JP2015193525A - 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス - Google Patents
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- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
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- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
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-
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Abstract
Description
本発明のさらに別の態様に係る半導体デバイスは、上記態様のスパッタターゲットを用いてスパッタ法により形成した酸化物半導体膜を含む。
[1]本発明のある実施形態である酸化物焼結体は、インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下である。本実施形態の酸化物焼結体は、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であるため、特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するためのスパッタターゲットとして好適に用いられる。
[実施形態1:酸化物焼結体]
本実施形態の酸化物焼結体は、インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下である。本実施形態の酸化物焼結体は、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であるため、特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するためのスパッタターゲットとして好適に用いられる。
本実施形態の酸化物焼結体の製造方法は、実施形態1の酸化物焼結体の製造方法であって、亜鉛酸化物粉末とタングステン酸化物粉末との1次混合物を調製する工程と、1次混合物を熱処理することにより仮焼粉末を形成する工程と、仮焼粉末を含む原料粉末の2次混合物を調製する工程と、2次混合物を成形することにより成形体を形成する工程と、成形体を焼結することにより酸化物焼結体を形成する工程とを含む。仮焼粉末を形成する工程は、酸素含有雰囲気下、550℃以上1200℃未満の温度で1次混合物を熱処理することにより、仮焼粉末として亜鉛とタングステンとを含む複酸化物の粉末を形成することを含む。
酸化物焼結体の原料粉末として、インジウム酸化物粉末(たとえばIn2O3粉末)、タングステン酸化物粉末(たとえばWO3粉末、WO2.72粉末、WO2粉末)、亜鉛酸化物粉末(たとえばZnO粉末)など、酸化物焼結体を構成する金属元素またはSiの酸化物粉末を準備する。なお、タングステン酸化物粉末としてはWO3粉末だけでなく、WO2.72粉末、WO2粉末などのようなWO3粉末に比べて酸素が欠損した化学組成を有する粉末を原料として用いることが、酸化物焼結体中のタングステンの原子価を6価および4価の少なくとも1つにする観点から、好ましい。かかる観点から、WO2.72粉末およびWO2粉末の少なくとも1つをタングステン酸化物粉末の少なくとも一部として用いることがより好ましい。原料粉末の純度は、酸化物焼結体への意図しない金属元素およびSiの混入を防止し安定した物性を得る観点から、99.9質量%以上の高純度であることが好ましい。
上記原料粉末の内、タングステン酸化物粉末(WO3粉末、WO2.72粉末および/またはWO2粉末)と、亜鉛酸化物粉末(ZnO粉末)と、を粉砕混合する。このとき、酸化物焼結体の結晶相として、ZnWO4型相を得たい場合は原料粉末としてタングステン酸化物粉末と亜鉛酸化物粉末とをモル比で1:1の割合で、Zn2W3O8型相を得たい場合は原料粉末としてタングステン酸化物粉末と亜鉛酸化物粉末とをモル比で3:2の割合で混合する。ZnWO4型相を用いる方が酸化物焼結体の見かけ密度を高める観点から好ましい。原料粉末を粉砕混合する方法には、特に制限はなく、乾式および湿式のいずれの方式であってもよく、具体的には、ボールミル、遊星ボールミル、ビーズミルなどを用いて粉砕混合される。このようにして、原料粉末の1次混合物が得られる。ここで、湿式の粉砕混合方式を用いて得られた混合物の乾燥には、自然乾燥やスプレードライヤなどの乾燥方怯が好ましく用いられ得る。
次に、得られた1次混合物を熱処理(仮焼)する。1次混合物の仮焼温度は、仮焼物の粒径が大きくなりすぎて焼結体の見かけ密度が低下することがないように1200℃未満であることが好ましく、仮焼生成物としてZnWO4型結晶相、Zn2W3O8型結晶相を得るためには550℃以上であることが好ましい。より好ましくは550℃以上1000℃未満であり、さらに好ましくは550℃以上800℃以下である。このようにして、ZnWO4型結晶相またはZn2W3O8型結晶相を含む仮焼粉末が得られる。仮焼雰囲気は、酸素を含む雰囲気であればよいが、大気圧もしくは大気よりも加圧された大気雰囲気もしくは酸素を25体積%以上含む酸素−窒素混合雰囲気が好ましい。また、生産性が高い観点から大気圧−大気雰囲気がより好ましい。
次に、得られた仮焼粉末と、上記原料粉末の内のIn2O3粉末とを、上記と同様の粉砕混合する方法により、粉砕混合する。このようにして、原料粉末の2次混合物が得られる。
次に、得られた2次混合物を成形する。2次混合物を成形する方法は、特に制限はないが、焼結体の見かけ密度を高くする点から、一軸プレス法、CIP(冷間静水圧処理)法、キャスティング法などが好ましい。このようにして、成形体が得られる。
次に、得られた成形体を焼結する。ホットプレス焼結法は用いないことが好ましい。成形体の焼結温度は、特に制限はないが、形成する酸化物焼結体の見かけ密度を6.5g/cm3より大きくする点から、900℃以上1200℃以下が好ましい。また、焼結雰囲気は、特に制限はないが、酸化物焼結体の構成結晶の粒径が大きくなることを防いでクラックの発生を防止する観点から、大気圧−大気雰囲気が好ましい。このようにして、本実施形態の酸化物焼結体が得られる。
本実施形態のスパッタターゲットは、実施形態1の酸化物焼結体を含む。本実施形態のスパッタターゲットは、実施形態1の酸化物焼結体を含むため、特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するために好適に用いることができる。
図1を参照して、本実施形態の半導体デバイス10は、実施形態1の酸化物焼結体をスパッタターゲットとして用いるスパッタ法により形成した酸化物半導体膜14を含む。本実施形態の半導体デバイスは、実施形態1の酸化物焼結体をスパッタターゲットとして用いるスパッタ法により形成した酸化物半導体膜を含むため、高い特性を有する。
図2を参照して、本実施形態の半導体デバイス10の製造方法は、特に制限はないが、効率よく高特性の半導体デバイス10を製造する観点から、基板11上にゲート電極12を形成する工程(図2(A))、ゲート電極12上に絶縁層としてゲート絶縁膜13を形成する工程(図2(B))と、ゲート絶縁膜13上にチャネル層として酸化物半導体膜14を形成する工程(図2(C))と、酸化物半導体膜14上にソース電極15およびドレイン電極16を互いに接触しないように形成する工程(図2(D))と、を含むことが好ましい。
図2(A)を参照して、基板11上にゲート電極12を形成する。基板11は、特に制限はないが、透明性、価格安定性、および表面平滑性を高くする点から、石英ガラス基板、無アルカリガラス基板、アルカリガラス基板などが好ましい。ゲート電極12は、特に制限はないが、耐酸化性が高くかつ電気抵抗が低い点から、Mo電極、Ti電極、W電極、Al電極、Cu電極などが好ましい。ゲート電極12の形成方法は、特に制限はないが、基板の主面上に大面積で均一に形成できる点から、真空蒸着法、スパッタ法などが好ましい。
図2(B)を参照して、ゲート電極12上に絶縁層としてゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13は、特に制限はないが、絶縁性が高い点から、SiOx膜、SiNy膜などが好ましい。ゲート絶縁膜13の形成方法は、特に制限はないが、ゲート電極が形成された基板11の主面上に大面積で均一に形成できる点および絶縁性を確保する点から、プラズマCVD(化学気相堆積)法などが好ましい。
図2(C)を参照して、ゲート絶縁膜13上にチャネル層として酸化物半導体膜14を形成する。酸化物半導体膜14は、特性の高い半導体デバイス10を製造する観点から、実施形態1の酸化物焼結体をスパッタターゲットとして用いてスパッタ法により形成する。ここで、スパッタ法とは、成膜室内に、ターゲットと基板とを対向させて配置し、ターゲットに電圧を印加して、希ガスイオンでターゲットの表面をスパッタリングすることにより、ターゲットからターゲットを構成する原子を放出させて基板(上記のゲート電極およびゲート絶縁膜が形成された基板も含む。)上に堆積させることによりターゲットを構成する原子で構成される膜を形成する方法をいう。
図2(D)を参照して、酸化物半導体膜14上にソース電極15およびドレイン電極16を互いに接触しないように形成する。ソース電極15およびドレイン電極16は、特に制限はないが、耐酸化性が高く、電気抵抗が低く、かつ酸化物半導体膜14との接触電気抵抗が低いことから、Mo電極、Ti電極、W電極、Al電極、Cu電極などが好ましい。ソース電極15およびドレイン電極16を形成する方法は、特に制限はないが、酸化物半導体膜14が形成された基板11の主面上に大面積で均一に形成できる点から、真空蒸着法、スパッタ法などが好ましい。ソース電極15およびドレイン電極16を互いに接触しないように形成する方法は、特に制限はないが、酸化物半導体膜14が形成された基板11の主面上に大面積で均一なソース電極15とドレイン電極16のパターンを形成できる点から、フォトレジストを使ったエッチング法による形成が好ましい。
1.粉末原料の準備
表1に示す種類とメジアン粒径d50を有し純度が99.99質量%のタングステン酸化物粉末(表1において「W」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のZnO粉末(表1において「Z」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のIn2O3粉末(表1において「I」と表記した。)と、を準備した。
まず、ボールミルに、準備した原料粉末の内、タングステン酸化物粉末とZnO粉末とを入れて、18時間粉砕混合することにより原料粉末の1次混合物を調製した。タングステン酸化物粉末とZnO粉末とのモル混合比はタングステン酸化物粉末:ZnO粉末=1:1とした。上記の粉砕混合の際の分散媒としてエタノールを用いた。得られた原料粉末の1次混合物は大気中で乾燥させた。
次に、得られた原料粉末の1次混合物をアルミナ製坩堝に入れて、大気雰囲気中、650℃の温度で8時間仮焼した。仮焼温度は結晶相が形成される温度であれば仮焼粉の粒径をなるべく小さくできる点から低い方が好ましい。このようにして、結晶相としてZnWO4型相を含む仮焼粉末が得られた。
次に、得られた仮焼粉末を、準備した原料粉末であるIn2O3粉末とともにポットへ投入し、さらに粉砕混合ボールミルに入れて、12時間粉砕混合することにより原料粉末の2次混合物を調製した。In2O3粉末の混合量は、タングステン酸化物粉末とZnO粉末とIn2O3粉末とのモル混合比率が表1に示されるとおりとなるようにした。上記の粉砕混合の際の分散媒としてエタノールを用いた。得られた混合粉末はスプレードライで乾燥させた。
次に、得られた2次混合物をプレスにより成形し、さらにCIPにより室温(5℃〜30℃)の静水中で190MPaの圧力で加圧成形して、直径100mmで厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。
次に、得られた成形体を大気圧−大気雰囲気中にて表1の実施例1〜実施例8に示す焼成温度で8時間焼成して、タングステンおよび亜鉛が固溶したビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を得た。
得られた酸化物焼結体の結晶相の同定は、酸化物焼結体の一部からサンプルを採取して、粉末X線回折法よる結晶解析により行った。X線にはCuのKα線を用いた。酸化物焼結体に存在する結晶相を表1にまとめた。
得られた酸化物焼結体、スパッタターゲットに含まれるタングステンの原子価を測定する方法として、X線光電子分光法(XPS)を用いた。タングステンが6価となるWO3のタングステン4d5/2の結合エネルギーのピークは247eV以上249eV以下の範囲に現れ、タングステン金属およびタングステンが4価となるWO2のタングステン4d5/2の結合エネルギーのピークは243eVから244eVの範囲に現れる。XPSから同定されたタングステンの原子価(表2において「W原子価」と表記した。)および結合エネルギーのピーク位置(表2において「W結合エネルギー」と表記した。)を表2にまとめた。
得られた酸化物焼結体を、直径3インチ(76.2mm)で厚さ5.0mmのターゲットに加工した。
(1)ゲート電極の形成
図2(A)を参照して、まず、基板11として50mm×50mm×厚さ0.6mmの合成石英ガラス基板を準備し、その基板11上にスパッタ法によりゲート電極12として厚さ100nmのMo電極を形成した。
図2(B)を参照して、次に、ゲート電極12上にプラズマCVD法によりゲート絶縁膜13として厚さ200nmの非晶質のSiOx膜を形成した。
図2(C)を参照して、次に、ゲート絶縁膜13上に、実施例1〜実施例8のそれぞれの酸化物焼結体から加工されたターゲットを用いたDC(直流)マグネトロンスパッタ法により、厚さ35nmの酸化物半導体膜14を形成した。ここで、ターゲットの直径3インチ(76.2mm)の平面がスパッタ面であった。
図2(D)を参照して、次に、酸化物半導体膜14上にソース電極15およびドレイン電極16を互いに分離して形成した。
半導体デバイス10であるTFTの特性を以下のようにして評価した。まず、ゲート電極12、ソース電極15およびドレイン電極16に測定針を接触させた。ソース電極15とドレイン電極16との間に7Vのソース−ドレイン間電圧Vdsを印加し、ソース電極15とゲート電極12との間に印加するソース−ゲート間電圧Vgsを−10Vから15Vに変化させて、そのときのソース−ドレイン間電流Idsを測定した。ソース−ゲート間電圧Vgsが−5Vのときのソース−ドレイン間電流IdsをOFF電流と定義した。各実施例におけるOFF電流の値を表2にまとめた。表2における「OFF電流」の欄において、たとえば「E−12」とは、「10-12」を意味する。ソース−ゲート間電圧Vgsが15Vのときのソース−ドレイン間電流IdsをON電流と定義して、OFF電流の値に対するON電流の値の比(ON電流/OFF電流比)を求め、これを表2にまとめた。表2における「ON電流/OFF電流比」の欄において、9桁とは1×109以上1×1010未満を意味し、8桁とは1×108以上1×109未満を意味し、7桁とは1×107以上1×108未満を意味し、6桁とは1×106以上1×107未満を意味し、4桁とは1×104以上1×105未満を意味する。
1.粉末原料の準備
表1に示す種類とメジアン粒径d50を有し純度が99.99質量%のタングステン酸化物粉末(表1において「W」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のZnO粉末(表1において「Z」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のIn2O3粉末(表1において「I」と表記した。)と、を準備した。
まず、ボールミルに、準備した原料粉末の内、タングステン酸化物粉末とZnO粉末とを入れて、18時間粉砕混合することにより原料粉末の1次混合物を調製した。タングステン酸化物粉末とZnO粉末とのモル混合比はタングステン酸化物粉末:ZnO粉末=3:2とした。上記の粉砕混合の際の分散媒としてエタノールを用いた。得られた原料粉末の1次混合物は大気中で乾燥させた。
次に、得られた原料粉末の1次混合物をアルミナ製坩堝に入れて、大気雰囲気中、950℃の温度で5時間仮焼した。このようにして、結晶相としてZn2W3O8型相を含む仮焼粉末が得られた。
次に、得られた仮焼粉末を、準備した原料粉末であるIn2O3粉末とともにポットへ投入し、さらに粉砕混合ボールミルに入れて、12時間粉砕混合することにより原料粉末の2次混合物を調製した。In2O3粉末の混合量は、タングステン酸化物粉末とZnO粉末とIn2O3粉末とのモル混合比率が表1に示されるとおりとなるようにした。上記の粉砕混合の際の分散媒としてエタノールを用いた。得られた混合粉末はスプレードライで乾燥させた。
次に、得られた2次混合物を用い、実施例1〜実施例8の場合と同様にして、直径100mmで厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。
次に、得られた成形体を大気雰囲気中にて表1の実施例9〜実施例12に示す焼成温度で8時間焼成して、タングステンおよび亜鉛が固溶したビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を得た。
実施例1〜実施例8と同様にして、粉末X線回折法よる結晶解析により結晶相の同定を行った。酸化物焼結体に存在する結晶相を表1にまとめた。また、実施例1〜実施例8と同様の方法によって、実施例9〜実施例12の酸化物焼結体はいずれも、ビックスバイト型結晶相であるIn2O3型結晶相が主成分であることを確認した。
得られた酸化物焼結体を、実施例1〜実施例8の場合と同様に、直径3インチ(76.2mm)で厚さ5.0mmのターゲットに加工した。
実施例1〜実施例8の場合と同様にして、半導体デバイスであるTFTを作製した。
実施例1〜実施例8の場合と同様にして、OFF電流、およびOFF電流の値に対するON電流の値の比を測定した。結果を表2にまとめた。
原料粉末の2次混合物の調製の際に、原料粉末として、仮焼粉末およびIn2O3粉末の他に、表1に示す元素Mを含む酸化物粉末(Al2O3、TiO2、Cr2O3、Ga2O3、HfO2、SiO2、V2O5、Nb2O3、ZrO2、MoO2、Ta2O3、Bi2O3)を添加したこと以外は、実施例1〜実施例12と同様にして、タングステンおよび亜鉛が固溶し、元素Mをさらに含有するビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を作製した。酸化物焼結体中のM含有率を表2に示した。実施例13〜実施例24の酸化物焼結体はいずれも、ビックスバイト型結晶相であるIn2O3型結晶相が主成分であった。得られた酸化物焼結体をターゲットに加工して、かかるターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により形成された酸化物半導体膜を含む半導体デバイスであるTFTを実施例1〜実施例12と同様にして作製した。
酸化物焼結体の作製の際、原料粉末の混合物を調製した後、仮焼をすることなく、原料粉末の混合物を成形し焼結したこと以外は、実施例1〜実施例8または実施例9〜実施例12と同様にして、酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体をターゲットに加工して、かかるターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により形成された酸化物半導体膜を含む半導体デバイスであるTFTを実施例と同様にして作製した。仮焼をすることなく、原料粉末の混合物を成形し焼結したことにより、複酸化物結晶相の生成がないことを確認した。比較例1〜比較例3の酸化物焼結体は、見かけ密度が6.5g/cm3以下である。比較例1〜比較例3の間では、WO2.72粉末もしくはWO2粉末、ZnO粉末もしくはSnO2粉末、およびIn2O3粉末のモル混合比率が異なっている。
原料粉末の2次混合物の調製の際に、原料粉末として、仮焼粉末およびIn2O3粉末の他に、表3に示す元素Mを含む酸化物粉末(TiO2、SiO2)を添加したこと以外は、実施例1〜実施例12と同様にして、タングステンおよび亜鉛が固溶し、元素Mをさらに含有するビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を作製した。酸化物焼結体中のM含有率、及びInに対する元素Mの原子比(M/In比)を表3に示した。実施例25〜実施例28の酸化物焼結体はいずれも、ビックスバイト型結晶相であるIn2O3型結晶相が主成分であった。得られた酸化物焼結体をターゲットに加工して、かかるターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により形成された酸化物半導体膜を含む半導体デバイスであるTFTを実施例1〜実施例12と同様にして作製した。
11 基板
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁膜
14 酸化物半導体膜
14c チャネル部
14d ドレイン電極形成用部
14s ソース電極形成用部
15 ソース電極
16 ドレイン電極
Claims (19)
- インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物焼結体であって、
ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であり、
前記酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、
前記酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さい酸化物焼結体。 - 前記ビックスバイト型結晶相は、インジウム酸化物を主成分として含み、前記ビックスバイト型結晶相の少なくとも一部に固溶しているタングステンおよび亜鉛を含む請求項1に記載の酸化物焼結体。
- アルミニウム、チタン、クロム、ガリウム、ハフニウム、ジルコニウム、シリコン、モリブデン、バナジウム、ニオブ、タンタル、およびビスマスからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素をさらに含み、
前記酸化物焼結体中におけるインジウム、タングステン、亜鉛および前記元素の合計に対する前記元素の含有率が0.1原子以上10原子%以下である請求項1または請求項2に記載の酸化物焼結体。 - 前記酸化物焼結体中における、インジウムに対するシリコンの原子比が0.007より小さい、請求項3に記載の酸化物焼結体。
- 前記酸化物焼結体中における、インジウムに対するチタンの原子比が0.004より小さい、請求項3または請求項4に記載の酸化物焼結体。
- 6価および4価の少なくとも1つの原子価を有するタングステンを含む請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の酸化物焼結体。
- X線光電子分光法により測定される結合エネルギーが245eV以上250eV以下のタングステンを含む請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の酸化物焼結体。
- 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の酸化物焼結体を含むスパッタターゲット。
- 請求項8に記載のスパッタターゲットを用いてスパッタ法により形成した酸化物半導体膜を含む半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、
前記酸化物半導体膜中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さい請求項9に記載の半導体デバイス。 - 前記酸化物半導体膜中における、亜鉛に対するタングステンの原子比が0.5より大きく3.0より小さい請求項9または請求項10に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜中における、インジウムに対するシリコンの原子比が0.007より小さく、かつ前記酸化物半導体膜の電気抵抗率が1×102Ωcm以上である請求項9から請求項11のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜中における、インジウムに対するチタンの原子比が0.004より小さく、かつ前記酸化物半導体膜の電気抵抗率が1×102Ωcm以上である請求項9から請求項12のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜は、6価および4価の少なくとも1つの原子価を有するタングステンを含む請求項9から請求項13のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜は、X線光電子分光法により測定される結合エネルギーが245eV以上250eV以下のタングステンを含む請求項9から請求項13のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の酸化物焼結体の製造方法であって、
亜鉛酸化物粉末とタングステン酸化物粉末との1次混合物を調製する工程と、
前記1次混合物を熱処理することにより仮焼粉末を形成する工程と、
前記仮焼粉末を含む原料粉末の2次混合物を調製する工程と、
前記2次混合物を成形することにより成形体を形成する工程と、
前記成形体を焼結することにより酸化物焼結体を形成する工程と、
を含み、
前記仮焼粉末を形成する工程は、酸素含有雰囲気下、550℃以上1200℃未満の温度で前記1次混合物を熱処理することにより、前記仮焼成粉末として亜鉛とタングステンとを含む複酸化物の粉末を形成することを含む酸化物焼結体の製造方法。 - 前記タングステン酸化物粉末は、WO3結晶相、WO2結晶相、およびWO2.72結晶相からなる群より選ばれる少なくとも1種の結晶相を含む請求項16に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記タングステン酸化物粉末のメジアン粒径d50が、0.1μm以上4μm以下である請求項16または請求項17に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記複酸化物がZnWO4型結晶相を含む請求項16から請求項18のいずれか1項に記載の酸化物焼結体の製造方法。
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