JP2004091265A - 酸化物焼結体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が1kΩcm以下である。あるいは、主としてインジウムからなりタングステン及びスズを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が1kΩcm以下である。タングステンの含有量が、W/In原子比で0.001以上0.17以下であることが望ましい。さらに、主として、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことが望ましい。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池や液晶表面素子などに用いられる低抵抗の酸化物透明導電膜をスパッタリング法やイオンプレーティング法で製造する際に使用されるスパッタリングターゲット用およびイオンプレーティングタブレット用の酸化物焼結体に関し、特に、太陽電池用で、赤外線領域の透過特性が良好、かつ低抵抗の透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット用およびイオンプレーティングタブレット用の酸化物焼結体に関する。
【0002】
【従来の技術】
酸化物透明導電膜は、高い導電性と可視光領域での高い透過率とを有する。このため、酸化物透明導電膜は、太陽電池や液晶表示素子、その他各種受光素子の電極などに利用されているばかりでなく、近赤外線領域の波長での反射吸収特性を生かして、自動車や建築物の窓ガラス等に用いる熱線反射膜や、各種の帯電防止膜、冷凍ショーケースなどの防曇用の透明発熱体としても利用されている。
【0003】
酸化物透明導電膜には、アンチモンやフッ素をドーパントとして含む酸化錫(SnO2)や、アルミニウムやガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛(ZnO)や、錫をドーパントとして含む酸化インジウム(In2O3)などが広範に利用されている。特に、錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜、すなわちIn2O3−Sn系膜は、ITO(Indium tin oxide)膜と称され、特に低抵抗の酸化物透明導電膜が容易に得られることから、これまで良く用いられてきた。
【0004】
これらの酸化物透明導電膜の製造方法としては、スパッタリング法や、蒸着法、イオンプレーティング法、透明導電層形成用塗液を塗布する方法が良く用いられている。その中でもスパッタリング法やイオンプレーティング法は、蒸気圧の低い材料を使用する際や、精密な膜厚制御を必要とする際に有効な手法であり、操作が非常に簡便であるため、工業的に広範に利用されている。
【0005】
スパッタリング法では、一般に、約10Pa以下のガス圧のもとで、基板を陽極とし、成膜する酸化物透明導電膜の原料となるスパッタリングターゲットを陰極として、これらの間にグロー放電を起こすことによりアルゴンプラズマを発生させ、プラズマ中のアルゴン陽イオンを陰極のスパッタリングターゲットに衝突させ、これによって弾きとばされる粒子を基板上に堆積させて薄膜を形成する。
【0006】
スパッタリング法は、アルゴンプラズマの発生方法で分類され、高周波プラズマを用いるものは高周波スパッタリング法といい、直流プラズマを用いるものは直流スパッタリング法という。一般に、直流スパッタリング法は、高周波スパッタリング法と比べて成膜速度が速く、電源設備が安価で、成膜操作が簡単であるなどの理由で、工業的に広範に利用されている。しかし、高周波スパッタリング法では絶縁性スパッタリングターゲットでも成膜することが可能であるのに対し、直流スパッタリング法では導電性スパッタリングターゲットを用いる必要がある。
【0007】
また、スパッタリング法の成膜速度は、スパッタリングターゲットを構成する物質の化学結合と密接な関係がある。すなわち、運動エネルギーをもったアルゴン陽イオンが陰極のスパッタリングターゲットの表面に衝突して、スパッタリングターゲットの一部がエネルギーを受け取って弾き出される現象であるから、スパッタリングターゲットを構成する物質のイオン間結合もしくは原子間結合が弱いほど、スパッタリングターゲットの一部が衝突によって弾き出される確率は増加する。
【0008】
一方、酸化物透明導電膜が使用される太陽電池についてみると、太陽電池はp型とn型の半導体を積層したものであり、半導体の種類によって大別される。最も多く使用されている太陽電池は、安全で資源量の豊富なシリコンを用いたものであり、シリコンを用いた太陽電池の中でも、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンの3種類がある。また、化合物薄膜太陽電池とよばれ、CuInSe2、GaAs、CdTeなどの化合物半導体を用いた太陽電池も開発が行われている。
【0009】
