JP2006010928A - 高反射鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、銀膜、低屈折率膜、高屈折率膜がこの順で積層された高反射鏡であって、前記銀膜の基板と反対側には密着改善膜が形成され、かつ前記密着改善膜が酸化亜鉛膜であり、前記酸化亜鉛膜は他の金属を含み、前記他の金属はガリウム、スズおよびチタンからなる群から選ばれる1種以上であり、前記密着改善膜はシリコンを含むことを特徴とする高反射鏡。
【選択図】図1
Description
基板上に、銀膜、低屈折率膜、高屈折率膜がこの順で積層された高反射鏡であって、前記銀膜の基板と反対側には密着改善膜が形成され、かつ前記密着改善膜が酸化亜鉛膜であり、前記酸化亜鉛膜は他の金属を含み、前記他の金属はガリウム、スズおよびチタンからなる群から選ばれる1種以上であり、前記密着改善膜はシリコンを含むことを特徴とする高反射鏡。
真空槽内に、基板として清浄化したソーダライムガラス板(100mm×100mm×2mm厚)を設置し、ターゲットとしてアルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲット(酸化アルミニウムの含有率3質量%、酸化亜鉛の含有率97質量%)、Auを添加した銀合金ターゲット(Au含有率2at%、銀の含有率98at%)、ガリウムを添加した酸化亜鉛ターゲット(酸化ガリウムの含有率5.7質量%、酸化亜鉛の含有率94.3質量%)、金属シリコンターゲット(ボロンドープの多結晶ターゲット、シリコンの含有率99.999質量%)、金属ニオブターゲット(ニオブの含有率99.9質量%)をそれぞれカソード上部の基板の対向位置に設置し、真空槽内を2×10−3Paまで排気した。ターゲット表面のサイズは、それぞれ177.8mm×381mmであった。そして、下記のA)〜E)の膜を順に形成することにより高反射鏡を得た。
スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、アルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲットを用いて、ガラス基板上にアルミニウムドープ酸化亜鉛膜を5nmの膜厚で形成した。アルミニウムドープ酸化亜鉛膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、Auを添加した銀合金ターゲットを用いて、下地膜上に銀合金膜を100nmの膜厚で形成した。銀合金膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、ガリウムを添加した酸化亜鉛ターゲットを用いて、銀合金膜上にガリウムドープ酸化亜鉛膜(波長550nmにおける屈折率:1.99、消衰係数:0.017)を10nmの膜厚で形成した。ガリウムドープ酸化亜鉛膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccmの速度で真空槽内へ導入し、ACスパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属シリコンターゲットを用いて、密着改善膜上に酸化珪素膜(波長550nmにおける屈折率:1.46、消衰係数:0)を30nmの膜厚で形成した。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccm真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属ニオブターゲットを用いて、低屈折率膜上に酸化ニオブ膜(波長550nmにおける屈折率:2.30、消衰係数:0)を43nmの膜厚で形成した。
形成された高反射鏡の耐久性を下記の方法で評価し、(1)〜(4)の結果を表1に、(5)の結果を表2に示す。
形成した高反射鏡を50mm角に切り出しサンプルに供した。温度50℃、相対湿度95%の雰囲気中にサンプルを24時間放置し、放置後の膜剥離や腐食の有無を確認した。○:膜の剥離もなく、腐食の検出も見られなかった。×:膜に剥離や腐食の検出が見られた。
形成した高反射鏡を50mm角に切り出しサンプルとして供した。塩化ナトリウムを5質量%含有した塩水中にサンプルを24時間浸漬させ、浸漬後の膜剥離や腐食の有無を確認した。○:膜の剥離もなく、腐食の検出も見られなかった。×:膜に剥離や腐食の検出が見られた。
形成した高反射鏡の膜面に、接着テープNo.610(住友3M社製)を手の力で強く貼り付け、勢い良く剥がした後の膜剥離の有無を確認した。○:膜の剥離がなかった。×:膜の剥離が見られた。
形成した高反射鏡の膜面に、ガーゼI(日本薬局製)で手の力で強く20回擦り付け、擦り付け後の膜剥離や傷の有無を確認した。○:膜の剥離もなく、傷の検出も見られなかった。×:膜に剥離や傷の検出が見られた。
