ｗにエッジ露光処理、熱処理および現像処理が行われた後、下段熱処理部３０４により基板Ｗの状態検出処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。上段熱処理部３０３により基板Ｗにエッジ露光処理が行われた後、下段熱処理部３０４および現像処理室３３，３４により基板Ｗに熱処理、現像処理および状態検出処理が行われてもよい。

（６）第４の実施の形態において、上段熱処理部３０１，３０３、塗布処理室２１，２２および現像処理室３１，３２により基板Ｗに熱処理、塗布処理、エッジ露光処理および現像処理が行われ、下段熱処理部３０４により基板Ｗの状態検出処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。下段熱処理部３０２，３０４、塗布処理室２３，２４および現像処理室３３，３４により基板Ｗに熱処理、塗布処理、エッジ露光処理および現像処理が行われ、上段熱処理部３０３により基板Ｗの状態検出処理が行われてもよい。この場合、基板Ｗは、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ７，載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２，Ｐ−ＢＦ１および基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ２を通るように基板処理装置１００内を搬送される。

［６］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、塗布処理ユニット１２９が感光性膜形成ユニットの例であり、エッジ露光部ＥＥＷが周縁露光ユニットの例である。現像処理ユニット１３９が現像ユニットの例であり、状態検出処理ユニット５８０が検出ユニットの例であり、ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２が制御部の例であり、露光装置１５が露光装置の例である。

搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１が搬送機構の例であり、キャリア１１３が基板収納部の例であり、塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３が第１の基板処理ユニットの例である。塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４が第２の基板処理ユニットの例であり、基板回転ユニット５４０が回転保持部の例であり、ＣＣＤラインセンサ５８３が位置検出部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板処理に有効に利用することができる。

１１ インデクサブロック
１２ 塗布ブロック
１３ 現像ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
２１〜２４ 塗布処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 処理液ノズル
２９ ノズル搬送機構
３０ エッジリンスノズル
３１〜３４ 現像処理室
３８ スリットノズル
３９ 移動機構
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送機構
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
１６３ 搬送部
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
５１０ 投光部
５２０ 投光部保持ユニット
５４０ 基板回転ユニット
５８０ 状態検出処理ユニット
５８１ 照明部
５８２ 反射ミラー
５８３ ＣＣＤラインセンサ
ＣＰ 冷却ユニット
ｄ１ 周縁部画像データ
Ｄ１ 除去幅
ＥＤＧ 外周部
ＥＥＷ，ＥＥＷ１，ＥＥＷ２ エッジ露光部
ＬＣ１，ＬＣ２ ローカルコントローラ
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｔ１ 領域
Ｗ 基板

Claims (12)

1. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
   基板の表面の周縁部を露光する周縁露光ユニットと、
   基板の表面の感光性膜を現像する現像ユニットと、
   基板の表面の状態を検出する検出ユニットと、
   前記周縁露光ユニットの検査モードと基板処理を行う処理モードとで選択的に制御動作を行う制御部とを備え、
   前記制御部は、前記検査モード時に、基板の表面に感光性膜が形成されるように前記感光性膜形成ユニットを制御し、前記感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように前記周縁露光ユニットを制御し、前記周縁露光ユニットにより露光された基板の表面の感光性膜を現像するように前記現像ユニットを制御し、前記現像ユニットにより現像された基板の表面の感光性膜の状態を検出するように前記検出ユニットを制御し、前記検出ユニットにより検出された基板の表面の感光性膜の状態に基づいて前記周縁露光ユニットの動作状態を検査する、基板処理装置。
2. 基板の表面を露光する露光装置に隣接するように配置され、
   基板を搬送する搬送機構をさらに備え、
   前記制御部は、前記処理モード時に、基板の表面に感光性膜が形成されるように前記感光性膜形成ユニットを制御し、前記感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の感光性膜の状態を検出するように前記検出ユニットを制御し、前記感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように前記周縁露光ユニットを制御し、前記周縁露光ユニットにより露光された基板を前記露光装置に搬送するとともに前記露光装置により表面が露光された基板を前記現像ユニットに搬送するように前記搬送機構を制御し、前記露光装置により露光された基板の表面の感光性膜を現像するように前記現像ユニットを制御する、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記検出ユニットは、前記周縁露光ユニット内に配置され、
   前記制御部は、
   前記検査モード時に、基板の表面の周縁部の感光性膜の露光と基板の表面の感光性膜の状態の検出とを選択的に行うように前記周縁露光ユニットを制御し、
   前記検査モード時に、基板の表面の感光性膜の状態の検出と基板の表面の周縁部の感光性膜の露光とを順次行うように前記周縁露光ユニットを制御する、請求項２記載の基板処理装置。
4. 基板を収納する基板収納部をさらに備え、
   前記検査モードは、第１および第２の処理を含み、
   前記制御部は、
   前記第１の処理時に、基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように前記周縁露光ユニットを制御するとともに、前記基板収納部に収納された基板を前記感光性膜形成ユニットに搬送し、前記感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を前記周縁露光ユニットに搬送し、前記周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を前記現像ユニットに搬送し、前記現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を前記基板収納部に搬送するように前記搬送機構を制御し、
   前記第２の処理時に、基板の表面の感光性膜の状態を検出するように前記周縁露光ユニットを制御するとともに、前記第１の処理が行われかつ前記基板収納部に収納された基板を前記周縁露光ユニットに搬送し、前記周縁露光ユニットにより表面の感光性膜の状態が検出された基板を前記基板収納部に搬送するように前記搬送機構を制御する、請求項３記載の基板処理装置。
5. 基板を収納する基板収納部をさらに備え、
   前記検査モードは、第１および第２の処理を含み、
   前記制御部は、
   前記第１の処理時に、基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように前記周縁露光ユニットを制御するとともに、前記基板収納部に収納された基板を前記感光性膜形成ユニットに搬送し、前記感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を前記周縁露光ユニットに搬送し、前記周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を前記基板収納部に搬送するように前記搬送機構を制御し、
   前記第２の処理時に、基板の表面の感光性膜の状態を検出するように前記周縁露光ユニットを制御するとともに、前記第１の処理が行われかつ前記基板収納部に収納された基板を前記現像ユニットに搬送し、前記現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を前記周縁露光ユニットに搬送し、前記周縁露光ユニットにより表面の感光性膜の状態が検出された基板を前記基板収納部に搬送するように前記搬送機構を制御する、請求項３記載の基板処理装置。
6. 前記周縁露光ユニットは、複数設けられ、
   前記制御部は、前記検査モード時に、基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように一の周縁露光ユニットを制御し、基板の表面の感光性膜の状態を検出するように他の周縁露光ユニットを制御するとともに、前記感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を前記一の周縁露光ユニットに搬送し、前記一の周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を前記現像ユニットに搬送し、前記現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を前記他の周縁露光ユニットに搬送するように前記搬送機構を制御する、請求項３記載の基板処理装置。
7. 前記検出ユニットと前記周縁露光ユニットとは別体として設けられ、
   前記制御部は、前記検査モード時に、前記感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を前記周縁露光ユニットに搬送し、前記周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を前記現像ユニットに搬送し、前記現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を前記検出ユニットに搬送するように前記搬送機構を制御する、請求項２記載の基板処理装置。
8. 第１および第２の基板処理ユニットをさらに備え、
   前記第１の基板処理ユニットは、前記感光性膜形成ユニット、前記周縁露光ユニットおよび前記現像ユニットとして第１の感光性膜形成ユニット、第１の周縁露光ユニットおよび第１の現像ユニットをそれぞれ含み、
   前記第２の基板処理ユニットは、前記感光性膜形成ユニット、前記周縁露光ユニットおよび前記現像ユニットとして第２の感光性膜形成ユニット、第２の周縁露光ユニットおよび第２の現像ユニットをそれぞれ含み、
   前記制御部は、
   前記検査モード時に、基板の表面の周縁部の感光性膜を露光するように前記第１の周縁露光ユニットを制御し、基板の表面の感光性膜の状態を検出するように前記第２の周縁露光ユニットを制御するとともに、前記第１の感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を前記第１の周縁露光ユニットに搬送し、前記第１の周縁露光ユニットにより表面の周縁部の感光性膜が露光された基板を前記第１または第２の現像ユニットに搬送し、前記第１または第２の現像ユニットにより表面の感光性膜が現像された基板を前記第２の周縁露光ユニットに搬送するように前記搬送機構を制御し、
   前記処理モード時に、前記第１の感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を前記第１の周縁露光ユニットに搬送し、前記第１の周縁露光ユニットにより表面の感光性膜の状態の検出と表面の周縁部の感光性膜の露光とが順次行われた基板を前記露光装置に搬送し、前記露光装置により表面が露光された基板を前記第１の現像ユニットに搬送するように前記搬送機構を制御するとともに、前記第２の感光性膜形成ユニットにより表面に感光性膜が形成された基板を前記第２の周縁露光ユニットに搬送し、前記第２の周縁露光ユニットにより表面の感光性膜の状態の検出と表面の周縁部の感光性膜の露光とが順次行われた基板を前記露光装置に搬送し、前記露光装置により表面が露光された基板を前記第２の現像ユニットに搬送するように前記搬送機構を制御する、請求項３記載の基板処理装置。
9. 前記検出ユニットは、基板の外周部の位置および基板の表面における感光性膜が形成された部分を検出し、
   前記制御部は、前記検査モード時に、前記検出ユニットにより検出された基板の外周部の位置と基板の表面における感光性膜の外周部との位置に基づいて前記周縁露光ユニットの露光幅を算出する、請求項１〜８のいずれか記載の基板処理装置。
10. 前記検出ユニットは、基板の外周部の位置および基板の表面における感光性膜の外周部との位置を示す画像データを生成し、
    前記制御部は、前記検出ユニットにより生成された画像データを処理することにより前記周縁露光ユニットの露光幅を算出する、請求項９記載の基板処理装置。
11. 前記検出ユニットは、
    基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部により保持された基板の外周部の位置および基板の表面における感光性膜が形成された部分を検出する位置検出部とを含み、
    前記制御部は、前記回転保持部により保持された基板が少なくとも１回転するように前記回転保持部を制御し、
    前記位置検出部は、前記回転保持部により回転される基板の外周部の位置および基板の表面における感光性膜の外周部との位置を検出する、請求項９または１０記載の基板処理装置。
12. 基板に処理を行う基板処理方法であって、
    検査モード時に、基板の表面に感光性膜を感光性膜形成ユニットにより形成するステップと、
    前記検査モード時に、前記感光性膜形成ユニットにより形成された基板の表面の周縁部の感光性膜を周縁露光ユニットにより露光するステップと、
    前記検査モード時に、前記周縁露光ユニットにより露光された基板の表面の感光性膜を現像ユニットにより現像するステップと、
    前記検査モード時に、前記現像ユニットにより現像された基板の表面の感光性膜の状態を検出ユニットにより検出するステップと、
    前記検査モード時に、前記検出ユニットにより検出された基板の表面の感光性膜の状態に基づいて前記周縁露光ユニットの動作状態を検査するステップと、
    処理モード時に、基板処理を行うステップとを含み、
    検査モードと処理モードとが選択的に実行される、基板処理方法。

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