CN113376955B - 通孔层的opc热点的修补方法 - Google Patents
通孔层的opc热点的修补方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113376955B CN113376955B CN202110728158.0A CN202110728158A CN113376955B CN 113376955 B CN113376955 B CN 113376955B CN 202110728158 A CN202110728158 A CN 202110728158A CN 113376955 B CN113376955 B CN 113376955B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- opc
- edge
- hot spot
- adjacent
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 12
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供了一种通孔层的OPC热点的修补方法,包括:输入初始OPC图形和热点标记图形;延伸和放大所述热点标记图形的中心线,以得到优化标记图形;选择与所述优化标记图形接触的所述初始OPC图形的边作为接触边,选择与所述接触边相邻的相邻边;向所述初始OPC图像的内部的方向扩展所述接触边,并且向所述初始OPC图形的外部的方向扩展相邻边,完成对OPC热点的修补。本发明可以修补通孔层的OPC热点,并且修补后不会产生新的OPC热点。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种通孔层的OPC热点的修补方法。
背景技术
OPC热点修补已经广泛应用于OPC出版流程中,进入28nm技术节点以下,受OPC精度要求以及工艺窗口要求等因素的影响,OPC热点的数量数以万计,采用现有技术的OPC修补方法修补成功率不高,耗费较多的资源和出版时间,而且需要一定的人工与经验。
通孔层的OPC热点主要包括模拟通孔偏小,模拟通孔间距偏小,模拟通孔与POLY层间距偏小等。现有技术的通孔层的OPC热点的修补方法,是通过OPC后模拟验证可以把通孔OPC热点位置进行标记,然后对标记图形进行优化,使优化后标记图形能够接触需要修补的图形边,并且不接触不需要移动的图形边,然后设定移动量,移动需要移动的图形边增加相应的掩模板尺寸,从而减少OPC热点。如图1所示,在OPC后模拟验证中发现桥接(通孔间距偏小)的OPC图形,在OPC验证中输出热点标记图形100;对热点标记图形100进行处理,得到优化标记图形,移动与优化标记图形接触的初始OPC图形200的边,得到修补OPC图形,如图2所示;以上即为一个OPC热点修补循环,在这个OPC热点修补循环中,通过放大桥接热点对应的图形边,增加通孔间距,避免通孔之间的桥接风险;然而在增加通孔间距的过程中,通孔面积也相应的减少,因而会引起通孔尺寸偏小问题,如图3所示,修补图形模拟轮廓显示,在增加通孔间距的同时,与桥接热点垂直方向模拟通孔400尺寸也比通孔目标图形300相应减小,导致模拟通孔400偏小的OPC热点。虽然模拟通孔400偏小OPC热点可以在下一个热点修补循环中进行处理,然而在增加通孔尺寸解决模拟通孔400偏小问题的同时,也会导致模拟通孔400间距偏小,引起产生新的桥接热点的风险;因此,传统的通孔OPC热点修补方法存在引起修补后不收敛的风险,导致OPC热点修补不彻底,或产生新的OPC热点的风险。
发明内容
本发明的目的在于提供一种通孔层的OPC热点的修补方法,可以修补通孔层的OPC热点,并且修补后不会产生新的OPC热点。
为了达到上述目的,本发明提供了一种通孔层的OPC热点的修补方法,包括:
输入初始OPC图形和热点标记图形;
延伸和放大所述热点标记图形的中心线,以得到优化标记图形;
选择与所述优化标记图形接触的所述初始OPC图形的边作为接触边,选择与所述接触边相邻的相邻边;
向所述初始OPC图像的内部的方向扩展所述接触边,并且向所述初始OPC图形的外部的方向扩展相邻边,完成对OPC热点的修补。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,所述热点标记图形为多边形。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,与所述优化标记图形接触的初始OPC图形为两个,分别为第一初始OPC图形和第二初始OPC图形。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,第一OPC初始图形包含一条接触边,为第一接触边,同时,包含两条相邻边,分别为第一相邻边和第二相邻边;第二OPC初始图形包含两条相互平行的接触边,为第二接触边,同时,包含两条相邻边,分别为第三相邻边和第四相邻边。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,所述延伸和放大所述热点标记图形的中心线得到方法包括:
将所述中心线延长n个格点,使所述中心线与所述初始OPC图形边接触,并且将所述中心线放大m个格点,以得到优化标记图形。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,向所述初始OPC图像的内部的方向扩展所述接触边的尺寸为:
