JP2005227788A - 有機電界発光表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】補助電源ラインを用いることにより，輝度等を向上させて大型化を可能にする全面発光有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機電界発光表示装置は，薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極２６１，２６２と同一層上に形成される電源ラインＶＤＤ（ｎ），ＶＤＤ（ｎ＋１）と，薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜２３０上に配置され，このソース／ドレイン電極と電気的に接続される下部電極２８１，２８２と，この下部電極と同一層上に形成される第１補助電源ラインＶＤＤａ（ｎ）および第２補助電源ラインＶＳＳ（ｎ＋１）と，第２補助電源ラインＶＳＳ（ｎ＋１）上には形成されずに，下部電極２８１，２８２のエッジ部上に形成され，下部電極２８１，２８２の一部を露出させる開口部を有する第２絶縁膜２８５と，有機膜２９０および上部電極２９５と，を含んで構成される。
【選択図】 図３
【解決手段】有機電界発光表示装置は，薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極２６１，２６２と同一層上に形成される電源ラインＶＤＤ（ｎ），ＶＤＤ（ｎ＋１）と，薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜２３０上に配置され，このソース／ドレイン電極と電気的に接続される下部電極２８１，２８２と，この下部電極と同一層上に形成される第１補助電源ラインＶＤＤａ（ｎ）および第２補助電源ラインＶＳＳ（ｎ＋１）と，第２補助電源ラインＶＳＳ（ｎ＋１）上には形成されずに，下部電極２８１，２８２のエッジ部上に形成され，下部電極２８１，２８２の一部を露出させる開口部を有する第２絶縁膜２８５と，有機膜２９０および上部電極２９５と，を含んで構成される。
【選択図】 図３
Description
本発明は有機電界発光表示装置およびその製造方法に係り，より詳しくは電源ラインおよび上部電極の電圧降下を防止する補助電源ラインを用いて電圧降下を防止することにより，輝度不均一防止および大型化の可能な有機電界発光表示装置およびその製造方法に関するものである。
通常，有機電界発光装置は蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型ディスプレイであって，低電圧で駆動可能であり，薄型化が容易であり，広視野角，速い応答速度など，液晶表示装置において問題点として指摘された欠点を解決することが可能な次世代ディスプレイとして注目を浴びている。
有機電界発光表示装置は，ガラスそのほかの透明な基板に所定パターンの有機膜が形成され，この有機膜の上下部に電極層が形成される。有機膜は有機化合物からなる。このように構成された有機電界発光表示装置は，電極に正極および負極の電圧が印加されると，正孔は正極電圧の印加された電極から注入された正孔輸送層を介して発光層に移動し，電子は陰極電圧の印加された電極から電子輸送層を介して発光層に注入される。この発光層において，電子と正孔が再結合して励起子（ｅｘｉｔｏｎ）を生成し，この励起子が励起状態から基底状態に変化するに従い，発光層の蛍光性分子が発光することにより画像が形成される。
このような有機電界発光表示装置のうち，能動駆動様式のアクティブマトリックス（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）型有機電界発光表示装置は，各画素当り少なくとも二つの薄膜トランジスタ（以下，「ＴＦＴ」という）を備えている。これらの薄膜トランジスタは各画素の動作を制御するスイッチング素子およびピクセルを駆動させる駆動素子として使用される。このような薄膜トランジスタは，基板上に高濃度の不純物でドーピングされたドレイン領域とソース領域，および上記ドレイン領域と上記ソース領域間に形成されたチャンネル領域を有する半導体活性層を有し，この半導体活性層上に形成されたゲート絶縁膜，および上記活性層のチャンネル領域上部のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極，上記ゲート電極上で層間絶縁膜を介在して，ドレイン領域とソース領域にコンタクトホールを介して接続されたドレイン電極およびソース電極などからなる。
図１はアクティブマトリックス型（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）有機電界発光表示装置の画素部を示す平面図，図２は有機電界発光表示装置の画素部の断面図である。
まず，図１に示すように，有機電界発光表示装置は複数の副画素を有する。一つの副画素はスキャンライン（Ｓｃａｎ），データライン（Ｄａｔａ）および電源ライン（ＶＤＤ）により限定される画素領域に配列され，各副画素は，最も簡素にはスイッチングＴＦＴ（ＴＦＴｓｗ）と，駆動ＴＦＴ（ＴＦＴｄｒ）の少なくとも二つの薄膜トランジスタと，一つのキャパシタ（Ｃｓｔ）および一つの有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）とからなる。上記のような薄膜トランジスタおよびキャパシタの数は必ずしもこれに限定されるものではなく，これより多い数の薄膜トランジスタおよびキャパシタを含むこともできる。
まず，図１に示すように，有機電界発光表示装置は複数の副画素を有する。一つの副画素はスキャンライン（Ｓｃａｎ），データライン（Ｄａｔａ）および電源ライン（ＶＤＤ）により限定される画素領域に配列され，各副画素は，最も簡素にはスイッチングＴＦＴ（ＴＦＴｓｗ）と，駆動ＴＦＴ（ＴＦＴｄｒ）の少なくとも二つの薄膜トランジスタと，一つのキャパシタ（Ｃｓｔ）および一つの有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）とからなる。上記のような薄膜トランジスタおよびキャパシタの数は必ずしもこれに限定されるものではなく，これより多い数の薄膜トランジスタおよびキャパシタを含むこともできる。
上記スイッチングＴＦＴ（ＴＦＴｓｗ）は，スキャンライン（Ｓｃａｎ）に印加されるスキャニング信号に応じて駆動され，データライン（Ｄａｔａ）に印加されるデータ信号を伝達する役割をする。上記キャパシタ（Ｃｓｔ）は，上記スイッチングＴＦＴ（ＴＦＴｓｗ）を介して伝達されるデータ信号を１フレームの間に格納する役割をする。上記駆動ＴＦＴ（ＴＦＴｄｒ）は上記スイッチングＴＦＴ（ＴＦＴｓｗ）を介して伝達されるデータ信号に応じて，すなわちゲートとソース間の電圧差（Ｖｇｓ）によって，電源ライン（ＶＤＤ）を介して有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）に流入される電流量を決定する。上記キャパシタ（Ｃｓｔ）は，上記スイッチングＴＦＴ（ＴＦＴｓｗ）を通して伝達されるデータ信号を一つのフレームの間に貯蔵する役割をする。
図２はこのようなアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置の断面図であって，特に，有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）と上記有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）を駆動する駆動薄膜トランジスタ（ＴＦＴｄｒ）とを示している。
図２に示すように，ガラス材の第１基板１００上にバッファ層１１０が形成され，この上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）が形成される。
まず，基板１００のバッファ層１１０上に所定パターンの半導体活性層１２１が設けられる。半導体活性層１２１の上部にはＳｉＯ２などによりゲート絶縁膜１３０が設けられ，ゲート絶縁膜１３０の上部の所定領域にはＭｏＷ，Ａｌ／Ｃｕなどの導電膜でゲート電極１４１が形成される。上記ゲート電極１４１は，図１に示すように，キャパシタ（Ｃｓｔ）の上下部電極のいずれか一つに連結されている。
まず，基板１００のバッファ層１１０上に所定パターンの半導体活性層１２１が設けられる。半導体活性層１２１の上部にはＳｉＯ２などによりゲート絶縁膜１３０が設けられ，ゲート絶縁膜１３０の上部の所定領域にはＭｏＷ，Ａｌ／Ｃｕなどの導電膜でゲート電極１４１が形成される。上記ゲート電極１４１は，図１に示すように，キャパシタ（Ｃｓｔ）の上下部電極のいずれか一つに連結されている。
上記ゲート電極１４１の上部には層間絶縁膜（ｉｎｔｅｒ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）１５０が形成され，コンタクトホールを介してソースまたはドレイン電極１６１がそれぞれ半導体活性層１２１のソース領域およびドレイン領域（図示せず）に接するように形成される。ソースまたはドレイン電極１６１の形成の際に，電源ライン（ＶＤＤ）も層間絶縁膜１５０上に形成される。ソースまたはドレイン電極１６１の上部にはＳｉＯ２，ＳｉＮｘなどからなったパッシベーション膜１７０が形成され，このパッシベーション膜１７０の上部にはアクリル，ポリイミド，ＢＣＢなどの有機物質から平坦化膜１７５が形成されている。
