JP3453069B2 - 基板温調装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板温調装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体ウエハ（以下ウエハと
いう）や液晶ディスプレイのガラス基板（ＬＣＤ基板）
の表面に所望のパターンを形成するためのマスクは、疎
水化したウエハ等の基板表面にレジストを塗布した後、
光、電子線あるいはイオン線などをレジスト面に照射し
て露光し、現像することによって得られる。
いう）や液晶ディスプレイのガラス基板（ＬＣＤ基板）
の表面に所望のパターンを形成するためのマスクは、疎
水化したウエハ等の基板表面にレジストを塗布した後、
光、電子線あるいはイオン線などをレジスト面に照射し
て露光し、現像することによって得られる。
【０００３】ウエハの疎水化処理は、ウエハを例えば８
０℃に加熱して行われるため、レジストを塗布する前に
冷却装置によりウエハは冷却されることが必要である。
また露光に続いてベーキング処理が行われ、その際ウエ
ハは１２０℃に加熱されるため、現像を行う前にもウエ
ハは冷却装置により例えば２３℃まで冷却されることが
必要である。
０℃に加熱して行われるため、レジストを塗布する前に
冷却装置によりウエハは冷却されることが必要である。
また露光に続いてベーキング処理が行われ、その際ウエ
ハは１２０℃に加熱されるため、現像を行う前にもウエ
ハは冷却装置により例えば２３℃まで冷却されることが
必要である。
【０００４】図８は、従来の冷却装置の概略図である。
この冷却装置は、ウエハＷが載置される載置台１１、載
置台１１を２３℃に保つための冷却部１２、３本の昇降
自在な保持ピン１３及びそのピンの昇降機構１４からな
り、保持ピン１３により載置台１１上にウエハＷを僅か
に浮かせた状態で保持して冷却するようになっている。
この冷却装置は、ウエハＷが載置される載置台１１、載
置台１１を２３℃に保つための冷却部１２、３本の昇降
自在な保持ピン１３及びそのピンの昇降機構１４からな
り、保持ピン１３により載置台１１上にウエハＷを僅か
に浮かせた状態で保持して冷却するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の冷却装置では、ウエハＷを、載置台１１の冷却面
（上面）に対向する側の面、即ちウエハ裏面から冷却
し、ウエハＷの表面側は開放系になっているため、冷却
効率が悪く、１２０℃から２３℃まで冷却するのに長時
間を要し、スループットが低いという欠点がある。
来の冷却装置では、ウエハＷを、載置台１１の冷却面
（上面）に対向する側の面、即ちウエハ裏面から冷却
し、ウエハＷの表面側は開放系になっているため、冷却
効率が悪く、１２０℃から２３℃まで冷却するのに長時
間を要し、スループットが低いという欠点がある。
【０００６】そこで冷却装置を２個以上用意し、それら
をいわば並列に用い、各冷却装置に対するウエハＷの搬
入及び搬出タイミングをずらすことにより、冷却装置群
全体に対するウエハＷの搬入出タイミングを速めてスル
ープットの向上を図ることが考えられる。しかし冷却装
置の数が増えてしまうため、コスト増を招くだけでな
く、設置スペースも大きくなってしまうという問題があ
る。
をいわば並列に用い、各冷却装置に対するウエハＷの搬
入及び搬出タイミングをずらすことにより、冷却装置群
全体に対するウエハＷの搬入出タイミングを速めてスル
ープットの向上を図ることが考えられる。しかし冷却装
置の数が増えてしまうため、コスト増を招くだけでな
く、設置スペースも大きくなってしまうという問題があ
る。
【０００７】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、温調効率を高め、より短い時間
で基板を温調することができる基板温調装置を提供する
ことにある。
のであり、その目的は、温調効率を高め、より短い時間
