JP4617823B2 - 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えば発熱素子と発熱素子を駆動するトランジスタとを一体に基板上に形成したサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用することができる。本発明は、塗布型の絶縁膜により層間絶縁膜を形成するようにして、この層間絶縁膜の表層、層間絶縁膜に設けられる貫通孔の内側壁面にシリコン絶縁膜を形成することにより、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止する。

近年、画像処理等の分野において、ハードコピーのカラー化に対するニーズが高まってきている。このニーズに対して、従来、昇華型熱転写方式、溶融熱転写方式、インクジェット方式、電子写真方式及び熱現像銀塩方式等のカラーコピー方式が提案されている。

これらの方式のうちインクジェット方式は、液体吐出ヘッドであるプリンタヘッドに設けられたノズルから記録液（インク）の液滴を飛翔させ、記録対象に付着してドットを形成するものであり、簡易な構成により高画質の画像を出力することができる。このインクジェット方式は、ノズルからインク液滴を飛翔させる方法の相違により、静電引力方式、連続振動発生方式（ピエゾ方式）及びサーマル方式に分類される。

これらの方式のうちサーマル方式は、インクの局所的な加熱により気泡を発生し、この気泡によりインクをノズルから押し出して印刷対象に飛翔させる方式であり、簡易な構成によりカラー画像を印刷することができる。

このようなサーマル方式によるプリンタヘッドは、インクを加熱する発熱素子が発熱素子を駆動するロジック集積回路による駆動回路と共に一体に半導体基板上に形成され、これによりこの種のプリンタヘッドにおいては、発熱素子を高密度に配置して確実に駆動することができるようになされている。

すなわちこのサーマル方式のプリンタにおいて、高画質の印刷結果を得るためには、発熱素子を高密度で配置する必要がある。具体的に、例えば６００〔ＤＰＩ〕相当の印刷結果を得るためには、発熱素子を４２．３３３〔μｍ〕間隔で配置することが必要になる。しかしながらこのように高密度で配置した発熱素子に個別の駆動素子を配置することは極めて困難になる。このためプリンタヘッドでは、半導体基板上にスイッチングトランジスタ等を作成して集積回路技術により対応する発熱素子と接続し、さらには同様に半導体基板上に作成した駆動回路により各スイッチングトランジスタを駆動することにより、簡易かつ確実に各発熱素子を駆動することができるようになされている。

すなわち図１２は、この種のプリンタヘッドにおけるスイッチングトランジスタ、発熱素子近傍の構成を示す断面図である。このプリンタヘッド１は、シリコン基板２上にＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor ）型電界効果型トランジスタを絶縁分離する素子分離領域が形成された後、この素子分離領域間にＭＯＳトランジスタ３等が形成され、これにより発熱素子の駆動に供するスイッチングトランジスタ、このスイッチングトランジスタを駆動する駆動回路が半導体製造工程によるＭＯＳトランジスタ３により構成される。

続いてＭＯＳトランジスタ３を絶縁する層間絶縁膜等が積層された後、この層間絶縁膜に開口（コンタクトホール）が形成され、１層目の配線パターン４、１層目の配線パターン４と続く２層目の配線パターンを絶縁する層間絶縁膜５、発熱素子６が順次形成される。ここで発熱素子６は、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ_X ）、タンタルアルミ（ＴａＡｌ）により作成される。プリンタヘッド１は、層間絶縁膜５に開口（ビアホール）を形成して２層目の配線パターン７が形成され、これら２層構造による配線パターン４、７によりＭＯＳトランジスタ３に発熱素子６が接続される。さらに続いて発熱素子６上に窒化シリコン（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）による絶縁保護層８、β−タンタルによる耐キャビテーション層９が順次形成される。

続いてプリンタヘッド１は、このようにして発熱素子６等が形成された基板２上の全面に感光性の樹脂材料が塗布され、露光現像工程により塗布した感光性樹脂の余剰な部位が除去されて樹脂層１０が形成される。さらにこの上層にニッケルとコバルトとの合金（Ｎｉ−Ｃｏ）によるノズルシート１１が貼り付けられ、これらによりインク液室、このインク液室にインクを導くインク流路及びノズルが作成される。プリンタヘッド１は、ＭＯＳトランジスタ３によりパルス状の電圧を発熱素子６に印加して発熱素子６を駆動し、これによりインク液滴を飛び出させるようになされている。

このように構成されるプリンタヘッド１においては、単に構成部材を積層しただけでは、絶縁保護層８の表面に配線パターン４等による段差の発生を避け得ず、これにより絶縁保護層８の上層に形成される樹脂層１０の表面にも段差が現れ、この樹脂層１０に貼り付けられるノズルシートと樹脂層表面との間に隙間が発生する。プリンタヘッド１は、このような隙間が発生すると、樹脂層１０とノズルシート１１の密着性が劣化する恐れがある。

これにより従来のプリンタヘッド１では、例えば米国特許第６４５０６２２号明細書に開示の手法を適用してＳＯＧ（Spin On Glass ）膜１２により層間絶縁膜５を形成してこの種の段差を無くすように平坦化し、十分に強固にノズルシート１１を保持するようになされている。ここでＳＯＧ膜１２は、アルコール成分を溶媒にしてシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合を含んだ塗布型の絶縁材料がスピンコート法により十分な厚みで基板表面に塗布され、これにより段差に係る部位を埋めるようにシリコン基板２の全面に成膜された後、エッチバック法により所定膜厚にエッチバックされて形成される。

しかしながら単にＳＯＧ膜１２により段差を無くすようにすると、プリンタヘッド１にあっては、発熱素子６の駆動により発熱素子６が劣化する問題がある。具体的にインク液室にインクを保持しない状態で発熱素子６を駆動したところ（いわゆる空うちである）、プリンタヘッド１では、発熱素子６の抵抗値が著しく上昇し、また耐キャビテーション層９の表面が黒く変色することが確認された。

この点を詳細に検討したところ、発熱素子６の駆動による熱が直下のＳＯＧ膜１２に伝搬し、この熱によりＳＯＧ膜成分自体が分解されることにより、またＳＯＧ膜中に残存している溶媒成分が脱離することにより、発熱素子が酸化して、又は発熱素子が炭化して抵抗値が著しく上昇することが判った。より具体的にＳＯＧ膜に供する塗布型絶縁材料に有機ＳＯＧを用いる場合、このような抵抗値の上昇が特に著しいことが確認された。なおここで有機ＳＯＧ膜は、Ｒ_n Ｓｉ（ＯＨ）_4-n （Ｒはアルキル基 ＣＨ₃ 、Ｃ₂ Ｈ₅ 、アルコシキ基 Ｃ₃ Ｈ₇ 等の有機基、ｎは１〜４の自然数）により表されるように、有機基を分子内に含むシリコン化合物であり、段差の緩和に係る平坦性に優れ、厚い膜厚により塗布してもクラックが入り難い特徴がある。

この問題を解決する１つの方法として図１２との対比により図１３に示すように、ＳＯＧ膜の塗布、エッチバックを複数回繰り返すことにより、発熱素子６の作成領域についてはＳＯＧ膜１２を作成しないようにすることが考えられる。

しかしながらこの種のプリンタヘッドは、近年、さらなる高密度化が求められており、このためＭＯＳトランジスタ３が微細化され、配線パターンが、多層化、狭ピッチ化する傾向にある。このように配線パターンを狭ピッチ化して、ＳＯＧ膜の塗布、エッチバックを繰り返して発熱素子６の作成領域にＳＯＧ膜１２を作成しないようにすると、配線パターンによる段差を十分に平坦化し得なくなる。これによりＳＯＧ膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することが望まれる。
米国特許第６４５０６２２号明細書

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができる液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法を提案しようとするものである。

かかる課題を解決するため請求項１の発明においては、液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、半導体素子による発熱素子の駆動により所定のノズルより液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドに適用して、発熱素子の基板側には、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成され、塗布型の絶縁膜は、表層に、シリコン絶縁膜が形成され、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成されてなるようにする。

また請求項３の発明においては、液体吐出ヘッドから飛び出す液滴を対象物に供給する液体吐出装置に適用して、液体吐出ヘッドが、液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、半導体素子による発熱素子の駆動により所定のノズルより液体の液滴を飛び出させ、発熱素子の基板側には、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成され、塗布型の絶縁膜は、表層に、シリコン絶縁膜が形成され、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成されてなるようにする。

また請求項４の発明においては、液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、半導体素子による発熱素子の駆動により所定のノズルより液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法に適用して、塗布型の絶縁膜により基板の全面を覆って、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜を作成する層間絶縁膜の作成処理と、塗布型の絶縁膜の表層にシリコン絶縁膜を形成する第１のシリコン絶縁膜の作成処理と、層間絶縁膜に、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔を作成する貫通孔の作成処理と、貫通孔の内側壁面に選択的にシリコン絶縁膜を形成する第２のシリコン絶縁膜の作成処理とを有するようにする。

請求項１の構成により、液体吐出ヘッドに適用して、発熱素子の基板側には、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成されてなるようにすれば、配線パターンによる段差を塗布型の絶縁膜により十分に平坦化することができる。また請求項１の構成により、この塗布型の絶縁膜は、表層に、シリコン絶縁膜が形成され、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成されてなるようにすれば、塗布型の絶縁膜の揮発成分を、これらシリコン絶縁膜により塗布型の絶縁膜に封じ込めることができ、これによりこの揮発成分による発熱素子の劣化を防止することができる。

これにより請求項３、請求項４の構成によれば、塗布型の絶縁膜により段差の発生を防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができる液体吐出装置、液体吐出ヘッドの製造方法を提供することができる。

本発明によれば、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができる。

以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。

（１）実施例１の構成
図１は、本発明に係るラインプリンタを示す斜視図である。このラインプリンタ２１は、フルラインタイプのラインプリンタであり、略長方形形状によりプリンタ本体２２が形成される。ラインプリンタ２１は、印刷対象である用紙２３を収納した用紙トレイ２４をこのプリンタ本体２２の正面に形成されたトレイ出入口より装着することにより、用紙２３を給紙できるようになされている。

ラインプリンタ２１は、このようにトレイ出入口よりプリンタ本体２２に用紙トレイ２４が装着されて、ユーザーにより印刷が指示されると、このプリンタ本体２２に設けられた給紙ローラの回転によりプリンタ本体２２の背面側に向かって用紙トレイ２４から用紙２３が送り出され、プリンタ本体２２の背面側に設けられた反転ローラによりこの用紙２３の送り方向が正面方向に切り換えられる。ラインプリンタ２１は、このようにして用紙送り方向が正面方向に切り換えられてなる用紙２３が用紙トレイ２４上を横切るように搬送され、ラインプリンタ２１の正面側に配置された排出口よりトレイ２５に排出される。

ラインプリンタ２１は、上側端面に上蓋２６が設けられ、この上蓋２６の内側、正面方向への用紙搬送途中に、矢印Ａにより示すように、ヘッドカートリッジ２８が交換可能に配置される。

ここでヘッドカートリッジ２８は、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの４色によるフルラインタイプのプリンタヘッドであり、上側に各色のインクタンク２９Ｙ、２９Ｍ、２９Ｃ、２９Ｋが設けられる。ヘッドカートリッジ２８は、これらインクタンク２９Ｙ、２９Ｍ、２９Ｃ、２９Ｋに係るプリンタヘッドのアッセンブリーであるヘッドアッセンブリー３０と、このヘッドアッセンブリー３０の用紙２３側に設けられて、不使用時、ヘッドアッセンブリー３０に設けられたノズル列を塞いでインクの乾燥を防止するヘッドキャップ３１とにより構成される。これによりラインプリンタ２１においては、このヘッドカートリッジ２８に設けられたヘッドアッセンブリー３０の駆動により、各色のインク液滴を用紙２３に付着させて所望の画像等をカラーにより印刷する。

図２は、このヘッドアッセンブリー３０を用紙２３側より見てインク液滴Ｌの吐出に係る部分を拡大し、一部断面を取って示す斜視図である。ヘッドアッセンブリー３０は、インク液室の隔壁３３等を作成したヘッドチップ３４を順次ノズルシート３５に貼り付けた後、ボンディング端子３６を介してヘッドチップ３４を配線して形成される。

ここでヘッドチップ３４は、複数の発熱素子３７、この複数の発熱素子３７を駆動する駆動回路、この駆動回路の駆動に供する電源等を入力するボンディング端子３６等が形成されたものであり、発熱素子３７側より見て全体が長方形形状により形成され、この長方形形状の長辺の一辺に沿って所定ピッチにより発熱素子３７が複数個設けられる。

ヘッドチップ３４は、この一辺側が開いてなるように、櫛の歯形状によりインク液室の隔壁３３、インク流路の隔壁が形成され、この一辺側に沿ってインク流路が設けられる。ヘッドチップ３４は、このインク流路を間に挟んで千鳥にノズルシート３５に順次配置され、これによりヘッドアッセンブリー３０では、この隔壁３３、ヘッドチップ３４等によりインク流路を形成して、このインク流路からそれぞれ対応するインクタンク２９Ｙ、２９Ｍ、２９Ｃ、２９Ｋのインクを各インク液室に導き得るようになされ、またこのようにして液室に導かれたインクを発熱素子３７の駆動により加熱できるようになされている。

これに対してノズルシート３５は、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのインクにそれぞれ対応する用紙幅によるノズル３８の列が並設されたシート状部材であり、電鋳技術によりコバルトを含むニッケル材により形成される。ノズルシート３５は、各ノズル３８の列を間に挟んで千鳥に、各ヘッドチップ３４をそれぞれボンディング端子３６にワイヤボンディングする際の作業用の開口４０が形成される。

図３は、このヘッドアッセンブリーに配置されるヘッドチップを周辺構成と共に示す断面図である。ヘッドチップ３４は、半導体製造工程により、複数チップ分がシリコン基板による半導体ウエハ上にまとめて形成された後、各チップにスクライビングされて形成される。ヘッドチップ３４は、半導体ウエハの段階で発熱素子３７側の面に隔壁３３が形成され、この隔壁３３の表面が平坦になるように形成されて隔壁３３とノズルシート３５の間の密着性を確保するようになされている。

すなわち図４（Ａ）に示すように、ヘッドチップ３４は、シリコン基板４１が洗浄された後、シリコン窒化膜が堆積される。続いてフォトリソグラフィー工程、リアクティブイオンエッチング工程によりシリコン基板４１が処理され、これによりトランジスタを形成する所定領域以外の領域よりシリコン窒化膜が取り除かれる。これらによりヘッドチップ３４は、シリコン基板４１上のトランジスタを作成する領域にシリコン窒化膜が形成される。

続いてヘッドチップ３４は、シリコン窒化膜が除去されている領域に熱酸化工程により熱シリコン酸化膜が膜厚５００〔ｎｍ〕により形成され、この熱シリコン酸化膜によりトランジスタを分離するための素子分離領域（ＬＯＣＯＳ：Local oxidation of silicon）４２が形成される。なおこの素子分離領域４２は、その後の処理により最終的に膜厚２６０〔ｎｍ〕に形成される。

ヘッドチップ３４は、続いてシリコン基板４１が洗浄された後、トランジスタ形成領域にゲート用の熱酸化膜が形成される。また続いてシリコン基板４１が洗浄され、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により膜厚７０〔ｎｍ〕によるポリシリコン、膜厚７０〔ｎｍ〕によるタングステンシリサイドが順次堆積される。なおタングステンシリサイドにおいては、スパッタリング法により成膜することも可能である。ヘッドチップ３４は、さらにリソグラフィー工程によりゲート領域が露光処理された後、ドライエッチング法により、余剰な熱酸化膜、ポリシリコン膜、タングステンシリサイド膜が除去され、これによりゲート酸化膜４３、ポリシリコン膜４４、タングステンシリサイド膜４５によるポリサイド構造によりゲート電極が形成される。なおこの実施例において、ゲート電極は、ゲート長が２〔μｍ〕以下により形成される。

続いてイオン注入工程、熱処理工程によりシリコン基板４１が処理され、これにより低濃度の拡散層４６が形成され、さらにソース及びドレイン領域を形成するためのイオン注入工程、熱処理工程によりシリコン基板４１が処理され、これらによりＭＯＳ型トランジスタ４７、４８等が作成される。なおここで低濃度の拡散層４６は、ゲート下のチャネル形成領域とドレインとの間の電界を緩和してソース・ドレイン間の耐圧を確保する電界緩和層である。またドライバートランジスタ４７は、１８〔Ｖ〕程度までの耐圧を有するＭＯＳ型トランジスタであり、発熱素子３７の駆動に供するものである。これに対してスイッチングトランジスタ４８は、ドライバートランジスタ４７を制御する駆動回路を構成するトランジスタであり、５〔Ｖ〕の電圧により動作するものである。

このようにしてトランジスタ４７、４８が作成されると、ヘッドチップ３４は、続いてＣＶＤ法によりシリコン酸化膜であるＮＳＧ（Non-doped Silicate Glass）膜、ボロンとリンが添加されたシリコン酸化膜であるＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicate Glass ）膜が順次膜厚１００〔ｎｍ〕、９００〔ｎｍ〕により作成され、これにより全体として膜厚が１０００〔ｎｍ〕による１層目の層間絶縁膜４９が作成される。

続いてフォトリソグラフィー工程の後、Ｃ₄ Ｆ₈ ／ＣＯ／Ｏ₂ ／Ａｒ系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によりシリコン半導体拡散層（ソース・ドレイン）上にコンタクトホールが作成される。なおここでコンタクトホールは、直径０．７〔μｍ〕の断面円形形状によるアスペクト比１により形成される。

ヘッドチップ３４は、続いて希フッ酸を用いた洗浄により、コンタクトホールにより露出したシリコン半導体拡散層の表面から自然酸化膜が除去される。さらにスパッタリング法により、膜厚３０〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚７０〔ｎｍ〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚３０〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚４８０〔ｎｍ〕によるシリコンが１〔ａｔ％〕添加されたアルミニウム、膜厚２５〔ｎｍ〕による窒化酸化チタン反射防止膜が順次堆積される。これらによりヘッドチップ３４は、第１層目の配線パターン材料が堆積されると共に、この配線パターン材料によりコンタクトホールが完全に埋め込まれる。

ヘッドチップ３４は、続いてフォトリソグラフィー工程、ＢＣｌ₃ ／Ｃｌ₂ ガスを用いたドライエッチング工程により、成膜された配線パターン材料が選択的に除去され、１層目の配線パターン５１が作成される。

ヘッドチップ３４は、続いて図４（Ｂ）に示すように、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₄ ）を原料ガスとしたＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（以下、Ｐ−ＴＥＯＳ膜と呼ぶ）５２が膜厚２００〔ｎｍ〕により成膜され、さらにＴＥＯＳとＯ₃ を原料ガスとした常圧プラズマＣＶＤ法により、Ｏ₃ により酸化されたＴＥＯＳ膜（以下、Ｏ₃ −ＴＥＯＳ膜と呼ぶ）５３が膜厚５００〔ｎｍ〕により成膜される。続いてヘッドチップ３４は、基板４１上の全面にレジストが塗布された後、ＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ を原料ガスとしたエッチバック法によりシリコン基板４１が処理され、これにより配線パターン５１により生じる段差に係る部分がＯ₃ −ＴＥＯＳ膜５３により大まかに埋め込まれる。

続いてヘッドチップ３４は、再びＣＶＤ法によりＰ−ＴＥＯＳ膜５４が膜厚２００〔ｎｍ〕により成膜された後、基板全面への塗布型絶縁材料の塗布によりＳＯＧ膜５５が膜厚７００〔ｎｍ〕により形成される。さらに続いてＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ を原料ガスとしたエッチバック法によりＳＯＧ膜５５が膜厚１００〔ｎｍ〕に減少するまでエッチングされ、これによりシリコン基板４１の全面を覆うＳＯＧ膜５５が形成される。ヘッドチップ３４は、このようにして形成されるＳＯＧ膜５５によりＯ₃ −ＴＥＯＳ膜５３によっても残る段差が平坦化される。

なおこの実施例において、塗布型の絶縁材料には、シリカガラスを主成分とする有機ＳＯＧ、アルキルシロキサンポリマーを主成分とする有機ＳＯＧ、アルキルシルセスキオキサンポリマーを主成分とする有機ＳＯＧ、又は水素化シルセスキオキサンポリマーを主成分とする有機ＳＯＧを適用し、エッチバックには、ＣＨＦ₃ ／ＣＦ₄ ／Ａｒガスを使用する。

このようにしてＳＯＧ膜５５が作成されると、ヘッドチップ３４は、続いてアッシング装置により酸素を原料ガスとした酸素プラズマがシリコン基板４１上に照射され、この酸素プラズマの照射による化学反応によりＳＯＧ膜５５の表面から有機基が脱離する。またこのとき図５（Ａ）に示すように、表面のシリコン原子が酸素と結合し、これによりＳＯＧ膜５５の表面には、ＳＯＧ膜５５を無機化したシリコン酸化膜５６が形成される。なおこのようなプラズマの照射においては酸素を含む混合ガスを用いるようにしてもよい。

ヘッドチップ３４は、続いてＣＶＤ法により膜厚２００〔ｎｍ〕によるＰ−ＴＥＯＳ膜５７が成膜され、これらにより１層目の配線パターン５１と続く２層目の配線パターンとを絶縁する２層目の層間絶縁膜が積層構造により形成される。

これによりヘッドチップ３４は、発熱素子３７の作成領域をも含めて、シリコン基板４１側からＰ−ＴＥＯＳ膜５２、Ｏ₃ −ＴＥＯＳ膜５３、Ｐ−ＴＥＯＳ膜５４、ＳＯＧ膜５５、ＳＯＧ膜５５を無機化したシリコン酸化膜５６及びＰ−ＴＥＯＳ膜５７により２層目の層間絶縁膜が形成される。これによりヘッドチップ３４は、この２層目の層間絶縁膜にＳＯＧ膜５５が適用され、配線パターン５１を狭ピッチ化する場合でも、さらには配線パターン５１の膜厚が厚い場合でも、層間絶縁膜の表面においては段差の発生を十分に防止することができるようになされている。またこのようなＳＯＧ膜５５は、下層の配線パターン５１による段差に比して十分に厚い膜厚により形成した後、エッチバックして作成されることにより、ＳＯＧ膜５５の表面を十分に平坦化することができる。

ヘッドチップ３４は、続いて図５（Ｂ）に示すように、フォトレジスト工程、ＣＨＦ₃ ／ＣＦ₄ ／Ａｒガスを用いたドライエッチング工程により、１層目の配線パターン５１と２層目の配線パターンとを接続する貫通孔であるビアホール５８がこの２層目の層間絶縁膜に形成される。

続いてヘッドチップ３４は、図６（Ａ）に示すように、ＳｉＨ₄ ガス、ＮＨ₃ ガス、Ｎ₂ Ｏガスを用いたプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）が膜厚１００〔ｎｍ〕により堆積され、これによりビアホール５８の側壁、ビアホール５８の底面にシリコン窒化膜５９が形成される。なおこのプラズマＣＶＤは、プラズマパワー３００〜５００〔Ｗ〕、成膜温度３５０〜４００度により実行される。

また続いて図６（Ｂ）に示すように、ＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ を主成分とした混合プラズマによるドライエッチング法により全面がエッチバックされ、層間絶縁膜の表層に形成されたシリコン窒化膜５９を除去すると共に、ビアホール５８の底面からシリコン窒化膜５９を除去する。これによりヘッドチップ３４は、ビアホール５８の底面において、下層の配線パターンの表面が露出し、ビアホール５８の側壁にのみ膜厚７０〜９０〔ｎｍ〕によるシリコン窒化膜５９が取り残される。なおチタンのフッ化物は揮発し難いことにより、下層の配線パターンの表層に設けられた窒化酸化チタン反射防止膜は、このエッチバックの処理におけるフッ素系プラズマに対してエッチングストッパー層として機能し、下層の配線パターンの過剰なエッチングを防止する。これらの処理により、この実施例においては、図７（Ａ）に示すように、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、選択的にシリコン絶縁膜５９を形成するようになされている。なおこのようにしてビアホール５８の側壁に形成するシリコン絶縁膜は、シリコン窒化膜５９に代えて、シリコン酸化窒化膜、シリコン酸化膜により形成するようにしてもよい。なおシリコン酸化膜を適用する場合には、ＳｉＨ₄ ガス、Ｎ₂ Ｏガスを用いたプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンを堆積した後、エッチバックすることにより、シリコン絶縁膜を選択的に側壁に形成することができる。

続いてヘッドチップ３４は、図８に示すように、アルゴンプラズマ処理により、ビアホール５８により露出した１層目の配線パターン５１の表面から自然酸化膜が除去される。続いてスパッタリング法により、膜厚２００〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚６００〔ｎｍ〕によるシリコンが１〔ａｔ％〕添加されたアルミニウム、膜厚２５〔ｎｍ〕による窒化酸化チタン反射防止膜が順次成膜され、これらにより１層目の配線パターン材料が堆積されると共に、この配線パターン材料によりビアホール５８が完全に埋め込まれる。続いてヘッドチップ３４は、１層目の配線パターン５１と同様にして２層目の配線パターン材料が選択的に除去され、２層目の配線パターン６４が作成される。

ヘッドチップ３４は、続いて２層目の配線パターン６４と続く３層目の配線パターンとを絶縁する３層目の層間絶縁膜が形成される。具体的にヘッドチップ３４は、２層目の層間絶縁膜と同様に、Ｐ−ＴＥＯＳ膜６５の成膜、Ｏ₃ −ＴＥＯＳ膜６６の成膜及びエッチバック、Ｐ−ＴＥＯＳ膜６７の成膜、ＳＯＧ膜６８の塗布及びエッチバック、このＳＯＧ膜６８表面の無機化によるシリコン酸化膜６９の形成、Ｐ−ＴＥＯＳ膜７０の成膜が順次実施され、これらにより表面が平坦化された状態で３層目の層間絶縁膜が形成される。

続いてヘッドチップ３４は、ＣＨＦ₃ ／ＣＦ₄ ／Ａｒガスを用いたドライエッチング工程により、３層目の層間絶縁膜に貫通孔を形成して、上層の配線パターンを下層の配線パターン６４に接続するためのビアホール７２が作成される。またＳｉＨ₄ ガス、ＮＨ₃ ガス、Ｎ₂ Ｏガスを用いたプラズマＣＶＤにより膜厚１００〔ｎｍ〕により窒化シリコンが堆積され、これによりこの３層目の層間絶縁膜にも、ビアホール７２の側壁、ビアホール７２の底面にシリコン窒化膜７３が形成される。なおこのプラズマＣＶＤは、プラズマパワー３００〜５００〔Ｗ〕、成膜温度３５０〜４００度により実行される。

続いてヘッドチップ３４は、２層目の層間絶縁膜の場合と同様に、ＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ を主成分とした混合プラズマにより全面がエッチバックされ、層間絶縁膜の表層、ビアホール７２の底面からシリコン窒化膜を除去し、この一連の処理によりビアホール７２の側壁にのみ選択的に膜厚７０〜９０〔ｎｍ〕によるシリコン窒化膜７３が形成される。

続いてヘッドチップ３４は、アルゴンプラズマ処理により、ビアホール５８により露出した２層目の配線パターン６４の表面から自然酸化膜が除去された後、スパッタリング法により、膜厚５０〜１００〔ｎｍ〕によりβ−タンタルが堆積され、これにより発熱素子を形成する抵抗体膜が成膜される。なおスパッタリングの条件は、ウエハ加熱温度２００〜４００度、直流印加電力２〜４〔ｋＷ〕、アルゴンガス流量２５〜４０〔ｓｃｃｍ〕に設定した。

さらに続いてヘッドチップ３４は、この抵抗体膜の成膜に供したスパッタリング装置により、膜厚４００〔ｎｍ〕により、アルミニウム又は銅を０．５〔ａｔ％〕添加したアルミニウムを堆積し、これにより抵抗体膜を構成するタンタルとアルミニウムとの積層構造によりビアホール７２を埋め込むと共に、３層目の配線パターン層を形成する。

さらに続いてヘッドチップ３４は、フォトリソグラフィー工程、ＢＣｌ₃ ／Ｃｌ₂ ガスを用いたドライエッチング工程によりタンタルとアルミニウムとの積層膜を選択的に除去し、これにより３層目の配線パターン７６を形成する。また続いて硝酸−酢酸−燐酸からなる混合液を用いたウエットエッチングにより、発熱素子３７の抵抗体膜を形成する部分からアルミニウム膜を選択的に除去し、これにより一端を配線パターン７６により接続する折り返し形状により１００〔Ω〕の抵抗値を有する発熱素子３７を形成する。なお発熱素子３７においては正方形形状により作成するようにしてもよい。

ヘッドチップ３４は、続いて図３に示すように、インク保護層、絶縁層として機能するシリコン窒化膜７７がプラズマＣＶＤ法により膜厚２００〜４００〔ｎｍ〕により成膜される。さらに続いて耐キャビテーション材料層が膜厚１００〜３００〔ｎｍ〕により成膜された後、ＢＣｌ₃ ／Ｃｌ₂ ガスを用いたパターニングにより耐キャビテーション層７８が形成される。この実施例では、タンタルをターゲットに用いたＤＣマグネトロン・スパッタリング装置によりβ−タンタルによる耐キャビテーション層７８が形成される。なおここで耐キャビテーション層７８は、発熱素子３７の駆動によりインク液室に発生した気泡が消滅する際の物理的ダメージ（キャビテーション）を吸収して発熱素子３７を保護し、また発熱素子３７の駆動により高温となったインクの化学作用から発熱素子３７を保護する保護層である。

続いてヘッドチップ３４は、有機系樹脂による露光硬化型のドライフィルムが圧着により配置された後、フォトリソプロセスによりインク液室、インク流路に対応する部位が取り除かれて硬化され、これによりインク液室７９の隔壁３３、インク流路の隔壁等が作成される。ヘッドチップ３４は、このようにしてシリコン基板４１上に複数チップがまとめて作成された後、個々にスクライビングされて作成される。

（２）実施例１の動作
以上の構成において、このラインプリンタ２１は（図１）、印刷に供する画像データ、テキストデータ等によるヘッドカートリッジ２８の駆動により、記録対象である用紙２３を所定の用紙送り機構により搬送しながら、ヘッドカートリッジ２８に設けられたヘッドアッセンブリー３０からインク液滴が吐出され、このインク液滴が搬送中の用紙２３に付着して画像、テキスト等が印刷される。

これに対応してヘッドカートリッジ２８のヘッドアッセンブリー３０は（図１、図２）、インクタンク２９Ｙ、２９Ｍ、２９Ｃ、２９Ｋのインクがインク流路を介して各インク液室に導かれ、発熱素子３７の駆動によるインク液室に保持したインクの圧力増大により、ノズルシート３５に設けられたノズル３８からインク液滴Ｌを吐出する。これらによりこのラインプリンタ２１は、所望の画像等を印刷することができる。

このヘッドアッセンブリー３０は（図３）、隔壁３３を介してノズルシート３５にヘッドチップ３４を順次配置して形成され、このヘッドチップ３４が半導体素子４７と発熱素子３７とを３層の配線パターン５１、６４、７６により接続して形成される。これにより単に構成部材を基板上に積層しただけでは下層の配線パターン５１、６４による段差が隔壁３３の表面に生じて隔壁３３とノズルシート３５の密着性が劣化する。

このためヘッドチップ３４では、配線パターン５１及び６４間の２層目の層間絶縁膜、配線パターン６４、７６間の３層目の層間絶縁膜において、Ｏ₃ −ＴＥＯＳ膜５３、６６の成膜及びエッチバックにより下層の配線パターン５１、６４による段差が概ね平坦化される。またシリコン基板４１の全面を覆うＳＯＧ膜５５、６８がこのＯ₃ −ＴＥＯＳ膜５３、６６の上に形成され、このＳＯＧ膜５５、６８によりＯ₃ −ＴＥＯＳ膜５３、６６によっても残る段差が平坦化されて層間絶縁膜の表面が平坦化される。これによりヘッドアッセンブリー３０では、ヘッドチップ３４上の隔壁３３の表面が平坦に形成され、配線パターンを多層化、狭ピッチ化する場合でも隔壁３３をノズルシート３５に確実に密着させることができる。

しかしながらこのようなＳＯＧ膜５５、６８の採用により、ヘッドチップ３４は、何ら工夫を施さなければ、発熱素子３７の駆動によりＳＯＧ膜５５、６８から有機成分、溶媒成分が脱離し、これらの成分により発熱素子３７が酸化、炭化する。

このためヘッドチップ３４において、２層目の層間絶縁膜にあっては、ＳＯＧ膜５５の表面に、ＳＯＧ膜５５を無機化したシリコン酸化膜５６が形成され、さらにこのシリコン酸化膜５６の表面にＰ−ＴＥＯＳ膜５７によるシリコン絶縁膜が形成される。また３層目の層間絶縁膜にあっては、ＳＯＧ膜６８の表面に、ＳＯＧ膜６８を無機化したシリコン酸化膜６９、Ｐ−ＴＥＯＳ膜７０によるシリコン絶縁膜が形成される。これによりヘッドチップ３４は、これら層間絶縁膜にそれぞれ形成されたシリコン絶縁膜５６、５７、６８、７０により、ＳＯＧ膜５５、６８の揮発成分をＳＯＧ膜５５、６８に封じ込めることができる。

しかしながらこれら層間絶縁膜にあっては、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔であるビアホール５８、７２が形成されることにより、このビアホール５８、７２の内側壁面を介してＳＯＧ膜５５、６８の揮発成分が脱離し、発熱素子３７を劣化させる恐れがある。

このためこの実施例においては、これらビアホール５８、７２の内側壁面にも、改めてシリコン絶縁膜５９、７３が形成され、これによりこの内側壁面におけるＳＯＧ膜５５、６８の露出が防止される。これらによりヘッドチップ３４においては、ビアホール５８、７２の内側壁面についても、塗布型の絶縁膜であるＳＯＧ膜５５、６８の揮発成分を、これらシリコン絶縁膜５９、７３により塗布型の絶縁膜に封じ込めることができ、これによりこの揮発成分による発熱素子３７の劣化を防止することができる。

実際上、昇温脱離ガス分析（Thermal Deposition Spectroscopy ）を用いてこのようにして作成したヘッドチップ３４からの揮発成分を分析したところ、ＳＯＧ膜５５、６８から揮発成分の脱離をほぼ完全に除去できることが確認された。これらによりこの実施例においては、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができるようになされている。

（３）実施例１の効果
以上の構成によれば、塗布型の絶縁膜により層間絶縁膜を形成するようにして、この層間絶縁膜の表層、層間絶縁膜に設けられる貫通孔の内側壁面にシリコン絶縁膜を形成することにより、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができる。

図９は、図３との対比により本発明の実施例２に係るプリンタに適用されるヘッドチップを示す断面図である。この実施例に係るヘッドチップ８４は、タングステンを用いたプラグにより上層の配線パターンを下層に接続する。すなわち図１０に示すように、このヘッドチップ８４は、実施例１について上述したと同様にして、シリコン基板４１上にトランジスタ４７及び４８が形成された後、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜であるＮＳＧ（Non-doped Silicate Glass）膜、ボロンとリンが添加されたシリコン酸化膜であるＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicate Glass ）膜が順次膜厚１００〔ｎｍ〕、９００〔ｎｍ〕により作成され、これにより全体として膜厚が１０００〔ｎｍ〕による１層目の層間絶縁膜８５が作成される。

続いてフォトリソグラフィー工程の後、Ｃ₄ Ｆ₈ ／ＣＯ／Ｏ₂ ／Ａｒ系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によりシリコン半導体拡散層（ソース・ドレイン）上にコンタクトホールが作成される。

ヘッドチップ８４は、続いて希フッ酸を用いた洗浄により、コンタクトホールにより露出したシリコン半導体拡散層の表面から自然酸化膜が除去される。さらにスパッタリング法により、膜厚５０〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚１００〔ｎｍ〕による窒化チタンバリアメタルが順次堆積された後、ＣＶＤ法により膜厚５００〔ｎｍ〕によるタングステンが堆積され、これらによりコンタクトホールが完全に埋め込まれる。さらに続いてヘッドチップ８４は、エッチバック法により、コンタクトホール以外の部位からタングステン膜、窒化チタン膜、チタン膜が除去され、これによりトランジスタ４７、４８と１層目の配線パターンとを接続するプラグ８６が作成される。

ヘッドチップ８４は、続いてスパッタリング法により、膜厚２０〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚２０〔ｎｍ〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚５〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚５００〔ｎｍ〕による銅が０．５〔ａｔ％〕添加されたアルミニウム、膜厚５〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚１００〔ｎｍ〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚５〔ｎｍ〕によるチタンが順次堆積され、これらにより配線パターン材料層が成膜される。さらに続いてフォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、配線パターン材料層が選択的に除去され、１層目の配線パターン８７が作成される。

続いてヘッドチップ８４は、実施例１について上述したと同様にしてＰ−ＴＥＯＳ膜５２、Ｏ₃ −ＴＥＯＳ膜５３、Ｐ−ＴＥＯＳ膜５４、ＳＯＧ膜５５、ＳＯＧ膜５５の表面の無機化によるシリコン酸化膜５６、Ｐ−ＴＥＯＳ膜５７が成膜されて２層目の層間絶縁膜が形成され、これによりこの実施例２においても、２層目の層間絶縁膜にＳＯＧ膜５５を適用して、この２層目の層間絶縁膜の表面においては段差の発生を十分に防止するようになされている。またＳＯＧ膜５５の表層からの揮発成分の脱離を防止するようになされている。

続いてヘッドチップ８４は、実施例１について上述したと同様にして、ビアホール５８が形成され、さらにこのビアホール５８の内側壁面に選択的にシリコン窒化膜５９が形成される。これによりこの実施例では、ビアホール５８によるＳＯＧ膜５５の内側壁面についても揮発成分の脱離を防止するようになされ、これらによりＳＯＧ膜５５による発熱素子の劣化を防止するようになされている。

続いてヘッドチップ８４は、図１１に示すように、アルゴンプラズマ処理により、ビアホール５８により露出した１層目の配線パターン５１の表面から自然酸化膜が除去される。続いてスパッタリング法により、膜厚１００〔ｎｍ〕による窒化チタンバリアメタル膜が成膜された後、ＣＶＤ法により膜厚５００〔ｎｍ〕のタングステン膜が成膜され、これによりビアホール５８が完全に埋め込まれる。続いてエッチバックにより層間絶縁膜の表面からタングステン膜、窒化チタン膜が順次除去され、これによりビアホール５８の内側のみタングステンが埋め込まれる。

しかしてビアホール５８の内側壁面に選択的に形成されたシリコン窒化膜５９は、このようにしてタングステンを埋め込む際のＣＶＤ工程におけるＳＯＧ膜からの放出ガスをもブロックし、これによりこのような放出ガスによるビアホール５８内におけるタングステンの成長阻害をも防止する。これによりこの実施例では、タングステンによる埋め込み不良を防止する。

続いてヘッドチップ８４は、スパッタリング法により、膜厚２０〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚２０〔ｎｍ〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚５〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚５００〔ｎｍ〕による銅が０．５〔ａｔ％〕添加されたアルミニウム、膜厚５〔ｎｍ〕によるチタン、膜厚１００〔ｎｍ〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚５〔ｎｍ〕によるチタンが順次堆積され、これにより２層目の配線パターン材料層が成膜される。ヘッドチップ８４は、続いてフォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、配線パターン材料層が選択的に除去され、２層目の配線パターン６４が作成される。

ヘッドチップ８４は、続いて実施例１と同様にして、Ｐ−ＴＥＯＳ膜６５の成膜、Ｏ₃ −ＴＥＯＳ膜６６の成膜及びエッチバック、Ｐ−ＴＥＯＳ膜６７の成膜、ＳＯＧ膜６８の成膜及びエッチバック、このＳＯＧ膜６８表面の無機化によるシリコン酸化膜６９の形成、Ｐ−ＴＥＯＳ膜７０の成膜が順次実施され、これらにより表面が平坦化された状態で３層目の層間絶縁膜が形成される。

続いてヘッドチップ８４は、スパッタリング法により、膜厚５０〜１００〔ｎｍ〕によりβ−タンタルが堆積され、これによりシリコン基板４１上に抵抗体膜が成膜される。なおスパッタリングの条件は、ウエハ加熱温度２００〜４００度、直流印加電力２〜４〔ｋＷ〕、アルゴンガス流量２５〜４０〔ｓｃｃｍ〕に設定した。さらに続いてヘッドチップ３４は、フォトリソグラフィー工程、ＢＣｌ₃ ／Ｃｌ₂ ガスを用いたドライエッチング工程により抵抗体膜が選択的に除去され、一端を配線パターンにより接続する折り返し形状により約１００〔Ω〕の抵抗値を有する発熱素子９０が形成される。なお発熱素子９０においては正方形形状により作成するようにしてもよい。続いてヘッドチップ８４は、ＣＶＤ法により膜厚３００〔ｎｍ〕によるシリコン窒化膜が成膜され、発熱素子９０の絶縁保護層９１が形成される。

さらにヘッドチップ８４は、実施例１と同様にして、３層目の層間絶縁膜にビアホール７２が作成され、このビアホール７２の内側壁面に選択的にシリコン窒化膜７３が形成される。

これによりこの実施例においては、この３層目の層間絶縁膜についても、実施例１について上述したと同様にして、揮発成分をＳＯＧ膜６８に閉じ込めて、発熱素子９０の劣化を防止する。またビアホール５８の場合と同様に、ビアホール７２にタングステンを埋め込む際のタングステンの成長阻害をも防止して、タングステンによる埋め込み不良を防止する。

しかしてヘッドチップ８４は、続いてビアホール５８と同様にして、タングステン膜、窒化チタン膜が順次成膜された後、エッチバックにより層間絶縁膜の表面からタングステン膜、窒化チタン膜が順次除去され、これによりビアホール７２の内側のみタングステンが埋め込まれる。

続いてフォトレジスト工程、ＣＨＦ₃ ／ＣＦ₄ ／Ａｒガスを用いたドライエッチング工程により、所定箇所のシリコン窒化膜が除去され、これにより発熱素子９０を配線パターンに接続する部位が露出される。

続いてヘッドチップ８４は、２層目の配線パターン６４と同様にして３層目の配線パターン９２が作成される。なお発熱素子９０の表層に取り残されたこのシリコン窒化膜９１は、この配線パターンを作成する際のドライエッチング処理の保護層として機能し、その結果、塩素ラジカルに曝されて膜厚が３００〔ｎｍ〕から１００〔ｎｍ〕に減少する。

続いてヘッドチップ８４は、図９に示すように、実施例１について上述したと同様にして、インク保護層、絶縁層として機能するシリコン窒化膜７７が形成された後、耐キャビテーション層７８が形成される。また続いて、インク液室７９の隔壁３３、インク流路の隔壁等が作成され、個々にスクライビングされて作成される。

この実施例によれば、タングステンによるプラグにより上層の配線パターンを下層に接続する場合でも、実施例１と同一の効果を得ることができる。

なお上述の実施例においては、塗布型の絶縁膜をＳＯＧ膜により形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ＳＯＧ膜に代えて、例えばポリアリールエーテル等を主成分とする低誘電率材料膜等、種々の塗布型絶縁膜を広く適用することができる。なお塗布型の絶縁膜に低誘電率材料膜を適用する場合にあっては、エッチバック、プラズマの照射による無機化処理を省略することができる。またビアホールの作成においては、ＣＨＦ₃ ／ＣＦ₄ ／Ａｒガスを用いたドライエッチングによりビアホールの部位で塗布型絶縁膜の表面が露出するまで表層の絶縁膜をエッチングした後、続いてＮＨ₃ 、Ｎ₂ ／Ｈ₂ ガスを主成分としたガス系によるドライエッチングにより露出した塗布型絶縁膜をエッチングし、再びＣＨＦ₃ ／ＣＦ₄ ／Ａｒガスを用いたドライエッチング工程により下層の配線パターンが露出するまでエッチングすることになる。

また上述の実施例においては、カラー印刷用のフルラインタイプのプリンタヘッドに本発明を適用して４本のノズル列を作成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば白黒印刷用のフルラインタイプのプリンタヘッドに本発明を適用してノズル列を１本により作成する場合等、種々の本数によりノズル列を作成する場合に広く適用することができる。

また上述の実施例においては、フルラインタイプのプリンタヘッドに本発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばプリンタヘッドを特定方向に移動させるいわゆるシリアルタイプのプリンタヘッドに本発明を適用する場合にも広く適用することができる。

また上述の実施例においては、本発明をプリンタヘッドに適用してインク液滴を飛び出させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、インク液滴に代えて液滴が各種染料の液滴、保護層形成用の液滴等である液体吐出ヘッド、さらには液滴が試薬等であるマイクロディスペンサー、各種測定装置、各種試験装置、液滴がエッチングより部材を保護する薬剤である各種のパターン描画装置等に広く適用することができる。

本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えば発熱素子と発熱素子を駆動するトランジスタとを一体に基板上に形成したサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用することができる。

本発明の実施例１に係るラインプリンタを示す斜視図である。 図１のヘッドアッセンブリーのインク液滴の吐出に係る部分を拡大して示す斜視図である。 図２のヘッドアッセンブリーのインク液滴の吐出に係る部分を示す断面図である。 図３のヘッドチップの作成工程の説明に供する断面図である。 図４の続きを示す断面図である。 図５の続きを示す断面図である。 図６の続きを示す断面図である。 図７の続きを示す断面図である。 本発明の実施例２に係るラインプリンタに適用されるヘッドチップを示す断面図である。 図９のヘッドチップの作成工程の説明に供する断面図である。 図１０の続きを示す断面図である。 従来のプリンタヘッドの構成を示す断面図である。 図１２とは異なるプリンタヘッドの構成を示す断面図である。

符号の説明

１……プリンタヘッド、２、４１……基板、３、４７、４８……トランジスタ、４、７、５１、６４、７６、９２……配線パターン、５……層間絶縁膜、６、３７、９０……発熱素子、１２、５５、６８……ＳＯＧ膜、２１……ラインプリンタ、３０……ヘッドアッセンブリー、３４、８４……ヘッドチップ、５６、５９、６９、７３……シリコン絶縁膜、５８、７２……ビアホール

Claims (4)

1. 液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドにおいて、
   前記発熱素子の前記基板側には、
   上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成され、
   前記塗布型の絶縁膜は、
   有機基を含むシリコン化合物により形成され、
   表層に、シリコン絶縁膜が形成され、
   前記上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成された
   ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
2. 前記内側壁面のシリコン絶縁膜は、
   シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜、又はシリコン酸化膜である
   ことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
3. 液体吐出ヘッドから飛び出す液滴を対象物に供給する液体吐出装置において、
   前記液体吐出ヘッドが、
   液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させ、
   前記発熱素子の前記基板側には、
   上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成され、
   前記塗布型の絶縁膜は、
   有機基を含むシリコン化合物により形成され、
   表層に、シリコン絶縁膜が形成され、
   前記上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成された
   ことを特徴とする液体吐出装置。
4. 液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法において、
   有機基を含むシリコン化合物により形成された塗布型の絶縁膜により前記基板の全面を覆って、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜を作成する層間絶縁膜の作成処理と、
   前記塗布型の絶縁膜の表層にシリコン絶縁膜を形成する第１のシリコン絶縁膜の作成処理と、
   前記層間絶縁膜に、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔を作成する貫通孔の作成処理と、
   前記貫通孔の内側壁面に選択的にシリコン絶縁膜を形成する第２のシリコン絶縁膜の作成処理とを有する
   ことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。

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