パッシベーション膜１７０および平坦化膜１７５には，フォトリソグラフィーまたは穿孔によりソースまたはドレイン電極１６１に連結されるビアホール１７５ａ，１７０ａが形成される。そして，この平坦化膜１７５の上部に，アノード電極として下部電極層１８０が形成され，ソースまたはドレイン電極１６１に電気的に接続される。そして，下部電極層１８０を覆うように，有機物で画素定義膜（Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｆｉｎｅ Ｌａｙｅｒ）１８５が形成される。この画素定義膜１８５に所定の開口部を形成した後，この開口部により限定された領域内に有機層１９０を形成する。有機層１９０は発光層を含む。そして，この有機層１９０を覆うように，カソード電極である上部電極層１９５が形成される。上記有機層１９０は，下部電極層１８０と上部電極層１９５の対向部分で正孔および電子の注入を受けて発光する。
一方，通常のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）においては，光を封止基板方向に発光させるため，透明カソード電極が使用される。一般に，上記透明カソード電極としてはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電性の物質が主として使用されるが，カソード電極としての役割をするため，有機膜と接する側に仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）の低いＭｇＡｇのような金属物質を薄く蒸着して半透明金属膜を形成し，上記半透明金属膜上にＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電膜を厚く蒸着して使用する。
従来の有機電界発光表示装置の製造工程において，上記カソード電極用ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電膜は有機膜の形成後に形成されるため，熱またはプラズマによる有機膜の損傷を最小化するために低温蒸着工程により形成されるので，膜質が悪く，比抵抗が高くなる。
カソード電極の比抵抗が高いため，画素の位置別に同一のカソード電圧が印加されるものでなく，電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）により電源が入力される部位に近い領域と遠い領域との間に電圧差が発生する。これにより，輝度または画像特性の不均一が発生し，さらに消費電力が増大する問題点が発生する。このような電圧降下現象のため，大型のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）を製造することが困難であるという問題点がある。
上記問題点を解決するため，従来から，画素定義膜１８５上に上部電極電圧降下の防止のための補助電極を形成する方式が導入されている。このような有機電界発光表示装置は，図１に示すように，画素定義膜１８５上に，上部電極電圧降下の防止のための補助電極ライン１９３が形成され，上記基板１００の全面にカソード電極として作用する上部電極１９５が形成されて上記補助電極ライン１９３とコンタクトされる構造を有する（たとえば，特許文献１を参照。）。
しかし，上記のような有機電界発光表示装置は，補助電極ライン１９３の形成により，電圧降下を防止して輝度不均一の問題は解決することはできるが，上記画素定義膜１８５上に半透明金属膜を蒸着した後，パターニングにより補助電極ライン１９３を形成するとき，上記有機膜１９０を損傷してしまうという問題点があるばかりでなく，上部電極の電圧降下防止のための補助電極ライン１９３を形成するためにマスク工程が付け加わって工程が複雑になるという問題点があった。
一方，ソースまたはドレイン電極１６１に電流を流入する役割をする電源ライン（ＶＤＤ）は，ソースまたはドレイン電極１６１の形成と同時に形成されて接続される。しかし，電源ライン（ＶＤＤ）の配線は基板の側面に提供されるため，薄膜構造においてその断面積が小さくて配線抵抗が高くなる。これにより，ＲＣ遅延および電圧降下により，駆動ＴＦＴに供給される電流量が不規則になり，究極には有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）の輝度不均一が発生する問題点が発生する。
以上のように，電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下およびカソード電極の電圧降下という現象のため，従来の技術では，大型のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）を製造することが難しいという問題点を有していた。
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下およびカソード電極の電圧降下を防止するための補助電源ラインを有する，新規かつ改良された，有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供することにある。
また，本発明の他の目的は，電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下およびカソード電極の電圧降下を防止することにより，輝度および画像の特性を向上させて大型化を可能にした全面発光有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために，本発明のある観点によれば，薄膜トランジスタを備える基板上に形成され，上記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン電極と同一層上に形成される電源ラインと，上記薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜と，上記第１絶縁膜上に配置され，上記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と電気的に接続される下部電極と，上記下部電極と同一層上に形成される第１補助電源ラインおよび第２補助電源ラインと，上記第２補助電源ライン上には形成されずに，上記下部電極のエッジ部上に形成され，上記下部電極の一部を露出させる開口部を有する第２絶縁膜と，上記基板上に形成される有機膜と，上記基板上に形成される上部電極と，を含む，有機電界発光表示装置が提供される。
これによれば，上記第１補助電源ラインは，上記電源ラインと電気的に接続できる。また，上記第１補助電源ラインと上記電源ラインとの間には上記第１絶縁膜が介在され，上記第１補助電源ラインは，上記第１絶縁膜に形成されたビアホールを介して上記電源ラインと電気的に接続できる。
また，上記第２補助電源ラインは，上記上部電極と電気的に接続されるほうがよい。この際，上記第２補助電源ラインは，上記第２補助電源ラインの側面を介して上記上部電極と電気的に接続できる。
また，上記下部電極，上記第１補助電源ライン，および上記第２補助電源ラインは，同一物質からなることがよく，上記上部電極の物質より仕事関数の大きい導電性物質からなることがよい。また，上記下部電極，上記第１補助電源ライン，および上記第２補助電源ラインは，比抵抗が低く反射率に優れた物質からなることがよい。また，上記下部電極，上記第１補助電源ライン，および上記第２補助電源ラインは，単一膜または多重膜からなることができ，Ａｌ−ＩＴＯ，Ｍｏ−ＩＴＯ，Ｔｉ−ＩＴＯまたはＡｇ−ＩＴＯのいずれにより構成することもできる。特に，上記下部電極，上記第１補助電源ライン，および上記第２補助電源ラインは，上記有機膜より厚いことがよい。
また，本発明による有機電界発光表示装置は，上記薄膜トランジスタおよび上記電源ラインを有する複数の副画素を備え，上記複数の副画素のなかで，一部の副画素は上記第１補助電源ラインを含み，ほかの一部の副画素は上記第２補助電源ラインを含むことができる。この際，それぞれの上記第１補助電源ラインまたは上記第２補助ラインは，上記第１補助電源ラインまたは上記第２補助ラインが属する副画素の電源ラインに交差して形成できる。そして，上記複数の副画素の上記第１補助電源ラインと上記第２補助電源ラインは互いに交番に形成できる。
また，本発明のほかの観点によれば，薄膜トランジスタを備える基板上に形成され，上記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン電極と同一層上に形成される電源ラインと，上記薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜と，上記第１絶縁膜上に配置され，上記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と電気的に接続される下部電極と，上記下部電極と同一層上に形成される第１補助電源ラインおよび第２補助電源ラインと，上記第２補助電源ライン上には形成されずに，上記下部電極のエッジ部上に形成され，上記下部電極の一部を露出させる開口部を有する第２絶縁膜と，上記開口部内の上記下部電極上に形成される有機膜と，上記基板上に形成される上部電極と，を含み，上記第２補助電源ラインは上記第２補助電源ラインの側面および上面を介して上記上部電極と電気的に接続される，有機電界発光表示装置が提供される。