で基板を温調することができる基板温調装置を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る温調装置
は、装置内に設けられ、基板を載置して所定の温度に温
調するための載置台と、装置内に基板を搬入するための
搬入口と、この搬入口の近傍に、搬入される基板に予備
温調するためのガスを吹き出すための吹き出し口と、を
備えたことを特徴とする。この装置は、例えば前記ガス
を排出する吸い込み口を備えている。
は、装置内に設けられ、基板を載置して所定の温度に温
調するための載置台と、装置内に基板を搬入するための
搬入口と、この搬入口の近傍に、搬入される基板に予備
温調するためのガスを吹き出すための吹き出し口と、を
備えたことを特徴とする。この装置は、例えば前記ガス
を排出する吸い込み口を備えている。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る温調装置を
冷却装置に適用した実施の形態の一例を示す概略図であ
る。この冷却装置は、ウエハＷが載置される載置台２
１、載置台２１を所定温度、特に限定しないが例えば２
３℃に保つための冷却部３、載置台２１上にウエハＷを
僅かに浮かせた状態で保持するために載置台２１に組み
込まれてなる保持部材を構成する例えば３本の昇降自在
な保持ピン２２、そのピンを昇降するための第１の移動
手段である昇降機構２３、ウエハＷを載置台２１の反対
側、即ちウエハ表面側から冷却する補助温調板である補
助冷却板４、及びその補助冷却板４を昇降させてウエハ
Ｗに近づけたり離したりするためのモータ等からなる第
２の移動手段である昇降手段５を備えている。
冷却装置に適用した実施の形態の一例を示す概略図であ
る。この冷却装置は、ウエハＷが載置される載置台２
１、載置台２１を所定温度、特に限定しないが例えば２
３℃に保つための冷却部３、載置台２１上にウエハＷを
僅かに浮かせた状態で保持するために載置台２１に組み
込まれてなる保持部材を構成する例えば３本の昇降自在
な保持ピン２２、そのピンを昇降するための第１の移動
手段である昇降機構２３、ウエハＷを載置台２１の反対
側、即ちウエハ表面側から冷却する補助温調板である補
助冷却板４、及びその補助冷却板４を昇降させてウエハ
Ｗに近づけたり離したりするためのモータ等からなる第
２の移動手段である昇降手段５を備えている。
【００１０】ウエハＷは、保持ピン２２により主温調板
即ち載置台２１の冷却面から例えば０．０５乃至０．１
ｍｍ離れ、かつ補助冷却板４の冷却面から例えば０．１
乃至０．５ｍｍ離れた状態で冷却され、例えば２３℃±
０．３℃に温度調節される。載置台２１及び冷却部３は
主温調板を構成している。冷却部３内には、冷却パイプ
３１が設けられており、その冷却パイプ３１内には例え
ば２３℃よりも低温の冷却水または冷却ガスが流されて
いる。また冷却部３内には、例えばペルチェ素子や抵抗
発熱線よりなる加熱手段３２が設けられており、冷却水
による冷却とペルチェ素子等による加熱とによって、載
置台２１の冷却面（上面）を例えば２３℃に保持するよ
うになっている。なおその温度制御機構は、例えば図示
しない温度センサーにより載置台２１の温度を検出し、
その検出値に基づいてペルチェ素子等の発熱をオン／オ
フさせるようになっている。
即ち載置台２１の冷却面から例えば０．０５乃至０．１
ｍｍ離れ、かつ補助冷却板４の冷却面から例えば０．１
乃至０．５ｍｍ離れた状態で冷却され、例えば２３℃±
０．３℃に温度調節される。載置台２１及び冷却部３は
主温調板を構成している。冷却部３内には、冷却パイプ
３１が設けられており、その冷却パイプ３１内には例え
ば２３℃よりも低温の冷却水または冷却ガスが流されて
いる。また冷却部３内には、例えばペルチェ素子や抵抗
発熱線よりなる加熱手段３２が設けられており、冷却水
による冷却とペルチェ素子等による加熱とによって、載
置台２１の冷却面（上面）を例えば２３℃に保持するよ
うになっている。なおその温度制御機構は、例えば図示
