JP2004058194A - Working process of carbon nanotube - Google Patents
Working process of carbon nanotube Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004058194A JP2004058194A JP2002218752A JP2002218752A JP2004058194A JP 2004058194 A JP2004058194 A JP 2004058194A JP 2002218752 A JP2002218752 A JP 2002218752A JP 2002218752 A JP2002218752 A JP 2002218752A JP 2004058194 A JP2004058194 A JP 2004058194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- carbon nanotube
- processing
- irradiation
- deformation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、カーボンナノチューブの加工法に関し、真空中でカーボンナノチューブに電子線を照射して、カーボンナノチューブの切断もしくはカーボンナノチューブの変形、接合、固定などの加工を行えるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、原子間力顕微鏡の探針を用いて１本のカーボンナノチューブを移動させて、所定の場所に置くことや、カーボンナノチューブの頭部のキャップを取り外すためにカーボンナノチューブを加熱することが文献（「ネイチャー」３６２，５２０，（１９９３））等で報告されている。
【０００３】
また、１本のカーボンナノチューブをその任意の位置で切断することや、１本のカーボンナノチューブを変形させることに関しては、既に特開平７−１７２８０７号公報、特開２００１−１８０９２０号公報に開示されている。これら先行発明に開示の方法は、カーボンナノチューブにアルゴンイオンや金イオン、ガリウムイオンなどの金属イオンのイオンビームを照射するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明における課題は、１本のカーボンナノチューブをその任意の位置で切断することや、１本のカーボンナノチューブを変形させたり、カーボンナノチューブを接合したり、カーボンナノチューブを他の物質に固定したりすることができるイオンビーム照射法以外の新たな加工法を得ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、真空中でカーボンナノチューブに電子線を照射してカーボンナノチューブに加工を施すことを特徴とするカーボンナノチューブの加工法である。
【０００６】
請求項２にかかる発明は、加工が、切断であることを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブの加工法である。
請求項３にかかる発明は、加工が、変形、接合、固定のいずれかである請求項１記載のカーボンナノチューブの加工法である。
【０００７】
請求項４にかかる発明は、電子線の照射条件が以下のものであること特徴とする請求項２記載のカーボンナノチューブの加工法である。
真空度：１×１０−８〜１×１０−３Ｐａ
電子線加速電圧：２００ｋＶ以上
電子線照射電流密度：７．５１×１０６Ａ／ｍｍ２〜２．１×１０１０Ａ／ｍｍ２
電子線ビーム径：１００ｎｍ以下
【０００８】
請求項５にかかる発明は、電子線の照射条件が以下のものであること特徴とする請求項３記載のカーボンナノチューブの加工法である。
真空度：１×１０−８〜１×１０−３Ｐａ
電子線加速電圧：５〜３０ｋＶ
電子線照射電流密度：２．５４×１０４Ａ／ｍｍ２〜４．８９×１０６Ａ／ｍｍ２
電子線照射範囲：３５０ｎｍ×５００ｎｍ以下
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
まず、カーボンナノチューブの切断加工について説明する。
カーボンナノチューブの切断加工は、高真空中で、高エネルギーで、ビーム径の小さい電子線をカーボンナノチューブに局所的に照射することで可能になる。
【００１０】
具体的には、透過型電子顕微鏡を利用することが、電子線ビームの照射位置を観察しながら、切断加工が可能となり、カーボンナノチューブの切断部位を確認できるので好ましい。
この切断加工方法は、まず加工対象となるカーボンナノチューブを透過型電子顕微鏡の試料室の載置台上に置き、試料室内を１×１０−８〜１×１０−３Ｐａの高真空とし、電子線を電子線源からカーボンナノチューブに照射する。この際の電子線照射条件を以下のように設定することで、カーボンナノチューブを切断することができる。
【００１１】
電子線加速電圧：２００ｋＶ以上
電子線照射電流密度：７．５１×１０６Ａ／ｍｍ２〜２．１×１０１０Ａ／ｍｍ２
電子線ビーム径：１００ｎｍ以下
【００１２】
そして、透過型電子顕微鏡でカーボンナノチューブおよび電子線ビームの照射位置を観察し、任意のカーボンナノチューブの所望の位置に焦点を定めてその狭い範囲に電子線ビームを当てて、切断することができる。
この切断加工に際して、その真空度が１×１０−８Ｐａを越えてもよいが装置の性能との関係でこれ以上とすることは困難であり、１×１０−３Ｐａ未満では不純物、浮遊物質などに阻害され、カーボンナノチューブの切断に不具合となる。
【００１３】
また、電子線加速電圧が２００ｋＶ未満では電子線のエネルギーが低く、切断できなくなる。また、電子線照射電流密度が７．５１×１０６Ａ／ｍｍ２未満ではカーボンナノチューブに衝突する電子の数が少なくなり切断が困難になり、２．１×１０１０Ａ／ｍｍ２を越えてもよいが、一般に装置の限界となる。さらに、電子線ビーム径が１００ｎｍを越えると目的の位置に電子線を照射できなくなり、エネルギーも低くなる。
【００１４】
このようなカーボンナノチューブの切断は、ビーム径の小さい高エネルギーの電子線がカーボンナノチューブに集中して照射されると、カーボンナノチューブを構成する炭素原子がこれにより飛び散り、カーボンナノチューブがその部分で切断されるものと考えられる。
【００１５】
図１は、このような電子線ビーム照射によるカーボンナノチューブの切断状況を示す透過型電子顕微鏡写真であり、図面の中央のカーボンナノチューブが切断されている様子が確認できる。この例の切断条件は、以下の通りである。
真空度：０．５×１０−５Ｐａ
電子線加速電圧：２００ｋＶ
電子線照射電流密度：７．６４×１０８Ａ／ｍｍ２
電子線ビーム径：２ｎｍ
【００１６】
次に、カーボンナノチューブの変形、接合、固定のいずれかの加工（以下、これらをまとめて変形加工と略記することがある。）について説明する。
この変形加工は、真空中で比較的低エネルギーの電子線を対象とするカーボンナノチューブの加工部位に走査しながら照射することで可能になる。
【００１７】
具体的には走査型電子顕微鏡を利用することが、電子線ビームの走査照射位置を観察しながら、変形加工が可能となり、カーボンナノチューブの変形等の部位を確認できるので好ましい。
この変形加工方法は、まず加工対象となるカーボンナノチューブを走査型電子顕微鏡の試料室の載置台上に置き、試料室内を１×１０−８〜１×１０−３Ｐａの真空とし、電子線を電子線源からカーボンナノチューブに照射する。この際の電子線走査照射条件を以下のように設定することで、カーボンナノチューブを変形、接合、固定することができる。
【００１８】
電子線加速電圧：５〜３０ｋＶ
電子線照射電流密度：２．５４×１０４Ａ／ｍｍ２〜４．８９×１０６Ａ／ｍｍ２
電子線照射範囲：３５０ｎｍ×５００ｎｍ以下
【００１９】
そして、走査型電子顕微鏡でカーボンナノチューブおよび電子線ビームの照射走査位置を観察し、任意のカーボンナノチューブの所望の位置に電子線ビームを走査し、変形等の加工することができる。
この変形加工に際して、その真空度が１×１０−８Ｐａを越えることは装置の性能上困難となり、１×１０−３Ｐａ未満では不純物、浮遊物質などに阻害されてカーボンナノチューブの変形加工に不具合となる。
【００２０】
また、電子線加速電圧が５ｋＶ未満では電子線のエネルギーが不足し、変形させることができず、３０ｋＶを越えるとカーボンナノチューブが切断される可能性が出てくる。また、電子線照射電流密度が２．５４×１０４Ａ／ｍｍ２未満では電子線のエネルギーが不足し、４．８９×１０６Ａ／ｍｍ２を越えるとカーボンナノチューブが切断される可能性が出でくる。さらに、電子線照射（走査）範囲が３５０ｎｍ×５００ｎｍを越えるとカーボンナノチューブ単体の加工が出来なくなる。
【００２１】
このようなカーボンナノチューブの変形加工では、比較的低いエネルギーの電子線がカーボンナノチューブの対象部位に走査されて照射されると、カーボンナノチューブを構成する炭素原子がこれにより活発な分子運動を行い、原子の位置が移動し、これにより、カーボンナノチューブがその部分で変形したり、他のカーボンナノチューブと接合したり、他の物質に固定したりするものと考えられる。
【００２２】
図２は、このような電子線ビーム走査照射によるカーボンナノチューブの変形加工状況を示す走査型電子顕微鏡写真であり、図面の中央のカーボンナノチューブの途中が膨出して太く変形した状態となっている様子が確認できる。図３は、電子線走査照射以前のカーボンナノチューブを示す走査型電気顕微鏡写真であり、中央のカーボンナノチューブの途中に電子線ビームを走査しながら照射することで、図２に示すような変形部が形成できる。この時の電子線走査範囲がそのまま図１に示す膨出変形部分となっている。
【００２３】
この例の加工条件は、以下の通りである。
真空度：０．５×１０−５Ｐａ
電子線加速電圧：３０ｋＶ
電子線照射電流密度：７．６４×１０８Ａ／ｍｍ２
【００２４】
また、同様の電子線走査照射により、上述のカーボンナノチューブの変形に限られず、カーボンナノチューブとカーボンナノチューブとを接合させたり、カーボンナノチューブと他の物質とを固定したりすることができる。
【００２５】
このようなカーボンナノチューブの加工方法では、カーボンナノチューブに対してその任意の位置で切断、変形、接合、固定等の加工を施すことができる。また、透過型電子顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡を用いれば、対象となるカーボンナノチューブの照射位置を観察しながら加工を施すことができ、的確な作業が容易に実施することができる。さらに、加工には、特殊な装置を用意する必要がなく、市販の透過型電子顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡を利用することができる利点もある。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のカーボンナノチューブの加工方法によれば、カーボンナノチューブに電子線を照射することで、カーボンナノチューブの切断、変形、接合、固定などの加工を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によりカーボンナノチューブを切断した例を示す電子顕微鏡写真である。
【図２】本発明によりカーボンナノチューブを変形した例を示す電子顕微鏡写真である。
【図３】加工を施す前のカーボンナノチューブを示す電子顕微鏡写真である。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for processing carbon nanotubes, in which a carbon nanotube is irradiated with an electron beam in a vacuum to perform processing such as cutting of the carbon nanotube or deformation, bonding, and fixing of the carbon nanotube.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, it is known that a single carbon nanotube is moved using a probe of an atomic force microscope and placed in a predetermined place, or the carbon nanotube is heated in order to remove a cap at the head of the carbon nanotube. Nature, 362, 520, (1993)).
[0003]
Further, cutting of one carbon nanotube at an arbitrary position and deformation of one carbon nanotube have already been disclosed in JP-A-7-172807 and JP-A-2001-180920. I have. The methods disclosed in these prior inventions irradiate carbon nanotubes with ion beams of metal ions such as argon ions, gold ions, and gallium ions.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to cut one carbon nanotube at an arbitrary position, deform one carbon nanotube, join carbon nanotubes, and fix carbon nanotubes to another substance. Another object of the present invention is to obtain a new processing method other than the ion beam irradiation method.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
To solve this problem,
The invention according to claim 1 is a method for processing a carbon nanotube, wherein the carbon nanotube is processed by irradiating the carbon nanotube with an electron beam in a vacuum.
[0006]
The invention according to claim 2 is the method for processing carbon nanotube according to claim 1, wherein the processing is cutting.
The invention according to claim 3 is the method for processing carbon nanotube according to claim 1, wherein the processing is any one of deformation, bonding, and fixing.
[0007]
The invention according to claim 4 is the method for processing a carbon nanotube according to claim 2, wherein the irradiation conditions of the electron beam are as follows.
Degree of vacuum: 1 × 10 −8 to 1 × 10 −3 Pa
Electron beam acceleration voltage: 200 kV or more Electron beam irradiation current density: 7.51 × 10 6 A / mm 2 to 2.1 × 10 10 A / mm 2
Electron beam diameter: 100 nm or less
The invention according to claim 5 is the method for processing a carbon nanotube according to claim 3, wherein the irradiation conditions of the electron beam are as follows.
Degree of vacuum: 1 × 10 −8 to 1 × 10 −3 Pa
Electron beam acceleration voltage: 5 to 30 kV
Electron beam irradiation current density: 2.54 × 10 4 A / mm 2 to 4.89 × 10 6 A / mm 2
Electron beam irradiation range: 350 nm x 500 nm or less
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
First, the cutting of carbon nanotubes will be described.
The cutting processing of the carbon nanotube can be performed by locally irradiating the carbon nanotube with an electron beam having a small beam diameter and a high energy in a high vacuum.
[0010]
Specifically, it is preferable to use a transmission electron microscope because the cutting process can be performed while observing the irradiation position of the electron beam, and the cut portion of the carbon nanotube can be confirmed.
In this cutting method, first, a carbon nanotube to be processed is placed on a mounting table of a sample chamber of a transmission electron microscope, the sample chamber is set to a high vacuum of 1 × 10 −8 to 1 × 10 −3 Pa, and an electron beam is used. From the electron beam source. By setting the electron beam irradiation conditions at this time as follows, the carbon nanotubes can be cut.
[0011]
Electron beam acceleration voltage: 200 kV or more Electron beam irradiation current density: 7.51 × 10 6 A / mm 2 to 2.1 × 10 10 A / mm 2
Electron beam diameter: 100 nm or less
Then, the irradiation position of the carbon nanotube and the electron beam can be observed with a transmission electron microscope, a desired position of the arbitrary carbon nanotube can be focused, and the electron beam can be applied to a narrow area to cut the carbon nanotube.
During this cutting process, the degree of vacuum is difficult to the more in relation to the performance of also good device beyond the 1 × 10 -8 Pa, 1 × 10 -3 impurities is less than Pa, suspended solids Etc., which causes a problem in cutting the carbon nanotube.
[0013]
On the other hand, if the electron beam acceleration voltage is less than 200 kV, the energy of the electron beam is so low that it cannot be cut. On the other hand, if the electron beam irradiation current density is less than 7.51 × 10 6 A / mm 2 , the number of electrons colliding with the carbon nanotubes becomes small and cutting becomes difficult, and the electron beam irradiation current density exceeds 2.1 × 10 10 A / mm 2. Although this is acceptable, it is generally a limitation of the apparatus. Further, when the electron beam diameter exceeds 100 nm, the target position cannot be irradiated with the electron beam, and the energy is reduced.
[0014]
In cutting such a carbon nanotube, when a high-energy electron beam with a small beam diameter is intensively irradiated on the carbon nanotube, the carbon atoms constituting the carbon nanotube are scattered thereby, and the carbon nanotube is cut at that portion. It is considered to be.
[0015]
FIG. 1 is a transmission electron micrograph showing the cutting state of the carbon nanotube by the irradiation of the electron beam. It can be seen that the carbon nanotube in the center of the drawing is cut. The cutting conditions in this example are as follows.
Degree of vacuum: 0.5 × 10 −5 Pa
Electron beam acceleration voltage: 200 kV
Electron beam irradiation current density: 7.64 × 10 8 A / mm 2
Electron beam diameter: 2 nm
[0016]
Next, any of the deformation, joining, and fixing of the carbon nanotubes (hereinafter, these may be collectively abbreviated as deformation processing) will be described.
This deformation processing can be performed by irradiating a relatively low-energy electron beam in a vacuum while scanning the target carbon nanotube processing site.
[0017]
Specifically, it is preferable to use a scanning electron microscope because deformation processing can be performed while observing the scanning irradiation position of the electron beam, and a portion such as deformation of the carbon nanotube can be confirmed.
In this deformation processing method, first, a carbon nanotube to be processed is placed on a mounting table of a sample chamber of a scanning electron microscope, the sample chamber is evacuated to 1 × 10 −8 to 1 × 10 −3 Pa, and an electron beam is emitted. The carbon nanotube is irradiated from an electron beam source. By setting the electron beam scanning irradiation conditions at this time as follows, the carbon nanotubes can be deformed, joined, and fixed.
[0018]
Electron beam acceleration voltage: 5 to 30 kV
Electron beam irradiation current density: 2.54 × 10 4 A / mm 2 to 4.89 × 10 6 A / mm 2
Electron beam irradiation range: 350 nm × 500 nm or less
Then, the scanning position of the irradiation of the carbon nanotube and the electron beam can be observed with a scanning electron microscope, and the electron beam can be scanned at a desired position of an arbitrary carbon nanotube to perform processing such as deformation.
During this deformation, the vacuum can exceed 1 × 10 -8 Pa becomes difficult performance of the device is less than 1 × 10 -3 Pa impurities, defects in deformation of inhibited like suspended solids carbon nanotube It becomes.
[0020]
If the electron beam acceleration voltage is less than 5 kV, the energy of the electron beam is insufficient and the electron beam cannot be deformed. If the electron beam acceleration voltage exceeds 30 kV, the carbon nanotube may be cut. When the electron beam irradiation current density is less than 2.54 × 10 4 A / mm 2 , the energy of the electron beam is insufficient, and when the electron beam irradiation current density exceeds 4.89 × 10 6 A / mm 2 , the carbon nanotube may be cut. Come out. Further, if the electron beam irradiation (scanning) range exceeds 350 nm × 500 nm, it becomes impossible to process the carbon nanotube alone.
[0021]
In such deformation processing of carbon nanotubes, when an electron beam having a relatively low energy is scanned and irradiated on a target portion of the carbon nanotube, carbon atoms constituting the carbon nanotube perform active molecular motion, thereby causing an atomic movement. Is moved, thereby causing the carbon nanotube to be deformed at that portion, to be bonded to another carbon nanotube, or to be fixed to another substance.
[0022]
FIG. 2 is a scanning electron micrograph showing the state of deformation processing of carbon nanotubes by such electron beam scanning irradiation, in which carbon nanotubes at the center of the drawing are bulged and thickly deformed. Can be confirmed. FIG. 3 is a scanning electron micrograph showing the carbon nanotubes before the electron beam scanning irradiation. By irradiating the electron beam while scanning the middle carbon nanotube, the deformed portion shown in FIG. Can be formed. The electron beam scanning range at this time is the bulging deformation portion shown in FIG. 1 as it is.
[0023]
The processing conditions in this example are as follows.
Degree of vacuum: 0.5 × 10 −5 Pa
Electron beam acceleration voltage: 30 kV
Electron beam irradiation current density: 7.64 × 10 8 A / mm 2
[0024]
Further, by the same electron beam scanning irradiation, the carbon nanotube is not limited to the above-described deformation, and the carbon nanotube can be bonded to the carbon nanotube or the carbon nanotube can be fixed to another substance.
[0025]
In such a method of processing a carbon nanotube, processing such as cutting, deformation, joining, and fixing can be performed on the carbon nanotube at an arbitrary position. If a transmission electron microscope or a scanning electron microscope is used, processing can be performed while observing the irradiation position of the target carbon nanotube, and accurate work can be easily performed. Further, there is an advantage that a special apparatus is not required for the processing, and a commercially available transmission electron microscope or scanning electron microscope can be used.
[0026]
【The invention's effect】
As described above, according to the method for processing a carbon nanotube of the present invention, it is possible to perform processing such as cutting, deformation, joining, and fixing of the carbon nanotube by irradiating the carbon nanotube with an electron beam.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an electron micrograph showing an example of cutting a carbon nanotube according to the present invention.
FIG. 2 is an electron micrograph showing an example in which a carbon nanotube is deformed according to the present invention.
FIG. 3 is an electron micrograph showing a carbon nanotube before being processed.
Claims (5)
真空度：１×１０−８〜１×１０−３Ｐａ
電子線加速電圧：２００ｋＶ以上
電子線照射電流密度：７．５１×１０６Ａ／ｍｍ２〜２．１×１０１０Ａ／ｍｍ２
電子線ビーム径：１００ｎｍ以下The method for processing a carbon nanotube according to claim 2, wherein the electron beam irradiation conditions are as follows.
Degree of vacuum: 1 × 10 −8 to 1 × 10 −3 Pa
Electron beam acceleration voltage: 200 kV or more Electron beam irradiation current density: 7.51 × 10 6 A / mm 2 to 2.1 × 10 10 A / mm 2
Electron beam diameter: 100 nm or less
真空度：１×１０−８〜１×１０−３Ｐａ
電子線加速電圧：５〜３０ｋＶ
電子線照射電流密度：２．５４×１０４Ａ／ｍｍ２〜４．８９×１０６Ａ／ｍｍ２
電子線照射範囲：３５０ｎｍ×５００ｎｍ以下The method for processing a carbon nanotube according to claim 3, wherein the irradiation conditions of the electron beam are as follows.
Degree of vacuum: 1 × 10 −8 to 1 × 10 −3 Pa
Electron beam acceleration voltage: 5 to 30 kV
Electron beam irradiation current density: 2.54 × 10 4 A / mm 2 to 4.89 × 10 6 A / mm 2
Electron beam irradiation range: 350 nm x 500 nm or less
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002218752A JP2004058194A (en) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | Working process of carbon nanotube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002218752A JP2004058194A (en) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | Working process of carbon nanotube |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004058194A true JP2004058194A (en) | 2004-02-26 |
Family
ID=31939852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002218752A Pending JP2004058194A (en) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | Working process of carbon nanotube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004058194A (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024759A (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2006086259A (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for forming tunnel junction |
| JP2006190578A (en) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | National Institute For Materials Science | Microprocessing method and apparatus of carbonaceous material using low vacuum scanning electron microscope |
| KR100611644B1 (en) | 2005-05-30 | 2006-08-11 | 광주과학기술원 | Method of purifying carbon nanotubes |
| JP2006248875A (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Method and apparatus for processing carbon nanotube, carbon nanotube dispersion liquid and carbon nanotube powder |
| KR100638129B1 (en) * | 2002-10-22 | 2006-10-24 | 도요다 지도샤 가부시끼가이샤 | Methods for manufacturing multi-wall carbon nanotubes |
| JP2007123657A (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Nec Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2007257950A (en) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Jfe Engineering Kk | Method of fastening carbon nanotube |
| WO2009060721A1 (en) * | 2007-11-05 | 2009-05-14 | Nec Corporation | Method for cutting carbon nonotube |
| US7674389B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-03-09 | The Regents Of The University Of California | Precision shape modification of nanodevices with a low-energy electron beam |
| WO2012121317A1 (en) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | 住友電気工業株式会社 | Carbon nanostructures, capacitor, method for processing carbon nanostructures, and production process |
