CN116931389A - 线宽测量方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种线宽测量方法，先从多个测试图形中选取部分包含光学临近效应的测试图形作为量测点图形，并获取量测点图形的位置信息；通过量测点图形的位置信息建立自动测量程序以获取量测点图形对应的晶圆数据，晶圆数据包括量测点图形对应在晶圆上的实际量测点图形的线宽；通过晶圆数据建立光刻模型，以通过光刻模型形成新的版图，新的版图包括多个新的测试图形；获取新的测试图形的位置信息，并通过新的测试图形的位置信息建立新的自动测量程序以获取新的测试图形对应的新的晶圆数据，新的晶圆数据包括新的测试图形对应在晶圆上实际图形的线宽。仅需建立一个自动测量程序就可以实现测量晶圆上的实际图形的线宽，可以提高线宽测量的成功率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种线宽测量方法。
背景技术
随着半导体领域技术的发展，半导体器件的关键尺寸（Critical Dimension，CD）如线宽越来越小，芯片的集成度也越来越高，对半导体制造工艺提出了越来越严格的要求，因此必须在工艺过程中尽可能的减小每一步骤的误差，降低因误差而导致的器件失效。目前，主要通过扫描电子显微镜（SEM，Scanning Electron Microscope）来测量以光刻胶或其它薄膜叠加层为掩模对衬底进行刻蚀而形成的图形的线宽（linewidth）。扫描电子显微镜需要通过半导体器件的原始版图来建立自动测量程序，通过自动测量程序测量图形的线宽。但是，随着集成电路设计的高速发展，半导体器件的尺寸不断缩小，在将原始版图上的图形转移到晶圆上的过程中会发生图像畸变，在晶圆上所形成的图形相较于原始版图的图形会出现变形和偏差，即会产生光学邻近效应(optical proximity effect，OPE)。因此在自动测量程序测量图形的线宽时会出现测量失败的现象，并且在测量的过程中需要建立多个自动测量程序。
发明内容
本发明的目的在于提供一种线宽测量方法，以减小线宽测量过程中所建立的自动测量程序的数量并提高线宽测量的成功率。
为实现上述目的，本发明提供一种线宽测量方法，包括：提供原始版图，所述原始版图包括多个测试图形；从多个所述测试图形中选取部分包含光学临近效应的测试图形作为量测点图形；获取所述量测点图形的位置信息，并通过所述量测点图形的位置信息建立自动测量程序以获取所述量测点图形对应的晶圆数据，所述晶圆数据包括所述量测点图形对应的晶圆上的实际量测点图形的线宽；通过所述晶圆数据建立光刻模型，并通过所述光刻模型对所述原始版图中的多个所述测试图形进行光学邻近效应修正以形成新的版图，所述新的版图包括多个新的测试图形；以及，获取多个所述新的测试图形的位置信息，并通过所述新的测试图形的位置信息建立新的自动测量程序，以获取多个所述新的测试图形对应的新的晶圆数据，所述新的晶圆数据包括所述新的测试图形对应的所述晶圆上的实际图形的线宽。
可选的，在所述的线宽测量方法中，在获取所述量测点图形的位置信息之前，所述线宽测量方法还包括：将所述原始版图中的多个所述测试图形转移至测试掩膜版上；利用光刻工艺，将所述测试掩膜版上的多个所述测试图形转移至所述晶圆上，以在所述晶圆上形成与多个所述测试图形相对应的多个所述实际图形，所述实际图形包括所述实际量测点图形。
可选的，在所述的线宽测量方法中，多个所述测试图形包括多个第一测试图形、多个第二测试图形和多个第三测试图形，所述第三测试图形和所述第二测试图形均为二维图形，且所述第三测试图形和所述第二测试图形的形状不同，所述第一测试图形为一维图形。
可选的，在所述的线宽测量方法中，所述第二测试图形包括多个第二子测试图形，在第一方向上的所述第二子测试图形平行排布，在第二方向上的所述第二子测试图形位于同一直线上，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
可选的，在所述的线宽测量方法中，所述量测点图形包括多个所述第一测试图形，或者，所述量测点图形包括多个所述第一测试图形和所述第二测试图形。
