TWI671577B - 畫素結構以及應用其的發光面板 - Google Patents

Abstract

一種畫素結構，包含薄膜電晶體、絕緣層、輔助電極、第一電極、畫素定義層、電激發光結構以及第二電極。薄膜電晶體位於基底上。絕緣層位於薄膜電晶體上，且具有第一接觸洞。輔助電極以及第一電極形成於第一絕緣層上，其中第一電極藉由第一接觸洞與薄膜電晶體電性連接。畫素定義層位於輔助電極及第一電極上，且具有第一開口及第二開口。電激發光結構位於第一開口內。第二電極位於畫素定義層上，且藉由第二開口與輔助電極電性連接。

Description

畫素結構以及應用其的發光面板

本發明是有關於一種畫素結構以及應用其的發光面板。

隨著科技進步，發光二極體已經成為常見且廣泛應用於商業用途中的元件。以做為光源而言，發光二極體具有許多優點，包含能量消耗低、使用壽命長以及開關切換快速。也因此，傳統光源已經逐漸被發光二極體光源替代。

另一方面，除了做為光源以外，由於發光二極體具有自發光(self-emissive)、高亮度、製程簡單等優點，發光二極體技術也已經開始導入至顯示技術中發展。例如，可利用不同顏色的發光二極體做為顯示面板的畫素，從而取代液晶材料。對此，使用發光二極體做為畫素的顯示面板也因為適於薄化產品厚度、適於製成大尺寸產品以及適於製成可撓曲性產品，其在電子產品類的市場方面有一定程度的發展潛能。也因此，將發光二極體應用至顯示技術已成為當前相關領域的重要發展目標。

本發明之一實施方式提供一種畫素結構，其中畫素結構包含薄膜電晶體、第一電極、輔助電極、電激發光結構以及第二電極。電激發光結構設置在第一電極與第二電極之間，並可透過第一電極與第二電極對其施加正偏壓致使發光，其中第一電極電性連接薄膜電晶體。輔助電極電性連接第二電極，其中第一電極與輔助電極可透過圖案化同一金屬層形成，從而降低製程對光罩數量的需求。輔助電極與第二電極可分別或共同連接至其供電端。藉由此配置，可增強第二電極的電流密度分布，從而防止畫素結構因電壓衰退所衍生之亮度不均的現象。

本發明之一實施方式提供一種畫素結構，包含薄膜電晶體、絕緣層、輔助電極、第一電極、畫素定義層、電激發光結構以及第二電極。薄膜電晶體位於基底上。絕緣層位於薄膜電晶體上，且具有接觸洞。輔助電極以及第一電極形成於絕緣層上，其中第一電極藉由接觸洞與薄膜電晶體電性連接。畫素定義層位於輔助電極及第一電極上，且具有第一開口及第二開口。電激發光結構位於第一開口內。第二電極位於畫素定義層上，且藉由第二開口與輔助電極電性連接。

於部分實施方式中，第二電極電性連接於第一電壓源，第一電壓源適於提供第一電壓，輔助電極電性連接於第二電壓源，第二電壓源適於提供第二電壓。

於部分實施方式中，第二電壓小於第一電壓。

於部分實施方式中，輔助電極以及第一電極的材 料包含氧化銦錫、氧化銦鋅、金屬或其合金，且輔助電極以及第一電極具有相同材料。

於部分實施方式中，畫素結構更包含輔助結構。輔助結構位於第二開口內，且位於第二電極及輔助電極之間。

於部分實施方式中，電激發光結構包含發光層，而輔助結構包含電子傳輸層及電子注入層且不具有任何發光層。

於部分實施方式中，輔助結構更包含電洞傳輸層及電洞注入層。

於部分實施方式中，於第一開口內，第一電極與該第二電極之垂直距離為d1，於第二開口內，輔助電極與第二電極之垂直距離為d2，且d1>d2。

於部分實施方式中，輔助電極與第二電極電性連接於共通電壓源。

本發明之一實施方式提供一種畫素結構，包含薄膜電晶體、絕緣層、第一電極、輔助電極、發光層以及第二電極。薄膜電晶體位於基底上，並具有源極。絕緣層位在薄膜電晶體上，並具有接觸洞。第一電極位在絕緣層上，並透過接觸洞電性連接源極。輔助電極位在絕緣層上。發光層設置在第一電極上。第二電極設置在輔助電極以及發光層上，其中第一電極與第二電極相隔第一間距d1，輔助電極與第二電極相隔第二間距d2，且d1>d2。

