JP2005078087A - 薄膜トランジスタ表示板とその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ表示板とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005078087A JP2005078087A JP2004249403A JP2004249403A JP2005078087A JP 2005078087 A JP2005078087 A JP 2005078087A JP 2004249403 A JP2004249403 A JP 2004249403A JP 2004249403 A JP2004249403 A JP 2004249403A JP 2005078087 A JP2005078087 A JP 2005078087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive film
- drain electrode
- thin film
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】本発明の技術的課題は、少ない回数の写真工程によって製造コストを節減することができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上にゲート線を形成し、ゲート線上にゲート絶縁膜と半導体層を連続積層し、半導体層上に下部導電膜と上部導電膜を蒸着する。次に、上部導電膜、下部導電膜、及び半導体層を写真エッチングした後、保護膜を蒸着し、保護膜を写真エッチングして上部導電膜の第1部分及び第2部分を露出する。次に、上部導電膜の第1及び第2部分を除去して下部導電膜の第1部分及び第2部分を露出した後、下部導電膜の第1部分を覆う画素電極と第2部分の一部を露出する補助ソース電極及び補助ドレーン電極を形成しつつ補助ソース電極と補助ドレーン電極の間の下部導電膜の第2部分を除去して半導体層の一部を露出する。次に、半導体層の露出された部分の上に間隔材柱を形成する。
【選択図】 図2a
Description
121 ゲート線
124 ゲート電極
140 ゲート絶縁膜
151、154 半導体
161、163、165 抵抗性接触部材
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレーン電極
180 保護膜
181、182、185 接触孔
189 開口部
190 画素電極
81、82 接触補助部材
320 間隔材柱
Claims (25)
- 基板上にゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜と半導体層を連続積層する段階と、
前記半導体層上に下部導電膜と上部導電膜を蒸着する段階と、
前記上部導電膜、前記下部導電膜及び前記半導体層を写真エッチングする段階と、
保護膜を蒸着する段階と、
前記保護膜を写真エッチングして前記上部導電膜の第1部分と第2部分を露出する段階と、
前記上部導電膜の第1及び第2部分を除去して前記下部導電膜の第1部分と第2部分を露出する段階と、
前記下部導電膜の第1部分を覆う画素電極、第2部分を覆う補助ソース電極及び補助ドレーン電極を形成する段階と、
前記補助ソース電極と補助ドレーン電極の間の前記下部導電膜の第2部分を除去して前記半導体層の一部を露出する段階と、
前記半導体層の露出された部分上に間隔材柱を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記保護膜写真エッチング段階で、前記上部導電膜の第1部分とこれに隣接するゲート絶縁膜を共に露出する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記画素電極を形成する段階で、前記下部導電膜の第1部分と露出された前記ゲート絶縁膜を共に覆い画素電極を形成する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記保護膜の写真エッチング段階で、前記上部導電膜の第3部分を露出する、請求項3に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記上部導電膜の除去段階で、前記上部導電膜の第3部分を除去して前記下部導電膜の第3部分を露出する、請求項4に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート線が下部膜と上部膜を含む、請求項5に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記保護膜の写真エッチング段階で、前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記ゲート線の上部膜の一部を露出する、請求項6に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記上部導電膜の除去段階で、前記ゲート線上部膜の露出された部分を共に除去して前記ゲート線下部膜の一部を露出する、請求項7に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記下部導電膜の第3部分と前記ゲート線下部膜の露出された部分を覆う接触補助部材を形成する段階をさらに含む、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート線の上部膜と前記上部導電膜は同一の物質からなる、請求項9に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記上部導電膜はCrからなり、前記下部導電膜はAlまたはAl-Nd合金からなる、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記画素電極、前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極はIZOで形成される、請求項11に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記画素電極、前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極の形成段階と前記半導体層の一部の露出段階が共に実施される、請求項12に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記画素電極、前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極の形成段階と前記半導体層の一部の露出段階が同一のエッチング条件で行われる、請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記半導体層は真性半導体膜と不純物半導体膜を含み、
前記下部導電膜の除去後、前記不純物半導体膜の露出された部分を除去する段階をさらに含む、請求項1乃至請求項11のうちいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成されているゲート線と、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記半導体層の上部に形成され、下部導電膜と上部導電膜と、
前記半導体を露出する前記下部導電膜と前記上部導電膜の境界線が互いに一致しないデータ線及びドレーン電極と、
前記データ線及び前記ドレーン電極の上に形成され、前記ドレーン電極を露出する第1接触孔と、前記ソース電極と前記ドレーン電極の間の前記半導体層を露出する開口部を有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と接触する画素電極と、
を含む薄膜トランジスタ表示板。 - 前記画素電極と同一層で形成されており、前記開口部で前記データ線の一部であるソース電極と前記ドレーン電極を覆う補助ソース電極及び補助ドレーン電極をさらに含む、請求項16に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記半導体層を露出する前記ソース電極及び前記ドレーン電極の前記下部導電膜の境界線が、互いに対向する前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極の境界線と互いに一致する、請求項17に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ソース電極及び前記ドレーン電極の上部を通る前記開口部の境界線が、前記補助ソース電極と前記補助ドレーン電極によって完全に覆われている、請求項17に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第1接触孔は、前記ドレーン電極の下部導電膜の一部及び隣接するゲート絶縁膜を露出する、請求項16に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記半導体層の露出された部分上に形成されている絶縁体をさらに含む、請求項16に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記絶縁体は液晶表示装置の間隔材柱である、請求項21に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ドレーン電極の上部膜の少なくとも一部の境界が、前記第1接触孔の一部の境界と一致する、請求項16に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記下部導電膜はCrからなり、前記上部導電膜はAlまたはAl合金からなる、請求項16に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記画素電極はIZOからなる、請求項16に記載の薄膜トランジスタ表示板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030060011A KR100980020B1 (ko) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 |
KR2003-060011 | 2003-08-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005078087A true JP2005078087A (ja) | 2005-03-24 |
JP5107504B2 JP5107504B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=34420501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004249403A Active JP5107504B2 (ja) | 2003-08-28 | 2004-08-30 | 薄膜トランジスタ表示板とその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7119368B2 (ja) |
JP (1) | JP5107504B2 (ja) |
KR (1) | KR100980020B1 (ja) |
CN (1) | CN100392506C (ja) |
TW (1) | TWI347677B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005062889A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
JP2008066358A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Future Vision:Kk | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