其中:Bx为第一接触边和第二接触边扩展的尺寸,Δb为模拟孔间距与通孔桥接规格的差值,Mb为第一接触边和第二接触边的掩模板误差放大因子,x为热点修补的次数,DBU为格点大小。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,向所述初始OPC图形的外部的方向扩展相邻边的尺寸为:
其中:By1为第一相邻边和第二相邻边扩展的尺寸,By2为第三相邻边和第四相邻边扩展的尺寸;Ma为第一相邻边、第二相邻边、第三相邻边和第四相邻边的掩模板误差放大因子,Mxa为由第一接触边和第二接触边的单个格点的移动而引起的相邻边的模拟尺寸的变化值。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,还包括:
查找修补后的OPC图形是否满足OPC的验证规格;
如果满足,则输出修补后的OPC图形;
如果不满足,则继续输出热点标记图形。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,输出热点标记图形之后,还包括:
判断热点修补次数是否达到设定修补次数,如果没有,则继续进行修补循环,如果已经达到设定修补次数,则输出修补后的OPC图形。
在本发明提供的通孔层的OPC热点的修补方法中,可以修补通孔层的OPC热点,并且修补后不会产生新的OPC热点。
附图说明
图1至图3是现有技术的通孔层的OPC热点的修补方法的示意图;
图4是本发明实施例的通孔层的OPC热点的修补方法的流程图;
图5至图8是本发明实施例的通孔层的OPC热点的修补方法的示意图;
图中:100-热点标记图形、110-中心线、120-优化标记图形、200-初始OPC图形、210-第一初始OPC图形、211-第一接触边、212-第一相邻边、213-第二相邻边、220-第二初始OPC图形、221-第二接触边、222-第三相邻边、223-第四相邻边、300-通孔目标图形、400-模拟通孔。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在下文中,术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分,且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解,在适当情况下,如此使用的这些术语可替换。类似的,如果本文所述的方法包括一系列步骤,且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序,且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
请参照图4,一种通孔层的OPC热点的修补方法,包括:
S11:输入初始OPC图形和热点标记图形;
S12:延伸和放大所述热点标记图形的中心线,以得到优化标记图形;
S13:选择与所述优化标记图形接触的所述初始OPC图形的边作为接触边,选择与所述接触边相邻的相邻边;
S14:向所述初始OPC图像的内部的方向(初始OPC图像的中心所在的方向)扩展所述接触边,并且向所述初始OPC图形的外部的方向(初始OPC图像的中心的相反方向)扩展相邻边,完成对OPC热点的修补。
进一步的,请参照图5,所述热点标记图形100为多边形。优选为四边形,并且是长方形或者正方形。与热点标记图形100同时的输入的还有初始OPC图形200和通孔目标图形300,热点标记图形100和初始OPC图形200不在同一层,热点标记图形100是一个标记,可以通过这个标记找到需要修补的OPC图形也就是这里的初始OPC图形200,热点标记图形对应的就是需要修补的OPC图形。需要修补的OPC图形可能是任意形状,在此,为了方便观察,也选择长方形的图形。输入初始OPC图形200和热点标记图形100的同时,还包括:输入通孔目标图形300,通孔目标图形作为初始OPC图形修补(优化)的目标。
进一步的,所述热点标记图形的中心线110与所述通孔目标图形300的边垂直,并且到位于所述中心线110的两边的所述热点标记图形100的边的距离相等。
进一步的,请参照图6,所述延伸和放大所述热点标记图形100的中心线110得到方法包括:将所述中心线110延长n个格点,使所述中心线110与所述初始OPC图形200的边接触,并且将所述中心线110放大m个格点,以得到优化标记图形120。例如,沿着与中心线110垂直的方向分别放大5个格点,并沿着图形线中心线110的两端分别延伸30个格点。
进一步的,请参照图7,与所述优化标记图形120接触的初始OPC图形200为两个,分别为第一初始OPC图形210和第二初始OPC图形220。即,优化标记图形120的左右各会接触一个初始OPC图形。
进一步的,第一OPC初始图形210包含一条接触边,为第一接触边211,同时,包含两条相邻边,分别为第一相邻边212和第二相邻边213;第二OPC初始图形220包含两条相互平行接触边,为第二接触边221,同时,包含两条相邻边,分别为第三相邻边222和第四相邻边223。在这里,第一相邻边212和第二相邻边213相平行并且均与第一接触边211接触;第三相邻边222和第四相邻边223相平行并且均与第二接触边221接触。因为优化标记图形120和初始OPC图形200可能会有很多个,一般优化标记图形120只比初始OPC图形200少一个。因此,如果以最边上的一个OPC初始图形200为第一初始OPC图形210,其相邻的初始OPC图形200为第二初始OPC图形220,则第一初始OPC图形210和第二初始OPC图形之间220是优化标记图形120,而第二初始OPC图形220再与其他的OPC初始图形200之间也会有优化标记图形120,因此第二初始OPC图形220有两条接触边,并且两条接触边平行。。