本發明之一實施方式提供一種發光面板，包含畫素結構以及輔助線，其中輔助線電性連接於輔助電極。

100A、100B、100C、100D‧‧‧發光面板

101‧‧‧基板

102‧‧‧金屬圖案層

103‧‧‧緩衝層

104‧‧‧薄膜電晶體

105‧‧‧第一閘極絕緣層

106‧‧‧第二閘極絕緣層

108‧‧‧層間介電質層

109A‧‧‧第一通孔

109B‧‧‧第二通孔

110A‧‧‧汲極電極

110B‧‧‧源極電極

112‧‧‧絕緣層

114‧‧‧接觸洞

120‧‧‧第一電極

122‧‧‧輔助電極

124‧‧‧畫素定義層

126‧‧‧電激發光結構

128‧‧‧發光層

130‧‧‧第一開口

132‧‧‧第二開口

134‧‧‧第二電極

135‧‧‧輔助線

136‧‧‧第一電子傳輸層

138‧‧‧第一電子注入層

140‧‧‧輔助結構

142‧‧‧第二電子傳輸層

144‧‧‧第二電子注入層

146‧‧‧第三電子傳輸層

148‧‧‧第三電子注入層

150‧‧‧第一電洞注入層

152‧‧‧第一電洞傳輸層

154‧‧‧第二電洞注入層

156‧‧‧第二電洞傳輸層

158‧‧‧第三電洞注入層

160‧‧‧第三電洞傳輸層

202‧‧‧第一電壓源

204‧‧‧第二電壓源

206‧‧‧共通電壓源

1B-1B‧‧‧線段

P‧‧‧畫素結構

G1‧‧‧第一閘極

G2‧‧‧第二閘極

S‧‧‧源極區

D‧‧‧汲極區

SC‧‧‧通道區

S1、S2、S3、S4‧‧‧下表面

d1、d2‧‧‧距離

第1A圖為根據本發明的第一實施方式繪示發光面板的上視示意圖。

第1B圖繪示沿著第1A圖的線段1B-1B的剖面示意圖。

第1C圖繪示第1B圖的畫素結構被驅動時的示意圖。

第2圖為根據本發明的第二實施方式繪示發光面板的剖面示意圖，且其剖面位置與第1B圖相同。

第3圖為根據本發明的第三實施方式繪示發光面板的剖面示意圖，且其剖面位置與第1B圖相同。

第4圖為根據本發明的第四實施方式繪示發光面板的上視示意圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。另外，為了便於讀者觀看，圖式中各元件的尺寸並非依實際比例繪示。

請同時參考第1A圖以及第1B圖，第1A圖為根據本發明的第一實施方式繪示發光面板100A的上視示意圖，而 第1B圖繪示沿著第1A圖的線段1B-1B的剖面示意圖。發光面板100A可藉由發光二極體所發出的色光達到顯示影像的功能。發光面板包含基板101、畫素結構P、第一電壓源202以及第二電壓源204，其中畫素結構P位在基板101上，即基板101可視為畫素結構P的基底。

畫素結構P包含金屬圖案層102、緩衝層103、薄膜電晶體104、第一閘極絕緣層105、第二閘極絕緣層106、層間介電質層108、汲極電極110A、源極電極110B、絕緣層112、第一電極120、輔助電極122、電激發光結構126、畫素定義層124以及第二電極134。

金屬圖案層102、緩衝層103以及薄膜電晶體104位於基板101上，其中緩衝層103覆蓋金屬圖案層102，而薄膜電晶體104位在緩衝層103上。金屬圖案層102可提供遮光效果予薄膜電晶體104。舉例來說，當基板101選用具有透光性材料的時候，像是玻璃基板，金屬圖案層102可遮蔽自基板101往薄膜電晶體104行進的光線，從而防止薄膜電晶體104因光漏電效應產生負面影響。

本實施方式的薄膜電晶體104為雙閘型電晶體，其包含第一閘極G1、第二閘極G2、源極區S、汲極區D以及通道區SC。源極區S、汲極區D以及通道區SC位在緩衝層103上且其可由同一層體形成。源極區S、汲極區D以及通道區SC係可藉由擴散製程調整此同一層體的載子濃度來定義。第一閘極絕緣層105以及第一閘極G1位在通道區SC上。第二閘極絕緣層106覆蓋源極區S、汲極區D、第一閘極絕緣層105以及第一 閘極G1，而第二閘極G2位在第二閘極絕緣層106上。

上述的薄膜電晶體104的結構僅為範例，本實施方式的薄膜電晶體104除了上述結構之外，也可運用其它類型的電晶體，像是雙閘型電晶體之變形、底閘型電晶體或其變形、頂閘型電晶體或其變形或其它合適的電晶體。此外，通道區SC的材料也可為單層或多層結構，且其材料包含非晶矽、單晶矽、微晶矽、多晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料、奈米碳管或其它合適的材料。

層間介電質層108位在緩衝層103以及第二閘極絕緣層106上，並覆蓋薄膜電晶體104，而汲極電極110A與源極電極110B位在層間介電質層108上，其中層間介電質層108可與第二閘極絕緣層106共同具有第一通孔109A與第二通孔109B，以使汲極電極110A與源極電極110B可分別透過第一通孔109A與第二通孔109B電性連接薄膜電晶體104的汲極區D與源極區S。此外，層間介電質層108的材料包含可無機材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述之組合。

絕緣層112位在薄膜電晶體104、層間介電質層108、汲極電極110A以源極電極110B上，並具有接觸洞114，其中絕緣層112的材料可包含無機材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述之組合。

第一電極120以及輔助電極122形成於絕緣層112上，其中第一電極120可藉由接觸洞114與源極電極110B電性連接薄膜電晶體104的源極區S。第一電極120與輔助電極 122可由同一層體形成並具有相同材料，例如其可透過圖案化同一金屬層而形成，且所形成的第一電極120與輔助電極122彼此係互相分離。由於第一電極120與輔助電極122可由同一層體形成，故其可經由同一道光罩製程完成圖案化，從而降低畫素結構P的製程對光罩數量的需求。形成第一電極120與輔助電極122的層體可包含透明導電材料，例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅、或其它合適的材料。然而，本揭露內容不以此為限制，若發光面板100A的出光方向為向上(即出光方向大致與基板101指向絕緣層112的方向平行)，則形成第一電極120與輔助電極122的層體也可包含非透明導電材料，例如是金屬、合金、或其它合適的材料，藉以提升第一電極120與輔助電極122的導電度。

畫素定義層124位於第一電極120與輔助電極122上，並具有第一開口130及第二開口132，其中在俯視畫素結構P的情況下(即例如第1A圖的視角)，第一開口130的尺寸可大於第二開口132的尺寸，或是說，於俯視畫素結構P的情況下，位在第一開口130下方的第一電極120的面積會大於位在第二開口132下方的輔助電極122的面積。畫素定義層124的材料可包含無機材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述之組合。

電激發光結構126位於第一開口130內，並接觸第一電極120，且電激發光結構126可透過被施加正偏壓而致使發光。舉例來說，電激發光結構126可包含發光層128，其中發光層128可包含有機材料，並可藉由電子與電洞的複合機制 來發光。發光層128可透過沉積的方式形成在第一開口130內，且發光層128的沉積位置未位在第二開口132內。然而，本揭露內容不以此為限，發光層128也可透過其他的方式形成，例如像是透過噴墨印刷或蒸鍍的方式來形成。