また，本発明のさらにほかの観点によれば，薄膜トランジスタ，および上記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン電極と同一層上に形成される電源ラインを備える基板上に，上記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と電気的に接続される下部電極を形成し，上記下部電極と同一層の第１補助電源ラインおよび第２補助電源ラインを形成する補助電源ライン形成段階と，上記第２補助電源ライン上には形成されずに，上記下部電極のエッジ部上に形成され，上記下部電極の一部を露出させる開口部を有する画素定義膜を形成する段階と，上記開口部上に有機膜を形成する段階と，上記基板上に上部電極を形成する段階と，を含む，有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
上記補助電源ライン形成段階は，薄膜トランジスタを備える基板上に平坦化膜を形成する段階と，上記平坦化膜に，上記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極を露出させる第１ビアホール，および電源ラインを露出させる第２ビアホールを形成する段階と，上記平坦化膜上に，上記第１ビアホールを介して上記ソースまたはドレイン電極と電気的に接続される上記下部電極と，上記第２ビアホールを介して上記電源ラインと電気的に接続される上記第１補助電源ラインおよび上記第２補助電源ラインを形成する段階とを含むことができる。
上記第１ビアホールと上記第２ビアホールは同時に形成されることができ，上記平坦化膜上に形成される上記下部電極，上記第１補助電源ラインおよび上記第２補助ラインは同一物質から形成できる。
以上説明したように，本発明によれば，第１補助電源ラインおよび第２補助電源ラインを用いて，電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下およびカソード電極の電圧降下を同時に防止することができる有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供することができる。
また，本発明によれば，電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下およびカソード電極の電圧降下を防止して，輝度および画像特性の不均一を防止することができる有機電界発光表示装置を提供することができる。
また，第１補助電源ラインおよび第２補助ラインをアノード電極と同時に形成することにより，追加のマスク工程なしで電圧降下を防止するバスラインを形成する有機電界発光表示装置を提供することができる。
また，電源ラインおよびカソードの電圧降下を防止することにより，消費電力を低減することができる，中型および大型の有機電界発光装置を提供することができる。また，寿命および信頼性が向上した有機電界発光表示装置を提供することができる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１実施形態）
図３は本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の断面図を示すもので，ｎ番目行に配列された画素の断面構造とｎ＋１番目行に配列された画素の断面構造を示す。
図３は本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の断面図を示すもので，ｎ番目行に配列された画素の断面構造とｎ＋１番目行に配列された画素の断面構造を示す。
図３に示すように，本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置は，基板２００上にバッファ層２１０が形成され，このバッファ層２１０上には，ｎ番目行に配列された画素の薄膜トランジスタ（以下，“第１薄膜トランジスタ”という）と，ｎ＋１番目行に配列された画素の薄膜トランジスタ（以下，“第２薄膜トランジスタ”という）が配列される。この際，基板２００は，ガラス基板またはプラスチック基板のような基板を含み，あるいは金属基板を含むこともできる。
第１薄膜トランジスタは，半導体活性層２２１，ゲート電極２４１，およびソースまたはドレイン電極２６１を有し，第２薄膜トランジスタは，半導体活性層２２２，ゲート電極２４２，およびソースまたはドレイン電極２６２を有する。
半導体活性層２２１，２２２とゲート電極２４１，２４２間にはゲート絶縁膜２３０が形成され，層間絶縁膜２５０上にはソースまたはドレイン電極２６１，２６２が形成され，このソースまたはドレイン電極２６１，２６２はそれぞれコンタクトホールを通して半導体活性層２２１，２２２に接続される。また，層間絶縁膜２５０上には電源ライン（ＶＤＤ（ｎ）および（ＶＤＤ（ｎ＋１））が形成され，ソースまたはドレイン電極２６１，２６２と同一層に形成される。
この際，ｎ番目電源ライン（ＶＤＤ（ｎ））とｎ＋１番目電源ライン（ＶＤＤ（ｎ＋１））はそれぞれ同一の行に配列された，つまり同一のデータラインに接続された複数の画素に対して共通に接続されるようにする。すなわち，図３に示すように，ｎ番目電源ライン（ＶＤＤ（ｎ））はｎ番目行に配列される複数の画素に対して共通接続されるように伸びており，ｎ＋１番目電源ライン（ＶＤＤ（ｎ＋１））はｎ＋１番目行に配列される複数の画素に対して共通接続されるように伸びている。
上記第１および第２薄膜トランジスタが形成された基板上には，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘなどからなったパッシベーション膜２７０と，アクリル，ポリイミド，ＢＣＢなどの有機物質からなった平坦化膜２７５が形成される。平坦化膜２７５上には，ｎ番目行に配列された画素の有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）（以下，“第１有機電界発光素子”という）のアノード電極として作用する下部電極２８１と，ｎ＋１番目行に配列された画素の有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）（以下，“第２有機電界発光素子”という）のアノード電極として作用する下部電極２８２が形成される。上記下部電極２８１はビアホール２７０ａ，２７５ａを介して第１薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極２６１の一つと電気的に接続され，下部電極２８２はビアホール２７０ｃ，２７５ｃを介して第２薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極２６２の一つと電気的に接続される。なお，パッシベーション膜２７０および平坦化膜２７５は，第１絶縁膜に相当する。
また，上記平坦化膜２７５上には，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））と第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））とが形成され，上記第１および第２有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）の下部電極２８１，２８２と同一層上に配列される。
すなわち，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））は画素電極２８１，２８２と同一層上に形成され，ビアホール２７０ｂ，２７５ｂを介して電源ライン（ＶＤＤ（ｎ））と電気的に接続され，電源ライン（ＶＤＤ（ｎ））の抵抗を減少させる。図３において，理解に役立つように，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））は平面上で９０°だけ回転された形態を示しているが，実際に，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））は左右方向に伸びている構造を有する。なお，ビアホール２７０ａ，２７５ａは第１ビアホールに相当し，ビアホール２７０ｂ，２７５ｂは第２ビアホールに相当する。
第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））は下部電極２８１，２８２と同一層上に形成され，上部電極２９５と電気的に接続されて上部電極２９５の抵抗を減少させる。図３において，理解に役立つように，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））は平面上で９０°回転された形態が示されている。実際には，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））は左右方向に連続して伸びている構造を有する。