しない温度センサーにより載置台２１の温度を検出し、
その検出値に基づいてペルチェ素子等の発熱をオン／オ
フさせるようになっている。
【００１１】補助冷却板４内には、冷却パイプ４１が設
けられており、その冷却パイプ４１内には例えば２３℃
よりも低温の冷却水または冷却ガスが流されている。そ
れによって補助冷却板４の、ウエハＷと対向する冷却面
は、例えば２３℃よりも低温に保持されている。なお冷
却水や冷却ガス等の冷媒は、冷却パイプ３１，４１に連
通接続された冷媒流路３０内を流れ、循環している。
けられており、その冷却パイプ４１内には例えば２３℃
よりも低温の冷却水または冷却ガスが流されている。そ
れによって補助冷却板４の、ウエハＷと対向する冷却面
は、例えば２３℃よりも低温に保持されている。なお冷
却水や冷却ガス等の冷媒は、冷却パイプ３１，４１に連
通接続された冷媒流路３０内を流れ、循環している。
【００１２】補助冷却板４は、特に限定しないが、例え
ば熱伝導性に優れたアルミニウムや銅でできている。そ
して補助冷却板４の冷却面は、例えば黒色になってい
る。また補助冷却板４の冷却面は、凹凸状に形成されて
いてもよい。このように冷却面が黒色であったり、凹凸
状になっていると、熱吸収性がよくなるので、冷却効率
が向上する。
ば熱伝導性に優れたアルミニウムや銅でできている。そ
して補助冷却板４の冷却面は、例えば黒色になってい
る。また補助冷却板４の冷却面は、凹凸状に形成されて
いてもよい。このように冷却面が黒色であったり、凹凸
状になっていると、熱吸収性がよくなるので、冷却効率
が向上する。
【００１３】次に上述の実施の形態の作用について図２
及び図３を参照しながら説明する。疎水化処理または露
光後のベーク処理が終わったウエハＷは、搬送アーム６
により冷却装置内へ搬入され、載置台２１上に保持ピン
２２と搬送アーム６との協動作用により載置される（図
２（ａ）参照）。その際補助冷却板４は、ウエハＷの搬
入を妨げない位置に上昇している。また載置台２１は例
えば２３℃に保持されており、一方補助冷却板４はそれ
よりも低い温度に保持されている。
及び図３を参照しながら説明する。疎水化処理または露
光後のベーク処理が終わったウエハＷは、搬送アーム６
により冷却装置内へ搬入され、載置台２１上に保持ピン
２２と搬送アーム６との協動作用により載置される（図
２（ａ）参照）。その際補助冷却板４は、ウエハＷの搬
入を妨げない位置に上昇している。また載置台２１は例
えば２３℃に保持されており、一方補助冷却板４はそれ
よりも低い温度に保持されている。
【００１４】ウエハＷが載置されると補助冷却板４が降
下し（図２（ｂ）参照）、例えばベーク処理後であれ
ば、１２０℃に保持されたウエハＷの温度が降下し始め
る（図３の時刻ｔ１）。そしてウエハＷの温度が、目標
とする温度（例えば２３℃）よりも少し高い温度、特に
限定しないが例えば３０℃になると（図３の時刻ｔ
２）、補助冷却板４が上昇する（図２（ｃ）参照）。
下し（図２（ｂ）参照）、例えばベーク処理後であれ
ば、１２０℃に保持されたウエハＷの温度が降下し始め
る（図３の時刻ｔ１）。そしてウエハＷの温度が、目標
とする温度（例えば２３℃）よりも少し高い温度、特に
限定しないが例えば３０℃になると（図３の時刻ｔ
２）、補助冷却板４が上昇する（図２（ｃ）参照）。
【００１５】ここで補助冷却板４の上昇タイミングは、
実際にウエハＷの温度を例えば保持ピン２２の先端部に
設けた温度センサーで検出したり、放射温度計によりウ
エハＷの温度を測定するなどし、その検出温度または測
定温度が例えば３０℃になった時点としてもよい。また
は冷却装置の温度環境は常に略一定であることから、周
囲の温度や加熱されたウエハＷの温度等を変化させない
限り、冷却時の温度プロファイルも常に略一定となるた
め、ウエハＷの冷却が開始された時点（図３の時刻ｔ
１）からの経過時間をタイマー等により計時し、時刻ｔ
１から時刻ｔ２に至るのに要する時間、即ち（ｔ２−ｔ
