NL8103979A - Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat. - Google Patents

Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat. Download PDF

Info

Publication number
NL8103979A
NL8103979A NL8103979A NL8103979A NL8103979A NL 8103979 A NL8103979 A NL 8103979A NL 8103979 A NL8103979 A NL 8103979A NL 8103979 A NL8103979 A NL 8103979A NL 8103979 A NL8103979 A NL 8103979A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
substrate
section
medium
channels
channel
Prior art date
Application number
NL8103979A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Bok Edward
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bok Edward filed Critical Bok Edward
Priority to NL8103979A priority Critical patent/NL8103979A/nl
Priority to PCT/NL1982/000027 priority patent/WO1983000774A1/en
Priority to EP19820902651 priority patent/EP0088091A4/en
Priority to US06/491,318 priority patent/US4495024A/en
Priority to JP57502640A priority patent/JPS58501447A/ja
Priority to US06/692,744 priority patent/US4663197A/en
Publication of NL8103979A publication Critical patent/NL8103979A/nl
Priority to US06/629,303 priority patent/US4521268A/en
Priority to US06/692,737 priority patent/US4600471A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

» ' - ί »— — -*» f'lethode en inrichting υοοΓ het aanbrengen van een film vloeibaar t medium op een substraat,
De uitvinding heeft betrekking op^ een methode en inrichting voor het aanbrengen van een film van vloeibaar medium op een oppervlak..
5 Daarbij vindt de gebruikmaking van een submicro-gefilterde gasvormige omgeving voor het oppervlak tijdens het opbrengen erap van deze film plaats· De aldus van een film voorziene substraten kunnen bijvoorbeeld u/orden toegepast in de micro-electronica bfj het vermerken van silicon "wafers11 en dergelijke producten.
10 In de Nederlandse Octrooi-aanvrage no. 8 101 440 van de aanvrager is een inrichting voor het aanbrengen van een vloeibaar medium op een substraat aangegeven, waarbij onder andere gebruik wordt gemaakt van een geleidingsuand, waarlangs het te behandelen oppervlak van de substraat verpiaatsbaar is onder rechtstreeks contact making daarmede voordat in 15 een opbrenggedeelte medium naar deze substraat wordt gevoerd.
De substraat wordt daarbij onder vacuumkracht tegen deze geleidingsuand getrokken.
Door het laten uitstrekken van de uitmondingen van deze media tot nabij het vsrlengde van deze geleidingsuand is een microspleet tussen de 20 uitmondings-scheidingsuanden en de substraat verkregen, uaarin de media langs deze substraat kunnen stromen naar de uitmonding van een afvoer-kanaal.
Zulk een microspleet is gewenst, omdat anders te groie verschillen in stuwing van de media langs de substraat en de dikte van de opgebrachte 25 laag kunnen optreden.
De nadelen van deze inrichting met opvolgende geleidingswanden voor de substraten zijn de navolgende : 1. Tijdens het onder vacuumkracht verplaatsen van de substraat langs dit vlak kunnen submicro deeltjes van deze substraat loslaten en als ver- 30 ontreiniging de opgebrachte coating angunstig beinvloeden.
2. Via de in dit vlak opgenomen vacuumkanalen kan coating of ander medium uorden opgezogen met een mogelijke verstopping van deze kanalen* 3. Het gedeelte van de substraat, uelke het coating toevoerkanaal is ge-passeerd, kan wederam zijn oorspronkelijke, veelal gebogen positie in- 35 nemeOj zodat aanraking van delen ervan met de doorvoerwand van de ca- bi.ne onvermijdelijk is. Zulk een doorbuiging wordt vooral verkregen door ! benodigd veelvuldig behandelen van de substraat zoals drogen, harden van opgebrachte coatings, etsen, metaal-opbrenging enzovoort.
8103979 *· 2 — J* %* * s 1 t 4. De vacuumkracht in de geleidingsuand kan vooral tijdans het vastzuigen van het laatste gedeelte van een ronde substraat te gering zijn of zelfs zijn opgeheven, uaardoor onregelmatigheden in de toe* en afvoer van medium gaan plaats vinden.
5 5. Er kan geen toevoer onder hoge druk van medium naar de substraat plaats vinden. Zulks in verband met een te grote resulterende kracht op deze substraat, uaardoor de vacuumkracht in de geleidingsuand tenminste plaatselijk te gering uordt. Tevens moet dit geleidevlak schoon biijven, dus mag geen hoge druk opbrenging van reinigings— of spoelmedium op de 10 substraat plaats vinden.
6. Bij het met behulp van een in het transportsysteem opgenomen vacuumblok, u/aarop de substraat is aangezogen, drukken van deze substraat tegen deze geleidingsuand kunnen door varieties in dikte van de substraat en fabricage toleranties in de inrichting ontoelaatbaar hoge urijvings- 15 krachten optreden tussen deze uahd en de substraat met als gevolg een mogelijke beschadiging van deze substraat.
7. Na het opbrengen van de coating mag het gecoate substraat-oppervlak niet meer uorden aangeraakt, hetgeen de mogelijkheid om doeltreffend te drogen met een gasstroom met een noudzakelijke hoge druk onmogelijk maakt.
2D 8. Bij het doorlopen van de oven en droogsectie uordt de substraat aan £4n zijde veruarmd met tenminste tijdelijk zodanig grote vervormingen, dat veelal losraken van de vacuumblokken en het tegen de uand van de sectie drukken van substraat-delen onvermijdelijk is, hetgeen ontoelaatbaar is,.
Met de inrichting volgens de uitvinding mordt nu beoogd om deze 25 bezuaren op te heffen en is deze in hoofdzaak daardpor gekenmerkt, dat tussen meerdere opvolgende uitmondingen van toe- en afvoerkanalen voor media naar de substraat en deze substraat zodanig zelfstandige micro--kussens van media uorden beuerkstelligd en in stand gehouden, dat tenminste de middensectie van deze substraat niet de uanden van deze uit-30 mondingen kan raken.
De in de micro-electronica toegepaste substraten hebben een zeer geringe onvlakheid en dikte-verschil. Daardoor kan in de doorvoer voor de substraten de spleten opzij van deze substraten zeer nauu zijn met aldus een overeenkomstig zeer laag verbruik aan media voor het instand houden 35 van de medium kussens tussen deze substraten en de cabineuand.
Deze uiterst geringe hoogte van de medium kussens maakt een hoge stuukracht van de media naar de substraat mogelijk met een daarmede gbpaard gaande sterke uerveling in deze micro-spleten van de media stromen in de 8103979 . . * t.
- 3 - richti'ng van het afvoerkanaal ervoor.
Hierdoor is vooral in de reinigings— an spoelsectie de werking van de media zeer intensief, is tevens de lengte van zulk enn sectie in de bewegingsrichting van de substraat en daarmede corresponderende tijdsduur 5 van behandeling zeer beperkt en kan de doorvoer van substraten continue zijn.
Het verbruik aan vloeibaar medium kan daarblj per substraat slechts 3 enkele cm en die van het gasvormige medium slechts een fractie van een liter bedragen.
« 10 Gezien de hoge kostprijs van zulk een substraat en de mogelijk hoogst bereikbare graad van reiniging is dit verbruik aan medium volkomen ver-antuoord·
Verdere bijzonderheden betreffende de gebruikt uiordende media, behan-delingssystemen voor de substraat en mogelijke variaties daarin zijn am-15 schreven aan de hand van de navolgende Figuren:
Figuur 1 is een sterk vergroot perspectief detail van de cabins, waardoorheen apvolgende substraten met behulp van micro media kussens zonder contact met hun omgeving warden gestuwd.
Figuur 2 is een verticale langsdoorsnede van een inrichting, waarin 20 de cabine volgens Figuur 1 is toegepast.
Figuur 3 is een horizontale langsdoorsnede van de inrichting volgens Figuur 2.
Figuur 4 is een vergroot detail van de langsdoorsnede van het inlaat-gedeelte van de inrichting volgens Figuur 2« 25 Figuur 5 is een vergroot detail van de langsdoorsnede van het afvoer— gedeelte van de inrichting volgens Figuur 2.
Figuur 6 toont in een horizontale langsdoorsnede van de inrichting een stapelpakket met daarin opgenomen toe- en afvoerkanalen*
Figuur 7 is een gedeeltelijke dwarsdoorsnede van de inrichting volgens 30 Figuur 2, waarin over een tweetal stapelsegmenten toevoerkanalen voor een gasvormig medium zijn getoond.
Figuur 8 is een langsdoorsnede van het segment volgens de Figuur 7.
Figuur 9 zijn vergrootte details van het segment volgens de Figuiir 8.
Figuur 10 is een dwarsdoorsnede van de inrichting volgens de Figuur 2 35 met toe— en afvoerkanalen voor de verschillende media.
Figuur 10A is een detail van de zijwand van de inrichting volgens Figuur 10.
Figuur 11 is een zjjaanzicht van een stapelsegment, waarin afvoerkana- 8103979 *- *. * · - 4 - len zijn opgenomen.
Figuur 12 is een duarsdoorsnede over de lijn 12-12 van het segment volgens de Figuur 11.
Figuur 13 is een zijaanzicht van sen· stapelsegment, uaarin kanalen 5 voor vloeibaar medium zijn opgenomen.
Figuur 14 is een duarsdoorsnede over de lijn 14-14 van het segment volgens de Figuur 13.
Figuur 15 is een detail doorsnede van de inrichting volgens de Figuur 2, uaarbij aan δέη zijde de hoogte van het medium kussen groter is dan aan 10 de andere zijde,
Figuur 16 is een detail doorsnede van de inrichting volgens de Figuur 2, uaarbij een sterk doorgebogen substraat-seotie is aangegeven.
Figuur 17 is een verticals doorsnede van een inrichting met aan δδη zijde ean^ gladde geleidingsuand voor de door te voeren substraten.
15 Figuur 18 is een verticale langsdaorsnede van een inrichting, uelke aan Ιδη zijde geleidingsuand-sacties en micro mediumkussen-secties bevat.
Figuur 19 is een doorsnede van een geuijzigde inrichting, uelke aan δδη zijde van een draaitafel met vacuumhouders voor de substraten is voor-zien.
20 Figuur 20 is een doorsnede van een draaitafel-sectie met een geuijzigde uitvoering van een vacuumhouder.
Figuur 21 is een langsdoorsnede van een sectie voor het reinigen van substraten.
25 Figuur 22 is een vergrootte detaildoorsnede nabij de substraat van de sectie volgens de Figuur 21.
Figuur 23 is een sterk vergrootte doorsnede van een uitmonding van een afvoerkanaal van de sectie volgens de Figuur 21.
Figuur 24 is een langsdoorsnede van een sectie voor het spoelen en 30 vervolgens drogen van de substraat.
Figuur 25 is een vergrootte detaildoorsnede van een andere uitvoering van de sectie voor het reinigen van substraten,
Figuur 26 is een sterk vergrootte doorsnede van de uitmonding van een toe- en afvoerkanaal van de sectie volgens de Figuur 25.
35 Figuur 27 toont de uitmonding van een kanaal voor vloeibaar medium nabij het einde van een substraat.
Figuur 28 toont de uitmonding van een ander kanaal voor vloeibaar medium nabij het einde van een substraat.
8103979 έ * - 5 -
Figuur 29 toont een sterk vergrootte detaildoorsnede van nog sen andere sectie voor het reinigen van substraten*
Figuur 30 is een sterk vergroottte doorsnede van een serie uitmon-dingen van sen droogsectie.
5 Figuur 31 is een doorsnede van een stapelsegment van een ovensectie, uaarin een veruarmingsspiraal is opgenomen.
Figuur 32 is een sterk vergrootte doorsnede van een serie uitmon-dingen van een ovensectie, uaarin segmenten volgens de Figuur 31 zijn opgenomen# 10 Figuur 33 is een sterk vergrootte langsdoorsnede van een serie uit- mondingen van een sectie,voor het aanbrengen op een substraat van een vloeistof, uelke dient voor een verbeterde hechting van de coating op deze substraat.
Figuur 34 is een geuijzigde uitvoering van de sectie volgens Figuur 33# 15 Figuur 35 is de sectie volgens Figuur 33 met een ervoor geplaatst hoogvacuum kanaal#
Figuur 36 is een sterk vergrootte langsdoorsnede van een uitmonding van het toevoerkanaal voor coating van een coatingsectie.
Figuur 37 is een sterk vergrootte langsdoorsnede van een uitmonding 20 van het afvoerkanaal van de coatingsectie volgens Figuur 36.
Figuur 38 is een langsdoorsnede ,van een coatingsectie, uaarin een tueetal dunne lagen coating op de substraat uordt gebracht met aanvullende droogsecties.
Figuur 39 is een sterk vergrootte langsdoorsnede van een coating-25 sectie uaarbij nog uederom een combinatie van verdunning en gasvormig medium over de op de substraat aangebrachte laag uordt gevoerd*
Figuur 40 toont een aantal opvolgende coatingsecties met aanvullende droog- en ovensecties.
Figuur 41 toont het met behulp van een aantal opgebrachte coatings 30 opvullen van een "stepped" substraatoppervlak.
Figuur 42 is een langsdoorsnede van een gedeelte van de coating-sectie volgens Figuur 40 aangevuld met een coating/oven sectie voor het aanbrengen van een dunne toplaag op de dikke onderlaag,
Figuur 43 toont schematisch het aangebracht zijn van zulk een tueetal 35 lagen op de substraat.
