JP2005203743A - 温度制御システムを備えた熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理は、流動ガスによって反応炉の2つの加熱面の間に基板を浮遊させつつ行なわれる。2つの加熱面は、それぞれ複数の加熱ゾーンを有している。各加熱ゾーンの加熱速度は、入れ子にされた2つの制御ループによってカスケード状の温度制御構成で独立に制御され、加熱ゾーンの加熱速度における相違を補償することができ、したがって全加熱ゾーンにわたって均一な温度または所定の温度勾配を確立することができる。加熱ゾーンをより正確に所望の温度へと加熱するため、過渡的加熱の強度は、各基板の導入後に、前の過渡的加熱における加熱挙動を入力として用いて再計算される。過渡的加熱の強度を基板ごとに変えることができるため、熱処理装置の処理能力を変化させることも可能である。
【選択図】図1
Description
Claims (71)
- 複数の熱処理サイクルで1枚ずつ一連の平板状基板を連続して熱処理するための熱処理装置であって、
熱処理のために当該熱処理装置内に前記一連の基板のうちの1つが配置されたとき、該基板と面するように向けられている境界面を有している加熱炉本体、
出力設定によって設定された出力レベルで前記加熱炉本体を加熱するよう構成された制御可能なヒータ、
熱処理において前記基板がさらされる処理温度を測定するよう構成された熱処理温度センサ、および
前記処理温度センサから熱処理温度の読み取り値を受信するとともに、所望の処理温度のための所望の温度の入力を受信し、前記ヒータの前記出力設定を生成して出力するように構成された熱処理温度を制御するための温度レギュレータ
を有しており、
該温度レギュレータが、
トリガーシグナル熱処理サイクルの頻度に応じて1つ以上のトリガーシグナルを発生させるよう構成された第1の計算部、および
前記ヒータの前記出力設定を少なくとも部分的に決定する制御設定点を計算するよう構成された第2の計算部であって、前記トリガーシグナルを受信し、該トリガーシグナルの受信により処理温度の読み取り値に基づいて新しい制御設定点を計算し、該新しい制御設定点を次のトリガーシグナルによって再び計算がトリガーされるまで保持するよう構成されている第2の計算部を有している熱処理装置。 - 前記第1の計算部が物流コントローラを有しており、該物流コントローラは、前記一連の基板のうちの1つが熱処理のため該装置内に装填されたことを示すトリガーシグナルを発生させるように構成されている請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記第1の計算部が、前記熱処理温度センサから処理温度の読み取り値を受信し、各処理サイクルにおいて該処理温度の読み取り値に基づいて1つ以上のトリガーシグナルを発生させるよう構成されている請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記第1の計算部が、所望の処理温度に達したときにトリガーシグナルを発生させるよう構成されている請求項3に記載の熱処理装置。
- 物流コントローラをさらに有し、該物流コントローラが、所望の処理温度の受信およびトリガーシグナルの受信を受けての次の基板の装填に対応するトリガーシグナルを受信する請求項4に記載の熱処理装置。
- 前記第1の計算部が、処理サイクル内で処理温度が最小値に達したときにトリガーシグナルを発生させるよう構成されている請求項3に記載の熱処理装置。
- 前記制御設定点が前記出力設定である請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記加熱炉本体が、複数の加熱ゾーンを有している請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記複数の加熱ゾーンのそれぞれが、独立して制御されるヒータを有している請求項8に記載の熱処理装置。
- 前記熱処理温度センサが、前記加熱炉本体内にあり、前記境界面に近接している請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記加熱炉本体の前記ヒータに近接する部位でヒータ側温度を測定するよう構成されたヒータ側温度センサをさらに有しており、
前記制御設定点が、目標とするヒータ側温度であり、前記処理温度を制御するための温度レギュレータが、
前記第2の計算部の一部を構成する境界面温度レギュレータであって、前記所望の温度の入力および前記熱処理温度センサからの読み取り値を受信し、前記制御設定点を計算して出力するよう構成された境界面温度レギュレータ、および
前記ヒータ側温度センサから温度読み取り値を受信し、さらに前記制御設定点を受信するように構成され、さらに前記ヒータの出力設定を生成して出力することによってヒータ側温度を該制御設定点の値に調整するよう構成されているヒータ側温度レギュレータ
