JP2005136386A - 炭化珪素−酸化物積層体,その製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 75
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 27
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 NO gas Chemical compound 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/7827—Vertical transistors
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Abstract
【解決手段】SiC基板10の上に、熱酸化処理により、主としてSiO2からなる酸化物層であるゲート絶縁膜7’を形成した後、チャンバ20内で不活性なガス雰囲気中でアニールを行なう。その後、真空ポンプ31が付設されたチャンバ30内にSiC基板10を設置して、1100℃を超え1250℃未満の高温で、減圧されたNOガス雰囲気に炭化珪素−酸化物層積層体Aを暴露すると、ゲート絶縁膜7’内に窒素が拡散して、下部に窒素濃度の高い領域を有する,比誘電率が3.0以上のV族元素含有酸化物層であるゲート絶縁膜7が得られる。V族元素含有酸化物層−炭化珪素層間の界面領域の界面準位密度も低減する。
【選択図】 図4
Description
L.A.Lipkin and J.A.Palmer, J.Electron. Mater. 25, 909(1999) G.Y.Chung, C.C.Tin, J.R.Williams, K.McDonald, R.K.Chanara, Robert A.Weller, S.T. Pantelide, Leonard C. Feldman, O.W.Holland, M.K.Das, and John W.Palmour," Improved Inversion Channel Mobility for 4H-SiC MOSFETs Following High Temperature Anneals in Nitric Oxide"IEEE Electron Device Lett.,vol. 22, pp.176-178, 2000)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るSiC基板を用いた蓄積型MISFETの構造を示す断面図である。図1には、部分的な断面構造しか開示されていないが、MISFETの平面構造は、たとえば国際出願PCT/JP01/07810号の図2又は図10に開示されるような構造となっている。
図4(b)において使用される窒素を含むガスとしては、例えば、NOガス,N2Oガス,NO2ガス,PH3ガスなどがあり、特に、NOガス又はN2Oガスを用いることによる効果が大きい。つまり、窒素を含むガスとして現実に最適なガスは、NOガス,N2Oガスであり、これらは酸素を含むガスでもある。その場合には、下地のSiC層の酸化を抑制する観点から、以下のような条件が好ましい。
図9は、第1の実施形態のMISFETのチャネル移動度のNOアニールにおける圧力依存性を示す図である。同図は、温度を1050℃から1150℃の間で変化させてアニール処理を行なったサンプルについてのデータをグラフにしたものである。また、チャネル移動度は、ゲートバイアスが5V〜20Vでもっとも高くなるので、その付近でのデータである。
図10は、第1の実施形態のMISFETのチャネル移動度のNOアニール温度依存性を示す図である。同図のデータは、アニール時間が1時間,圧力が150Torr(2.00×104Pa)の条件でアニール処理を行なったサンプルについてのものである。同図に示すように、1100℃を超え1250℃未満の範囲、より好ましくは、1150℃以上で1200℃以下の範囲で、比較的高いチャネル移動度が得られている。その理由について、以下に説明する。
本実施形態においては、炭化珪素−酸化物積層体の構造は、第1の実施形態と基本的は同じであるので、説明を省略し、製造工程のみについて説明する。
11 酸化物層
12 V族元素含有酸化物層
20 チャンバ
30 チャンバ
31 真空ポンプ
Claims (17)
- 炭化珪素層と、
上記炭化珪素層の上に形成され、少なくとも下部にV族元素濃度の高い領域を有し、かつ、比誘電率が3.0以上であるV族元素含有酸化物層と
を備えている炭化珪素−酸化物積層体。 - 請求項1記載の炭化珪素−酸化物積層体において、
上記V族元素含有酸化物層の下部におけるV族元素濃度分布中のピーク部の半値幅が5nm以下である,炭化珪素−酸化物積層体。 - 請求項1又は2記載の炭化珪素−酸化物積層体において、
上記V族元素含有酸化物層は、母材がSiO2によって構成されている,炭化珪素−酸化物積層体。 - 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の炭化珪素−酸化物積層体において、
上記V族元素は窒素又は燐であり、
上記V族元素含有酸化物層の下部におけるV族元素濃度の最大値が、1×1020cm-3以上で1×1022cm-3以下である,炭化珪素−酸化物積層体。 - 請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の炭化珪素−酸化物積層体において、
上記V族元素含有酸化物層の上記炭化珪素層との境界付近の領域における界面準位密度は、伝導帯及び価電子帯のうち少なくともいずれかのバンド端付近のポテンシャル範囲で1×1012cm-3/eV以下である,炭化珪素−酸化物積層体。 - 炭化珪素層と、上記炭化珪素層の上に形成され、少なくとも下部にV族元素濃度の高い領域を有するV族元素含有酸化物層と、上記V族元素含有酸化物層の少なくとも一部の上に設けられたゲート電極とを備えた半導体装置であって、
上記炭化珪素層は、
ソース領域又はドレイン領域のうち少なくともいずれか一方として機能する第1導電型の不純物拡散領域と、
上記不純物拡散領域の側方に位置するチャネル領域と、
上記不純物拡散領域を挟んで上記チャネル領域とは対向する位置に設けられ、表面部がエッチングにより除去された第2導電型コンタクト領域とを含み、
上記V族元素含有酸化物層は、上記チャネル領域の上に設けられたゲート酸化膜を含む,半導体装置。 - 炭化珪素層の表面上に酸化物層を形成する工程(a)と、
上記工程(a)の後に、上記炭化珪素層をチャンバ内に設置して、上記酸化物層を、1100℃よりも高く1250℃よりも低い温度範囲で、V族元素含有ガスを含む雰囲気に曝露して、上記酸化物層を比誘電率が3.0以上のV族元素含有酸化物層に変化させる工程(b)と
を含む炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項7記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記工程(b)は、6.67×103Pa以上で5.33×104Pa以下の範囲に減圧された雰囲気で行なわれる,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項7又は8記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記工程(b)は、上記V族元素含有ガスを含む雰囲気の圧力は大気圧で、上記V族元素含有ガスの分圧が6.67×103Pa以上で5.33×104Pa以下の範囲である雰囲気で行なわれる,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項7〜9のうちいずれか1つに記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記工程(a)では、熱酸化により酸化物層を形成した後、不活性ガス雰囲気中でアニールする処理を行う,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項10記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記工程(a)では、上記不活性ガス雰囲気中でアニールした後、850℃以上で950℃以下の温度で、酸化性ガス雰囲気中で酸化する処理をさらに行う,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項7〜11のうちいずれか1つに記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記V族元素含有ガスは、窒素又は燐を含んでいる,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項12記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記V族元素含有ガスとして、NOガス,N2Oガス,NO2ガス及びPH3ガスの中から選ばれる少なくとも1つのガスを用いる,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 炭化珪素層の表面上に第1の酸化物層を形成する工程(a)と、
上記工程(a)の後に、上記炭化珪素層をチャンバ内に設置して、上記酸化物層をV族元素含有ガスを含むガス雰囲気に曝露する工程(b)と、
上記工程(b)の後に、上記第1の酸化物層の上に、第2の酸化物層を堆積する工程(c)と、
上記工程(c)の後に、900℃以上1100℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気中でアニールすることにより、上記第1の酸化物層及び第2の酸化物層からなる酸化物層を比誘電率が3.0以上のV族元素含有酸化物層に変化させる工程(d)と
を含む炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項14記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記工程(b)は、6.67×103Pa以上で5.33×104Pa以下の範囲に減圧された雰囲気で行なわれる,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項14又は15記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記工程(a)では、厚さ20nm未満の熱酸化膜を形成する,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。 - 請求項14〜16のうちいずれか1つに記載の炭化珪素−酸化物積層体の製造方法において、
上記工程(b)では、上記V族元素含有ガスとして、NOガス,N2Oガス,NO2ガス及びPH3ガスの中から選ばれる少なくとも1つのガスを用いる,炭化珪素−酸化物積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004271321A JP2005136386A (ja) | 2003-10-09 | 2004-09-17 | 炭化珪素−酸化物積層体,その製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003350244 | 2003-10-09 | ||
JP2004271321A JP2005136386A (ja) | 2003-10-09 | 2004-09-17 | 炭化珪素−酸化物積層体,その製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005136386A true JP2005136386A (ja) | 2005-05-26 |
JP2005136386A5 JP2005136386A5 (ja) | 2005-12-15 |
Family
ID=34656036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004271321A Withdrawn JP2005136386A (ja) | 2003-10-09 | 2004-09-17 | 炭化珪素−酸化物積層体,その製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005136386A (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2007086196A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2009-06-18 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2010040564A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
JP2010171418A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2011027540A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | パナソニック株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
WO2011074237A1 (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-23 | 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 | SiC半導体素子およびその作製方法 |
US20120199850A1 (en) * | 2010-01-19 | 2012-08-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof |
DE112010001476T5 (de) | 2009-03-11 | 2012-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauteils |
US20120248461A1 (en) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
US8421151B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and process for production thereof |
US8450750B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof |
JP2013149842A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2015023043A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
EP2998984A1 (en) * | 2014-09-19 | 2016-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2016063122A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2016154236A (ja) * | 2008-12-25 | 2016-08-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2016181671A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 |
JP2018129420A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 |
-
2004
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Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2007086196A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2009-06-18 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2010040564A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
JP7054403B2 (ja) | 2008-12-25 | 2022-04-13 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016154236A (ja) * | 2008-12-25 | 2016-08-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2020145483A (ja) * | 2008-12-25 | 2020-09-10 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2022088613A (ja) * | 2008-12-25 | 2022-06-14 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US11804545B2 (en) | 2008-12-25 | 2023-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10693001B2 (en) | 2008-12-25 | 2020-06-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7381643B2 (ja) | 2008-12-25 | 2023-11-15 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2010171418A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9837531B2 (en) | 2008-12-25 | 2017-12-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11152501B2 (en) | 2008-12-25 | 2021-10-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE112010001476B4 (de) | 2009-03-11 | 2017-11-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauteils |
US8753951B2 (en) | 2009-03-11 | 2014-06-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
JP2016219832A (ja) * | 2009-03-11 | 2016-12-22 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
DE112010001476T5 (de) | 2009-03-11 | 2012-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauteils |
WO2011027540A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | パナソニック株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
US8421151B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and process for production thereof |
JP5610492B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2014-10-22 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | SiC半導体素子およびその作製方法 |
WO2011074237A1 (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-23 | 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 | SiC半導体素子およびその作製方法 |
US8546815B2 (en) | 2009-12-16 | 2013-10-01 | National University Corporation NARA Institute of Science and Technology | SiC semiconductor element and manufacturing method for same |
US20120199850A1 (en) * | 2010-01-19 | 2012-08-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof |
US8872188B2 (en) * | 2010-01-19 | 2014-10-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof |
JPWO2011089687A1 (ja) * | 2010-01-19 | 2013-05-20 | 住友電気工業株式会社 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2011092808A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2013-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
US8450750B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof |
US20120248461A1 (en) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
US9177804B2 (en) | 2011-04-01 | 2015-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
US8686435B2 (en) * | 2011-04-01 | 2014-04-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
JP2013149842A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2015023043A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
EP2998984A1 (en) * | 2014-09-19 | 2016-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9893153B2 (en) | 2014-09-19 | 2018-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2016063111A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016063122A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2016181671A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 |
US10580874B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with silicon oxide layer having element double bonded to oxygen, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator |
CN108417633A (zh) * | 2017-02-09 | 2018-08-17 | 株式会社东芝 | 半导体装置、半导体装置的制造方法、逆变器电路、驱动装置、车辆以及升降机 |
CN108417633B (zh) * | 2017-02-09 | 2021-09-03 | 株式会社东芝 | 半导体装置、半导体装置的制造方法、逆变器电路、驱动装置、车辆以及升降机 |
JP2018129420A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 |
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A975 | Report on accelerated examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A761 | Written withdrawal of application |
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