Figuur 44 is een langsdoorsnede van een coatingsectie, uaarbij door een gasvormig medium als drager verdunning in dampvorm · naar de substraat uordt gevoerd# 8103979 bf * - 6 - f
Figuur 45 is sen sterk vergrootte doorsnede wan ds uitmonding van hat afvoerkanaal van ds sectie volgens Figuur 44.
Figuur 46 is sen langsdoorsneds van een coatingsectie, waarbij sen film water over de aangebrachte coating wordt gestuwd.
5 ' Figuur 47 is een sterk vergrootte doorsnede van de uitmonding van het afvoerkanaal van ds sectie volgens Figuur 46.
Figuur 48 is een langsdoorsneds van een sectie voor het leiden van ontwikkelingsvloeistof over de substraat,
Figuur 49 is een sterk vergrootte langsdoorsnede van de uitmonding 10 van de toevoerkanalen voor de ontwikkelingsvloeistof en het gasvormige medium.
Figuur 50 is sen sterk vergrootte langsdoorsnede van een gewijzigde uitmonding voor de ontwikkelingsvloeistof.
Figuur 51 toont de stuwing van ontuikkelingsvloeistof in verschillen-15 de posities van de substraat.
Figuur 52 is een sterk vergrootte doorsnede van een sectie voor het stuwen van ’’dopant" over een substraat.
Figuur 53 is een langsdoorsnede van een gewijzigde "dopant" sectie.
Figuur 54 is een inrichting volgens de uitvinding met draaitafel en 20 waarbij in een toevoersectie een gedeeltelijk reinigen.van de substraat plaats vindt.
In de Figuur 1 is een gedeelte van de inrichting 10 aangegeven. Oaarbij wordt met behulp van tussen opvolgende stapelsegmenten 12 gelegen uiterst nauwe toevoerkanalen 14 voor media en afvoerkanalen 16 voor deze media 25 aan weerszijde van de substraat 18 micromedium kussens 20 en 22 onder- houden, zodat geen mechanisch contact van tenminste de vlakke zijden 24 en 26 met het inwendige van de cabine kan plaats vinden.
In de Figuren 2 en 3 is deze inrichting uederom aangegeven. Oaarbij worden substraten 18 vanuit het toevoerstation 28 en via een overname-30 sectie 30 naar de cabine 32 gevoerd.
In de cabine 32 vindt dan het opbrengen van media op deze substraten plaats, waarbij de navolgende secties worden gepasseerds reinigingssectie 34, droogsectie 36, spoelsectie 38, droog/oven-sectie 40, hechtvloeistofsectie 42, droogsectie 44, eerste coatingsectie 46, droog-35 sectie 48, ovensectie 50, afkoelsectie 52, tweede coatingsectie 54, droogsectie 56, ovensectie 58, afkoelsectie 60, derde coatingsectie 62, droogsectie 64, ovensectie 66, afkoelsectie 68.
Vervolgens komt zulk een substraat via overnamesectie 70 terecht in 8103979 » X Λ - 7 - een afvoerstation 72.
In het toevoerstation uordt met behulp van het vacuumblok 74 van het transportmechanisme 76 opvolgend een substraat 18 uit de cassette 78 aan-gezogen, naar overnamesectie 3D getransporteerd en vervolgens door het 5 vacuumblok losgelaten. De substraat komt daarbij terecht op een transport-baan 82, uaarbij de substraat onder stuukracht van het daarop uierkende stuumedium 90 via de nauue doorgang 80 in het inlaatgedeelte 84 van de cabine terechtkomt, zie tevens Figuur 4.
In deze sectie zijn daarbij aan ueerszijde van de doorgang 80 een aantal 10 segmenten 120 opgenomen, uaarin zich de kanalen 86 voor toevoer van stuumedium 90 .bevinden , zie tevens Figuur 7, en segmenten 210, uaarin vacuumkanalen 88 zijn opgenomen, zie tevens Figuur 11.
Door mechanisme 92 uordt telkenmale de cassette 78 omhoog beuogen voor opvolgende afnames van substraten 18.
15 De behandelde substraat komt terecht in uitlaatgedeelte 94 van de cabine 32, uaarin uederom aan ueerszijde van de doorgang 96 een aantal segmenten 120 en 210 zijn opgenomen, uaarin zich uederom groeperingen van toevoerkanalen 86 voor stuumedium 90 en vacuumkanalen 88 bevinden.
De substraat uordt vervolgens naar transportsectie 98 gastuud, zie 20 tevens Figuur 5.
Het is uenselijk in verband net productiesnelheid en verbruik van medium, dat in de cabine 32 opvolgende substraten met vlakke zijden tegen elkaar liggen. De rangschikking van de stuukanalen en stuukracht van de stuumedia zijn dan ook zodanig gekozen, dat in de inlaatsectie de combina-25 tie van krachten op de substraat groter is dan in de uitlaatsectie.
l/erder is het van belang, dat de doorvoersnelheid van de substraten practisch gelijk blijft. Hiertoe bevindt zich in de transportsectie 98 een tueetal geleide-inrichtingen 100 en 102, uaarvan de aanslagnokken 104 opvolgend vodr de uit het uitlaatgedeelte 94 komende substraat uorden ver-30 plaatst, uaarna deze nokken, uaartegen deze substraat komt te rusten, met behulp van aandrijfmechanisme 106 over de transportbaan 108 in de richting van de overname-sectie 110 uorden verplaatst.
Na het veruijderen van de aanslagen beueegt de substraat met behulp van stuumedium 90 naar deze overname-sectie 110.
35 Vacuumblok 112 van transportmechanisme 114 transporteert vervolgens deze substraat naar een vrije ligplaats 116 van de cassette 118.
De lengte van zouel het inlaatgedeelte 84 als van het uitlaatgedeelte 94 van de cabine is daarbij groter dan de diameter van de substraat.
8103979 S I * - - 8 -
Verder be\/inden de toevoerkanalen zich in een gunstige opstelling ervan slechts in de middensectie van de segmenten. Ook wordt in deze inlaat- en uitlaatgedeeltes een overdruk aan gasvormig medium onderhouden.
Aldus funger8n de in deze in- en uitlaatsecties gebrachte substraten 5 als slot, welke verhindert, dat verontreinigde buitenlucht de cabine kan binnentreden, teruijl tevens wordt belet, dat een grate hoeveelheid gasvormig medium kan ontsnappen.
In de Figuur 6 is een langsdoorsnede over secties aangegeven, uaarin opvolgend spoelen, drogen,'. opbrengen van hechtmedium, drogen, opbrengen 10 van de eerste coating, drogen en harden, opbrengen van de tweede coating en drogen/harden plaats vindt.
In de Figuur 7 is een dwarsdoorsnede van deze cabine aangegeven met een zijaanzicht van een tweetal identieke stapelsegmenten 120, uaarin de kanalen 122 voor een gasvormig stuwmedium zijn opgenomen, zie tevens Figu-15 ren 8 en 9. Dit medium is bij voorkeur hoog voorgefilterde N2 met een fil-terfijnheid, welke minder dan 0.3 micrometer bedraagt, doch kan elk ander gasvormig medium zijn met meer of minder fijnfiltering.
In de cabine-bovenwand bevinden zich voor elk segment een tueetal toevoerkanalen 126 en 128 en uaarbij de plaatkanalen 130 en 132 daarmede 20 corresponderen. Deze kanalen staan in verbinding met het relatief ruime eerste spreidkanaal 134, uaarop een groot aantal uiterst nauuie aftakkana— len 136 uitmonden en uaardoorheen het medium gestuud wordt naar afzonder-lijke spreidkanalen 138.
Vanuit deze kanalen 138 kan het medium via het gemeenschappelijke 25 uiterst nauue kanaal 140 naar.de substraat 18 uorden gestuud.
De kanalen 136 hebben een aanzienlijk hogere dooxstroomueerstand voor het medium dan de spleten 142 en 144 tussen de opvolgende segmenten en de substraat bij een gemiddelde hoogte van deze spleet, zie tevens de Figuren 15 en 16.
30 Aldus wordt beuerkstelligd, dat elk afzonderlijk spreidkanaal 138 een nagenoeg constante hoeveelheid medium krijgt'toegevoerd en welke hoeveelheid nagenoeg onafhankelijk is van de hoogte van de spleten 142 en 144·
Indien nu tijdens de werking van de inrichting onder invloed van tem-peratuursveranderingen of andere oorzaak plaatselijk de spleet 142 groter 35 is dan spleet 144, zoals in de Figuren 15 en 16 is aangegeven, dan wordt automatisch in spleetsectie 148 een aanzienlijk hogere stuwdruk opgebouwd dan in spleetsectie 146 en zulks in toenemende mate bij toenemende spleet-vernauwing, waarbij tenslotte bij een uiterst geringe spleetbreedte de druk 8103979 £ * - 9 - in de spleetsectie 148 de hoge stuudruk in het eerste spreidkanaal 134 benadert.
In de andere, dan u/ijde spleetsectie 146 valt de druk door de zeer geringe doorstroomueerstand terug tot een zeer lage uaarde.
5 Aldus is een drukverschil van 2 ato of meer tussen de beide sec- ties 144 en 146 mogelijk met zodanig grote, op de substraat 18 uitgeoefen- de krachten, dat automatisch de substraat naar een positie wordt gebracht, waarbij de krachtu/erking door het verschil in stuu/druk overeenkomt met de plaatselijke eigen doordrukkracht van de substraat.
10 Alle media u/erken mede om de beide kussens 20 en 22 te onderhouden, terwijl verder de opbouu» van de stapelsegmenten aan ueerszijden van de sub_ straat 18 gelijk kan zijn. Tevens is de dikte van de stapelsegmenten gering 2 en u/el bij voorkeur 0.2-0.4 mm, zodat op elke cm substraat-oppervlak en op elke zijde van deze substraat 200 en meer afzonderlijke stuu/krachten van de 15 media uerkzaam kunnen zijn.
Door het onderhouden van minimale temperatuursverschillen aan meere— zijde van de substraat en het toepassen van substraten met een zeer geringe onvlakheid, u/elke kleiner is dan 1 micrometer, is het dan ook mogelijk om de gemiddelde u/ijdte van de beide spleten op minder dan 3 micrometer te 20 houden en zijn de beschikbare, van elkaar gescheiden krachten van de media op deze substraat ruim voldoende om een instelling van de spleten op deze gemiddelde uaarde te houden.
Treedt toch nog bij een toenemende temeratuur van de media een aan-merkelijk temperatuursverschil op, zoals in Figuur 16 is aangegeven, dan 25 vindt door een versterkte doarvoer in de u/ijde spleet van warms gassen en een verminderde doorvoer van zulke gassen door de nauue spleet automatisch aan zijde 150 van de substraat een grotere temperatuurstoename per tijdseen-heid plaats dan aan de andere zijde 152 met als gevolg, dat de doorgebogen substraat zich u/eer gaat strekken tot een evenu/ichtspositie is bereikt.
30 0m de uiterst nauu/e, bij voorkeur uitgeetste kanalen in de segmenten 118 en 120 tegen slijtage te behoeden, zijn deze bedekt met een laag slijtvast materiaal 154, welke daarop langs chemische ueg kan zijn neergeslagen, zie tevens Figuur 9. Daartoe kan gebruik gemaakt worden van elk daarvoor ge-schikt materiaal.
35 Tevens is daarbij van de aanliggende plaat 156 tenminste de gedeeltes, u/elke een zijuiand van deze kanalen vormen, eveneens voorzien van zulk een slijtvast materiaal en kan dit ook het geval zijn met de einden 158 en 160. van deze platen.
8103979 _ » - 10 - •De pakketten 162 en 164 zijn ingesloten in het cabine-bovenstuk 166 en hst cabine-onderstuk 168, zie tevens Figuur TO. De segmenten hebben geslepen en gepolijste zijkanten met een zeer grote vlakheid, nauukeurige evsnuijdigheid en haaksheid met uiterst nauue toleranties in hoogte en 5 breedte ervan.
In de zijujanden 170 en 172 van deze cabinedelen bevinden zich de ka— nalen 178, 180, 182 en 184, teruijl in de andere uandsectie naastde kanalen 126 en 128 nog een kanaal 136 kan zijn opgenomen.
Deze kanalen strekken zich over een bepaalde lengte van de cabine 10 uit en kunnen elk apart op een toevoer van medium of afvoer voor dit medium zijn aangesloten.
- Tegen de boven- en onderuanden van de cabine zijn opzij van deze kanalen de afdichtstrippen 188 aangebracht en u/aarbij in gemonteerde toestand van elk segment zulk een segment onder veerkracht tegen deze afdichtstrip-15 pen liggen.
In de zijuanden bevinden zich rondom de kanalen de groeven 174, waarin
bij voorkeur cirkelvormige afdichtstrippen 176 zijn opgenomsn, zie tevens A
Figuur 10 .
l/erder zijn op elk segment de pasvlakken 190 en 192 aangebracht en 20 uaarbij deze in gemonteerde toestand van de cabine tegen passtukken 194 en en 196 drukken en de hoogte van deze passtukken de spleet 198 tussen de .pakketten bepaalt.
Opzij van deze passtukken zijn de afdichtstrippen 200 en 202 aangebracht, zodat na het met behulp van de boutverbindingen 204 vastgezet zijn 25 van de cabinedelen de benodigde lekdichtheid van de cabine 32 verzekerd is.
