JP2005067163A - 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005067163A JP2005067163A JP2003303853A JP2003303853A JP2005067163A JP 2005067163 A JP2005067163 A JP 2005067163A JP 2003303853 A JP2003303853 A JP 2003303853A JP 2003303853 A JP2003303853 A JP 2003303853A JP 2005067163 A JP2005067163 A JP 2005067163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- liquid
- driving
- field effect
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 76
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 20
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
- B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
- B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
- B41J2/05—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers produced by the application of heat
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/13—Heads having an integrated circuit
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/21—Line printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823437—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823437—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
- H01L21/823443—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes silicided or salicided gate conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】 本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、特に発熱素子と発熱素子を駆動するトランジスタとを一体に基板上に形成したサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用して、従来に比して寄生抵抗の値を小さくすることができるようにする。
【解決手段】 本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、特に発熱素子と発熱素子を駆動するトランジスタとを一体に基板上に形成したサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用することができる。本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成することにより、従来に比して寄生抵抗の値を小さくすることができるようにする。
近年、画像処理等の分野において、ハードコピーのカラー化に対するニーズが高まってきている。このニーズに対して、従来、昇華型熱転写方式、溶融熱転写方式、インクジェット方式、電子写真方式及び熱現像銀塩方式等のカラーコピー方式が提案されている。
これらの方式のうちインクジェット方式は、液体吐出ヘッドであるプリンタヘッドに設けられたノズルから記録液(インク)の液滴を飛翔させ、記録対象に付着してドットを形成するものであり、簡易な構成により高画質の画像を出力することができる。このインクジェット方式は、ノズルからインク液滴を飛翔させる方法の相違により、静電引力方式、連続振動発生方式(ピエゾ方式)及びサーマル方式に分類される。
これらの方式のうちサーマル方式は、インクの局所的な加熱により気泡を発生し、この気泡によりインクをノズルから押し出して印刷対象に飛翔させる方式であり、簡易な構成によりカラー画像を印刷することができるようになされている。
このようなサーマル方式によるプリンタヘッドは、インクを加熱する発熱素子が発熱素子を駆動するロジック集積回路による駆動回路と共に一体に半導体基板上に形成される。これによりこの種のプリンタヘッドにおいては、発熱素子を高密度に配置して確実に駆動できるようになされている。
すなわちこのサーマル方式のプリンタにおいて、高画質の印刷結果を得るためには、発熱素子を高密度で配置する必要がある。具体的に、例えば600〔DPI〕相当の印刷結果を得るためには、発熱素子を42.333〔μm〕間隔で配置することが必要になるが、このように高密度で配置した発熱素子に個別の駆動素子を配置することは極めて困難である。これによりプリンタヘッドでは、半導体基板上にスイッチングトランジスタ等を作成して集積回路技術により対応する発熱素子と接続し、さらには同様に半導体基板上に作成した駆動回路により各スイッチングトランジスタを駆動することにより、簡易かつ確実に各発熱素子を駆動できるようになされている。
プリンタヘッドにおいては、この種のスイッチングトランジスタ、スイッチイングトランジスタを駆動する駆動回路がMOS(Metal Oxide Semiconductor )型電界効果型トランジスタ(金属酸化物電界効果型トランジスタ)により作成され、発熱素子がタンタル(Ta)、窒化タンタル(TaNx)、タンタルアルミ(TaAl)等により作成されるようになされている。またパルス状の電圧を発熱素子に印加して0.8〜1.4〔μJ〕により発熱素子を駆動し、これによりインク液室に気泡を発生させてインク液滴を飛び出させるようになされている。ここで発熱素子の抵抗値と発熱素子に印加される電力との間には、電力=電圧2 /抵抗値の関係が成立することにより、プリンタヘッドでは、通常、電源電圧5〔V〕によるMOSトランジスタにより駆動回路を構成するのに対し、この駆動回路の制御により発熱素子を駆動するスイッチングトランジスタについては、耐圧を増大させて電源電圧8〜25〔V〕により動作させて十分な電力により発熱素子を駆動するようになされている。