JP2008066494A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Future Vision:Kk | 液晶表示パネルの製造方法および液晶表示パネル |
JP2013153140A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2015026830A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-02-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015026831A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-02-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6496692B1 (en) | 1999-12-06 | 2002-12-17 | Michael E. Shanahan | Methods and apparatuses for programming user-defined information into electronic devices |
US7149509B2 (en) | 1999-12-06 | 2006-12-12 | Twenty Year Innovations, Inc. | Methods and apparatuses for programming user-defined information into electronic devices |
US8170538B2 (en) | 1999-12-06 | 2012-05-01 | Solocron Media, Llc | Methods and apparatuses for programming user-defined information into electronic devices |
JP4646539B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2011-03-09 | エーユー オプトロニクス コーポレイション | 液晶表示装置とその製造方法 |
KR101058122B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2011-08-24 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판과, 그의 제조 방법 및 그를 구비한 액정 패널 |
KR20070001659A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
EP1935027B1 (en) | 2005-10-14 | 2017-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4600547B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4716056B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
US8558960B2 (en) * | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
TW201214573A (en) * | 2010-09-21 | 2012-04-01 | Ying-Jia Xue | Method of fabricating a thin film transistor substrate |
KR20120058106A (ko) | 2010-11-29 | 2012-06-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101835525B1 (ko) * | 2011-02-17 | 2018-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN102637631B (zh) * | 2011-06-03 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法 |
CN102629586B (zh) * | 2011-11-24 | 2013-12-25 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
TWI514039B (zh) * | 2014-01-13 | 2015-12-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
CN114967257B (zh) * | 2022-05-11 | 2023-10-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000066240A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Sakae Tanaka | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2000164886A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ―基板及びその製造方法 |
JP2001230321A (ja) * | 1999-12-31 | 2001-08-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2002353465A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2003045893A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-02-14 | Au Optronics Corp | 薄膜トランジスタの製造方法及び素子の形成方法 |
JP2004212964A (ja) * | 2002-12-30 | 2004-07-29 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US638383A (en) | 1899-06-06 | 1899-12-05 | Jephthah P Duvall | Attachment for harrows. |
FR2605442B1 (fr) * | 1986-10-17 | 1988-12-09 | Thomson Csf | Ecran de visualisation electrooptique a transistors de commande et procede de realisation |
JPH0828517B2 (ja) * | 1989-07-04 | 1996-03-21 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
US5132745A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-21 | General Electric Company | Thin film transistor having an improved gate structure and gate coverage by the gate dielectric |
JP3098345B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2000-10-16 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法 |
US5559345A (en) * | 1994-12-20 | 1996-09-24 | Goldstar Co., Ltd. | Thin film transistor having redundant metal patterns |
KR0181781B1 (ko) * | 1995-12-30 | 1999-05-01 | 구자홍 | 액정표시장치의 배열기판 및 그 제조방법 |
KR100190023B1 (ko) * | 1996-02-29 | 1999-06-01 | 윤종용 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100192347B1 (ko) | 1996-03-26 | 1999-06-15 | 구자홍 | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 |
KR100205867B1 (ko) | 1996-05-21 | 1999-07-01 | 구자홍 | 액티브매트릭스기판의 제조방법 및 그 방법에 의해제조되는액티브매트릭스기판 |
JPH1187721A (ja) | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Advanced Display:Kk | 薄膜トランジスタおよびこれを備えた液晶表示装置並びにtftアレイ基板の製造方法 |
JPH11160734A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
KR19990075407A (ko) | 1998-03-20 | 1999-10-15 | 윤종용 | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
KR100623974B1 (ko) * | 1998-12-08 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100309210B1 (ko) | 1999-07-31 | 2001-09-29 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 |
KR100333273B1 (ko) | 1999-08-02 | 2002-04-24 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터형 액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법 |
KR20010017422A (ko) | 1999-08-11 | 2001-03-05 | 박종섭 | 박막 트랜지스터-액정 표시 장치의 제조방법 |
KR100675733B1 (ko) | 1999-12-16 | 2007-01-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치의 어레이 기판 제조방법 |
US6885064B2 (en) * | 2000-01-07 | 2005-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Contact structure of wiring and a method for manufacturing the same |
KR100366768B1 (ko) * | 2000-04-19 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 배선의 접촉부 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
TW466773B (en) * | 2000-12-15 | 2001-12-01 | Acer Display Tech Inc | Manufacturing method of thin film transistor liquid crystal display |