そして，下部電極２８１，２８２のエッジ部を含む所定の領域には画素定義膜２８５が形成される。画素定義膜２８５は第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））上には形成されないようにする。画素定義膜２８５をパターニングするとき，下部電極の一部を露出させることにより，開口部が形成される。開口部または基板上の全領域には有機膜２９０が設けられる。本実施形態では，図３に示すように，基板上の全領域に有機膜２９０が設けられているが，図８のように，開口部のみに有機膜２９０を設けるようにしてもよい。
なお，画素定義膜２８５は，第２絶縁膜に相当する。
なお，画素定義膜２８５は，第２絶縁膜に相当する。
有機膜２９０は第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１）の側面には形成されずに切れているので第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面を露出させる。有機膜２９０上には，第１および第２有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）のカソード電極として作用する上部電極２９５が設けられるが，有機膜２９０が第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面には形成されずに切れているので，第２補助ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面は上部電極２９５と電気的に接続される。
この際，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面に有機膜２９０が形成されない理由は，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の厚さを十分に（例えば，３０００Å以上）厚く形成した後，有機膜２９０を塗布することによる。すなわち，画素定義膜２８５はある程度のテーパーを有するように形成されているので，上記有機膜２９０が画素定義膜２８５の側面を越えて伸びることができるが，上記第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面はほぼ垂直に形成され，また，上記有機膜２９０の厚さより遥かに厚く形成されているので，上記有機膜２９０が第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面を越えて伸びることができないからである。このように，下部電極２８１，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ）），および第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））は，有機膜２９０より厚いほうがよい。
アノード電極として作用する下部電極２８１，２８２，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ），および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）は同一物質からなることが好ましい。また，カソード電極として作用する上部電極２９５の物質より仕事関数が高い導電性の物質からなることが好ましい。例えば，Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒおよびこれらの化合物などで反射膜を形成した後，その上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３を形成することができる。
より好ましくは，下部電極２８１，２８２，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ），および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）は電源ライン（ＶＤＤ）とカソード電極の電圧降下を最小化するために比抵抗が低く，後続工程で形成される有機膜の反射率を増大させるために反射率に優れたＡｌ−ＩＴＯ，Ｍｏ−ＩＴＯ，Ｔｉ−ＩＴＯまたはＡｇ−ＩＴＯ，またはそのほかの反射膜，あるいはアノード電極として使用可能な物質でなることが好ましい。
また，下部電極２８１，２８２，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ），および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）は単一膜または多重膜からなり得る。
また，下部電極２８１，２８２，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ），および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）は単一膜または多重膜からなり得る。
一方，開口部上に形成される有機膜２９０としては低分子または高分子の有機層が使用可能である。低分子有機層を使用する場合，ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ），ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ），有機発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ），電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ），電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一または複合構造に積層されて形成可能であり，使用可能な有機材料としては，銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ），Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ），トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ）（Ａｌｑ３）などのような多様な材料を適用することができる。これら低分子有機層は真空蒸着法で形成される。
高分子有機層の場合には，たいていホール輸送層（ＨＴＬ）および発光層（ＥＭＬ）を有する構造を有することができる。この際，上記ホール輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し，発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系およびポリフルオレン（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系などの高分子有機物質を使用し，これをスクリーン印刷またはインクジェット印刷方法などで形成することができる。ただし，このような有機層は必ずしもこれらに限定されるものではなく，多様な例を提供することができるのはもちろんである。
有機層２９０上に形成される上部電極２９５も透明電極または反射型電極として備えることができる。上部電極２９５がカソード電極としての役目をするので，透明電極として使用されるときは，仕事関数の小さい金属，つまりＬｉ，Ｃａ，ＬｉＦ／Ｃａ，ＬｉＦ／Ａｌ，Ａｌ，Ｍｇ，およびこれらの化合物を基板上に蒸着した後，その上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ，またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極物質を形成することができる。そして，反射型電極として使用されるときは，仕事関数の小さい金属，つまりＬｉ，Ｃａ，ＬｉＦ／Ｃａ，ＬｉＦ／Ａｌ，Ａｌ，Ｍｇ，およびこれらの化合物を全面蒸着して形成する。本発明の好適な実施形態による全面発光有機電界発光表示装置においては，上部電極２９５として，仕事関数が小さく電気抵抗が小さいＭｇＡｇ金属層上にＩＺＯ膜を形成することが望ましい。
第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面では，有機膜２９０が形成されなくて第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））が露出されるので，上部電極２９５は，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面と電気的に連結される。このように，上部電極２９５が第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面と電気的に連結されることにより，カソード電圧降下を防止することができる。
図９は本発明の一実施形態にかかる有機電界発光表示装置の平面構造を示すものである。
