JP2010074144A - ダイシングテープ一体型接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接着シートを、半導体ウエハと同時に切断可能である、ダイシングテープ一体型接着シートを提供する。
【解決手段】接着シートとダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートであって、前記接着シートが、高分子量成分と、エポキシ樹脂及びその硬化剤とを含む樹脂と、比表面積が３０〜４００ｍ^２／ｇである粒子とを含み、前記樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合が２１〜２６質量％、高分子量成分の割合が７０〜８５質量％であり、前記樹脂１００質量部に対して、前記粒子の割合が２〜２０質量部であり、かつＢステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であること、及び前記ダイシングテープの引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比（Ａ／Ｂ）が２〜３０であること、を特徴とするダイシングテープ一体型接着シートである。
【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシングテープと接着シートとが一体形成されたダイシングテープ一体型接着シートそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。

現在、半導体製造の製造方法として、半導体ウエハの裏面に接着シートとダイシングテープとを貼付け、その後、半導体ウエハ、接着シート及びダイシングテープの一部を、ダイシング工程で切断する半導体ウエハ裏面貼付け方式が、一般的に用いられている。この例として、接着シートをダイシングテープ上に付設し、これを半導体ウエハに貼り付ける方法が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。

この半導体ウエハ裏面貼付け方式の製造方法では、半導体ウエハのダイシング時に、接着シートも同時に切断することが必要であるが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、半導体ウエハと接着シートとを同時に切断するために、切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。

１パッケージあたりの記憶容量を増大させる目的で、近年、パッケージ中のチップの積層枚数は増加している。それに従い、チップ又は半導体ウエハの厚さは、バックグラインド工程などで薄くすることが行われており、厚さ１００μｍ以下、より薄くは７０μｍ以下、さらに薄くは厚さ５５μｍ以下、最も薄くは３５μｍ以下の半導体ウエハがつくられている。

半導体ウエハが薄くなると、ダイシング時に半導体ウエハが割れやすくなるため、製造効率が大幅に悪化し、上記の問題はさらに深刻になってきている。このような薄いウエハは反りやすく、割れやすいため、これに使用する接着シートは従来のものより柔らかいことが必要になっている。

一方、半導体ウエハの区分方法として、半導体ウエハを完全に切断せずに、折り目となる溝を加工する方法や、切断予定ライン上の半導体ウエハ内部にレーザー光を照射して改質領域を形成する方法等、半導体ウエハを容易に区分する工程を施し、その後に外力を加えるなどして切断する方法が近年提案されている。

前者の方法は、ハーフカットダイシング、後者の方法は、ステルスダイシング（例えば、特許文献５、６参照）と呼ばれる。これらの方法は、特に、半導体ウエハの厚さが薄い場合にチッピング等の不良を低減する効果があり、カーフ幅を必要としないことから収率向上効果などを期待することができる。

特開２００２−２２６７９６号公報 特開２００２−１５８２７６号公報 特開平０２−０３２１８１号公報 国際公開第０４／１０９７８６号パンフレット 特開２００２−１９２３７０号公報 特開２００３−３３８４６７号公報

ここで、上述のハーフカットダイシング又はステルスダイシングを用いて、上記半導体ウエハ裏面貼付け方式により半導体装置を製造するためには、接着シートを半導体ウエハと同時に切断する必要が生じるが、従来の一般的なダイシングテープを用いた場合には、接着シートを半導体ウエハと同時に切断することは困難である。

特許文献４に記載される接着フィルムでは、この切断が可能なことが示されている。記載される接着フィルムよりも、より柔らかく伸びやすい接着フィルム、即ち、接着フィルムが、高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが、４０％超であり、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が、４０００ＭＰａ未満である接着シートである場合には、確かに切断可能であるが、従来のダイシングテープと接着フィルムの組合せでは、十分に満足できる破断ができなかった。

しかし、ウエハのそりや割れを防止するために、これに使用する接着シートは、特許文献４に記載されるものより、未硬化状態においてより柔らかいシートが求められている。 また、硬化後もやわらかいシートは、多段に積層した半導体パッケージ（スタックドパッケージ）などの用途では、そりが小さく、また応力緩和性が高いため、信頼性に優れるなど極めて重要である。

しかしながら、これまでのフィルムは、低弾性であることと、外部応力による破断性は両立しなかった。以上の点から、低弾性であり、かつ外部応力による破断性に優れるフィルムが求められていた。

本発明は、低弾性でありながら、外部応力による破断性に優れるダイシングテープ一体型接着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
（１）接着シートとダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートであって、
前記接着シートが、高分子量成分と、エポキシ樹脂及びその硬化剤とを含む樹脂と、比表面積が３０〜４００ｍ^２／ｇである粒子とを含み、前記樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合が２１〜２６質量％、高分子量成分の割合が７０〜８５質量％であり、前記樹脂１００質量部に対して、前記粒子の割合が２〜２０質量部であり、かつＢステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であること、及び
前記ダイシングテープの引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比（Ａ／Ｂ）が２〜３０であること、
を特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。

（２）高分子量成分がアクリルゴムである前記（１）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。

（３）ダイシングテープが、粘着剤層及び基材層からなり、前記基材層が、ポリ塩化ビニル基材である前記（１）又は（２）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。

（４）ダイシングテープが、粘着剤層及び基材層からなり、前記基材層が、ポリエチレン基材、ポリプロピレン基材、及び塩素を含まないモノマを共重合したポリマーからなる基材のいずれか１種である前記（１）又は（２）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。

（５）（Ｉ）厚さ５０μｍ以下の接着シートと、エネルギー線照射により粘着力が低下するダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートを、厚さ１００μｍ以下の半導体ウエハに貼り付ける工程と、（ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程とを工程（Ｉ）−工程（ＩＩ）又は工程（ＩＩ）−工程（Ｉ）の順で備え、さらに、（ＩＩＩ）前記半導体ウエハ及び前記接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程と、（ＩＶ）前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程とを備える、半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシングテープ一体型接着シートとして、前記（１）〜（４）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シートを用い、前記半導体ウエハを区分する方法が、ハーフカットダイシング又はステルスダイシングである半導体装置の製造方法。

（６）半導体ウエハを区分する工程が−３０℃〜２０℃で行われる前記（５）に記載の半導体装置の製造方法。

本発明によれば、低弾性でありながら、外部応力による破断性に優れるダイシングテープ一体型接着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
すなわち、本発明のダイシングテープ一体型接着シートにより、通常に行われる接着シート及び半導体ウエハの切断条件において、接着シートを半導体ウエハと同時に切断可能となる。

本発明における（工程Ｉ）の他の好適な実施形態を示す概念図である。 本発明における（工程ＩＩ）の好適な一実施形態を示す概念図である。 本発明における（工程ＩＩＩ）後の半導体ウエハ及び接着シートが切断された状態を示す概念図である。 本発明における（工程ＩＶ）の他の好適な実施形態を示す概念図である。 本発明における（工程Ｉ）、（工程ＩＩ）及び（工程ＩＩＩ）の一実施形態を示す概念図である。 本発明における（工程ＩＩＩ）の好適な一実施形態を示す概念図である。

本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、接着シートとダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートであって、前記接着シートが、高分子量成分と、エポキシ樹脂及びその硬化剤とを含む樹脂と、比表面積が３０〜４００ｍ^２／ｇである粒子とを含み、前記樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合が２１〜２６質量％、高分子量成分の割合が７０〜８５質量％であり、前記樹脂１００質量部に対して、前記粒子の割合が２〜２０質量部であり、かつＢステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であること、及び
前記ダイシングテープの引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比（Ａ／Ｂ）が２〜３０であること、を特徴としている。
以下に、本発明のダイシングテープ一体型接着シートについて説明する。

［ダイシングテープ］
本発明のダイシングテープ一体型接着シートにおけるダイシングテープは、エネルギー照射により粘着力が低下するものであり、引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、上記（工程ＩＩＩ）において、ダイシングテープと接着シートとの接着力が、２０Ｎ／ｍ以上、１００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。
なお、一般的に、荷重−伸び線図、応力−ひずみ線図等で見られるように、物体に働く応力が弾性限度を超えると、荷重又は応力の増大がないのに変形が徐々に進行する現象を「降伏」と呼び、弾性挙動の最大荷重、最大応力値における点を「降伏点」と呼ぶ。

降伏点を有するダイシングテープとは、短冊形状のダイシングテープについて、２５℃で引っ張り試験を行い、ひずみをＸ軸、伸びをＹ軸にそれぞれプロットした場合に、傾きｄＸ／ｄＹが、正の値から０又は負の値に変化する応力値をとるものである。このような降伏点を有するテープでは、ダイシングテープに外力を加えて半導体ウエハ及び接着シートを切断する工程、即ち、上記（工程ＩＩＩ）において、半導体ウエハに応力がかからず、周辺のダイシングテープばかりが伸び変形を起こすため、半導体ウエハが割れない又は割れ残りが生じる等の問題がある。
降伏点がない場合、外力が半導体ウエハ及び接着シートにかかりやすく、破断性が良い。

このようなダイシングテープとしては、粘着材層及び基材層からなり、具体的には、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリ酢酸ビニルポリエチレン共重合体からなるフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニル等のプラスチックフィルム及び、それらを積層したフィルム等を用いた基材層、及び、アクリルゴム、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等を主成分とする粘着剤を用いた粘着剤層が、積層されたテープが挙げられる。

特に、上記基材層の材料としては、降伏点がない上、低温での伸びが優れ、フィルムの伸びの異方性が小さい点で、ポリ塩化ビニル、又はポリエチレン基材、ポリプロピレン基材、及び塩素を含まないモノマを共重合したポリマーからなる基材のいずれか１種、例えば、ポリ酢酸ビニルポリエチレン共重合体が好ましい。フィルムは、押し出し成形時に、縦方向に配向しやすく、上記のフィルムについてもフィルムの伸びが完全に均一でない場合があるが、ウエハラミネート時に張力を調整する等して、調整することが好ましい。