１）の時間に相当する時間が経過した時点で、補助冷却
板４を上昇させるようにしてもよい。その場合には、実
験等により予め（ｔ２−ｔ１）の時間を求めておく。
実際にウエハＷの温度を例えば保持ピン２２の先端部に
設けた温度センサーで検出したり、放射温度計によりウ
エハＷの温度を測定するなどし、その検出温度または測
定温度が例えば３０℃になった時点としてもよい。また
は冷却装置の温度環境は常に略一定であることから、周
囲の温度や加熱されたウエハＷの温度等を変化させない
限り、冷却時の温度プロファイルも常に略一定となるた
め、ウエハＷの冷却が開始された時点（図３の時刻ｔ
１）からの経過時間をタイマー等により計時し、時刻ｔ
１から時刻ｔ２に至るのに要する時間、即ち（ｔ２−ｔ
１）の時間に相当する時間が経過した時点で、補助冷却
板４を上昇させるようにしてもよい。その場合には、実
験等により予め（ｔ２−ｔ１）の時間を求めておく。
【００１６】補助冷却板４が離れた後、ウエハＷは主冷
却板である載置台２１によってのみ冷却され、緩やかに
目標温度である例えば２３℃に到達する（図３の時刻ｔ
３）。そして搬送アーム６により冷却装置の外に搬出さ
れる。
却板である載置台２１によってのみ冷却され、緩やかに
目標温度である例えば２３℃に到達する（図３の時刻ｔ
３）。そして搬送アーム６により冷却装置の外に搬出さ
れる。
【００１７】このように目標温度よりも少し高い温度で
補助冷却板４が離れることによって、ウエハＷを精度よ
く目標温度まで冷却することができる。つまり補助冷却
板４の冷却面は目標温度（２３℃）よりも低温であるた
め、補助冷却板４を接近させたままでウエハＷを目標温
度（２３℃）まで冷却してから補助冷却板４を離すと、
ウエハＷの温度は目標温度の許容誤差範囲（２３℃±
０．３℃）内に収まらなくなってしまう。
補助冷却板４が離れることによって、ウエハＷを精度よ
く目標温度まで冷却することができる。つまり補助冷却
板４の冷却面は目標温度（２３℃）よりも低温であるた
め、補助冷却板４を接近させたままでウエハＷを目標温
度（２３℃）まで冷却してから補助冷却板４を離すと、
ウエハＷの温度は目標温度の許容誤差範囲（２３℃±
０．３℃）内に収まらなくなってしまう。
【００１８】上述実施の形態によれば、疎水化処理また
は露光後のベーク処理において加熱されたウエハＷは、
主温調板である載置台２１及び補助冷却板４により挟ま
れて冷却されるため、従来の載置台によってのみ冷却さ
れる装置に比べて、冷却効率がよく、より短い時間でウ
エハＷを所定温度まで冷却することができる。また目標
温度よりも少し高い温度で補助冷却板４が離れ、その後
ウエハＷは載置台２１によってのみ冷却されるため、ウ
エハＷを精度よく目標温度まで冷却することができる。
は露光後のベーク処理において加熱されたウエハＷは、
主温調板である載置台２１及び補助冷却板４により挟ま
れて冷却されるため、従来の載置台によってのみ冷却さ
れる装置に比べて、冷却効率がよく、より短い時間でウ
エハＷを所定温度まで冷却することができる。また目標
温度よりも少し高い温度で補助冷却板４が離れ、その後
ウエハＷは載置台２１によってのみ冷却されるため、ウ
エハＷを精度よく目標温度まで冷却することができる。
【００１９】なお特に図示しないが、保持ピン２２を設
けずに、載置台２１上にウエハＷを直接載置してもよ
く、その場合も上述実施の形態と同様の効果が得られ
る。
けずに、載置台２１上にウエハＷを直接載置してもよ
く、その場合も上述実施の形態と同様の効果が得られ
る。
【００２０】また補助冷却板４の冷却面の温度は、主冷
却板（載置台２１）の冷却面の温度よりも高くなるよう
にされていてもよい。また補助冷却板を設ける代わり
に、図４に示すように、冷却装置の搬入出口７１の付近
に冷却ガスの吹き出し口７２と吸い込み口７３を設け、
図示しない搬送アームにより搬入出口７１からウエハＷ
を搬入して目標温度に冷却された載置台７４上に載置す
る際に、ウエハＷにＮ2等の冷却ガスを吹き付けてウエ
