JP2006013849A5

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Publication number: JP2006013849A5
Application number: JP2004187611A
Authority: JP
Filing date: 2004-06-25
Publication date: 2010-02-25
Anticipated expiration: 2024-06-25

Claims

入力端子及び出力端子と、インダクタンス素子とキャパシタンス素子によって構成された第１、第２の共振回路を備えるバンドパスフィルタを、電極パターンを有する積層体により構成した高周波回路部品であって、
前記第１、第２の共振回路を構成する各インダクタンス素子を、それぞれ、並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子で構成し、
前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子は積層方向で互いに重なり合うように形成されるとともに、その両端部同士はそれぞれビアホールで接続され、
前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子の、一端部はビアホールを介してグランド電極に接続され、他端部はビアホールを介して前記キャパシタンス素子用の電極パターンに接続されていることを特徴とする高周波回路部品。
入力端子及び出力端子を有し、第１乃至第７の複数のキャパシタンス素子と第１及び第２の複数のインダクタンス素子とを主構成とするバンドパスフィルタを、電極パターンを有する積層体により構成した高周波回路部品であって、
前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子とは電磁的に結合し、
前記第１のインダクタンス素子の一端は、前記第１のキャパシタンス素子を介して前記入力端子に接続され、
前記第１のインダクタンス素子と前記第１のキャパシタンス素子との接続点とグランドとの間に前記第２のキャパシタンス素子が接続され、
前記第１のインダクタンス素子の他端はグランドに接続され、
前記第２のインダクタンス素子の一端は、前記第５のキャパシタンス素子を介して前記出力端子に接続され、
前記第２のインダクタンス素子と前記第５のキャパシタンス素子との接続点とグランドの間に前記第４のキャパシタンス素子が接続され、
前記第２のインダクタンス素子の他端はグランドに接続され、
前記第３のキャパシタンス素子は、前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、
前記第６のキャパシタンス素子は、前記第１のインダクタンス素子の一端と前記第２のキャパシタンス素子との接続点と前記出力端子との間に接続され、
前記第７のキャパシタンス素子は、前記第２のインダクタンス素子の前記一端と前記第４のキャパシタンス素子との接続点と入力端子との間に接続され、
更に、前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子とを、それぞれ、並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子で構成し、
前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子は積層方向で互いに重なり合うように形成され、
前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子の両端部同士はそれぞれビアホールで接続されているとともに、
前記第１のインダクタンス素子を構成する前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子の、一端部はビアホールを介してグランド電極に接続され、他端部はビアホールを介して前記第２のキャパシタンス素子用の電極パターンに接続され、
前記第２のインダクタンス素子を構成する前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子の、一端部はビアホールを介してグランド電極に接続され、他端部はビアホールを介して前記第４のキャパシタンス素子用の電極パターンに接続されていることを特徴とする高周波回路部品。
前記第１のキャパシタンス素子と前記第２のキャパシタンス素子は、前記第１のインダクタンス素子とは異なる層に形成された電極パターンを共用し、
前記第４のキャパシタンス素子と前記第５のキャパシタンス素子は、前記第２のインダクタンス素子とは異なる層に形成された電極パターンを共用することを特徴とする請求項２に記載の高周波回路部品。
前記入力端子および出力端子は、それぞれ、積層方向に重なるように複数層に渡って接続されたビアホールに接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高周波回路部品。
高周波回路を積層体で一体化した高周波回路部品であって、
前記高周波回路は、少なくとも２つの互いに周波数の異なる通信システムに共用可能な高周波回路であって、
互いに周波数が異なる通信システムで送受信が可能な複数のアンテナに接続される複数のアンテナ側端子と第１及び第２の送信側端子および第１及び第２の受信側端子との接続を切り替える少なくとも４つの端子を備えた高周波スイッチと、
該高周波スイッチの一つの端子と前記第１及び第２の受信側端子との間に接続された第１の分波回路と、
前記高周波スイッチの他の端子と前記第１及び第２の送信側端子との間に接続された第２の分波回路と、
前記第１の分波回路に接続されたバンドパスフィルタとを備え、
前記バンドパスフィルタは、入力端子及び出力端子と、インダクタンス素子とキャパシタンス素子によって構成された第１、第２の共振回路を備え、
前記第１、第２の共振回路を構成する各インダクタンス素子を、それぞれ、並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子で構成し、
前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子は積層方向で互いに重なり合うように形成されるとともに、その両端部同士はそれぞれビアホールで接続され、
前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子の、一端部はビアホールを介してグランド電極に接続され、他端部はビアホールを介して前記キャパシタンス素子用の電極パターンに接続されていることを特徴とする高周波回路部品。
高周波回路を積層体で一体化した高周波回路部品であって、
前記高周波回路は、少なくとも２つの互いに周波数の異なる通信システムに共用可能な高周波回路であって、
互いに周波数が異なる通信システムで送受信が可能な複数のアンテナに接続される複数のアンテナ側端子と第１及び第２の送信側端子および第１及び第２の受信側端子との接続を切り替える少なくとも４つの端子を備えた高周波スイッチと、
該高周波スイッチの一つの端子と前記第１及び第２の受信側端子との間に接続された第１の分波回路と、
前記高周波スイッチの他の端子と前記第１及び第２の送信側端子との間に接続された第２の分波回路と、
前記第１の分波回路に接続されたバンドパスフィルタとを備え、
前記バンドパスフィルタは、入力端子及び出力端子を有し、第１乃至第７の複数のキャパシタンス素子と第１及び第２の複数のインダクタンス素子とを主構成とし、
前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子とは電磁的に結合し、
前記第１のインダクタンス素子の一端は、前記第１のキャパシタンス素子を介して前記入力端子に接続され、
前記第１のインダクタンス素子と前記第１のキャパシタンス素子との接続点とグランドとの間に前記第２のキャパシタンス素子が接続され、
前記第１のインダクタンス素子の他端はグランドに接続され、
前記第２のインダクタンス素子の一端は、前記第５のキャパシタンス素子を介して前記出力端子に接続され、
前記第２のインダクタンス素子と前記第５のキャパシタンス素子との接続点とグランドの間に前記第４のキャパシタンス素子が接続され、
前記第２のインダクタンス素子の他端はグランドに接続され、
前記第３のキャパシタンス素子は、前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、
前記第６のキャパシタンス素子は、前記第１のインダクタンス素子の一端と前記第２のキャパシタンス素子との接続点と前記出力端子との間に接続され、
前記第７のキャパシタンス素子は、前記第２のインダクタンス素子の前記一端と前記第４のキャパシタンス素子との接続点と入力端子との間に接続され、
更に、前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子とを、それぞれ、並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子で構成し、
前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子は積層方向で互いに重なり合うように形成され、
前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子の両端部同士はそれぞれビアホールで接続されているとともに、
前記第１のインダクタンス素子を構成する前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子の、一端部はビアホールを介してグランド電極に接続され、他端部はビアホールを介して前記第２のキャパシタンス素子用の電極パターンに接続され、
前記第２のインダクタンス素子を構成する前記並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子の、一端部はビアホールを介してグランド電極に接続され、他端部はビアホールを介して前記第４のキャパシタンス素子用の電極パターンに接続されていることを特徴とする高周波回路部品。
前記第１のキャパシタンス素子と前記第２のキャパシタンス素子は、前記第１のインダクタンス素子とは異なる層に形成された電極パターンを共用し、
前記第４のキャパシタンス素子と前記第５のキャパシタンス素子は、前記第２のインダクタンス素子とは異なる層に形成された電極パターンを共用することを特徴とする請求項６に記載の高周波回路部品。
前記入力端子および出力端子は、それぞれ、積層方向に重なるように複数層に渡って接続されたビアホールに接続されていることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の高周波回路部品。
前記高周波回路は、前記第１の分波回路の低周波側端子に接続された前記バンドパスフィルタと前記第１の受信側端子との間に接続された第１の平衡−不平衡変換回路と、前記第１の分波回路の高周波側端子と前記第２の受信側端子との間に接続された第２の平衡−不平衡変換回路とを更に備え、
前記第１の平衡−不平衡変換回路、及び前記第２の平衡−不平衡変換回路は、インダクタンス素子、キャパシタンス素子を主構成とし、前記インダクタンス素子、キャパシタンス素子の少なくとも一部を、電極パターンを有する積層体により構成し、
前記第１の分波回路、前記バンドパスフィルタ及び前記第１の平衡−不平衡変換回路は積層方向から見て互いに重ならないように並置され、
前記バンドパスフィルタと前記第１の分波回路および前記第１の平衡−不平衡変換回路とは前記複数層に渡って接続されたビアホールを介して接続されていることを特徴とする請求項８に記載の高周波回路部品。
請求項１〜９のいずれかに記載の高周波回路部品を用いたマルチバンド通信装置であって、
各通信システムでの送信データを変調し受信データを復調する送受信回路部と、
前記高周波スイッチの切り替えを制御するスイッチ回路制御部とを備えたことを特徴とするマルチバンド通信装置。