In een andere uitvoering is het ook mogelijk am deze afdichtstrippen ueg te laten en verschaffen de passtukken- reeds een voldoende afdichting,
Binnen het kader van de uitvinding kunnen deze passtukken een aan-zienlijke omvang hebben en zich over de gehele lengte van de cabine uitstrek-30 ken, Verder kan daarbij elk van deze tuee cabinederen 166 en 168 uit samen-gestelde secties bestaan. Tevens kan ook het cabinebovenstuk 166 langs al dan niet hydraulische ueg en rechtgeleleidingen vanuit geopende stand voor inspectie van het inwendige van de cabine naar gesloten positie uorden ge-bracht, uaarbij dit bovenstuk onder grote kracht op het onderstuk 168 drukt. 35 Het is daarbij ook fflogelijk, dat de passtukken gedeeld zijn met een boven— en onderhelft en uaarbij in aangebrachte toestand van de tuee cabine-helften de pasvlakken op elkaar drukken, Tevens kan een gedeelte van elk van de cabinestukken 166 en 168 fungeren als passtuk.
8103979 +- * - 11 -
In de Figuur 11 is een segment 210 aangegeven, uiaarin een ruim vacuumkanaal 212 is opgenomen, zie tevens Figuur 12. De einden van dit kanaal corresponderen met de kanalen 178 en 182, uelke zich in de cabine-delen 166 en 168 bevinden. Dit kanaal 212 is via een groot aantal uitge-5 etste verbindingskanalen 214 verbonden met een ondiepe, uitgeetste uit-monding 216. Opstaande uandsecties zorgen daarbij voor een op een constants breedte houden van de kanalen 214 en 216.
In deze kanalen is uederom een vernauuing 218 aangebracht om een te gemakkelijk afvoeren van medium via zulk een kanaal te voorkomen. De door 10 deze vernauuing beuerkstelligde doorstroomueerstand is van groot belang voor de in de inrichting opgenomen hoogvacuumkanalen 334, zie Figuur 35 en 338, zie Figuur 38. Daarbij kan in de spleet tussen de substraat en het segmentengebied random de uitmonding van dit vacuumkanaal 214 een hoog vacuum uorden beuerkstelligd en onderhouden, teruiijl toch bij andere uitmondin— 15 gen van deze groep van kanalen zich geen substraatsectie behoeft te bevinden, zoals periodiek het geval is bij nagenoeg cirkelvormige substraten.
Zulks, omdat de doorstroombfeerstand in de vernauiuing 218 zo groot is, dat de toch al door de in de medium-toevoer opgenomen doorstroomtueerstanden beperkte medium-toevoer naar zulk een relatief open ruimte moeilijk door 20 zulk een vacuumkanaal 214 uordt ueggetrokken.
Aldus uiordt mede beuerkstelligd, dat in de gebieden met substraat-gedeeltes boven de uitmondingen zelfs een hoger vacuum uordt getrokken dan in de cabineruimte, uaarin zich geen substraatsectie bevindt.
In de Figuur 13 is het segment 220 aangegeven,*uaarin toevoer van 25 vloeibaar medium plaats vindt. Het daarin opgenomen hoofdkanaal 222 is daarbij met zijn uiteinde 224 verbonden met het kanaal 180 van de cabine— delen 166 en 168. Dit kahaal is via een aantal zaer nauwe kanalen 226 verbonden met afzonderlijke spreidkanalen 228, uelke op hun beurt verbonden zijn met het uiterst nauue gemeenschappelijke kanaal 230, zie tevens de 30 Figuur 14.
Daarbij zorgen een groot aantal kleine uandsecties 232 voor het op een constante breedte houden van dit kanaal 230, indien een naastliggende segment tegen dit segment drukt.
Ook deze kanalen zijn voorzien van een slijtvaste laag 234, hetgeen 35 eveneens het geval is met de daarmede corresponderende gedeeltes van het naastliggende segment.
Binnen het kader van de uitvinding kan het aantal kanalen 228 aan-merkelijk groter zijn en in opvolgende secties versprngen zijn opgesteld.
8103979 *1 * * - 12 -
In de Figuur 17 is een cabine 32’ aangegeven, u/aarbij slechts in hat ondergedeelte 168' ervan stapelsegmenten zijn aangebracht onder de vorming van diverse secties voor reinigen, drogen, spoelen, oven drogen en coating.
Het bovengedeelte 166’ van de cabine bestaat daarbij uit een geleide-5 plaat 236, uaarlangs de substraten 18 verplaatsbaar zijn,
Deze uitvoering is geschikt voor minder nauukeurige behandeling van de substraten of andere objecten.
In de Figuur 18 is de cabine volgens Figuur 17 tueer aangegeven, uaar-bij in het bovengedeelte 166' echter ook de droog, oven— en afkoelsecties 10 zijn opgenomen. Hierdoor uordt een kromtrekken van de substraten 18 als gevolg van te grote temperatuursverschillen vermeden.
Binnen het kader van de uitvinding kunnen de cabinedelen omgedraaid zijn en zijn soortgelijke uitvoeringen mogelijk.
In de Figuur 19 uordt het bovengedeelte van de cabine 321’* gevormd 15 door de draaitafel 238, uaarop een aantal vacuumhouders 240 zijn gemonteerd voor het erop vastzuigen van de substraten 18. In het ondergedeelte bevin-den zich dan uederom de sectie 242 voor de behandeling van de substraten.
Met behulp van έέη of meerdere hoogtestel-inrichtingen 244 per va-cuumhouder uordt daarbij de geuenste afstand van de substraat ten opzichte 20 van de in de secties opgenomen segmenten verkregen en onderhouden.
In de Figuur 20 is daarbij de vacuumhouder 240' onder krachtuerking van de drukveer 246 tegen de aanslagen 248 van de draaitafel 238' gedrukt.
De uit de secties 242’ stromende secties drukken de substraat nu over enige afstand tegen de uerking van de veer 246 in naar boven met het onder-25 houden van de geuenst uordende nauue spleet tussen de secties en de substraat 18,
In de Figuur 21 is sen langsdoorsnede van een gedeelte van de ingang 80 en een reinigingssectie 34 aangegeven. De doorgang uordt gevormd door de tuee eindpakketten 256, uaarin meerdere toevoerkanalen 86 voor gasvormig 30 medium 90 en afvoerkanalen 88 zijn opgenomen. De door spleten 42 en 44 stromende gassen onderhouden daarbij gaskussens 258 en 260 en dragen tevens bij aan de stuukracht, uelke op de substraat 18 in de beuegingsrichting ervan uordt uitgeoefend.
\/ervolgens is tussen opvolgende segmenten 12 sen groot aantal combi-35 naties van toevoerkanalen 262 voor al dan niet uarm vloeibaar reinigings-medium 264, toevoerkanalen 266 voor gasvormig medium 268 en tussenliggende afvoerkanalen 270 opgenomen, zie tevens Figuren 22 en 23.
Het via kanaal 262 onder hoge stuudruk toegevoerde reinigingsmedium 8103979 % - 13 - 264 korot al wervelend stromend in spleetsectie 272 naar hat vacuumkanaal 270 in heftige beroering met het substraat-opparvlak 274, waardoor zich daarop bevindende verontrexnigingen warden losgslaten en in de stroom. worden medegenomen.
5 De via kanaal 268 toegavoarde gassen stroman in tegengestelda rich- ting via splaatsactie 276 eveneens naar hat vacuumkanaal 270 en drijven daarbij hat rainigingsmedium van'de substraat af en naar dit afvoerkanaal.
Na hat passeren van aen groot aantal combinatias zijn alle verontrei-nigingen van het substraat-oppervlak 274 verwijderd.
10 In Figuur 24 is aangageven, hoa da substraat 18 vervolgens in aen droogsactie 36 terecht komt, uelke sectie bestaat uit aen stapelpakket 286, waarbij aen aantal combinatias. van tussen opvolgende segmenten opgenomen toavoarkanalan 278 voor het gasvormige medium 280 an vacuumkanaal 282 zijn opgenomen· 15 Droging»van de substraat 18 vindt plaats met behulp van de in spleet— sectie 284 erlangs strijkende, bij voorkeur warme stroom gas 280, welke in hat toevoerkanaal op circa 100° C wordt gehouden.
Het stapelpakket 286 kan ook deel uitmaken van de spoelsectie 38, waarbij via da kanalen 262 een stroom spoelmedium 288, zoals geda-ionisaard 20 water, alcohol of verdunning. wordt gestuwd.
In de Figuren 25 en 26 is ean andere groapering van in de reinigings-sactie 34 of spoelsectie 36 opgenomen kanalen 262', 266’ an 270’ aangege-ven. Daarbij stroman da ingebrachte gassen 268 via spleet 290 naar het af— voarkanaal 270'en het via toevoerkanaal 262' onder lags druk tosgevoerd 25 reinigingsmedium 264 of spoelmedium 288 in de gasstroom wordt gestuwd.
De in deze spleet 290 langs het substraat-oppervlak 274 wervelende, al dan niet warme gasstroom met verstovan, al dan niet verwarmde reinigings— vloeistof zargen daarbij voor een goede verwijdering van verontrexnigingen van dit oppervlak· 30 Binnen het kader van de uitvinding zijn andere rangschikkingen van da kanalen mogelijk, zoals de combinaties van uitsluitend toevoerkanaal voor vloeibaar medium en vacuumkanalen. Daarbij mogelijk slechts in het laatste gedeelte van deze sectie dan de toepassing van toevoerkanalen voor gas-vormig stuwmedium.
35 In de Figuur 27 is aangegeven, hoe het einde 292 van de substraat 18 zojuist de tegenover elkaar liggende afvoerkanalen 262 is gepasseerd en hoe het reinigings- of spoelmedium 264/288 slechts in zeer beperkte mate op de zijkant 294 van deze substraat terecht kan komen.
8103979 * t » * - 14 - in Figuur 28 is het sinde 292 van ds substraat voorbij de tegenover elkaar liggande toevoerkanalen 266 voor gasvormig medium 268 gekomen en uaarbij dezs gasstromen terecht komen in de cabineruimte 296, uaarin een onderdruk heerst om daaruit uederom via vrij gekomen vacuumkanalen te uor-5 den afgevoerd.
Doordat het uiterst nauue oabine-gedeelte ter plaatse van deze rei-niging- en spoelsectie verder geen zich verplaatsend deel bevat en de media zelfs plaatselijk de cabine-zijuand mogen bedekken, kunnen het rei-nigingsmedium 264 en spoelmedium 288 ook onder zeer hoge druk naar de 10 substraat 18 uorden gestuud, zoals in Figuur 29 is aangegevsn. Deze me- thode is zeer doeltreffend om de in de substraat 18 aangebrachte kuilen 298 te reinigen of schoon te spoelen.
In Figuur 30 is een gedeelte van de ovensectie 50 aangegeven, uaarbij via tegenover elkaar liggende toevoerkanalen 300 uarm tot zeer warm gas-· 15 vormig medium 302 naar de substraat 18 uordt gestuud, in de spleten 304 en 306 door uarmte-overdracht opuarming van de substraat via het erlangs stromende gas plaats vindt en vervolgens via afvoerkanalan 308 afvoer van deze gassen plaats heeft. Oe ovensectie bestaat daarbij uit een groot aantal van deze toe- en afvoerkanalen.
20 . De opuarming van de substraat geschiedt zeer geleidelijk en aan tuee zijden tegelijk met minimale temperatuursverschillen. Daarbij de gebruikma-king van de In Figuur 7 aangegeven segmenten 118 en 120 voor het verkrijgen van een zeer groot aantal van nagenoeg van elkaar gescheiden gasstromen naar de substraat om mede de in de Figuren 15 en 16‘ aangegeven spleetver-25 anderingen te miniceren,
De gassen zijn reeds buiten de cabins op de hoge temperatuur gebracht, Het is echter ook mogelijk, dat een gehele of gedeeltelijke opuarming van gassen in de cabine plaats vindt.
In de Figuren 31 en 32 is daartoe in segment 310 van isolatiemateri-30 aal een veruarmingsspiraal 312 opgenomen en uaarbij aan ueerszijde van dit segment de segmentdelen 314 en 316 zijn gelijmd. Ook kan zulk een spiraal rechtstreeks in een uitsparing van een metalen segment geisoleerd zijn opgenomen.
De uarmte-overdracht naar de substraat is zeer efficient en vindt 35 zeer snel plaats, doordat het volume van de substraat veelal zeer gering is door zijn minimale dikte. Verder treffen de uarme gassen door de uerve?· lingen ervan rechtstreeks al het achtergebleven vocht op de substraat,
Aldus kan zelfs in een fractie van een seconde zulk een plaatselijke 810397» - 15 - opuarming van de substraat plaats vinden.
Ooordat de temperatuurstoename van de substraat aan tu/ee zijden plaats vindt met geen of toelaatbaar geringe vervormingen van. deze substraat kar» het voorgedeelte van de substraat reeds deze ovensectis hebben gepassserd, 5 het middengedeelte zich in deze ovensectie bevinden, teruijl het achterge-deelte zich nog in de spoelsectie ophoudt, zoals in de Figuur 2 is aange-geven.
Aldus zijn de afmetingen van de inrichting 10 in ds beuegingsrichting van de substraten zeer beperkt, mede omdat de secties veelal geen grotere 10 lengte dan 2-5 cm hebben.
Oe afkoelsectie 52, zie Figuur 32, bestaat uit hetzelfde pakket als die, ii/elke in de droogsectie 36 volgens Figuur 24 is opgenomen en uaarbij de langs de substraat stromende gassen voor een geleidelijke, doch zeer snelle plaatselijke afkoeling van de substraat zorg dragen.