を有している請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記境界面温度レギュレータおよび前記ヒータ側温度レギュレータが、別個のハードウェア部品である請求項11に記載の熱処理装置。
- 前記ヒータ側温度レギュレータが、前記ヒータ側温度を前記制御設定点の値に保つため、毎秒またはそれ以下について約1回、前記ヒータの出力レベルを調整するよう構成されている請求項11に記載の熱処理装置。
- 前記境界面温度レギュレータおよび前記ヒータ側温度レギュレータがそれぞれ、PIDコントローラ、H∞コントローラ、およびモデルベースのコントローラからなるグループから選択される請求項12に記載の熱処理装置。
- 前記境界面温度レギュレータおよび前記ヒータ側温度レギュレータが、1つのハードウェア部品に含まれている請求項12に記載の熱処理装置。
- 前記処理温度センサによって測定された処理温度読み取り値をフィルタ処理し、或る時間枠内において測定された1つ以上の処理温度読み取り値を出力するとともに、該時間枠外の処理温度読み取り値を阻止するように構成された時間枠フィルタをさらに有しており、
前記新しい制御設定点の計算に使用される処理温度読み取り値が、該フィルタ処理された1つ以上の処理温度読み取り値である請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記時間枠フィルタが、基板が熱処理のために熱処理装置内に配置されたほぼその瞬間の処理温度読み取り値を、フィルタ処理を通じて出力するよう構成されている請求項16に記載の熱処理装置。
- 前記フィルタ処理後の処理温度読み取り値が、基板の配置の瞬間の前約0.1〜3秒からの温度読み取り値のみを含んでいる請求項17に記載の熱処理装置。
- 前記温度レギュレータに接続された処理能力コントローラであって、該熱処理装置に所望される基板熱処理能力を示している所望の処理能力の入力を受信し、さらに該熱処理装置の実際の基板熱処理能力を示している入力を受信し、これら入力に基づいて前記第2の計算部へと処理能力制御信号を出力する処理能力コントローラをさらに有しており、
前記第2の計算部が、該処理能力制御信号に少なくとも部分的に基づいて、前記新しい制御設定点を計算するよう構成されている請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記処理能力コントローラがPコントローラである請求項19に記載の熱処理装置。
- 前記処理能力コントローラおよび前記温度レギュレータが、1つのハードウェア部品に含まれている請求項19に記載の熱処理装置。
- 一連の基板を個々に処理するための半導体処理用反応炉であって、
熱処理の際に一連の基板のうちの1つと面するための境界面であって、複数の加熱ゾーンを有している境界面、
各加熱ゾーンの境界面温度を測定するように構成され、該境界面に近接している複数の温度センサ、
前記複数の加熱ゾーンのそれぞれを所望の処理温度に加熱するため、独立に制御される複数のヒータであって、それぞれが自身の出力レベルを決定するための制御設定点を有している複数のヒータ、
前記複数の加熱ゾーンの1つ以上が所望の処理温度に達したときに、前記一連の基板のうちの1つの当該反応炉内への装填をトリガーするよう構成された基板装填信号発生器、および
前記境界面温度を調整するための1つ以上の温度コントローラであって、前記境界面温度の読み取り値を受信し、前記一連の基板のそれぞれの装填頻度に共鳴する再計算頻度で、前記一連の基板のうちの次の1つのために各加熱ゾーンについて次の制御設定点を計算する1つ以上の温度コントローラ
を有する反応炉。 - 前記境界面温度の読み取り値を受信して、或る時間枠の外にある読み取り値をフィルタ処理し、該時間枠内に含まれる1つ以上の温度読み取り値を出力するよう構成された温度読み取りフィルタをさらに有している請求項22に記載の反応炉。
- 前記1つ以上の温度コントローラが、前記一連の基板のそれぞれの装填につき1回の再計算頻度を有している請求項22に記載の反応炉。
- 前記加熱ゾーンのそれぞれが、自身のヒータ、温度センサ、および温度コントローラに関連付けられている請求項22に記載の反応炉。
- 前記加熱ゾーンのそれぞれが、同じ所望の温度読み取り値を有するように構成されている請求項25に記載の反応炉。
- 前記温度読み取りフィルタが、前記フィルタ処理後の1つ以上の温度読み取り値として、前記時間枠内の温度の平均を出力するよう構成されている請求項22に記載の反応炉。
- 前記時間枠が、熱処理のための前記一連の基板のうちの1つの装填および前記一連の基板のうちの次の1つの装填の間の時間に広がっている請求項27に記載の反応炉。
- 前記境界面に対向する第2の加熱面をさらに有し、熱処理の際、基板が該第2の加熱面と前記境界面の間に収容される請求項22に記載の反応炉。
- 前記基板を、前記第2の加熱面と前記境界面の間で該第2の加熱面および該境界面のいずれとも機械的に接触することなく、流動ガスによって浮遊させるように構成されている請求項29に記載の反応炉。
- 前記第2の加熱面および前記境界面が、それぞれ複数の加熱ゾーンを有している請求項30に記載の反応炉。
- 前記第2の加熱面および前記境界面のそれぞれにおいて、前記加熱ゾーンの空間的配置および個数が同じである請求項31に記載の反応炉。
- 前記1つ以上の温度コントローラに接続された処理能力コントローラをさらに有し、
該処理能力コントローラが、所望の処理能力および反応炉の実際の処理能力に基づいて次の制御設定点の計算を調節すべく、前記1つ以上の温度コントローラへと入力を供給するように構成されている請求項22に記載の反応炉。 - 複数の基板を1枚ずつ処理するように構成されている半導体処理用の装置であって、
基板処理位置を画定する表面を有している加熱体、
該加熱体を加熱するための制御可能ヒータであって、該加熱体の近傍に位置するとともにヒータ温度を制御する制御設定点を有しているヒータ、
前記基板処理位置の温度が所望の温度に達したときに、一連の基板のうちの1つを装填すべくトリガーするように構成されている熱処理温度センサ、
装置の随時の実際の処理能力を割り出すよう構成されたタイマー、および
処理温度を制御するための温度レギュレータであって、所望される処理能力を示している処理能力の入力を受信し、一連の基板のうちの1つを装填すべくトリガーされたのちに、前記処理能力の入力および随時の実際の処理能力に少なくとも部分的に基づいて、前記ヒータへの新しい制御設定点を計算して出力するよう構成されている温度レギュレータ
を有する装置。 - 前記温度レギュレータが、一連の基板のうちの1つを装填すべくトリガーされた直後に、新しい制御設定点を計算するよう構成され、
該新しい制御設定点が、随時の実際の処理能力に少なくとも部分的に基づいて計算される請求項34に記載の装置。 - 前記制御設定点が、前記加熱体の前記ヒータの近傍の部位について所望される温度であり、
当該装置が、前記ヒータに近接し前記加熱体の該ヒータの近傍の部位の温度を測定するよう構成された第2の温度センサをさらに有しており、
前記温度レギュレータが、前記ヒータおよび前記第2の温度センサに接続されたヒータ側温度レギュレータを有しており、該ヒータ側温度レギュレータが、前記加熱体の該ヒータの近傍の部位の温度をほぼ前記制御設定点の値に保つべく、ヒータ温度を継続的に調節するよう構成されている
請求項34に記載の装置。 - 前記ヒータ側温度レギュレータが、ほぼ1秒毎またはそれ以下に1回、ヒータ温度を調節する請求項36に記載の装置。
- 前記温度レギュレータが、前記熱処理温度センサから温度の読み取り値を受信し、前記基板処理位置における温度を所望の温度に保つため、ほぼ前記一連の基板のうちの1つの装填のとき、またはその直前の温度読み取り値に基づいて、新しい制御設定点を計算して出力するように構成されている請求項34に記載の反応炉。
- 前記熱処理温度センサが前記加熱体内に位置し、前記表面からの離間が約5mmよりも小さい請求項34に記載の反応炉。
- 前記熱処理温度センサが、前記境界面からの離間が約2mmよりも小さくなるように位置している請求項39に記載の反応炉。
- 一連の半導体基板を個々に処理するための方法であって、
或る処理温度を有する処理室を備えた反応炉であって、自身の出力レベルを決定するための制御設定点を有し、該処理室を所望の処理温度に加熱するためのヒータを備えた反応炉を準備すること、
一連の基板のそれぞれを順番に前記処理室内に装填し、次いで前記一連の基板のそれぞれを処理室から取り出し、処理室への基板の装填によって処理温度が低下し、前記制御設定点に設定された前記ヒータが、基板の装填によって処理温度が低下したのちの処理室を所望の処理温度まで再加熱し、装填は、処理室が所望の処理温度にあるほぼそのときに実行され、取り出しは、基板が再び所望の処理温度に達する前に実行されること、
或る計算条件について処理室を監視し、該計算条件を満足したとき、1つ以上の処理温度読み取り値に基づく新しい制御設定点の計算がトリガーされること、および
基板の装填または取り出しの頻度と共鳴する頻度で、前記新しい制御設定点を計算し、該制御設定点を再び前記計算条件が満足されるまで保持すること
を含んでいる方法。 - 前記制御設定点の計算が、前記計算条件が満足されたときの前またはほぼその間の1つ以上の処理温度読み取り値に基づいて計算される請求項41に記載の方法。
- 前記計算が、連続する基板の装填の間に少なくとも1回行なわれる請求項41に記載の方法。
- 基板の装填または取り出しによって、前記計算条件が満足されたことになる請求項41に記載の方法。
- 連続する基板の装填の間において前記処理室の処理温度が最小温度または最大温度にあるとき、前記計算条件が満足されたことになる請求項41に記載の方法。
- 前記計算条件が、前記処理室を通過するガスの流れが変化したときに満足されたことになる請求項41に記載の方法。