ハＷを予備冷却するようにしてもよい。
却板（載置台２１）の冷却面の温度よりも高くなるよう
にされていてもよい。また補助冷却板を設ける代わり
に、図４に示すように、冷却装置の搬入出口７１の付近
に冷却ガスの吹き出し口７２と吸い込み口７３を設け、
図示しない搬送アームにより搬入出口７１からウエハＷ
を搬入して目標温度に冷却された載置台７４上に載置す
る際に、ウエハＷにＮ2等の冷却ガスを吹き付けてウエ
ハＷを予備冷却するようにしてもよい。
【００２１】次に本発明に係る冷却装置を組み込んだ塗
布・現像装置の一例の概略について図５及び図６を参照
しながら説明する。図５中、８１はウエハカセットを搬
入出するためのカセット搬入出ステージであり、例えば
２５枚収納されたカセットＣが例えば自動搬送ロボット
により載置される。搬入出ステージ８１の奥側には、例
えば搬入出ステージ８１から奥を見て例えば左側には塗
布・現像系のユニットが、右側には加熱・冷却・疎水化
処理系のユニットが夫々配置されている。
布・現像装置の一例の概略について図５及び図６を参照
しながら説明する。図５中、８１はウエハカセットを搬
入出するためのカセット搬入出ステージであり、例えば
２５枚収納されたカセットＣが例えば自動搬送ロボット
により載置される。搬入出ステージ８１の奥側には、例
えば搬入出ステージ８１から奥を見て例えば左側には塗
布・現像系のユニットが、右側には加熱・冷却・疎水化
処理系のユニットが夫々配置されている。
【００２２】塗布・現像系のユニットにおいては、例え
ば上段に２個の現像ユニット８２が、下段に２個の塗布
ユニット８３が設けられている。加熱・冷却・疎水化処
理系のユニットにおいては、図６に示すように加熱ユニ
ット８４、冷却ユニット８５及び疎水化処理ユニット８
６などが上下にある。
ば上段に２個の現像ユニット８２が、下段に２個の塗布
ユニット８３が設けられている。加熱・冷却・疎水化処
理系のユニットにおいては、図６に示すように加熱ユニ
ット８４、冷却ユニット８５及び疎水化処理ユニット８
６などが上下にある。
【００２３】また塗布・現像系ユニットと加熱・冷却・
疎水化処理系ユニットとの間には、ウエハ搬送アーム８
７が設けられている。このウエハ搬送アーム８７は、例
えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわり
に回転自在に構成され、塗布・現像系ユニット、加熱・
冷却・疎水化処理系ユニット、搬入出ステージ８１及び
後述のインターフェイスユニット８８の間でウエハＷの
受け渡しを行う。
疎水化処理系ユニットとの間には、ウエハ搬送アーム８
７が設けられている。このウエハ搬送アーム８７は、例
えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわり
に回転自在に構成され、塗布・現像系ユニット、加熱・
冷却・疎水化処理系ユニット、搬入出ステージ８１及び
後述のインターフェイスユニット８８の間でウエハＷの
受け渡しを行う。
【００２４】インターフェイスユニット８８は、塗布・
現像系ユニットや加熱・冷却・疎水化処理系ユニットを
含む上述の部分をクリーントラックと呼ぶことにする
と、このクリーントラックと露光装置８９との間に介在
し、図示しない搬送系により両装置の間でウエハの受け
渡しを行う。
現像系ユニットや加熱・冷却・疎水化処理系ユニットを
含む上述の部分をクリーントラックと呼ぶことにする
と、このクリーントラックと露光装置８９との間に介在
し、図示しない搬送系により両装置の間でウエハの受け
渡しを行う。
【００２５】この装置のウエハの流れについて図７を参
照しながら説明すると、先ず外部からウエハＷが収納さ
れたウエハカセットＣが前記搬入出ステージ８１に搬入
され、ウエハ搬送アーム８７によりカセットＣ内からウ
エハＷが取り出され、疎水化処理ユニット８６にて例え
ば８０℃で疎水化処理が行われる（ステップＳ１）。そ
の後、ウエハＷは搬送アーム８７により冷却ユニット８