第二電極134位於畫素定義層124上，並分別藉由第一開口130與第二開口132電性連接電激發光結構126與輔助電極122。具體而言，第二電極134會延伸至第一開口130內以及延伸至第二開口132內。在第一開口130內，第二電極134會直接接觸電激發光結構126，即第二電極134會直接接觸發光層128，而在第二開口132內，第二電極134則會直接接觸輔助電極122。第二電極134的材料可包含透明導電材料或非透明導電材料，其中透明導電材料例如是氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅、或其它合適的材料，而非透明導電材料則例如是金屬、合金、或其它合適的材料。

此外，由於發光層128的沉積位置位在第一開口130內但未位在第二開口132內，故第一開口130內的第二電極134相對第一電極120的高度會異於第二開口132內的第二電極134相對輔助電極122的高度。舉例來說，第一電極120的下表面S1接觸絕緣層112，且第一電極120的下表面S1至第一開口130內的第二電極134的下表面S2之垂直距離(或稱第一電極120的下表面S1與第二電極134的下表面S2之間的間距)為距離d1，而輔助電極122的下表面S3與絕緣層112接觸，且輔助電極122的下表面S3至第二開口132內的第二電極134的下表面S4之垂直距離(或稱輔助電極122的下表面S3與第二電極 134的下表面S4之間的間距)為距離d2，其中距離d1大於距離d2。

藉由上述配置，可降低畫素結構P因電壓衰退(IR drop)所產生的影響，從而防止發光面板100A發生亮度不均的狀況。舉例來說，請看到第1A圖，發光面板100A可更包含輔助線135，其中輔助線135電性連接各輔助電極122。輔助線135與輔助電極122可由同一層體形成，例如其可透過圖案化同一金屬層而形成。

第二電極134可電性連接於第一電壓源202。第一電壓源202適於提供第一電壓予第二電極134，即第一電壓源202可視做為第二電極134的供電端。於部分實施方式中，此供電端的設置位置與多個第一電極120與多個輔助電極122的設置位置係位於基板101(請見第1B圖)的同一側，藉以便於設計發光面板100A的邊框或走線。多個輔助電極122可透過輔助線135互相電性連接於彼此，並共同電性連接於第二電壓源204，其中第二電壓源204適於提供第二電壓予輔助電極122，即第二電壓源204可視作為輔助電極122的供電端。第二電壓可小於第一電壓。

請再同時看到第1A圖以及第1C圖，其中第1C圖繪示第1B圖的畫素結構P的被驅動時的示意圖。第一電極120可透過驅動薄膜電晶體104而被施加驅動電壓，其中驅動電壓係大於第一電壓，即驅動電壓相對第一電壓為正，從而對電激發光結構126施加正偏壓。當電激發光結構126因此正偏壓導致發光的時候，第一電極120與第二電極134相對電激發光結 構126可視為其陽極以及陰極。此外，當透過第一電極120與第二電極134施加正偏壓予電激發光結構126的時候，自第二電極134的供電端流入第二電極134的電子流可如第1C圖的第一電子流E1所示。

另一方面，由於提供予輔助電極122的第二電壓小於提供予第二電極134的第一電壓，故可產生自輔助電極122流向第二電極134的第二電子流E2。對此，由於第一電子流E1以及第二電子流E2皆為流入第二電極134的電子流，故第一電子流E1與第二電子流E2可在第二電極134內匯集成第三電子流E3，藉以增加第二電極134內的電流密度，以降低畫素結構P因受到電壓衰退所產生的影響，從而防止發光面板100A產生亮度不均的問題。

也就是說，經由形成輔助電極122並將第二電極134電性連接至輔助電極122，輔助電極122可透過其供電端匯入電子流至第二電極134，從而增加第二電極134內的電流密度，以降低因電壓衰退所產生的負面影響。

請再看到第2圖，第2圖為根據本發明的第三實施方式繪示發光面板100B的剖面示意圖，且其剖面位置與第1B圖相同。本實施方式與第一實施方式的至少一個差異點在於，本實施方式的發光面板100B的畫素結構P更包含輔助結構140。輔助結構140位於第二開口132內，且位於輔助電極122及第二電極134之間。此外，畫素結構P的電激發光結構126更包含助於提升發光效率的層體。

具體來說，電激發光結構126更包含位於第一開 口130內的第一電子傳輸層136、第一電子注入層138、第一電洞注入層150以及第一電洞傳輸層152，其中電激發光結構126的第一電洞注入層150、第一電洞傳輸層152、發光層128、第一電子傳輸層136以及第一電子注入層138依序堆疊在第一電極120上，且第一電子注入層138接觸第二電極134。

輔助結構140包含位於第二開口132內的第二電子傳輸層142以及第二電子注入層144，其中輔助結構140的第二電子傳輸層142以及第二電子注入層144依序堆疊在輔助電極122上，且第二電子注入層144接觸第二電極134。此外，輔助結構140不具有任何發光層、電洞注入層及電洞傳輸層。畫素結構P更包含第三電子傳輸層146以及第三電子注入層148，且第三電子傳輸層146以及第三電子注入層148依序堆疊在畫素定義層124上，而位在畫素定義層124上方的第二電極134覆蓋在第三電子注入層148上。

第一電子傳輸層136、第二電子傳輸層142以及第三電子傳輸層146可由同一層體形成。例如，第一電子傳輸層136、第二電子傳輸層142以及第三電子傳輸層146可透過同一個沉積製程形成，其中沉積在第一開口130內的部分為第一電子傳輸層136，沉積在第二開口132內的部分為第二電子傳輸層142，而沉積在畫素定義層124表面的部分為第三電子傳輸層146。同樣地，第一電子注入層138、第二電子注入層144以及第三電子注入層148也可由同一層體形成，例如其可透過同一個沉積製程形成。

於此配置下，電激發光結構126可透過第一電子 傳輸層136、第一電子注入層138、第一電洞注入層150以及第一電洞傳輸層152提升發光層128的發光效率。另一方面，輔助電極122與第二電極134係仍可藉由輔助結構140導通，從而降低畫素結構P因電壓衰退所產生的負面影響。

另一方面，本實施方式中，第一電極120的下表面S1至第一開口130內的第二電極134的下表面S2之垂直距離(或稱第一電極120的下表面S1與第二電極134的下表面S2之間的間距)為距離d1，而輔助電極122的下表面S3至第二開口132內的第二電極134的下表面S4之垂直距離(或稱輔助電極122的下表面S3與第二電極134的下表面S4之間的間距)為距離d2，且距離d1仍大於距離d2。

請再看到第3圖，第3圖為根據本發明的第三實施方式繪示發光面板100C的剖面示意圖，且其剖面位置與第1B圖相同。本實施方式與第三實施方式的至少一個差異點在於，本實施方式的輔助結構140包含更多的層體。

具體來說，輔助結構140更包含位於第二開口132內的第二電洞注入層154以及第二電洞傳輸層156，其中輔助結構140的第二電洞注入層154、第二電洞傳輸層156、第二電子傳輸層142以及第二電子注入層144依序堆疊在輔助電極122上，且第二電子注入層144接觸第二電極134。此外，輔助結構140仍不具有任何發光層。畫素結構P更包含第三電洞注入層158以及第三電洞傳輸層160，且第三電洞注入層158、第三電洞傳輸層160、第三電子傳輸層146以及第三電子注入層148依序堆疊在畫素定義層124上，而位在畫素定義層124上方 的第二電極134覆蓋在第三電子注入層148上。於此配置下，輔助電極122與第二電極134係仍可藉由輔助結構140導通，從而降低畫素結構P因電壓衰退所產生的負面影響。

第4圖為根據本發明的第四實施方式繪示發光面板100D的上視示意圖。本實施方式與第一實施方式的至少一個差異點在於，本實施方式的輔助電極122與第二電極134連接於共通電壓源206，從而共同電性連接至共通電壓源206，其中共通電壓源206可適於提供輔助電極122與第二電極134相同的電壓。於此配置下，可透過輔助電極122改善第二電極134的電流密度分布，從而降低畫素結構P因電壓衰退所產生的負面影響。

綜上所述，本發明之至少一實施例的發光面板包含畫素結構，其中畫素結構包含薄膜電晶體、第一電極、輔助電極、電激發光結構以及第二電極。電激發光結構設置在第一電極與第二電極之間，並可透過第一電極與第二電極對其施加正偏壓致使發光，其中第一電極電性連接薄膜電晶體。輔助電極電性連接第二電極，其中第一電極與輔助電極可透過圖案化同一金屬層形成，從而降低製程對光罩數量的需求。輔助電極與第二電極可分別或共同連接至其供電端。藉由此配置，可增強第二電極的電流密度分布，從而改善畫素結構因電壓衰退所衍生之亮度不均的問題。

雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (13)

1. 一種畫素結構，包含：一薄膜電晶體，位於一基底上；一第一絕緣層，位於該薄膜電晶體上，且具有一接觸洞；一輔助電極以及一第一電極，形成於該第一絕緣層上，其中該第一電極藉由該接觸洞與該薄膜電晶體電性連接；一畫素定義層，位於該輔助電極及該第一電極上，且具有一第一開口及一第二開口；一電激發光結構，位於該第一開口內；一第二電極，位於該畫素定義層上，且藉由該第二開口與該輔助電極電性連接；以及一輔助結構，位於該第二開口內，且位於該第二電極及該輔助電極之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二電極電性連接於一第一電壓源，該第一電壓源適於提供一第一電壓，該輔助電極電性連接於一第二電壓源，該第二電壓源適於提供一第二電壓，該第二電極藉由該第一開口與該電激發光結構電性連接。
3. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該第二電壓小於該第一電壓。
4. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該輔助電極以及該第一電極的材料包含氧化銦錫、氧化銦鋅、金屬或其合金，且該輔助電極以及該第一電極具有相同材料。
5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該電激發光結構包含一發光層，而該輔助結構包含一電子傳輸層及一電子注入層且不具有任何發光層。
6. 如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，其中該輔助結構更包含一電洞傳輸層及一電洞注入層。
7. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中於該第一開口內，該第一電極的下表面至該第二電極的下表面之垂直距離為d1，於該第二開口內，該輔助電極的下表面與該第二電極的下表面之垂直距離為d2，且d1>d2。
8. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該輔助電極與該第二電極電性連接於一共通電壓源。
9. 一種畫素結構，包含：一薄膜電晶體，位於一基底上；一第一絕緣層，位於該薄膜電晶體上，且具有一接觸洞；一輔助電極以及一第一電極，形成於該第一絕緣層上，其中該第一電極藉由該接觸洞與該薄膜電晶體電性連接；一畫素定義層，位於該輔助電極及該第一電極上，且具有一第一開口及一第二開口；一電激發光結構，位於該第一開口內；以及一第二電極，位於該畫素定義層上，且藉由該第二開口與該輔助電極電性連接，其中該第二電極電性連接於一第一電壓源，該第一電壓源適於提供一第一電壓，該輔助電極電性連接於一第二電壓源，該第二電壓源適於提供一第二電壓，該第二電極藉由該第一開口與該電激發光結構電性連接。
10. 如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，其中於該第一開口內，該第一電極的下表面至該第二電極的下表面之垂直距離為d1，於該第二開口內，該輔助電極的下表面與該第二電極的下表面之垂直距離為d2，且d1>d2。
11. 一種畫素結構，包含：一薄膜電晶體，位於一基底上；一第一絕緣層，位於該薄膜電晶體上，且具有一接觸洞；一輔助電極以及一第一電極，形成於該第一絕緣層上，其中該第一電極藉由該接觸洞與該薄膜電晶體電性連接；一畫素定義層，位於該輔助電極及該第一電極上，且具有一第一開口及一第二開口；一電激發光結構，位於該第一開口內；以及一第二電極，位於該畫素定義層上，且藉由該第二開口與該輔助電極電性連接，其中該輔助電極與該第二電極電性連接於一共通電壓源。
12. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中於該第一開口內，該第一電極的下表面至該第二電極的下表面之垂直距離為d1，於該第二開口內，該輔助電極的下表面與該第二電極的下表面之垂直距離為d2，且d1>d2。
13. 一種發光面板，包含：多個如請求項1至12中之任一項的畫素結構；以及一輔助線，電性連接於該些輔助電極。