JP2639158B2 - Etching method and etching apparatus - Google Patents
Etching method and etching apparatusInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、ガ
リウムヒ素、W合金、Al合金、Cu合金、Fe−Si−Al合
金、NiFe合金、ダイヤモンド、有機化合物等への微細パ
ターン形成のためのエッチング方法およびこれに用いる
エッチング装置に関する。The present invention relates to silicon, silicon oxide, silicon nitride, gallium arsenide, W alloy, Al alloy, Cu alloy, Fe-Si-Al alloy, NiFe alloy, diamond, and organic. The present invention relates to an etching method for forming a fine pattern on a compound or the like and an etching apparatus used for the method.
(従来の技術) 従来、原子あるいはイオン、分子を用いて試料をエッ
チングする方法としては、代表的なものとしてはイオン
ビームエッチングが実用化されている。それは、たとえ
ばL.David Bollinger:Solid State Technology、1983
年、1月号99ページに開示されているような装置を用い
エッチングするもので、その概要は第2図に示す如きも
のである。ここでは第2図を参照して、アルゴンイオン
ビームを用いて試料をエッチングする方法を説明する。
すなわち、イオンソース13中で、カソード14から飛び出
した電子15は、マグネット16によるサイクロトロン運動
中にボンベから供給されるアルゴンガス11と衝突し、ア
ルゴンイオン12を生成する。前記アルゴンイオンビーム
12は、加速電極8によってイオンソース13外のエッチン
グチャンバー4へ加速され、フィラメント6から放出さ
れた電子18と共に基板9上の試料10へ照射される。ここ
で前記試料10に衝突したアルゴンイオン12は、試料10表
面にスパッタリングを起こし、試料10をエッチングす
る。(Prior Art) Conventionally, as a typical method for etching a sample using atoms, ions, or molecules, ion beam etching has been put to practical use. It is, for example, L. David Bollinger: Solid State Technology, 1983
The etching is performed by using an apparatus as disclosed in page 99 of January, January, and its outline is as shown in FIG. Here, a method of etching a sample using an argon ion beam will be described with reference to FIG.
That is, in the ion source 13, the electrons 15 jumping out of the cathode 14 collide with the argon gas 11 supplied from the cylinder during the cyclotron motion by the magnet 16, and generate argon ions 12. The argon ion beam
The electron beam 12 is accelerated by the acceleration electrode 8 into the etching chamber 4 outside the ion source 13, and is irradiated on the sample 10 on the substrate 9 together with the electrons 18 emitted from the filament 6. Here, the argon ions 12 colliding with the sample 10 cause sputtering on the surface of the sample 10 to etch the sample 10.
(発明が解決しようとする課題) 近年、上述した従来のイオンビームエッチングでは、
基盤に高エネルギーのイオンが照射されるため、H.R.De
ppe他:Solid State Electronics、第20巻、1977年51ペ
ージに開示されているように、資料表面結晶性の照射損
傷が問題となってきている。本発明者の研究でも、直径
2インチの単結晶石英基板に加速電圧1kV、イオン電流
密度約1A/cm2で照射されたアルゴンイオンビームによっ
て、エッチングを5000Å行った後、表面の電子線回折を
行ったところ、エッチング面の深さ方向に最大100Å厚
の格子欠陥密度の高い損傷領域が認められた。(Problems to be Solved by the Invention) In recent years, in the conventional ion beam etching described above,
Since the base is irradiated with high-energy ions, HRDe
As disclosed in ppe et al., Solid State Electronics, Vol. 20, 1977, p. 51, radiation damage on the crystallinity of the material surface has become a problem. In the study of the present inventor, an electron beam diffraction of the surface was also performed after etching was performed at 5,000 mm by an argon ion beam irradiated on a single crystal quartz substrate having a diameter of 2 inches at an acceleration voltage of 1 kV and an ion current density of about 1 A / cm 2. As a result, a damaged region having a maximum lattice defect density of 100 mm at the maximum was observed in the depth direction of the etched surface.
そこで損傷が小さくするために、イオンビームエッチ
ング時の加速電圧を低く保ち、イオンが高くエネルギー
を有しないようにして試料に照射することが考えられる
が、大きなイオン電流がとれず充分なエッチング速度が
得られないという課題がある。この現象を回避するため
には、前記説明中のイオンソースを多数個具備し、多数
のイオンビームを同時に試料に照射することの可能な装
置を開発する必要があるが、このようなことは現実的で
はない。Therefore, in order to reduce the damage, it is conceivable to keep the acceleration voltage during ion beam etching low and irradiate the sample with high ions so as to have no energy. There is a problem that it cannot be obtained. In order to avoid this phenomenon, it is necessary to develop a device having a large number of ion sources as described above and capable of simultaneously irradiating a sample with a large number of ion beams. Not a target.
ところで成膜の分野では、金属クラスターイオンビー
ムを用いた成膜が行われている。これは、クラスタービ
ームを基板に照射し、基板上にクラスター構成物質の薄
膜を形成する技術である。クラスターとは、原子または
イオンが多数個集合したものである。従って、クラスタ
ーをある加速電圧で加速する場合、原子一個当たりの保
有運動エネルギーは単独の原子を加速した場合よりも小
さいものになる。そのためクラスターイオンビームを成
膜に用いた場合、単独のイオンを加速して成膜する場合
と比較して、欠陥の少ない良質の膜を形成することが可
能である。なお、これらクラスターイオンビームを用い
た成膜方法については、高木俊宜:応用物理、第55巻、
第8号、1986年、746ページに開示されているが、現在
のところクラスターイオンビームの応用は、成膜の分野
に限られているのが実情である。By the way, in the field of film formation, film formation using a metal cluster ion beam is performed. This is a technique for irradiating a substrate with a cluster beam to form a thin film of a cluster constituent material on the substrate. A cluster is a collection of many atoms or ions. Therefore, when a cluster is accelerated with a certain acceleration voltage, the retained kinetic energy per atom becomes smaller than that when a single atom is accelerated. Therefore, when a cluster ion beam is used for film formation, a high-quality film with few defects can be formed as compared with a case where a single ion is accelerated to form a film. The film formation method using these cluster ion beams is described in Toshinori Takagi: Applied Physics, Vol. 55,
No. 8, 1986, p. 746, but currently the application of cluster ion beams is limited to the field of film formation.
本発明の目的は、クラスターを用いることによりビー
ム照射による試料表面の損傷を小さくしつつエッチング
を進める方法およびこれに用いる装置を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of performing etching while reducing damage to a sample surface due to beam irradiation by using a cluster, and an apparatus used for the method.
(課題を解決するための手段) 本発明は、クラスターを試料表面に供給しつつ、反応
性の高いガスを試料表面に供給することによりエッチン
グを行うエッチング方法を提供する。そのエッチング方
法を実現するために、クラスター生成部分と、該クラス
ター生成部分で生成されたクラスターを導入する真空排
気機構を含むエッチングチャンバー部分と、前記クラス
ターをイオン化する部分と、試料を前記イオン化クラス
タービーム中で保持する基盤と、前記イオン化クラスタ
ーを基板に向けて電界により加速する加速電極と、前記
イオン化クラスターを平行ビーム化するコリメーター部
分と、前記試料と反応性を有するガスを充填した部分
と、該反応性ガスをエッチングチャンバー中の基盤上の
試料表面に必要量導入する部分とを具備するエッチング
装置を提供する。(Means for Solving the Problems) The present invention provides an etching method for performing etching by supplying a highly reactive gas to a sample surface while supplying clusters to the sample surface. In order to realize the etching method, a cluster generating portion, an etching chamber portion including a vacuum exhaust mechanism for introducing a cluster generated by the cluster generating portion, a portion for ionizing the cluster, and a sample being ionized by the ionized cluster beam A substrate held in the accelerating electrode for accelerating the ionized cluster toward the substrate by an electric field, a collimator portion for converting the ionized cluster into a parallel beam, and a portion filled with a gas having reactivity with the sample, A portion for introducing a required amount of the reactive gas to a sample surface on a substrate in an etching chamber.
(作用) クラスターは、前述のように一原子当たりの保有運動
エネルギーは、従来のイオンビームエッチングにおける
イオンの保有エネルギーに比べて小さい。例えばアルゴ
ンイオンを1kVで加速した場合、保有している運動エネ
ルギーは、1原子(イオン)当たり1000eV程度である。
ところがクラスターは、例えば100個の原子から構成さ
れて、全体として一価にイオン化されている場合、1kV
の加速電圧で加速したとしても、1原子当たりの保有運
動エネルギーはその1/100の10eV程度で、イオンエッチ
ング装置の場合の1000eVの、1/100程度の低エネルギー
である。ここでエッチングの初期過程を考えると、試料
最表面原子を本来の格子位置から変位させることが必要
であるが、それに必要なエネルギーは原子間結合エネル
ギーの数eV程度であり、クラスターの構成原子において
は低エネルギーとはいえ個々の原子の保有しているエネ
ルギー量は前記例から考えると約10eVである。従って、
クラスターの衝突により試料最表面原子を試料から脱離
させることが可能となり、エッチングを進行させること
ができる。そして、このような低エネルギーを有したク
ラスターイオンビームを試料に照射した場合には、高エ
ネルギーのイオンビームを照射した場合に比べて試料内
部への侵入が起こりにくく、その結果試料表面の結晶性
が損傷を受けにくいという特徴がある。本発明者の検討
によると、シリコンをエピタキシャル成長させた基板に
たいして、アルゴンクラスタービームによるエッチング
を行った後、直ちにRHEED(反射高速電子線回折)でエ
ッチング面の結晶性のin−situ評価したところ、エッチ
ング前と殆ど遜色のない高い結晶性を有していた。一
方、従来技術であるアルゴンイオンビームでエッチング
した場合はRHEEDパターンがハロー状になり、結晶性が
低下したことを示していた。このように、クラスタービ
ームを用いたエッチング方法を用いれば、試料表面の結
晶性を維持したままエッチングが可能なので、エッチン
グ後にアニール等を行って結晶性を回復する工程が必要
なく、実際に製品を製造する場合において工程数を減少
し、経費、時間を節減することができる。エッチングの
回数が多いときは、その分だけ大幅な工程数の減少が期
待できるわけである。(Function) As described above, the kinetic energy per atom of the cluster is smaller than that of ions in the conventional ion beam etching. For example, when argon ions are accelerated at 1 kV, the kinetic energy possessed is about 1000 eV per atom (ion).
However, when a cluster is composed of, for example, 100 atoms and is monovalently ionized as a whole, 1 kV
Even if it is accelerated by the acceleration voltage, the kinetic energy per atom is about 1/100 of 10 eV, which is about 1/100 of 1000 eV in the case of the ion etching apparatus. Considering the initial process of etching, it is necessary to displace the outermost surface atoms of the sample from the original lattice position, but the energy required for this is about several eV of the interatomic bond energy. Although the energy is low, the amount of energy held by each atom is about 10 eV in consideration of the above example. Therefore,
By the collision of the clusters, the outermost surface atoms of the sample can be desorbed from the sample, and the etching can proceed. When the sample is irradiated with such a low-energy cluster ion beam, penetration into the sample is less likely to occur than when the high-energy ion beam is irradiated. Has the characteristic that it is not easily damaged. According to the study of the present inventor, a substrate on which silicon was epitaxially grown was etched with an argon cluster beam, and immediately after that, the in-situ evaluation of the crystallinity of the etched surface was performed by RHEED (reflection high-speed electron beam diffraction). It had high crystallinity almost as good as before. On the other hand, when the etching was performed with the argon ion beam, which is a conventional technique, the RHEED pattern became halo-shaped, indicating that the crystallinity was reduced. As described above, if the etching method using the cluster beam is used, the etching can be performed while maintaining the crystallinity of the sample surface, so that there is no need to perform a step of annealing or the like to recover the crystallinity after the etching, and the product is actually manufactured. In the case of manufacturing, the number of steps can be reduced, and cost and time can be saved. When the number of times of etching is large, the number of steps can be significantly reduced.
また低損傷に加え、クラスターの照射と同時に、試料
表面上に反応性の高いガスを供給する場合には、クラス
ターの衝突により不安定化した試料表面原子と、反応性
ガスとの間の化学反応が容易に進行し、従来のイオンビ
ームエッチング装置と遜色のない、充分大きなエッチン
グレートを持ったエッチング方法及び装置を提供でき
る。In addition to low damage, when a highly reactive gas is supplied on the sample surface simultaneously with the irradiation of the cluster, the chemical reaction between the sample surface atoms destabilized by the collision of the cluster and the reactive gas Can easily be provided, and an etching method and an apparatus having a sufficiently large etching rate comparable to those of a conventional ion beam etching apparatus can be provided.
(実施例) 次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。第1
図は装置の概略図である。ここでは、クラスター構成物
質としてアルゴンを、反応性ガスとして塩素を用いてシ
リコンをエッチングする場合を示す。まず、アルゴンク
ラスターの生成は以下のように行う。クラスター生成用
原料ガスボンベ1から原料のアルゴンガスを必要量だけ
真空排気機構を有するソースチャンバー2中に送り、そ
こからクラスター生成用ノズル3を通して、真空排気機
構を有するエッチングチャンバー4中に超音速で噴出さ
せる。その結果、アルゴンが多数個集合した中性クラス
ター5が生成される。その際、ソースチャンバー2内の
圧力が約5torrになるようにアルゴンガスの流量を調節
する。また、クラスター生成用ノズル3の径は0.5mm、
クラスター生成時のエッチングチャンバー4内の圧力は
2×10-4torrである。(Example) Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. First
The figure is a schematic diagram of the device. Here, a case is described in which silicon is etched using argon as a cluster constituent material and chlorine as a reactive gas. First, the argon cluster is generated as follows. A required amount of raw material argon gas is sent from a raw material gas cylinder 1 for cluster generation into a source chamber 2 having a vacuum exhaust mechanism, and is jetted therefrom through a nozzle 3 for cluster generation into an etching chamber 4 having a vacuum exhaust mechanism at a supersonic speed. Let it. As a result, a neutral cluster 5 in which a large number of argon are collected is generated. At this time, the flow rate of the argon gas is adjusted so that the pressure in the source chamber 2 becomes about 5 torr. The diameter of the cluster generating nozzle 3 is 0.5 mm,
The pressure in the etching chamber 4 during cluster generation is 2 × 10 −4 torr.
次に得られた前記中性クラスター5を、フィラメント
6から放出される電子の衝撃によってイオン化する。イ
オン化クラスター7は、加速電極8と基板9の間の電位
差によって加速され、コリメーター19によって平行ビー
ムにされ、前記基板9に装着されたシリコン試料10と衝
突する。加速電圧としては、この場合約1kVである。ク
ラスターのイオン化は、安定なクラスターの個数を選択
的に増加させる効果があるため、エッチングレートの安
定化に寄与する。Next, the obtained neutral cluster 5 is ionized by the impact of electrons emitted from the filament 6. The ionization cluster 7 is accelerated by a potential difference between the accelerating electrode 8 and the substrate 9, is converted into a parallel beam by a collimator 19, and collides with a silicon sample 10 mounted on the substrate 9. The acceleration voltage in this case is about 1 kV. Cluster ionization has the effect of selectively increasing the number of stable clusters, and thus contributes to stabilization of the etching rate.
エッチングは、クラスターの衝突によって前記シリコ
ン試料10においてスパッタリングと表面原子の不安定化
が起こり、同士に反応性ガス導入感20から塩素ガス22を
シリコン試料10に供給し、前記シリコン試料10のスパッ
タリング物質及び表面不安定原子と反応し、反応生成物
が基盤表面からガスとして揮発することにより進行す
る。この時の基盤9の温度は約60℃、反応性ガス流量は
10sccmである。エッチングレートは、当然のことながら
エッチング条件に大きく左右されるが、代表的なエッチ
ングレートは本実施例において200Å/minであった。従
来の方法であるアルゴンイオンビームによるエッチング
では、同じ加速電圧下で代表的なエッチングレートは約
250Å/minである。さらに、従来のアルゴンイオンビー
ムエッチングを行ったシリコン試料10の表面付近の、高
分解能透過電子顕微鏡観察によれば、エッチング後の試
料表面付近に多数の転移、ボイド等の欠陥が認められた
のに対し、本実施例におけるシリコン試料の場合は、ほ
とんど欠陥が観察されず、エッチング表面の結晶格子の
乱れが、本発明のエッチング方法を用いた場合の方が格
段に少ないことがわかった。さらに同シリコン試料の走
査型電子顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡による観察にお
いても、従来のアルゴンイオンビームによるエッチング
の場合には、全エッチング量の3%程度の凹凸がエッチ
ング面に観察されたが、本実施例においては、その凹凸
が全エッチング利用の1%程度であった。このことは、
従来の方法とほぼ同程度のエッチングレートが、基板表
面の損傷をより小さくして得られたことを示している。In the etching, sputtering and surface atom destabilization occur in the silicon sample 10 due to the collision of clusters, and a chlorine gas 22 is supplied to the silicon sample 10 from a reactive gas introduction feeling 20 to each other, and the sputtering material of the silicon sample 10 is sputtered. And reacts with surface unstable atoms, and the reaction product proceeds by volatilizing as a gas from the substrate surface. At this time, the temperature of the base 9 is about 60 ° C., and the reactive gas flow rate is
10 sccm. The etching rate naturally depends greatly on the etching conditions, but a typical etching rate was 200 ° / min in this example. In the conventional method of etching with an argon ion beam, a typical etching rate is about
250Å / min. Furthermore, according to observation with a high-resolution transmission electron microscope near the surface of the silicon sample 10 on which the conventional argon ion beam etching was performed, many defects such as transitions and voids were found near the sample surface after the etching. On the other hand, in the case of the silicon sample in this example, almost no defects were observed, and it was found that the disorder of the crystal lattice on the etched surface was much smaller when the etching method of the present invention was used. Further, in the observation of the same silicon sample with a scanning electron microscope and a scanning tunneling microscope, in the case of etching with a conventional argon ion beam, irregularities of about 3% of the total etching amount were observed on the etched surface. In the example, the unevenness was about 1% of the total etching use. This means
This shows that an etching rate substantially equal to that of the conventional method was obtained with less damage to the substrate surface.
なお、上述の実施例においては、クラスターの生成方
法として、ノズルを通した高真空中への噴出に伴う、気
体の断熱凝縮による生成方法を用いたが、他の生成方法
として極低温に冷却し作製したガスの固体表面に、イオ
ンビーム、電子ビーム、レーザー光等で衝撃を与えクラ
スターを脱離して生成しても構わない。また同じく反応
性の高い化学種で構成されるクラスターと不活性種で構
成されるクラスターを同時に用いてもエッチング可能で
ある。また、クラスターのイオン化の方法として、フィ
ラメントからの電子衝撃による方法を示したが、レーザ
ー光等を照射する方法でも構わない。さらにここではク
ラスターをイオン化、平衡ビーム化して加速する方法を
示したが、被エッチング形状に異方性が要求されないな
らば、イオン化せずにクラスター生成の際の運動エネル
ギーのみを用いてもエッチングは進行する。Note that, in the above-described embodiment, as a method of generating clusters, a method of generating gas by adiabatic condensation accompanying ejection into a high vacuum through a nozzle was used. The solid surface of the produced gas may be impacted by an ion beam, an electron beam, a laser beam, or the like, and the cluster may be desorbed to generate the gas. Also, etching can be performed by simultaneously using a cluster composed of highly reactive chemical species and a cluster composed of inert species. Further, as a method of ionizing clusters, a method using electron impact from a filament has been described, but a method of irradiating a laser beam or the like may be used. Furthermore, here, the method of accelerating the ionization and equilibrium beam of the cluster has been described. However, if the shape to be etched does not require anisotropy, the etching can be performed by using only the kinetic energy for cluster generation without ionization. proceed.
(発明の効果) 以上述べてきたように本発明のエッチング方法では、
通常のイオンビームと比較して構成原子またはイオンの
エネルギーが1/100程度であるような、クラスターイオ
ンビームの低エネルギー性を用いるため、スパッタリン
グによる試料表面の損傷を小さくしつつ、多数個の原子
またはイオンからなるクラスターを用いることにより実
質的なイオン電流を充分に確保できるため、試料表面で
のスパッタリングを充分に起こさせることができるそし
て、反応性の高い物質で構成されるクラスターを同時に
用いる場合には、生成した反応性の高いラジカルと前記
スパッタリングされた原子あるいは分子との化学反応に
よるアシスト効果をエッチングに付与でき、従来のイオ
ンビームエッチング装置と同じ程度の早さのエッチング
が実現される。さらにクラスター照射と同時に反応性の
高いガスを流すことにより、該反応性ガスと前記スパッ
タリングされた原子あるいは分子との化学反応によるア
シスト効果をエッチングに付与でき、従来のイオンビー
ムエッチング装置と同じ程度の早さのエッチングが実現
される。(Effect of the Invention) As described above, in the etching method of the present invention,
Since the low energy property of the cluster ion beam is used such that the energy of the constituent atoms or ions is about 1/100 of that of a normal ion beam, a large number of atoms Alternatively, since a substantial ion current can be sufficiently secured by using a cluster composed of ions, sputtering on the sample surface can be sufficiently caused.When a cluster composed of a highly reactive substance is used at the same time In this method, an assisting effect due to a chemical reaction between the generated highly reactive radicals and the sputtered atoms or molecules can be imparted to the etching, and the etching can be performed as fast as a conventional ion beam etching apparatus. Further, by flowing a highly reactive gas at the same time as the cluster irradiation, an assist effect due to a chemical reaction between the reactive gas and the sputtered atoms or molecules can be given to the etching, and the same effect as in a conventional ion beam etching apparatus can be obtained. Fast etching is realized.
第1図は、本発明のエッチング方法の実施例を説明する
ためのエッチング装置の断面図である。第2図は、従来
技術を説明するためのイオンビームエッチング装置の断
面図である。図中、1:クラスター原料ガスボンベ、2:ソ
ースチャンバー、3:ノズル、4:エッチングチャンバー、
5:中性クラスター、6:フィラメント、7:イオン化クラス
ター、8:加速電極、9:基板、10:試料、11:アルゴンガ
ス、12:アルゴンイオン、13:イオンソース、14:カソー
ド、15:電子、16:マグネット、19:コリメータ、20:反応
性ガス導入管、22:塩素ガスである。FIG. 1 is a sectional view of an etching apparatus for explaining an embodiment of the etching method of the present invention. FIG. 2 is a sectional view of an ion beam etching apparatus for explaining the prior art. In the figure, 1: cluster gas cylinder, 2: source chamber, 3: nozzle, 4: etching chamber,
5: neutral cluster, 6: filament, 7: ionization cluster, 8: acceleration electrode, 9: substrate, 10: sample, 11: argon gas, 12: argon ion, 13: ion source, 14: cathode, 15: electron , 16: magnet, 19: collimator, 20: reactive gas inlet tube, 22: chlorine gas.
Claims (2)
料表面に対する物理的およびまたは化学的作用により試
料表面原子を試料表面から脱離せしめることにより、試
料表面を触刻するエッチング工程において、前記試料表
面に化学種をクラスターとして供給しつつ、反応性の高
い化学種を試料表面に同時に供給することを特徴とする
エッチング方法。1. An etching step of supplying a chemical species to a sample surface and contacting the sample surface by desorbing the sample surface atoms from the sample surface by physical and / or chemical action of the chemical species on the sample surface. 3. The etching method according to claim 1, wherein chemical species having high reactivity are simultaneously supplied to the sample surface while supplying the chemical species as clusters to the sample surface.
部分で生成されたクラスターを導入する真空排気機構を
含むエッチングチャンバー部分と、前記クラスターをイ
オン化する部分と、試料を前記イオン化クラスタービー
ム中で保持する基板と、前記イオン化クラスターを基板
に向けて電界により加速する加速電極と、前記イオン化
クラスターを平行ビーム化するコリメーター部分と、前
記試料と反応性を有するガスを充填した部分と、該反応
性ガスをエッチングチャンバー中の基板上の試料表面に
必要量導入する部分とを具備することを特徴とするエッ
チング装置。2. A cluster generating part, an etching chamber part including a vacuum evacuation mechanism for introducing a cluster generated by the cluster generating part, a part for ionizing the cluster, and a sample held in the ionized cluster beam. A substrate, an accelerating electrode for accelerating the ionized cluster by an electric field toward the substrate, a collimator portion for converting the ionized cluster into a parallel beam, a portion filled with a gas reactive with the sample, and the reactive gas. And a portion for introducing a required amount of sample into the sample surface on the substrate in the etching chamber.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2639158B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015087689A1 (en) * | 2013-12-13 | 2015-06-18 | 富士フイルム株式会社 | Pattern formation method, and method for producing electronic device |
US10522372B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-12-31 | Toshiba Memory Corporation | Plasma processing device |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2662321B2 (en) * | 1991-05-31 | 1997-10-08 | 科学技術振興事業団 | Surface treatment method using ultra-slow cluster ion beam |
US5286331A (en) * | 1991-11-01 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Supersonic molecular beam etching of surfaces |
DE4227237C2 (en) * | 1992-08-19 | 1995-08-10 | Juergen Dr Gspann | Process for agglomerate beam lithography |
JPH08153700A (en) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Anisotropic etching of electrically conductive coating |
WO2002005315A2 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Epion Corporation | System and method for improving thin films by gas cluster ion be am processing |
JP3816484B2 (en) | 2003-12-15 | 2006-08-30 | 日本航空電子工業株式会社 | Dry etching method |
JP2006272076A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seinan Kogyo Kk | Surface modifying method using ion beam |
US8835880B2 (en) | 2006-10-31 | 2014-09-16 | Fei Company | Charged particle-beam processing using a cluster source |
FR2946457B1 (en) * | 2009-06-05 | 2012-03-09 | St Microelectronics Sa | METHOD OF FORMING A LEVEL OF AN INTEGRATED CIRCUIT BY SEQUENTIAL THREE DIMENSIONAL INTEGRATION |
JP5387382B2 (en) * | 2009-12-17 | 2014-01-15 | 富士電機株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5964182B2 (en) * | 2012-08-30 | 2016-08-03 | 岩谷産業株式会社 | Processing method by cluster |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59119666A (en) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Fujitsu Ltd | Ion beam irradiation device |
JPS59155935A (en) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Agency Of Ind Science & Technol | Forming method of pattern by using plasma |
JPS62149133A (en) * | 1985-12-24 | 1987-07-03 | Hitachi Ltd | Surface processing device for substrate |
JPS62249410A (en) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Ltd | Surface preparation device for substrate |
JPS6338232A (en) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for surface treating substrate |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2042957A patent/JP2639158B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015087689A1 (en) * | 2013-12-13 | 2015-06-18 | 富士フイルム株式会社 | Pattern formation method, and method for producing electronic device |
JP2015132811A (en) * | 2013-12-13 | 2015-07-23 | 富士フイルム株式会社 | Pattern formation method, and method for producing electronic device |
US10522372B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-12-31 | Toshiba Memory Corporation | Plasma processing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03163825A (en) | 1991-07-15 |
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