JP2004142430A - 表面保護フィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基材層、樹脂層及び欠陥認識用フィルムをこの順に積層した構造を有してなる表面保護フィルムであって、前記樹脂層は、着色剤を含有し、かつ波長300〜1100nmの領域の光線透過率が10%以下であり、前記欠陥認識用フィルムと前記樹脂層との間に含まれる直径100μm以上の空隙の数が1m2あたり100個以下であることを特徴とする表面保護フィルム。
【選択図】 図1
Description
(1−2)欠陥認識用フィルムを剥離する工程、
(1−3)半導体ウェハに積層された樹脂層の表面にダイシングテープをラミネートする工程、
(2)半導体ウェハを所定の大きさにダイシングし半導体素子を得る工程、
(2−2)ダイシングテープと樹脂層の接着力を低下させる工程、
(3)樹脂層とダイシングテープの間で剥離し、樹脂層付き半導体素子を得る工程、
を含む半導体装置の製造方法に用いられる上記表面保護フィルム。
(2)欠陥認識用フィルムを用いて半導体ウェハを所定の大きさにダイシングし半導体素子を得る工程、
(2−2)粘着性を有する欠陥認識用フィルムと樹脂層の接着力を低下させる工程、
(3)樹脂層と欠陥認識用フィルムの間で剥離し、樹脂層付き半導体素子を得る工程、
を含む半導体装置の製造方法に用いられる上記表面保護フィルム。
本発明の表面保護フィルムに用いられる基材層としては、樹脂層を保持できるものであれば、特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。
本発明のフィルムに用いられる樹脂層は、着色剤を含有し、かつ波長300〜1100nmの領域の光線透過率が10%以下のものであることを特徴とし、また、樹脂層は適当なタック強度を有していることが好ましい。樹脂層としては、半導体装置の信頼性の面から、熱硬化性成分及び高分子量成分を含有していることが好ましい。前記の他に硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。
また、欠陥認識用フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。欠陥部が認識しやすい点で、白濁したフィルムが好ましく、また、フィルムの可視光透過率が3〜80%であることが好ましい。フィルムが、顔料、染料等の白色着色剤、上述の白色フィラー等を含有していても良い。本発明においては、白濁したポリエチレンフィルムを用いることが好ましい。
本発明の表面保護フィルムは、基材層上に、従来公知の手法に従って、樹脂層を積層し、さらに樹脂層上に欠陥認識用フィルムを積層することにより得られる。
本発明は、以下に説明するように、樹脂層内又は樹脂層上に存在する異物そのものを観察するのではなく、異物の混入により生じた空隙を観察するという着想に基づいてなされた点に1つの特徴がある。樹脂層の耐熱性、レーザーマーキングによる視認性の向上などを目的に樹脂層中にフィラーや顔料を添加した場合、樹脂層の表面に微小な凹凸が出来やすく、また、このような樹脂層表面の凹凸は色調の差がなく、光学的に判別し難い。
本表面保護フィルムは、例えば、以下の1)〜5)の方法などにより、使用することができる。
エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、東都化成株式会社製のYD−8125を使用)60重量部、フェノールノボラック型のエポキシ樹脂(東都化成株式会社製のYDCN−703を使用)5重量部、硬化剤としてビスフェノールAノボラック樹脂(大日本インキ製のLF−2882を使用)35重量部、白色フィラーとしてシリコンフィラー(株式会社アドマテックス製のアドマファインSO−C2を使用)30重量部、着色剤としてカーボンブラックを30重量%含有した樹脂系加工顔料(御国色素のCFブラックHGBK−02)を35重量部、溶剤としてシクロヘキサノン30重量部をビーズミルにより混合したワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム(分子量100万、帝国化学産業株式会社製のHTR−860P−3)230重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(キュアゾール2PZ−CNを使用)0.5重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを1700重量部加えて攪拌混合し、ワニスを得た。
100μm以下の空隙が60個/m2の部分を使用した他は、実施例1と同様にして半導体素子を得た。
100μm以下の空隙が130個/m2の部分を使用した他は、実施例1と同様にして半導体素子を得た。
カーボンブラックを含有した樹脂系加工顔料(御国色素のCFブラックHGBK−02)の配合量を0.1重量部に、エポキシ基含有アクリルゴム(分子量100万、帝国化学産業株式会社製のHTR−860P−3)の配合量を100重量部に変更して樹脂層を得た他は、実施例1と同様にして半導体素子を得た。樹脂層の波長300〜1100nmの光線透過率は15%であった。
(レーザーマーキング視認性)
レーザーマーキング後のフィルム表面をスキャナによって画像取り込みを行い、画像処理ソフト(Adobe社製PHOTOSHOP)によってマーキング部分及びその周りの非マーキング部分の2階調化を行う。この操作により、画像は明度によって白黒の256段階に分けられる。次に、マーキング部分が白く、非マーキング部分が黒く表示される「2階調化する境界のしきい値」と、マーキング部分も黒く表示されマーキング/非マーキング部分の境界が無くなる「2階調化する境界のしきい値」の値を求め、その差が40以上である場合に視認性が良好であるとし(○)、その差が30以上40未満である場合に視認性がほぼ良好であるとし(△)、その差が30未満である場合に視認性が不良である(×)として評価する。得られた結果を表1に示す。
耐熱性の評価方法としては、耐リフロークラック性試験及び耐湿度サイクル性試験を適用した。
2 基材層
3 樹脂層
4 欠陥認識用フィルム
5 異物
6 空隙
7 ダイシングテープ
8 ダイシングソー
9 吸引コレット
10 針扞
A 半導体ウェハ
A1、A2、A3 半導体素子
Claims (6)
- 基材層、樹脂層及び欠陥認識用フィルムをこの順に積層した構造を有してなる表面保護フィルムであって、
前記樹脂層は、着色剤を含有し、かつ波長300〜1100nmの領域の光線透過率が10%以下であり、
前記欠陥認識用フィルムと前記樹脂層との間に含まれる直径100μm以上の空隙の数が1m2あたり100個以下であることを特徴とする表面保護フィルム。 - 欠陥認識用フィルムの厚みが5〜300μmであり、かつ、室温における貯蔵弾性率が1〜3000MPaである請求項1記載の表面保護フィルム。
- 請求項1又は2記載の表面保護フィルムの製造方法であって、温度20℃〜140℃、圧力0.01〜100MPa、または、温度20℃〜140℃、線圧0.1〜500N/cmの条件で、前記樹脂層上に前記欠陥認識用フィルムを積層する工程を含む表面保護フィルムの製造方法。
- (1)基材層、樹脂層及び欠陥認識用フィルムがこの順に形成されてなる表面保護フィルムを、基材層を剥離した後に樹脂層面と半導体ウェハの回路がない面とが接するようにして半導体ウェハにラミネートする工程、
(1−2)欠陥認識用フィルムを剥離する工程、
(1−3)半導体ウェハに積層された樹脂層の表面にダイシングテープをラミネートする工程、
(2)半導体ウェハを所定の大きさにダイシングし半導体素子を得る工程、
(2−2)ダイシングテープと樹脂層の接着力を低下させる工程、
(3)樹脂層とダイシングテープの間で剥離し、樹脂層付き半導体素子を得る工程、
を含む半導体装置の製造方法に用いられる請求項1又は2記載の表面保護フィルム。 - (1)基材層、樹脂層及び粘着性を有する欠陥認識用フィルムがこの順に形成されてなる表面保護フィルムを、基材層を剥離した後に樹脂層面と半導体ウェハの回路がない面とが接するようにして前記半導体ウェハにラミネートする工程、
(2)欠陥認識用フィルムを用いて半導体ウェハを所定の大きさにダイシングし半導体素子を得る工程、
(2−2)粘着性を有する欠陥認識用フィルムと樹脂層の接着力を低下させる工程、
(3)樹脂層と欠陥認識用フィルムの間で剥離し、樹脂層付き半導体素子を得る工程、
を含む半導体装置の製造方法に用いられる請求項1又は2記載の表面保護フィルム。 - 請求項1、2、4又は5記載の表面保護フィルムを用い表面を保護した半導体素子。
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP4341343B2 (ja) |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277297A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Lintec Corp | 半導体デバイスの製造方法及びダイシング用粘着テープ |
JP2006321216A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用シート |
JP2007250970A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子裏面保護用フィルム及びそれを用いた半導体装置とその製造法 |
JP2008222894A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子部品固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品の製造方法 |
JP2008227516A (ja) * | 2002-10-04 | 2008-09-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009253082A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Lintec Corp | 半導体ウエハ処理用接着シート及びそれを用いた半導体ウエハ処理装置の調整方法並びに接着シートの評価方法 |
JP2011181684A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Nitto Denko Corp | ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置 |
KR20110116996A (ko) | 2010-04-19 | 2011-10-26 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 |
CN102376616A (zh) * | 2010-07-20 | 2012-03-14 | 日东电工株式会社 | 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件 |
US8237294B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-08-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
US8415201B2 (en) | 2009-06-15 | 2013-04-09 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US8420509B2 (en) | 2009-12-24 | 2013-04-16 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface |
US8450189B2 (en) | 2010-07-28 | 2013-05-28 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface |
US8614139B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-12-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing film with protecting film |
US8643194B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-02-04 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US8652938B2 (en) | 2010-07-29 | 2014-02-18 | Nitto Denko Corporation | Thermally releasable sheet-integrated film for semiconductor back surface, method of collecting semiconductor element, and method of producing semiconductor device |
US8658515B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-02-25 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing film for semiconductor device |
US8692389B2 (en) | 2009-12-24 | 2014-04-08 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US8704382B2 (en) | 2009-12-24 | 2014-04-22 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface |
US8703584B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-04-22 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
JP2014143426A (ja) * | 2009-12-24 | 2014-08-07 | Nitto Denko Corp | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム |
US8841757B2 (en) | 2010-11-18 | 2014-09-23 | Nitto Denko Corporation | Film for the backside of flip-chip type semiconductor, dicing tape-integrated film for the backside of semiconductor, method of manufacturing film for the backside of flip-chip type semiconductor, and semiconductor device |
WO2015016063A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
WO2015015817A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法 |
US8986486B2 (en) | 2010-07-28 | 2015-03-24 | Nitto Denko Corporation | Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production |
US9035466B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-05-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US9074113B2 (en) | 2010-07-20 | 2015-07-07 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface, dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, process for producing semiconductor device, and flip chip type semiconductor device |
WO2015111632A1 (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法 |
KR20150123762A (ko) | 2010-07-20 | 2015-11-04 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 |
US9196533B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-11-24 | Nitto Denko Corporation | Film for back surface of flip-chip semiconductor, dicing-tape-integrated film for back surface of semiconductor, process for producing semiconductor device, and flip-chip semiconductor device |
US9293387B2 (en) | 2010-07-28 | 2016-03-22 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface, dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, process for producing semiconductor device, and flip chip type semiconductor device |
JP2016115943A (ja) * | 2014-03-24 | 2016-06-23 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム |
JP2017011197A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、及びワーク又は加工物の製造方法 |
JP2017011198A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、ワーク又は加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、及び良品と判断された加工物 |
JP2017011199A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、ワーク又は加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、及び良品と判断された加工物 |
JPWO2015016064A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-03-02 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JP2017216455A (ja) * | 2017-06-20 | 2017-12-07 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法 |
US9911683B2 (en) | 2010-04-19 | 2018-03-06 | Nitto Denko Corporation | Film for back surface of flip-chip semiconductor |
JP2018037667A (ja) * | 2017-10-12 | 2018-03-08 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シートおよびレーザー印字方法 |
JP6298226B1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-03-20 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JP2018088529A (ja) * | 2009-01-30 | 2018-06-07 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09254328A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-09-30 | Lintec Corp | 生分解性自動車塗膜保護用シート |
JPH09263734A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Texas Instr Japan Ltd | ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム |
JPH09266183A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JPH10335271A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2002038111A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-02-06 | Lintec Corp | 粘着シートおよび貼着体 |
JP2002151528A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Lintec Corp | ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法 |
JP2002280329A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Lintec Corp | チップ用保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法 |
-
2003
- 2003-08-27 JP JP2003303433A patent/JP4341343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09263734A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Texas Instr Japan Ltd | ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム |
JPH09266183A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JPH09254328A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-09-30 | Lintec Corp | 生分解性自動車塗膜保護用シート |
JPH10335271A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2002038111A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-02-06 | Lintec Corp | 粘着シートおよび貼着体 |
JP2002151528A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Lintec Corp | ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法 |
JP2002280329A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Lintec Corp | チップ用保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法 |
Cited By (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227516A (ja) * | 2002-10-04 | 2008-09-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005277297A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Lintec Corp | 半導体デバイスの製造方法及びダイシング用粘着テープ |
JP2006321216A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用シート |
JP4682796B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-05-11 | 日立化成工業株式会社 | 封止用シート |
JP2007250970A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子裏面保護用フィルム及びそれを用いた半導体装置とその製造法 |
JP2008222894A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子部品固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品の製造方法 |
JP2009253082A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Lintec Corp | 半導体ウエハ処理用接着シート及びそれを用いた半導体ウエハ処理装置の調整方法並びに接着シートの評価方法 |
US8648476B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-02-11 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
JP2018088529A (ja) * | 2009-01-30 | 2018-06-07 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム |
US8766462B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-07-01 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
US8237294B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-08-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
US8841780B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-09-23 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
US8558397B2 (en) | 2009-01-30 | 2013-10-15 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated wafer back surface protective film |
US8703584B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-04-22 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US8415201B2 (en) | 2009-06-15 | 2013-04-09 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US8912665B2 (en) | 2009-06-15 | 2014-12-16 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US9362156B2 (en) | 2009-12-24 | 2016-06-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US9035466B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-05-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
JP2014143426A (ja) * | 2009-12-24 | 2014-08-07 | Nitto Denko Corp | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム |
US8692389B2 (en) | 2009-12-24 | 2014-04-08 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US8704382B2 (en) | 2009-12-24 | 2014-04-22 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface |
JP2016197726A (ja) * | 2009-12-24 | 2016-11-24 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
US8420509B2 (en) | 2009-12-24 | 2013-04-16 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface |
KR101823676B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2018-01-30 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 |
JP2011181684A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Nitto Denko Corp | ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置 |
TWI454552B (zh) * | 2010-03-01 | 2014-10-01 | Nitto Denko Corp | 晶片接合薄膜、切割-晶片接合薄膜及半導體裝置 |
US8779586B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-07-15 | Nitto Denko Corporation | Die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device |
US9478454B2 (en) | 2010-04-19 | 2016-10-25 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US8643194B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-02-04 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
US8722517B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-05-13 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
KR20110116996A (ko) | 2010-04-19 | 2011-10-26 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 |
US9911683B2 (en) | 2010-04-19 | 2018-03-06 | Nitto Denko Corporation | Film for back surface of flip-chip semiconductor |
US9196533B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-11-24 | Nitto Denko Corporation | Film for back surface of flip-chip semiconductor, dicing-tape-integrated film for back surface of semiconductor, process for producing semiconductor device, and flip-chip semiconductor device |
KR101647260B1 (ko) * | 2010-07-20 | 2016-08-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 플립 칩형 반도체 이면용 필름, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 플립 칩형 반도체 장치 |
KR20150123762A (ko) | 2010-07-20 | 2015-11-04 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 |
CN102376616A (zh) * | 2010-07-20 | 2012-03-14 | 日东电工株式会社 | 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件 |
US8492907B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-07-23 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface, dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, process for producing semiconductor device, and flip chip type semiconductor device |
US9074113B2 (en) | 2010-07-20 | 2015-07-07 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface, dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, process for producing semiconductor device, and flip chip type semiconductor device |
KR20150118063A (ko) | 2010-07-20 | 2015-10-21 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 플립 칩형 반도체 이면용 필름, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 플립 칩형 반도체 장치 |
US8986486B2 (en) | 2010-07-28 | 2015-03-24 | Nitto Denko Corporation | Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production |
US9761475B2 (en) | 2010-07-28 | 2017-09-12 | Nitto Denko Corporation | Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production |
US9293387B2 (en) | 2010-07-28 | 2016-03-22 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface, dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, process for producing semiconductor device, and flip chip type semiconductor device |
US8450189B2 (en) | 2010-07-28 | 2013-05-28 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface |
US8652938B2 (en) | 2010-07-29 | 2014-02-18 | Nitto Denko Corporation | Thermally releasable sheet-integrated film for semiconductor back surface, method of collecting semiconductor element, and method of producing semiconductor device |
US8841757B2 (en) | 2010-11-18 | 2014-09-23 | Nitto Denko Corporation | Film for the backside of flip-chip type semiconductor, dicing tape-integrated film for the backside of semiconductor, method of manufacturing film for the backside of flip-chip type semiconductor, and semiconductor device |
US8658515B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-02-25 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing film for semiconductor device |
US8614139B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-12-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing film with protecting film |
CN105408988A (zh) * | 2013-07-31 | 2016-03-16 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法 |
US10399306B2 (en) | 2013-07-31 | 2019-09-03 | Lintec Corporation | Protective film forming film, sheet for forming protective film, and inspection method |
WO2015015817A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法 |
JP2015032644A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法 |
WO2015016063A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JPWO2015016063A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-03-02 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JPWO2015016064A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-03-02 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JPWO2015111632A1 (ja) * | 2014-01-22 | 2017-03-23 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法 |
US10559505B2 (en) | 2014-01-22 | 2020-02-11 | Lintec Corporation | Protective film-forming film, sheet for forming protective film, complex sheet for forming protective film, and inspection method |
WO2015111632A1 (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法 |
JP2019080066A (ja) * | 2014-01-22 | 2019-05-23 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法 |
US10510578B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-12-17 | Lintec Corporation | Protective film forming film, protective film forming sheet and work product manufacturing method |
JP2016115943A (ja) * | 2014-03-24 | 2016-06-23 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム |
JP2017011199A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、ワーク又は加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、及び良品と判断された加工物 |
JP2017011198A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、ワーク又は加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、及び良品と判断された加工物 |
JP2017011197A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、及びワーク又は加工物の製造方法 |
JP6298226B1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-03-20 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JP2017216455A (ja) * | 2017-06-20 | 2017-12-07 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法 |
JP2018037667A (ja) * | 2017-10-12 | 2018-03-08 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シートおよびレーザー印字方法 |
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