| CN102874749A (en) * | 2012-09-12 | 2013-01-16 | 中国科学技术大学 | Method for manufacturing nano pipes |
-
2002
- 2002-07-26 JP JP2002218752A patent/JP2004058194A/en active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100638129B1 (en) * | 2002-10-22 | 2006-10-24 | 도요다 지도샤 가부시끼가이샤 | Methods for manufacturing multi-wall carbon nanotubes |
| JP2006024759A (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2006086259A (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for forming tunnel junction |
| US7674389B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-03-09 | The Regents Of The University Of California | Precision shape modification of nanodevices with a low-energy electron beam |
| JP2006190578A (en) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | National Institute For Materials Science | Microprocessing method and apparatus of carbonaceous material using low vacuum scanning electron microscope |
| JP2006248875A (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Method and apparatus for processing carbon nanotube, carbon nanotube dispersion liquid and carbon nanotube powder |
| KR100611644B1 (en) | 2005-05-30 | 2006-08-11 | 광주과학기술원 | Method of purifying carbon nanotubes |
| JP2007123657A (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Nec Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2007257950A (en) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Jfe Engineering Kk | Method of fastening carbon nanotube |
| WO2009060721A1 (en) * | 2007-11-05 | 2009-05-14 | Nec Corporation | Method for cutting carbon nonotube |
| WO2012121317A1 (en) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | 住友電気工業株式会社 | Carbon nanostructures, capacitor, method for processing carbon nanostructures, and production process |
| JP2012190822A (en) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Univ Of Tsukuba | Carbon nanostructure, capacitor, and processing method and manufacturing method of carbon nanostructure |
| US9305711B2 (en) | 2011-03-08 | 2016-04-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Carbon nanostructure, capacitor, method for processing carbon nanostructure, and method for producing carbon nanostructure |
| CN102874749A (en) * | 2012-09-12 | 2013-01-16 | 中国科学技术大学 | Method for manufacturing nano pipes |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004058194A (en) | Working process of carbon nanotube | |
| JP2873930B2 (en) | Carbonaceous solid structure having carbon nanotubes, electron emitter for electron beam source element composed of carbonaceous solid structure, and method of manufacturing carbonaceous solid structure | |
| JP2004087174A (en) | Ion beam device, and working method of the same | |
| WO2003030240A3 (en) | Etching method and apparatus | |
| JP2004061376A (en) | Ion beam apparatus, method for ion beam working, and holder member | |
| JPH0256195B2 (en) | ||
| JP2004530268A (en) | Ion source filament and method | |
| JP2639158B2 (en) | Etching method and etching apparatus | |
| JPH07192669A (en) | Adjusting method for electric field ionization type gas phase ion source | |
| WO2002078407A3 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| JP2006272374A (en) | Cutting/machining method of carbon fiber and its apparatus | |
| JP4055046B2 (en) | Carbon nanotube processing method | |
| KR101816861B1 (en) | Surface treatment apparatus using plasma | |
| JP2005076061A (en) | Method and device for reforming surface of metal member | |
| JP3624990B2 (en) | Joining method of minute objects | |
| JP3334665B2 (en) | Sample preparation apparatus and sample preparation method for transmission electron microscope | |
| JP2003327423A (en) | Method for manufacturing different element-introduced tubular substance | |
| JP3188952B2 (en) | Recovery method of carbon nanotube | |
| JP2018022701A (en) | Ion gun, ion milling device, and ion milling method | |
| WO2008017733A1 (en) | Ion beam etching method and ion beam etching apparatus | |
| JPH0373101B2 (en) | ||
| Proskurovsky | Surface treatment of electrodes by intense flows of charged particles as the method for improvement of vacuum insulation | |
| JP4707268B2 (en) | X-ray tube device and X-ray inspection device | |
| JP2888660B2 (en) | Ion implantation method | |
| JPH10261382A (en) | Ion implantation apparatus and its method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050606 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080527 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080930 |