図９に示すように，有機電界発光表示装置は，内部に薄膜トランジスタ，下部電極，有機層，上部電極などを備えた複数の副画素を有する列と行のマトリックス形態を取っている。一つの画素は通常Ｒ，Ｇ，Ｂの副画素からなるが，必ずしもこれらに限定されるものではない。上記複数の副画素は，同一行（Ｃｏｌｕｍｎ）においては同一の電源ライン（ＶＤＤ）および同一のデータライン（Ｄａｔａ）に接続される。そして，これら複数の副画素は，同一列（Ｒｏｗ）においては同一のスキャンライン（Ｓｃａｎ）に接続されている。また，複数の副画素は，同一列（Ｒｏｗ）において，電源ライン（ＶＤＤ）に交差して形成される同一の第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）または同一の第２補助電源ラインＶＳＳ）に接続されている。この際，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）はビアホール２７０ｂ，２７５ｂを介して電源ライン（ＶＤＤ）と電気的に接続されている。
図９に示すように，有機電界発光表示装置は，内部に薄膜トランジスタ，下部電極，有機層，上部電極などを備えた複数の副画素を有する列と行のマトリックス形態を取っている。一つの画素は通常Ｒ，Ｇ，Ｂの副画素からなるが，必ずしもこれらに限定されるものではない。上記複数の副画素は，同一行（Ｃｏｌｕｍｎ）においては同一の電源ライン（ＶＤＤ）および同一のデータライン（Ｄａｔａ）に接続される。そして，これら複数の副画素は，同一列（Ｒｏｗ）においては同一のスキャンライン（Ｓｃａｎ）に接続されている。また，複数の副画素は，同一列（Ｒｏｗ）において，電源ライン（ＶＤＤ）に交差して形成される同一の第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）または同一の第２補助電源ラインＶＳＳ）に接続されている。この際，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）はビアホール２７０ｂ，２７５ｂを介して電源ライン（ＶＤＤ）と電気的に接続されている。
複数の副画素のなかで，一部の副画素は補助電源ライン（ＶＤＤａ）に接続され，ほかの一部の副画素は第２補助電源ライン（ＶＳＳ）に接続されている。これにより，平面図において，複数の副画素はメッシュ状に形成される。
本実施形態においては，図９に示したように，列ごとに第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）が交互に形成されている。しかし，電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を考慮する必要性が大きければ第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）の数を増やし，カソード電極の電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を考慮する必要性が大きければ第２補助電源ライン（ＶＳＳ）の数を増やすことにより，適応的な設計が可能である。
以下，図４ａ，図４ｂ，図５ａ，図５ｂ，図６ａ，図６ｂ，図７ａ，図７ｂに基づき，本発明の一実施形態にかかる有機電界発光装置の製造方法を説明する。図４ａおよび図４ｂは本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を示すもので，図４ａは，基板上に第１薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および電源ライン（ＶＤＤ）が形成された形態を示し，図４ｂは，第２薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および電源ライン（ＶＤＤ）が形成された形態を示す。
まず，ガラス材またはプラスチック材の基板または金属基板などの基板２００上にバッファ層２１０が，形成される。基板２００上にバッファ層２１０が形成されると，不純元素の浸透が防止され，表面が平らになる。バッファ層２１０は，ＳｉＯ２またはＳｉＮなどで形成可能であり，ＰＥＣＶＤ法，ＡＰＣＶＤ法，ＬＰＣＶＤ法，ＥＣＲ法などにより蒸着でき，およそ３０００Åに蒸着可能である。
そして，バッファ層２１０上に半導体活性層２２１，２２２を形成した後，イオンドーピングを行い，この半導体活性層２２１，２２２の上部にゲート絶縁膜２３０を形成し，上記ゲート絶縁膜２３０上にゲート電極２４１，２４２を形成する。そして，コンタクトホールを介して上記半導体活性層２２１，２２２と接するソースまたはドレイン電極２６１，２６２を形成することにより，第１および第２薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を完成する。
より具体的に説明すると，上記半導体活性層２２１，２２２は，無機半導体または有機半導体から，およそ５００Åに形成可能である。半導体活性層２２１，２２２を無機半導体のなかでポリシリコンで形成する場合は，非晶質シリコンを形成した後，各種結晶化方法により多結晶化可能である。この活性層は，Ｎ型またはＰ型不純物が高濃度でドーピングされたソースおよびドレイン領域を有し，その間にチャンネル領域を有する。無機半導体はＣｄＳ，ＧａＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＣａＳｅ，ＺｎＳｅ，ＣｄＴｅ，ＳｉＣ，およびａ−Ｓｉ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）またはｐｏｌｙ−Ｓｉ（ｐｏｌｙ ｓｉｌｉｃｏｎ）のようなシリコン材を含むものであり得，上記有機半導体はバンドギャップが１ｅＶ〜４ｅＶの半導体性有機物質を含み得るが，例えばポリチオフェンなどの高分子有機物またはペンタセンなどの低分子有機物を含み得る。
上記半導体活性層２２１，２２２の上部には，ＳｉＯ２などによりゲート絶縁膜２３０が設けられ，ゲート絶縁膜２３０の上部の所定領域には，ＭｏＷ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｌ／Ｃｕなどの導電性金属膜でゲート電極２４１，２４２が形成される。上記ゲート電極２４１，２４２を形成する物質は必ずしもこれらに限定されなく，導電性ポリマーなどの多様な導電性物質をゲート電極２４１，２４２として使用することができる。上記ゲート電極２４１，２４２が形成される領域は半導体活性層２２１，２２２のチャンネル領域に対応する。
上記ゲート電極２４１，２４２の上部には，ＳｉＯ２および／またはＳｉＮｘなどで層間絶縁膜（ｉｎｔｅｒ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）２５０が形成され，この層間絶縁膜２５０とゲート絶縁膜２３０にコンタクトホールが形成された状態で，ソースまたはドレイン電極２６１，２６２を層間絶縁膜２５０の上部に形成する。ソースまたはドレイン電極２６１，２６２を形成する材料としては，ＭｏＷ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｌ／Ｃｕなどの導電性金属膜または導電性ポリマーなどが使用可能である。ソースまたはドレイン電極２６１，２６２の形成の際に，層間絶縁膜２５０上に電源ライン（ＶＤＤ（ｎ），ＶＤＤ（ｎ＋１））が取り付けられる。電源ライン（ＶＤＤ）は，ソースまたはドレイン電極２６１，２６２と同時に，同一材料または異なる材料で形成することができる。
ただし，以上説明したような薄膜トランジスタの構造は，必ずしもこの実施形態に限定されるものではなく，従来の一般的な薄膜トランジスタの構造を全てそのままで採用することもできる。
つぎに，図５ａおよび図５ｂに示すように，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および上記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極２６１，２６２と同一層上に形成された電源ライン（ＶＤＤ）を備える基板２００上に，薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極２６１，２６２と電気的に接続される下部電極２８１，２８２を形成する。そして，下部電極２８１，２８２と同一層に，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）を形成する。
第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）は下部電極２８１，２８２と同一層上に形成され，ビアホール２７０ｂ，２７５ｂを介して電源ライン（ＶＤＤ（ｎ））と電気的に接続される。図５ａは，理解に役立つように，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））が平面上で９０°回転された形態を示している。実際に，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））は左右方向に連続的に伸びている構造を取っている。
また，図５ｂは，理解に役立つように，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））が平面上で９０°回転された形態を示している。実際に，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））は左右方向に連続的に伸びている構造を取っている。