形成した高反射鏡の膜面反射率を、入射角15度、45度、75度の各角度において、分光光度計ART−25GT(日本分光社製)を用いて測定し、可視光域全域における最低値および最高値を算出した。なお、入射角とは、膜面に対して垂直な線に対する角度を意味する。
真空槽内に、基板として清浄化したソーダライムガラス板(100mm×100mm×2mm厚)を設置し、ターゲットとしてアルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲット(酸化アルミニウムの含有率3質量%、酸化亜鉛の含有率97質量%)、Auを添加した銀合金ターゲット(Au含有率2at%、銀の含有率98at%)、ガリウムおよびシリコンを添加した酸化亜鉛ターゲット(酸化ガリウムの含有率5.7質量%、酸化珪素の含有率0.1%、酸化亜鉛の含有率94.2質量%)、金属シリコンターゲット(ボロンドープの多結晶ターゲット、シリコンの含有率99.999質量%)、金属ニオブターゲット(ニオブの含有率99.9質量%)、アルミニウム合金ターゲット(アルミニウムの含有率99.99質量%)をそれぞれカソード上部の基板の対向位置に設置し、真空槽内を2×10−3Paまで排気した。ターゲット表面のサイズは、それぞれ177.8mm×381mmであった。そして、下記のA)〜E)の膜を順に形成することにより高反射鏡を得た。
スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、アルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲットを用いて、ガラス基板上にアルミニウムドープ酸化亜鉛膜を5nmの膜厚で形成した。アルミニウムドープ酸化亜鉛膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、Auを添加した銀合金ターゲットを用いて、下地膜上に銀合金膜を100nmの膜厚で形成した。銀合金膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、ガリウムおよびシリコンを添加した酸化亜鉛ターゲットを用いて、銀合金膜上にシリコンおよびガリウムドープ酸化亜鉛膜(波長550nmにおける屈折率:1.99、消衰係数:0.017)を1.5nmの膜厚で形成した。ガリウムドープ酸化亜鉛膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力0.3kWの条件で、アルミニウム合金ターゲットを用いて、密着改善膜上にアルミニウム膜1nmの膜厚で形成した。アルミニウム膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccmの速度で真空槽内へ導入し、ACスパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属シリコンターゲットを用いて、酸化防止膜上に酸化珪素膜(波長550nmにおける屈折率:1.46、消衰係数:0)を30nmの膜厚で形成した。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccm真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属ニオブターゲットを用いて、低屈折率膜上に酸化ニオブ膜(波長550nmにおける屈折率:2.30、消衰係数:0)を43nmの膜厚で形成した。形成された高反射鏡を例1と同様の方法で評価した。(1)〜(4)の結果を表1に、(5)の結果を表2に示す。
例2において、酸化防止膜としてアルミニウム膜を形成するかわりに、残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを200sccmおよび窒素ガスを200sccm真空槽内へ導入し、AC反応性スパッタリング法により、投入電力0.5kWの条件で、アルミニウム合金ターゲットを用いて酸化防止膜として窒化アルミニウム膜(波長550nmにおける屈折率:1.93、消衰係数:0)を1nmの膜厚で形成した以外は、例1と同様に処理して高反射鏡を形成した。形成された高反射鏡を例1と同様の方法で評価した。(1)〜(4)の結果を表1に、(5)の結果を表2に示す。
真空槽内に、基板として清浄化したソーダライムガラス板(100mm×100mm×2mm厚)を設置し、ターゲットとしてアルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲット(酸化アルミニウムの含有率3質量%、酸化亜鉛の含有率97質量%)、銀ターゲット(銀の含有率100at%)、アルミニウム合金ターゲット(アルミニウムの含有率99.99質量%)、ジルコニウムターゲット(ジルコニウムの含有率99.99質量%)、金属シリコンターゲット(ボロンドープの多結晶ターゲット、シリコンの含有率99.999質量%)をそれぞれカソード上部の基板の対向位置に設置し、真空槽内を2×10−3Paまで排気する。ターゲット表面のサイズは、それぞれ177.8mm×381mmである。そして、下記のA)〜E)の膜を順に形成することにより高反射鏡を得る。
スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、アルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲットを用いて、ガラス基板上にアルミニウムドープ酸化亜鉛膜を5nmの膜厚で形成する。アルミニウムドープ酸化亜鉛膜の成分はターゲットと同等である。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガする300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、銀ターゲットを用いて、酸化亜鉛膜上に銀膜を100nmの膜厚で形成した。銀膜の成分はターゲットと同等である。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccmの速度で真空槽内へ導入し、AC反応性スパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属アルミニウムターゲット(アルミニウムの含有率99.99質量%)を用いて、銀膜上に酸化アルミニウム膜(波長550nmにおける屈折率:1.7、消衰係数:0)を69nmの膜厚で形成する。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccmの速度で真空槽内へ導入し、AC反応性スパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属ジルコニウムターゲット(ジルコニウムの含有率99.99質量%)を用いて、酸化アルミニウム膜上に酸化ジルコニウム膜(波長550nmにおける屈折率:2.11、消衰係数:0)を57nmの膜厚で形成する。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccmの速度で真空槽内へ導入し、ACスパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属シリコンターゲットを用いて、酸化ジルコニウム膜上に酸化珪素膜(波長550nmにおける屈折率:1.46、消衰係数:0)を20nmの膜厚で形成する。形成された高反射鏡を例1と同様の方法で評価する。(1)〜(4)の結果を表1に、(5)の結果を表2に示す。
真空槽内に、基板として清浄化したソーダライムガラス板(100mm×100mm×2mm厚)を設置し、ターゲットとしてアルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲット(酸化アルミニウムの含有率3質量%、酸化亜鉛の含有率97質量%)、Auを添加した銀合金ターゲット(Au含有率2at%、銀の含有率98at%)、ガリウムを添加した酸化亜鉛ターゲット(酸化ガリウムの含有率5.7質量%、酸化亜鉛の含有率94.3質量%)、金属シリコンターゲット(ボロンドープの多結晶ターゲット、シリコンの含有率99.999質量%)、金属ニオブターゲット(ニオブの含有率99.9質量%)をそれぞれカソード上部の基板の対向位置に設置し、真空槽内を8×10−4Paまで排気した。ターゲット表面のサイズは、それぞれ177.8mm×381mmであった。そして、下記のA)〜E)の膜を順に形成することにより高反射鏡を得た。
スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、アルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲットを用いて、ガラス基板上にアルミニウムドープ酸化亜鉛膜を5nmの膜厚で形成した。アルミニウムドープ酸化亜鉛膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、Auを添加した銀合金ターゲットを用いて、下地膜上に銀合金膜を100nmの膜厚で形成した。銀合金膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、ガリウムを添加した酸化亜鉛ターゲットを用いて、銀合金膜上にガリウムドープ酸化亜鉛膜(波長550nmにおける屈折率:2.11、消衰係数:0.039)を10nmの膜厚で形成した。ガリウムドープ酸化亜鉛膜の成分はターゲットと同等であった。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccmの速度で真空槽内へ導入し、ACスパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属シリコンターゲットを用いて、密着改善膜上に酸化珪素膜(波長550nmにおける屈折率:1.46、消衰係数:0)を30nmの膜厚で形成した。
残存ガスを排気後、スパッタリングガスとして酸素ガスを450sccm真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力2kWの条件で、金属ニオブターゲットを用いて、低屈折率膜上に酸化ニオブ膜(波長550nmにおける屈折率:2.30、消衰係数:0)を43nmの膜厚で形成した。形成された高反射鏡を例1と同様の方法で評価した。(1)〜(4)の結果を表1に、(5)の結果を表2に示した。
例5において、密着改善膜としてガリウムドープ酸化亜鉛膜を形成するかわりに、残存ガスを排気後、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを300sccmの速度で真空槽内へ導入し、DCスパッタリング法により、投入電力1kWの条件で、ガリウムおよびシリコンを添加した酸化亜鉛ターゲット(酸化ガリウムの含有率5.7質量%、酸化珪素の含有率0.1%、酸化亜鉛の含有率94.2質量%)を用いて、銀合金膜上にシリコンおよびガリウムドープ酸化亜鉛膜(波長550nmにおける屈折率:2.14、消衰係数:0.00974)を10nmの膜厚で形成した。シリコンおよびガリウムドープ酸化亜鉛膜の成分はターゲットと同等であった。形成された高反射鏡を例1と同様の方法で評価した。(1)〜(4)の結果を表1に、(5)の結果を表2に示す。
2:下地膜
3:銀膜
4:密着改善膜
5:低屈折率膜
6:高屈折率膜
10:高反射鏡
Claims (15)
- 基板上に、銀膜、低屈折率膜、高屈折率膜がこの順で積層された高反射鏡であって、前記銀膜の基板と反対側には密着改善膜が形成され、かつ前記密着改善膜が酸化亜鉛膜であり、前記酸化亜鉛膜は他の金属を含み、前記他の金属はガリウム、スズおよびチタンからなる群から選ばれる1種以上であり、さらに前記密着改善膜はシリコンを含むことを特徴とする高反射鏡。
- 前記低屈折率膜の消衰係数が0.01以下であり、前記高屈折率膜の消衰係数が0.01以下であり、前記密着改善膜が酸化物膜であり、かつ前記密着改善膜の消衰係数が0.1以下である請求項1に記載の高反射鏡。
- 前記銀膜の幾何学的膜厚が60〜200nmであり、前記低屈折率膜の幾何学的膜厚が25〜60nmであり、前記高屈折率膜の幾何学的膜厚が30〜65nmであり、前記密着改善膜の幾何学的膜厚が3〜14nmである請求項1または2に記載の高反射鏡。
- 前記銀膜が銀と金との合金膜である請求項1、2または3記載の高反射鏡。
- 前記銀膜中の金の含有率が0.5〜10at%である請求項4記載の高反射鏡。
- 前記低屈折率膜の材料が酸化珪素である請求項1〜5いずれかに記載の高反射鏡。
- 前記高屈折率膜の材料が酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化チタンおよび酸化スズからなる群から選ばれる1種以上である請求項1〜6いずれかに記載の高反射鏡。
- 前記高屈折率膜の材料が酸化ニオブである請求項1〜7いずれかに記載の高反射鏡。
- 前記密着改善膜の基板と反対側に酸化防止膜が形成され、かつ前記酸化防止膜の消衰係数が0.01以下である請求項1〜8いずれかに記載の高反射鏡。
- 前記酸化防止膜の材料は、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群から選ばれる1種以上の酸化物、アルミニウムの窒化物または酸窒化物、および窒化シリコンからなる群から選ばれる1種以上である請求項9に記載の高反射鏡。
- 前記密着改善膜の膜厚が1〜3nmであり、前記酸化防止膜の材料が酸化アルミニウムであり、かつ前記酸化防止膜の膜厚が0.5〜6nmである請求項9に記載の高反射鏡。
- 前記密着改善膜の膜厚が1〜3nmであり、前記酸化防止膜の材料が窒化アルミニウムであり、かつ前記酸化防止膜の膜厚が0.5〜10nmである請求項9に記載の高反射鏡。
- 前記銀膜の基板側には下地膜が形成され、前記下地膜の幾何学的膜厚が1〜20nmであり、前記下地膜の材料が酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブおよび酸化クロムからなる群から選ばれる1種以上である請求項1〜12いずれかに記載の高反射鏡。
- 前記密着改善膜が酸化性ガスが存在しない雰囲気でスパッタリング法により形成される請求項1〜13いずれかに記載の高反射鏡。
- 請求項1〜14いずれかに記載の高反射鏡が、表示ディスプレィの光源の反射部材として使用される表示ディスプレィ。
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