可选的，在所述的线宽测量方法中，所述量测点图形中的所有所述第一测试图形位于多个量测区域中，每个所述量测区域中具有至少一个所述第一测试图形，所有所述量测区域中的所述第一测试图形之间的间距逐渐增大，且每个所述量测区域内的第一测试图形之间的间距相同，其中，所述量测点图形中的所述的第一测试图形的线宽小于所述光刻工艺中的曝光波长。
可选的，在所述的线宽测量方法中，所述新的晶圆数据还包括所述晶圆上的实际图形之间的间距。
可选的，在所述的线宽测量方法中，获取所述量测点图形对应的晶圆数据的方法包括：通过扫描电子显微镜获取所述晶圆的图像；识别所述晶圆的图像中的对准标记，所述对准标记的形状为十字型；根据所述对准标记在所述原始版图中的位置信息及所述量测点图形的位置信息确定所述量测点图形的图像，并根据所述量测点图形的图像得到所述晶圆数据。
可选的，在所述的线宽测量方法中，所述光刻胶模型包括光学模型和光刻胶模型。
可选的，在所述的线宽测量方法中，所述光学模型的建立方法包括：根据所述晶圆数据、所述晶圆的光学参数和光学***参数建立所述光学模型；所述光刻胶模型的建立方法包括：根据光刻胶发生光化学反应的阈值条件、光刻胶的扩散长度和中和系数建立所述光刻胶模型。
在本发明提供的线宽测量方法中，先从多个测试图形中选取部分包含光学临近效应的测试图形作为量测点图形，获取量测点图形的位置信息，然后，通过量测点图形的位置信息建立自动测量程序以获取量测点图形对应的晶圆数据，晶圆数据包括量测点图形对应在晶圆上的实际量测点图形的线宽；接着，通过晶圆数据建立光刻模型，并通过光刻模型对原始版图中的多个测试图形进行光学邻近效应修正以形成新的版图，新的版图包括多个新的测试图形；获取新的测试图形的位置信息，并通过新的测试图形的位置信息建立新的自动测量程序以获取新的测试图形对应的新的晶圆数据，新的晶圆数据包括新的测试图形对应在晶圆上实际图形的线宽。如此，在测量晶圆上的实际图形的线宽时，仅需建立一个自动测量程序就可以实现测量晶圆上的实际图形的线宽，并且通过晶圆数据建立的光刻模型所形成的新的版图，可以减小新的版图中的新的测试图形的位置与晶圆上的实际图形的位置偏差，并可以通过光刻模型准确预测晶圆上的实际图形的形貌，从而提高晶圆上的实际图形的线宽测量的成功率。
附图说明
图1是本发明实施例的线宽测量方法的流程示意图。
图2是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形的示意图。
图3是本发明实施例的线宽测量方法中的量测点图形的示意图。
图4是本发明实施例的线宽测量方法中晶圆SEM示意图。
图5是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及曝光模拟图形的示意图。
图6是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及新的测试图形的示意图。
图7是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及实际图形的SEM示意图。
图8是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及通过一种光刻模型所形成的新的测试图形的示意图。
图9是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及通过另一种光刻模型所形成的新的测试图形的示意图。
图10是本发明实施例的线宽测量方法中的非光刻图形的示意图。
其中，附图标记说明如下：10-测试图形；20-新的测试图形；30-曝光模拟图形；40-实际图形；50-非光刻胶图形;60-量测框；110-第一测试图形；120-第二测试图形；121-第二子测试图形；130-第三测试图形；131-第三子测试图形。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的线宽测量方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图1是本发明实施例提供的线宽测量方法的流程示意图。如图1所示，本实施例提供一种线宽测量方法，包括：步骤S1：提供原始版图，所述原始版图包括多个测试图形；步骤S2：从多个所述测试图形中选取部分包含光学临近效应的测试图形作为量测点图形；步骤S3：获取所述量测点图形的位置信息，并通过所述量测点图形的位置信息建立自动测量程序以获取所述量测点图形对应的晶圆数据，所述晶圆数据包括所述量测点图形对应在晶圆上的实际图形的线宽；步骤S4：通过所述晶圆数据建立光刻模型，并通过所述光刻模型对所述原始版图中的多个所述测试图形进行光学邻近效应修正以形成新的版图，所述新的版图包括多个新的测试图形；步骤S5：获取所述新的测试图形的位置信息，并通过所述新的测试图形的位置信息建立新的自动测量程序以获取所述新的测试图形对应的新的晶圆数据，所述新的晶圆数据包括所述新的测试图形对应在所述晶圆上的实际图形的线宽。
下文将结合附图2~图9对本实施例提供的线宽测量方法进行更详细的描述。
图2是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形的示意图。参考图2所示，执行步骤S1中，提供原始版图，所述原始版图包括多个测试图形10。本实施例中，所述原始版图存储于原始版图文件中。其中，原始版图文件是指利用EDA工具设计形成的包含设计图形的版图文件。通常地，原始版图文件是通过了DRC (design rule check)验证的版图文件。所述原始版图的文件格式可以为GDS格式。在其他实施例中，所述原始版图的文件格式还可以为OASIS等其他格式。
进一步的，所述原始版图为预先设定的需要在掩膜版中生成的图形，所述原始版图可以根据不同的半导体工艺需求进行确定。
如图2所示，多个所述测试图形10包括多个第一测试图形110、多个第二测试图形120和多个第三测试图形130，所述第三测试图形130和所述第二测试图形120均为二维图形，且所述第三测试图形130和所述第二测试图形120的形状不同，所述第一测试图形110为一维图形。其中，一维图形是指仅在一个方向上具有周期性的图形，结构比较简单，例如线条。二维图形是指在两个方向上都具有周期性的图形，结构比较复杂。
具体来说，所述第二测试图形120包括多个第二子测试图形121，在第一方向Y上的所述第二子测试图形121平行排布，在第二方向X上的第二子测试图形121位于同一直线上，所述第一方向Y与所述第二方向X相互垂直。
如图2所示，所述第三测试图形130包括一个竖直的第三子测试图形131，所述竖直的第三子测试图形131的两侧各设有多个水平的所述第三子测试图形131，所述竖直的第三子测试图形131每侧的多个水平的所述第三子测试图形131排布成一列，且每列中的多个水平的所述第三子测试图形131相互平行设置。
图3是本发明实施例的线宽测量方法中的量测点图形的示意图。参考图3所示，执行步骤S2，从多个所述测试图形10中选取部分包含光学临近效应的测试图形10作为量测点图形，在此，包含光学邻近效应的测试图形10是指线宽小于光刻工艺中的曝光波长的图形。本实施例中，如图3所示，所述量测点图形包括多个所述第一测试图形110。由于第一测试图形110为一维图形，因此，第一测试图形110对应的晶圆数据的测量偏差较小，由此可以提高后续获取的晶圆数据的精度，并可以降低获取晶圆数据的难度。
进一步的，如图3所示，所述量测点图形中的所有所述第一测试图形110位于多个量测区域，本实施例中以量测点图形中的所有所述第一测试图形110位于四个量测区域中为例进行说明，例如第一量测区域A、第二量测区域B、第三量测区域C和第四量测区域D，其中，所述量测点图形中的第一测试图形110的线宽可以不同。
更具体的，每个所述量测区域中具有至少一个所述第一测试图形110，其中，所有所述量测区域中的所述第一测试图形110之间的间距逐渐增大，例如，第二量测区域B中的第一测试图形110之间的间距大于第一量测区域A中的第一测试图形110之间的间距。且每个所述量测区域内的第一测试图形110之间的间距相同，例如，第二量测区域B中的第一测试图形110之间的间距相同，第一量测区域A中的第一测试图形110之间的间距相同。如此，可以提高后续形成的光刻模型的准确性。
较佳的，所述量测点图形中的所述的第一测试图形110的线宽小于所述光刻工艺中的曝光波长。如此，可以使得量测点图形中的第一测试图形110对应于晶圆上的实际图形40包含较多的光学临近效应，提高后续所形成的光刻模型模拟的晶圆上的实际图形40的形貌的准确性。
在其他实施例中，所述量测点图形可以包括多个所述第一测试图形110和所述第二测试图形120。
接着，参考图4，其为本实施例提供的线宽测量方法中晶圆SEM示意图。如图4所示，将原始版图中的多个所述测试图形10转移至测试掩膜版上；利用光刻工艺，将所述测试掩膜版上的多个所述测试图形10转移至所述晶圆上，以在所述晶圆上形成与多个所述测试图形10相对应的多个所述实际图形40，也就是说，在晶圆上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有多个所述实际图形40。所述实际图形40包括所述实际量测点图形，即晶圆上的一部分实际图形40作为所述实际量测点图形。其中，所述光刻工艺包括依次执行的曝光、烘培和显影。晶圆可以包括衬底和依次形成于衬底的介质层和抗反射层等。
接着，执行步骤S3，获取所述量测点图形的位置信息，并通过所述量测点图形的位置信息建立自动测量程序以获取所述量测点图形对应的晶圆数据，所述晶圆数据包括所述量测点图形对应在晶圆上的实际量测点图形的线宽。量测点图形的位置信息包括量测点图形的坐标。
具体来说，获取所述量测点图形对应的晶圆数据的方法包括：首先，通过扫描电子显微镜获取所述晶圆的图像即SEM图像；然后，识别所述晶圆的图像中的对准标记（晶圆上通常会设置用于对准的对准标记），所述对准标记的形状为十字型，即对准标记包含第一方向Y的位置信息和第二方向X的位置信息，由此能够减少第一方向Y和第二方向上X的对准偏移；接着，根据所述对准标记在所述原始版图中的位置信息及所述量测点图形的位置信息确定所述量测点图形的图像，并根据所述量测点图形的图像得到所述晶圆数据。其中，可以基于原始版图，在原始版图上确定量测点图形的位置信息，然后在量测点图形的位置上放上量测框（参考图2和图4所示），并将量测点图形的SEM图像与其在原始版图中的图形对准，最后，基于对准结果在量测点图形的SEM图像上确定量测框位置，进行量测并输出量测结果，从而根据原始版图中量测点图形的位置信息得到所述晶圆数据。进一步的，量测框60的高度可以为量测点图形中的第一测试图形110的线宽的三分之一至三分之二，以降低线边粗糙度对量测结果的影响，提高量测结果的准确性。
也就是说，通过量测点图形的位置信息，在扫描电子显微镜中建立自动测量程序从而对量测点图形对应在晶圆上的实际量测点图形的线宽进行测量，进而得到晶圆数据。
参考图6所示，其为本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及新的测试图形的示意图。如图6所示，执行步骤S4，通过所述晶圆数据建立光刻模型，并通过所述光刻模型对所述原始版图的所述测试图形10进行光学邻近效应修正以形成新的版图，所述新的版图包括多个新的测试图形20。其中，所述光刻模型用于模拟晶圆上的实际图形的形貌，即通过模拟晶圆上的实际图形的形貌而得到新的测试图形20。其中，新的测试图形20包括新的第一测试图形、新的第二测试图形和新的第三测试图形，所述新的第三测试图形和所述新的第二测试图形均为二维图形，所述新的第一测试图形为一维图形。所述光刻模型包括光学模型和光刻胶模型。
图5是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及曝光模拟图形的示意图。如图5所示，所述光学模型用于对原始版图中的所有测试图形10进行曝光模拟，以模拟执行光刻工艺中的曝光后的晶圆上的实际图形40的形貌，从而得到曝光模拟图形30。
如图6所示，利用所述光刻胶模型对曝光模拟图形30进行显影模拟，即在光学模型上叠加光刻胶模型，以获得显影后的晶圆上的实际图形40的形貌，从而得到显影模拟图形，并将显影模拟图形作为新的测试图形20。图7是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及实际图形的SEM示意图。对比图5、图6和图7可知，光刻模型相比光学模型而言，光刻模型能够更准确的模拟晶圆上的实际图形40的形貌，使新的测试图形20的形貌接近实际图形40的形貌。
图8是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及通过一种光刻模型所形成的新的测试图形的示意图。在一种光刻模型中，量测点图形的晶圆数据所对应的量测点图形包括多个第一测试图形110，由于第一测试图形为一维图形，因此，晶圆数据的获取较为简单。对比图7和图8可知，通过光刻模型所模拟的新的测试图形20的形貌接近于实际图形40的形貌，即通过光刻模型模拟实际图形所形成的新的测试图形20的准确性较高。
图9是本发明实施例的线宽测量方法中的测试图形及通过另一种光刻模型所形成的新的测试图形的示意图。在另一种光刻模型中，量测点图形的晶圆数据所对应的量测点图形包括多个第一测试图形110和多个第二测试图形120。对比图9和图8可知，两种光刻模型所模拟的晶圆上的实际图形40的形貌较为接近，因此，仅采用第一测试图形110作为量测点图形也可以准确的模拟晶圆上的所有实际图形40的形貌，也就是说，本实施例中，通过一维图形对应的晶圆数据所建立的光刻模型，不仅可以准确的模拟晶圆上的实际图形中的一维图形（第一测试图形对应的晶圆上的实际图形），还可以准确的模拟晶圆上的实际图形中的二维图形（第二测试图形和第三测试图形对应的晶圆上的实际图形）的形貌。
进一步的，所述光学模型的建立方法包括：根据所述晶圆数据、所述晶圆的光学参数和光学***参数建立所述光学模型，所晶圆的光学参数包括晶圆中的所有膜层的折射率、晶圆中的所有膜层的消光系数、晶圆的厚度和光刻胶层的厚度。所述光学***参数包括光刻机的数值孔径、光源类型和光源尺寸。
所述光刻胶模型的建立方法包括：根据光刻胶发生光化学反应的阈值条件、光刻胶的扩散长度和中和系数建立所述光刻胶模型。其中，所述中和系数为显影过程中的显影溶液和光刻胶中的酸中和时的反应速率系数。
本实施例中，通过所述光刻胶模型可以模拟显影后的光刻胶形貌，也就是说，可以模拟测试图形10在光刻工艺中的显影后所形成在晶圆上的实际图形40的形貌，从而可以提高线宽测量的成功率。
接着，执行步骤S5，获取多个所述新的测试图形20的位置信息，并通过所述新的测试图形20的位置信息建立新的自动测量程序以获取多个所述新的测试图形20对应的新的晶圆数据，所述新的晶圆数据包括所述新的测试图形20对应在所述晶圆上的实际图形40的线宽。如此，在测量晶圆上的实际图形的线宽时，仅需建立一个自动测量程序就可以实现测量晶圆上的实际图形40的线宽，并且通过晶圆数据建立光刻模型所形成新的版图，可以减小新的版图中的新的测试图形20的位置与晶圆上的实际图形40的位置偏差，并可以通过光刻模型准确预测晶圆上的实际图形的形貌，从而提高晶圆上的实际图形40的线宽测量的成功率。
本实施例中，可以通过扫描电子显微镜来获取多个所述新的测试图形20的位置信息，并通过扫描电子显微镜来获取晶圆的图像，以及根据新的测试图形20在新的版图中的位置信息确定所述实际图形40的图像，并根据所述实际图形40的图像得到所述新的晶圆数据。
图10是本发明实施例的线宽测量方法中的非光刻图形的示意图。如图10所示，晶圆上的实际图形40可以为光刻胶图形。相邻的实际图形40之间具有非光刻胶图形50（如介质层图形，所述介质层的材质可以为硅、锗硅或低k 材料、超低k 材料或金属）。此外，所述新的晶圆数据还包括所述晶圆上的实际图形40之间的间距d，即非光刻胶图形50的线宽。其中，如图9所示，可以基于非光刻胶图形50对应的新的版图，采用量测框60获取非光刻胶图形50的线宽。
经实验得到，采用原始版图中的二维图形即第二测试图形和第三测试图形来获取的实际图形的线宽的成功率为33.8%~39.6%，而采用新的版图中的二维图形即新的第二测试图形和新的第三测试图形来获取的实际图形的线宽的成功率为95.1%~98.2%，以及采用原始版图来得到非光刻胶图形50的线宽的成功率为2.0%，而通过新的版图来得到非光刻胶图形50的线宽的成功率为98.2%，因此,采用新的版图中的新的测试图形来获取的新的晶圆数据的成功率，较采用原始版图中的测试图形来获取的晶圆数据的成功率高。
综上可见，在本发明实施例提供的线宽测量方法中，先从多个测试图形中选取部分包括光学邻近效应的测试图形作为量测点图形，获取量测点图形的位置信息，然后，通过量测点图形的位置信息建立自动测量程序以获取量测点图形对应的晶圆数据，晶圆数据包括量测点图形对应在晶圆上的实际量测点图形的线宽；接着，通过晶圆数据建立光刻模型，并通过所述光刻模型对所述原始版图中的多个所述测试图形进行光学邻近效应修正以形成新的版图，新的版图包括多个新的测试图形；获取新的测试图形的位置信息，并通过新的测试图形的位置信息建立新的自动测量程序以获取新的测试图形对应的新的晶圆数据，新的晶圆数据包括新的测试图形对应在晶圆上实际图形的线宽。如此，在测量晶圆上的实际图形的线宽时，仅需建立一个自动测量程序就可以实现测量晶圆上的实际图形的线宽，并且通过晶圆数据建立光刻模型所形成新的版图，可以减小新的版图中的新的测试图形的位置与晶圆上的实际图形的位置偏差，并可以通过光刻模型准确预测晶圆上的实际图形的形貌，提高晶圆上的实际图形的线宽测量的成功率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种线宽测量方法，其特征在于，包括：
提供原始版图，所述原始版图包括多个测试图形；
从多个所述测试图形中选取部分包含光学临近效应的测试图形作为量测点图形；
获取所述量测点图形的位置信息，并通过所述量测点图形的位置信息建立自动测量程序以获取所述量测点图形对应的晶圆数据，所述晶圆数据包括所述量测点图形对应的晶圆上的实际量测点图形的线宽；
通过所述晶圆数据建立光刻模型，并通过所述光刻模型对所述原始版图中的多个所述测试图形进行光学邻近效应修正以形成新的版图，所述新的版图包括多个新的测试图形；以及，
获取多个所述新的测试图形的位置信息，并通过所述新的测试图形的位置信息建立新的自动测量程序，以获取多个所述新的测试图形对应的新的晶圆数据，所述新的晶圆数据包括所述新的测试图形对应的所述晶圆上的实际图形的线宽。
2.如权利要求1所述的线宽测量方法，其特征在于，在获取所述量测点图形的位置信息之前，所述线宽测量方法还包括：
将所述原始版图中的多个所述测试图形转移至测试掩膜版上；
利用光刻工艺，将所述测试掩膜版上的多个所述测试图形转移至所述晶圆上，以在所述晶圆上形成与多个所述测试图形相对应的多个所述实际图形，所述实际图形包括所述实际量测点图形。
3.如权利要求2所述的线宽测量方法，其特征在于，多个所述测试图形包括多个第一测试图形、多个第二测试图形和多个第三测试图形，所述第三测试图形和所述第二测试图形均为二维图形，且所述第三测试图形和所述第二测试图形的形状不同，所述第一测试图形为一维图形。
4.如权利要求3所述的线宽测量方法，其特征在于，所述第二测试图形包括多个第二子测试图形，在第一方向上的所述第二子测试图形平行排布，在第二方向上的所述第二子测试图形位于同一直线上，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
5.如权利要求4所述的线宽测量方法，其特征在于，所述量测点图形包括多个所述第一测试图形，或者，所述量测点图形包括多个所述第一测试图形和所述第二测试图形。
6.如权利要求5所述的线宽测量方法，其特征在于，所述量测点图形中的所有所述第一测试图形位于多个量测区域中，每个所述量测区域中具有至少一个所述第一测试图形，所有所述量测区域中的所述第一测试图形之间的间距逐渐增大，且每个所述量测区域内的第一测试图形之间的间距相同，其中，所述量测点图形中的所述的第一测试图形的线宽小于所述光刻工艺中的曝光波长。
7.如权利要求1所述的线宽测量方法，其特征在于，所述新的晶圆数据还包括所述晶圆上的实际图形之间的间距。
8.如权利要求1所述的线宽测量方法，其特征在于，获取所述量测点图形对应的晶圆数据的方法包括：
通过扫描电子显微镜获取所述晶圆的图像；
识别所述晶圆的图像中的对准标记，所述对准标记的形状为十字型；
根据所述对准标记在所述原始版图中的位置信息及所述量测点图形的位置信息确定所述量测点图形的图像，并根据所述量测点图形的图像得到所述晶圆数据。
9.如权利要求1所述的线宽测量方法，其特征在于，所述光刻模型包括光学模型和光刻胶模型。
10.如权利要求9所述的线宽测量方法，其特征在于，所述光学模型的建立方法包括：根据所述晶圆数据、所述晶圆的光学参数和光学***参数建立所述光学模型；
所述光刻胶模型的建立方法包括：根据光刻胶发生光化学反应的阈值条件、光刻胶的扩散长度和中和系数建立所述光刻胶模型。
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