JP2005150309A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】突起などを必要とすることなく容易な構成により、金属ベース板１に銅やアルミニウムなどの安価な材料を使用した場合であっても、はんだ７が受ける温度サイクルストレスを低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミック基板２とセラミック基板２の第１の面に形成される第１面側配線パターン４とセラミック基板２の第２の面に形成される第２面側配線パターン５とセラミック基板２の第１面側配線パターン４側に実装された１個又は２個の半導体素子３とを有する複数の半導体回路部と、それぞれの半導体回路部のセラミック基板２の第２面側配線パターン５側で半導体素子３の直下範囲を含みセラミック基板２の第２の面全体範囲内に塗布された接合部材７と、セラミック基板２の線膨張係数より大きな線膨張係数の金属材料からなり接合部材７を介して複数の半導体回路部が接合された金属ベース板１と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子が実装されたセラミック基板をはんだを介して金属ベース板に接合する半導体装置に関するものである。

従来、半導体装置は、多数の半導体素子が実装された１つのセラミック基板がはんだを介して金属ベース板に接合されている。そして、多数の半導体素子とセラミック基板に配設された配電パターンとにより、例えばＤＣＤＣコンバータやインバータ等を構成している。例えば、インバータの場合には、半導体素子として６個ずつのＩＧＢＴ素子とダイオードとが、１つのセラミック基板上に実装されている。なお、金属ベース板は、セラミック基板の強度を確保する用途と放熱するための用途を有している。

ここで、セラミック基板と金属ベース板とは、はんだにより接合されている。そして、セラミック基板の線膨張係数と金属ベース板の線膨張係数とが異なることにより、両者の間に介在する接合部材であるはんだが温度サイクルストレスを受ける。例えば、金属ベース板として安価な材料である銅やアルミニウムを使用した場合には、セラミック基板のセラミック材料部の線膨張係数は約５〜６ｐｐｍ／℃であるのに対して、金属ベース板である銅の線膨張係数は約１７ｐｐｍ／℃であって、アルミニウムの線膨張係数は約２３ｐｐｍ／℃である。このようにセラミック基板に対して線膨張係数の差が非常に大きな材料を金属ベース板に使用すると、例えば自動車などの高温の温度環境にて使用する半導体装置は、はんだが次第に劣化していき、最終的には亀裂などを起こして放熱性が低下するおそれがある。

そこで、自動車などの高温の温度環境にて使用する半導体装置は、金属ベース板の材料をセラミック基板の線膨張係数に比較的近似した線膨張係数からなる材料とすることが考えられる。例えば、金属ベース板の材料をアルミニウムと炭化ケイ素の複合材料や銅モリブデン合金等である。ここで、アルミニウムと炭化ケイ素の複合材料や銅モリブデン合金等の線膨張係数は約７〜１０ｐｐｍ／℃である。このように、セラミック基板に近似した線膨張係数からなる材料を金属ベース板に用いることにより、はんだが受ける温度サイクルストレスを低減することができるというものである。

また、セラミック基板と金属ベース板との間のはんだの厚さを規制することにより、はんだが受ける温度サイクルストレスを低減することが特開２００２−５７２８０号公報に開示されている。当該公報には、金属ベース板に複数個の突起を設けることにより、はんだの厚さを規制することが記載されている。

また、セラミック基板と金属ベース板との間にはんだを用いずに、金属ベース板と新たに追加された金属板とによりセラミック基板を挟み込み固定することにより、セラミック基板と金属ベース板と線膨張係数の差を吸収することが特開２００３−６０１４３号公報に開示されている。
特開２００２−５７２８０号公報 特開２００３−６０１４３号公報

しかし、金属ベース板の材料としてアルミニウムと炭化ケイ素の複合材料や銅モリブデン合金等を用いた場合には、これらの材料が非常に高価であるために、半導体装置の高コスト化を招来する。また、特開２００２−５７２８０号公報に開示された半導体装置は、金属ベース板に突起を形成する必要があるために高コスト化を招来する。また、特開２００３−６０１４３号公報に開示された半導体装置は、新たに金属板を必要とするため、部品点数が増加して高コスト化を招来する。

本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、金属ベース板に形成する突起や金属板などの新たな部品を必要とすることなく容易な構成により、金属ベース板に銅やアルミニウムなどの安価な材料を使用した場合であっても、はんだが受ける温度サイクルストレスを低減することができる半導体装置を提供する。

そこで、本発明者はこの課題を解決すべく鋭意研究し、試行錯誤を重ねた結果、セラミック基板を小型化することを思いつき、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の半導体装置は、複数の半導体素子を有する半導体装置において、セラミックスからなるセラミック基板と、前記セラミック基板の第１の面に形成される第１面側配線パターンと、前記セラミック基板の第２の面に形成される第２面側配線パターンと、前記セラミック基板の前記第１面側配線パターン側に実装された１個又は２個の半導体素子と、を有する複数の半導体回路部と、それぞれの前記半導体回路部の前記セラミック基板の前記第２面側配線パターン側で前記半導体素子の直下範囲を含み前記セラミック基板の前記第２の面全体範囲内に塗布された接合部材と、前記セラミック基板の線膨張係数より大きな線膨張係数の金属材料からなり前記接合部材を介して複数の前記半導体回路部が接合された金属ベース板と、を備えたことを特徴とする。

従来の半導体装置は、例えばインバータ回路などの１つの半導体回路を１つのセラミック基板に形成していた。つまり、複数の半導体素子からなる半導体回路を１つのセラミック基板に実装していた。これに対して、本発明の半導体装置は、１つのセラミック基板にはインバータ回路を形成する半導体回路の一部である１個又は２個の半導体素子を実装している。そして、複数のセラミック基板を配線結合することにより、１つの半導体回路を形成している。つまり、セラミック基板は、１個又は２個の半導体素子を実装しているので、従来のセラミック基板に比べて非常に小型なものとなる。

そして、セラミック基板と金属ベース板とを接合する接合部材（例えば、はんだ）が塗布される範囲は、半導体素子の直下範囲を含みセラミック基板の第２の面全体範囲内である。すなわち、接合部材が塗布される範囲は、最大でも、小型化されたセラミック基板の第２の面全体となる。

これにより、従来に対して小型化されたセラミック基板の第２の面に接合部材（はんだ等）を塗布することにより、接合部材が受ける温度サイクルストレスを大きく低減することができる。これは、接合部材がセラミック基板及び金属ベース板に接している最大長さを短くすることができたことによる。なお、接合部材の塗布範囲が、半導体素子の直下を含みようにしているのは、半導体素子の熱を確実に放熱するためである。

さらに、本発明によれば、小型化されたセラミック基板に接合部材を塗布するので、接合部材の塗布範囲を狭小化することができる。つまり、接合部材の量を低減することができるので、低コスト化を図ることができる。

次に、実施形態を挙げ、本発明をより詳しく説明する。

前記接合部材は、前記半導体素子の直下範囲を含み前記第２面側配線パターンの形成範囲内に塗布してもよい。半導体素子の放熱は、熱伝導性の良好な材料である配線パターンを介して金属ベース板から行われる。そこで、接合部材を第２面側配線パターンの形成範囲内に塗布することにより、十分に半導体素子の放熱をすることができる。

また、前記接合部材は、前記半導体素子の端側から前記金属ベース板側に向かって所定角度広がった範囲に塗布してもよい。一般に、半導体素子の放熱は、半導体素子の熱は半導体素子を中心として周囲に伝達される。すなわち、半導体素子の直下範囲のみではなく、半導体素子の近傍においても半導体素子の熱は伝達される。そこで、半導体素子の端側から前記金属ベース板側に向かって所定角度広がった範囲に塗布することで、確実に半導体素子の放熱を行うことができる。なお、前記所定角度は、９０度未満であればよいが、３０度付近〜６０度付近であれば十分に放熱性を確保することができる。

また、前記半導体素子は１個であって、前記セラミック基板は１個の前記半導体素子を実装可能であって２個以上の前記半導体素子を実装できない大きさからなるようにしてもよい。また、前記半導体素子は２個であって、前記セラミック基板は２個の前記半導体素子を実装可能であって３個以上の前記半導体素子を実装できない大きさからなるようにしてもよい。つまり、セラミック基板は、実装する半導体素子の個数に合わせた大きさとなる。なお、前記半導体素子は、一辺が１ｍｍ〜２０ｍｍの扁平略矩形形状からなる。

また、前記金属ベース板は、銅又はアルミニウムからなるようにしてもよい。銅やアルミニウムは、非常に安価な材料であるので、これにより半導体装置の低コスト化を図ることができる。なお、銅やアルミニウムの線膨張係数は、上述したように、セラミック基板の線膨張係数に比べて非常に大きいので、接合部材が大きな温度サイクルストレスを受ける可能性がある。しかし、本発明によれば、セラミック基板が小型化され接合部材の塗布範囲が狭いことにより、接合部材が受ける温度サイクルストレスを低減することができる。その結果、セラミック基板と大きな差の線膨張係数からなる材料を金属ベース板に使用した場合であっても、接合部材の劣化を確実に防止することができる。

また、本発明の半導体装置は、さらに、前記金属ベース板上に接着結合し前記半導体回路部を囲繞すると共に複数の前記半導体回路部間を導電して回路配線を形成する配線用バスバーをインサート成形した樹脂ケースを有するようにしてもよい。従来の半導体装置は、１つの半導体回路が１つのセラミック基板に形成されていたので、複数の半導体素子と配線パターンとにより１つの半導体回路を形成することができた。しかし、本発明のようにセラミック基板を小型化して分割したことにより、１つの半導体回路を１つのセラミック基板と配線パターンとにより形成することができない。そこで、配線回路として樹脂ケースにインサート成型した配線バスバーを用いるようにする。これにより、小型分割したセラミック基板を用いた場合であっても、半導体回路を容易に形成することができる。

次に、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する。まず、樹脂ケース８を取付ける前の半導体装置について図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施例における半導体装置の樹脂ケースを取付ける前の状態の正面図を示す。図２は、図１の半導体装置の左側面図を示す。図３は、図２のＡ−Ａ矢視図を示す。

図１及び図２に示すように、本実施例の半導体装置は、金属ベース板１と、セラミック基板２と、半導体素子３と、第１面側配線パターンとしての表面側配線パターン４と、第２面側配線パターンとしての裏面側配線パターン５と、半導体素子側はんだ６と、接合部材としてのベース側はんだ７とを有している。

金属ベース板１は、銅により形成されており、厚さが例えば３ｍｍの略矩形板状に形成されている。この金属ベース板１は、半導体素子２の熱を放熱する役割と、セラミック基板３の強度を補強する役割とを有している。さらに、後述する樹脂ケース８を固定する役割をも有している。なお、金属ベース板１は銅からなるので、線膨張係数は約１７ｐｐｍ／℃である。

セラミック基板２は、絶縁性材料である窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス粉末を焼成して成型された基板である。このセラミック基板２は、厚さ０．６ｍｍ程度であって、１０ｍｍ×２０ｍｍの矩形形状に形成されている。セラミック基板２は、従来のセラミック基板２に比べると非常に小型なものとしている。なお、セラミック基板２の線膨張係数は約５〜６ｐｐｍ／℃である。すなわち、セラミック基板２の線膨張係数は、金属ベース板１の線膨張係数の約２分の１となる。

そして、このセラミック基板２の表面側及び裏面側に、銅からなる配線パターン（表面側配線パターン４、裏面側配線パターン５）が形成されている。表面側配線パターン４は、セラミック基板２の表面側の周縁側を除く全面に形成されている。具体的には、セラミック基板２の表面側のうち周縁側から１ｍｍの範囲を除く範囲に表面側配線パターン４が形成されている。すなわち、８ｍｍ×１８ｍｍの範囲に表面側配線パターン４が形成されている。

また、裏面側配線パターン５については、図１〜図３を参照して説明する。裏面側配線パターン５は、半導体素子直下パターン５１と、ワイヤボンディング用パターン５２とからなる。半導体素子直下パターン５１は、半導体素子３が実装される位置の直下付近に形成された配線パターンである。図３から明らかなように、半導体素子直下パターン５１は、セラミック基板２のやや端側（図３の右端側）に寄った位置に形成されており、セラミック基板２の裏面側の半分以上の範囲を占めている。この半導体素子直下パターン５１は、８ｍｍ×１２ｍｍの範囲に形成されている。一方、ワイヤボンディング用パターン５２は、セラミック基板２の裏面側のうち半導体素子直下パターン５１が寄っている方と反対方向（図３の左側）に寄った位置に形成されている。このワイヤボンディング用パターン５２は、ワイヤボンディング配線による衝撃などを受けるために形成されている。一方、表面側配線パターン４及び裏面側配線パターン５のうち半導体素子直下パターン５１は、半導体素子３と共に半導体回路を形成するための配線である。

半導体素子３は、シリコンからなる５ｍｍ×１０ｍｍの扁平矩形形状に形成されている。この半導体素子３は、例えば、ＩＧＢＴ(Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ)やダイオード等の素子である。そして、この半導体素子３は、セラミック基板２に形成された表面側配線パターン４上に実装されている。なお、この半導体素子３の線膨張係数は約３〜４ｐｐｍ／℃である。

半導体素子側はんだ６は、半導体素子３の裏面側全面に塗布されている。そして、この半導体素子側はんだ６を介して、半導体素子３はセラミック基板２又は表面側配線パターン４に接合している。なお、半導体素子側はんだ６は、半導体素子３とセラミック基板２等とを接合する他、半導体素子３からセラミック基板２側へ熱を伝導している。つまり、半導体素子側はんだ６により、半導体素子３の放熱性の向上をも図っている。

ベース側はんだ（接合部材）７は、セラミック基板２の裏面側に配設された半導体素子直下パターン５１の全面に塗布されている。そして、このベース側はんだ７を介して、セラミック基板２又は裏面側配線パターン５は金属ベース板１に接合している。なお、ベース側はんだ７は、セラミック基板２と金属ベース板１とを接合する他、セラミック基板２側から金属ベース板１側へ熱を伝導している。つまり、ベース側はんだ７により、半導体素子３の放熱性の向上をも図っている。

ここで、上述したセラミック基板２と、表面側配線パターン４と、裏面側配線パターン５と、半導体素子３と、半導体素子側はんだ６とにより、本発明の半導体回路部を構成する。そして、図１に示すように、複数の半導体回路部がベース側はんだ７により金属ベース板１上に配設されて半導体装置を構成している。なお、本実施例においては、半導体回路部を構成する半導体素子は１個としたが、これに限られるものではなく、２個の半導体素子３を１つのセラミック基板２に実装してもよい。

なお、ワイヤボンディング用パターン５２の裏面には、半導体素子直下パターン５１と異なりはんだを塗布しない。これは、ワイヤボンディング用パターン５２は半導体素子３から比較的に離れているので、半導体素子３の放熱性への影響が小さい。また、セラミック基板２と金属ベース板１との接合強度については、半導体素子直下パターン５１の部分のみにはんだを塗布することで十分な接合強度が得られる。そこで、ワイヤボンディング用パターン５２には、はんだを塗布せずに、はんだ塗布量の低減に貢献する。また、ワイヤボンディング用パターン５２と金属ベース板１との間に隙間が形成される場合にであっても、はんだを用いて当該隙間を埋めることはしない。ただし、ワイヤボンディング用パターン５２の裏面側に樹脂などを配設して隙間を埋めるようにしてもよい。もちろん、はんだを用いてもよい。

ここで、半導体素子側はんだ６及びベース側はんだ７の機能的説明について詳述する。半導体素子側はんだ６は、上述したように、半導体素子３とセラミック基板２の表面側又は表面側配線パターン４との間に配設されている。すなわち、半導体素子側はんだ６は、半導体素子３とセラミック基板２の表面側又は表面側配線パターン４とを接合している。ところで、半導体装置を自動車に搭載する場合には、この半導体装置は低温環境から高温環境までと非常に厳しい温度環境下に置かれることになる。この場合、半導体素子３の線膨張係数とセラミック基板２の線膨張係数とは上述したように異なることにより、半導体素子側はんだ６が温度サイクルストレスを受ける。具体的には、セラミック基板２の線膨張係数が半導体素子３の線膨張係数より大きいので、高温環境下においては半導体素子側はんだ６のうちセラミック基板２側が半導体素子３側に比べて大きく伸びる。しかし、半導体素子３の大きさは、上述したように一辺が２０ｍｍ以下であるので、このような小さな部品間における温度サイクルストレスは非常に小さい。従って、半導体素子側はんだ６は、自動車などの非常に厳しい温度環境下においても、半導体素子３とセラミック基板２との線膨張係数の相違を十分に吸収することができる。その結果、半導体素子３とセラミック基板２の表面側又は表面側配線パターン４との接合強度は十分に確保することができる。さらに、半導体素子側はんだ６が半導体素子３及びセラミック基板２等に十分に接合されていることにより、半導体素子３の放熱性を良好に維持することができる。

また、ベース側はんだ７は、上述したように、セラミック基板２の裏面側又は裏面側配線パターン５と金属ベース板１との間に配設されている。すなわち、ベース側はんだ７は、セラミック基板２の裏面側又は裏面側配線パターン５と金属ベース板１とを接合している。ところで、上述したように、セラミック基板２の線膨張係数と金属ベース板１の線膨張係数とは大きく異なる。具体的には、セラミック基板２の線膨張係数は、金属ベース板１の線膨張係数の約２分の１である。このように、両線膨張係数が大きく異なるので、通常は温度環境の厳しい自動車などには適用できない。これは、自動車などの非常に厳しい温度環境下においては、ベース側はんだ７が大きな温度サイクルストレスを受けるためである。しかし、本実施例におけるセラミック基板２の大きさは非常に小さく形成されている。さらに、ベース側はんだ７の塗布範囲は、セラミック基板２の裏面側配線パターン５のうち半導体素子直下パターン５１の部分である。すなわち、ベース側はんだ７の塗布範囲は、一辺が２０ｍｍ程度と非常に小さいので、温度サイクルストレスは非常に小さくなる。従って、ベース側はんだ７も半導体素子側はんだ６と同様に、自動車などの非常に厳しい温度環境下においても、セラミック基板２と金属ベース板１との線膨張係数の相違を十分に吸収することができる。その結果、セラミック基板２の裏面側と裏面側配線パターン５との接合強度は十分に確保することができる。さらに、ベース側はんだ７がセラミック基板２又は裏面側配線パターン５が金属ベース板１に十分に接合されていることにより、半導体素子３の放熱性を良好に維持することができる。

次に、図４及び図５を参照して、樹脂ケース８を取付けた半導体装置について説明する。図４は、樹脂ケース８を取付けた半導体装置の平面図を示す。図５は、図４のＢ−Ｂ矢視断面図を示す。ただしボンディングワイヤを省略している。ここでは、説明を容易にするために半導体回路部が２個で、半導体回路部はそれぞれ１個の半導体素子３を有しており、半導体素子３が２個の場合について説明するが、実際には３個以上の半導体素子３が実装されていてもよい。

図４及び図５に示すように、半導体装置は、金属ベース板１と、セラミック基板２と、半導体素子３と、表面側配線パターン４と、裏面側配線パターン５と、半導体素子側はんだ６と、ベース側はんだ７の他に、樹脂ケース８を有している。

樹脂ケース８は、樹脂部８１と、信号線金属バスバー８２と、動力線金属バスバー８３とから構成される。樹脂部８１は、外枠の断面形状が略凸形状、すなわち高さ方向のほぼ中央部分の内側に凸設した凸部８１１を形成する形状からなる。そして、この樹脂部８１には、中央に２つの貫通孔が形成されている。すなわち、２つの貫通孔の間には、外枠の凸部８１１を連結する連結部８１２が形成されている。そして、樹脂部８１の凸部８１１の下側部分及び連結部８１２の下側部分が、金属ベース板１に接着結合されている。すなわち、樹脂部８１は、金属ベース板１の上に固定されている。さらに、金属ベース板１上に配設されているセラミック基板２及び半導体素子３等から構成される半導体回路部は、樹脂部８１の凸部８１１及び連結部８１２により形成される貫通孔の内側に配設されている。つまり、樹脂部８１は、セラミック基板２及び半導体素子３等から構成される半導体回路部を囲繞している。

信号線金属バスバー８２は、半導体素子３に信号電流を供給する配線バスバーである。この信号線金属バスバー８２は、樹脂部８１の凸部８１１の上面側にインサート成形されている。詳細には、信号線金属バスバー８２は、２個の半導体回路部の半導体素子３に近接した部位にそれぞれ２本ずつインサート成形されている。さらに、信号線金属バスバー８２の一部分が、樹脂部８１の凸部８１１よりも内側に突設して成形されている。そして、この信号線金属バスバー８２は、半導体回路部の半導体素子３にワイヤにより配線結合されている。

動力線金属バスバー８３は、半導体素子３に動力電流を供給する配線バスバーである。図４に示す半導体装置においては、３本の動力線金属バスバー８３を有している。これらの動力線金属バスバー８３は、信号線金属バスバー８２に比べて断面積が非常に大きな形状のものを用いている。そして、この動力線金属バスバー８３のうち２本は、信号線金属バスバー８２と同様に樹脂部８１の凸部８１１の上面側にインサート成形されている。詳細には、この２本の動力線金属バスバー８３は、信号線金属バスバー８２と対向する位置、すなわち２個の半導体回路部の半導体素子３から遠い側にそれぞれ１本ずつインサート成形されている。さらに、この動力線金属バスバー８３の一部分が、樹脂部８１の凸部８１１よりも内側に突設して成形されている。そして、この動力線金属バスバー８３は、半導体回路部の表面側配線パターン４にワイヤにより配線結合されている。

また、他の１本の動力線金属バスバー８３は、樹脂部８１の連結部８１２の上面側にインサート成形されている。すなわち、２個の半導体回路部の間に配設されている。そして、この１本の動力線金属バスバー８３は、それぞれの半導体素子３にワイヤにより配線結合されている。

ここで、従来の半導体装置は、上述したように、多数の半導体素子を１つのセラミック基板上に実装していた。従って、半導体素子はセラミック基板上の回路配線によって配線結合されていた。しかし、本発明によれば、複数のセラミック基板２に小型分割したことにより、各セラミック基板２間を配線結合する必要が生じた。つまり、従来の半導体装置では配線パターンにより形成されていた回路配線部分が、別途必要となった。そこで、本発明の半導体装置は、セラミック基板を小型分割したことにより、別途必要となった回路配線部分に金属バスバーを用いるようにしている。なお、金属バスバー８２，８３を樹脂ケース８にインサート成型することにより、容易に回路配線を形成することができる。

なお、上記実施例の半導体装置においては、セラミック基板２上に半導体素子３のみが実装されたものとして説明したが、半導体素子３の他に例えば抵抗やコンデンサなどの素子をセラミック基板２上に実装するようにしてもよい。また、金属ベース板１の表面にははんだレジストを配設してもよい。これにより、はんだのアライメント機能が働き、小型分割されたセラミック基板２を精度良く金属ベース板１上に位置決めすることができると共に、ベース側はんだ７のはみ出しを抑制することができる。

樹脂ケースを取付ける前の半導体装置を示す正面図である。 図１の半導体装置の左側面図を示す。 図２のＡ−Ａ矢視図を示す。 樹脂ケースを取付けた半導体装置を示す平面図である。 図４のＢ−Ｂ矢視断面図を示す。

符号の説明

１・・・金属ベース板、 ２・・・セラミック基板、 ３・・・半導体素子、 ４・・・表面側配線パターン（第１面側配線パターン）、 ５・・・裏面側配線パターン（第２面側配線パターン）、 ６・・・半導体素子側はんだ、 ７・・・ベース側はんだ（接合部材）、 ８・・・樹脂ケース、 ５１・・・半導体素子直下パターン、 ５２・・・ワイヤボンディング用パターン、 ８１・・・樹脂部、 ８２・・・信号線金属バスバー、 ８３・・・動力線金属バスバー、 ８１１・・・凸部、 ８１２・・・連結部

Claims (8)

1. 複数の半導体素子を有する半導体装置において、
   セラミックスからなるセラミック基板と、前記セラミック基板の第１の面に形成される第１面側配線パターンと、前記セラミック基板の第２の面に形成される第２面側配線パターンと、前記セラミック基板の前記第１面側配線パターン側に実装された１個又は２個の半導体素子と、を有する複数の半導体回路部と、
   それぞれの前記半導体回路部の前記セラミック基板の前記第２面側配線パターン側で前記半導体素子の直下範囲を含み前記セラミック基板の前記第２の面全体範囲内に塗布された接合部材と、
   前記セラミック基板の線膨張係数より大きな線膨張係数の金属材料からなり前記接合部材を介して複数の前記半導体回路部が接合された金属ベース板と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 前記接合部材は、前記半導体素子の直下範囲を含み前記第２面側配線パターンの形成範囲内に塗布されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記接合部材は、前記半導体素子の端側から前記金属ベース板側に向かって所定角度広がった範囲に塗布されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
4. 前記半導体素子は１個であって、
   前記セラミック基板は、１個の前記半導体素子を実装可能であって２個以上の前記半導体素子を実装できない大きさからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
5. 前記半導体素子は２個であって、
   前記セラミック基板は、２個の前記半導体素子を実装可能であって３個以上の前記半導体素子を実装できない大きさからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
6. 前記半導体素子は、一辺が１ｍｍ〜２０ｍｍの扁平略矩形形状からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
7. 前記金属ベース板は、銅又はアルミニウムからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
8. さらに、前記金属ベース板に結合し前記半導体回路部を囲繞すると共に複数の前記半導体回路部間を導電して回路配線を形成する配線用バスバーをインサート成形した樹脂ケースを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。

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