进一步的,向所述初始OPC图像200的内部的方向扩展所述接触边210的尺寸为:
其中:Bx为第一接触边和第二接触边扩展的尺寸,Δb为模拟孔间距与通孔桥接规格的差值,Mb为第一接触边和第二接触边的掩模板误差放大因子(MEEF),x为热点修补的次数,DBU为格点大小。也就是说第一接触边扩展的尺寸和第二接触边扩展的尺寸相同,第一接触边的掩模板误差放大因子(MEEF)和第二接触边的掩模板误差放大因子(MEEF)相同。
进一步的,向所述初始OPC图形200的外部的方向扩展相邻边的尺寸为:
其中:By1为第一相邻边和第二相邻边扩展的尺寸,By2为第三相邻边和第四相邻边扩展的尺寸;Ma为第一相邻边、第二相邻边、第三相邻边和第四相邻边的掩模板误差放大因子(MEEF),Mxa为由第一接触边和第二接触边的单个格点的移动而引起的相邻边的模拟尺寸的变化值。也就是说,第一相邻边扩展的尺寸和第二相邻边扩展的尺寸相同;第三相邻边扩展的尺寸和第四相邻边扩展的尺寸相同;第一相邻边的掩模板误差放大因子(MEEF)、第二相邻边的掩模板误差放大因子(MEEF)、第三相邻边的掩模板误差放大因子(MEEF)和第四相邻边的掩模板误差放大因子(MEEF)均相同;由第一接触边的单个格点的移动而引起的相邻边的模拟尺寸的变化值和第二接触边的单个格点的移动而引起的相邻边的模拟尺寸的变化值相同。
具体的,往初始OPC图形200的内部扩展接触边210,扩展的动作即为移动接触边210,移动的距离为Bx;往初始OPC图形200的外部移动第一相邻边220和第二相邻边230,移动距离分布为By1和By2;移动后得到修补OPC图形。Bx的大小取决于模拟通孔间距与桥接规格(最小值)的差值,Eb1和Eb2的MEEF大小,以及修补循环次数为x,因为可能修补一次仍然达不到目标,所以需要修补多次,循环的次数就是修补的次数。假定DBU为数据格点大小,修补循环次数为5次,Bx的典型值为2DBU~4DBU;By1的典型值为1DBU~2DBU,By2的典型值为2DBU~3DBU。
进一步的,还包括:
查找修补后的OPC图形是否满足OPC的验证规格;
如果满足,则输出修补后的OPC图形;
如果不满足,则继续输出热点标记图形。
可选的,在所述的通孔层的OPC热点的修补方法中,输出热点标记图形之后,还包括:
判断热点修补次数是否达到设定修补次数,如果没有,则继续进行修补循环,如果已经达到设定修补次数,则输出修补后的OPC图形。也就是说,本发明的OPC修补方法可能循环修补多次,次数是设定的,如果每次修补后的OPC图形仍然不达到设定修补次数,则可以继续按照此方法修补,直到达到设定修补次数或者次数耗尽。即便次数耗尽后仍然没有达标,但是也让初始的待修补的OPC图形优化。最后,请再参照图8,可以看出对第一初始OPC图形210修补后产生的模拟通孔400和通孔目标图形300的大小相同或者差不多,比没修补的第一初始OPC图形210和通孔目标图形300的差距小。
综上,在本发明实施例提供的通孔层的OPC热点的修补方法中,可以修补通孔层的OPC热点,并且修补后不会产生新的OPC热点。
上述仅为本发明的优选实施例而已,并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本发明的技术方案的范围内,对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动,均属未脱离本发明的技术方案的内容,仍属于本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种通孔层的OPC热点的修补方法,其特征在于,包括:
输入初始OPC图形和热点标记图形;
延伸和放大所述热点标记图形的中心线,以得到优化标记图形;
选择与所述优化标记图形接触的所述初始OPC图形的边作为接触边,选择与所述接触边相邻的相邻边;
向所述初始OPC图像的内部的方向扩展所述接触边,并且向所述初始OPC图形的外部的方向扩展相邻边,完成对OPC热点的修补;
与所述优化标记图形接触的初始OPC图形为两个,分别为第一初始OPC图形和第二初始OPC图形,第一初始OPC图形包含一条接触边,为第一接触边,同时,包含两条相邻边,分别为第一相邻边和第二相邻边;第二初始OPC图形包含两条相互平行的接触边,为第二接触边,同时,包含两条相邻边,分别为第三相邻边和第四相邻边;
向所述初始OPC图像的内部的方向扩展所述接触边的尺寸为:
其中:Bx为第一接触边和第二接触边扩展的尺寸,Δb为模拟孔间距与通孔桥接规格的差值,Mb为第一接触边和第二接触边的掩模板误差放大因子,x为热点修补的次数,DBU为格点大小;
向所述初始OPC图形的外部的方向扩展相邻边的尺寸为:
其中:By1为第一相邻边和第二相邻边扩展的尺寸,By2为第三相邻边和第四相邻边扩展的尺寸;Ma为第一相邻边、第二相邻边、第三相邻边和第四相邻边的掩模板误差放大因子,Mxa为由第一接触边和第二接触边的单个格点的移动而引起的相邻边的模拟尺寸的变化值。
2.如权利要求1所述的通孔层的OPC热点的修补方法,其特征在于,所述热点标记图形为多边形。
3.如权利要求1所述的通孔层的OPC热点的修补方法,其特征在于,所述延伸和放大所述热点标记图形的中心线得到方法包括:
将所述中心线延长n个格点,使所述中心线与所述初始OPC图形边接触,并且将所述中心线放大m个格点,以得到优化标记图形。
4.如权利要求1所述的通孔层的OPC热点的修补方法,其特征在于,还包括:
查找修补后的OPC图形是否满足OPC的验证规格;