15 In de Figuur 33 is een gedeelte van de hechtvloeistofsectie 42 aange— geven. Via kanaal 318 vindt toevoer van zulk een hechtvloeistof 320 plaats en stroomt deze in spleetsectie 322 langs de substraat naar het afvoerka-naal 324.
Ook hier uordt het van de substraat veruijderen van het teveel aan 20 hechtvloeistof verkregen met behulp van de via kanaal 326 en spleetsectie 328 naar het afvoerkanaal 324 gestuude gasvormige medium 330.
De hechtvloeistof dient om een goede hechting van de vervolgens aan te brengen coating op het substraat-oppervlak te verkrijgen. Deze hechtvloeistof als adhesie-promoter kan eventueel een verdunning voor deze coa-25 ting zijn. Verder bestaat deze sectie al dan niet uit een aantal van deze combinatie van kanalen.
In de Figuur 34 zijn de kanalen anders gegroepeerd met achtereenvol— gens toevoerkanaal 318* voor de promoter, toevoerkanaal 326' voor het gas-vormig medium en het afvoerkanaal 324’. Daarbij een zich in de richting van 30 het afvoerkanaal veruijdende spleetsectie 332.
0m een doeltreffende opbrenging van deze vloeistof op een geprofi-leerd oppervlak van de substraat te bewerkstelligen zonder insluiting van gasdelen, is het mogelijk om de in Figuur 35 aangegeven sectie 42" toe te passen. Daarbij uordt telkenmale voor het via kanaal 318" opbrengen van 35 vloeistof 320 op de substraat 18 met behulp van het hoogvacuumkanaal 334 • een zeer hoog vacuum in de spleetsectie 336 getrokken.
De vloeistof is nu in staat om alle kuilen in het substraat-oppervlak op te vullen en uaarbij met behulp van een via kanaal 326" bij voorkeur uarm e 8103979 ·** - 16 - stroom. gas 328 uitdrijven van verwijderbaar vloeibaar mrdium an opdrogen van de nog op de substraat achtergableven film van daze vloeistof.geschiedh Hat is daarbij mogelijk, dat zulk een extra kanaal 334 zich tevens als hoogvacuumkanaal- na kanaal 326 of 326” bevindt voor het verder onttrekkan 5 van verdunning, uelke dan door da hoge onderdruk in dampvormige toestand is gebracht.
In de Figuren 36, 37 en 38 is de eerste coatingsectia 46 aangegeveh.
De combinatie van kanalen bestaat hierbij opvolgend uit: hoogvacuumkanaal 338, kanaal 340 voor toevoer van coating 342, afvoerka— 10 naal 344 en kanaal 346 voor toevoer van al dan niet warm gasvormig medium 348. Vervolgens al dan niet ueer een hoogvacuumkanaal 338.
In de spleetsectie 350 uordt door het hoogvacuumkanaal 338 een hoog vacuum getrokken, uaardoor in de kuilen 352 van de substraat 18 geen of nagenoeg geen gasvormig medium meer is achtergebleven* 15 De via kanaal 340 toegevoerde coating 342 vult nu deze kuilen zonder insluiting van een of ander medium, hetgeen van het grootste belang is voor een uiteindelijk regelmatige film van coating. De coating vult tevens de gshele spleetsectie 354 tot aan het vacuumkanaal 344·
Het via kanaal 346 toegevoerde gasvormige medium 348 stroomt in tegen-20 gestelde richting via spleetsectie 356 naar dit afvoerkanaal onder afstro— ping vanaf het substraat-oppervlak 358 van het teveel aan coating. Deze afstroping van coating uerkt samen met het micro-meniscus effect van de coating 342, uelke als kolom zich langs de u/andsectie 360 van het afvoerkanaal 344 verplaatst en door het vacuum in dit kanaal van de substraat en 25 uit spleetsectie 354 uordt getrokken. Daarbij uordt door seze kolom coating een trekkende cohesie-krachtuerking uitgeoefend op de dunne coating laag, uelke op de substraat is achtergebleven·
Afhankelijk van de viscositeit van de coating blijft daarna een meer of minder dikke laag coating op de substraat achter. Zo zal bij een hoog va-30 cuum in kanaal 344 en een zeer lage viscositeit van de coating ook in de
A
kuilen slechts een zeer dunne film coating achterblijven, zie Figuur 37 ·
Deze coatingsectie 46 is gecombineerd aangegeven met de daarop volgen-de droog-, oven- en afkoelsecties 48,50 en 52. De aantallen combinaties van kanalen kunnen daarbij varieren naar gelang de behoefte aan droging en har-35 ding van de op de substraat gebrachte laag coating. Door ook hierbij warm gasvormig medium toe te passen, uaardoor vooral een zeer dunne film coating zeer snel uordt veruarmd en een hoog vacuum toe te passen in de afvoerkana-len met door sterke verlaging van het kookpunt van de verdunning in de 8103979 - 17 - coating uordt dezs verdunning zeer versneld uit da film coating verdampt. an afgezogen* Aldus uordt sen uiterst snelle droging van da film coating verkregen.
In de daarop volgende tueede coatingsectie 54 met identieke vacuum-, 5 toe— en afvoerkanalen vindt de opbrenging van een tueede laag coating plaats, uaarna uederom in de daaropvolgende secties' 56, 58 en 60 met be— hulp van toegevoerd gasvormig medium droging, harding en afkoeling van de opgebrachte tueede laag coating geschiedt·
In Figuur 39 is nog uederom een andere uitvoering 46* van de coating-10 sectie aangegeven, uaarbij via kanaal 362 een verdunning 364 voor de coating 342 in al dan niet dampvormige of vernevelde toestand naar de stroom gasvormig medium 348 uordt geleid, uelke door spleetsectie 356* naar bet af-voerkanaal 344’ stroomt. Oeze verdunning, uaarvan een voldoende hoeveelheid in gecondenseerde vorm al dan niet als film op de coating kan inuerken, 15 helpt daarbij mede om van de toplaag van de op de substraat aangebrachte coating dan sterk verdunde coating af te stropen*
In Figuur 40 zijn opvolgende coatingsecties 46, 54, 62 en 366 aangegeven met telkenmale daarop volgende droog-, oven en afkoelsecties. Daarbij de al dan niet toepassing van extra verdunning in de stroom bij voorkeur uarme 20 gasvormig medium.
Het is mogelijk om met behulp van coating met een hoge viscositeit een volledige vulling van de in de substraat aanuezige kuilen te beuerkstelli— , , . . λ.Α, B, C, D, E .
gen, hetgeen xn de Fxguren 41 9 9 7 9 xs aangegeven.
A
In de Figuur 41 is de kuil 368 voorbehandeld en is deze in een va-25 cuumgebied terecht gekomen.
In sectie 46 heeft de opbrenging van de eerste laag coating 370 plaats
B C
gevonden, zie Figuur 41 , in sectie 54 de tueede laag 372, zie Figuur 41 , in sectie 64 de derde laag 374 bovenop de tueede laag, zie Figuur 41^ en in sectie 366 de vierde laag 376 op de derde laag, zie Figuur 41^.
30 Hierdoor is zulk een kuil uiteindelijk geheel gevuld geraakt met de coating en is een nagenoeg glad oppervlak van de coatingfilm op de substraat 18 verkregen.
De uiterst dunne filmen coating uorden vooral ook bereikt door een zeer lage snelheid van het gasvormig medium in de spleet, een zeerlage vis-35 cositait van de coating en de toevoer van verdunning 364, uelke medehelpt om coating van de toppen van het substraat-oppervlak te veruijderen. Het aantal lagen kan daarbij zelfs nog aanziehlijk grater zijn met de dan uiterst korte droogtijden per laag, uelke minder dan een seconde kunnen bedragen.
8103979
», * I
- 18
Ook kan door toepassing van coating met een zeer lage viscositeit , hoogvacuumkanalen en al dan niet aparte toevoer van verdunning in zulk een kuil de uiteindelijke film coating zeer gelfjkmatig op de wanden van deze kuil zijn aangebracht.
5 In de Figuur 42 is de inrichting 10 nog voorzien van een op deze coatingsecties volgende coatingsectie 378, waarbij op de vierde laag 376,
A
zie Figuur 43 , een uiterst dunne coatinglaag 380 is aangebracht, zie Figuur 43®.
Aldus is het mogelijk om over een trajectlengte van slechts 20-40 cm 10 op de substraat een groot aantal opvolgende coatings aan te brengen.
Door het daarbij de dikte van elke apart opgebrachte film coating uiterst dun te houden en wel mogelijk slechts 0.2 micrometer of minder en vervol-gens droging en harding te bewerkstelligen, kan een perfects eindfilm wor-den oerkregen, waarvan de kwaliteit en homogeniteit veel hoger is dan bij • 15 de bestaande installaties, omdat: 1. geen verontreinigingen meer in de coating aanuezig zijn; 2. geen massale ontsnappingen van in de coating ingesloten lucht- of gas— delen mogelijk zijn? en 3. de ontsnappingsweg voor het tijdens het drogen en harden uit de coating 20 verdampte verdunningsmedium .veel korter is,
Tevens is de prijs van de installatie en van het aanbrengen van de coating slechts een fractie van die bij de bestaande installaties. Ook heb-ben de uiterst critische substraten voor de micro-electronica vooral in de micrometer dikte voor de aan te brengen coating een veel geringere uitval.
25 In de Figuur 44 is een coatingsectie 46'’ aangegeven, uiaarbij de ver dunning reeds voordien in vernevelde of dampvormige toestand in het gasvor-mige medium 348 is gebracht. Tijdens het strijken van dit met verdunning ver-zadigde medium over da opgebrachte coating, zie tevens Figuur 45, wordt de toplaag van deze coating verdund en kan deze nabij de uitmonding van het 30 afvoerkanaal 344" worden verwijderd.
In de Figuur 46 is een coatingsectie 46,M aangegeven, uiaarbij via ka-naal 382 water of andere niet verdunnende vloeistof voor de coating wordt gestuwd naar spleetsectie 356" 1 en deze vloeistof als uiterst dunne film 384 op de reeds aangebrachte coatinglaag 342- neerslaat en mede met behulp 35 van het gasvormige medium 348 naar het afvoerkanaal 34411’ wordt gestuwd en gezogen, zie tevens Figuur 47. Deze film helpt daarbij om bewBgend als mas-sieve laag over de opgebrachte coatinglaag 386 coating van deze laag te verwijderen.
8103979 - 19 -
Sinner) het kader van de uitvinding zijn nog andere varieties in de kanalen van de coatingsectie magelijk.
In de Figuur 48 is in de inrichting een sectie 388 opgenomen, uaarbij een ontuikkelingsvloeistof naar en over da substraat 18 uordt geleid* In 5 deze sectie uordt gebruik gemaakt van een aantal opvolgende gelijke of na-genoeg gelijke combinaties van kanalen. Zulk een combinatie bestaat daarbij opvolgend uit een hoogvacuumkanaal 338, kanaal 390 voor de toevoer van ont— uikkelingsvloeistof 392, een tueetal kanalen 394 en 396 voor het toevoeren van gasvormig medium 398 en afvoerkanaal 400. Aan de bovenzijde van de ca- * 10 bine zijn soortgelijke combinaties opgenomen met het stuuen van ontuikke-lingsvloeistof of ander medium naar de substraat 18*
De combinatie van gasvormig medium en ontu/ikkelingsvloeistof stroomt in de spleetsectie 402 al u/ervelend langs het substraat-oppervlak# Door het getrokksn vacuum vullen de kuilen 404 van deze substraat geheel met deze 15 vloeistof en uervelt daarin mede door de erop uitgeoefende stuukracht*
Verder draagt het onder hoge druk in de spleetsectie 406 gestuu/de gasvormige medium zorg voor een verdere zeer sterke uerveling van deze vloeistof en vooral in de kuilen 404#
Door het opvolgend telkenmale herhalen van de cyclus uordt tenslotte 20 een volkemen veruijdering van veruijderbare coating van de substraat verkre— gen* Hierdoor is een bijzonder doeltreffende veruijdering van ueg te uassen, .oplosbaar positief of negatief photo gevoelige coating materiaal mogelijk geuorden, uelke met geen bestaande installatie op zo'n grondige uijze kan geschieden* 25 In de Figuur 50 is nog uederom een detail van de uitmonding 408 van het kanaal 388 voor de ontuikkelingsvloeistof 390 aangegeven, uaarbij deze ontuikkelaar in vloeibare of vernevelde toestand onder zeer hoge druk en hoge snelheid naar de substraat uordt gestuud. Ook kan een stroom gasvormig medium als drager fungeren voor deze ontuikkelingsvloeistof in al dan niet 30 vernevelde toestand*
In deze uitmonding is een vernauuing 410 aangebracht met vervolgens een veruijding 412. Als gevolg daarvan vindt zelfs een nog snellere en doeltref-fender uituassen van veruijderbare coating uit de kuilen 404 plaats*
Qmdat ook hier de uiterst nauue cabinesectie geen enkel beuegend deel 35 bevat mag de van tuee zijden op de substraat gestuude media deze cabinesectie als uolk geheel vullen. Een volgende sectiegedeelte 414, zie tevens Figuur 48, bevat dan uederom een aantal combinaties van toevoerkanalen 416 van gasvormig medium 418 en vacuumkanalen 420 voor het veruijderen van deze uolk* 8103979 -20-.