すなわち図9は、この種のスイッチングトランジスタの構成を示す断面図である。このトランジスタ1においては、シリコン窒化膜(Si3 N4 )によりシリコン基板2上に素子分離領域(LOCOS: Local Oxidation Of Silicon )3が形成され、トランジスタ形成領域にゲート酸化膜4、ポリシリコン5の積層構造によりゲートGが作成される。これによりこの種のトランジスタではポリシリコン電極によりゲートGが作成される。この種のトランジスタでは、さらにシリコン基板2のイオン注入処理、熱処理によりソースS及びドレインDが形成される。トランジスタ1においては、この一連の処理において、ゲートG及びドレインDの間に、低濃度の拡散層ARが形成され、ゲート下のチャネル形成領域とドレインとの間の電界をこの拡散層ARにより緩和することにより、耐圧が増大されるようになされている。
このようなプリンタヘッドに関して、例えば特開平10−138484号公報においては、1対1の露光装置であるミラープロジェクションアライナー(MPA)を用いて、この種の露光装置による作成限界であるゲート長3〔μm〕によりポリシリコン電極によるゲートを作成してプリンタヘッドを作成する方法が提案されるようになされている。
これに対して特開2000−1083555公報においては、発熱素子とゲート電極とにポリシリコンを適用することにより、これら発熱素子とゲート電極とを同時に作成していわゆるサイドシュート型のプリントヘッドを作成する方法が提案されるようになされている。なおここでサイドシュート型とは、発熱素子の真上以外の部位にノズルを作成することにより、発熱素子を駆動して発生する気泡による圧力波を伝搬させてノズルからインク液滴を飛び出させる方式である。
ところでこのようなトランジスタによる発熱素子の駆動によりインク液滴を飛び出させる場合に、トランジスタのオン抵抗値、配線パターンの抵抗値によっても、電力が消費される。すなわちこれらトランジスタのオン抵抗値、配線パターンの抵抗値(以下、これらの抵抗をまとめて寄生抵抗と呼ぶ)にあっては、発熱素子に直列に接続されることになり、これによりトランジスタによる駆動電圧にあっては、これら寄生抵抗と発熱素子との抵抗値により分圧されて発熱素子に印加され、これにより発熱素子の抵抗値に比してこれら寄生抵抗の値を十分に小さくしなければ、効率良く発熱素子を駆動できなくなる。
これにより従来に比して寄生抵抗の値を小さくすることができれば、一段と効率良くインク液滴を飛び出させてプリンタとしての消費電力を低減することができると考えられる。またこのように寄生抵抗の値を小さくすることができれば、その分、発熱素子の駆動に供する電圧も低減することができると考えられる。
特開平10−138484号公報
特開2000−1083555公報
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来に比して寄生抵抗の値を小さくすることができる液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法を提案しようとするものである。
係る課題を解決するため請求項1の発明においては、発熱素子と、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタとを基板上に形成し、金属酸化物電界効果型トランジスタによる発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して液体の液滴をノズルから飛び出させる液体吐出ヘッドに適用して、金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極を、ポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。
また請求項3の発明においては、液体吐出ヘッドから飛び出す液滴を対象物に供給する液体吐出装置に適用して、この液体吐出ヘッドが、発熱素子と、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタとを基板上に形成し、金属酸化物電界効果型トランジスタによる発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して液体の液滴をノズルから飛び出させ、金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極が、ポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成されてなるようにする。
また請求項4の発明においては、発熱素子と、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタとを基板上に形成し、金属酸化物電界効果型トランジスタによる発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して液体の液滴をノズルから飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法に適用して、金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極を、ポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。
請求項1の構成により、発熱素子と、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタとを基板上に形成し、金属酸化物電界効果型トランジスタによる発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して液体の液滴をノズルから飛び出させる液体吐出ヘッドに適用して、金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極を、ポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成すれば、ポリシリコンによりゲート電極を作成する場合に比して、ゲート酸化膜と電極との間に形成される空乏層の厚みを薄くし得、その分、ドレイン電流を増大させてオン抵抗を小さくし、寄生抵抗を少なくすることができる。
これにより請求項3、又は請求項4の構成によれば、従来に比して寄生抵抗の値を小さくすることができる液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法を提供することができる。
本発明によれば、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成することにより、従来に比して寄生抵抗の値を小さくすることができる。
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。
(1)実施例の構成
図2は、本発明に係るプリンタを示す斜視図である。このラインプリンタ11は、全体が長方形形状の筐体12に収納されて形成され、印刷対象である用紙13を収納した用紙トレイ14をこの筐体12の正面に形成されたトレイ出入口より装着することにより、用紙13を給紙できるようになされている。
図2は、本発明に係るプリンタを示す斜視図である。このラインプリンタ11は、全体が長方形形状の筐体12に収納されて形成され、印刷対象である用紙13を収納した用紙トレイ14をこの筐体12の正面に形成されたトレイ出入口より装着することにより、用紙13を給紙できるようになされている。
用紙トレイ14は、このようにトレイ出入口よりラインプリンタ11に装着されると、所定の機構により用紙13が給紙ローラ15に押し当てられ、この給紙ローラ15の回転により、矢印Aにより示すように、用紙13が用紙トレイ14よりラインプリンタ11の背面側に向かって送り出される。ラインプリンタ11は、この用紙送りの側に反転ローラ16が配置され、この反転ローラ16の回転等により、矢印Bにより示すように、正面方向に用紙13の送り方向が切り換えられる。
ラインプリンタ11は、このようにして用紙送り方向が矢印Bで示す方向に切り換えられてなる用紙13が用紙トレイ14上を横切るように拍車ローラ17等により搬送され、矢印Cにより示すように、ラインプリンタ11の正面側に配置された排出口より排出される。ラインプリンタ11は、この拍車ローラ17から排出口までの間に、矢印Dにより示すように、ヘッドカートリッジ18が交換可能に配置される。
ヘッドカートリッジ18は、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのラインヘッドをそれぞれ配置してなるプリンタヘッド19が所定形状のホルダー20の下面側に配置され、このホルダー20に順次イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)、ブラック(B)のインクカートリッジが交換可能に配置されて形成されるようになされている。これによりラインプリンタ11は、これら各色のインクに対応するラインヘッドより用紙13にインクを付着させて画像を印刷できるようになされている。
ここで図3は、図2の用紙13側より見たプリンタヘッドの配列構成の一部を拡大した平面図である。プリンタヘッド19は、図3に示すように、各色のインクのインク流路21の両側に、交互(千鳥状に)に同一構成によるヘッドチップ22がノズルプレート上に配置して構成される。また、各へッドチップ22においては、それぞれ発熱素子がインク流路21側となるように配置されており、つまりインク流路21側を介して両側のヘッドチップ22は向きが180度回転させた関係となるように配置されている。これによりプリンタヘッド19は、それぞれ各色において1系統のインク流路21で各ヘッドチップ22にインクを供給できるようになされ、その分、簡易な構成により印刷精度を高解像度化することができるようになされている。
また、ヘッドチップ22は、このようにして180度回転して配置した場合でも、微小なインク吐出口であるノズル23の並ぶ方向には接続用パッド24の位置が変化しないように、これらノズル23の並ぶ方向(印刷幅方向)のほぼ中央に接続用パッド24が配置され、これによりプリンタヘッド19では、隣り合うヘッドチップ22の接続用パッド24に接続するフレキシブル配線基板が近接することを防止する、つまりフレキシブル配線基板の一部への集中を防止するようになされている。
なお、このようにしてノズル23をシフトさせた場合、インク流路21の上方及び下方に配置されるヘッドチップ22においては、駆動信号に対して発熱素子の駆動順序が逆転することになる。各ヘッドチップ22は、このような駆動順序に対応するように、駆動回路における駆動順序を切り換えることができるように構成されている。
図4は、このラインプリンタに適用されるプリンタヘッドを示す断面図である。プリンタヘッド19は、シリコン基板によるウエハ上に複数ヘッド分の駆動回路、発熱素子等が作成された後、各ヘッドチップ22にスクライビング処理され、各ヘッドチップ22にインク液室等を作成して形成される。
すなわち図1(A)に示すように、プリンタヘッド19は、ウエハによるシリコン基板31が洗浄された後、シリコン窒化膜(Si3 N4 )が堆積される。続いてプリンタヘッド19は、リソグラフィー工程、リアクティブイオンエッチング工程によりシリコン基板31が処理され、これによりトランジスタを形成する所定領域以外の領域よりシリコン窒化膜が取り除かれる。これらによりプリンタヘッド19には、シリコン基板31上のトランジスタを形成する領域にシリコン窒化膜が形成される。
続いてプリンタヘッド19は、熱酸化工程によりシリコン窒化膜が除去されている領域に熱シリコン酸化膜が膜厚500〔nm〕により形成され、この熱シリコン酸化膜によりトランジスタを分離するための素子分離領域(LOCOS: Local Oxidation Of Silicon )32が形成される。なおこの素子分離領域32は、その後の処理により最終的に膜厚260〔nm〕に形成される。
さらに続いてプリンタヘッド19は、シリコン基板31が洗浄された後、図1(B)に示すように、トランジスタ形成領域に、ゲート用の熱酸化膜が形成された後、洗浄処理され、CVD(Chemical Vapor Deposition )法によりポリシリコンが膜厚100〔nm〕により堆積される。また続いて、WF6 +SiH4 系のガス又はWF6 +SiH2 Cl2
系のガスを用いたCVDにより、タングステンシリサイド(WSi2 )膜が膜厚100〔nm〕により堆積される。なおタングステンシリサイドにおいては、スパッタリングにより形成することも可能である。さらにリソグラフィー工程によりゲート領域が露光処理された後、SF6 +HBr系の混合ガスを用いたドライエッチングにより、余剰な熱酸化膜、ポリシリコン膜、タングステンシリサイド膜が除去され、これによりゲート酸化膜33、ポリシリコン膜34、タングステンシリサイド膜35によるポリサイド構造によりゲートGの電極が形成される。
系のガスを用いたCVDにより、タングステンシリサイド(WSi2 )膜が膜厚100〔nm〕により堆積される。なおタングステンシリサイドにおいては、スパッタリングにより形成することも可能である。さらにリソグラフィー工程によりゲート領域が露光処理された後、SF6 +HBr系の混合ガスを用いたドライエッチングにより、余剰な熱酸化膜、ポリシリコン膜、タングステンシリサイド膜が除去され、これによりゲート酸化膜33、ポリシリコン膜34、タングステンシリサイド膜35によるポリサイド構造によりゲートGの電極が形成される。
続いて図5(C)に示すように、イオン注入工程、熱処理工程によりシリコン基板31が処理され、低濃度の拡散層37が形成され、さらにソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程、熱処理工程によりシリコン基板31が処理され、MOS型によるトランジスタ43、44等が作成される。ここで低濃度の拡散層37は、ソース・ドレイン間の耐圧を確保する電界緩和層である。またスイッチングトランジスタ43は、18〜25〔V〕程度の耐圧を有するMOS型ドライバートランジスタであり、発熱素子の駆動に供するものである。これに対してスイッチングトランジスタ44は、このドライバートランジスタ43を制御する集積回路を構成するトランジスタであり、5〔V〕の電圧により動作するものである。
このようにしてポリサイド構造によるゲート構造によりMOS型のトランジスタ43、44を作成するにつき、この実施例では、一連のリソグラフィー工程が、波長436〔nm〕の紫外線(g線)を露光用の光源に適用したステップアンドリピート方式の縮小露光装置(ステッパー)を使用して、縮小倍率1対4又は1対5により実行されるようになされ、これにより倍率が1対1の露光装置による作成限界より微細なゲート形状によりトランジスタ43、44を作成するようになされている。具体的に、この実施例では、ゲート長2〔μm〕以下によりトランジスタ43、44を作成するようになされている。
かくするにつきこの実施例では、このようなポリサイド構造によるゲート構造とゲート長の設定とにより、トランジスタ44のオン抵抗を小さくし、その分、寄生抵抗値を小さくして効率良く発熱素子を駆動できるようになされている。なおこの実施例においては、このようなトランジスタ43、44に係るリソグラフィー工程の他に、以下に説明する各工程においても、このg線による縮小露光によりリソグラフィーの処理が実行されるようになされている。
プリンタヘッド19は、続いて図5(D)に示すように、CVD法によりリンが添加されたシリコン酸化膜であるPSG(Phosphorus Silicate Glass )膜、ボロンとリンが添加されたシリコン酸化膜であるBPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)膜35が順次膜厚100〔nm〕、500〔nm〕により作成され、これにより全体として膜厚が600〔nm〕による1層目の層間絶縁膜45が作成される。
続いてフォトリソグラフィー工程の後、C4 F8 /CO/O2 /Ar系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によりシリコン半導体拡散層(ソース・ドレイン)上にコンタクトホール46が作成される。
さらにプリンタヘッド19は、希フッ酸により洗浄された後、スパッタリング法により、膜厚30〔nm〕によるチタン、膜厚70〔nm〕による窒化酸化チタンバリアメタル、膜厚30〔nm〕によるチタン、シリコンが1〔at%〕添加されたアルミニューム、または銅が0.5〔at%〕添加されたアルミニュームが膜厚500〔nm〕により順次堆積される。続いてプリンタヘッド19は、反射防止膜である窒化酸化チタン(TiON)が膜厚25〔nm〕により堆積され、これらにより配線パターン材料が成膜される。さらに続いてプリンタヘッド19は、フォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、成膜された配線パターン材料が選択的に除去され、1層目の配線パターン47が作成される。プリンタヘッド19は、このようにして作成された1層目の配線パターン47により、駆動回路を構成するMOS型トランジスタ44を接続してロジック集積回路が形成される。
続いてプリンタヘッド19は、図6(E)に示すように、TEOS(テトラエトキシシラン:Si(OC2 H5 )4 )を原料ガスとしたCVD法により層間絶縁膜であるシリコン酸化膜が堆積される。続いてプリンタヘッド19は、SOG(Spin On Glass )を含む塗布型シリコン酸化膜を塗布した後、エッチバックすることにより、シリコン酸化膜が平坦化され、これらの工程が2回繰り返されて1層目の配線パターン47と続く2層目の配線パターンとを絶縁する膜厚440〔nm〕のシリコン酸化膜による2層目の層間絶縁膜48が形成される。
プリンタヘッド19は、続いてスパッタリング装置により膜厚50〜100〔nm〕によるβ−タンタル膜が堆積され、これによりシリコン基板31上に抵抗体膜が形成される。なおスパッタリングの条件は、ウエハ加熱温度200〜400度、直流印加電力2〜4〔kW〕、アルゴンガス流量20〜40〔secm〕に設定した。さらに続いてプリンタヘッド19は、フォトリソグラフィー工程、BCl3 /Cl2 ガスを用いたドライエッチング工程により、正方形形状により、又は一端を配線パターンにより接続する折り返し形状により抵抗体膜をパターニングし、40〜100〔Ω〕の抵抗値を有する発熱素子49が作成される。
このようにして発熱素子49が形成されると、プリンタヘッド19は、図6(F)に示すように、CVD法により膜厚300〔nm〕によるシリコン窒化膜が堆積され、発熱素子49の絶縁保護層51が形成される。続いてフォトリソグラフィー工程、CHF3 /CF4 /Arガスを用いたドライエッチング工程により、所定箇所のシリコン窒化膜が除去され、これにより発熱素子49を配線パターンに接続する部位が露出される。さらにCHF3 /CF4 /Arガスを用いたドライエッチング工程により、層間絶縁膜48に開口を形成してビアホール52が作成される。
さらにプリンタヘッド19は、スパッタリング法により、膜厚200〔nm〕によるチタン、シリコンを1〔at%〕添加したアルミニューム、または銅を0.5〔at%〕添加したアルミニュームが膜厚600〔nm〕により順次堆積される。続いてプリンタヘッド19は、膜厚25〔nm〕による窒化酸化チタンが堆積され、これにより反射防止膜が形成される。これらによりプリンタヘッド19は、シリコン又は銅を添加したアルミニューム等による配線パターン材料層が成膜される。
続いてフォトリソグラフィー工程、BCl3 /Cl2 ガスを用いたドライエッチング工程により配線パターン材料層が選択的に除去され、2層目の配線パターン54が作成される。プリンタヘッド19は、この2層目の配線パターン54により、電源用の配線パターン、アース用の配線パターンが作成され、またドライバートランジスタ44を発熱素子49に接続する配線パターンが作成される。なお発熱素子49の上層に取り残されたシリコン窒化膜51にあっては、この配線パターン作成の際のエッチング工程において、エッチングに供する塩素ラジカルから発熱素子49を保護する保護層として機能する。なおこのシリコン窒化膜51においては、このエッチング工程において、膜厚300〔nm〕が膜厚100〔nm〕に減少する。
続いてプリンタヘッド19は、プラズマCVD法によりインク保護層、絶縁層として機能するシリコン窒化膜55が膜厚400〔nm〕により堆積される。さらに熱処理炉において、4〔%〕の水素を添加した窒素ガスの雰囲気中で、又は100〔%〕の窒素ガス雰囲気中で、400度、60分間の熱処理が実施される。これによりプリンタヘッド19は、トランジスタ43、44の動作が安定化され、さらに1層目の配線パターン47と2層目の配線パターン54との接続が安定化されてコンタクト抵抗が低減される。
プリンタヘッド19は、耐キャビテーション材料層が膜厚100〜300〔nm〕により堆積された後、この耐キャビテーション材料層のBCl3 /Cl2 ガスを用いたパターニングにより耐キャビテーション層56が形成される。この実施例においては、タンタルをターゲットに用いたDCマグネトロン・スパッタリング装置を用いて、β−タンタルにより耐キャビテーション層56が形成される。なおここで耐キャビテーション層56は、発熱素子49の駆動によりインク液室に発生した気泡が消滅する際の物理的ダメージ(キャビテーション)を吸収して発熱素子49を保護し、また発熱素子49の駆動により高温となったインクの化学作用から発熱素子49を保護する保護層である。また耐キャビテーション層56においては、アルミニュームの含有量を15〔at%〕程度に設定したタンタルアルミ〔TaAl〕を適用するようにしてもよい。因みに、このようにアルミニュームの含有量を15〔at%〕程度に設定したタンタルアルミ(TaAl)においては、β−タンタルの結晶粒界にアルミが存在する構造であり、β−タンタル膜による場合に比して、膜応力(圧縮応力)を小さくすることができる。
プリンタヘッド19は、続いて図4に示すように、有機系樹脂によるドライフィルム61が圧着により配置された後、インク液室62、インク流路に対応する部位が取り除かれ、その後硬化され、これによりインク液室62の隔壁、インク流路の隔壁等が作成される。また続いて各ヘッドチップ22にスクライビングされた後、ノズルプレート63が積層される。ここでノズルプレート63は、発熱素子49の上にノズル23を形成するように所定形状に加工された板状部材であり、ドライフィルム61上に接着により保持される。これによりプリンタヘッド19は、ノズル23、インク液室62、このインク液室62にインクを導くインク流路21等が形成されて作成される。プリンタヘッド19は、このようなインク液室62が紙面の奥行き方向に連続するように形成され、これによりラインヘッドを構成するようになされている。
(2)実施例の動作
以上の構成において、プリンタヘッド19は、半導体基板であるシリコン基板31に素子分離領域32が作成されて金属酸化物電界効果型トランジスタであるトランジスタ43、44が作成され、絶縁層45により絶縁されて1層目の配線パターン47が作成され、この1層目の配線パターン47により発熱素子49を駆動するトランジスタ43が論理回路を構成するトランジスタ44に接続される。また続いて発熱素子49が作成された後、絶縁保護層51、2層目の配線パターン54が作成され、この2層目の配線パターン54により発熱素子49がトランジスタ43に接続され、また電源、アースライン等の配線が形成される。プリンタヘッド19は、さらに耐キャビテーション層56、インク液室62、ノズル23が順次形成されて作成される(図1、図4〜図6)。
以上の構成において、プリンタヘッド19は、半導体基板であるシリコン基板31に素子分離領域32が作成されて金属酸化物電界効果型トランジスタであるトランジスタ43、44が作成され、絶縁層45により絶縁されて1層目の配線パターン47が作成され、この1層目の配線パターン47により発熱素子49を駆動するトランジスタ43が論理回路を構成するトランジスタ44に接続される。また続いて発熱素子49が作成された後、絶縁保護層51、2層目の配線パターン54が作成され、この2層目の配線パターン54により発熱素子49がトランジスタ43に接続され、また電源、アースライン等の配線が形成される。プリンタヘッド19は、さらに耐キャビテーション層56、インク液室62、ノズル23が順次形成されて作成される(図1、図4〜図6)。
このラインプリンタ11は、このようにして作成されたプリンタヘッド19のインク液室62にヘッドカートリッジ18に保持されてなるインクがインク流路21により導かれ(図3)、発熱素子49の駆動によりインク液室62に保持したインクが加熱されて気泡が発生し、この気泡によりインク液室62内の圧力が急激に増大する。ラインプリンタ11では、この圧力の増大によりインク液室62のインクがノズル23からインク液滴として飛び出し、ローラ15、16、17等により用紙トレイ14から搬送された印刷対象である用紙13にこのインク液滴が付着する(図2)。
これによりこのラインプリンタ11においては、トランジスタ43による発熱素子49の駆動において、トランジスタ43のオン抵抗、配線パターン54の抵抗値による寄生抵抗の値が大きいと、効率良く発熱素子49を駆動できなくなる。すなわちラインプリンタ11においては、寄生抵抗の値が大きくなると、発熱素子49の駆動に供する電力の多くが寄生抵抗で消費されることになる。
しかしながらこの実施例に係るプリンタヘッド19においては、図7に示すように、発熱素子49を駆動するトランジスタ43のゲート電極が、タングステンシリサイド膜35によるポリサイド構造により形成されることにより、従来のポリシリコンによるゲート電極によるトランジスタにより駆動する場合に比して、オン抵抗を小さくすることができ、その分、寄生抵抗を少なくして発熱素子49を効率良く駆動することができる。
すなわちこの寄生抵抗のうちトランジスタ43のオン抵抗に関して、金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインソース電流は、1/(ゲート長×ゲート酸化膜厚)に比例する関係があり、これによりゲート酸化膜を薄くすることにより、ドレインソース電流を増大させてオン抵抗を小さくすることができる。しかしながら従来のポリシリコンによるゲート電極においては、ゲート酸化膜と電極との界面で自由電子が失われてなる空乏層が形成され易く、これによりゲート酸化膜の厚みが見かけ上、厚くなり、ドレインソース電流を十分に増大させることが困難になる。
しかしてこのような空乏層の厚みにおいては、ゲート電極の抵抗値を小さくすることで減少させることができ、この実施例のゲート電極に係るタングステンシリサイド膜35においては、従来のゲート電極に係るポリシリコンに比して抵抗値が約1/10である。これによりこの実施例に係るプリンタヘッド19では、ポリシリコンによりゲート電極を作成する場合に比して、ゲート酸化膜と電極との間に形成される空乏層の厚みを薄くすることができるようになされ、その分、ドレイン電流を増大させてオン抵抗を小さくし、発熱素子49を効率良く駆動できるようになされている。
さらにこの実施例におけるプリンタヘッド19は、このようなトランジスタ43等の作成に係るリソグラフィー工程が、波長436〔nm〕の紫外線(g線)を露光用の光源に適用したステップアンドリピート方式の縮小露光装置(ステッパー)を使用して、縮小倍率1対4又は1対5により実行される。この縮小露光装置によるリソグラフィーにおいては、倍率が1対1の露光装置であるミラープロジェクションアライナーによる場合に比して、作成限界に係る微小構造を格段的に小さくし得、これにより発熱素子49を駆動するトランジスタ43においては、ゲート長が2〔μm〕以下により形成され、その分、さらに一段とオン抵抗を小さくして効率良く発熱素子49を駆動することができる。
実際上、ゲート長2〔μm〕によりトランジスタ43を作成して実測した結果によれば、発熱素子49の抵抗値が100〔Ω〕であるのに対し、寄生抵抗の値を約11〔Ω〕(トランジスタ43のオン抵抗10〔Ω〕)に低減することができ、これにより効率良く発熱素子49を駆動できることが確認された。これに対してゲート長3〔μm〕によりポリシリコンでゲート電極を作成した場合、トランジスタのオン抵抗は17〔Ω〕であった。
(3)実施例の効果
以上の構成によれば、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造により形成することにより、従来に比して寄生抵抗の値を小さくすることができ、その分、効率良く発熱素子を駆動することができる。
以上の構成によれば、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造により形成することにより、従来に比して寄生抵抗の値を小さくすることができ、その分、効率良く発熱素子を駆動することができる。
またゲート長2〔μm〕以下によりゲート電極を作成することによっても、寄生抵抗を小さくすることができ、その分、効率良く発熱素子を駆動することができる。
図8は、図7との対比により本発明の実施例2に係るプリンタのプリンタヘッドに適用されるトランジスタを示す断面図である。この実施例に係るプリンタヘッドにおいては、このトランジスタ73に係るゲート電極の構造が異なる点を除いて、実施例1に係るプリンタヘッド19と同一に構成される。
ここでこのトランジスタ73においては、ゲート酸化膜33、窒化タングステン膜74、タングステン膜75による積層構造によるメタルゲート構造によりゲート電極を形成する。ここでこのメタルゲート構造に係るタングステンにおいては、抵抗値がポリシリコンの約1/100である。具体的に、このトランジスタ73は、ゲート酸化膜33が作成された後、スパッタリングにより膜厚5〔nm〕で窒化タングステン膜が堆積された後、スパッタリングにより膜厚100〔nm〕程度でタングステン膜が堆積され、これらがパターニングされてゲート電極が形成される。
この実施例のように、ポリサイド構造に代えてメタルゲート構造によりゲート電極を作成するようにしても、実施例1と同様の効果を得ることができる。またゲート電極の抵抗値をさらに一段と小さくできることにより、さらに一段とオン抵抗を小さくすることができる。
なお上述の実施例においては、g線を露光用の光源に適用した縮小露光装置をリソグラィー工程に適用して発熱素子を駆動するトランジスタを作成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、解像度∝露光波長の関係から、波長365〔nm〕であるi線を露光用の光源に適用した縮小露光装置をリソグラフィー工程に適用する場合、波長248〔nm〕であるKrFによるエキシマレーザーを光源に適用した縮小露光装置、又は波長193〔nm〕であるArFによるエキシマレーザーを光源に適用した縮小露光装置等、光源の波長が短い種々の縮小露光装置を広く適用することができる。
また上述の実施例においては、本発明をプリンタヘッドに適用してインク液滴を飛び出させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、インク液滴に代えて液滴が各種染料の液滴、保護層形成用の液滴等である液体吐出ヘッド、さらには液滴が試薬等であるマイクロディスペンサー、各種測定装置、各種試験装置、液滴がエッチングより部材を保護する薬剤である各種のパターン描画装置等に広く適用することができる。
本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、特に発熱素子と発熱素子を駆動するトランジスタとを一体に基板上に形成したサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用することができる。
1、43、44、73……トランジスタ、11……ラインプリンタ、19……プリンタヘッド、22……ヘッドチップ、23……ノズル、31……基板
Claims (4)
- 発熱素子と、前記発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタとを基板上に形成し、前記金属酸化物電界効果型トランジスタによる前記発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して前記液体の液滴をノズルから飛び出させる液体吐出ヘッドにおいて、
前記金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極を、ポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成した
ことを特徴とする液体吐出ヘッド。 - 前記ゲート電極によるゲート長が2〔μm〕以下に設定された
ことを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッド。 - 液体吐出ヘッドから飛び出す液滴を対象物に供給する液体吐出装置において、
前記液体吐出ヘッドが、
発熱素子と、前記発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタとを基板上に形成し、前記金属酸化物電界効果型トランジスタによる前記発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して前記液体の液滴をノズルから飛び出させ、
前記金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極が、ポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成された
ことを特徴とする液体吐出装置。 - 発熱素子と、前記発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタとを基板上に形成し、前記金属酸化物電界効果型トランジスタによる前記発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して前記液体の液滴をノズルから飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極を、ポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成した
ことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003303853A JP2005067163A (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
KR1020057007239A KR20060039848A (ko) | 2003-08-28 | 2004-08-19 | 액체 토출 헤드, 액체 토출 장치 및 액체 토출 헤드의 제조방법 |
CNA2004800011439A CN1700989A (zh) | 2003-08-28 | 2004-08-19 | 液体传送头、液体传送装置和液体传送头的制造方法 |
PCT/JP2004/012237 WO2005021267A1 (ja) | 2003-08-28 | 2004-08-19 | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
EP04772193A EP1658977A1 (en) | 2003-08-28 | 2004-08-19 | Liquid discharge head, liquid discharge device, and method for manufacturing liquid discharge head |
US10/532,651 US20060044354A1 (en) | 2003-08-28 | 2004-08-19 | Liquid discharge head, liquid discharge device, and method for manufacturing liquid discharge head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003303853A JP2005067163A (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005067163A true JP2005067163A (ja) | 2005-03-17 |
Family
ID=34269250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003303853A Pending JP2005067163A (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060044354A1 (ja) |
EP (1) | EP1658977A1 (ja) |
JP (1) | JP2005067163A (ja) |
KR (1) | KR20060039848A (ja) |
CN (1) | CN1700989A (ja) |
WO (1) | WO2005021267A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018015918A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | キヤノン株式会社 | 記録素子基板、記録ヘッド、及び記録装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY166588A (en) * | 2007-05-08 | 2018-07-17 | Dsg Technology Holdings Ltd | Body conforming disposable absorbent article having leg wraps and internal topsheet and method of making same |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH026138A (ja) * | 1988-03-07 | 1990-01-10 | Xerox Corp | バブル・インクジェット印字機構のシリコン集積回路チップ |
JP2001094094A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001352058A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002094054A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002137398A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-14 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド及びその駆動方法、並びにインクジェット記録装置 |
US20030116552A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Stmicroelectronics Inc. | Heating element for microfluidic and micromechanical applications |
JP2003188375A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003209258A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電界効果トランジスタ |
JP2003224264A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003237089A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-26 | Sony Corp | プリンタの駆動条件の設定方法及びプリンタ |
JP2004352058A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Yanmar Co Ltd | 作業車両の油圧回路 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU657720B2 (en) * | 1991-01-30 | 1995-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | A bubblejet image reproducing apparatus |
JP3695530B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2005-09-14 | ソニー株式会社 | プリンタヘッドの製造方法 |
JP2004050650A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Nec Corp | 半導体装置、画像出力装置、および機能素子の駆動方法 |
-
2003
- 2003-08-28 JP JP2003303853A patent/JP2005067163A/ja active Pending
-
2004
- 2004-08-19 WO PCT/JP2004/012237 patent/WO2005021267A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-08-19 KR KR1020057007239A patent/KR20060039848A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-08-19 EP EP04772193A patent/EP1658977A1/en not_active Withdrawn
- 2004-08-19 CN CNA2004800011439A patent/CN1700989A/zh active Pending
- 2004-08-19 US US10/532,651 patent/US20060044354A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH026138A (ja) * | 1988-03-07 | 1990-01-10 | Xerox Corp | バブル・インクジェット印字機構のシリコン集積回路チップ |
JP2001094094A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001352058A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002094054A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002137398A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-14 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド及びその駆動方法、並びにインクジェット記録装置 |
JP2003188375A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US20030116552A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Stmicroelectronics Inc. | Heating element for microfluidic and micromechanical applications |
JP2004025426A (ja) * | 2001-12-20 | 2004-01-29 | Stmicroelectronics Inc | マイクロ流体及びマイクロ機械アプリケーション用加熱要素 |
JP2003209258A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電界効果トランジスタ |
JP2003224264A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003237089A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-26 | Sony Corp | プリンタの駆動条件の設定方法及びプリンタ |
JP2004352058A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Yanmar Co Ltd | 作業車両の油圧回路 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018015918A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | キヤノン株式会社 | 記録素子基板、記録ヘッド、及び記録装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005021267A1 (ja) | 2005-03-10 |
CN1700989A (zh) | 2005-11-23 |
US20060044354A1 (en) | 2006-03-02 |
EP1658977A1 (en) | 2006-05-24 |
KR20060039848A (ko) | 2006-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3812485B2 (ja) | 液体吐出装置及びプリンタ | |
US20070153064A1 (en) | Liquid ejection head, liquid ejector and process for manufacturing liquid ejection head | |
US20070058002A1 (en) | Liquid jetting head, liquid jetting apparatus, and method of manufacturing the liquid jetting head | |
US6592209B2 (en) | Printer, printer head, and method of producing the printer head | |
JP2005067163A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
KR100866270B1 (ko) | 액체 분사 헤드, 액체 분사 장치 및 액체 분사 헤드의제조 방법 | |
JP4385680B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 | |
JP2005178116A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置、液体吐出ヘッドの製造方法、集積回路、集積回路の製造方法 | |
JP2006110845A (ja) | 液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 | |
JP2003136491A (ja) | 貫通孔を有する構造体、その製造方法及び液体吐出ヘッド | |
JP4617823B2 (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2005022267A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP4617824B2 (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP4661162B2 (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2005119212A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2005271497A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2005035234A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2006116832A (ja) | 液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 | |
JP2003291353A (ja) | 液体吐出装置、プリンタ及び液体吐出装置の製造方法 | |
JP2005305963A (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 | |
JP2004167822A (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 | |
JP2004017567A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2006116838A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2004276380A (ja) | 液体吐出ヘッドの作成方法及び成膜方法 | |
JP2010036376A (ja) | 液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び液滴吐出ヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060613 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060821 |