如果满足,则输出修补后的OPC图形;
如果不满足,则继续输出热点标记图形。
5.如权利要求4所述的通孔层的OPC热点的修补方法,其特征在于,输出热点标记图形之后,还包括:
判断热点修补次数是否达到设定修补次数,如果没有,则继续进行修补循环,如果已经达到设定修补次数,则输出修补后的OPC图形。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110728158.0A CN113376955B (zh) | 2021-06-29 | 2021-06-29 | 通孔层的opc热点的修补方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110728158.0A CN113376955B (zh) | 2021-06-29 | 2021-06-29 | 通孔层的opc热点的修补方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113376955A CN113376955A (zh) | 2021-09-10 |
CN113376955B true CN113376955B (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=77579806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110728158.0A Active CN113376955B (zh) | 2021-06-29 | 2021-06-29 | 通孔层的opc热点的修补方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113376955B (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103576443A (zh) * | 2012-08-03 | 2014-02-12 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种光学临近矫正方法 |
CN104460226A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光刻工艺热点的自动修复方法 |
CN107844033A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种校正全局金属层工艺热点的方法 |
CN108663897A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近校正方法 |
CN109494185A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种优化通孔层连接性能的光学邻近修正方法 |
CN111474819A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-31 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种优化meef的光学邻近修正方法 |
CN112230509A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-15 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻工艺热点的光学邻近修正的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4488727B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 設計レイアウト作成方法、設計レイアウト作成システム、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及び設計レイアウト作成プログラム |
JP2011145564A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Toshiba Corp | マスクパターン生成方法、半導体装置の製造方法およびマスクパターン生成プログラム |
-
2021
- 2021-06-29 CN CN202110728158.0A patent/CN113376955B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103576443A (zh) * | 2012-08-03 | 2014-02-12 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种光学临近矫正方法 |
CN104460226A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光刻工艺热点的自动修复方法 |
CN108663897A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近校正方法 |
CN107844033A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种校正全局金属层工艺热点的方法 |
CN109494185A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种优化通孔层连接性能的光学邻近修正方法 |