また、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。上記粘着剤層は、特に、液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる、適度なタック強度を有する樹脂組成物を基材層上に塗布乾燥することで形成可能である。

粘着材層は、エネルギー照射により粘着力が低下する材料を用いることが好ましい。そのような材料として、例えば、ＵＶ硬化粘着剤を使用することで、半導体装置の製造工程において、個片化された接着シート付き半導体チップをピックアップする前にＵＶ照射して粘着剤層を硬化させ粘着力を低下させれば、粘着剤層と接着シートとの界面における密着力が低下し、ピックアップが容易になる。

また、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で６０〜１５０μｍ、好ましくは７０〜１３０μｍであることが好ましい。

なお、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂは、２〜３０であり、好ましくは１０〜２５である。さらに好ましくは、１５〜２５である。
接着シート、ダイシングテープの膜厚の組合せとしては、ダイシングテープ：１１０μｍ、接着シート：１０μｍ、この場合のＡ／Ｂは１１、ダイシングテープ：１１０μｍ、接着シート：５μｍ、この場合のＡ／Ｂは２２である。

Ａ／Ｂが２未満である場合は、ダイシングテープに比べて接着シートが厚いため、ダイシングテープ部に比べて接着シートのある部分が伸びにくく、結果として、接着シートが割れにくくなるため好ましくない。特に、ウエハの端部にはみ出した接着シートが、破断しにくくなる。

また、Ａ／Ｂが３０を超える場合は、ダイシングテープに比べて接着シートが薄いため、ダイシングテープ部に張力が掛かった場合に、早い段階でウエハの端部にはみ出した接着シートが割れてしまい、ウエハに十分な張力が掛かる前に、接着シートの割れた部分のみに、張力が不均一に掛かるため、結果として接着シートが、部分的に割れにくくなり好ましくない。

上記ダイシングテープは、粘着剤層面で接着シートと貼り合わされ、ダイシングテープと接着シートとの、９０°はく離試験による接着力は、通常、２０Ｎ／ｍ以上、１００Ｎ／ｍ以下である。
接着力が、２０Ｎ／ｍ以上、１００Ｎ／ｍであることにより、エキスパンド時に、ダイシングテープと接着シートとがはく離せず、結果として接着シートが破断しやすく、さらには、後のチップのピックアップが可能である点で好ましい。

接着力が２０Ｎ／ｍ未満の場合、ダイシングテープを延伸した時に、半導体ウエハが破断し、チップになる際に内部応力が開放されて、チップとダイシングテープの界面がはく離し、反りが生じるため、ピックアップが困難になることがある。接着力が１００Ｎ／ｍを超えるとピックアップが困難で、徐々にチップの割れなどが生じることがある。

［接着シート］
本発明に使用される接着シートとしては、高分子量成分を少なくとも含有し、Ｂステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であり、エポキシ樹脂及びその硬化剤並びにアクリルゴムを含む樹脂と、比表面積が３０〜４００ｍ^２／ｇである粒子とを含み、前記樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合が２１〜２６質量％、アクリルゴムの割合が７０〜８５質量％であり、前記樹脂１００質量部に対して、前記粒子の割合が２〜２０質量部である接着シートである。
このような接着シートとしては、例えば、日立化成工業株式会社製、商品名、ＨＳ−２３０、ＨＳ−２７０等を用いることができる。

本発明に係る接着シートは、Ｂステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であるが、半導体ウエハに貼り付ける前の状態において、破断伸びの大きい接着シートを用いた場合、接着シートを、低温で半導体ウエハに貼り付けすることが可能であり、貼り付け後に、破断伸びを上記数値範囲内にすることで、破断性を向上させることができる。当該破断伸びは１００％超が好ましく、１５０％超がより好ましく、上限は通常５００％である。
接着シートは、半導体ウエハの反りを小さくし、室温（２５℃）での取扱い性を良くするため、４０〜１００℃の間でウエハラミネートすることが好ましい。

接着シートは、Ｂステージ状態の接着シートの、６０℃、１０Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が、０．１〜２０ＭＰａであることが好ましく、０．１〜１０ＭＰａであることがより好ましく、０．１〜５ＭＰａであることが特に好ましい。０．１ＭＰａ未満であると、貼付後にシートが半導体ウエハから剥離したり、ずれたりする傾向がある。
なお、接着シートは、上記各特性に加えて、半導体素子搭載用支持部材に半導体素子を実装する場合に要求される、耐熱性及び耐湿性を有するものであることが好ましい。

また、接着シートは、上記特性を満足するものであれば特に制限はないが、適当なタック強度を有し、シート状での取り扱い性が良好であることから、高分子量成分の他に、熱硬化性成分及びフィラーを含み、さらにこれらの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでもよい。
また、破断強度や破断伸びは、接着シートに含まれる高分子量成分が多く、フィラーが少ないほど高くなる傾向がある。

接着シートは、ガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と言う。）が、−３０℃〜５０℃で、重量平均分子量が、５０，０００〜１，０００，０００であることが好ましい。
Ｔｇが−３０℃〜５０℃であると、適度な柔軟性が得られ、半導体ウエハ破断時に接着シートが破断するため好ましい。
また、重量平均分子量が５０，０００〜１，０００，０００であると、十分な耐熱性及び流動性が得られるため好ましい。

半導体ウエハ切断時における接着シートの破断性や耐熱性の観点から、Ｔｇが−２０℃〜４０℃で、重量平均分子量が１００，０００〜９００，０００の高分子量成分がより好ましく、Ｔｇが−１０℃〜３０℃で、重量平均分子量が５００，０００〜９００，０００の高分子量成分が特に好ましい。

なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして、株式会社日立製作所製、商品名Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製、商品名ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ〔各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ〕をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と言う。）を使用し、試料１２０ｍｇを、ＴＨＦ：５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。

次に、接着シートを構成する成分、すなわち高分子量成分と、エポキシ樹脂及び硬化剤とを含む樹脂、その他の成分についてより詳細に説明する。

（高分子量成分）
接着シートは、粘着性やフィルムの強度を改善するために高分子量成分を含む。
当該高分子量成分として、具体的には、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、ブタジエンゴム、アクリルゴム、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート及びこれらの混合物等が挙げられる。

特に、官能性モノマを含む重量平均分子量が１００，０００以上である高分子量成分、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマを含有し、かつ重量平均分子量が１００，０００以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましい。

エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。

本発明において、高分子量成分の割合は樹脂全体量に対して、７０〜８５質量％としており、７０質量％未満では、応力緩和性が低下する傾向となり、８５質量％を超えると、耐熱性が低下する傾向となる。高分子量成分の割合は、７２〜８５質量％が好ましく、７８〜８５質量％がより好ましい。

（エポキシ樹脂及びその硬化剤）
接着シートは、熱硬化性成分としてエポキシ樹脂及びその硬化剤を含み、このようなエポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限はない。

例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。
また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られている樹脂を適用することができる。

また、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、 アミン系化合物が好ましい。

本発明において、エポキシ樹脂及びその硬化剤の割合は樹脂全体量に対して、１５〜３０質量％としており、１５質量％未満では、耐熱性が低下する傾向となり、３０質量％を超えると、応力緩和性が低下するとなる。エポキシ樹脂及びその硬化剤の割合は、１５〜２８質量％が好ましく、１５〜２２質量％がより好ましい。

［粒子」
さらに、接着シートには、Ｂステージ状態の接着シートの破断強度、破断伸びの低減、接着剤の取扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与等を目的として、比表面積が３０〜４００ｍ^２／ｇの粒子（フィラー）、例えば、無機フィラーを配合することが好ましい。

本発明に係る粒子として、比表面積が３０〜４００ｍ^２／ｇのものを用いるが、比表面積が３０ｍ^２／ｇ未満であると、耐熱性が低下する傾向となり、４００ｍ^２／ｇを超えると、流動性が低下する傾向となる。当該比表面積は、５０〜３００ｍ^２／ｇが好ましく、５０〜２００ｍ^２／ｇがより好ましい。

無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物等が挙げられる。
熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。

また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与のためには、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。
また、耐湿性を向上させるためには、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸化物が好ましい。

本発明において、粒子の割合は前記樹脂１００質量部に対して、２〜２０質量部としており、２質量部未満では、耐熱性が低下する傾向となり、２０質量部を超えると、流動性が低下する傾向となる。粒子の割合は、前記樹脂１００質量部に対して３〜１５質量部が好ましく、４〜１２質量部がより好ましい。
また、上記フィラー量は、接着シートの全重量に対して、５質量％以上、７０質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは、３５質量％以上、６０質量％以下である。
配合量が多くなると、接着シートの貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので、５０質量％以下とするのが特に好ましい。またフィラーの比重は、１〜１０ｇ／ｃｍ^３であることが好ましい。

接着シートは、高分子量成分、エポキシ樹脂及びその硬化剤、粒子及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材を除去して得ることができる。

上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常は６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。

上記接着シートの製造における、上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。

有機溶媒の使用量は、接着シート製造後の残存揮発分が、全質量基準で、０．０１〜３質量％であれば特に制限はないが、耐熱信頼性の観点からは全質量基準で、０．０１〜２．０質量％が好ましく、全質量基準で、０．０１〜１．５質量％がさらに好ましい。

また、切断可能である範囲で、接着シートを複数重ね合わせ、複層の接着シートにしてもよい。
また、接着シートと、例えば、熱可塑フィルム、粘着剤、熱硬化樹脂等を用いたフィルムを組合せ、フィルムの両面に接着シートを重ね合わせる等、複層の接着シートにしてもよい。

なお、切断可能である範囲とは、複層にした接着シートの破断強度及び破断伸びや、弾性率が、上記数値範囲内で切断可能にあることをいう。このようなフィルムとして、例えば、ポリイミド、ポリエステル等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂及びこれらの混合物等を用いたフィルムを挙げることができる。これらのフィルムは、各種フィラーを含んでいてもよい。

接着シートの膜厚は、５０μｍ以下とされ、１〜５０μｍであることが好ましい。１μｍ未満であると、徐々に応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、５０μｍを超えると、徐々に経済的ではなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられず、破断も困難になる傾向がある。

なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で、接着シートの膜厚は、３〜４０μｍが好ましく、パッケージが薄くなり、ダイシングテープの厚さが１００μｍ程度の場合に破断性が向上することから、５〜２０μｍがより好ましい。

また、ウエハの厚さＣに対して、接着シートの厚さＢの比、Ｃ／Ｂは２〜２０であることが好ましい。ウエハに対して接着シートが薄いと、ウエハの破断の衝撃で割れやすくなる点で好ましく、厚いと接着シートが割れずにチップ間に残り、チップのピックアップ性が悪化する

本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、接着シートを上述のダイシングテープの粘着剤層面に積層することで得ることができる。このダイシングテープ一体型接着シートを用いることで、半導体ウエハへのラミネート工程が一回で済み、作業の効率化が可能である。

ダイシングテープ上に接着シートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作製した接着シートを、ダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネート方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネート方法が好ましい。

＜半導体装置の製造方法＞
本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いて半導体装置を製造する方法は、上述した本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いるものであり、（Ｉ）厚さ１００μｍ以下の半導体ウエハに、厚さ５０μｍ以下の接着シートとエネルギー照射により粘着力が低下するダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける工程（工程Ｉ）と、（ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程と（工程ＩＩ）を、（工程Ｉ）−（工程ＩＩ）、又は（工程ＩＩ）−（工程Ｉ）の順で備え、さらに、（ＩＩＩ）半導体ウエハ及び接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程（工程ＩＩＩ）と、（ＩＶ）接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程（工程ＩＶ）と、を備えるものである。

以下、図１〜図５に基づいて本発明の半導体装置の製造方法の、他の好適な実施形態を説明する。
図１には、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける工程（工程Ｉ）を、図２には、半導体ウエハＡを、ダイシングソー２３によりハーフカットして区分する工程（工程ＩＩ）を、図３には、ダイシングテープ一体型接着シート３に外力を加えることで、半導体ウエハ及び接着シートを切断し、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程（工程ＩＩＩ）を経て、半導体ウエハＡ及び接着シート１が切断された状態を、図４には、接着シート付き半導体チップ６を、半導体チップ搭載用支持部材７に接着する工程（工程ＩＶ）をそれぞれ示す。

また、図５には、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける工程、半導体ウエハＡの切断予定ライン上にレーザー光を照射して、半導体ウエハ内部に改質領域（切断予定部）５を形成して、半導体ウエハを区分する工程、ダイシングテープ２又はダイシングテープ一体型接着シート３に外力を加えて半導体ウエハＡ及び接着シート１を切断する工程をまとめて示す。

上記半導体ウエハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素等の化合物半導体等が、使用される。

上記（工程Ｉ）におけるダイシングテープ一体型接着シート３を、半導体ウエハＡに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、０℃〜１７０℃の範囲であることが好ましく、半導体ウエハＡの反りを少なくするためには、２０℃〜１３０℃の範囲であることがより好ましく、２０℃〜８０℃の範囲であることが特に好ましい。

また、（工程ＩＩ）の後に（工程Ｉ）を行う場合、ラミネート工程での応力や変形により半導体ウエハＡが破断することを防止するため、半導体ウエハＡが、変形しないように支持してラミネートを行うことが好ましい。

上記（工程ＩＩ）における、半導体ウエハＡを区分する加工方法としては、ダイシングカッター等により、半導体ウエハＡを完全に切断せずに、折り目となる溝を加工する方法や、切断予定ライン上の半導体ウエハＡ内部に、レーザー光を照射して改質領域を形成する方法等、その後に外力等を加えることで、容易に半導体ウエハＡを切断することができる方法が挙げられる。

なお、半導体ウエハＡのレーザー加工の方法については、特開２００２−１９２３７０号公報及び特開２００３−３３８４６７号公報に記載の方法を使用することができる。装置については、例えば、株式会社東京精密製のＭＡＨＯＨＤＩＣＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥを使用することができる。

なお、これらの方法を用いて半導体ウエハを区分するとは、外力により切断できるように、予め破断のきっかけを作った状態又は、この状態の後、さらに外力を加え半導体ウエハがほぼ切断され、一部のみつながっている状態、さらに外力を加え半導体ウエハが切断されているが互いに接触するか、数μｍ以下の僅かな間隙を挟んで隣り合う状態又は、さらに外力を加え半導体ウエハが切断されて、数μｍ以上１ｍｍ以下の間隙を挟んで隣合う状態までを指す。

また、半導体ウエハ及び接着シートを切断するとは、半導体ウエハが完全に切断されていない場合には、両者を同時に切断すること、既に半導体ウエハが切断されている場合には、最終的に両者がいずれも切断されている状態にすることを示す。

レーザー光を照射して改質領域を形成する方法において、半導体ウエハＡへのレーザー光は、半導体ウエハＡの表面、即ち、回路が形成されている面から照射してもよく、また半導体ウエハＡの裏面、即ち、回路が形成されていない、接着シートを貼り付ける側の面から照射してもよい。

（工程ＩＩ）を（工程Ｉ）の後に行う場合には、接着シート１や、ダイシングテープ２側からも、半導体ウエハＡにレーザー光を照射することが可能になる点で、接着シート１や、ダイシングテープ２として、レーザー光を透過するものを用いることが好ましい。
また、破断、即ち、切断できなかった部分を認識しやすい点で、接着シート１は、ダイシングテープ２と、透明性や色調が異なるものであることが好ましい。

（工程ＩＩ）においては、例えば、下記の条件で、上記のレーザー加工装置を用いて半導体ウエハＡの内部に集光点を合わせて、切断予定ライン４に沿って半導体ウエハＡの表面側からレーザー光を照射し、半導体ウエハＡの内部に改質領域５を形成する。

この改質領域５により切断予定ラインに沿って半導体ウエハＡを切断することができる。改質領域５は、多光子吸収により半導体ウエハ内部が局所的に加熱溶融することにより形成された溶融処理領域であることが好ましい。

（レーザー加工条件）
（Ａ）半導体基板（半導体ウエハ）：シリコンウエハ（厚さ３５０μｍ、外径６インチ）
（Ｂ）レーザー光源：半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー波長：１０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積：３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザー光品質：ＴＥＭ００
偏光特性：直線偏光

（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
ＮＡ：０．５５
レーザー光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）半導体基板が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒

なお、半導体装置の製造方法において、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける方法とダイシング方法の組み合わせは、特に制限はない。作業性や効率性の観点からは、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付け、ステルスダイシングを行う組み合わせであることが最も好ましい。

上記（工程Ｉ）において、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける際には、半導体ウエハＡとダイシングテープ一体型接着シート３とにおける接着シートの１面が、接するように貼り付ける。
貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、２０℃〜１７０℃の範囲であることが好ましく、半導体ウエハＡの反りを少なくするためには、２０℃〜１３０℃の範囲であることがより好ましく、２０℃〜６０℃の範囲であることが特に好ましい。

上記（工程Ｉ）及び（工程ＩＩ）の後、（工程ＩＩＩ）を行うが、当該工程において半導体ウエハＡ及び接着シート１の切断は、ダイシングテープ２又はダイシングテープ一体型接着シート３に外力を加えることで行うことができる。
この外力は、例えば、ハーフカットダイシングの場合には、曲げ方向やねじれ方向に加えることが好ましく、ステルスダイシングの場合には、引っ張り（エキスパンド）方向に加えることが好ましい。

例えば、ステルスダイシングにおいて、ダイシングテープ２の両端を引っ張り、外力を加えることで半導体ウエハＡ及び接着シート１の切断を行う場合には、市販のウエハ拡張装置によって行うことができる。より具体的には、図６に示すように、ステージ１３上に配置されたダイシングテープ２周辺部にリング１１を貼り付け、固定し、ついで突き上げ部１２を上昇させることで、ダイシングテープ２に両端から張力をかける。

このときの突き上げ部が上昇する速度を、エキスパンド速度とし、突き上げ部が上昇した高さ１４を、エキスパンド量とすると、本発明では、エキスパンド速度は、１０〜１０００ｍｍ／秒であることが好ましく、１０〜２００ｍｍ／秒であることがより好ましく、５０〜１５０ｍｍ／秒であることが特に好ましい。
また、エキスパンド量は、５〜３０ｍｍであることが好ましく、１０〜３０ｍｍであることがより好ましく、１５〜２０ｍｍであることが特に好ましい。

エキスパンド速度が１０ｍｍ／秒未満であると、半導体ウエハ及び接着シートの切断が、徐々に困難となる傾向があり、１０００ｍｍ／秒を超えると、ダイシングテープが、徐々に破断しやすくなる傾向がある。またエキスパンド量が５ｍｍ未満であると、半導体ウエハ及び接着シートの切断が、徐々に困難となる傾向があり、３０ｍｍを超えるとダイシングテープが、徐々に破断しやすくなる傾向がある。

このようにダイシングテープ２を引っ張り、外力を加えることで、半導体ウエハＡ内部の改質領域を起点として、半導体ウエハＡの厚さ方向に割れが発生し、この割れが半導体ウエハＡ表面と裏面、さらには、半導体ウエハＡと密着する接着シート１の裏面まで到達し、半導体ウエハＡ及び接着シート１が破断、即ち、切断される。これにより接着シート付き半導体チップを得ることができる。

なお、エキスパンド量が、３０ｍｍを超す場合には、ダイシングテープ２の基材層として、塩化ビニル基材を使用することが好ましいが、引っ張り量が少ない場合は、各種ポリオレフィン基材を使用することが好ましい。
また、半導体及び接着シートを区分する工程、即ち、エキスパンド工程は、室温（２５℃）で行ってもよいが、必要に応じて−５０℃〜１００℃の間で調整してもよい。

本発明においては、２５℃より低い温度でエキスパンド工程を行うことが、より接着シートの破断伸びが少なく、切断しやすいため、接着シートの切断不良による歩留低下を防ぐ点で好ましい。特に、−３０℃〜２０℃でエキスパンドを行うことが好ましい。

−５℃〜１５℃に冷却すると、ダイボンドフィルムが脆くなり破断性が向上する点で好ましく、さらに好ましくは０℃〜１０℃である。一方、−３０℃未満になると、結露が著しい点、ダイシングテープ２の伸びが低下する点、さらに、ダイシングテープ２の粘着剤が硬くなり、エキスパンド時に割れを生じ、のびが不均一になるなどといった不具合が生じる傾向がある。

ダイシングテープ２の粘着剤層に、ＵＶ硬化粘着剤を使用している場合は、エキスパンドの前あるいは後に、ダイシングテープ２に半導体ウエハＡが貼り付けられている面の反対面側から紫外線を照射し、ＵＶ硬化粘着剤を硬化させる。これにより、ＵＶ硬化粘着剤と接着シートとの密着力が低下することになり、後の（工程ＩＶ）におけるピックアップがし易くなる。

続いて、（工程ＩＶ）では、ピックアップ手段として、図４に示すような吸着コレット２１、又は下面からの突き上げのために針扞２２（図４参照）等を用いて、複数の個片化された接着シート付き半導体チップをピックアップし、これを半導体チップ搭載用支持部材の半導体チップ搭載部に載せ、接着シートを加熱硬化する。加熱硬化は、通常、１００〜２２０℃の間で行われる。

本発明において、半導体装置の製造方法は、上記工程に制限するものではなく、任意の工程を含み得る。例えば、（工程Ｉ）を行った後、（工程ＩＩＩ）を行う前のいずれかの段階において、接着シートに紫外線、赤外線若しくはマイクロ波を照射する工程又は接着シートを加熱若しくは冷却する工程を含んでいてもよい。（工程ＩＶ）を行った後には、必要に応じ、ワイヤボンディング工程、封止工程等が含まれるものとする。

以下、実施例より本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに制限するものではない。
［ダイシングテープ一体型接着シート］
（実施例１）
エポキシ樹脂「ＹＤＣＮ−７０３」（東都化成株式会社製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）３６質量部と、エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂「ミレックスＸＬＣ−ＬＬ」（三井化学株式会社製、商品名、フェノール樹脂）３０．１質量部と、シランカップリング剤である「Ａ−１１６０」（日本ユニカー株式会社製、商品名）２．１質量部、及び、「Ａ−１８９」（日本ユニカー株式会社製、商品名）１．１質量部と、シリカフィラー（粒子）である「アエロジルＲ９７２」（日本アエロジル株式会社製、商品名、平均粒径：０．０１６μｍ、比表面積１２０ｍ^２／ｇ）２１．２質量部とからなる組成物に、シクロヘキサノンを加え、攪拌混合してからビーズミルを用いてさらに９０分混練した。

これにグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を、３質量％含むアクリルゴム（高分子量成分）である「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」（ナガセケムテックス株式会社製、商品名、重量平均分子量８０万）２００質量部、及び、硬化促進剤としての「キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ」（四国化成工業株式会社製、商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）０．０７５質量部を加え、攪拌混合して、接着剤組成物のワニスを得た。
なお、樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合は、２４．８質量％であり、アクリルゴムの割合は、７５．２質量％であった。また、樹脂１００質量部に対して、シリカフィラー（粒子）の割合は７．９７質量部であった。

このワニスを、基材上に塗布し、９０℃で１０分間、１２０℃で５分間加熱することにより乾燥して、Ｂステージ状態の接着層（膜厚４０μｍ）が、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成された接着シートを得た。この接着層のフローは、２２０μｍであった。基材は、厚さ５０μｍの離型処理した、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。

作製した接着シートを、ポリ塩化ビニル基材にアクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材厚さ：１００μｍ、粘着剤厚さ：１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、実施例１のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは、引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比、Ａ／Ｂは、１１である。また、破断伸びについて以下の測定方法により測定したところ、２００％であった。
〜破断伸びの測定〜
破断伸びは、幅１０ｍｍ×長さ４０ｍｍの短冊形状の接着シートについて、万能試験機(株式会社オリエンテック製、テンシロンＵＣＴ−５Ｔ型)を用い、温度２５℃、引張速度５ｍｍ／分、チャック間距離２０ｍｍの条件で引張試験を行い、接着シートが破断するときの長さｘｍｍから破断伸びＬ（％）の値を、Ｌ＝(ｘ−２０)／２０×１００で算出した。

（実施例２）
接着シートに日立化成工業株式会社製、商品名「ＨＳ−２７０」（厚さ５μｍ）を用いた。この接着シートを、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム基材に、アクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材厚さ：１２０μｍ、粘着剤厚さ：１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、実施例２のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは、引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比、Ａ／Ｂは、２６である。また、破断伸びについて実施例１と同様にして測定したところ、２２０％であった。

（比較例１）
接着シートに日立化成工業株式会社製、商品名「ＨＳ−２７０」（厚さ５０μｍ）を用いた。この接着シートを、高圧重合法により作成したポリエチレンフィルム基材に、アクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材厚さ：８０μｍ、粘着剤厚さ：１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、比較例１のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは、引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比、Ａ／Ｂは、１．８である。

［ダイシングテープの評価］
実施例１、２及び比較例１のダイシングテープを、それぞれ短冊状に成形し、得られた短冊形状のダイシングテープについて、２５℃で引っ張り試験を行った。ひずみをＸ軸、伸びをＹ軸にプロットした場合に、傾きｄＸ／ｄＹが、正の値から０又は負の値に変化する応力値をとるものを、降伏点有りとして、このような応力値をとらないものを降伏点なしとして、それぞれ評価した。評価結果を表１に示す。

［接着力の評価］
実施例１、２及び比較例１で得られたダイシングテープ一体型接着シートについて、９０°はく離試験を行い、接着力を測定した。測定結果を表１に示す。

［ステルスダイシングによる接着シート付き半導体チップの作製］
実施例１、２及び比較例１で得られたダイシングテープ一体型接着シートを用い、下記（工程１）に示す方法で、接着シート付き半導体チップを製造し、その破断性を評価した。評価結果を表１に示す。

（工程１）
半導体ウエハ（厚さ５０μｍ）の切断予定ライン上にレーザー光を照射し、半導体ウエハ内部に改質領域を形成した。
次に、半導体ウエハと接着シートとが接するように、半導体ウエハ（厚さ：８０μｍ）にホットロールラミネータ（デュポン株式会社製「Ｒｉｓｔｏｎ（商品名）」）を用いて、実施例１、２及び比較例１のダイシングテープ一体型接着シートを、６０℃でラミネートした。ダイシングテープの外周部には、ステンレス製のリングを貼付けた。

続いて、エキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドし、５ｍｍ角のチップを作製した。このエキスパンド条件は、エキスパンド速度が、３０ｍｍ／秒、エキスパンド量が、１５ｍｍであった。その際、半導体ウエハと接着シートが、９０％以上同時に切断されたものを○（破断性良好）として評価し、９０％未満のものを×（不良）として評価した。

１ 接着シート
２ ダイシングテープ
２ａ 粘着剤層
２ｂ 基材層
３ ダイシングテープ一体型接着シート
４ 切断予定ライン
５ 改質領域
６ 接着シート付き半導体チップ
７ 半導体チップ搭載用支持部材
１１ リンク
１２ 突き上げ部
１３ ステージ
１４ 突き上げ部が上昇した高さ（エキスパンド量）
２１ 吸着コレット
２２ 針扞
２３ ダイシングソー
Ａ 半導体ウエハ

Claims (6)

1. 接着シートとダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートであって、
   前記接着シートが、高分子量成分と、エポキシ樹脂及びその硬化剤とを含む樹脂と、比表面積が３０〜４００ｍ^２／ｇである粒子とを含み、前記樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合が２１〜２６質量％、高分子量成分の割合が７０〜８５質量％であり、前記樹脂１００質量部に対して、前記粒子の割合が２〜２０質量部であり、かつＢステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であること、及び
   前記ダイシングテープの引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比（Ａ／Ｂ）が２〜３０であること、
   を特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
2. 高分子量成分がアクリルゴムである請求項１に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
3. ダイシングテープが、粘着剤層及び基材層からなり、前記基材層が、ポリ塩化ビニル基材である請求項１又は２に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
4. ダイシングテープが、粘着剤層及び基材層からなり、前記基材層が、ポリエチレン基材、ポリプロピレン基材、及び塩素を含まないモノマを共重合したポリマーからなる基材のいずれか１種である請求項１又は２に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
5. （Ｉ）厚さ５０μｍ以下の接着シートと、エネルギー線照射により粘着力が低下するダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートを、厚さ１００μｍ以下の半導体ウエハに貼り付ける工程と、（ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程とを工程（Ｉ）−工程（ＩＩ）又は工程（ＩＩ）−工程（Ｉ）の順で備え、さらに、（ＩＩＩ）前記半導体ウエハ及び前記接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程と、（ＩＶ）前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程とを備える、半導体装置の製造方法であって、
   前記ダイシングテープ一体型接着シートとして、請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシングテープ一体型接着シートを用い、前記半導体ウエハを区分する方法が、ハーフカットダイシング又はステルスダイシングである半導体装置の製造方法。
6. 半導体ウエハを区分する工程が−３０℃〜２０℃で行われる請求項５に記載の半導体装置の製造方法。

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