下部電極２８１，２８２および第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）は，薄膜トランジスタ上に塗布されるパッシベーション膜２７０および平坦化膜２７５上に形成される。
パッシベーション膜２７０は，上記ソースまたはドレイン電極２６１，２６２の上部にＳｉＮｘなどで形成し，パッシベーション膜２７０の上部には，アクリル，ＢＣＢ，またはポリイミドなどのような平坦化膜２７５を形成する。この際，ｎ番目行の副画素において，パッシベーション膜２７０および平坦化膜２７５には，ソースまたはドレイン電極２６１を露出させるために，ビアホール２７０ａ，２７５ａを形成する。そして，パッシベーション膜２７０の上部に第１有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）の下部電極２８１を形成することにより，下部電極２８１がビアホール２７０ａ，２７５ａを介してソースまたはドレイン電極２６１のいずれか一つに接続されるようにする。
ところで，ｎ番目行の副画素において，ビアホール２７０ａ，２７５ａの形成に際して，電源ライン（ＶＤＤ（ｎ））を露出させるように，ほかのビアホール２７０ｂ，２７５ｂを形成する。そして，平坦化膜２７５の上部に下部電極２８１を形成すると同時に，第１ビアホール２７０ｂ，２７５ｂを介して電源ライン（ＶＤＤ（ｎ））と接続されるように，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））を形成する。
また，ｎ番目行の副画素においてビアホール２７０ａ，２７５ａの形成するとき，ｎ＋１番目行の副画素においては，パッシベーション膜２７０および平坦化膜２７５に，ソースまたはドレイン電極２６２を露出させるように，ビアホール２７０ｃ，２７５ｃを形成する。そして，ｎ番目行の副画素において，平坦化膜２７５の上部に第１有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）の下部電極２８１を形成するとき，これと同時に，ｎ＋１番目行の副画素においても，第２有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）の下部電極２８２を形成することにより，下部電極２８２がビアホール２７０ｃ，２７５ｃを介してソースまたはドレイン電極２６２のいずれか一つに接続されるようにする。そして，平坦化膜２７５の上部に下部電極２８１，２８２を形成すると同時に，ｎ＋１番目行の副画素においては，電源ライン（ＶＤＤ（ｎ＋１））上に第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））を形成する。
アノード電極として作用する下部電極２８１，２８２と，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ），第２補助電源ライン（ＶＳＳ）は同一物質で形成することが好ましく，カソード電極として作用する上部電極２９５の物質より仕事関数の高い導電性物質からなることが好ましい。例えば，Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ，およびこれらの化合物などで反射膜を形成した後，その上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ，またはＩｎ２Ｏ３を形成することができる。
特に，より好ましくは，下部電極２８１，２８２および第１補助電源ライン（ＶＤＤａ），第２補助電源ライン（ＶＳＳ）は，電源ライン（ＶＤＤ）および上部電極２９５であるカソード電極の電圧降下を最小化するため，比抵抗が低く，後続工程で形成される有機膜の反射率を増大させるため，反射率に優れたＡ１−ＩＴＯ，Ｍｏ−ＩＴＯ，Ｔｉ−ＩＴＯまたはＡｇ−ＩＴＯ，あるいはそのほかの反射膜またはアノード電極として使用可能な物質で形成されることが好ましい。
また，下部電極２８１，２８２，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ），および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）は単一膜または多重膜に形成することができる。下部電極２８１，２８２，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））および第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））は同時に形成することで，製造工程を簡略化させることが好ましい。また，その厚さを最大限に厚く形成することが好ましいが，その理由は，後述するように，後に塗布される有機層２９０が第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面に形成されるようにすることにより，有機層２９０上に形成される上部電極２９５を第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））と電気的に接続させるためである。
下部電極２８１，２８２，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ）），および第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））を形成した後，基板２００上の下部電極２８１，２８２のエッジ部に画素定義膜２８５を形成する。画素定義膜２８５は，図６ａおよび図６ｂに示すように，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））上には形成されない。そして，画素定義膜２８５は下部電極２８１，２８２のエッジ部上に形成されるので，画素定義膜２８５には，下部電極２８１，２８２の一部を露出させる開口部が形成される。
その後，基板２００の全面にわたって，発光層を含む有機膜２９０が塗布される。上記のように，有機膜２９０は，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面には形成されず，切れている。有機膜２９０上には，有機電界発光素子のカソード電極として作用する上部電極２９５が設けられるが，有機膜２９０が第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面には形成されなく切れていることにより，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面は上部電極２９５と電気的に接続される。
この際，第１補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面に有機膜２９０が形成されないことは，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の厚さを十分に（例えば，３０００Å以上）厚く形成した後，有機膜２９０を塗布することにより達成できる。すなわち，画素定義膜２８５はある程度のテーパー角に形成されることにより，上記有機膜２０がその側面を越えて形成されることができるが，上記第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））は側面は，ほぼ垂直に近く，また，上記有機膜２０の厚さより十分に厚く形成されるので，上記有機膜２０がその側面を越えて形成されることができないからである。
ついで，図７ａおよび図７ｂに示すように，基板２００の全面にわたって，カソード電極として作用する上部電極２９５を塗布する。上部電極２９５として，仕事関数の小さい金属，つまりＬｉ，Ｃａ，ＬｉＦ／Ｃａ，ＬｉＦ／Ａｌ，Ａｌ，Ｍｇ，およびこれらの化合物を，有機膜２９０に向かうように蒸着した後，その上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ，またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極物質を形成することができる。特に，本発明の好適な実施形態において，上部電極２９５としては，仕事関数が小さく電気抵抗が小さいＭｇＡｇ金属層上にＩＺＯ膜を形成することが望ましい。
上部電極２９５の塗布により，上部電極２９５は第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面と電気的に接触する。前述したように，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））は有機膜２９０より十分に厚く形成され，その側面に有機膜２９０が覆われないので，上部電極２９５と電気的に接続されるものである。
以上によれば，第１補助電源ライン（ＶＤＤａ（ｎ））を設け，電源ライン（ＶＤＤ）と接続することにより電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下を抑止するとともに，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））を設け，カソード電極２９５（上部電極）の電圧降下を抑止することにより，全面発光有機電界発光表示装置の輝度および画像の特性を向上させることができる。この結果，全面発光有機電界発光表示装置を大型化することができる。
（第２実施形態）
一方，図８は本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示すもので，ｎ番目行に配列された画素の断面構造とｎ＋１番目行に配列された画素の断面構造を示す。
図８に示すアクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）は第１実施形態のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置と構造的に類似している。ただし，第１実施形態において，有機膜２９０が基板上に全面的に形成され，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面と介して上部電極２９５が電気的に連結される構造とは異なり，第２実施形態においては，有機膜３９０が下部電極３８１，３８２上にだけ形成され，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面および上面を介して上部電極３９５と電気的に連結される構造のみが異なる。
一方，図８は本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造を示すもので，ｎ番目行に配列された画素の断面構造とｎ＋１番目行に配列された画素の断面構造を示す。
図８に示すアクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）は第１実施形態のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置と構造的に類似している。ただし，第１実施形態において，有機膜２９０が基板上に全面的に形成され，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面と介して上部電極２９５が電気的に連結される構造とは異なり，第２実施形態においては，有機膜３９０が下部電極３８１，３８２上にだけ形成され，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））の側面および上面を介して上部電極３９５と電気的に連結される構造のみが異なる。
この際，有機膜３９０は，ＬＩＴＩ転写またはパターニングなどの方法により，下部電極３８１，３８２のエッジ部のみに形成された画素定義膜３８５の開口部に限って形成される。すなわち，第１実施形態とは異なり，有機膜３９０が第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））上には形成されない。
したがって，上記上部電極３９５の電圧降下防止用の第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））はその両側面および上部面を介して上部電極３９５と電気的に連結されることにより，上部電極３９５の電圧降下を防止することができる。
このように，図８に示す実施形態は，有機膜３９０を下部電極３８１，３８２および開口部にだけ塗布し，そのほかの領域には塗布しなかった状態で，上部電極３９５を塗布した場合を示す。したがって，第２補助電源ライン（ＶＳＳ（ｎ＋１））はその側面および上面が上部電極３９５と電気的に接続されるが，そのほかの詳細は前述した実施形態と同様である。
このように形成される有機電界発光表示装置を基板の前面側から見ると，図９のような平面図が得られる。図９に示すように，有機電界発光表示装置は，内部に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），下部電極２８１，２８２，有機層２９０，上部電極２９５などを備えた複数の副画素を有する列と行のマトリックス形態を取っており，これら複数の副画素は，同一行（Ｃｏｌｕｍｎ）においては，同一の電源ライン（ＶＤＤ）および同一のデータライン（Ｄａｔａ）に接続されている。そして，これら複数の副画素は，同一列（Ｒｏｗ）においては，同一のスキャンライン（Ｓｃａｎ）に接続されている。また，複数の副画素は，同一列（Ｒｏｗ）において，電源ライン（ＶＤＤ）に交差して形成される同一の第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）または同一の第２補助電源ライン（ＶＳＳ）に接続されている。第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）はビアホール２７０ｂ，２７５ｂにより電源ライン（ＶＤＤ）に接続されている。
複数の副画素のなかで，一部の副画素は第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）に接続され，ほかの一部の副画素は第２補助電源ライン（ＶＳＳ）に接続されている。これにより，平面図上で複数の副画素はメッシュ状に形成される。
本実施形態において，図９に示したように，行ごとに第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）および第２補助電源ライン（ＶＳＳ）が交互に形成されている。しかし，電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を考慮する必要性が大きければ第１補助電源ライン（ＶＤＤａ）の数を増やし，カソード電極の電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を考慮する必要性が大きければ第２補助電源ライン（ＶＳＳ）の数を増やすことにより，より電圧降下を抑止するように柔軟な設計が可能である。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば，図面には一つのＴＦＴのみが示されているが，実際の平面構造においては，回路設計によってより多いＴＦＴを配置することができ，下部電極をアノードとして設け，上部電極をカソードとして設けたが，その位置を反対に設計することは当業者が用意に設計変更し得る程度のことであり，本発明の等価範囲に属するものと理解すべきである。
本発明は，電源ライン（ＶＤＤ）の電圧降下およびカソード電極の電圧降下を防止することができる有機電界発光表示装置に適用可能である。
２００，３００ 基板
２１０，３１０ バッファ層
２２１，２２２，３２１，３２２ 半導体活性層
２３０，３３０ ゲート絶縁膜
２４１，２４２，３４１，３４２ ゲート電極
２５０，３５０ 層間絶縁膜
２６１，２６２，３６１，３６２ ソースまたはドレイン電極
２７０，３７０ パッシベーション
２７０ａ，２７０ｂ，２７０ｃ，２７５ａ，２７５ｂ，２７０ｃ， ビアホール
３７０ａ，３７０ｂ，３７０ｃ，３７５ａ，３７５ｂ，３７０ｃ， ビアホール
２７５，３７５ 平坦化膜
２８１，２８２，３８１，３８２ 下部電極
２８５，３８５ 画素定義膜
２９０，３９０ 有機膜
２９５，３９５ 上部電極
２１０，３１０ バッファ層
２２１，２２２，３２１，３２２ 半導体活性層
２３０，３３０ ゲート絶縁膜
２４１，２４２，３４１，３４２ ゲート電極
２５０，３５０ 層間絶縁膜
２６１，２６２，３６１，３６２ ソースまたはドレイン電極
２７０，３７０ パッシベーション
２７０ａ，２７０ｂ，２７０ｃ，２７５ａ，２７５ｂ，２７０ｃ， ビアホール
３７０ａ，３７０ｂ，３７０ｃ，３７５ａ，３７５ｂ，３７０ｃ， ビアホール
２７５，３７５ 平坦化膜
２８１，２８２，３８１，３８２ 下部電極
２８５，３８５ 画素定義膜
２９０，３９０ 有機膜
２９５，３９５ 上部電極
Claims (31)
- 薄膜トランジスタを備える基板上に形成され，前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と同一層上に形成される電源ラインと；
前記薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜と；
前記第１絶縁膜上に配置され，前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と電気的に接続される下部電極と；
前記下部電極と同一層上に形成される第１補助電源ラインおよび第２補助電源ラインと；
前記第２補助電源ライン上には形成されずに，前記下部電極のエッジ部上に形成され，前記下部電極の一部を露出させる開口部を有する第２絶縁膜と；
前記基板上に形成される有機膜と；
前記基板上に形成される上部電極と；を備えることを特徴とする，有機電界発光表示装置。 - 前記第１補助電源ラインは，
前記電源ラインと電気的に接続されることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記第１補助電源ラインと前記電源ラインとの間には前記第１絶縁膜が介在され，
前記第１補助電源ラインは，
前記第１絶縁膜に形成されたビアホールを介して前記電源ラインと電気的に接続されることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。 - 前記第２補助電源ラインは，
前記上部電極と電気的に接続されることを特徴とする，請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記第２補助電源ラインは，
前記第２補助電源ラインの側面を介して前記上部電極と電気的に接続されることを特徴とする，請求項４に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
同一物質からなることを特徴とする，請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
前記上部電極の物質より仕事関数の大きい導電性物質からなることを特徴とする，請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
比抵抗が低く反射率に優れた物質からなることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
単一膜または多重膜からなることを特徴とする，請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
Ａｌ−ＩＴＯ，Ｍｏ−ＩＴＯ，Ｔｉ−ＩＴＯまたはＡｇ−ＩＴＯのいずれかからなることを特徴とする，請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
前記有機膜より厚いことを特徴とする，請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記有機電界発光表示装置は，
前記薄膜トランジスタおよび前記電源ラインを有する複数の副画素を備え，
前記複数の副画素のうち一部の副画素は，前記第１補助電源ラインを含み，
前記複数の副画素のうち他の一部の副画素は，前記第２補助電源ラインを含むことを特徴とする，請求項１〜１１のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記第１補助電源ラインのそれぞれは，
前記第１補助電源ラインが属する副画素の電源ラインに交差して形成されることを特徴とする，請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記第２補助電源ラインのそれぞれは，
前記第２補助電源ラインが属する副画素の電源ラインに交差して形成されることを特徴とする，請求項１２または１３のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。 - 前記複数の副画素の前記第１補助電源ラインと前記第２補助電源ラインは，
互いに交互に形成されることを特徴とする，請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置。 - 薄膜トランジスタを備える基板上に形成され，前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と同一層上に形成される電源ラインと；
前記薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜と；
前記第１絶縁膜上に配置され，前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と電気的に接続される下部電極と；
前記下部電極と同一層上に形成される第１補助電源ラインおよび第２補助電源ラインと；
前記第２補助電源ライン上には形成されずに，前記下部電極のエッジ部上に形成され；前記下部電極の一部を露出させる開口部を有する第２絶縁膜と；
前記開口部内の前記下部電極上に形成される有機膜と；
前記基板上に形成される上部電極と；
を備え；
前記第２補助電源ラインは，
前記第２補助電源ラインの側面および上面を介して前記上部電極と電気的に接続されることを特徴とする，有機電界発光表示装置。 - 薄膜トランジスタ，および前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と同一層上に形成される電源ラインを備える基板上に，前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と電気的に接続される下部電極を形成し，前記下部電極と同一層に第１補助電源ラインおよび第２補助電源ラインを形成する補助電源ライン形成段階と；
前記第２補助電源ライン上には形成されずに，前記下部電極のエッジ部上に形成され，前記下部電極の一部を露出させる開口部を有する画素定義膜を形成する段階と；
前記開口部上に有機膜を形成する段階と；
前記基板上に上部電極を形成する段階と；
を含むことを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記補助電源ライン形成段階は，
薄膜トランジスタを備える基板上に平坦化膜を形成する段階と，
前記平坦化膜に，前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極を露出させる第１ビアホール，および電源ラインを露出させる第２ビアホールを形成する段階と，
前記平坦化膜上に，前記第１ビアホールを介して前記ソースまたはドレイン電極と電気的に接続される前記下部電極と，前記第２ビアホールを介して前記電源ラインと電気的に接続される前記第１補助電源ラインと，前記第２補助電源ラインと，を形成する段階とを含むことを特徴とする，請求項１７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第１ビアホールおよび前記第２ビアホールは，
同時に形成されることを特徴とする，請求項１８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記平坦化膜上に形成される前記下部電極，前記第１補助電源ラインおよび前記第２補助ラインは，
同一物質からなることを特徴とする，請求項１８または１９のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記平坦化膜上に形成される前記下部電極，前記第１補助電源ラインおよび前記第２補助ラインは，
前記上部電極より仕事関数の大きい導電性物質からなることを特徴とする，請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記平坦化膜上に形成される前記下部電極，前記第１補助電源ラインおよび前記第２補助ラインは，
比抵抗が低く反射率に優れた物質からなることを特徴とする，請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
単一膜または多重膜からなることを特徴とする，請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
Ａｌ−ＩＴＯ，Ｍｏ−ＩＴＯ，Ｔｉ−ＩＴＯまたはＡｇ−ＩＴＯのいずれかからなることを特徴とする，請求項１８〜２３のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記下部電極，前記第１補助電源ライン，および前記第２補助電源ラインは，
前記有機膜より厚いことを特徴とする，請求項１８〜２４のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記有機膜を前記第２補助電源ラインの側面には形成しないことにより，前記第２補助電源ラインを前記第２補助電源ラインの側面を介して前記上部電極と電気的に接続させることを特徴とする，請求項１７〜２５のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記有機膜を前記第２補助電源ラインの側面および上面には形成しないことにより，前記第２補助電源ラインを前記側面および上面を介して前記上部電極と電気的に接続させることを特徴とする，請求項１７〜２５のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記補助電源ライン形成段階により前記第１補助電源ラインまたは前記第２補助電源ラインを有する複数の副画素を形成し，
前記複数の副画素のうち一部の副画素には前記第１補助電源ラインを形成し，
前記複数の副画素のうち他の一部の副画素には前記第２補助電源ラインを形成することを特徴とする，請求項１７〜２７のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第１補助電源ラインのそれぞれは，前記第１補助電源ラインが属する副画素の電源ラインに交差して形成されることを特徴とする，請求項１７〜２８のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第２補助電源ラインのそれぞれは，前記第２補助電源ラインが属する副画素の電源ラインに交差して形成されることを特徴とする，請求項１７〜２９のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記複数の副画素の前記第１補助電源ラインと前記第２補助電源ラインとは，
互いに交互に形成されることを特徴とする，請求項１７〜３０のいずれか一項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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