A
Γη de Figuur 51 is zulk sen uolk van ontwikkelingsvloeistof 390 sn gasvormig medium 398 in de cabinesectie 422 aangegeven, na het passeren van het toevoerkanaal 390 door de substraat 18 en is deze molk bezig zich te verplaatsen naar reeds vrij gekomen afvoerkanalen.
B
5 In de Figuur 51 is getoond, hoe deze molk verder met bahulp van toegevoerd gasvormig medium 418 naar het hoogvacuumkanaal 420 uiordt ge-stumd·
Na het doorlopen van deze sectie komt da substraat terecht in een spoelsectie, maarin mederom έέη of meerdere combinaties van kanalen voor 10 toe- en afvoer van dit spoelmedium zijn opgenomen*
In Figuur 52 is een sectie 424 van de inrichting aangegeven, uiaarin een dopant als vloeistof of als gasvormig medium onder zeer hogs druk naar de substraat uordt gestumd en zulks uederom aan tuiee zijden van de sub— straat 18. Via kanaal 426 wordt dopant 428 naar deze substraat gestumet’en 15 merkt daarbij in de spleetsectie 430 in op het oppervlak van de substraat gedurende de ueg ervan naar het afvoerkanaal 432.
Ook hier mederom bij voorkeur eerst het met bahulp van een niet aangege— ven hoogvacuumkanaal megzuigen van gas of lucht. Verder vindt via kanaal 434 toevoer van een gasvormig medium 436 plaats voor het in spleetsectie 438 20 zoveel als nodig vermijderen van residue dopant 440 van het substraat-opper— vlak en zulks vooral uit de kuilen 442. Dit gasvormig medium helpt daarbij mede om in de uitmonding van het afvoerkanaal 432 de afvoer van dopant naar dit kanaal te doen plaats vinden.
Deze combinatie kan zich in de sectie opvolgend herhalen. Tevens kan 25 na kanaal 434 wederom een hoogvacuumkanaal zijn opgenomen.
In de Figuur 53 is nog uederom een alternative uitvoering 424’ van deze sectie aangegeven. Daarbij in de boven- en onderhelft van de cabine de her— haalde combinatie van hoogvacuumkanaal 444, kanaal 426* voor toevoer van dopant 428, een 4-tal kanalen 446, 448, 450 en 452 voor gasvormig medium 30 436 en een hoogvacuum afvoerkanaal 454.
In de zich in de richting van het afvoerkanaal veru/ijdende spleetsectie 456 uordt dopant in heftige beroering gehouden en uerkt aldus in zeer ster— ke mate in op het substraat-oppervlak. Zulks in het bijzonder boven de uit-mondingen van de kanalen van het gasvormige medium.
35 Indien uitsluitend aan ύέη zijde van de substraat dopant in aanraking met de substraat mag komen, dan kan aan de andere zijde can de substraat media uorden toegepast, uelke een nagenoeg gelijk stuui-effect hebben, zodat aldus aan ueerszijden van de substraat een mediakussen uiordt onderhouden.
8103979 - 21 -
Ds dopantsectie kan onder andere zijn opgenomen in een inrichting met tenminste de opvolgende sectias : toevoer· ,ontwikkelingsvloeistof, spoelmedium, droger, dopant, oven en afvoer.
5 Als dopant kan onder meer arsenicum en fosfor warden toegepast mat de toevoer van nauukeurige volumes per tijdseenheid onder al dan niet hoge druk.
Een van de voren omschreven medium-opbrengsystemen is ook te ge— bruiken voor plasma etsen, magnetron sputtering $n het opbrengen op de 10 substraten van silicon nitride. Tavens kan in de inrichting tenminste Μn sectie zijn opgenomeb, uaarin belichting van de substraten via een masker plaats kan vinden.
In Figuur 54 is nog een cabins 460 met draaitafel 462 aangegeven, en uaarbij op deze tafel de opvolgende vacuumhouders 464 zijn opgenomen voor het 15 erop vastzuigen van substraten 18, 0m een zo goed mogelijk vastzuigen te verzekeren, is het noodzakelijk om de substraten aan de zijde van vastzuiging zo grondig mogelijk te reinigen.
Dit geschiedt nu in het toevoerstation 466, uelke eveneens een ca— bine 468 en draaitafel 470 bevat en uaarbij in een reinigingsectie 472 het 20 reinigen van dit oppervlak plaats vindt met het reinigingssysteem volgens de uitvinding en in sectie 474 uederom droging van de substraat plaatsvindt.
8103979

Claims (115)

  1. 2. Inrichting, uiaarin de uerkuijze volgens Conclusie 1 is opgenomen, met het kenmerk, dat deze een nauue doorvoer voor substraten bevat en uiaarbij aan tenminste 66n zijde van deze doorvoer in de richting ervan op-volgende mon’itukken voor toe- en afvoer van medium in een pakket van sta- 15 pelsegmenten zijn opgenomen,
  2. 3, Inrichting volgens Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat de substraten zich er rechtlijnig doorheen kunnen beuegen, in de middensectie zich een over de gehele lengte ervan uitstrek-kende doorvoer voor deze substraat bevindt en tenminste I6n zijde van deze 20 doorvoer gevormd wordt door de eindvlakken van een aantal,in de richting van deze doorvoer naast elkaar gelegen stapelsegmenten, 4* Inrichting volgens Conclusie 3, met het kenmerk, dat van een aan-tal segmenten in tenminste 66n zijuand ervan uitsparingen zijn opgenomen odder de vorming van tenminste eln toe- of afvoerkanaal voor medium,
  3. 5. Inrichting volgens Conclusie 4, met het kenmerk, dat daarbij ten minste een deel van de zijuand van deze kanalen gevormd uordt door een ter-plaatse op de segmenten opgebrachte laag hard materiaal.
  4. 6, Inrichting volgens Conclusie 5, met het kenmerk, dat daarbij de gehele segment bedekt is met sen opgebrachte laag hard materiaal. 30 7, liJerkuijze volgens de Conclusie 1,. met het kenmerk, dat daarbij, ge- zien in de beuegingsrichting van de substraat, via opvolgende mondstukken voor combinaties van toe- en afvoer van media mediumkussens uorden onderhouden tussen tenminste een deel van deze mondstukken en de substraat,
  5. 8, Inrichting, uaarin de uerkuijza volgens Conclusie 7 uordt toegepast, 35 met het kenmerk, dat mondstukken van opvolgende combinaties van toe- en afvoer van media zijn opgenomen in een stapelpakket, uelke in de richting van de doorvoer voor de substraten gestapeld is,
  6. 9, Inrichting volgens Conclusie 8, met het kenmerk, dat daarbij het 8103979 - 23 - stapelpakket zich uitstrekt van da toevoersectie voor da substraten tot de afuoersectie voor daze substraten· 10. li/erkwijze volgans Conclusie 7, met het kenmerk, dat daarbij de mediumkussens zodanig zijn geformeerd en blijven gehandhaafd, dat tanminsta 5 aan Sin vlakke zijde van deza substraten de middensactie ervan vrijblijft van aanraking met de segmentsecties rondom deze mondstukken*
  7. 11· Inrichting, waarin de uerkwijze volgens Conclusie 10 wordt toege-past, met het kenmerk, dat daarbij in meerdere van deze segmenten alle daarin opgenomen mondstukken via een aantal van elkaar gescheiden kanalen 10 in zulk een segment verbonden zijn met een gemeenschappelijk kanaal, welke eveneens in zulk een segment is opgenomen.
  8. 12. Uerkwijze volgens Conclusie 10, met het kenmerk, dat daarbij de toevoer van media naar deze mondstukken zodanig sterk is, dat deze toevoer niet door een passerend substraatgedeelte kan warden onderbroken· 15 13· Inrichting, waarin de uerkwijze volgens Conclusie 12 wordt toege- past, met het kenmerk, dat tenminste voor media, welke tenminste dienst doet voor het onderhouden van de mediumkussens, in tenminste elk toevoer-kanaal ervoor een vernauwing is opgenomen.
  9. 14. Inrichting volgens Conclusie 13, met het kenmerk, dat daarbij van 20 deze vernauwing de doorstroomweerstand groter is dan die van de g'pleet- ruimte opzij van de substraat tussen de opvolgende mondstukken van toe- en afvoerkanalen by een gemiddelde hoogte van deze spleetruimte.
  10. 15. Uerkwijze volgens Conclusie 10, met het kenmerk, dat daarbij verder de mediumkussens zodanig zijn geformeerd en blijven gehandhaafd, dat aan 25 deze zijde over de gehele lengte van de doorvoer tussen toe- en afvoersec-tie het gehele vlakke substraat-oppervlak vrijblijft van aanraking ervan met de uanden van de opvolgende segmenten·
  11. 16. Uerkwijze volgens Conclusie 15, met het kenmerk, dat daartoe in tenminste iin segment via een aantal naast elkaar gegroepeerde en van el- 30 kaar gescheiden kanalen toegevoerd medium zorg draagt voor een aantal in dwarsrichting van de toevoer aan elkaar grenzende mediumkussens·
  12. 17. Inrichting, waarin de uerkwijze volgens Conclusie 16 wordt toege-past, met het kenmerk, dat in tenminste Sen stapelsegment naast elkaar ge-legen, van elkaar gescheiden aftakkanalen zijn opgenomen, welke aan de ene 35 zijde ervan verbonden zijn met een eveneens in dit segment opgenomen gemeenschappelijk toevoerkanaal en aan de andere zijde ervan verbonden zijn met tenminste Sen mondstuk.
  13. 18. Uerkwijze van de inrichting volgens Conclusie 17, met het kenmerk, 8103979 - 24 - dat daarbij in zulk een segment op de toevoerzijde van elk van dezs aftak-kanalen een tenminste nagenoeg gelijke stuwdruk staat*
  14. 19· Inrichting volgens Conclusie 17, met het kenmerk, dat in elk van deze aftakkanalen een doorstroomueerstand is opgenomen, uelke tenminste 5 nagenoeg gelijk is aan die van de af te leggen ueg voor het medium langs de substraat tussen de opvolgende mondstukken van toe- en afvoer bij e^n gemiddelde spleetuijdte voor deze ueg.
  15. 20. Inrichting volgens Conclusie 19, met het kenmerk, dat daarbij deze doorstroomueerstand zodanig groot is, dat bij een nagenoeg door een sub-10 straat versperde uitmonding van zulk een toevoer de stuudruk in dit mond-stuk groter is dan 0«5 ato·
  16. 21· Inrichting volgens Conclusie 19, met het kenmerk, dat de seg-ment-opbouu verder zodanig is, dat deze mondstukken in het segment zelf reeds in open verbinding met elkaar zijn, 15 22, liJerkuijze volgens Ιέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij over tenminste een gedeelte van de doorvoer voor de substraten aan ueerszijde van deze substraten mediumkussens uorden onderhouden tussen opvolgende mondstukken van toevoerkanalen en deze substraten· 23« liJerkuijze volgens Conclusie 22, met het kenmerk, dat daarbij de 20 resulterende krachtuerking van de media op de substraat ter plaatse van deze kussens zodanig is, dat gezien in de beuegingsrichting van deze substraat tenminste de middensecties van de beide vlakke zijden van de substraat vrij blijven van aanraking ervan met segmentuanden rondom deze mond— stukken· 24. liJerkuijze volgens Conclusie 23, met het kenmerk, dat aan ueerszijde van de substraat de mediumkussens zodanig zijn geformeerd en uorden instand gehouden, dat ter plaatse beide vlakke substraatzijden vrij blijven van aanraking ervan met de segmentuanden rondom deze mondstukken,
  17. 25, Werkuijze volgens Conclusie 24, met het kenmerk, dat daartoe de 30 krachtuerking van zulk een mediumkussen op een substraat—zijkantsectie zodanig toeneemt bij een verminderde afstand tussen deze substraat en het mondstuk van het corresponderende stuukanaal voor dit medium, dat tenminste een minimum kussen-hoogte gehandhaafd blijft,
  18. 26, Inrichting, uaarin de uerkuijze volgens 66n der voorgaande Conclu-35 sies uordt toegepast, met het kenmerk, dat daarbij aan ueerszijde van de doorvoer voor de substraten in de richting van deze doorvoer opvolgende mondstukken voor toe- en afvoer van media zijn opgenomen·
  19. 27, Inrichting volgens Conclusie 26, met het kenmerk, dat daartoe 8103979 - 25 - aan weerszijde van de doorvoer de opstelling van mondstukken tenminste na-genoeg galijk is, 28, liierkwijze voor de inrichting volgans Conclusie 26, met het kenmerk, dat daarbij verder voor daze opstellingan van mondstukken tenminste 5 voor het grootste gedeelte ervan dezelfde of nagenoeg dezelfde gasvormige media worden toegepast,
  20. 29, Werkwijze volgens Conclusie 28, met het kenmerk, dat de inrichting * verder zodanig is uitgevoerd, dat een dichter bij de mondstukken terecht- gekomen substraatsectie een geringere afvoer van de media veroorzaakt met 10 toenemende druk op zulk een substraatsectie, terurijl de tegenoverliggende, dan verder van mondstukken veruiijderd geraakte substraatsectie een grotere afvoer van media veroorzaakt met een afnemende druk op zulk een sectie,
  21. 30, Uerkuijze volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de temperatuur van zulk een medium, gestuu/d naar έέη zijde van * 15 de substraat, tenminste nagenoeg gelijk is aan die van het medium, u/elke tegen de tegenover gestelde zijde van de substraat tiiordt gestuuid,
  22. 31, Werkwijze volgens έέη der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de tempsratuur van het gasvormige medium aan de zijde van de substraat, waarop de coating wordt aangebracht, in geringe mate hoger is dan 20 die van het gasvormige medium, welke naar de andere zijde van de substraat uiardt gestuwd, 32, li/erkujijze volgens Conclusie 28, met het kenmerk, dat daarbij dezelfde soort kussens van gasvormig medium tegenover elkaar liggen,
  23. 33, Werkwijze volgens Conclusie 28, met het kenmerk, dat bij het via 25 έέη of meerdere mondstukken opbrengen op έέη vlakke zijde van de substraat van vloeibare coating, aan de andere zijde van de doorvoer via identiske mondstukken de verdunning voor deze coating of ander vloeibaar medium naar de andere substraatzijde wordt gestuwd.
  24. 34, Werkwijze volgens de Conclusie 22, met het. kenmerk, dat zoals daar-30 bij aan έέη zijde van de substraat medi'umkussens met een microhoogte ervan warden onderhouden, aan de andere zijde van de substraat kussens van gas— vormig medium worden onderhouden met een aanzienlijk grotere hoogte ervan,
  25. 35, Werkwijze volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat zoals daarbij aan έέη zijde van de substraat mediumkussens worden onderhouden, deze sub- 35 straat aan de andere zijde ervan over tenminste een gedeelte van de in de inrichting af teleggen weg langs een gladde geleidingswand beweegt,
  26. 36, Inrichting, waarin de uterkwijze volgens Conclusie 35 is opgenomen, met het kenmerk, dat daarbij έέη zijde van de doorvoer bestaat uit een pakket 8103979 - 26 - segmenten voor het onderhouden van mediumkussens en da andere zijda van deze doorvoer voor tenminste een gedeelte ervan gevormd wordt door een gladde geleidingswand·
  27. 37. Uerkwijze volgens Conclusie 1, met het kenmerk, dat zoals daarbjj 5 aan l£n zijde van de substraat mediumkussens worden onderhouden, de sub- straat onder veerwerking op deze kussens wordt gedrukt,
  28. 38. Inrichting, waarin de werkwijze volgens Conclusie 37 wordt toege-past, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat in de doorvoer aan de ene zijde van de substraten mediumbuffers uorden onderhouden en aan 10 de andere zijde van de doorvoer een zich verplaatsende wand is opgenomen, waarin opvolgende vacuumblokken voor het erop vastzuigen van substraten zijn opgenomen en op deze blokken een veerkracht in de richting van de mediumkussens wordt uitgeoefend.
  29. 39, Inrichting volgens 66n der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 15 dat deze opbouw ervan verder zodanig is, dat in de doorvoer tenminste ter plaatse van de mondstukken van de toevoerkanalen voor gasvormig medium sen overdruk aan gasvormig medium instand wordt gehouden*
  30. 40, Inrichting volgens Conclusie 39, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat tijdens de doorvoer erdoorheen van substraten 20 opvolgende substraten tenminste tijdelijk tegen elkaar liggen,
  31. 41. Inrichting volgens Conclusie 40, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zulk een tegen elkaar liggen tenminste plaats vindt in het eindgedeelte van deze inrichting \i66v de afvoersectie.
  32. 42, Inrichting volgens Conclusie 40, met het kenmerk, dat het trans-25 portsysteem voor de substraten zodanig is, dat daarbij in de toevoersectie voor de substraten de snelheid van deze substraten hoger is dan die van de zich in de doorvoer bevindende substraten·
  33. 43· Inrichting volgens Conclusie 41, met het kenmerk, dat in de afvoersectie transportmiddelen zijn opgenomen, die een continue transport 30 van opvolgende substraten naar een opvanginrichting bewerkstelligen·
  34. 44· Inrichting volgens Conclusie 43, met het kenmerk, dat deze transportmiddelen verder zodanig zijn uitgevoerd, dat de verplaatsingssnelheid van de substraten in deze sectie tenminste nagenoeg dezelfde blijft. 45« Inrichting volgens Conclusie 44, met het kenmerk, dat deze verder 35 zodanig is uitgevoerd, dat na het passeren van de toevoersectie deze sub— straten over de gehele lengte van de doorvoer ervan tegen elkaar liggen.
  35. 46. Werkwijze van de inrichting volgens 66n der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste έέη van de media in deze inrichting 8103979 - 27 - esn stuukracht op de substraten uitoefent in de richting van de afvoer-sectie,
  36. 47. Substraat voor toepassing ervan in de inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de zijuand, uelke de twee vlak-5 ke substraat-oppervlakken met elkaar verbindt, een tueetal drukvlakkenjbe-vat, uelke parallel met elkaar zijn. 48# Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat dedoorvoer ervan, gezien in 10 dinars rich ting ervan, tenminste plaatselijk een grotere breedte heeft dan die van de substraten.
  37. 49. Inrichting volgens Conclusie 48, met het kenmerk, dat in de doorvoer in elk van de tuee smalle zijuanden in het midden ervan een uitstekende, smalle geleidingsuand is opgenomen, waarlangs de substra— 15 ten verplaatsbaar zijn#
  38. 50. Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat aan tenminste έέη zijde van de doorvoer voor de substraten zodanig tenminste έέη combinatie van kanalen is opgenomen, dat daarmede een dunne laag vloeibaar medium op de passerende substraat uordt aangebracht en ten- 20 minste een gedeelte van dit medium uederom uordt veruijderd,
  39. 51. Inrichting volgens Conclusie 50, met het kenmerk, dat deze combinatie tenminste een toevoerkanaal van dit medium en een afvoerkanaal voor dit medium omvat.
  40. 52, Inrichting volgens Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze combi-25 natie tBvens een toevoerkanaal voor gasvormig medium en een afvoerkanaal voor dit medium omvat ten behoeve van het daarmede beuerkstelligen en on-derhouden van tenminste een kussen van gasvormig medium in de spleet tus-sen de passerende substraat en het mondstuk ervan,
  41. 53, Inrichting volgens Conclusie 52, met het kenmerk, dat daarbij het 30 afvoerkanaal voor het vloeibarB medium samenvalt met het afvoerkanaal voor het gasvormige medium.
  42. 54, Inrichting volgens Conclusie 52, met het kenmerk, dat daarin te-vens tenminste έέη hoogvacuumkanaal is opgenomen. 55. lilerkunjze van de inrichting volgens Conclusie 54, met het kenmerk, 35 dat daarbij via dit hoogvacuumkanaal opzij van de substraatsectie plaatselijk een hoog vacuum uordt bewerkstelligd en onderhouden en vervolgens vloeibaar medium op deze substraatsectie uordt gebracht.
  43. 56, Werkuijze van de inrichting volgens Conclusie 51, met het kenmerk, 8103979 - 28 - dat zoals daarbij op een substraatsectie via een toevoerkanaal vloeibaar medium uordt gabracht, varvolgens naganoeg alia vloeibaarmedium, dat nog uagzuigbaar is,via hat hoogvacuumkanaal van daze combinatie u/ordt afgezo-gen. t
  44. 57. Werkwijze van de inrichting volgans Conclusie 52, mat hat kenmerk, dat zoals daarbij op een substraatsectie via een toevoerkanaal vloeibaar medium u^rdt gebracht, galijktijdig tegen een andere sectie via een ander toevoarkanaal gasvormig medium u»ordt gestuu/d en het uiegzuigbare gedeelte van daze media via een gecombineerd hoogvacuumkanaal uordt afgezogen.
  45. 58. Inrichting volgens Conclusie 54, mat het kenmerk, dat daarbij, ge- zien in de richting van de toevoersectie naar de afvoersectie de rangschik-king van de kanalen de volgende is: hoogvacuumkanaal, toevoerkanaal voor vloeibaar medium, afvoerkanaal voor vloeibaar- en gasvormig medium, en toevoerkanaal voor gasvormig medium.
  46. 59. Inrichting volgens Conclusie 54, met het kenmerk, dat daarbij, ge- zien in de richting van de toevoersectie naar de afvoersectie de rangschik-king van de kanalen de volgende is: toevoerkanaal voor vloeibaar medium, afvoerkanaal voor vloeibaar- en gasvormig medium en toevoerkanaal voor gasvormig medium.
  47. 60. Inrichting volgens Conclusie 59, met het kenmerk, dat deze combi natie na het toevoerkanaal voor gasvormig medium een hoogvacuumkanaal omvat.
  48. 61. Inrichting volgens Conclusie 54, met het kenmerk, dat daarbij, ge— zien in de richting van de toevoersectie naar de afvoersectie de rangschik-king van de kanalen de volgende is: 25 hoogvacuumkanaal, toevoerkanaal voor vloeibaar medium, toevoerkanaal voor gasvormig medium en afvoerkanaal voor vloeibaar- en gasvormig medium.
  49. 62. Inrichting volgens Conclusie 54, met het kenmerk, dat daarbij, ge-zien in de richting van de toevoersectie naar de afvoersectie de rangschik-king van de kanalen de volgende is: 30 hoogvacuumkanaal, toevoerkanaal voor gasvormig medium, toevoerkanaal voor vloeibaar medium en afvoerkanaal voor vloeibaar- en gasvormig medium.
  50. 63. Inrichting volgens Conclusie 54, met het kenmerk, dat daarbij, ge-zien in de richting van de toevoersectie naar de afvoersectie de rangschik-king van de kanalen zodanig is, dat het afvoerkanaal voor vloeibaar-en gas- 35 vormig medium een hoogvacuumkanaal is.
  51. 64. Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat bij toepassing van meerdare opvolgende combinaties van kanalen in de lengterichting van de doorvoer, tussen elk 8103979 - 29 - van dezs opvolgende combinaties van kanalen zich sen segment bevindt, u/elke zich verder in de doorvoer uitstrekt dan de andere segmenten.
  52. 65. Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat aan tenminste έέη zijde van de doorvoer voor de substraten zodanig ten— 5 minste 6in combinatie van kanalen is opgenomen, dat daarmede ter plaatse zoii/el een gasvormig kussen tussen de corresponderende segmentsectie ert de substraatsectie wordt onderhouden als tenminste droging van deze substraat-sectie plaats vindt.
  53. 66. Inrichting volgens Conclusie 65, met het kenmerk, dat zulk een 10 combinatie van kanalen tenminste bestaat uit een toevoerkanaal voor gas— vormig medium en een afvoerkanaal voor dit medium.
  54. 67. Uerkmijze van de inrichting volgens Conclusie 66, met het kenmerk, dat indien een substraatsectie de uitmonding van het afvoerkanaal passert, in de corresponderende spleetzone door dit afvoerkanaal een hoogvacuum 15 uordt getrokken.
  55. 68. Inrichting, uaarin tenminste έέη sectie voor het tenminste bren— gen van vloeistof op substraten is opgenomen, met het kenmerk, dat daarin meerdere combinaties van kanalen volgens έέη der Conclusies 50 tot en met 64 zijn opgenomen.
  56. 69. Inrichting volgens Conclusie 68, met het kenmerk, dat daarin ten minste voor de toevoer van media segmenten volgens Conclusie 19 zijn opge— nomen.
  57. 70. Inrichting volgens Conclusie 68, met het kenmerk, dat daarin tenminste έέη segment met een electrisch veruarmingselement is opgenomen voor 25 veruiarming van naar de inrichting toegevoerd medium en zulks nabij het einde van dit segement, hetiuelk een uandsectie van de doorvoer vormt.
  58. 71. Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat elk segment een eindvlak heeft voor de vorming van de doorvoerspleet en aan ueerszijdevan dit vlak een pasvlak is aangebracht met een nauu/keurig 30 vastgestelde afstand van zulk een pasvlak tot zulk een eindvlak in afhanke-lijkheid van het doel van de betreffende segment.
  59. 72. Inrichting volgens Conclusie 71, met het kenmerk, dat deze daarbij verder bestaat uit tenminste έέη houder, uiaarin de segmenten in de richting van de doorvoer opvolgend gestapeld tegen elkaar liggen en de constructie 35 verder zodanig is, dat met behulp van de met elkaar corresponderende pas-vlakken van de segmenten de naume doorvoer kan u/orden geformeerd.
  60. 73. Inrichting volgens Conclusie 72, met het kenmerk, dat daarbij in de boven— en ondervlakken van de houder een aantal . .'kanalen zijn opgeno— 8103979 - 30 - men, die enerzijds verbonden zijn met de toe- of afvoer van de verschillende media en anderzijds uitmonden in groeven, uelke zich in deze houder in de lengterichting ervan uitstrekken en corresponderen met uiteinden van kana-len, uelke in de segmentpakketten zijn geformeerd.
  61. 74. Xnrichting volgens Conclusie 73, met het kenmerk, dat in de bin- nenzijuianden van deze houder eveneens groeven zijn opgenomen, die verbonden zijn met een aantal kanalen in deze houder voor verschillende media en eveneens corresponderen met uiteinden van kanalen, uelke in de segmentpakketten zijn geformeerd.
  62. 75. Inrichting volgens Conclusie 74, met het kenmerk, dat daarbij in de houder rondom deze groeven afdichtmateriaal is opgenomen.
  63. 76. Inrichting volgens Conclusie 72, met het kenmerk, dat daarbij in de houder tevens een tuieetal passtrippen zodanig zijn opgenomen, dat in ge-monteerde toestand elk van de segmenten met tuee pasvlakksn drukt tegen 15 deze passtrippen.
  64. 77. Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij een kleeflaag is aangebracht op tenminste een deel van de segmenten voor tenminste hechting ervan tegen elkaar onder de vorming van stapelpakketten.
