JP2005181524A - 設計レイアウト作成方法、設計レイアウト作成システム、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及び設計レイアウト作成プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 デザインルール、プロセス近接効果補正パラメータ、及び半導体プロセスパラメータのうち少なくとも1つを繰り返し最適化することにより、与えられた半導体プロセスパラメータに対して最適な設計レイアウトを作成する設計レイアウト作成方法において、ウェハ上での仕上がり平面形状を複数のプロセスパラメータでそれぞれ算出し、仕上がり平面形状から評価値を算出し、算出された各評価値が公差を満たしているか否かを判定し、公差を満たしていない判定された場合に、その位置座標と評価値とを算出し、算出された位置座標と評価値に基づいて設計レイアウト変更指針を作成し、作成された設計レイアウト変更指針に基づいて設計レイアウトの修正を部分的に行う。
【選択図】 図1
Description
及び半導体プロセスパラメータのうち少なくとも1つ以上を繰り返し最適化することにより、与えられた半導体プロセスパラメータに対して最適な設計レイアウトを作成する方法において、前記ウェハ上での仕上がり平面形状を複数のプロセスパラメータでそれぞれ算出する工程と、前記算出された仕上がり平面形状から、該形状に対する評価値をそれぞれ算出する工程と、前記算出されたそれぞれの評価値が所定の公差を満たしているか否かを判定する工程と、前記公差を満たしていない判定された場合に、その位置座標と評価値を抽出する工程と、前記抽出された位置座標と評価値に基づいて、設計レイアウト変更指針を作成する工程と、前記作成された設計レイアウト変更指針に基づいて設計レイアウトの修正を部分的に行う工程と、を含むことを特徴とする。
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる設計レイアウト作成方法のフローを示す図である。
第1の実施形態に示したフローのうち、実際のレイアウトで幾つか試した例を示す。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態で説明したのは、光リソグラフィプロセスを前提とした一例であり、露光装置がX線、電子線(Electron Beam:EBと記載)露光であっても、これと同様な設計レイアウト作成フローを適用することが可能である。その場合には、それぞれの露光方法でウェハ上での仕上がり形状に影響を及ぼすパラメータが、Process Parameter に含まれることになる。特に、直接描画によるEB露光の場合には、寸法制御をマスクパターンの線幅を変動させることにより制御する場合と、ウェハ上に照射するEB露光量を制御する場合とがあり、露光方式に応じてパラメータが変化する。
以上説明したように本発明の一態様は、半導体集積回路の設計レイアウトが予め与えられたルールを満たすように作成可能な装置、プロセス近接効果補正装置、及びウェハ上での仕上がり平面形状を予測する装置を用いて、デザインルール,プロセス近接効果補正パラメータ,及び半導体プロセスパラメータのうち少なくとも1つを繰り返し最適化することにより、与えられた半導体プロセスパラメータに対して最適な設計レイアウトを作成する方法であって、前記ウェハ上での仕上がり平面形状を複数のプロセスパラメータでそれぞれ算出する工程と、前記算出された仕上がり平面形状から、該形状に対する評価値をそれぞれ算出する工程と、前記算出されたそれぞれの評価値が所定の公差を満たしているか否かを判定する工程と、前記公差を満たしていない判定された場合に、その位置座標と評価値の少なくとも一つを抽出する工程と、前記抽出された位置座標と評価値の少なくとも一つに基づいて、設計レイアウト変更指針を作成する工程と、前記作成された設計レイアウト変更指針に基づいて設計レイアウトの修正を部分的に行う工程と、を含むことを特徴とする。
22…セル名称に対応するセル
23… Hot Spot
101…コンパクションツール(Compaction Tool)
103…RET+OPC処理部
105…シミュレータ
107…ホットスポットアナライザ107(Hot Spot Analyzer)
Claims (12)
- 半導体集積回路の設計レイアウトが予め与えられたルールを満たすように作成可能な装置、プロセス近接効果補正装置、及びウェハ上での仕上がり平面形状を予測する装置を用いて、デザインルール,プロセス近接効果補正パラメータ,及び半導体プロセスパラメータのうち少なくとも1つを繰り返し最適化することにより、与えられた半導体プロセスパラメータに対して最適な設計レイアウトを作成する方法であって、
前記ウェハ上での仕上がり平面形状を複数のプロセスパラメータでそれぞれ算出する工程と、
前記算出された仕上がり平面形状から、該形状に対する評価値をそれぞれ算出する工程と、
前記算出されたそれぞれの評価値が所定の公差を満たしているか否かを判定する工程と、
前記公差を満たしていない判定された場合に、その位置座標と評価値のうち少なくとも一つを抽出する工程と、
前記抽出された位置座標と評価値のうち少なくとも一つに基づいて、設計レイアウト変更指針を作成する工程と、
前記作成された設計レイアウト変更指針に基づいて設計レイアウトの修正を部分的に行う工程と、
を含むことを特徴とする設計レイアウト作成方法。 - 前記評価値は、それぞれの寸法ずれの平均値又は寸法のばらつき量であることを特徴とする請求項1記載の設計レイアウト作成方法。
- 前記公差として、前記平均値に対する許容誤差と前記ばらつき量に対する許容誤差がそれぞれ規定されていることを特徴とする請求項2記載の設計レイアウト作成方法。
- 前記複数のプロセスパラメータは、露光装置の露光波長、レンズ開口数、照明形状、照明内の光強度分布、収差、ウェハ上に露光される露光量、フォーカス位置、レンズの光透過率分布、レジスト中に含まれる酸の拡散長、マスクプロセスに起因するマスク寸法変動量、エッチングプロセスに起因するエッチング寸法変動量、のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の設計レイアウト作成方法。
- 前記評価値は、仕上がり平面形状の寸法,面積,若しくは周囲長と、ウェハ上に仕上げたいパターン寸法,面積,若しくは周囲長との差分のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の設計レイアウト作成方法。
- 前記設計レイアウト変更指針は、前記設計レイアウトの修正個所を示す位置座標と、前記位置座標でのレイアウト修正量,修正の方向,修正方法,及び修正する対象領域のうち少なくとも1つを規定していることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の設計レイアウト作成方法。
- 前記公差として、寸法ずれの平均値に対する許容誤差と寸法のばらつき量に対する許容誤差がそれぞれ規定されており、
前記修正方法は、前記平均値が予め規定される平均値公差を満たしていない場合と、前記ばらつき量が予め規定されるばらつき量公差を満たしていない場合とで、それぞれ異なること特徴とする請求項6記載の設計レイアウト作成方法。 - 前記各工程は、前記評価値が公差を満たすまで繰り返し行われることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の設計レイアウト作成方法。
- 半導体集積回路の設計レイアウトが予め与えられたルールを満たすように作成可能な装置、プロセス近接効果補正装置、及びウェハ上での仕上がり平面形状を予測する装置を用いて、デザインルール,プロセス近接効果補正パラメータ,及び半導体プロセスパラメータのうち少なくとも1つ以上を繰り返し最適化することにより、与えられた半導体プロセスパラメータに対して最適な設計レイアウトを作成するシステムであって、
前記ウェハ上での仕上がり平面形状を複数のプロセスパラメータでそれぞれ算出する手段と、
前記算出された仕上がり平面形状から、該形状に対する評価値をそれぞれ算出する手段と、
前記算出されたそれぞれの評価値が所定の公差を満たしているか否かを判定する手段と、
前記公差を満たしていない判定された場合に、その位置座標と評価値のうち少なくとも一つを抽出する手段と、
前記抽出された位置座標と評価値のうち少なくとも一つに基づいて、設計レイアウト変更指針を作成する手段と、
前記作成された設計レイアウト変更指針に基づいて設計レイアウトの修正を部分的に行う手段と、
を含むことを特徴とする設計レイアウト作成システム。 - 請求項1〜8の何れかに記載の設計レイアウト作成方法を用いてマスクを製造することを特徴とするマスクの製造方法。
- 請求項1〜8の何れかに記載の設計レイアウト作成方法を用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- コンピュータ制御の下に、デザインルール,プロセス近接効果補正パラメータ,及び半導体プロセスパラメータのうち少なくとも1つを繰り返し最適化することにより、与えられた半導体プロセスパラメータに対して最適な設計レイアウトを作成するための設計レイアウト作成プログラムであって、
前記ウェハ上での仕上がり平面形状を複数のプロセスパラメータでそれぞれ算出する手順と、
前記算出された仕上がり平面形状から、外形状に対する評価値をそれぞれ算出する手順と、
前記算出されたそれぞれの評価値が所定の公差を満たしているか否かを判定する手順と、
前記公差を満たしていない判定された場合に、その位置座標と評価値のうち少なくとも一つを抽出する手順と、
前記抽出された位置座標と評価値のうち少なくとも一つに基づいて、設計レイアウト変更指針を作成する手順と、
前記作成された設計レイアウト変更指針に基づいて設計レイアウトの修正を部分的に行う手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な設計レイアウト作成プログラム。
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