KR100705616B1 (ko) | 2000-12-30 | 2007-04-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
KR100704510B1 (ko) | 2001-02-12 | 2007-04-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 하부 기판 및 그의 제조방법 |
KR20030027302A (ko) * | 2001-09-28 | 2003-04-07 | 삼성전자주식회사 | 저유전율 절연막을 사용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
JP2002314088A (ja) | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法及び当該方法により製造された薄膜トランジスタアレイ基板を用いた液晶表示装置 |
KR20020080866A (ko) | 2001-04-18 | 2002-10-26 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
JP2002341355A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法およびアレイ基板ならびに液晶表示装置 |
KR100443829B1 (ko) * | 2001-06-05 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자용 어레이기판 및 그 제조방법 |
KR101012792B1 (ko) * | 2003-12-08 | 2011-02-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 |
-
2003
- 2003-08-28 KR KR1020030060011A patent/KR100980020B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-08-26 US US10/926,719 patent/US7119368B2/en active Active
- 2004-08-27 TW TW093125912A patent/TWI347677B/zh active
- 2004-08-30 JP JP2004249403A patent/JP5107504B2/ja active Active
- 2004-08-30 CN CNB2004100570904A patent/CN100392506C/zh active Active
-
2006
- 2006-08-30 US US11/512,805 patent/US7459323B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000066240A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Sakae Tanaka | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2000164886A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ―基板及びその製造方法 |
JP2001230321A (ja) * | 1999-12-31 | 2001-08-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2002353465A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2003045893A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-02-14 | Au Optronics Corp | 薄膜トランジスタの製造方法及び素子の形成方法 |
JP2004212964A (ja) * | 2002-12-30 | 2004-07-29 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005062889A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
JP4732722B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2011-07-27 | 三星電子株式会社 | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
JP2008066358A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Future Vision:Kk | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
JP4565572B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2010-10-20 | 株式会社フューチャービジョン | 液晶表示パネルの製造方法 |
JP2008066494A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Future Vision:Kk | 液晶表示パネルの製造方法および液晶表示パネル |
JP4565573B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2010-10-20 | 株式会社フューチャービジョン | 液晶表示パネルの製造方法 |
JP2013153140A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2015026830A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-02-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015026831A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-02-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2022058842A (ja) * | 2013-06-21 | 2022-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7241942B2 (ja) | 2013-06-21 | 2023-03-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1591144A (zh) | 2005-03-09 |
US7119368B2 (en) | 2006-10-10 |
CN100392506C (zh) | 2008-06-04 |
KR20050023009A (ko) | 2005-03-09 |
US20060289965A1 (en) | 2006-12-28 |
TW200522363A (en) | 2005-07-01 |
US7459323B2 (en) | 2008-12-02 |
TWI347677B (en) | 2011-08-21 |
US20050082535A1 (en) | 2005-04-21 |
JP5107504B2 (ja) | 2012-12-26 |
KR100980020B1 (ko) | 2010-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5107504B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板とその製造方法 | |
KR101325053B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
JP5106762B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
US7566906B2 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
JP2007294951A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP4731897B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板とその製造方法 | |
JP4675588B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP4898229B2 (ja) | 光マスク、及びそれを用いた薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法 | |
KR101219041B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
JP2005049877A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP2007102225A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
US20070128551A1 (en) | Manufacturing method of thin film transistor array panel | |
KR101160823B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 | |
JP2005026690A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
KR100961951B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 | |
KR100980014B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 | |
KR20060004718A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 | |
KR20050017898A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 | |
KR20050034115A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 | |
KR20050079717A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 | |
KR20050068539A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는액정 표시 장치 | |
KR20060023396A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 | |
KR20050011874A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070827 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110302 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120731 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5107504 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |