JPH09263734A - ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム - Google Patents
ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイシング・ダイボンディングに好適で、パ
ッケージクラックの発生しにくい半導体装置を製造しう
るポリイミド接着シートならびにポリイミド用工程フィ
ルムを提供すること。 【解決手段】 本発明に係るポリイミド接着シートは、
表面張力が４０dyn/cm未満のポリイミド用工程フィルム
と、該工程フィルム表面上に形成されたポリイミド系接
着剤層とからなることを特徴としている。ここで、上記
ポリイミド用工程フィルムの融点が２６０℃以上である
ことが好ましく、特にポリエチレンナフタレート樹脂か
らなることが好ましい。また、上記ポリイミド用工程フ
ィルムの表面は、アルキッド系剥離剤にて剥離処理され
てなることが好ましい。
ッケージクラックの発生しにくい半導体装置を製造しう
るポリイミド接着シートならびにポリイミド用工程フィ
ルムを提供すること。 【解決手段】 本発明に係るポリイミド接着シートは、
表面張力が４０dyn/cm未満のポリイミド用工程フィルム
と、該工程フィルム表面上に形成されたポリイミド系接
着剤層とからなることを特徴としている。ここで、上記
ポリイミド用工程フィルムの融点が２６０℃以上である
ことが好ましく、特にポリエチレンナフタレート樹脂か
らなることが好ましい。また、上記ポリイミド用工程フ
ィルムの表面は、アルキッド系剥離剤にて剥離処理され
てなることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、ポリイミド接着シートな
らびにポリイミド用工程フィルムに関し、特に複数の半
導体集積回路が形成されたシリコンウェハをダイシング
し、個々の半導体集積回路、即ちＩＣチップ（チップま
たはダイとも言う）とし、さらにそれらＩＣチップをパ
ッケージ用リードフレーム等に搭載する工程において使
用されるポリイミド接着シートならびにポリイミド用工
程フィルムに関する。
らびにポリイミド用工程フィルムに関し、特に複数の半
導体集積回路が形成されたシリコンウェハをダイシング
し、個々の半導体集積回路、即ちＩＣチップ（チップま
たはダイとも言う）とし、さらにそれらＩＣチップをパ
ッケージ用リードフレーム等に搭載する工程において使
用されるポリイミド接着シートならびにポリイミド用工
程フィルムに関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】シリコン、ガリウムヒ素などの半
導体ウェハは大径の状態で製造され、このウェハはＩＣ
チップに切断分離（ダイシング）された後に次の工程で
あるパッケージ用リードフレームにＩＣチップを載置す
るダイボンディング工程（マウント工程とも言う）に移
されている。
導体ウェハは大径の状態で製造され、このウェハはＩＣ
チップに切断分離（ダイシング）された後に次の工程で
あるパッケージ用リードフレームにＩＣチップを載置す
るダイボンディング工程（マウント工程とも言う）に移
されている。
【０００３】ダイボンディング工程において、ピックア
ップされたＩＣチップは、リードフレームのＩＣチップ
搭載部（マウント部）に塗布されたエポキシ系接着剤、
ポリイミド系接着剤、銀ペーストなどの粘液状で供給さ
れるＩＣチップ接着用接着剤を介して固定され、その後
ワイヤーボンディング工程、樹脂モールド工程を経て半
導体装置が製造されている。しかしながら、このような
液状接着剤の塗布では、ＩＣチップが非常に小さな場合
には、適量の接着剤を均一に塗布することが困難であ
り、ＩＣチップから接着剤がはみ出したり、あるいはＩ
Ｃチップが大きい場合には、接着剤が不足するなど、充
分な接着力を有するように接着を行うことができないな
どという問題点があった。
ップされたＩＣチップは、リードフレームのＩＣチップ
搭載部（マウント部）に塗布されたエポキシ系接着剤、
ポリイミド系接着剤、銀ペーストなどの粘液状で供給さ
れるＩＣチップ接着用接着剤を介して固定され、その後
ワイヤーボンディング工程、樹脂モールド工程を経て半
導体装置が製造されている。しかしながら、このような
液状接着剤の塗布では、ＩＣチップが非常に小さな場合
には、適量の接着剤を均一に塗布することが困難であ
り、ＩＣチップから接着剤がはみ出したり、あるいはＩ
Ｃチップが大きい場合には、接着剤が不足するなど、充
分な接着力を有するように接着を行うことができないな
どという問題点があった。
【０００４】近年、半導体チップの集積度は増加する傾
向にあり、これに伴い、チップサイズは大面積化し、ま
た配線は微細化、多層化しつつある。その一方で、プリ
ント配線板への実装を高密度に行えるように、チップを
収納するパッケージは小型化、薄形化する傾向にある。
これら大面積の薄形パッケージは、従来のものと比較し
て、耐熱衝撃性や耐熱湿性に劣り、表面実装工程におい
てパッケージクラックを発生しやすいという問題があっ
た。
向にあり、これに伴い、チップサイズは大面積化し、ま
た配線は微細化、多層化しつつある。その一方で、プリ
ント配線板への実装を高密度に行えるように、チップを
収納するパッケージは小型化、薄形化する傾向にある。
これら大面積の薄形パッケージは、従来のものと比較し
て、耐熱衝撃性や耐熱湿性に劣り、表面実装工程におい
てパッケージクラックを発生しやすいという問題があっ
た。
【０００５】一方、リードフレームへのＩＣチップ接着
用に耐熱性の優れたポリイミド樹脂を用いたフィルム接
着剤が提案され、半導体装置の耐久性を向上することが
報告されている。またこのようなＩＣチップ接着用の接
着剤を基材フィルムに剥離可能に積層したダイシング・
ダイボンディング兼用のダイシングシートが提案されて
いる。
用に耐熱性の優れたポリイミド樹脂を用いたフィルム接
着剤が提案され、半導体装置の耐久性を向上することが
報告されている。またこのようなＩＣチップ接着用の接
着剤を基材フィルムに剥離可能に積層したダイシング・
ダイボンディング兼用のダイシングシートが提案されて
いる。
【０００６】しかし、ポリイミド樹脂を用いたフィルム
接着剤は、上記のようなダイシング・ダイボンディング
工程に適用可能なものは存在せず、チップの保持性、転
写性に不充分であった。
接着剤は、上記のようなダイシング・ダイボンディング
工程に適用可能なものは存在せず、チップの保持性、転
写性に不充分であった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、ダイシング・ダイボンディン
グに好適で、パッケージクラックの発生しにくい半導体
装置を製造しうるポリイミド接着シートならびにポリイ
ミド用工程フィルムを提供することにある。
てなされたものであって、ダイシング・ダイボンディン
グに好適で、パッケージクラックの発生しにくい半導体
装置を製造しうるポリイミド接着シートならびにポリイ
ミド用工程フィルムを提供することにある。
【０００８】
【発明の概要】本発明に係るポリイミド接着シートは、
表面張力が４０dyn/cm未満のポリイミド用工程フィルム
と、該工程フィルム表面上に形成されたポリイミド系接
着剤層とからなることを特徴としている。ここで、上記
ポリイミド用工程フィルムの融点が２６０℃以上である
ことが好ましく、特にポリエチレンナフタレート樹脂か
らなることが好ましい。また、上記ポリイミド用工程フ
ィルムの表面は、アルキッド系剥離剤にて剥離処理され
てなることが好ましい。
表面張力が４０dyn/cm未満のポリイミド用工程フィルム
と、該工程フィルム表面上に形成されたポリイミド系接
着剤層とからなることを特徴としている。ここで、上記
ポリイミド用工程フィルムの融点が２６０℃以上である
ことが好ましく、特にポリエチレンナフタレート樹脂か
らなることが好ましい。また、上記ポリイミド用工程フ
ィルムの表面は、アルキッド系剥離剤にて剥離処理され
てなることが好ましい。
【０００９】本発明に係るポリイミド用工程フィルム
は、ポリイミド系接着剤を成膜、支持するために用いら
れ、その表面張力が４０dyn/cm未満であることを特徴と
している。ここで、上記ポリイミド用工程フィルムの融
点が２６０℃以上であることが好ましく、特にポリエチ
レンナフタレート樹脂からなることが好ましい。また、
上記ポリイミド用工程フィルムの表面は、アルキッド系
剥離剤にて剥離処理されてなることが好ましい。
は、ポリイミド系接着剤を成膜、支持するために用いら
れ、その表面張力が４０dyn/cm未満であることを特徴と
している。ここで、上記ポリイミド用工程フィルムの融
点が２６０℃以上であることが好ましく、特にポリエチ
レンナフタレート樹脂からなることが好ましい。また、
上記ポリイミド用工程フィルムの表面は、アルキッド系
剥離剤にて剥離処理されてなることが好ましい。
【００１０】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係るポリイミド接
着シートおよびポリイミド用工程フィルムについて、具
体的に説明する。
着シートおよびポリイミド用工程フィルムについて、具
体的に説明する。
【００１１】本発明に係るポリイミド接着シート１は、
図１に示すように、ポリイミド用工程フィルム２と、前
記ポリイミド用工程フィルム２上に形成されたポリイミ
ド系接着剤層３とからなる。なお、本発明のポリイミド
接着シート１の使用前に、ポリイミド系接着剤層３を保
護するために、シート１の上面に離型フィルムを積層し
ておいてもよい。
図１に示すように、ポリイミド用工程フィルム２と、前
記ポリイミド用工程フィルム２上に形成されたポリイミ
ド系接着剤層３とからなる。なお、本発明のポリイミド
接着シート１の使用前に、ポリイミド系接着剤層３を保
護するために、シート１の上面に離型フィルムを積層し
ておいてもよい。
【００１２】本発明に係るポリイミド接着シート１の形
状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりう
る。ポリイミド接着シート１を構成するポリイミド用工
程フィルム２の表面張力は、４０dyn/cm未満、好ましく
は３０〜４０dyn/cmであり、このような表面張力を有す
る表面に後述するポリイミド系接着剤層３が形成されて
なる。表面張力が３０〜４０dyn/cmの範囲では、ポリイ
ミド系接着剤層３のポリイミド用工程フィルム２から転
写性と、ダイシングに用いた際のチップ保持性に特に優
れる。また、ポリイミド用工程フィルム２は耐熱性の樹
脂からなることが好ましく、前記樹脂の融点は好ましく
は２６０℃以上、さらに好ましくは２６０〜３００℃、
特に好ましくは２６０℃〜２８０℃である。
状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりう
る。ポリイミド接着シート１を構成するポリイミド用工
程フィルム２の表面張力は、４０dyn/cm未満、好ましく
は３０〜４０dyn/cmであり、このような表面張力を有す
る表面に後述するポリイミド系接着剤層３が形成されて
なる。表面張力が３０〜４０dyn/cmの範囲では、ポリイ
ミド系接着剤層３のポリイミド用工程フィルム２から転
写性と、ダイシングに用いた際のチップ保持性に特に優
れる。また、ポリイミド用工程フィルム２は耐熱性の樹
脂からなることが好ましく、前記樹脂の融点は好ましく
は２６０℃以上、さらに好ましくは２６０〜３００℃、
特に好ましくは２６０℃〜２８０℃である。
【００１３】このようなポリイミド用工程フィルム２と
しては、具体的には、ポリエチレンナフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィル
ム、ポリアラミドフィルム、ポリエーテルケトンフィル
ム、ポリエーテル・エーテルケトンフィルム、ポリフェ
ニレンサルファイドフィルム、ポリ（4-メチルペンテン
-1）フィルム等が用いられる。また、ポリイミド用工程
フィルム２はこれらフィルムの積層体であってもよい。
さらに、上記フィルムと、他のフィルムとの積層体であ
ってもよい。これらの中でも特に好ましくはポリエチレ
ンナフタレートフィルムが用いられる。
しては、具体的には、ポリエチレンナフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィル
ム、ポリアラミドフィルム、ポリエーテルケトンフィル
ム、ポリエーテル・エーテルケトンフィルム、ポリフェ
ニレンサルファイドフィルム、ポリ（4-メチルペンテン
-1）フィルム等が用いられる。また、ポリイミド用工程
フィルム２はこれらフィルムの積層体であってもよい。
さらに、上記フィルムと、他のフィルムとの積層体であ
ってもよい。これらの中でも特に好ましくはポリエチレ
ンナフタレートフィルムが用いられる。
【００１４】ポリイミド用工程フィルム２の膜厚は、そ
の材質にもよるが、通常は１０〜３００μｍ程度であ
り、好ましくは１６〜１００μｍ程度である。また、前
記の表面張力値を付与するためには、ポリイミド用工程
フィルム２の片面に離型処理を施しておき、この離型処
理面に、ポリイミド系接着剤層３を設けることが好まし
い。
の材質にもよるが、通常は１０〜３００μｍ程度であ
り、好ましくは１６〜１００μｍ程度である。また、前
記の表面張力値を付与するためには、ポリイミド用工程
フィルム２の片面に離型処理を施しておき、この離型処
理面に、ポリイミド系接着剤層３を設けることが好まし
い。
【００１５】このような離型処理に用いられる離型剤と
しては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽
和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等が
用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ
素系の離型剤が耐熱性を有するので好ましい。特にポリ
イミド用工程フィルムの基材への密着性が高く、表面張
力が調製しやすいため、アルキッド樹脂が好ましい。
しては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽
和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等が
用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ
素系の離型剤が耐熱性を有するので好ましい。特にポリ
イミド用工程フィルムの基材への密着性が高く、表面張
力が調製しやすいため、アルキッド樹脂が好ましい。
【００１６】上記の離型剤を用いてポリイミド用工程フ
ィルム２の表面を離型処理するためには、離型剤をその
まま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、
グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフ
コーター、ロールコーター等により塗布して、常温また
は加熱あるいは電子線硬化させたり、ウェットラミネー
ションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーショ
ン、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体
を形成すればよい。
ィルム２の表面を離型処理するためには、離型剤をその
まま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、
グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフ
コーター、ロールコーター等により塗布して、常温また
は加熱あるいは電子線硬化させたり、ウェットラミネー
ションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーショ
ン、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体
を形成すればよい。
【００１７】ポリイミド接着シート１を構成するポリイ
ミド系接着剤層３に用いられるポリイミド系樹脂は、ポ
リイミド樹脂自体と、ポリイミド樹脂の前駆体とを包含
する。ポリイミド樹脂は、側鎖または主鎖にイミド結合
を有する。またポリイミド樹脂前駆体とは、最終的な接
着工程で、上記のポリイミド樹脂を与えるものをいう。
このようなポリイミド系樹脂としては、具体的には、ポ
リイミド樹脂、ポリイソイミド樹脂、マレイミド樹脂、
ビスマレイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエー
テルイミド樹脂、ポリ−イミド・イソインドロキナゾリ
ンジオンイミド樹脂等が挙げられ、これらの樹脂単独も
しくは２つ以上混合させて使用することができる。これ
らの中でも特にポリイミド樹脂が好ましい。
ミド系接着剤層３に用いられるポリイミド系樹脂は、ポ
リイミド樹脂自体と、ポリイミド樹脂の前駆体とを包含
する。ポリイミド樹脂は、側鎖または主鎖にイミド結合
を有する。またポリイミド樹脂前駆体とは、最終的な接
着工程で、上記のポリイミド樹脂を与えるものをいう。
このようなポリイミド系樹脂としては、具体的には、ポ
リイミド樹脂、ポリイソイミド樹脂、マレイミド樹脂、
ビスマレイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエー
テルイミド樹脂、ポリ−イミド・イソインドロキナゾリ
ンジオンイミド樹脂等が挙げられ、これらの樹脂単独も
しくは２つ以上混合させて使用することができる。これ
らの中でも特にポリイミド樹脂が好ましい。
【００１８】ポリイミド系樹脂の分子量は、好ましくは
１０，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは５
０，０００〜１００，０００程度である。上記のような
ポリイミド系樹脂には、反応性官能基を有しない熱可塑
性ポリイミド系樹脂と加熱によりイミド化反応する熱硬
化性のポリイミド樹脂が存在するが、そのいずれであっ
てもよい。熱硬化性ポリイミド樹脂を使用する場合は、
半硬化物（いわゆるＢステージ）の樹脂を用いて仮接着
した後、加熱硬化して接着剤層をポリイミド化し、接着
工程を完了させる。
１０，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは５
０，０００〜１００，０００程度である。上記のような
ポリイミド系樹脂には、反応性官能基を有しない熱可塑
性ポリイミド系樹脂と加熱によりイミド化反応する熱硬
化性のポリイミド樹脂が存在するが、そのいずれであっ
てもよい。熱硬化性ポリイミド樹脂を使用する場合は、
半硬化物（いわゆるＢステージ）の樹脂を用いて仮接着
した後、加熱硬化して接着剤層をポリイミド化し、接着
工程を完了させる。
【００１９】また、ポリイミド系樹脂に、他のポリマー
やオリゴマー、低分子化合物を添加したポリイミド系接
着剤を用いてもよい。たとえば、エポキシ樹脂、アミド
樹脂、ウレタン樹脂、アミド酸樹脂、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂などの各種ポリマーやオリゴマー；トリエ
タノールアミンやα，ω−（ビス３−アミノプロピル）
ポリエチレングリコールエーテルなどの含窒素有機化合
物などが添加剤として挙げることができる。
やオリゴマー、低分子化合物を添加したポリイミド系接
着剤を用いてもよい。たとえば、エポキシ樹脂、アミド
樹脂、ウレタン樹脂、アミド酸樹脂、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂などの各種ポリマーやオリゴマー；トリエ
タノールアミンやα，ω−（ビス３−アミノプロピル）
ポリエチレングリコールエーテルなどの含窒素有機化合
物などが添加剤として挙げることができる。
【００２０】また、ポリイミド系接着剤組成物を調製す
る際に、上記各成分を均一に溶解・分散させることが可
能な溶媒を用いることもできる。このような溶媒として
は、上記材料を均一に溶解・分散できるものであれば特
に限定はなく、たとえばジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスル
ホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ト
ルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テ
トラヒドロフラン、エチルセロソルブ、ジオキサン、シ
クロペンタノン、シクロヘキサノン等を挙げることがで
き、１種類のみを用いてもよいし、２種類以上を混合し
て用いてもよい。
る際に、上記各成分を均一に溶解・分散させることが可
能な溶媒を用いることもできる。このような溶媒として
は、上記材料を均一に溶解・分散できるものであれば特
に限定はなく、たとえばジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスル
ホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ト
ルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テ
トラヒドロフラン、エチルセロソルブ、ジオキサン、シ
クロペンタノン、シクロヘキサノン等を挙げることがで
き、１種類のみを用いてもよいし、２種類以上を混合し
て用いてもよい。
【００２１】ポリイミド系接着剤層３の膜厚は、好まし
くは１〜５０μｍ程度であり、特に好ましくは５〜２０
μｍ程度である。本発明のポリイミド接着シート１に
は、１００〜３００℃、好ましくは１２０〜１５０℃程
度の加熱、および１〜１０kg／cm2 好ましくは１〜４kg
／cm2 程度の加圧条件下でウェハを熱圧着可能であり、
熱圧着により、ウェハに対し好ましくは１００ｇ／２５
ｍｍ以上、特に好ましくは４００ｇ／２５ｍｍ以上の接
着力を有するようになる。
くは１〜５０μｍ程度であり、特に好ましくは５〜２０
μｍ程度である。本発明のポリイミド接着シート１に
は、１００〜３００℃、好ましくは１２０〜１５０℃程
度の加熱、および１〜１０kg／cm2 好ましくは１〜４kg
／cm2 程度の加圧条件下でウェハを熱圧着可能であり、
熱圧着により、ウェハに対し好ましくは１００ｇ／２５
ｍｍ以上、特に好ましくは４００ｇ／２５ｍｍ以上の接
着力を有するようになる。
【００２２】次に本発明に係るポリイミド接着シート１
の主な使用方法について説明する。まず、図２に示すよ
うに、別途用意した粘着シートや両面粘着シートなどの
接着手段４により、ポリイミド接着シート１をリングフ
レーム５に固定し、シリコンウェハ６の一面をポリイミ
ド接着剤層３上に熱圧着し固定する。熱圧着の条件は上
記のとおりである。なお、ウェハ６をポリイミド接着剤
層３上に熱圧着する工程は、ポリイミド接着シート１を
リングフレーム５に固定する前に行ってもよく、固定後
に行ってもよい。次いで、ダイシングソーなどの切断手
段を用いて、上記のシリコンウェハ６を切断しＩＣチッ
プを得る（図３参照）。この際の切断深さは、シリコン
ウェハ６とポリイミド系接着剤層３との厚みおよびダイ
シングソーの磨耗分を加味した深さにする。次いでＩＣ
チップのピックアップを行うと、切断されたポリイミド
系接着剤層をＩＣチップ裏面に固着残存させてポリイミ
ド用工程フィルム２から剥離することができる。この際
のＩＣチップとポリイミド系接着剤層との接着力が、ポ
リイミド系接着剤層とポリイミド用工程フィルムとの接
着力よりも強く、ポリイミド系接着剤層をＩＣチップの
片面に固着残存させてポリイミド用工程から剥離するこ
とができる。
の主な使用方法について説明する。まず、図２に示すよ
うに、別途用意した粘着シートや両面粘着シートなどの
接着手段４により、ポリイミド接着シート１をリングフ
レーム５に固定し、シリコンウェハ６の一面をポリイミ
ド接着剤層３上に熱圧着し固定する。熱圧着の条件は上
記のとおりである。なお、ウェハ６をポリイミド接着剤
層３上に熱圧着する工程は、ポリイミド接着シート１を
リングフレーム５に固定する前に行ってもよく、固定後
に行ってもよい。次いで、ダイシングソーなどの切断手
段を用いて、上記のシリコンウェハ６を切断しＩＣチッ
プを得る（図３参照）。この際の切断深さは、シリコン
ウェハ６とポリイミド系接着剤層３との厚みおよびダイ
シングソーの磨耗分を加味した深さにする。次いでＩＣ
チップのピックアップを行うと、切断されたポリイミド
系接着剤層をＩＣチップ裏面に固着残存させてポリイミ
ド用工程フィルム２から剥離することができる。この際
のＩＣチップとポリイミド系接着剤層との接着力が、ポ
リイミド系接着剤層とポリイミド用工程フィルムとの接
着力よりも強く、ポリイミド系接着剤層をＩＣチップの
片面に固着残存させてポリイミド用工程から剥離するこ
とができる。
【００２３】このようにしてポリイミド系接着剤層が固
着されているＩＣチップをリードフレームに載置する。
リードフレームはＩＣチップを載置する前に加熱するか
載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は１００〜３
００℃、好ましくは１５０〜２５０℃であり、加熱時間
は、通常は１秒〜６０分、好ましくは１秒〜１分であ
る。このような加熱により、ポリイミド系樹脂を溶融ま
たは硬化させ、ＩＣチップとリードフレームとを強固に
接着することができる。
着されているＩＣチップをリードフレームに載置する。
リードフレームはＩＣチップを載置する前に加熱するか
載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は１００〜３
００℃、好ましくは１５０〜２５０℃であり、加熱時間
は、通常は１秒〜６０分、好ましくは１秒〜１分であ
る。このような加熱により、ポリイミド系樹脂を溶融ま
たは硬化させ、ＩＣチップとリードフレームとを強固に
接着することができる。
【００２４】なお、本発明のポリイミド接着シートは、
上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セ
ラミックス、金属などの接着に使用することもできる。
本発明のポリイミド接着シートによれば、ウェハ回路面
を汚染することなく容易にウェハ裏面に接着剤層を形成
することができ、しかも、比較的低温で加熱圧着するこ
とが可能であるため、ウェハが受ける熱的、機械的ダメ
ージを回避することができる等の技術的利点がある。な
お、本発明のポリイミド接着シートは、上記の他にも、
たとえばダイパッドの接着剤膜、封止樹脂とチップ裏面
の密着向上膜、パッシベーション膜、層間絶縁膜、α線
遮蔽膜、液晶配向膜、フォトレジスト膜、プリント基板
保護膜、パターン形成膜、Ｘ線露光マスキング膜等の成
膜に使用することができる。
上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セ
ラミックス、金属などの接着に使用することもできる。
本発明のポリイミド接着シートによれば、ウェハ回路面
を汚染することなく容易にウェハ裏面に接着剤層を形成
することができ、しかも、比較的低温で加熱圧着するこ
とが可能であるため、ウェハが受ける熱的、機械的ダメ
ージを回避することができる等の技術的利点がある。な
お、本発明のポリイミド接着シートは、上記の他にも、
たとえばダイパッドの接着剤膜、封止樹脂とチップ裏面
の密着向上膜、パッシベーション膜、層間絶縁膜、α線
遮蔽膜、液晶配向膜、フォトレジスト膜、プリント基板
保護膜、パターン形成膜、Ｘ線露光マスキング膜等の成
膜に使用することができる。
【００２５】さらに、本発明は、前記ポリイミド接着シ
ートに特に好適に用いられるポリイミド用加工フィルム
を提供することも目的としている。すなわち、本発明に
係るポリイミド用工程フィルムは、ポリイミド系接着剤
を成膜、支持するために用いられ、その表面張力が４０
dyn/cm未満であることを特徴としている。ここで、上記
ポリイミド用工程フィルムの融点が２６０℃以上である
ことが好ましく、特にポリエチレンナフタレート樹脂か
らなることが好ましい。また、上記ポリイミド用工程フ
ィルムの表面は、アルキッド系剥離剤にて剥離処理され
てなることが好ましい。本発明のポリイミド用工程フィ
ルムによれば、工程用フィルムの耐熱性が高いために、
高沸点溶媒を用いているポリイミド系接着剤溶液の塗
布、高温乾燥工程に対応することができ、容易にポリイ
ミド系接着剤を成膜することができる等の技術的利点が
ある。なお、本発明のポリイミド加工フィルムは、上記
の他にも、たとえば高沸点溶媒を使用しているその他の
樹脂の成膜等の用途に使用することができる。
ートに特に好適に用いられるポリイミド用加工フィルム
を提供することも目的としている。すなわち、本発明に
係るポリイミド用工程フィルムは、ポリイミド系接着剤
を成膜、支持するために用いられ、その表面張力が４０
dyn/cm未満であることを特徴としている。ここで、上記
ポリイミド用工程フィルムの融点が２６０℃以上である
ことが好ましく、特にポリエチレンナフタレート樹脂か
らなることが好ましい。また、上記ポリイミド用工程フ
ィルムの表面は、アルキッド系剥離剤にて剥離処理され
てなることが好ましい。本発明のポリイミド用工程フィ
ルムによれば、工程用フィルムの耐熱性が高いために、
高沸点溶媒を用いているポリイミド系接着剤溶液の塗
布、高温乾燥工程に対応することができ、容易にポリイ
ミド系接着剤を成膜することができる等の技術的利点が
ある。なお、本発明のポリイミド加工フィルムは、上記
の他にも、たとえば高沸点溶媒を使用しているその他の
樹脂の成膜等の用途に使用することができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ダイシングの際にはダ
イシングテープとして使用することができ、しかも接着
剤としてウェハ裏面にマウントすることができ、リード
フレーム等との接着力に優れ、ダイボンド後に耐熱性、
耐老化性等に優れたポリイミド接着シートを提供するこ
とができる。さらに本発明によれば、ポリイミド系接着
剤の使用にあたって原料ロスを低減でき、しかも厚みが
均一な接着剤層を形成することができる。またポリイミ
ド接着剤層をウェハに転写するに際して、ウェハが受け
る熱的、機械的ダメージを回避することができる。ま
た、本発明のポリイミド接着シートを用いることによ
り、パッケージクラックを発生しにくい半導体装置を製
造することができる。
イシングテープとして使用することができ、しかも接着
剤としてウェハ裏面にマウントすることができ、リード
フレーム等との接着力に優れ、ダイボンド後に耐熱性、
耐老化性等に優れたポリイミド接着シートを提供するこ
とができる。さらに本発明によれば、ポリイミド系接着
剤の使用にあたって原料ロスを低減でき、しかも厚みが
均一な接着剤層を形成することができる。またポリイミ
ド接着剤層をウェハに転写するに際して、ウェハが受け
る熱的、機械的ダメージを回避することができる。ま
た、本発明のポリイミド接着シートを用いることによ
り、パッケージクラックを発生しにくい半導体装置を製
造することができる。
【００２７】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００２８】なお、以下の実施例および比較例におい
て、「パッケージクラック発生率」、「チップ飛散数」
および「チップ剥離力」は次のようにして評価した。パッケージクラック発生率 ダイシング後、ポリイミド接着シートからチップを取り
出し、リードフレームにマウントし、ボンディング後、
所定のモールド樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）で高
圧封止する。１７５℃、６時間をを要して、その樹脂を
硬化させ、パッケージとして完成させた後、８５℃、８
５％ＲＨの環境下に１６８時間放置する。その後、２１
５℃のＶＰＳ（Vapor Phase Soldering）（所要時間：
１分間）を３回行い、走査型超音波探傷機ＳＡＴ（Scan
ning Acoustic Tomography）で封止樹脂のクラックの有
無を検査する。投入検体数に対するクラック発生数の比
率をパッケージクラック発生率とする。チップ飛散数 各チップサイズにダイシングした後、飛散チップ数（周
縁の不定形部分を含む）をカウントした。チップ剥離力 ポリイミド接着シートに接着したウェハを各チップサイ
ズにダイシングした後、該シート側を厚さ１０mmのガラ
ス板に両面粘着シートで固定した。ダイシングされたチ
ップの表面に鍵形状の垂直懸架用治具を瞬間接着剤で固
定し、インストロン４２０４型万能材料試験機（インス
トロン（株）製）のクロスヘッド部にループ状のナイロ
ンで固定し、これを前記治具の鍵状部に掛けて、クロス
ヘッド速度５００mm／分で垂直剥離したときの最大値を
チップ剥離力とした。
て、「パッケージクラック発生率」、「チップ飛散数」
および「チップ剥離力」は次のようにして評価した。パッケージクラック発生率 ダイシング後、ポリイミド接着シートからチップを取り
出し、リードフレームにマウントし、ボンディング後、
所定のモールド樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）で高
圧封止する。１７５℃、６時間をを要して、その樹脂を
硬化させ、パッケージとして完成させた後、８５℃、８
５％ＲＨの環境下に１６８時間放置する。その後、２１
５℃のＶＰＳ（Vapor Phase Soldering）（所要時間：
１分間）を３回行い、走査型超音波探傷機ＳＡＴ（Scan
ning Acoustic Tomography）で封止樹脂のクラックの有
無を検査する。投入検体数に対するクラック発生数の比
率をパッケージクラック発生率とする。チップ飛散数 各チップサイズにダイシングした後、飛散チップ数（周
縁の不定形部分を含む）をカウントした。チップ剥離力 ポリイミド接着シートに接着したウェハを各チップサイ
ズにダイシングした後、該シート側を厚さ１０mmのガラ
ス板に両面粘着シートで固定した。ダイシングされたチ
ップの表面に鍵形状の垂直懸架用治具を瞬間接着剤で固
定し、インストロン４２０４型万能材料試験機（インス
トロン（株）製）のクロスヘッド部にループ状のナイロ
ンで固定し、これを前記治具の鍵状部に掛けて、クロス
ヘッド速度５００mm／分で垂直剥離したときの最大値を
チップ剥離力とした。
【００２９】
【実施例１】アルキッド系剥離剤により剥離処理したポ
リエチレンナフタレートフィルム（厚さ２５μｍ：融点
２７２℃、表面張力３４dyn/cm ）をポリイミド用工程
フィルムとし、この処理面に熱可塑性ポリイミド接着剤
のシクロヘキサノン溶液を塗布（固形分塗布厚１０μ
ｍ）し、乾燥（１４０℃、３分）してポリイミド接着シ
ートを作成した。
リエチレンナフタレートフィルム（厚さ２５μｍ：融点
２７２℃、表面張力３４dyn/cm ）をポリイミド用工程
フィルムとし、この処理面に熱可塑性ポリイミド接着剤
のシクロヘキサノン溶液を塗布（固形分塗布厚１０μ
ｍ）し、乾燥（１４０℃、３分）してポリイミド接着シ
ートを作成した。
【００３０】次いでポリイミド系接着シートを直径１２
０mmに打抜加工し、４インチウェハを熱圧着（１４０
℃、３０秒）させ、別途用意した粘着シート（軟質ポリ
塩化ビニル（１００μｍ）とアクリル系粘着剤（１０μ
ｍ）の積層体）で、ウェハが圧着されているポリイミド
接着シートをリングフレームに固定した。
０mmに打抜加工し、４インチウェハを熱圧着（１４０
℃、３０秒）させ、別途用意した粘着シート（軟質ポリ
塩化ビニル（１００μｍ）とアクリル系粘着剤（１０μ
ｍ）の積層体）で、ウェハが圧着されているポリイミド
接着シートをリングフレームに固定した。
【００３１】これを公知の方法で、ポリイミド系接着剤
層までフルカットダイシングを行い、１０mm×１０mmの
チップに分割し、ピックアップ、ボンディングおよびＩ
Ｃモールドをおこなった。
層までフルカットダイシングを行い、１０mm×１０mmの
チップに分割し、ピックアップ、ボンディングおよびＩ
Ｃモールドをおこなった。
【００３２】次いで、上記の手法により「パッケージク
ラック発生率」、「チップ飛散数」および「チップ剥離
力」を測定した結果を表１に示す。
ラック発生率」、「チップ飛散数」および「チップ剥離
力」を測定した結果を表１に示す。
【００３３】
【実施例２】アルキッド系剥離剤により剥離処理したポ
リエチレンナフタレートフィルム（厚さ２５μｍ：融点
２７２℃、表面張力３４dyn/cm ）に代えてシリコーン
系剥離剤により剥離処理したポリエチレンナフタレート
フィルム（厚さ２５μｍ：融点２７２℃、表面張力３０
dyn/cm）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。
リエチレンナフタレートフィルム（厚さ２５μｍ：融点
２７２℃、表面張力３４dyn/cm ）に代えてシリコーン
系剥離剤により剥離処理したポリエチレンナフタレート
フィルム（厚さ２５μｍ：融点２７２℃、表面張力３０
dyn/cm）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。
【００３４】ダイシングの際に、周縁の不定形部分のチ
ップの飛散は起こったが、製品となりうる部分のチップ
の飛散は起きず、ＩＣの製造に支障は無かった。結果を
表１に示す。
ップの飛散は起こったが、製品となりうる部分のチップ
の飛散は起きず、ＩＣの製造に支障は無かった。結果を
表１に示す。
【００３５】
【実施例３】アルキッド系剥離剤により剥離処理したポ
リエチレンナフタレートフィルムに代えて、剥離処理を
施さないポリ（4-メチルペンテン-1）フィルム（厚さ２
５μｍ：融点２３５℃、表面張力２４dyn/cm）を用いた
以外は、実施例１と同様の操作を行った。
リエチレンナフタレートフィルムに代えて、剥離処理を
施さないポリ（4-メチルペンテン-1）フィルム（厚さ２
５μｍ：融点２３５℃、表面張力２４dyn/cm）を用いた
以外は、実施例１と同様の操作を行った。
【００３６】ダイシングの際に、周縁の不定形部分のチ
ップの飛散は起こったが、製品となりうる部分のチップ
の飛散は起きず、ＩＣの製造に支障は無かった。結果を
表１に示す。
ップの飛散は起こったが、製品となりうる部分のチップ
の飛散は起きず、ＩＣの製造に支障は無かった。結果を
表１に示す。
【００３７】
【表１】
【図１】 図１は、本発明に係るポリイミド接着シート
の断面図を示す。
の断面図を示す。
【図２】 図２は、ポリイミド接着シートにシリコンウ
ェハを熱圧着し、粘着シートに固定した状態を示す。
ェハを熱圧着し、粘着シートに固定した状態を示す。
【図３】 図３は、シリコンウェハをダイシングしてい
る状態を示す。
る状態を示す。
１…ポリイミド接着シート ２…ポリイミド用工程フィルム ３…ポリイミド系接着剤層 ４…粘着シート ５…リングフレーム ６…シリコンウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 雨 海 正 純 大分県速見郡日出町大字川崎字高尾4260 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 日出工場内 (72)発明者 小 林 真 盛 埼玉県北葛飾郡吉川町吉川団地５街区11− 504 (72)発明者 江 部 和 義 埼玉県南埼玉郡白岡町下野田1375−19
Claims (8)
- 【請求項１】 表面張力が４０dyn/cm未満のポリイミド
用工程フィルムと、該工程フィルム表面上に形成された
ポリイミド系接着剤層とからなることを特徴とするポリ
イミド接着シート。 - 【請求項２】 前記ポリイミド用工程フィルムの融点が
２６０℃以上であることを特徴とする請求項１に記載の
ポリイミド接着シート。 - 【請求項３】 前記ポリイミド用工程フィルムが、ポリ
エチレンナフタレート樹脂からなることを特徴とする請
求項２に記載のポリイミド接着シート。 - 【請求項４】 前記ポリイミド用工程フィルムの表面
が、アルキッド系剥離剤にて剥離処理されてなることを
特徴とする請求項１〜３に記載のポリイミド接着シー
ト。 - 【請求項５】 ポリイミド系接着剤を成膜、支持するた
めのポリイミド工程フィルムであって、表面張力が４０
dyn/cm未満であることを特徴とするポリイミド用工程フ
ィルム。 - 【請求項６】 融点が２６０℃以上であることを特徴と
する請求項５に記載のポリイミド用工程フィルム。 - 【請求項７】 前記ポリイミド用工程フィルムが、ポリ
エチレンナフタレート樹脂からなることを特徴とする請
求項６に記載のポリイミド用工程フィルム。 - 【請求項８】 表面が、アルキッド系剥離剤にて剥離処
理されてなることを特徴とする請求項５〜７に記載のポ
リイミド用工程フィルム。
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