５に移され、そこで例えば２３℃まで冷却される（ステ
ップＳ２）。その際、図３に示す温度プロファイルと同
様なプロファイルに従ってウエハＷを冷却するようにし
てもよい。冷却されたウエハＷは搬送アーム８７により
塗布ユニット８３に移され、そこでレジスト液が塗布さ
れ、レジスト膜が形成される（ステップＳ３）。
照しながら説明すると、先ず外部からウエハＷが収納さ
れたウエハカセットＣが前記搬入出ステージ８１に搬入
され、ウエハ搬送アーム８７によりカセットＣ内からウ
エハＷが取り出され、疎水化処理ユニット８６にて例え
ば８０℃で疎水化処理が行われる（ステップＳ１）。そ
の後、ウエハＷは搬送アーム８７により冷却ユニット８
５に移され、そこで例えば２３℃まで冷却される（ステ
ップＳ２）。その際、図３に示す温度プロファイルと同
様なプロファイルに従ってウエハＷを冷却するようにし
てもよい。冷却されたウエハＷは搬送アーム８７により
塗布ユニット８３に移され、そこでレジスト液が塗布さ
れ、レジスト膜が形成される（ステップＳ３）。
【００２６】レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユ
ニット８４で加熱された後、インターフェイスユニット
８８を介して露光装置８９に送られ、そこでパターンに
対応するマスクを介して露光が行われる（ステップＳ
４）。
ニット８４で加熱された後、インターフェイスユニット
８８を介して露光装置８９に送られ、そこでパターンに
対応するマスクを介して露光が行われる（ステップＳ
４）。
【００２７】その後ウエハＷはインターフェイスユニッ
ト８８を介して加熱ユニット８４に戻され、そこで例え
ば１２０℃に加熱されてベーク処理される（ステップＳ
５）。その後、ウエハＷは搬送アーム８７により冷却ユ
ニット８５に移され、そこで例えば２３℃まで冷却され
る（ステップＳ６）。その際、図３に示す温度プロファ
イルに沿ってウエハＷを冷却するようにしてもよい。続
いてウエハＷは搬送アーム８７により現像ユニット８２
に送られて現像処理され、レジストマスクが形成される
（ステップＳ７）。しかる後ウエハＷは搬入出ステージ
８１上のカセットＣ内に戻される。
ト８８を介して加熱ユニット８４に戻され、そこで例え
ば１２０℃に加熱されてベーク処理される（ステップＳ
５）。その後、ウエハＷは搬送アーム８７により冷却ユ
ニット８５に移され、そこで例えば２３℃まで冷却され
る（ステップＳ６）。その際、図３に示す温度プロファ
イルに沿ってウエハＷを冷却するようにしてもよい。続
いてウエハＷは搬送アーム８７により現像ユニット８２
に送られて現像処理され、レジストマスクが形成される
（ステップＳ７）。しかる後ウエハＷは搬入出ステージ
８１上のカセットＣ内に戻される。
【００２８】以上の説明では、本発明を冷却装置に適用
した例について説明したが、本発明は、例えば上述の加
熱装置（例えば加熱ユニット８４）として構成してもよ
い。この場合既述の載置台２１に相当する部分は、主温
調板をなす主加熱板として構成され、また補助冷却板４
に相当する部分は、補助温調板をなす補助加熱板として
構成される。そして補助加熱板は、例えば主加熱板の温
度よりも高い温度に設定され、基板の温度がある設定温
度になったときに補助加熱板を基板から離すといったシ
−ケンスを組むことができ、基板を速やかに加熱するこ
とができるという効果がある。なお被処理基板としては
ウエハに限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基板であ
ってもよい。
した例について説明したが、本発明は、例えば上述の加
熱装置（例えば加熱ユニット８４）として構成してもよ
い。この場合既述の載置台２１に相当する部分は、主温
調板をなす主加熱板として構成され、また補助冷却板４
に相当する部分は、補助温調板をなす補助加熱板として
構成される。そして補助加熱板は、例えば主加熱板の温
度よりも高い温度に設定され、基板の温度がある設定温
