JPS6221237A - ウエハ位置決め用テ−ブル - Google Patents
ウエハ位置決め用テ−ブルInfo
- Publication number
- JPS6221237A JPS6221237A JP16013785A JP16013785A JPS6221237A JP S6221237 A JPS6221237 A JP S6221237A JP 16013785 A JP16013785 A JP 16013785A JP 16013785 A JP16013785 A JP 16013785A JP S6221237 A JPS6221237 A JP S6221237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- flat surface
- jet nozzles
- peripheral edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハの中心位置合わせな行なう位置決め用
テーブルに関し、ウェハなカセットより取す出してプロ
セス機のホルダに移送させるとき、中心位置を合わせる
ために設置される中間テーブル等に用いて好適なもので
ある。
テーブルに関し、ウェハなカセットより取す出してプロ
セス機のホルダに移送させるとき、中心位置を合わせる
ために設置される中間テーブル等に用いて好適なもので
ある。
（従来の技術）
従来、ウェハをカセットより取り出してプロセス機のホ
ルダに、真空吸盤を具えたアーム等を介して移送させる
場合、該ホルダ上でウェハを所定の正しい位置に置くた
めに、ホルダの手前に中間テーブルを設け、該中間テー
ブル上で予めウェハの中心位置合わせが行われて来た。
ルダに、真空吸盤を具えたアーム等を介して移送させる
場合、該ホルダ上でウェハを所定の正しい位置に置くた
めに、ホルダの手前に中間テーブルを設け、該中間テー
ブル上で予めウェハの中心位置合わせが行われて来た。
第４Ａ図は、上記中間テーブル上に設けられ、ウェハの
中心位置合わせに用いられる従来のウェハ位置決め装置
の要部平面図、第４Ｂ図は第４Ａ図のＶＩ−ＩＶ線断面
図、第４Ｃ図は位置決めされた状態を示す断面図である
。図において、１，１はウェハ２の下面の周辺部をはホ
１２０°ずつに亙って支持する二つに分割された環状の
つめであって、これら両つめ１，１は、ウエノ〜２の下
面周辺部を支持する水平部１ａと、該水平部１ａの外側
に形成されウェハ２の周面位置を規制する上方へ立上が
ったつば１ｂとを有し、該つば１ｂの内面には斜面’１
ｃが形成されている。そしてこれらの両つめ１．Ｉ＃
′ｉ、図示しないリンク機構を介して、第４Ｂ図に示す
ように左右方向に対称的に、広がったシ狭まったシでき
るように中間テーブル上に支持されている。
中心位置合わせに用いられる従来のウェハ位置決め装置
の要部平面図、第４Ｂ図は第４Ａ図のＶＩ−ＩＶ線断面
図、第４Ｃ図は位置決めされた状態を示す断面図である
。図において、１，１はウェハ２の下面の周辺部をはホ
１２０°ずつに亙って支持する二つに分割された環状の
つめであって、これら両つめ１，１は、ウエノ〜２の下
面周辺部を支持する水平部１ａと、該水平部１ａの外側
に形成されウェハ２の周面位置を規制する上方へ立上が
ったつば１ｂとを有し、該つば１ｂの内面には斜面’１
ｃが形成されている。そしてこれらの両つめ１．Ｉ＃
′ｉ、図示しないリンク機構を介して、第４Ｂ図に示す
ように左右方向に対称的に、広がったシ狭まったシでき
るように中間テーブル上に支持されている。
上記のようにしてリンク機構によシ中間テーブル上の所
定位置に設置された両つめ１，１（第４Ｂ図はこの時の
つめの位置を示す。）の直上から、ウェハ２を吸盤から
離して、開いたポジションの両つめ１，１０間にウェハ
２を置く。次に、両つめ１，１を左右より閉じると、ウ
ェハ２の周縁がっば１ｂの内側斜面１ｃＫ当シ、ウェハ
の中心位置決めが行われて来た。
定位置に設置された両つめ１，１（第４Ｂ図はこの時の
つめの位置を示す。）の直上から、ウェハ２を吸盤から
離して、開いたポジションの両つめ１，１０間にウェハ
２を置く。次に、両つめ１，１を左右より閉じると、ウ
ェハ２の周縁がっば１ｂの内側斜面１ｃＫ当シ、ウェハ
の中心位置決めが行われて来た。
（発明が解決しようとする問題点）
上記した従来のウェハ位置決め装置においては、つめｌ
の水平部Ｉａ上に、ウェハ２の下面周辺部が直接当接す
るようになっている。ところが・ ウェハ２の下面には
通常レジストｍが形成されているので、上記当接部のレ
ジストｍが水平部１ａとこすれ合って傷がついたシ、レ
ジスト膜の剥離が生じる恐れがあり、またこれがダスト
源となる等の問題点があった。
の水平部Ｉａ上に、ウェハ２の下面周辺部が直接当接す