しかし、何れのタイプの太陽電池でも、光が当たる表側の電極には酸化物透明導電膜が不可欠であり、従来は、ITO膜や、アルミニウムやガリウムがドーピングされた酸化亜鉛(ZnO)膜が利用されてきた。これらの酸化物透明導電膜には、低抵抗であることや、太陽光の透過率が高いことなどの特性が求められている。
【0010】
本発明者による特許出願の特願2002−200534号に記載したように、本発明者の研究の中で、主としてインジウムからなり、タングステン、またはタングステンとスズを含む結晶性の酸化物透明導電膜が、太陽電池の透明電極用として有用であることが最近明らかとなってきた。これらの酸化物透明導電膜は、低抵抗で、可視光領域に光透過性能が優れているだけでなく、従来使用されてきた前述のITO膜や酸化亜鉛系膜と比べて、赤外線領域における光透過性能に優れていて、このような酸化物透明導電膜を太陽電池の表側の電極に用いると、赤外光エネルギーも有効に利用することができる。
【0011】
また、本発明者による特許出願の特願2002−157568号に記載したように、主としてインジウムからなり、タングステンを含む非晶質性の酸化物透明導電膜が、有機ELなどの表示デバイス用の透明電極として有用であることが明らかになってきた。特に有機EL用の透明電極の場合、その上に有機化合物の超薄膜を形成するため、透明電極の凹凸が激しいと、有機化合物のリークダメージが生じてしまう。これらの非晶質性の酸化物透明導電膜は、低抵抗であるだけでなく、表面平滑性に優れているため、このような表面平滑性を要求される透明電極に有用である。
【0012】
また、本発明者による特許出願の特願2002−211678号に記載したように、タングステンが含有される非晶質の酸化インジウム膜と金属系導電膜層とからなる薄膜積層体が、表面平滑性に優れ、膜厚100〜150nmでも1〜5Ω/□のシート抵抗を有し、透明性に優れており、高精細もしくは大型のLCDや、有機EL用透明電極として有用であることがわかってきた。この薄膜構成体中のタングステンを含有する酸化インジウム膜は、スパッタリング法で形成した非晶質膜であり、金属系導電膜層の表面に形成することによって、金属系導電膜層を保護する。
【0013】
主としてインジウムからなり、タングステン、またはタングステンとスズを含む酸化物透明導電膜は、工業上広範に利用されている直流スパッタリング法で製造され、生産性の向上や製造コストの低減化を考慮すると、高速に成膜する必要がある。しかし、これらの酸化物透明導電膜を成膜するために使われ、スパッタリング法の成膜速度を高めることが可能な結晶構造を有するスパッタリングターゲットは得られていなかったために、高速で成膜することができなかった。
【0014】
また、これら酸化物透明導電膜をイオンプレーティング法を用いて作製することも検討されている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前記事情に鑑み、低抵抗で可視光領域から赤外線領域での透過率が大きい酸化物透明導電膜を、直流スパッタリング法で高速に成膜することが可能なスパッタリングターゲット用およびイオンプレーティングタブレット用の酸化物焼結体を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の酸化物焼結体の一態様では、主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が1kΩcm以下である。
【0017】
さらに、比抵抗が50Ωcm以下、1Ωcm以下、1×10−2Ωcm以下、1×10−3Ωcm以下であることが望ましく、タングステンの含有量が、W/In原子比で0.001以上0.17以下であることが望ましい。さらに、主として、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことが望ましい。
【0018】
本発明の酸化物焼結体の異なる態様では、主としてインジウムからなりタングステン及びスズを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が1kΩcm以下である。
【0019】
さらに、比抵抗が60Ωcm以下、1Ωcm以下、1×10−2Ωcm以下、1×10−3Ωcm以下であることが望ましく、タングステンの含有量が、W/In原子比で0.001以上0.17以下であり、スズの含有量が、Sn/In原子比で0.001以上0.15以下であることが望ましい。さらに、主として、タングステンとスズが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相および/またはスズ酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことが望ましい。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明者は、主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体(酸化インジウム焼結体)を様々な製造条件にて作製して、スパッタリングターゲットに用い、ガス圧、成膜ガスの種類、ターゲット−基板間距離、成膜直流パワーおよび膜厚を一定にして、基板を加熱せずにスパッタリング成膜を行い、特性を測定した。この実験および試験によると、直流スパッタリング法による成膜速度は、スパッタリングターゲットに使われる酸化物焼結体の比抵抗に依存し、主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体の場合、比抵抗が1kΩcm以下、好ましくは1×10−2Ωcm以下であると、速い成膜速度が実現可能となる。