  65. 78. Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de dikte van de segmenten kleiner is dan 0.5 mm.
  66. 79. Inrichting volgens Conclusie 70, met het kenmerk, dat daarbij in het metalen segment tenminste έέη groef is opgenomen, dit element geisoleerd in deze groef is gelegen met tenminste een electrische aansluiting, uelke 25 correspondeert met die, uelke in de houder voor het segment is opgenomen en uaarbij in gemonteerde toestand van zulk een segment aan έέη zijde van de— ze segment zich een toevoerkanaal voor medium bevindt. .
  67. 80. Inrichting volgens Conclusie 70, met het kenmerk, dat daarbij het veruarmingselement is opgenomen in een plaat van isolatiemateriaal en aan 30 ueerszijde van deze plaat metalen platen zijn gehecht onder de vorming van een stapelsegment.
  68. 81. Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de toevoersectie ervan eveneens voor een groot gedeelte ervan bestaat uit een uiterst nauue spleet voor doorvoer van de substraten met aan tuee 35 zijden ervan een serie segmenten, gestapeld in de richting van deze doorvoer en bevattende in opvolging in deze richting meerdere toevoerkanalen voor gasvormig stuumedium en afvoerkanalen naar een vacuuminrichting.
  69. 82. Inrichting volgens Conclusie 81, met het kenmerk, dat de eindvlak— 8103979 - 31 - ken van de segmenten, die de doorgang vormen, zodanig op laterale afstand van elkaar z!jn geplaatst, dat bij doorvaer van een substraat gasvormig medium voor het grootste gedeelte ervan langs de substraat in de richting van de afvoersectie stroomt. 5 83«Inrichting volgens Conclusie 82, met het kenmerk, dat tenminste het eerste kanaal een vacuumkanaal is·
  70. 84, Inrichting volgens Conclusie 81, met het kenmerk, dat de lengte van de in de doorvoerrichting gestapelde segmenten als pakket groter is dan de lengte van de door te voeren substraat in de beuegingsrichting ervan* 10 85« Inrichting volgens de Conclusie 84, met het kenmerk, dat deze ver- der zodanig is uitgevoerd, dat de eerste kanalen slechts uitmonden in de middensectie van de nauuie doorvoer. 86« Werkuiijze van de inrichting volgens 44n der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de resulterende krachtu/erking van het gasvormige me- 15 dium in het toevoerstation op de doorvoerende substraten zo groot is, dat zulk een substraat, indien deze zich geheel in de doorvoer bevindt, in de richting van de afvoersectie mordt verplaatst·
  71. 87, Inrichting volgens Conclusie 81, met het kenmerk, dat deze toevoer— sectie grenst aan een zodanige toevoerinrichting voor substraten, dat daar- 20 made substraten van een afvoerstation u/orden afgevoerd en u/orden getrans-porteerd naar deze toevoersectie.
  72. 88, Inrichting volgens lln der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de afvoersectie ervan voor een groot gedeelte bestaat uit een uiterst Θ nauu/e spleet voor doorvoer van de substraten met aah u/erszijde ervan een 25 serie segmenten, gestapeld in de richting van de doorvoer en bevattende In opvolging in deze richting meerdere toevoerkanalen voor gasvormig medium en afvoerkanalen naar een vacuuminrichting,
  73. 89, Inrichting volgens Conclusie 88, met het kenmerk, dat tenminste het laatste kanaal een vacuumkanaal is.
  74. 90. Inrichting volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat de lengte van de in de doorvoerrichting gestapelde segmenten als pakket groter is dan de lengte van de door te voeren substraat in de beuegingsrichting ervan.
  75. 91. Inrichting volgens Conclusie 90, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat de laatse kanalen slechts uitmonden in de midden- 35 sectie van de nauuie doorvoer.
  76. 92. Inrichting volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat aan deze afvoersectie een zodanige afvoerinrichting grenst, dat daarin de substraten een tenminste nagenoeg constante snelheid van beueging hebben* 8103979 - 32 -
  77. 93. Inrichting volgens de Conclusie 92, met het kenmerk, dat daze daartoe een tueetal overneem-inrichtingen bevat en uel zodanig, dat daar-mede telkenmale opvolgende, uit de afvoersectie komende substraten uorden overgenomen en uorden getransporteerd in de richting van een opvangstation 5 voor deze behandelde substraten.
  78. 94. Inrichting volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat deze overname-inrichtingen zodanig zijn uitgevoerd, dat deze na het transporte-ren van een substraat en overdragen ervan uederom terugkeren voor het ont-vangen van een volgende substraat en deze cyclus zich kan herhalen.
  79. 95. Inrichting volgens ύέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin een reinigingssectie is opgenomen, uaarin reinigingsmedium naar de passerende substraat uordt gestuud.
  80. 96. Inrichting volgens de Conclusie 95, met het kenmerk, dat daarin aan ueerszijde van de doorvoer voor de substraat een reinigingssectie is 15 opgenomen.
  81. 97. Inrichting volgens Conclusie 96, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een sectie combinaties van kanalen volgens Conclusie 68 zijn opgenomen. 98. lilerkuijze van de inrichting volgens Conclusie 97, met het kenmerk, dat via de mondstukken voor het reinigingsmedium dit medium onder hoge 20 druk naar de passerende substraat uordt gestuud.
  82. 99. Inrichting volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat daarin, gezien in de richting van de doorvoer, tenminste een drietal opvolgende combinaties van kanalen voor reiniging zijn opgenomen. 100. lilerkuijze volgens Conclusie 98, met het kenmerk, dat daarbij aan 25 ueerszijde van de substraat uarm reinigingsmedium naar en langs deze pas- sersnde substraat uordt gestuud.
  83. 101. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin een spoelsectie is opgenomen, uaarin spoelvloeistof naar de pas— serende substraat uordt gestuud.
  84. 102. Inrichting volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat daarbij zulk een spoelsectie aan ueerszijde van de doorvoer voor de substraten is opgenomen.
  85. 103. Inrichting volgens Conclusie 102, met het kenmerk, dat in zulk een sectie combinaties van kanalen volgens Conclusie 68 zijn opgenomen. 104. lilerkuijze van de inrichting volgens Conclusie 103, met het kenmerk, dat via de mondstukken voor het spoelmedium dit medium onder hoge druk naar de substraat uordt gestuud, 105. lilerkuijze .volgens Conclusie 104, met het kenmerk, dat daarbij aan 8103979 -33- ueerszijde van de substraafc warm reinigingsmedium naar an langs da passe— rende substraat uordt gevoerd.
  86. 106, Inrichting volgens Sin dar voorgaande Conclusies, met hat kenmerk, dat daarin aan tenminste Sin zijde van de doorvoer een hechtvloaistofsectia 5 is opgenomen, uraarin een dunna laag hechtvloeistof op da passerende substraat wordt aangebracht* i
  87. 107. Inrichting volgans de Conclusie 106, mat hat kanmerk, dat daarbij in zulk een sactie combinaties van kanalen volgans Conclusie 68 zijn opge-nomen. 10 108. ϋ/erkurijze van de inrichting volgens Conclusie 107, met hat kenmerk, dat daarbij sen stroom van hechtvloeistof met een uiterst lage viscositeit naar de substraat uordt gestuud en met behulp van de zuigende urerking van hat afvoerkanaal door middel van een mini-meniscus sffact an al dan niat met behulp van gasvormig medium slechts een uiterst dunna laag hechtvloei— 15 op de substraat achterblijft.
  88. 109. Uerkurijze volgens Conclusie 108, met het kenmerk, dat daarbij aan de andere zijde van de substraat een stroom van verdunning voor hechtvloeistof naar de substraat uordt gestuud en met behulp van de zuigende working van het afvoerkanaal en het gasvormige medium deze vloeistof tenminste na- ' 20 genoeg geheel van deze substraat wordt verwijderd.
  89. 110. Inrichting volgens Sin der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin in de richting van de doorvoer va de hechtvloeistofsectie een droogsectie en vervolgens tenminste uiederom een combinatie van hechtvloeistofsectie en droogsectie is opgenomen. 25 111* Uerkwijze van de inrichting volgens Sin der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van een hoogvacuumkanaal in de spleet van de doorvoer opzij van de substraat ter plaatse ervan en in de richting van de afvoersectie tot op het toevoerkanaal voor hechtvloeistof een zodanig hoog vacuum wordt bewerkstelligd en onderhouden, dat tenminste 30 practisch geen gasvormig medium achterblijft in dalen van het substraat-oppervlak, 112* Inrichting volgens Sin der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin aan tenminste Sin zijde van de doorvoer een coatingsectie is op— genomen, uaarin een dunne laag coating op de passerende substraat urordt 35 aangebracht. 113* Inrichting volgens Conclusie 112, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een sectie combinaties van kanalen volgens Conclusie 68 zijn opgenomen* 114. 'u/erkwijze van de inrichting volgens Conclusie 113, met het kenmerk, 8103979 — 34 - dat daarbij een stroom van coating met een zeer lage viscositait naar da substraat uiordt gestuud an met behulp van da zuigende marking van hat af— voerkanaal gacombineerd met afvoer via een mini-meniscus effect en al dan niet met behulp van gasvormig medium slechts een uiterst dunne laag coa— 5 ting op de substraat achterblijft.
  90. 106· Werkuiijze volgens Conclusie 3, met het kenmerk, dat daarbij aan* de andere zijde van de substraat een stroom van verdunning voor de coating naar de substraat uordt gestuuid en met behulp van de zuigende marking van het afvoerkanaal en het gasvormige medium deze vloeistof tenminste nage-10 noeg geheel van de substraat uiordt yermijderd,
  91. 107· Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin in de rich ting van de doorvoer na deze coatingsectie een droogsectie en vervolgens mederom tenminste έέη combinatie van coatingsectie en droogsectie is opgenomen· 15 108· Werkuiijze van de inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van het hoogvacuumkanaal in de spleet van de doorgang opzij van de substraatsectie terplaatse ervan en in de richting van de afvoersectie tot op hettedvoerkanaal voor coating een zodanig hoog vacuum uiordt bemerkstelligd en onderhouden, dat tenminste * 20 practisch geen gasvormig medium achterblijft in dalen van het substraat— oppervlak.
  92. 109· Werkuiijze van da inrichting volgens Conclusie 108, met het kenmerk, dat daarbij in opvolgende secties op da passerende substraat uiterst dunne lagen coating materiaal uiorden aangebracht met in tussengelegen 25 droogsecties het drogen van de opgebrachte coatinglaag· 110» li/erkuiijze volgens Conclusie 109* met het kenmerk, dat daarbij de toe- en afvoer van de media en het aantal coatingsecties zodanig is, dat • bij een micro-geprofileerd oppervlak van de substraat na de laatste opgebrachte laag van deze coating dit oppervlak tenminste nagenoeg vlak is· 30 111* Werkuiijze volgens Conclusie 110, met het kenmerk, dat vervolgens na het opbrengen van dit eerste type coating een eindlaag van een ander type coating op deze gestapelde lagen van coating uiordt aangebracht.
  93. 112. Werkuiijze van de inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij een gasvormig medium als drager fungeert voor 35 het transporteren van nauuikeurig afgepaste hoeveelheden coating per tijds-eenheid naar het substraat-oppervlak·
  94. 113. Inrichting, uiaarin de u/erkuijze volgens Conclusie 112 uiordt toege— past, met het kenmerk, dat daarbij tussen tuiee aangrenzende segmenten zo— 8103979 - 35 - uiel 88n toevoerkanaal voor gasvormig medium als een toevoerkanaal voor coating is opgenomen,
  95. 114. Inrichting v/olgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze ssctie tussen opvolgende segmenten tevens een toevoer-5 kanaal voor verdampte coating-verdunning is opgenomen en u/elk kanaal zich bevindt tussen het gecombineerde afvoerkanaal en het toevoerkanaal voofc gasvormig medium· 115* Uerkuijze van de inrichting volgens Conclusie 114, met het kenmerk, dat verdampte of vernevelde verdunning naar de substraat uordt ge-10 stuud, deze op de laag coating voor een gedeelte ervan condenseert, aldus een uiterst dunne toplaag van deze opgebrachte coating uordt verdund en met behulp van bet gasvormige medium als dunne film over deze laag coating naar het gecombineerde afvoerkanaal uordt gestuud.
  96. 116· Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 15 dat daarbij in deze sectie tussen opvolgende segmenten tevens een toevoerkanaal voor uater in al dan niet dampvormige toestand is opgenomen en uelk kanaal zich bevindt tussen het gecombineerde afvoerkanaal en het toe— voerkanaal voor gasvormig medium·
  97. 117. Uerkuijze van de inrichting volgens Conclusie 116, met het kenmerk, Λ 20 dat uater in dampvorm naar de substraat uordt gestuud, op de laag coating voor een gedeelte ervan condenseert en met behulp van het gasvormige medium als dunne film over deze laag coating naar het gecombineerde afvoerkanaal uordt gestuud onder vereffening van de reeds aangebrachte laag coating#
  98. 118· Inrichting volgens Sin der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 25 dat daarin voor veruijdering vanaf de substraat van media een droogsectie is opgenomen en daarvoor een aantal combinaties van kanalen volgene Conclusie 66 uordt toegepast·
  99. 119· Inrichting volgens Conclusie 118, met het kenmerk, dat daarbij zulk een combinatie van kanalen aan ueerszijde van de doorvoer voor de sub-30 straten is opgenomen, 120# Inrichting volgens Conclusie 119, met het kenmerk, dat in de richting van de doorvoer tenminste een drietal opvolgende combinaties van kanalen voor droging zijn opgenomen#
  100. 121. Inrichting volgens Conclusie 120, met het kenmerk, dat daarin de 35 uerkuijze volgens Conclusie 67 uordt toegepast,
  101. 122, Uerkuijze van de inrichting volgens Conclusie 120, met het kenmerk, dat daarbij aan ueerszijde van de substraat via de combinaties van toe- en afvoerkanalen uarm gasvormig medium naar en langs de passerende substraat , 8103979 fcr It.. I i - 36 - wordt gestuwd.