- 前記ヒータが加熱体を加熱し、これによって前記処理室を所望の処理温度に加熱するよう構成されている請求項41に記載の方法。
- 前記加熱体が複数の加熱ゾーンを有し、各加熱ゾーンが別個のヒータによって別個の所望の温度に加熱される請求項47に記載の方法。
- 前記制御設定点が、前記加熱体の前記ヒータの近傍の部位に所望される温度である請求項47に記載の方法。
- 前記ヒータが第1の温度コントローラに接続されており、該第1の温度コントローラは、前記加熱体の該ヒータの近傍の部位の温度を分析し、該加熱体の該ヒータの近傍の部位の温度を所望の温度に保つべく該ヒータの出力レベルを調整するよう構成された請求項49に記載の方法。
- 前記ヒータの出力レベルが、約1秒に1回調整される請求項50に記載の方法。
- 前記制御設定点が、前記出力レベルの設定である請求項41に記載の方法。
- 新しい制御設定点の計算が、すべての処理温度読み取り値を、2番目の基板による処理温度の低下が生じる直前の期間に到着する処理温度読み取り値にフィルタ処理する請求項41に記載の方法。
- 前記期間に、約1個〜約10個の温度測定値が含まれている請求項53に記載の方法。
- 一連の半導体基板を1つずつ熱処理するための方法であって、
一連の基板のそれぞれを熱処理するため熱処理位置を備える反応炉であって、所望の基板熱処理能力を示している処理能力入力、および所望の処理温度を示している処理温度入力を有しており、さらに前記熱処理位置に前記所望の処理温度を確立するための制御設定点を有するヒータを備えている反応炉を準備すること、
順番に、一連の基板のそれぞれを前記熱処理位置に配置し、該一連の基板のそれぞれを前記熱処理位置から取り出し、或る基板の装填から次の基板の装填までの時間が基板サイクルを構成していること、
時間の関数として前記処理温度を監視すること、および
各基板サイクルにおいてただ1つだけ新しい制御設定点を計算して適用し、該新しい設定点が、該一連の基板における前記所望の処理温度、測定した処理温度、および所望の熱処理能力に少なくとも部分的に基づいて決定されること
を含んでいる方法。 - 前記熱処理位置がほぼ前記所望の処理温度にあるときに、各基板の配置が連続的に実行され、各基板の配置が、該熱処理位置の温度を低下させ、取り出しが、該熱処理位置が前記所望の温度を回復するよりも前に行なわれる請求項55に記載の方法。
- 前記基板サイクルの所要時間が、反応炉の実際の熱処理能力を規定している請求項55に記載の方法。
- 前記新しい制御設定点が、前記実際の熱処理能力に少なくとも部分的に基づいて決定される請求項57に記載の方法。
- 前記測定が、基板サイクルについて少なくとも1回、各基板サイクルにおける連続する配置のそれぞれに対しほぼ同じ時間で実行される請求項55に記載の方法。
- 新しい制御設定点の計算をトリガーするため、一連の基板のそれぞれの前記熱処理位置への配置を検出することをさらに含んでいる請求項55に記載の方法。
- 前記検出が、いつ基板が前記熱処理位置に位置したのかを反応炉物流コントローラに基づいて割り出すことを含んでいる請求項60に記載の方法。
- 前記検出が、基板の存在に関して前記熱処理位置を能動的に監視することを含んでいる請求項60に記載の方法。
- 前記熱処理位置の監視が、基板を該熱処理位置に配置することによって生じる加熱炉本体温度の低下を検出することを含んでいる請求項62に記載の方法。
- 前記基板のそれぞれを、連続する配置の後に該基板に機械的に触れることなく前記熱処理位置に浮遊させることを含んでいる請求項55に記載の方法。
- 前記反応炉が、間を基板が浮遊する上部加熱炉本体および下部加熱炉本体を有しており、前記基板の浮遊が、前記上部加熱炉本体および前記下部加熱炉本体から基板へとガスを流すことを含んでいる請求項64に記載の方法。
- 前記一連の基板のそれぞれを連続的に熱処理位置に配置することが、各基板を前記加熱体から約2mmよりも近く配置することを含んでいる請求項55に記載の方法。
- 前記一連の基板のそれぞれを連続的に熱処理位置に配置することが、各基板を前記加熱体から約1mmよりも近く配置することを含んでいる請求項66に記載の方法。
- 前記複数の基板のうちの最後の基板が取り去られたのち、前記制御設定点を低下させることをさらに含んでいる請求項55に記載の方法。
- 前記加熱要素設定点が、所望の熱処理能力が大きくされたことに応答して増加させられる請求項55に記載の方法。
- 前記複数の基板のうちの最初の基板を配置する前にプロファイリング処置を実行することをさらに含んでおり、該プロファイリング処置が、前記加熱体が定常状態において前記所望の温度に維持されるようにする初期制御設定点を決定すること、および該初期制御設定点をメモリに記憶することを含んでいる請求項55に記載の方法。
- 前記計算が、前記一連の基板のそれぞれの前記加熱位置への配置をトリガーとする請求項55に記載の方法。
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