るようになっている。ところが・ ウェハ２の下面には
通常レジストｍが形成されているので、上記当接部のレ
ジストｍが水平部１ａとこすれ合って傷がついたシ、レ
ジスト膜の剥離が生じる恐れがあり、またこれがダスト
源となる等の問題点があった。
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決−ウェハの
下面を直接支持テーブル上に当接させないで位置決めを
行なうことを技術的課題としている。
下面を直接支持テーブル上に当接させないで位置決めを
行なうことを技術的課題としている。
（問題点を解決するため０手段）
本発明は、上記した従来技術の問題点及び技術的課題を
解決するために、ウェハの外周よシ大きい平担面を有す
るチーグルの該平坦面上において、複数個のガス噴出孔
なウェハ外周近傍の円周上に配設したことを特徴として
いる。上記ガス噴出孔は円形開口のほか、まゆ形開口等
種々の形状に形成することが可能である０ （作 用） 本発明は、上記のように構成したことにより、アーム上
の吸盤等によってチーゾル上に移送されたウェハは、平
坦面上において、該ウェハ外周近傍に沿って円周上に配
設された複数個のガス噴出孔からの噴出ガスによって持
ち上げられて浮上し、且つその外周部に沿ってウェハ面
と直角方向に流れるガス流によって、水平方向の位置が
規制される。
解決するために、ウェハの外周よシ大きい平担面を有す
るチーグルの該平坦面上において、複数個のガス噴出孔
なウェハ外周近傍の円周上に配設したことを特徴として
いる。上記ガス噴出孔は円形開口のほか、まゆ形開口等
種々の形状に形成することが可能である０ （作 用） 本発明は、上記のように構成したことにより、アーム上
の吸盤等によってチーゾル上に移送されたウェハは、平
坦面上において、該ウェハ外周近傍に沿って円周上に配
設された複数個のガス噴出孔からの噴出ガスによって持
ち上げられて浮上し、且つその外周部に沿ってウェハ面
と直角方向に流れるガス流によって、水平方向の位置が
規制される。
従って、予め決められた位置に穿設された複数個のガス
噴出孔からの噴出ガスによってウェハはテーブル上の所
定位置に、位置決めされる。
噴出孔からの噴出ガスによってウェハはテーブル上の所
定位置に、位置決めされる。
（実施例）
次に、本発明の実施例を図面と共に説明する。
第１Ａ図は本発明の第１実施例を示すウェハ位置決め用
テーブルの平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図のＩ−Ｉ線断面
図、第１Ｃ図は作動状態を示す断面図であって、チーグ
ル１０は、ウェハ外径よシ大径の円形の平坦面１１を有
し、該平坦面１１の肩縁部には、ウェハの浮上位ｆｆｔ
Ｋはぼ等しい高さを有するつげ（ヘリ）１２が一体に形
成されている。また下方には、ガス室１３を有し、該ガ
ス室１３は、接続口１４を介して外部の圧縮がス源に連
通されている。そして上記平坦面１１には、第１Ｃ図に
示すように、ウェハ２の外周面の近傍、即ちウェハ外周
面がほぼ孔の中央を通る位置に、全円周に亙って複数個
のガス噴出孔１５がほぼ等間隔に穿設されている。
テーブルの平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図のＩ−Ｉ線断面
図、第１Ｃ図は作動状態を示す断面図であって、チーグ
ル１０は、ウェハ外径よシ大径の円形の平坦面１１を有
し、該平坦面１１の肩縁部には、ウェハの浮上位ｆｆｔ
Ｋはぼ等しい高さを有するつげ（ヘリ）１２が一体に形
成されている。また下方には、ガス室１３を有し、該ガ
ス室１３は、接続口１４を介して外部の圧縮がス源に連
通されている。そして上記平坦面１１には、第１Ｃ図に
示すように、ウェハ２の外周面の近傍、即ちウェハ外周
面がほぼ孔の中央を通る位置に、全円周に亙って複数個
のガス噴出孔１５がほぼ等間隔に穿設されている。
上記のように構成されているので、テーブル１０の平坦
面１１に移送されて来たウェハ２は、ガス噴出孔１５か
ら吹き出される噴出ガス流１５ａによって形成されたウ
ェハ外周面に沿う不連続なガスの膜によって、その水平
位置が規制され、平坦面１１より浮上した位置で位置決
めが行われるＯ この実施例では、平坦面１１の外周縁につば１２が設け
られることにより、孔１５から吹き出すガス流１５１が
外方へ拡散するのが防止されるので、ウェハ２の水平位
置の規制作用は有効に行われる。
面１１に移送されて来たウェハ２は、ガス噴出孔１５か
ら吹き出される噴出ガス流１５ａによって形成されたウ
ェハ外周面に沿う不連続なガスの膜によって、その水平
位置が規制され、平坦面１１より浮上した位置で位置決
めが行われるＯ この実施例では、平坦面１１の外周縁につば１２が設け
られることにより、孔１５から吹き出すガス流１５１が
外方へ拡散するのが防止されるので、ウェハ２の水平位
置の規制作用は有効に行われる。
また、ガス噴出孔の位置、大きさ、形状及び該孔からの
噴出ガスの流速、またつばとの間隔及びつばの高さ等は
、ウニ・・局面部において渦流等の乱れが生ぜず、ウエ
ノ％が浮上した状態で安定した中心位置を占めるように
、適宜の大きさに選定される。
噴出ガスの流速、またつばとの間隔及びつばの高さ等は
、ウニ・・局面部において渦流等の乱れが生ぜず、ウエ
ノ％が浮上した状態で安定した中心位置を占めるように
、適宜の大きさに選定される。
第２Ａ図ないし第２Ｃ図は本発明の第２実施例を示す第
１八図ないし第１Ｃ図と同様の図面であって、この実施
例では、平坦面２１に穿設されるガス噴出孔２５ａ及び
２５ｂが、同心円上に互いに位置をずらすようＫして２
列に亙って穿設され、内側のガス噴出孔２５ａは、第１
実施例の噴出孔１５と同様にウェハ２の外周面の近傍に
穿設さ江外側のガス噴出孔２５ｂは、その外側に穿設さ
れている点で、第１実施例と異なシ、その他の点では変
シがない。
１八図ないし第１Ｃ図と同様の図面であって、この実施
例では、平坦面２１に穿設されるガス噴出孔２５ａ及び
２５ｂが、同心円上に互いに位置をずらすようＫして２
列に亙って穿設され、内側のガス噴出孔２５ａは、第１
実施例の噴出孔１５と同様にウェハ２の外周面の近傍に
穿設さ江外側のガス噴出孔２５ｂは、その外側に穿設さ
れている点で、第１実施例と異なシ、その他の点では変
シがない。
この実施例によれば、第２Ｃ図に示すように、平坦面２
１上のウエノ１２は、内側のガス噴出孔２５ａからの噴
出ガスによって持上げられて浮上し、該内側のガス噴出
孔２５ａ及び外側のガス噴出孔２５ｂの双方からの噴出
ガス流によって水平方向位置が規制される。なおこの場
合、つば２２の内側面に内方へ突出した***部２’２ａ
を設ければ、外側のガス噴出孔２ｓｂからのガス流にウ
ェハ２の外周面へ向かう偏）を与えて水平方向位置の規
制を、よシ積極的に行なうことが可能となる。
１上のウエノ１２は、内側のガス噴出孔２５ａからの噴
出ガスによって持上げられて浮上し、該内側のガス噴出
孔２５ａ及び外側のガス噴出孔２５ｂの双方からの噴出
ガス流によって水平方向位置が規制される。なおこの場
合、つば２２の内側面に内方へ突出した***部２’２ａ
を設ければ、外側のガス噴出孔２ｓｂからのガス流にウ
ェハ２の外周面へ向かう偏）を与えて水平方向位置の規
制を、よシ積極的に行なうことが可能となる。
この実施例の場合も、ウェハ外周面に渦流等の乱れが生
ぜず、ウェハが浮上した状態で安定した中心位置を占め
るように、各孔の位置、大きさ、つばとの関係等が決め
られる。
ぜず、ウェハが浮上した状態で安定した中心位置を占め
るように、各孔の位置、大きさ、つばとの関係等が決め
られる。
第３人図ないし第３Ｃ図は、本発明の第３実施例を示す
第１ム図ないし第１Ｃ図と同様の図面であって、この実
施例では、平坦面３１に穿設されたガス噴出孔３５がま
ゆ形に形成されている点で第１実施例と相違しており、
その他の点では変りはない。
第１ム図ないし第１Ｃ図と同様の図面であって、この実
施例では、平坦面３１に穿設されたガス噴出孔３５がま
ゆ形に形成されている点で第１実施例と相違しており、
その他の点では変りはない。
この実施例によれば、第３Ｃ図に示すように、平坦面３
１上のウェハ２は、まゆ形の空気噴出孔３５からの噴出
空気によって持上げられて浮上し、同時に水平方向の位
置が規制されることは第１実施例と本質的には変りはな
いが、この実施例では、前記のようにガス噴出孔が円形
開口を連らねたようなまゆ形に形成されているので、ウ
エノ１の浮上作用が促進され、またウェハの周面を流れ
るガス流がほぼ連続した円筒状の膜を形成するようＫな
るので、ウェハの水平方向位置の規制作用も促進される
。しかし、圧縮ガスの消費量が多くなる。
１上のウェハ２は、まゆ形の空気噴出孔３５からの噴出
空気によって持上げられて浮上し、同時に水平方向の位
置が規制されることは第１実施例と本質的には変りはな
いが、この実施例では、前記のようにガス噴出孔が円形
開口を連らねたようなまゆ形に形成されているので、ウ
エノ１の浮上作用が促進され、またウェハの周面を流れ
るガス流がほぼ連続した円筒状の膜を形成するようＫな
るので、ウェハの水平方向位置の規制作用も促進される
。しかし、圧縮ガスの消費量が多くなる。
前記した各実施例においては、テーブルの平坦面の外周
縁に立上がシつばを設けた構造について説明したが、上
記つげはなくてもよい。この場合、ガス噴出孔から吹き
出したガス流は外側へ拡散する傾向を生ずるが、噴出ガ
ス流を絞って流速を増す等の手段を講することによシ、
上記の傾向を、阻止することは可能である。
縁に立上がシつばを設けた構造について説明したが、上
記つげはなくてもよい。この場合、ガス噴出孔から吹き
出したガス流は外側へ拡散する傾向を生ずるが、噴出ガ
ス流を絞って流速を増す等の手段を講することによシ、
上記の傾向を、阻止することは可能である。
また、ガス噴出孔の形状を円形とまゆ形の２種類につい
て説明したが、これに限らないことは勿論であシ、また
使用される圧縮ガス流には、通常、清浄な空気が使用さ
れるが、適宜他のガスを使用することも可能である。
て説明したが、これに限らないことは勿論であシ、また
使用される圧縮ガス流には、通常、清浄な空気が使用さ
れるが、適宜他のガスを使用することも可能である。
（発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば次のような効果が
奏される。
奏される。
（１） ウェハ外周近傍の円周上に複数個のガス噴出
孔を設けたことによシ、ウェハを、位置決め用テーブル
上でガスｉＫよって浮上させ決められた所定位１１１に
保持させることができるので、ウェハ下面のレジスト膜
に傷がつく恐れがない。
孔を設けたことによシ、ウェハを、位置決め用テーブル
上でガスｉＫよって浮上させ決められた所定位１１１に
保持させることができるので、ウェハ下面のレジスト膜
に傷がつく恐れがない。
（１０圧縮ガスによる噴出ガス流によってウェハの位置
決めができるので、従来装置に用いられたリンク機構等
が不要となシ、構造が簡単でコストも低減することがで
きる。
決めができるので、従来装置に用いられたリンク機構等
が不要となシ、構造が簡単でコストも低減することがで
きる。
０１１ 常時ガスを噴出させていればテーブル上にダ
ストが乗らないので、ウェハをクリーンな状態に保持さ
せることができる。
ストが乗らないので、ウェハをクリーンな状態に保持さ
せることができる。
第１Ａ図は本発明の第１実施例を示す平面図、第１Ｂ図
は第１Ａ図のＩ−Ｉ線断面図、第６Ｃ図は作動状態を示
す断面図、第２人図ないし第２Ｃ図及び第３Ａ図ないし
第３Ｃ図は本発明の第２及び第３実施例を示す第１Ａ図
ないし第１Ｃ図と同様の図面、第４Ａ図ないし＠４０図
は従来装置の要部平面図及び異った作動位置を示す断面
図である。 ２−−−ウェハ、 １０．２０，３０−−−テープ２
、 １１．２１．３１−ｍ−平坦面、 １２．２２．
３２−一一つば、 １３．２３．３３−一一ガス室、
１５．２５．３５−−−ガス噴出孔。 第１Ａ図 第１Ｃ図 第２Ａ図 第３Ａ図
は第１Ａ図のＩ−Ｉ線断面図、第６Ｃ図は作動状態を示
す断面図、第２人図ないし第２Ｃ図及び第３Ａ図ないし
第３Ｃ図は本発明の第２及び第３実施例を示す第１Ａ図
ないし第１Ｃ図と同様の図面、第４Ａ図ないし＠４０図
は従来装置の要部平面図及び異った作動位置を示す断面
図である。 ２−−−ウェハ、 １０．２０，３０−−−テープ２
、 １１．２１．３１−ｍ−平坦面、 １２．２２．
３２−一一つば、 １３．２３．３３−一一ガス室、
１５．２５．３５−−−ガス噴出孔。 第１Ａ図 第１Ｃ図 第２Ａ図 第３Ａ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハの外周より大きい平坦面を有するテーブルの
上記平坦面上において、複数個のガス噴出孔をウェハ外
周近傍の円周上に配設したことを特徴とするウェハ位置
決め用テーブル。 ２、前記各ガス噴出孔は円形開口をなしている特許請求
の範囲第１項記載のウェハ位置決め用テーブル。 ３、前記各ガス噴出孔は円形開口をなし、ウェハ外周近
傍の円周上に２列に亙つて配設されている特許請求の範
囲第１項記載のウェハ位置決め用テーブル。 ４、前記各ガス噴出孔はまゆ形開口をなしている特許請
求の範囲第１項記載のウェハ位置決め用テーブル。 ５、前記平坦面の周縁部には、つばが形成されている特
許請求の範囲第１項から第４項までの何れか１項記載の
ウェハ位置決め用テーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16013785A JPS6221237A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | ウエハ位置決め用テ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16013785A JPS6221237A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | ウエハ位置決め用テ−ブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6221237A true JPS6221237A (ja) | 1987-01-29 |
Family
ID=15708671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16013785A Pending JPS6221237A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | ウエハ位置決め用テ−ブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6221237A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100239785B1 (ko) * | 1997-01-22 | 2000-01-15 | 김영환 | 웨이퍼 이송기구 |
| KR20030083502A (ko) * | 2002-04-23 | 2003-10-30 | 주식회사 디엠에스 | 분사 유체를 이용하는 액정 디스플레이 소자 제조방법 |
| US6770851B2 (en) | 1999-12-29 | 2004-08-03 | Asm International N.V. | Method and apparatus for the treatment of substrates |
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| US6940047B2 (en) | 2003-11-14 | 2005-09-06 | Asm International N.V. | Heat treatment apparatus with temperature control system |
| US6964751B2 (en) | 2001-05-16 | 2005-11-15 | Asm International N.V. | Method and device for heat treating substrates |
| US7022627B2 (en) | 2003-10-31 | 2006-04-04 | Asm International N.V. | Method for the heat treatment of substrates |
| US7217670B2 (en) | 2004-11-22 | 2007-05-15 | Asm International N.V. | Dummy substrate for thermal reactor |
| US7410355B2 (en) | 2003-10-31 | 2008-08-12 | Asm International N.V. | Method for the heat treatment of substrates |
| US7601224B2 (en) | 2002-03-08 | 2009-10-13 | Asm America, Inc. | Method of supporting a substrate in a gas cushion susceptor system |
| US7601223B2 (en) | 2003-04-29 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | Showerhead assembly and ALD methods |
| JP2010016199A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Murata Mach Ltd | パージ装置 |
| US7754013B2 (en) | 2002-12-05 | 2010-07-13 | Asm International N.V. | Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates |
| EP3002346A1 (en) | 2007-01-08 | 2016-04-06 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5753964A (ja) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Tasohaisenho |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP16013785A patent/JPS6221237A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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