  102. 123. Inrichting volgens len der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin ean oven is opgenomen voor harding van de op de substraat aangebrachta coating en daarvoor een aantal combinaties van kanalen vol- 5 gens Conclusie 66 wordt toegepast.
  103. 124. Inrichting volgens Conclusie 123, met het kenme.rk, dat daarbij zulk een combinaties van kanalen aan weerszijde van de doorvoer voor de sub-straten zijn opgenomen.
  104. 125. Inrichting volgens Conclusie 124, met het kenmerk, dat daarbij 10 de werkwijze volgens Conclusie 67 wordt toegepast,
  105. 126. Uerkwijze van de inrichting volgens Conclusie 124, met het kenmerk, dat daarbij aan weerszijde van de substraat via de combinatie van toe- en afvoerkanalen zeer warm gasvormig medium naar en langs de passerende substraat wordt gestuwd.
  106. 127. Inrichting volgens i£n der voorgaande Conclusies, met het ken— merk, dat daarin tenminste na de ovensectie een afkoelsectie is opgenomen, en daarvoor een aantal combinaties van kanalen aan weerszijde van de doorvoer en volgens Conclusie 66 warden tgegepast.
  107. 128. Uerkwijze van de inrichting volgens Conclusie 127, met het ken- 20 merk, dat daarbij via de combinaties van toe- en afvoerkanalen gasvormig medium naar en langs de passerende substraat wordt gestuwd.
  108. 129. Inrichting volgens έέη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daari een sectie voor het naar de substraat brengen van ontwik-kelingsmedium en afvoer ervan is opgenomen.
  109. 130. Inrichting volgens Conclusie 129, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een sectie combinaties van kanalen volgens Conclusie 101. of 66 zijn opgenomen.'
  110. 131. Uerkwijze voor de inrichting volgens Conclusie 130, met het kenmerk, dat daarbij het ontwikkelingsmedium onder hoge druk naar de substraat 30 wordt gestuwd met een stroomrichting tenminste nagenoeg loodrecht op het te behandelen oppervlak van de substraat en dit medium via het afvoer-kanaal wordt afgevoerd.
  111. 132. Uerkwijze volgens Conclusie 131, met het kenmerk, dat daarbij aan de andere zijde van de substraat via combinaties van kanalen uitsluitend 35 gasvormig medium naar de substraat wordt gestuwd voor het bewerkstelligen en onderhouden van gasvarmige kussens en vervolgens wordt afgevoerd.
  112. 133. Inrichting volgens de Conclusie 129, met het kenmerk, dat daze sectie een plasma- etssectie is, waarin buiten de cabins gevormde plasma in gasvormige toestand via de toevoerkanalen naar de substraat wordt gestuwd. 8103979 - 37 -
  113. 134. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het ken-merk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat daarin in sen sectie coating materiaal in damp- of gasvormige tosstand naar de substraat uordt gestuwd.
  114. 135. Inrichting volgens Conclusie 134, met het kenmerk, dat daarbij 5 tussen tenminste een tuieetal segmenten een kamer is opgenomen met een breedte, uelke tenminste nagenoeg gelijk is aan die van de te behandelen substraat.
  115. 136. Inrichting volgens έύη der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze tenminste mede omvat: 10 systemen voor fijn-filtering van de media, fijndrukregelaars, temperatuur regelaars, sensors voor regeling, aflees-instrumenten, en systemen voor het uiederom geschikt maken van medium voor hergebruik. 8103979
NL8103979A 1981-08-26 1981-08-26 Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat. NL8103979A (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8103979A NL8103979A (nl) 1981-08-26 1981-08-26 Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat.
PCT/NL1982/000027 WO1983000774A1 (en) 1981-08-26 1982-08-25 Method and apparatus for deposition of fluid and gaseous media on substrates for their transport
EP19820902651 EP0088091A4 (en) 1981-08-26 1982-08-25 METHOD AND DEVICE FOR TRANSPORTING A SUBSTRATE.
US06/491,318 US4495024A (en) 1981-08-26 1982-08-25 Method for deposition of fluid and gaseous media on substrates for their transport
JP57502640A JPS58501447A (ja) 1981-08-26 1982-08-25 基板に流体及び気体媒体を付与する方法及び装置
US06/692,744 US4663197A (en) 1981-08-26 1983-02-21 Method and apparatus for coating a substrate
US06/629,303 US4521268A (en) 1981-08-26 1984-07-09 Apparatus for deposition of fluid and gaseous media on substrates
US06/692,737 US4600471A (en) 1981-08-26 1985-01-18 Method and apparatus for transport and processing of substrate with developing agent

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8103979A NL8103979A (nl) 1981-08-26 1981-08-26 Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat.
NL8103979 1981-08-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8103979A true NL8103979A (nl) 1983-03-16

Family

ID=19837979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8103979A NL8103979A (nl) 1981-08-26 1981-08-26 Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4495024A (nl)
EP (1) EP0088091A4 (nl)
JP (1) JPS58501447A (nl)
NL (1) NL8103979A (nl)
WO (1) WO1983000774A1 (nl)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461439B1 (en) 1996-07-08 2002-10-08 Asm International N.V. Apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
EP0910868B1 (en) * 1996-07-08 2004-10-13 ASM International N.V. Method and apparatus for contactless treatment of a semiconductor substrate in wafer form

Families Citing this family (257)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663197A (en) * 1981-08-26 1987-05-05 Integrated Automation Limited Method and apparatus for coating a substrate
NL8300649A (nl) * 1983-02-21 1984-09-17 Integrated Automation Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape.
NL8203318A (nl) * 1982-08-24 1984-03-16 Integrated Automation Inrichting voor processing van substraten.
NL8302163A (nl) * 1983-06-16 1985-01-16 Bok Edward Verbeterde proces installatie met "floating" transport van substraten.
NL8401776A (nl) * 1984-06-04 1986-01-02 Bok Edward Verbeterde double-floating wafer transport/processing installatie.
NL8401777A (nl) * 1984-06-04 1986-01-02 Bok Edward Gasslot voor in- en uitgang van tunnel, waarin verplaatsing en processing van wafers geschiedt met behulp van media onder double-floating conditie.
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
NL8402410A (nl) * 1984-08-01 1986-03-03 Bok Edward Verbeterde proces installatie met double-floating transport en processing van wafers en tape.
JPS63503024A (ja) * 1986-02-03 1988-11-02 ボック、エドワ−ド ウエファの浮遊移送と処理のための改良装置
US5194406A (en) * 1988-12-01 1993-03-16 Edward Bok Installation for transport and processing under a pulsating double-floating condition
WO1992009103A1 (en) * 1990-11-16 1992-05-29 Kabushiki-Kaisha Watanabe Shoko Device and method for carrying thin plate-like substrate
US5294259A (en) * 1992-05-18 1994-03-15 International Business Machines Corporation Fluid treatment device
US5483984A (en) * 1992-07-10 1996-01-16 Donlan, Jr.; Fraser P. Fluid treatment apparatus and method
US5489341A (en) * 1993-08-23 1996-02-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
US5720813A (en) 1995-06-07 1998-02-24 Eamon P. McDonald Thin sheet handling system
US6239038B1 (en) 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
US7808479B1 (en) 2003-09-02 2010-10-05 Apple Inc. Ambidextrous mouse
NL1011856C2 (nl) * 1999-04-21 2000-10-24 Asm Internat B V Floating wafer reactor alsmede werkwijze voor het regelen van de temperatuur daarvan.
NL1012004C2 (nl) 1999-05-07 2000-11-13 Asm Int Werkwijze voor het verplaatsen van wafers alsmede ring.
JP3998386B2 (ja) * 2000-01-26 2007-10-24 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造装置および液晶表示装置の製造方法
US6344106B1 (en) 2000-06-12 2002-02-05 International Business Machines Corporation Apparatus, and corresponding method, for chemically etching substrates
NL1018086C2 (nl) 2001-05-16 2002-11-26 Asm Int Werkwijze en inrichting voor het thermisch behandelen van substraten.
US7104578B2 (en) * 2002-03-15 2006-09-12 Asm International N.V. Two level end effector
US6991717B2 (en) * 2002-04-05 2006-01-31 3M Innovative Properties Company Web processing method and apparatus
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
US7410355B2 (en) * 2003-10-31 2008-08-12 Asm International N.V. Method for the heat treatment of substrates
US7022627B2 (en) 2003-10-31 2006-04-04 Asm International N.V. Method for the heat treatment of substrates
US6940047B2 (en) * 2003-11-14 2005-09-06 Asm International N.V. Heat treatment apparatus with temperature control system
US7217670B2 (en) * 2004-11-22 2007-05-15 Asm International N.V. Dummy substrate for thermal reactor
DE102005045582B3 (de) * 2005-09-23 2007-03-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Gasphasenabscheidung unter Atmosphärendruck und deren Verwendung
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US8057601B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
US9238867B2 (en) * 2008-05-20 2016-01-19 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
US20090291209A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
US8602707B2 (en) * 2008-05-30 2013-12-10 Alta Devices, Inc. Methods and apparatus for a chemical vapor deposition reactor
EP2159304A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-03 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition
NL2004177C2 (en) * 2010-02-01 2011-08-03 Levitech B V Dynamic fluid valve and method for establishing the same.
NL2005049C2 (en) * 2010-07-07 2012-01-10 Levitech B V Method and apparatus for contactlessly advancing substrates.
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
NL2010471C2 (en) * 2013-03-18 2014-09-24 Levitech B V Substrate processing apparatus.
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DK604074A (da) * 1974-11-20 1976-05-21 Chemical Reactor Equip As Apparat til beroringsfri transport af sarbare, hovedsageligt skiveformede objekter, navnlig tyndfilmbelagte halvledersubstrater
US3976330A (en) * 1975-10-01 1976-08-24 International Business Machines Corporation Transport system for semiconductor wafer multiprocessing station system
US4226526A (en) * 1976-10-04 1980-10-07 Harry Arthur Hele Spence-Bate Transport and positioning mechanism
US4081201A (en) * 1976-12-27 1978-03-28 International Business Machines Corporation Wafer air film transportation system
US4165132A (en) * 1977-02-28 1979-08-21 International Business Machines Corporation Pneumatic control of the motion of objects suspended on an air film
US4278366A (en) * 1977-03-18 1981-07-14 Gca Corporation Automatic wafer processing system and method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461439B1 (en) 1996-07-08 2002-10-08 Asm International N.V. Apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
EP0910868B1 (en) * 1996-07-08 2004-10-13 ASM International N.V. Method and apparatus for contactless treatment of a semiconductor substrate in wafer form
US6805749B2 (en) 1996-07-08 2004-10-19 Asm International, N.V. Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
US7312156B2 (en) 1996-07-08 2007-12-25 Asm International N.V. Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
US6613685B1 (en) 1997-07-08 2003-09-02 Asm International N.V. Method for supporting a semiconductor wafer during processing

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58501447A (ja) 1983-08-25
EP0088091A4 (en) 1984-03-09
WO1983000774A1 (en) 1983-03-03
US4495024A (en) 1985-01-22
EP0088091A1 (en) 1983-09-14
JPH0338740B2 (nl) 1991-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8103979A (nl) Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat.
WO1983002910A1 (en) Method and apparatus for applying a coating on a substrate
US10315427B2 (en) Printing system with self-purge sediment prevention and fumes removal arrangements
TW201229297A (en) ALD coating system
WO2018084286A1 (ja) 成膜装置
KR20140050008A (ko) 움직이는 기판상으로 정렬된 입자들의 폭 조절 가능 필름을 침착시키는 설비 및 방법
US4521268A (en) Apparatus for deposition of fluid and gaseous media on substrates
CZ281365B6 (cs) Způsob povlékání skla ukládáním chemických par a zařízení k provádění tohoto způsobu
US4663197A (en) Method and apparatus for coating a substrate
EP0121961B1 (en) Apparatus for disposing packings in predetermined relative positions
JP6989712B2 (ja) コーティングブース
US4576109A (en) Apparatus for applying a coating on a substrate
CA2731592A1 (en) Devices and methods for processing and handling process goods
CN1330432C (zh) 药液涂敷方法及其涂敷装置
US4600471A (en) Method and apparatus for transport and processing of substrate with developing agent
EP0603087B1 (en) Curtain coating method and apparatus
US20090218214A1 (en) Backside coating prevention device, coating chamber comprising a backside coating prevention device, and method of coating
NL8300443A (nl) Module voor hoogvacuum processing.
JP2599100B2 (ja) Di缶セパレータ装置
EP2103709A1 (en) Backside coating prevention device and method.
CN213483273U (zh) 一种显像装置及玻璃基板生产线
EP3781723B1 (en) Nozzle head and apparatus
US20180324954A1 (en) Treatment fluid extracting device and etching device comprising the latter
US6647698B1 (en) System and method for conveying sheet-like objects
JP2606936B2 (ja) 堆積膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: INTEGRATED AUTOMATION INC.

BV The patent application has lapsed