JP2006000978A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. シリコン基板上に設けたレジスト樹脂を電子ビーム描画及び現像によって三次元形状に形成し、該三次元形状に形成されたレジスト樹脂をマスクとして前記シリコン基板をドライエッチングすることを特徴とするシリコン基板加工方法。
2. シリコン基板上に設けたレジスト樹脂を電子ビーム描画及び現像によって三次元形状に形成し、該三次元形状に形成されたレジスト樹脂をマスクとして該三次元形状に形成されたレジスト樹脂が全てなくなるまで前記シリコン基板をドライエッチングにより加工することで、前記三次元形状をシリコン基板に転写することを特徴とするシリコン基板加工方法。
3. 前記ドライエッチングにおいてＦ系ガスまたはＦ系ガスと酸素の混合ガスを用い、
   前記レジストマスクがなくなってから前記ドライエッチングを更に行うことで前記シリコン基板の表面をフッ素化する請求項２に記載のシリコン基板加工方法。
4. 異方性ドライエッチングにより前記ドライエッチングを行い、前記シリコン基板に形成される三次元形状のパターン高さの微調整は前記レジストマスクと前記シリコン基板との選択比を制御することで行われる請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシリコン基板加工方法。
5. 前記ドライエッチングをプラズマエッチングで行う際のプラズマ中の電子温度は６〜１５ｅＶの範囲内であり、プラズマ密度は１０⁸〜１０¹¹ｃｍ^-3の範囲内であり、ガス封入圧力は１Ｐａ未満である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシリコン基板加工方法。
6. 前記ドライエッチングは誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用い、前記選択比の最終的な微調整は、前記シリコン基板に印加する高周波電圧またはバイアス電圧のみを調整することで行う請求項４に記載のシリコン基板加工方法。
7. 前記シリコン基板に形成される三次元形状の側壁保護のために前記ドライエッチングのときＨＢｒとＯ₂を添加する請求項３乃至６のいずれか１項に記載のシリコン基板加工方法。
8. 側壁保護効果を有する成膜プロセスと前記ドライエッチングとを交互に行う請求項３乃至６のいずれか１項に記載のシリコン基板加工方法。
9. 前記ドライエッチングで寸法及び特徴が異なる形状を同一のシリコン基板上に同時に加工する請求項３乃至８のいずれか１項に記載のシリコン基板加工方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシリコン基板加工方法により加工されたシリコン基板から構成された光学素子用金型母型。
11. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシリコン基板加工方法により加工されたシリコン基板から構成された光学素子用金型。
12. 請求項１０に記載の光学素子用金型母型を用いて加工された光学素子用金型。
13. 請求項１１または１２に記載の金型を用いて加工された光学素子。
14. 請求項１１または１２に記載の金型を用いて加工された光通信波長帯域用エシェロン構造型の回折格子。