度になったときに補助加熱板を基板から離すといったシ
−ケンスを組むことができ、基板を速やかに加熱するこ
とができるという効果がある。なお被処理基板としては
ウエハに限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基板であ
ってもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、温調効率
が高まり、より短い時間で基板を加熱あるいは冷却する
ことができる。
が高まり、より短い時間で基板を加熱あるいは冷却する
ことができる。
【図１】本発明に係る基板温調装置を冷却装置に適用し
た実施の形態を示す概略図である。
た実施の形態を示す概略図である。
【図２】その冷却装置の作用を説明するための模式図で
ある。
ある。
【図３】その冷却装置による冷却時の温度プロファイル
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】本発明に係る冷却装置（基板温調装置）の他の
例を示す概略図である。
例を示す概略図である。
【図５】本発明に係る冷却装置（基板温調装置）が適用
されてなる塗布・現像装置を示す概略斜視図である。
されてなる塗布・現像装置を示す概略斜視図である。
【図６】その塗布・現像装置を側方から見た模式図であ
る。
る。
【図７】その塗布・現像装置における処理プロセスを示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図８】従来の冷却装置を示す概略図である。
Ｗ ウエハ
２１ 載置台（主温調板）
２２ 保持ピン（保持部材）
３ 冷却部
３０ 冷媒流路
３１，４１ 冷却パイプ
３２ 加熱手段
４ 補助冷却板（補助温調板）
５ 昇降手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
H01L 21/68
G03F 7/38
Claims (2)
- 【請求項１】 装置内に設けられ、基板を載置して所定
の温度に温調するための載置台と、 装置内に基板を搬入するための搬入口と、 この搬入口の近傍に、搬入される基板に予備温調するた
めのガスを吹き出すための吹き出し口と、を備えたこと
を特徴とする基板温調装置。 - 【請求項２】 前記ガスを排出する吸い込み口を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の基板温調装置。
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|---|---|---|---|
| JP25047898A JP3453069B2 (ja) | 1998-08-20 | 1998-08-20 | 基板温調装置 |
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|---|---|---|---|
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| JP25047898A Expired - Fee Related JP3453069B2 (ja) | 1998-08-20 | 1998-08-20 | 基板温調装置 |
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1998
- 1998-08-20 JP JP25047898A patent/JP3453069B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-08-19 US US09/376,984 patent/US6097005A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
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