【0021】
また、酸化物焼結体は、窒素などの非酸化性の雰囲気下で加熱することによって還元処理すると、比抵抗を下げることができる。しかし、主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体の比抵抗は、タングステンの存在形態に依存し、特に、酸化タングステンが酸化物焼結体中に存在する場合には、前記還元処理によって酸化物焼結体の比抵抗を効果的に下げることは難しい。
【0022】
また、本発明者の行った実験および試験によると、主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体の中でも、酸化タングステン結晶相が存在せず、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成される酸化物焼結体を使用した場合に、酸化タングステン結晶相が検出された酸化物焼結体を使用した場合と比較して、同一条件では、比抵抗値は同様でも、成膜速度が速かった。これは、酸化タングステン結晶相のスパッタリングレートが遅いためと考えられる。
【0023】
ビックスバイト(bixbyite)型構造とは、酸化インジウム(In2O3)の結晶構造の1つであり、希土類酸化物C型とも呼ばれる(「透明導電膜の技術」、オーム社、1999年刊、p.82)。なお、In2O3は、ビックスバイト型構造の他にコランダム型構造もとることがある。タングステンやスズなどの陽イオンは、ビックスバイト型構造の酸化インジウムのインジウム位置を置換し、固溶体を形成する。
【0024】
また、タングステン酸インジウム化合物とは、例えばJCPDSカードの33−627に記載されているInW3O9化合物である。なお、化学量論組成から組成ずれが多少生じていても、他のイオンが一部で置換されていても、この結晶構造を維持していれば当該化合物に属する。
【0025】
前述の傾向は、本発明者の行った実験によると、スズを含むタングステン酸インジウム化合物でも同じであった。
【0026】
主としてインジウムからなる酸化物焼結体(酸化インジウム焼結体)におけるタングステンの存在形態は、配合原料中の酸化タングステン粒子の大きさや、焼結体の還元処理によって変わる。すなわち、配合原料中の酸化タングステン粒子が1μm以下の平均粒径であれば、焼結体に酸化インジウムは生じにくく、かつ焼結体の比抵抗が低い。また、焼結体に酸化タングステンが存在していても、配合原料中の酸化タングステン粒子の平均粒径が3〜5μmであれば、還元処理により、焼結体の比抵抗が許容値程度に低下する。
【0027】
なお、前述のように、タングステンを含ませて得られる酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜した酸化物透明導電膜が、太陽電池の透明電極用として有用であることが分かってきたが、その理由は、以下の通りである。
【0028】
タングステンを含ませて得られる酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜した酸化物透明導電膜を作製すると、原子価が3価であるインジウム位置に、原子価4〜6価のタングステンが不純物イオンとして占有し、これによってキャリア電子を放出して、導電率が増加する。一般に、酸化インジウムのようなn型半導体に不純物イオンが増加すると、キャリア電子数は増加するが、不純物イオン散乱によってキャリア電子の移動度が減少する。しかし、タングステンを不純物イオンとして酸化インジウムに添加すると、移動度を大幅に減少させることなく、キャリア電子数を増加させることができる。従って、タングステンを含ませると、キャリア電子の移動度が高い状態で、キャリア電子数を僅かに増加させることができるため、低抵抗で赤外線透過率の高い酸化物透明導電膜が実現できる。本発明で、タングステンを含ませる主な理由はここにある。
【0029】
実用的な低抵抗の酸化物透明導電膜を作製するためには、ターゲット中のタングステンはW/In原子比で0.001以上0.17以下であることが好ましい。0.001よりも少ないと、効果が現れず、0.17を超えると、不純物散乱による移動度の低下が顕著になり、抵抗が上昇する。
【0030】
また、本発明の異なる態様では、スズとタングステンと共に含む。このようなスパッタリングターゲット用酸化物焼結体から酸化物透明導電膜を作製すると、原子価が3価であるインジウム位置に、原子価4価のスズと原子価4〜6価のタングステンが不純物イオンとして占有し、これによってキャリア電子を放出して、導電率が増加する。タングステンを含ませる目的および効果は、前述と同じである。スズを含ませる理由としては、キャリア電子の移動度が高い状態のまま、キャリア電子数の増加をタングステンだけでなくスズの添加で補っても、前述と同じ効果が得られることにある。
【0031】
低抵抗で可視光領域および赤外線領域の透過性能に優れた酸化物透明導電膜を作製するためには、ターゲット中あるいはタブレット中のタングステンはW/In原子比で0.001以上0.17以下の量だけ含有させるのが好ましく、また、スズをSn/In原子比で0.001以上0.15以下の量だけ含有させるのが好ましい。スズ量についても、0.001よりも少ないと、添加効果が現れず、0.15を超えると、不純物散乱による移動度の低下が顕著になり、抵抗が上昇する。
【0032】
従って、本発明の酸化物焼結体から作製したスパッタリングターゲットあるいはイオンプレーティングタブレットを使用すれば、可視光領域だけでなく赤外線領域の光透過性能の良好な低抵抗の酸化物透明導電膜や表面が平滑で低抵抗の透明導電膜を、スパッタリング法あるいはイオンプレーティング法で従来よりも高速に製造することができる。
【0033】
【実施例】
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明する。
【0034】
[主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体]
[実施例1〜4:平均粒径の影響]
平均粒径が1μm以下のIn2O3粉末、および平均粒径が1μm以下のWO3粉末を原料粉末とし、In2O3粉末とWO3粉末を、表1に示した原子比となるようにそれぞれ所定の割合で調合し、樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミルで混合した。この際、硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間とした。混合後、スラリーを取り出し、濾過、乾燥、造粒した。
【0035】
造粒物に、冷間静水圧プレスで294MPa(3ton/cm2)の圧力を掛けて成形した。
【0036】
次に、成形体を次のように焼結した。焼結炉内の大気に、炉内容積0.1m3当たり5リットル/分の割合の酸素を導入する雰囲気で、1100℃で3時間焼結した。この際、1℃/分で昇温し、焼結後の冷却の際は、酸素導入を止め、1000℃までを10℃/分で降温した。
【0037】
得られた酸化物焼結体の破材を粉砕し、粉末X線回折測定を実施したところ、実施例1〜4の酸化物焼結体は、ビックスバイト型構造の結晶相に起因する回折ピークが存在し、実施例2〜4の酸化物焼結体にはさらに、JCPDSカードの33−627記載のInW3O9相に起因する回折ピークとがそれぞれ観察されたが、実施例1〜4の酸化物焼結体全てには、WO3やWO2に起因した回折ピークは観察されなかった。また、EPMAから酸化インジウム相にはタングステンが固溶していることが分かった。
【0038】
得られた酸化物焼結体を、直径152mm、厚み5mmの大きさに加工し、スパッタリング面をカップ砥石で磨いて、酸化物焼結体のスパッタリング面に対し四端針法で比抵抗を測定した。
【0039】
測定結果を表1に示す。酸化物焼結体の比抵抗は0.5〜1kΩcmであった。
【0040】
さらに、加工した酸化物焼結体を、無酸素銅製のバッキングプレートに金属インジウムを用いてボンディングして、スパッタリングターゲットとした。
【0041】
次に、直流マグネトロンスパッタリング装置の非磁性体ターゲット用カソードに、前記スパッタリングターゲットを取り付け、スパッタリングターゲットの対向位置に平行となるようにガラス基板を設置した。ガラス基板上で、スパッタリングターゲットの中心と対向する部分に、サインペンでマークした。そして、ターゲット−基板間距離を60mmとし、純ArガスにO2ガスを1%だけ混合させて導入し、ガス圧を0.5Paとし、直流160Wで直流プラズマを発生させ、ガラス基板をスパッタリングターゲットに対して静止対向のまま、基板を加熱せずに、30分間、直流スパッタリングを実施した。また、膜の比抵抗、光学特性を評価するために基板をサインペンでマークせず、300℃に加熱して、5分間、直流スパッタリングを実施した。
【0042】
成膜後、サインペンのマークと、その上に堆積した薄膜とを、アセトンで取り除き、生じた段差、即ち膜厚を表面粗さ計で測定した。成膜速度は、膜厚/成膜時間から算出して得た。
【0043】
得られた成膜速度を表1に示す。
【0044】
【表1】
【0045】
得られた薄膜の特性を調べるため、それぞれ約300nmの膜厚となるように、それぞれの成膜速度から算出した成膜時間だけ成膜して薄膜を作製し、表面抵抗を四端針法で測定して、比抵抗を算出した。同時に、光学特性を分光光度計で測定した。
【0046】
その結果、薄膜の比抵抗は1×10−3Ωcm以下であり、可視光領域だけでなく赤外線領域においても、光透過率が良好であった。
【0047】
[比較例1〜4:平均粒径の影響]
平均粒径が3〜5μmのWO3粉末を用いたことと、表2に示した原子比となるようにそれぞれ所定の割合で調合したことと、湿式ボールミルでの混合時間を5時間と短くしたこと以外は、実施例1〜4と同じ条件で酸化物焼結体を作製した。さらに、実施例1〜4と同様に酸化物焼結体の比抵抗を測定し、スパッタリングターゲットを作製して直流スパッタリングを行い、薄膜を成膜して、測定した膜厚から成膜速度を算出して得た。
【0048】
測定した酸化物焼結体の比抵抗、得られた成膜速度を、表2に示す。
【0049】
得られた酸化物焼結体には、粉末X線回折測定および走査型電視顕微鏡、EPMAからWO3相が含まれていた。また、酸化物焼結体の比抵抗は、11k〜39kΩcmであった。
【0050】
【表2】
【0051】
得られた薄膜の特性を調べるため、それぞれ約300nmの膜厚となるように、それぞれの成膜速度から算出した成膜時間だけ成膜して薄膜を作製し、表面抵抗を四端針法で測定して、比抵抗を算出した。同時に、光学特性を分光光度計で測定した。
【0052】
その結果、比較例1〜4の薄膜は、それぞれ実施例1〜4で得られた薄膜と比べて、比抵抗値は20〜30%程高いものの、何れも1×10−3Ωcm以下であり、可視光領域および赤外線領域において光透過率が良好であった。
【0053】
しかし、表1と表2の成膜速度を比較すると、ビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で形成された酸化物焼結体から作製したスパッタリングターゲットを用いた実施例1〜4の方が、酸化タングステン結晶相を含む酸化物焼結体から作製したスパッタリングターゲットを用いた比較例1〜4より、成膜速度が著しく速く、生産性を考慮すると有用であることが分かる。
【0054】
[実施例5〜20:還元化処理の影響]
次に、実施例1〜4で作製したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相とタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成されたタングステンを含む酸化インジウムからなる酸化物焼結体を、真空中で加熱し還元化(アニール)処理を施して比抵抗を制御した。アニール温度を1100℃として、アニール時間を1〜10時間の範囲内で振ることによって、種々の比抵抗値の酸化物焼結体が得られた。
【0055】
すなわち、実施例5、9、13、17は、実施例1で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例6、10、14、18は、実施例2で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例7、11、15、19は、実施例3で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例8、12、16、20は、実施例4で得られた酸化物焼結体を使用した。アニール時間は、実施例5〜8で1時間とし、実施例9〜12で3時間とし、実施例13〜16で6時間とし、実施例17〜20で10時間とした。
【0056】
酸化物焼結体を構成している結晶相は、アニール前後で変化していないことを粉末X線回折測定で確認した。
【0057】
還元化(アニール)処理後の酸化物焼結体を、直径152mm、厚み5mmの大きさに加工し、スパッタリング面をカップ砥石で磨いた。酸化物焼結体のスパッタリング面に対し四端針法で比抵抗を測定した。
【0058】
測定した比抵抗を表3に示す。
【0059】
さらに、還元化(アニール)処理後の酸化物焼結体を、実施例1〜4と同様の方法で研磨加工し、無酸素銅製バッキングプレート上にボンディングして、スパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットを用いて、実施例1〜4と同じ条件で直流スパッタリングを行い、測定した膜厚から成膜速度を算出して得た。
【0060】
得られた成膜速度を表3に示す。
【0061】
【表3】
【0062】
表3から、酸化物焼結体の比抵抗が低いほど、成膜速度が増加することがわかる。酸化物焼結体の比抵抗を1×10−2Ωcm以下(実施例13〜20)にすると、より高速(62nm/min以上)の成膜が可能となる。
【0063】
得られた薄膜の特性を調べるため、それぞれ約300nmの膜厚となるように、それぞれの成膜速度から算出した成膜時間だけ成膜して薄膜を作製し、表面抵抗を四端針法で測定して、比抵抗を算出した。同時に、光学特性を分光光度計で測定した。
【0064】
その結果、薄膜の比抵抗は1×10−3Ωcm以下であり、可視光領域および赤外線領域において光透過率が良好であった。
【0065】
[実施例21〜28:還元化処理の影響]
次に、比較例1〜4で作製した酸化物焼結体を、真空中で加熱し還元化(アニール)処理を施して比抵抗を制御した。アニール温度を1100℃として、アニール時間を5〜10時間の範囲内で振ることによって、種々の比抵抗値の酸化物焼結体が得られた。
【0066】
すなわち、実施例21、25は比較例1で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例22、26は比較例2で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例23、27は比較例3で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例24、28は比較例4で得られた酸化物焼結体を使用した。アニール時間は、実施例21〜24で5時間とし、実施例25〜28で10時間とした。
【0067】
酸化物焼結体を構成している結晶相は、アニール前後で変化していないことを粉末X線回折測定で確認した。
【0068】
還元化(アニール)処理後の酸化物焼結体を、直径152mm、厚み5mmの大きさに加工し、スパッタリング面をカップ砥石で磨いた。酸化物焼結体のスパッタリング面に対し四端針法で比抵抗を測定した。
【0069】
測定した比抵抗を表4に示す。
【0070】
さらに、還元化(アニール)処理後の酸化物焼結体を、実施例1〜4と同様の方法で研磨加工し、無酸素銅製バッキングプレート上にボンディングして、スパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットを用いて、実施例1〜4と同じ条件で直流スパッタリングを行い、測定した膜厚から成膜速度を算出して得た。
【0071】
得られた成膜速度を表4に示す。
【0072】
【表4】
【0073】
得られた薄膜の特性を調べるため、それぞれ約300nmの膜厚となるように、それぞれの成膜速度から算出した成膜時間だけ成膜して薄膜を作製し、表面抵抗を四端針法で測定して、比抵抗を算出した。同時に、光学特性を分光光度計で測定した。
【0074】
その結果、薄膜の比抵抗は1×10−3Ωcm以下であり、可視光領域および赤外線領域において光透過率が良好であった。
【0075】
酸化タングステンを含まない実施例5〜8と、酸化タングステンを含む実施例25〜28を比較すると、酸化物焼結体の比抵抗は同レベルであるが、実施例5〜8の方が成膜速度が若干速かった。従って、酸化タングステン結晶相を含まず、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成した酸化物焼結体(実施例5〜8)を用いる方が、成膜速度は増加させることができ、生産性の面でも好ましいことが分かる。
【0076】
また、主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体において、酸化タングステン結晶相を含む酸化物焼結体は、実施例25〜28のように、真空中のアニール処理による低抵抗化は数十Ωcmが限界であった。
【0077】
従って、高速成膜を可能にする低抵抗の酸化物焼結体は、実施例1〜4で作製したように、酸化タングステン結晶相を含まず、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成されたタングステンを含む酸化インジウムからなる酸化物焼結体であればよい。
【0078】
[主としてインジウムからなりタングステン及びスズを含む酸化物焼結体]
[実施例29〜44:粒径の影響]
平均粒径が1μm以下のIn2O3粉末、WO3粉末およびSnO2粉末を原料とし、酸化物焼結体のW/In原子比を0.10と固定して、Sn/In原子比を表5に示した原子比となるように、それぞれ所定の割合で調合したこと以外は、実施例1〜4と同じ条件で酸化物焼結体を作製した。この酸化物焼結体には、酸化タングステン結晶相が含まれていないことと、タングステンおよびスズが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相および/またはスズ酸インジウム化合物結晶相で構成されていることを、粉末X線回折測定および走査型電視顕微鏡、EPMAで確認した。
【0079】
次に、得られた酸化物焼結体を、真空中で加熱し還元化(アニール)処理を施して比抵抗を制御した。アニール温度を1100℃として、アニール時間を1〜10時間の範囲内で振ることによって、種々の比抵抗値の酸化物焼結体が得られた。
【0080】
すなわち、実施例29、33、37、41は、同一原子比の酸化物焼結体を使用し、実施例30、34、38、42は、同一原子比の酸化物焼結体を使用し、実施例31、35、39、43は、同一原子比の酸化物焼結体を使用し、実施例32、36、40、44は、同一原子比の酸化物焼結体を使用した。アニール時間は、実施例29〜32で1時間とし、実施例33〜36で3時間とし、実施例37〜40で6時間とし、実施例41〜44で10時間とした。
【0081】
酸化物焼結体を構成している結晶相は、アニール前後で変化していないことを粉末X線回折測定で確認した。
【0082】
還元化(アニール)処理後の酸化物焼結体を、直径152mm、厚み5mmの大きさに加工し、スパッタリング面をカップ砥石で磨いた。酸化物焼結体のスパッタリング面に対し四端針法で比抵抗を測定した。
【0083】
測定した比抵抗を表5に示す。
【0084】
さらに、還元化(アニール)処理後の酸化物焼結体を、実施例1〜4と同様の方法で研磨加工し、無酸素銅製バッキングプレート上にボンディングして、スパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットを用いて、実施例1〜4と同じ条件で直流スパッタリングを行い、測定した膜厚から成膜速度を算出して得た。
【0085】
得られた成膜速度を表5に示す。
【0086】
【表5】
【0087】
得られた薄膜の特性を調べるため、それぞれ約300nmの膜厚となるように、それぞれの成膜速度から算出した成膜時間だけ成膜して薄膜を作製し、表面抵抗を四端針法で測定して、比抵抗を算出した。同時に、光学特性を分光光度計で測定した。
【0088】
その結果、薄膜の比抵抗は1×10−3Ωcm以下であり、可視光領域および赤外線領域において光透過率が良好であった。
【0089】
[比較例5〜8:粒径の影響]
平均粒径が1μm以下のIn2O3粉末およびSnO2粉末と、平均粒径が3〜5μmのWO3粉末を用いて、酸化物焼結体のW/In原子比を0.10と固定して、Sn/In原子比を表6に示した原子比となるように、それぞれ所定の割合で調合したこと、湿式ボールミルでの混合時間を5時間と短くしたこと以外は、実施例1〜4と同じ条件で酸化物焼結体を得た。得られた酸化物焼結体には、X線回折測定、走査型電視顕微鏡、EPMAからWO3相が含まれていることがわかった。
【0090】
得られた酸化物焼結体を、直径152mm、厚み5mmの大きさに加工し、スパッタリング面をカップ砥石で磨いた。酸化物焼結体のスパッタリング面に対し四端針法で比抵抗を測定した。
【0091】
測定結果を表6に示す。酸化物焼結体の比抵抗は15k〜58kΩcmであった。
【0092】
得られた酸化物焼結体を、実施例1〜4と同様の方法で研磨加工し、無酸素銅製バッキングプレート上にボンディングして、スパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットを用いて、実施例1〜4と同じ条件で直流スパッタリングを行い、測定した膜厚から成膜速度を算出して得た。
【0093】
得られた成膜速度を表6に示す。
【0094】
【表6】
【0095】
比較例5〜8の酸化物焼結体をスパッタリングターゲットに使用した成膜速度は、32〜35nm/minであり、実施例29〜44と比べて極めて遅く、生産性を考慮すると実用的でない。
【0096】
[実施例45〜52:還元化処理の影響]
次に、比較例5〜8で作製した酸化物焼結体を、真空中で加熱し還元化(アニール)処理を施して比抵抗を制御した。アニール温度を1100℃として、アニール時間を5〜10時間の範囲内で振ることによって、種々の比抵抗値の酸化物焼結体が得られた。
【0097】
すなわち、実施例45、49は、比較例5で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例46、50は、比較例6で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例47、51は、比較例7で得られた酸化物焼結体を使用し、実施例48、52は、比較例8で得られた酸化物焼結体を使用した。アニール時間は、実施例45〜48で5時間とし、実施例49〜52で10時間とした。
【0098】
酸化物焼結体を構成している結晶相は、アニール前後で変化していないことを粉末X線回折測定で確認した。
【0099】
還元化(アニール)処理後の酸化物焼結体を、直径152mm、厚み5mmの大きさに加工し、スパッタリング面をカップ砥石で磨いた。酸化物焼結体のスパッタリング面に対し四端針法で比抵抗を測定した。
【0100】
測定した比抵抗を表7に示す。
【0101】
さらに、還元化(アニール)処理後の酸化物焼結体を、実施例1〜4と同様の方法で研磨加工し、無酸素銅製バッキングプレート上にボンディングして、スパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットを用いて、実施例1〜4と同じ条件で直流スパッタリングを行い、測定した膜厚から成膜速度を算出して得た。
【0102】
得られた成膜速度を表7に示す。
【0103】
【表7】
【0104】
得られた薄膜の特性を調べるため、それぞれ約300nmの膜厚となるように、それぞれの成膜速度から算出した成膜時間だけ成膜して薄膜を作製し、表面抵抗を四端針法で測定して、比抵抗を算出した。同時に、光学特性を分光光度計で測定した。
【0105】
その結果、薄膜の比抵抗は1×10−3Ωcm以下であり、可視光領域および赤外線領域において光透過率が良好であった。
【0106】
実施例45〜52の酸化物焼結体は、酸化タングステン結晶相を含むが、真空中でアニール処理することにより、比抵抗が1kΩcm以下である。これらは、比較例5〜8の酸化物焼結体と比べて成膜速度が速いので、このような酸化物焼結体であれば生産にて使用することは可能である。
【0107】
実施例29〜32と実施例49〜52を比較すると、酸化物焼結体の比抵抗はほぼ同じレベルであり、成膜速度は実施例49〜52の方が若干速いのみである。従って、酸化タングステン結晶相を含まず、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成されている酸化物焼結体(実施例29〜32)の方がよいことが分かる。
【0108】
さらに、酸化物焼結体のW/In原子比を0.001、0.01、0.03、0.07、0.15にして、Sn/In原子比を表6および表7と同様に変化させても、全く同じ傾向を示した。
【0109】
なお、本明細書における成膜実験では、直流投入電力を160Wとしたスパッタリング成膜で成膜速度の比較をしたが、直流投入電力を300W、500Wと増加させたスパッタリング成膜でも傾向は同じであった。また、高周波スパッタリング法による成膜でも、傾向は全く同じであった。
【0110】
さらには、イオンプレーティング法による成膜でも、前記実施例と同等の特性の酸化物透明導電膜が得られることを確認した。
【0111】
【発明の効果】
本発明の酸化物焼結体を、スパッタリングターゲットに用いたり、イオンプレーティングタブレットに用いると、酸化物焼結体がタングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことから、従来に比べて高速成膜が可能で、かつ低抵抗の酸化物透明導電膜を作製可能なスパッタリングターゲットやイオンプレーティングタブレットを提供できる。これにより、可視光領域だけでなく赤外線領域においても透過特性に優れた低抵抗の酸化物透明導電膜や表面平滑で低抵抗な酸化物透明導電膜が、工業的に有用なスパッタリング法や、イオンプレーティング法で高速に製造できるので、高効率の太陽電池や性能に優れた有機ELやLCDを低コストで作製することができて、本発明は工業的価値が極めて顕著である。
Claims (14)
- 主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が1kΩcm以下であることを特徴とする酸化物焼結体。
- 比抵抗が50Ωcm以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物焼結体。
- 比抵抗が1Ωcm以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物焼結体。
- 比抵抗が1×10−2Ωcm以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物焼結体。
- 比抵抗が1×10−3Ωcm以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物焼結体。
- タングステンの含有量が、W/In原子比で0.001以上0.17以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の酸化物焼結体。
- 主として、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の酸化物焼結体。
- 主としてインジウムからなりタングステン及びスズを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が1kΩcm以下であることを特徴とする酸化物焼結体。
- 比抵抗が60Ωcm以下であることを特徴とする請求項8に記載の酸化物焼結体。
- 比抵抗が1Ωcm以下であることを特徴とする請求項8に記載の酸化物焼結体。
- 比抵抗が1×10−2Ωcm以下であることを特徴とする請求項8に記載の酸化物焼結体。
- 比抵抗が1×10−3Ωcm以下であることを特徴とする請求項8に記載の酸化物焼結体。
- タングステンの含有量が、W/In原子比で0.001以上0.17以下であり、スズの含有量が、Sn/In原子比で0.001以上0.15以下であることを特徴とする請求項8から12のいずれかに記載の酸化物焼結体。
- 主として、タングステンとスズが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および/またはタングステン酸インジウム化合物結晶相および/またはスズ酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことを特徴とする請求項8から13のいずれかに記載の酸化物焼結体。
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