CN111474819A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-31 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种优化meef的光学邻近修正方法 |
CN112230509A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-15 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻工艺热点的光学邻近修正的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Analyses of the influences of molecular vacancy defect on the geometrical structure, electronic structure, and vibration characteristics of Hexogeon energetic mateial;Peng Yajing等;《ACTA PHYSICA SINICA》;第64卷(第24期);第243102页 * |
具有周边硅通孔的晶圆级芯片封装有限元分析;罗宁等;《电子与封装》;第20卷(第4期);第040202页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113376955A (zh) | 2021-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6792593B2 (en) | Pattern correction method, apparatus, and program | |
US7278125B2 (en) | Semiconductor integrated circuit pattern verification method, photomask manufacturing method, semiconductor integrated circuit device manufacturing method, and program for implementing semiconductor integrated circuit pattern verification method | |
US20030177467A1 (en) | Opc mask manufacturing method, opc mask, and chip | |
CN101571669B (zh) | 基于模型的校验光学邻近修正的方法 | |
CN105825036A (zh) | 一种版图设计规则的优化方法及*** | |
JP2002333700A (ja) | ルールベースopcの評価方法およびシミュレーションベースopcモデルの評価方法 | |
CN106469235A (zh) | 集成电路方法以及集成电路设计*** | |
US10755016B2 (en) | Hot spot and process window monitoring | |
CN105824187B (zh) | 光学邻近修正方法 | |
JP2014081472A (ja) | 光近接効果補正方法、処理装置、プログラム、マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
CN109325247A (zh) | 集成电路制造方法 | |
CN111103768B (zh) | 一种减少晶圆边缘聚焦不良的方法 | |
CN108776421B (zh) | 测试掩模版制造方法 | |
JP2010016044A (ja) | 設計レイアウトデータ作成方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2007004585A (ja) | マスクパタンデータの検証方法、マスクの製造方法、マスクパタンデータの検証プログラム | |
CN113376955B (zh) | 通孔层的opc热点的修补方法 | |
CN107908072B (zh) | 一种降低连接孔层程式运行时间的opc修正方法 | |
CN101526735B (zh) | 光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法 | |
US8677289B1 (en) | Method of generating assistant feature | |
JP4883591B2 (ja) | マスクパターン設計方法および半導体装置の製造方法 | |
US8943446B2 (en) | Generation method, storage medium and information processing apparatus | |
CN112415864B (zh) | 一种确定opc最小分割长度的方法 | |
CN109188857B (zh) | 版图的拆分方法与拆分*** | |
JP2005250360A (ja) | マスクパターンの検証装置および検証方法 | |
KR20090072670A (ko) | 노광마스크 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |