JP2003243358A - 洗浄方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

洗浄方法および半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2003243358A
JP2003243358A JP2002035387A JP2002035387A JP2003243358A JP 2003243358 A JP2003243358 A JP 2003243358A JP 2002035387 A JP2002035387 A JP 2002035387A JP 2002035387 A JP2002035387 A JP 2002035387A JP 2003243358 A JP2003243358 A JP 2003243358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
ultrasonic
electrode
plasma
plasma reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002035387A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3876167B2 (ja
JP2003243358A5 (ja
Inventor
Katsunori Suzuki
克典 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawasaki Microelectronics Inc
Original Assignee
Kawasaki Microelectronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Microelectronics Inc filed Critical Kawasaki Microelectronics Inc
Priority to JP2002035387A priority Critical patent/JP3876167B2/ja
Priority to US10/361,570 priority patent/US6897161B2/en
Publication of JP2003243358A publication Critical patent/JP2003243358A/ja
Publication of JP2003243358A5 publication Critical patent/JP2003243358A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3876167B2 publication Critical patent/JP3876167B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】対向電極に代表されるプラズマ反応室構成部品
からのパーティクルの発生を抑制することができ、プラ
ズマ反応室構成部品の本来の寿命まで使用することを可
能にするプラズマ反応室構成部品の洗浄方法、および本
発明のプラズマ反応室構成部品の洗浄方法を適用するこ
とにより、製造加工される半導体ウエハへのパーティク
ルの落下を防止することができ、それを適用して製造さ
れる半導体装置の歩留まりの低下を抑制することができ
る半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】純水１２中に浸漬されたガスノズル孔が形
成されたシリコン製電極１０１に、ホーン２を使ってそ
の端面２ａから振動子入力電力と前記端面２ａの面積と
の比によって定義される超音波パワー密度が５Ｗ／ｃｍ
2 以上の超音波を照射する。これにより、ガスノズル孔
内面に付着したプラズマ反応生成物を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路な
どの半導体装置の製造工程に用いられるプラズマ装置の
反応室構成部品の洗浄方法および半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ装置は、半導体装置の製造技術
として広く用いられている。その中で、平行平板の電極
を配設した反応室を持つプラズマ装置は、ドライエッチ
ングまたは化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor
Deposition ）に一般的に用いられている。このような
プラズマ装置の場合、プラズマに曝される反応室構成部
品としては、半導体ウエハに対向する電極が大きな割合
を占める。
【０００３】具体的な例として、半導体装置の絶縁材料
として用いられるシリコン酸化膜のドライエッチングに
ついて説明する。この場合には、フロロカーボン系プラ
ズマが用いられる。このとき、半導体ウエハに対向する
電極にはシリコン製電極、カーボン製電極またはアルミ
ニウム合金の表面に陽極酸化膜が形成されたアルミアル
マイト製電極（以下、アルマイト製電極という）が通常
用いられる。なかでも、シリコン製電極は、カーボン製
電極およびアルマイト製電極と比較してスパッタ侵食レ
ートが低く、寿命が長いという優れた特性を有してい
る。
【０００４】図６は、ドライエッチング装置を示す模式
的断面図であり、上述のプラズマ装置の一例を示すもの
である。図７は、このようなドライエッチング装置に設
けられるシリコン製電極を示す平面図である。図６に示
すドライエッチング装置においては、ハウジング１１１
内に上部電極１００と下部電極１０９とが対向して設け
られており、上部電極１００と下部電極１０９とにより
平行平板電極を構成する。また、平行平板間の領域が反
応室１０６となる。
【０００５】上部電極１００は、上部石英治具１１０に
周囲を囲まれてハウジング１１１に設けられている。上
部電極１００は、上部電極基台１０４、ガス分散板１０
３、冷却板１０２およびシリコン製電極１０１からなる
ものである。シリコン製電極１０１には、複数のガスノ
ズル孔（微細孔）１２０（図７参照）が形成されてい
る。上部電極基台１０４には、反応性ガスが導入される
ガス導入口１０５が形成されており、ガス分散板１０
３、冷却板１０２およびシャワーヘッドとして兼用され
るシリコン製電極１０１に形成されたガスノズル孔１２
０を通じて反応性ガスが反応室１０６内に均一に導入さ
れる。
【０００６】また、下部電極１０９は、下部石英治具１
１２に周囲を囲まれており、下部石英治具１１２は、枠
体１１４の上に基台１１３を介してハウジング１１１内
に設けられている。下部電極１０９の上面に静電チャッ
ク１０８を介して半導体ウエハ１０７が設けられてい
る。これにより、半導体ウエハ１０７は、静電チャック
１０８によりシリコン製電極１０１と対向するように固
着される。
【０００７】上部電極１００および下部電極１０９の間
には高周波電源１３０から高周波電力スプリッタ１３１
を介して高周波が印加される。プラズマ化させるガス、
例えばフロロカーボン系のガスをガス導入口１０５から
上部電極１００を通過させて反応室１０６に導入し、上
部電極１００と下部電極１０９との間に高周波を印加す
ることにより、フロロカーボン系プラズマを生成させ
る。この場合、上部電極１００および下部電極１０９は
それぞれ石英治具１１０、１１２により囲まれているの
で、平行平板電極間にプラズマが集中する。
【０００８】シリコン製電極１０１の寸法は、半導体ウ
エハ１０７のサイズに依存する。半導体ウエハ１０７
が、例えば８インチウエハの場合、直径が２８０ｍｍ、
厚さが５ｍｍのシリコン製電極１０１が使用される。こ
のとき、図７に示すように、シリコン製電極１０１には
直径が０．５ｍｍのガスノズル孔１２０が６４０個形成
されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマ装
置の反応構成部品には、プラズマ放電時間に応じて反応
生成物が蓄積することから、定期的な洗浄作業が必要と
なる。特に、上部電極１００（対向電極）は、半導体ウ
エハ１０７に近接しているために、反応室構成部品の中
でも、特に高い清浄度が要求される。
【００１０】しかし、図６に示すように、上部電極１０
０の中でも、半導体ウエハ１０７に直接対向するシリコ
ン製電極１０１は、反応ガスのシャワーヘッドの役割を
兼ねるため、微細なガスノズル孔１２０が多数形成され
た複雑な形状を有する。このため、いったん蓄積した反
応生成物が容易に除去できないという問題点がある。こ
の結果、性能限界としての寿命（スパッタ侵食の進行に
よってエッチング特性悪化に到る）とは別に、反応生成
物の蓄積によって、対向する半導体ウエハ１０７上への
パーティクル落下が始まる問題点がある。このため、実
用に足る使用時間の制限がなされていた。そして、実用
に足る使用時間は性能限界としての寿命よりもしばしば
極めて短時間に抑えられていた。
【００１１】例えば、図６に示すシリコン製電極１０１
は、上述のように、長寿命という潜在的な特性を有して
いる。ところが、シリコン酸化膜のエッチングに使用さ
れるドライエッチング装置にシリコン製電極１０１を用
いて実際にドライエッチングを行った場合、高周波印加
（放電）の累積時間が１５０時間程度に達した時点でパ
ーティクルが発生し、それ以上の使用が不可能になると
いう問題点がある。すなわち、シリコン製電極１０１
は、スパッタ侵食レートから算出される寿命に到達する
以前にパーティクルの発生によって実効的な寿命が律速
されてしまう。なお、この１５０時間という累積時間
は、はるかにスパッタ侵食レートが大きいカーボン製電
極の寿命と同程度である。
【００１２】図８（ａ）はシリコン製電極を示す縦断面
図、（ｂ）は反応生成物がガスノズル孔内面に付着し、
実効的な寿命に至ったシリコン製電極を示す縦断面図で
ある。シリコン製電極１０１のガスノズル孔１２０は、
一般的に図８（ａ）に示すように、シリコン製電極１０
１の厚さ方向に貫通するように形成されている。ドライ
エッチング装置で使用した後のシリコン製電極１０１の
ガスノズル孔１２０は、半導体ウエハ１０７に対向する
対向面１０１ａにおいては、スパッタ侵食され漏斗状に
拡径される。
【００１３】また、図８（ｂ）に示すように、シリコン
製電極１０１をエッチング装置で使用していると、プラ
ズマ反応生成物からなる反応生成物層１２１がガスノズ
ル孔１２０の内壁に沿って筒状に形成される。反応生成
物層１２１は、厚さが３μｍ程度である。この反応生成
物層１２１をエネルギ分散Ｘ線分光法により分析したと
ころ、Ｓｉのピークは観測されず、Ｃ、ＦおよびＯの軽
元素のピークのみが観測されている。このことから、反
応生成物層１２１は、シリコン酸化膜用のドライエッチ
ング装置のエッチャントであるフロロカーボン系ガスが
プラズマ中で分解、重合することによって気相成長した
フッ素系ポリマーであるといえる。図８（ｂ）に示す反
応生成物層１２１は、電極の材質に依らず、シリコン製
電極、カーボン製電極およびアルマイト製電極の全てに
共通して観察されている。なお、以下、本明細書におい
て、反応生成物層１２１をＣＦｘポリマー層１２１とい
う。
【００１４】ＣＦｘポリマー層１２１は、通常、シリコ
ン酸化膜のドライエッチング装置の対向電極以外のその
他の反応室構成部品の表面にも一般的に形成されるもの
である。プラズマが照射されるチャンバ構成部品とし
て、上部電極１００以外のものは、主として石英または
アルミアルマイトよりなるが、これらの表面に形成され
るＣＦｘポリマー層１２１は、フッ素系有機溶媒による
膨潤特性を利用して洗浄することにより除去することが
可能である。
【００１５】一方、図８（ｂ）に示すシリコン製電極１
０１のガスノズル孔１２０の内壁に形成されたＣＦｘポ
リマー層１２１は、他の反応室構成部品上に形成された
ＣＦｘポリマー層（図示せず）に比して、構造的に緻密
であり、フッ素系有機溶媒による膨潤特性を殆ど示さな
いことが、本願発明者等によって明らかにされている。
従って、図８（ｂ）に示すシリコン製電極１０１のガス
ノズル孔１２０内壁に形成されたＣＦｘポリマー層１２
１は、フロロカーボン系ガスを利用したプラズマ反応室
の構成部品の洗浄に一般的に用いられているフッ素系有
機溶媒では洗浄除去できない。
【００１６】上述のフッ素系有機溶媒のような洗浄液を
用いた薬液洗浄以外で、反応室内に蓄積されたＣＦｘポ
リマー層１２１を除去する方法としては、クリーニング
ガスを用いたドライクリーニング法が知られている。し
かし、この方法の場合、プラズマが効率的に照射される
部分に対する効果は高いものの、プラズマ照射量が少な
いガスノズル孔１２０の内壁部に対する洗浄効果は低
い。このため、クリーニング時間が、長時間に及び、ス
ループットおよびコストの面で採算が合わず、結局シリ
コン製電極１０１を短寿命で交換せざるを得ないという
問題点がある。
【００１７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、対向電極に代表されるプラズマ反応室構成部
品からのパーティクルの発生を抑制することができ、プ
ラズマ反応室構成部品の本来の寿命まで使用することを
可能にするプラズマ反応室構成部品の洗浄方法を提供す
ることを目的とする。
【００１８】また、本発明の他の目的は、本発明のプラ
ズマ反応室構成部品の洗浄方法を適用することにより、
製造加工される半導体ウエハへのパーティクルの落下を
防止することができ、それを適用して製造される半導体
装置の歩留まりの低下を抑制することができる半導体装
置の製造方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本願第１の発明は、微細孔を有するプラズマ反応室
構成部品の洗浄方法であって、洗浄溶媒中で、超音波
を、ホーンを使って超音波放射面から、振動子入力電力
と前記超音波放射面の面積との比によって定義される超
音波パワー密度が５Ｗ／ｃｍ2 以上の条件で、前記構成
部品の前記微細孔に向けて照射することによって、前記
微細孔内面に付着したプラズマ反応生成物を除去するこ
とを特徴とする洗浄方法を提供するものである。
【００２０】本願第２の発明は、微細孔を有するプラズ
マ反応室構成部品の洗浄方法であって、洗浄溶媒中で、
前記微細孔の深さ方向の全域に及ぶキャビテーションを
発生させることによって、前記微細孔内面に付着したプ
ラズマ反応生成物を除去することを特徴とする洗浄方法
を提供するものである。
【００２１】また、前記洗浄溶媒中の前記超音波の波長
の２乗の値は、前記超音波放射面の面積の値よりも大き
いことが好ましい。
【００２２】本発明おいて、前記構成部品がシリコン製
の部品である場合、８Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密
度で超音波を照射することが好ましい。この場合、より
好ましくは、１８Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密度で
超音波を照射する。
【００２３】また、前記プラズマ反応生成物は、例えば
ＣＦｘポリマーである。
【００２４】前記超音波または前記キャビテーションに
よる洗浄の後に、前記微細孔内面に部分的に残留した前
記プラズマ反応生成物を物理洗浄によって除去すること
が好ましい。この場合、前記構成部品は、シリコン製の
部品であり、前記超音波または前記キャビテーションに
よる洗浄が、前記微細孔内面に付着した前記プラズマ反
応生成物に加えて、前記微細孔内面と前記プラズマ反応
生成物との間に形成された中間反応層を除去するもので
あり、前記物理洗浄は、前記超音波または前記キャビテ
ーションによる洗浄の後に、部分的に残留した前記プラ
ズマ反応生成物および前記中間反応層を除去するもので
ある。
【００２５】また、本願第３の発明は、フロロカーボン
系ガスを使用するプラズマエッチング装置を用いて半導
体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記
プラズマエッチング装置内の前記フロロカーボン系ガス
供給用ガスノズル孔を前記微細孔として有するプラズマ
生成用電極を前記構成部品として、請求項１乃至８のい
ずれか１項に記載の洗浄方法で洗浄して前記ガスノズル
孔内面に付着したプラズマ生成物を除去することによっ
て繰り返し使用することを特徴とする半導体装置の製造
方法を提供するものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る洗浄方法およ
び半導体装置の製造方法について、添付の図面に示され
る好適実施例を基に詳細に説明する。図１は、本発明の
実施例に係る洗浄方法を実施する洗浄装置を示す模式的
断面図である。本実施例においては、プラズマ反応室構
成部品として、例えば、図７に示すシリコン製電極１０
１を洗浄する場合について説明する。
【００２７】本実施例に係る洗浄方法を実施する洗浄装
置においては、図１に示すように、洗浄槽１０に電極ク
ランプ１１が設けられている。洗浄槽１０内に洗浄溶媒
として、例えば純水１２が満たされる。また、電極クラ
ンプ１１によってシリコン製電極１０１の縁部が挟持さ
れる。洗浄槽１０の上方には超音波振動子１が配置さ
れ、この超音波振動子１に接続部３を介してホーン２が
接続されている。ホーン２は、純水１２中にその先端部
が浸水して配置されており、ホーン２の端面２ａとシリ
コン製電極１０１とは近接している。超音波振動子１に
入力電力を供給し、超音波振動を発生させると、接続部
３およびホーン２を介して超音波が軸方向に伝達され、
洗浄溶媒中に位置されたホーン２の端面２ａが、シリコ
ン製電極１０１の表面に対して垂直な方向Ｍに振動す
る。これによって、超音波振動子１自体からではなく、
ホーン２の端面２ａから、洗浄溶媒中に超音波が放射さ
れ、端面２ａに近接した範囲のシリコン製電極１０１に
照射される。この場合、ホーン２の端面２ａが超音波放
射面となり、その面積によって超音波放射面の面積が与
えられる。また、ホーン２の形状を適切に設定すること
により、超音波振動の振幅を増幅し、超音波振動子１の
振幅よりも大きな振幅を、ホーン２の端面２ａにおいて
得ることが可能である。
【００２８】超音波振動子１に駆動機構（図示せず）が
設けられており、この駆動機構には駆動源（図示せず）
に接続されている。これにより、超音波振動子１は、ホ
ーン２とともに、シリコン製電極１０１の直径方向Ｓに
移動可能である。図１の洗浄装置の洗浄槽１０に純水１
２を満たし、洗浄対象のシリコン製電極１０１を取り付
けることなく、超音波振動子１を動作させると、後から
説明する、洗浄効果が確認される超音波パワー密度範囲
においては、電極の厚さに対応する領域、もしくはそれ
以上の深さの領域の全体において激しい気泡の発生が見
られた。すなわち、少なくとも、電極の厚さに対応する
領域の全体においてキャビテーションが発生しているこ
とが分かる。そして、シリコン製電極１０１を取り付け
て超音波を照射すると反対側の面のガスノズル孔１２０
の開口部から気泡が激しく噴出することが観察された。
従って、ガスノズル孔１２０を有する電極に、洗浄効果
が得られるパワー密度の超音波を照射した場合には、ガ
スノズル孔１２０の深さ方向の全体にわたって、すなわ
ち、電極板を厚さ方向に貫通するガスノズル孔１２０
の、超音波を照射する側の面の開口部から反対側の面の
開口部に到る全体にわたって、キャビテーションが発生
することが分かる。このキャビテーションは「蒸気性キ
ャビテーション」と呼ばれるものである。例えば、気体
が過飽和に含まれた液中では、微小な超音波パワー密度
においても気体性キャビテーションと呼ばれるキャビテ
ーションが発生する。本発明において利用するキャビテ
ーションはそれとは異なり、ある程度以上の高い超音波
パワー密度において発生するものである。
【００２９】図１の洗浄装置を用いてシリコン製電極１
０１の洗浄を行うためには、超音波振動子１を動作さ
せ、ホーン２により純水１２中にキャビテーションを、
シリコン製電極１０１の厚さ方向の少なくとも全域にわ
たるように発生させる。すなわち、少なくとも、シリコ
ン製電極１０１を厚さ方向に貫通するガスノズル孔１２
０の深さ方向の全域にわたってキャビテーションを発生
させ、この状態を維持しつつ、超音波振動子１をホーン
２とともに直径方向Ｓに走査してそれぞれのガスノズル
孔１２０の洗浄を行う。
【００３０】本願発明者が知見したように、ガスノズル
孔１２０内壁に形成されたＣＦｘポリマー層１２１はフ
ッ素系有機溶媒では洗浄除去できない。しかしながら、
本発明の洗浄方法よれば、このＣＦｘポリマー層１２１
を除去することができる。
【００３１】また、本実施例の洗浄方法においては、図
１に示す超音波振動子１の入力される電力と、ホーン２
の端面２ａ（超音波放射端面）の面積との比によって定
義される超音波パワー密度を５Ｗ／ｃｍ2 以上とするこ
とにより、上述の如く、少なくともシリコン製電極１０
１の厚さ方向の全域にわたり、キャビテーションを発生
させることができ、ガスノズル孔１２０の内壁に形成さ
れたＣＦｘポリマー層１２１を除去することができる。
【００３２】超音波パワー密度が５Ｗ／ｃｍ2 未満であ
ると、物理洗浄力の不足から最も清浄度が要求されるシ
リコン製電極１０１のＣＦｘポリマー層１２１を除去す
ることができない。この超音波パワー密度の上限値は特
に限定されるものではないが、実用的には、３５Ｗ／ｃ
ｍ2 以下とすることが好ましい。超音波パワー密度が３
５Ｗ／ｃｍ2 を超えるようにするにはホーン２の端面２
ａの面積を小さくしなければならず、超音波振動子１を
ある位置に固定した状態で洗浄することができる洗浄領
域を大きくすることができない。このため、超音波振動
子１を走査してシリコン製電極１０１の全体を洗浄する
ために必要な時間が長くなる。また、被洗浄部品の材質
によっては、エロージョンが発生する虞がある。
【００３３】本発明においては、超音波パワー密度が５
Ｗ／ｃｍ2 以上得られれば、いかなる超音波振動子１で
あってもよい。しかしながら、標準的な超音波振動子で
は５Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密度を得ることは難
しい。このため、ホーン２を使って、すなわち、超音波
振動子１から超音波を直接照射するのではなく、ホーン
２で超音波を伝送し、振幅を増幅してから放射すること
により、超音波パワー密度を確保することが実際的であ
る。
【００３４】また、本実施例において、洗浄溶媒は、純
水１２であることが好ましい。純水１２の温度は、４０
乃至６０℃であることが好ましい。
【００３５】さらに、ホーン２の端面２ａとシリコン製
電極１０１との間隔は、３ｍｍ以下にすることが好まし
い。この間隔を３ｍｍ以下にすることにより、より高い
洗浄効果を得ることができる。なお、本発明において
は、ホーン２の端面２ａとシリコン製電極１０１とが接
触してはいけない。このため、ホーン２の端面２ａの振
幅量よりも、ホーン２の端面２ａとシリコン製電極１０
１とを離す必要がある。本実施例において、振幅量は３
０μｍ程度であるので、前記間隔を３０μｍよりも離す
必要がある。さらにまた、ホーン２の浸水深さは、５乃
至１５ｍｍとすることが好ましい。
【００３６】また、シリコン製電極１０１は、ガスノズ
ル孔１２０が拡径している対向面１０１ａをホーン２の
端面２ａに対向させて配置することが好ましい。これに
より、キャビテーション領域がガスノズル孔１２０内に
進入しやすくなり、洗浄効果をより高めることができ
る。なお、対向面１０１ａから洗浄を行うことに加え
て、さらに対向面１０１ａの裏面側から洗浄することに
よってさらに洗浄効果を高めることができる。
【００３７】ところで、超音波パワー密度が高い程、清
浄度が向上することから、上部電極１００をはじめとす
るチャンバー構成部品の洗浄メカニズムは、超音波の照
射に伴い発生する蒸気性キャビテーションの効果を利用
したものといえる。超音波エネルギーが直接洗浄に作用
するメカニズムであれば、キャビテーションによって発
生する大量の気泡により、超音波エネルギの伝播は、阻
害される方向となるため、むしろ洗浄効果は下がるはず
である。このことから、本発明で示された洗浄メカニズ
ムは、蒸気性キャビテーション効果であって、気泡消滅
時に生じる高圧力の衝撃波が起こす物理作用を用いたも
のと理解できる。よって、本発明においては、超音波振
動子１の周波数は、蒸気性キャビテーションが発生しや
すい超音波周波数である１５乃至５０ｋＨｚの領域が好
ましい。さらに好ましくは、超音波振動子１の周波数
は、ホーン２を介して振動振幅が増幅可能となる領域で
ある１５乃至３０ｋＨｚとするのが良い。超音波振動子
１の振幅を、ホーン２によって、例えば２０乃至４０倍
に増幅して照射することが可能である。
【００３８】本発明においては、上述の如く、キャビテ
ーションが少なくともシリコン製電極１０１の厚さ方向
の全域を覆うように発生すればよい。このため、超音波
振動子１による方法以外にも、例えば特開平７−２４１
４９４号公報に記載されたように、ウォータージェット
ノズルを介して高圧水液を液相中に噴出させてキャビテ
ーションを発生させる方法もある。この場合、液相中に
生じる噴流の乱れと、周囲の液相とのせん断作用との複
合効果によりキャビテーションが発生する。
【００３９】また、さらに清浄度を向上させたい場合に
は、上述のキャビテーションを利用した洗浄後に、別種
の洗浄を組み合わせて行うのが良い。化学的洗浄と本発
明の洗浄とを組み合わせる場合、被洗浄物の材質が制限
される。このため、本発明の洗浄方法以外の別種の物理
洗浄と組み合わせることが好ましい。
【００４０】別種の物理洗浄としては、例えばブラスト
洗浄を挙げることができる。ブラスト洗浄は、物理照射
エネルギを調整できるので好ましい。このため、被洗浄
部品の材質によって種々調整可能であるという利点があ
る。ブラスト洗浄は、サンドブラストおよびドライホー
ニングなどのいずれの方法でもよい。プラズマ構成部品
の材質により、特にペレットとしてドライアイスまたは
プラスチックを用いるブラスト洗浄が好ましい。ドライ
アイスまたはプラスチックを用いるブラスト洗浄であれ
ば、被洗浄部品の材質が、例えばシリコン、カーボンま
たはアルマイトであっても表面に損傷を生じさせること
がない。ブラスト洗浄を行うと、キャビテーションによ
る洗浄により除去されず、部分的に一部残留したＣＦｘ
ポリマー層１２１が除去される。この場合、キャビテー
ションによる洗浄により残留したＣＦｘポリマー層１２
１はガスノズル孔１２０の内壁から剥離しかかっている
ものが多いことを本願発明者は知見している。このた
め、ブラスト洗浄を行うことにより、ペレットがガスノ
ズル孔１２０内に進入し、上述の剥離しかかっているＣ
Ｆｘポリマー層１２１が除去される。これにより、ガス
ノズル孔１２０の清浄度がさらに向上する。
【００４１】このブラスト洗浄は、ペレットの進入のし
やすから対向面１０１ａ側から行うことが好ましい。対
向面１０１ａ側からに加えて、さらに、対向面１０１ａ
の裏面側からも行うことがさらに好ましい。なお、別種
の物理洗浄は、キャビテーションによる洗浄の前後いず
れの段階で実施することも可能である。しかし、上記の
ように剥離しかかっているＣＦｘポリマー層１２１を除
去するためには、別種の物理洗浄は、キャビテーション
による洗浄の後に実施することが好ましい。もしくは、
別種の物理洗浄はキャビテーションによる洗浄の前後の
両方で実施してもよい。
【００４２】このように、本発明の洗浄方法において
は、キャビテーションをシリコン製電極１０１のガスノ
ズル孔１２０の深さ方向の全域に及ぶようにすることに
より、ガスノズル孔１２０の内面に付着したＣＦｘポリ
マー層１２１を、効果的に除去することができる。この
場合、シリコン製電極１０１の表面には損傷を与えるこ
とがないので、ガスノズル孔１２０内面のマイクロラフ
ネスの増加および微細孔の拡径が抑制される。このた
め、構成部品を洗浄後、再利用することができる。この
ようにして、シリコン製電極１０１を本来の寿命まで使
用することができる。本発明においては、ＣＦｘポリマ
ー層１２１以外の汚れについても除去することができ、
シリコン製電極１０１のその他の部位の付着した汚れに
ついても除去できる。また、本発明においては、ホーン
２を直径方向Ｓに走査して洗浄したが、これに限定され
るものではなく、ホーン２の長さがガスノズル孔１２０
の形成領域よりも短い場合には、ホーン２を複数回走査
させて洗浄してもよい。また、ホーン２の長さをシリコ
ン製電極１０１の半径と同じにし、ホーン２を時計方向
または反時計方向に回転させるようにして洗浄してもよ
い。なお、本発明においては、ガスノズル孔１２０の直
径が、例えば０．３乃至０．８ｍｍものについて良好な
洗浄結果を得ることができる。
【００４３】なお、本発明においては、シリコン製電極
１０１を洗浄したが、これに限定されるものではなく、
他の部品であっても、微細孔を有するものについては、
上述と同様の効果を得ることができる。その中でも、キ
ャビテーションによる洗浄効果を効果的に利用するため
には、シリコン製電極１０１と同様に部品を貫通する微
細孔、特に、部品を直線的に貫通する微細孔を有するも
のについて良好に適用できる。また、電極の材質はシリ
コンに限定されるものではなく、ドライエッチング装置
の対向電極に適用されるものであれば、いずれの材質に
おいても上述の洗浄効果を得ることができる。
【００４４】次に、本発明に係る半導体装置の製造方法
について説明する。本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体ウエハのドライエッチング工程に用いるフロロカ
ーボン系ガスを利用するドライエッチング装置のプラズ
マ生成用の電極を、本発明のプラズマ反応室構成部品の
洗浄方法を用いて洗浄して繰り返して使用する工程を含
むものである。プラズマ生成用の電極は、例えば図７に
示すシリコン製電極１０１である。
【００４５】図６に示すドライエッチング装置は、本発
明の半導体装置の製造方法に用いられるものであり、フ
ロロカーボン系ガスを使用してプラズマエッチングする
ものである。ただし、ドライエッチング装置は、図６に
示すものに限定されるものではない。高周波印加方式
は、アノードカップリング方式、カソードカップリング
方式およびスプリット方式のいずれの方式であってもよ
く、異なった２つの周波数の高周波を印加する方式のも
のであってもよい。また、対向電極を有していれば、プ
ラズマの励起周波数はいずれであってもよい。さらにプ
ラズマの発生方式は容量結合および誘導結合のいずれの
方式であってもよい。また、プラズマ励起に際し、磁場
アシストの有無も適宜選択することができる。
【００４６】本発明の半導体装置の製造方法において
は、対向電極を洗浄する時期は適宜選択することができ
る。例えば、図６に示すシリコン製電極１０１であれ
ば、高周波印加の累積時間が約１５０時間に達した時点
でパーティクルが発生することが多いので、１００時間
程度を基準にして洗浄を行ってもよい。
【００４７】本発明においては、微細孔が形成された構
成部品を洗浄して繰り返し使用する。この場合において
も、プラズマ処理装置の反応室内のパーティクル発生数
を常に未使用構成部品を使用した場合なみに抑制するこ
とができ、初期の性能を維持できるとともに、歩留まり
の低下の抑制が図れる。さらに構成部品の寿命を延長す
ることによるコスト低減の効果を得ることができる。
【００４８】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。実施例１ 実施例１は超音波洗浄超音波パワー密度の影響を評価し
たものである。以下、実施例１について説明する。先
ず、図６に示すドライエッチング装置に適用されるカー
ボン製電極、アルマイト製電極およびシリコン製電極の
３種類を用意した。なお、電極は外径が２８０ｍｍ、厚
さが５ｍｍの基板に、直径が０．５ｍｍのガスノズル孔
を７ｍｍピッチで形成したものである。これらの電極に
ついて、ホーン２を電極の対向面１０１ａ側に配置し、
以下に示す条件で洗浄した。ホーン２は、ステンレスか
らなり、端面２ａの形状が矩形状である。端面２ａは、
幅が２５ｍｍ、長さが１５０ｍｍである。この端面２ａ
が超音波放射面となる。従って、超音波放射面の面積は
３７．５ｃｍ2 である。
【００４９】なお、ホーン２の形状は、洗浄対象物の形
状、必要なパワー密度、組み合わせる超音波振動子１の
形状、入力電力、周波数などに応じて適切に選択する。
材質も、ステンレスに限られず、ジュラルミン、チタン
合金等、さまざまに選択できる。超音波放射面となる端
面２ａは、通常は平面に形成される。しかし、端面２ａ
が曲面であったり、長時間の使用の結果凹凸が発生した
ような場合には、超音波が放射される軸方向に対して垂
直な面への投影面積で放射面の面積を算出して、適切な
パワー密度を設定すればよい。
【００５０】超音波の照射条件としては、超音波振動子
１の発振周波数を１５ｋＨｚないし２８ｋＨｚとし、超
音波振動子１の入力電力を７５Ｗ乃至１３００Ｗとし
て、超音波振動子１およびホーン２を２．５ｍｍ／分の
移動速度で直径方向Ｓに走査して洗浄を行った。この
時、ホーン２の端面２ａの長さ方向が走査方向に対して
垂直になるようにした。従って、走査方向には、ホーン
２の幅である２５ｍｍの範囲に超音波が照射されるの
で、それぞれのガスノズル孔１２０は、１個あたり１０
分間、その深さ方向の全域にわたってキャビテーション
に曝されることになる。
【００５１】ホーン２の端面２ａの浸水深さを１０ｍｍ
とし、純水１２の温度を５０℃とした。ホーン２の端面
２ａと電極１０１の面１０１ａとの間隔は３ｍｍとし
た。
【００５２】超音波洗浄後に共通の最終洗浄を行った。
最終洗浄は、純水を洗浄溶媒として、電極を１０分間超
音波洗浄し、その後、イソプロピルアルコールを洗浄溶
媒として、電極を１０分間超音波洗浄したものである。
超音波洗浄の条件は、周波数を２５ｋＨｚとし、超音波
パワー密度を０．５Ｗ／ｃｍ2 とした。
【００５３】最終洗浄を終えた後、各電極をガスノズル
孔１２０の断面が露出するように切断した。そして、切
断面をＳＥＭにより観察しＣＦｘポリマー層１２１の有
無を確認した。その結果を図２に示す。図２は横軸に超
音波パワー密度をとり、縦軸に清浄度をとって超音波パ
ワー密度と清浄度との関係を示すグラフである。縦軸の
「清浄度」は、観察した２０個のガスノズル孔１２０
（微細孔）の中で、ＣＦｘポリマー層１２１の完全な除
去が確認されたものの割合を表す。
【００５４】図２に示すように、カーボン製電極および
アルマイト製電極には、超音波パワー密度が５Ｗ／ｃｍ
2 以上で洗浄効果（ＣＦｘポリマー層の除去）が確認さ
れ、超音波パワー密度が１３Ｗ／ｃｍ2 以上では９５％
の高い清浄度が得られた。一方、シリコン製電極の場合
には、超音波パワー密度が８Ｗ／ｃｍ2 以上で洗浄効果
が確認され、超音波パワー密度が１８Ｗ／ｃｍ2 以上で
は９０％の高い清浄度が得られた。このように、電極の
材質によって具体的な値には違いがあるものの、超音波
パワー密度がある値以上において洗浄効果が得られ、さ
らに超音波パワー密度を増大させることにより清浄度が
増大し、ある値以上においては１００％に近い高い清浄
度が得られることが分かった。前述のように、カーボン
製電極およびアルマイト製電極に対して洗浄効果が得ら
れる５Ｗ／ｃｍ2 のパワー密度においては、既に、電極
の厚さ（５ｍｍ）の全体にわたってキャビテーションが
発生することが観察されている。従って、ガスノズル孔
内壁に付着したＣＦｘポリマーに対する除去効果を得る
ためには、少なくとも、ガスノズル孔の深さ方向の全域
にわたってキャビテーションが発生する条件を選択する
ことが必要だが、十分に高い清浄度（洗浄度）を得るた
めには、さらにパワー密度を増大させることが必要であ
る。パワー密度の増大によって、例えばキャビテーショ
ン領域内の気泡密度が増大し、洗浄効果が高まったもの
と考えられる。
【００５５】なお、高い清浄度が得られた条件において
は、ＣＦｘポリマーの残留が観察されたガスノズル孔１
２０においても深さ方向の全域においてほぼ完全な除去
が実現されており、剥離しかけた微小なＣＦｘポリマー
の残留が認められるのみであった。すなわち、放射面側
のガスノズル孔１２０開口部から一定の深さにのみにし
か洗浄効果が及ばないという状態ではなかった。従っ
て、ある程度の範囲であれば、より厚い電極に形成され
たより深いガスノズル孔の洗浄においても、同様のパワ
ー密度において同様の高い洗浄度が得られると推定でき
る。
【００５６】なお、超音波パワー密度が３５Ｗ／ｃｍ2
を超える洗浄条件ではアルマイト製電極の母材部分、特
にガスノズル孔の開口部近傍において、エロージョンが
確認された。一方、カーボン製電極およびシリコン製電
極では、超音波パワー密度が３５Ｗ／ｃｍ2 を超えても
エロージョンは発生しない。しかし、上述のように、超
音波パワー密度が３５Ｗ／ｃｍ2 を超える場合、ホーン
２の端面２ａの面積を小さくしなければならない。この
ため、同時に洗浄できる領域を大きくしにくく、電極全
体の洗浄に要する時間が長くなるという問題点がある。
また、超音波パワー密度が３５Ｗ／ｃｍ2 を超える場合
には、過度の振幅に対するホーン自体の強度限界によっ
て連続超音波発振できないという虞もある。このよう
に、超音波パワー密度は５Ｗ／ｃｍ2 以上が有効であ
り、好ましくは、シリコン製電極に対しても効果が高い
１８Ｗ／ｃｍ2 以上がよい。いずれの場合においても、
超音波パワー密度の上限値は実用的には３５Ｗ／ｃｍ2
以下であることが好ましい。また、実施例１において
は、電極の片側からの超音波照射のみを実施したが、片
側からの照射に加えて、さらに他面側からも超音波照射
をすれば一層効果的である。
【００５７】なお、ホーン２を使った超音波洗浄につい
ては、特開平８−２４３５１６号公報に、使用する超音
波の洗浄溶媒中での波長の２乗の値がホーンの超音波放
射面の面積の値よりも小さくすることにより、洗浄効率
を高める方法が提案されている。しかし、本願発明者が
知見した範囲では、このような超音波の波長とホーン２
の超音波放射面積との関係による洗浄効率の変化は観察
されなかった。実際、本実施例で使用したホーン２で
は、超音波周波数１５ｋＨｚの場合には、超音波の波長
の２乗の値が超音波放射面の面積の値よりも大きい。こ
のように、超音波の波長の２乗の値がホーン２の超音波
放射面の面積の値よりも大きい場合を含めて、必要なパ
ワー強度および洗浄対象物の形状に対して適切な形状お
よび面積の超音波洗浄面を有するホーン２を使用すれば
よい。例えば、本実施例のように、超音波放射面を細長
い形状とし、その長手方向に垂直な方向に走査すること
により１回の走査によって洗浄できる面積を大きくする
ことが可能である。これにより、洗浄装置の走査機構を
単純化することが可能になる。
【００５８】実施例２ 実施例２は、別種の物理洗浄と組み合わせた場合におけ
るＣＦｘポリマー層の除去効果を評価したものである。
先ず、本実施例においては、実施例１で清浄度が１００
％でない電極についてさらに、別種の物理洗浄を追加し
て行い、ＣＦｘポリマー層１２１の除去効果を評価し
た。実施例１と同じ電極を使用して、２４Ｗ／ｃｍ2 の
超音波パワー密度で超音波洗浄した。この結果、カーボ
ン製電極およびアルマイト製電極では清浄度が９５％で
あり、シリコン製電極では清浄度が９０％であった。残
留物は、アルマイト製電極では、部分的に残留した微小
なＣＦｘポリマーであった。シリコン製電極では、残留
物は部分的に残留した微小なＣＦｘポリマーに加え、ガ
スノズル孔内壁とＣＦｘポリマー層との間に形成される
中間反応層であった。この中間反応層は、ＳｉＣ系化合
物であり、厚さが０．１μｍ程度であった。
【００５９】上述の超音波洗浄の後に、別種の物理洗浄
として、ドライアイスペレットによるブラスト洗浄を行
った。ドライアイスペレットは、ロール方式により粉砕
し、ペレット径が０．３ｍｍに成形されたものである。
ドライアイスペレットを８ｋｇ／ｃｍ2 （７８０ｋＰ
ａ）の空気圧力で吐出した。所定の空気圧力で吐出され
るペレットはペレット流となる。ペレットの照射を片面
ずつ、電極の両面側から行った。ペレット流の照射時間
は、ガスノズル孔１２０、１個あたり５秒とした。
【００６０】ドライアイスペレットによるブラスト洗浄
の後、上述の共通の洗浄を行った。この共通の洗浄は実
施例１と同じであるので、その詳細な説明は省略する。
そして、実施例１と同様にしてガスノズル孔１２０を観
察し、清浄度を評価した。この結果、カーボン製電極、
アルマイト製電極、およびシリコン製電極ともに、全て
のガスノズル孔１２０内面においてＣＦｘポリマー層お
よび中間反応層が除去されており、清浄度が１００％で
あった。
【００６１】なお、本実施例におけるドライアイスペレ
ット径、ペレットの吐出圧力およびペレット流の照射時
間は、ＣＦｘポリマー層の厚さ、中間反応層の厚さ、お
よびガスノズル孔の径に応じて適宜選択すればよい。
【００６２】ドライアイスペレットなどのブラスト洗浄
において、微細孔内部の深い部分に対して洗浄効果を得
るためには、ペレット流を電極表面に対して垂直な方向
から、すなわち、ガスノズル孔１２０の深さ方向に対し
て平行な方向から照射する必要がある。この場合、特に
ガスノズル孔１２０の中間部において、ペレット流がガ
スノズル孔１２０の内壁と平行になる。このため、ブラ
スト洗浄を単独に適用したのでは十分な洗浄効果を得る
ことができない。しかし、超音波パワー密度を調整した
超音波洗浄を経た後では、残留したＣＦｘポリマー層が
遊離している部分などにペレットが衝突し、残留したＣ
Ｆｘポリマー層をガスノズル孔１２０の内部から除去で
きる。このようにして、有効な洗浄結果を得ることがで
きる。
【００６３】超音波による洗浄と組み合わせる洗浄とし
ては、化学反応を用いた湿式洗浄を選択することもでき
る。しかし、上述の如く、ＣＦｘポリマー層１２１は、
各種の薬液に対して極めて耐久性が高い。また、使用す
る薬液の電極母材への化学作用を考慮する必要がある。
母材に対するエッチング作用を有する薬液を用い、リフ
トオフ方式により除去する方法も可能であるが、この場
合、ガスノズル孔１２０の径の拡大は避けられない。こ
のため、電極を繰り返し洗浄して使用する場合には問題
となる。これに対して、物理洗浄と組み合わせる場合、
上述のようなガスノズル孔１２０の径の拡大を避けるこ
とができるため有利である。ブラスト洗浄であれば母材
に対するエッチング作用がないので、ガスノズル孔１２
０内面、対向面１０１ａおよびその裏面のいずれにおい
てもマイクロラフネスは発生しない。
【００６４】実施例３ 本実施例においては、フロロカーボン系プラズマを使用
するドライエッチング装置により、二酸化シリコン酸化
膜（以下、ＳｉＯ2 膜という）のドライエッチング処理
を行い、一定時間ドライエッチング加工を実施した後
に、シリコン製電極１０１を２４Ｗ／ｃｍ2 の超音波パ
ワー密度で超音波洗浄した。洗浄後のシリコン製電極１
０１を用いてさらにドライエッチング加工を実施し、こ
の工程におけるシリコン製電極１０１からのパーティク
ル発生量を評価した。なお、シリコン製電極１０１は図
７に示すものと同じであり、直径が２８０ｍｍ、厚さが
５ｍｍの基板に、直径が０．５ｍｍのガスノズル孔１２
０が７ｍｍピッチで６４０個形成されたものである。
【００６５】上述のシリコン製電極を図６に示すドライ
エッチング装置の上部電極１００に取り付け、シリコン
酸化膜のドライエッチング加工を実施した。
【００６６】図３はエッチング装置によりエッチングさ
れる半導体装置を示す断面図である。図６に示す半導体
ウエハ１０７においては、図３に示すように、シリコン
基板２０上に、膜厚が１．０μｍのＳｉＯ2 膜２１が形
成されている。ＳｉＯ2 膜２１上に、膜厚が１．２μｍ
のフォトレジスト膜２２が形成されている。フォトレジ
スト膜２２には、直径が０．２５μｍのホール２３が形
成されている。本実施例においては、上述の構成の半導
体ウエハ１０７におけるＳｉＯ2 膜２１のエッチングを
行った。ドライエッチングに使用したガスは、ＣＦ4 ガ
ス、ＣＨＦ3 ガス、Ｃ4 Ｆ8 ガス、Ａｒガス、ＣＯガス
の混合ガスである。
【００６７】ＳｉＯ2 膜２１のエッチングを、ウエハ換
算で２０００枚、高周波の累積放電時間で１００時間に
なるまで行った。その後、ドライエッチング装置からシ
リコン製電極１０１を取り外し、洗浄処理を行った。
【００６８】この洗浄処理は、２４Ｗ／ｃｍ2 の超音波
パワー密度で超音波洗浄した。このときの他の洗浄条件
は、超音波振動子１の発振周波数を１５ｋＨｚとし、ホ
ーン２の端面２ａの面積（超音波放射端面積）を３７．
５ｃｍ2 とし、入力電力を９００Ｗとした。洗浄溶媒に
は純水を用い、温度は５０℃とした。ホーン２と対向面
１０１ａとの間隔を３ｍｍとし、ホーン２の浸水深さを
１０ｍｍとした。超音波照射時間、すなわち、キャビテ
ーションに曝されている時間はガスノズル孔１２０、１
個あたり１０分間とした。
【００６９】超音波洗浄後に、最終洗浄を行った。最終
洗浄は、純水を洗浄溶媒として、電極を１０分間超音波
洗浄し、その後、イソプロピルアルコールを洗浄溶媒と
して、電極を１０分間超音波洗浄したものである。この
とき、超音波周波数を２８ｋＨｚとし、超音波パワー密
度を０．５Ｗ／ｃｍ2 とした。乾燥工程は、高圧の窒素
ガスをシリコン製電極１０１に吹き付けた（高圧窒素ブ
ロー）後、シリコン製電極１０１を、温度６０℃の乾燥
クリーンオーブンに６時間放置した。
【００７０】本実施例の洗浄工程を経たシリコン製電極
１０１を、再び図６に示すドライエッチング装置に設置
し、ＳｉＯ2 膜２１のドライエッチング加工を行った。
ドライエッチング加工は図３に示すＳｉＯ2 膜２１のエ
ッチング処理とし、この加工をウエハ換算で２０００
枚、高周波の累積放電時間で１００時間実施した。パー
ティクルのカウントを高周波放電時間で１０時間ごとに
行った。パーティクルは直径が０．２５μｍ以上のもの
をカウントした。このときのドライエッチング装置の反
応室１０６内のパーティクルカウント数の推移を図４に
示す。図４は横軸に高周波放電累積時間をとり、縦軸に
パーティクルカウントをとってシリコン製電極の清浄度
の時間変化を示すグラフである。なお、図４において、
高周波放電累積時間が５０時間ごとにそのプロットが途
切れているのは、この時期にドライエッチング装置の保
守を行ったからである。
【００７１】図４に示すように、パーティクルカウント
は、電極洗浄前の高周波放電時間が１００時間までと、
洗浄後の１００乃至２００時間までとでは顕著な差がな
い。本実施例においては、高周波放電時間が１５０時間
付近でパーティクルカウントが増加するという従来の問
題を回避できた。このことにより、本発明の洗浄方法に
よってシリコン製電極１０１の清浄度が回復しているこ
とが分かった。
【００７２】実施例４ 本実施例は、実施例３の電極の超音波洗浄の後に、実施
例２と同様のブラスト洗浄を行った点が異なり、それ以
外のことについては実施例３と同様にして実験を行った
ものである。すなわち、ドライエッチング装置、シリコ
ン製電極、加工される半導体装置の構成、およびドライ
エッチング加工の条件は全て実施例３と同じである。ま
た、本実施例において、ブラスト洗浄については実施例
２と同一条件で行った。このため、その詳細な説明は省
略する。次に、結果について説明する。
【００７３】図５は横軸に高周波放電累積時間をとり、
縦軸にパーティクルカウントをとってシリコン製電極の
清浄度の時間変化を示すグラフである。図４の場合と同
様に、高周波放電累積時間が５０時間ごとにそのプロッ
トが途切れているのは、この時期にエッチング装置の保
守を行ったからである。本実施例においても、パーティ
クルカウントは、高周波放電時間が１００時間までと、
１００乃至２００時間までとでは顕著な差がない。本実
施例においても、高周波放電時間が１５０時間付近でパ
ーティクルカウントが増加するという従来の問題を回避
できた。本実施例においては、ブラスト洗浄と組み合わ
せることにより、本発明の洗浄方法によってシリコン製
電極１０１の清浄度が回復していることが分かった。ま
た、高周波放電時間が１５０乃至２００時間において
は、パーティクルカウントの増大が実施例３に比して小
さいことがわかる。この結果により、超音波洗浄のみを
行った実施例３の場合に比較して、超音波洗浄とブラス
ト洗浄とを組み合わせて行った本実施例では、さらに清
浄度が高まり、この結果、さらにパーティクル発生が抑
制できたことが分かる。
【００７４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の洗浄
方法によれば、プラズマ装置の反応室構成部品の微細孔
内に付着した反応生成物を効果的に除去することがで
き、また、マイクロラフネスの増加および微細孔の拡径
が抑制される。従って、この構成部品を洗浄後再利用す
ることができる。
【００７５】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、洗浄後の構成部品を繰り返し使用しても処理装置
の反応室内のパーティクル発生数を常に未使用構成部品
を使用した場合なみに抑制することができ、歩留まりの
低下の抑制が図れる。さらに構成部品の寿命延長による
コスト低減効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例に係る洗浄方法を実施する洗
浄装置を示す模式的断面図である。
【図２】 超音波パワー密度と清浄度との関係を示すグ
ラフである。
【図３】 エッチング装置によりエッチングされる半導
体装置を示す断面図である。
【図４】 実施例３におけるシリコン製電極でのパーテ
ィクル挙動を示すグラフである。
【図５】 実施例４におけるシリコン製電極でのパーテ
ィクル挙動を示すグラフである。
【図６】 ドライエッチング装置を示す模式的断面図で
ある。
【図７】 ドライエッチング装置に設けられるシリコン
製電極を示す平面図である。
【図８】 （ａ）はシリコン製電極を示す縦断面図、
（ｂ）は反応生成物がガスノズル孔の内面に付着したシ
リコン製電極を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１ 超音波振動子 ２ ホーン ２ａ 端面 ３ 接続部 １０ 洗浄槽 １１ クランプ ２０ シリコン基板 ２１ ＳｉＯ2 膜 ２２ フォトレジスト膜 １００ 上部電極 １０１ シリコン製電極 １０５ ガス導入口 １０７ 半導体ウエハ １０９ 下部電極 １１０ 上部石英治具 １１２ 下部石英治具 １２０ ガスノズル孔 １２１ 反応生成物層（ＣＦｘポリマー層）

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】微細孔を有するプラズマ反応室構成部品の
    洗浄方法であって、 洗浄溶媒中で、超音波を、ホーンを使って超音波放射面
    から、振動子入力電力と前記超音波放射面の面積との比
    によって定義される超音波パワー密度が５Ｗ／ｃｍ2 以
    上の条件で、前記構成部品の前記微細孔に向けて照射す
    ることによって、前記微細孔内面に付着したプラズマ反
    応生成物を除去することを特徴とする洗浄方法。
  2. 【請求項２】微細孔を有するプラズマ反応室構成部品の
    洗浄方法であって、 洗浄溶媒中で、前記微細孔の深さ方向の全域に及ぶキャ
    ビテーションを発生させることによって、前記微細孔内
    面に付着したプラズマ反応生成物を除去することを特徴
    とする洗浄方法。
  3. 【請求項３】前記洗浄溶媒中の前記超音波の波長の２乗
    の値は、前記超音波放射面の面積の値よりも大きいこと
    を特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
  4. 【請求項４】前記構成部品は、シリコン製の部品であ
    り、８Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密度で超音波を照
    射することを特徴とする請求項１または３に記載の洗浄
    方法。
  5. 【請求項５】１８Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密度で
    超音波を照射することを特徴とする請求項４に記載の洗
    浄方法。
  6. 【請求項６】前記プラズマ反応生成物は、ＣＦｘポリマ
    ーであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１
    項に記載の洗浄方法。
  7. 【請求項７】前記超音波または前記キャビテーションに
    よる洗浄の後に、前記微細孔内面に部分的に残留した前
    記プラズマ反応生成物を物理洗浄によって除去すること
    を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の洗
    浄方法。
  8. 【請求項８】前記構成部品は、シリコン製の部品であ
    り、 前記超音波または前記キャビテーションによる洗浄が、
    前記微細孔内面に付着した前記プラズマ反応生成物に加
    えて、前記微細孔内面と前記プラズマ反応生成物との間
    に形成された中間反応層を除去するものであり、 前記物理洗浄は、前記超音波または前記キャビテーショ
    ンによる洗浄の後に、部分的に残留した前記プラズマ反
    応生成物および前記中間反応層を除去することを特徴と
    する請求項７に記載の洗浄方法。
  9. 【請求項９】フロロカーボン系ガスを使用するプラズマ
    エッチング装置を用いて半導体装置を製造する半導体装
    置の製造方法であって、 前記プラズマエッチング装置内の前記フロロカーボン系
    ガス供給用ガスノズル孔を前記微細孔として有するプラ
    ズマ生成用電極を前記構成部品として、請求項１乃至８
    のいずれか１項に記載の洗浄方法で洗浄して前記ガスノ
    ズル孔内面に付着したプラズマ生成物を除去することに
    よって繰り返し使用することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
JP2002035387A 2002-02-13 2002-02-13 洗浄方法および半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3876167B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002035387A JP3876167B2 (ja) 2002-02-13 2002-02-13 洗浄方法および半導体装置の製造方法
US10/361,570 US6897161B2 (en) 2002-02-13 2003-02-11 Method of cleaning component in plasma processing chamber and method of producing semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002035387A JP3876167B2 (ja) 2002-02-13 2002-02-13 洗浄方法および半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003243358A true JP2003243358A (ja) 2003-08-29
JP2003243358A5 JP2003243358A5 (ja) 2005-08-18
JP3876167B2 JP3876167B2 (ja) 2007-01-31

Family

ID=27654970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002035387A Expired - Fee Related JP3876167B2 (ja) 2002-02-13 2002-02-13 洗浄方法および半導体装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6897161B2 (ja)
JP (1) JP3876167B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007315395A (ja) * 2006-05-27 2007-12-06 Rolls Royce Plc 付着物を除去する方法
JP2008525205A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 ラム リサーチ コーポレーション シリコン電極アセンブリのエッチング速度及びエッチング均一性を回復する方法
WO2008112225A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Lam Research Corporation Cleaning hardware kit for composite showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
WO2008121287A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-09 Lam Research Corporation Methodology for cleaning of surface metal contamination from electrode assemblies
KR100892089B1 (ko) * 2007-10-04 2009-04-06 우범제 웨이퍼 세정 처리장치
JP2017528598A (ja) * 2014-08-28 2017-09-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ マスク、キャリア、及び堆積ツールの構成要素から堆積材料を取り除くための剥脱プロセス
JP2022064934A (ja) * 2016-01-27 2022-04-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド スリットバルブゲート被覆及びスリットバルブゲートの洗浄方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3958080B2 (ja) * 2002-03-18 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法
JP4072920B2 (ja) * 2003-01-23 2008-04-09 株式会社アルバック 成膜装置用構成部品およびその洗浄方法
US7045020B2 (en) * 2003-05-22 2006-05-16 Applied Materials, Inc. Cleaning a component of a process chamber
US7250114B2 (en) * 2003-05-30 2007-07-31 Lam Research Corporation Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods
US7192875B1 (en) * 2004-10-29 2007-03-20 Lam Research Corporation Processes for treating morphologically-modified silicon electrode surfaces using gas-phase interhalogens
KR100541867B1 (ko) * 2005-08-22 2006-01-11 (주)케이.씨.텍 상압 플라즈마 발생용 전극 제조방법 및 전극구조와 이를이용한 상압 플라즈마 발생장치
US7507670B2 (en) * 2004-12-23 2009-03-24 Lam Research Corporation Silicon electrode assembly surface decontamination by acidic solution
US7247579B2 (en) * 2004-12-23 2007-07-24 Lam Research Corporation Cleaning methods for silicon electrode assembly surface contamination removal
JP4813115B2 (ja) * 2005-07-14 2011-11-09 国立大学法人東北大学 半導体製造装置用部材及びその洗浄方法
US7912720B1 (en) * 2005-07-20 2011-03-22 At&T Intellectual Property Ii, L.P. System and method for building emotional machines
US7449072B1 (en) * 2006-07-20 2008-11-11 Tpl, Inc. Ultrasonic removal of materials from containers
US8221552B2 (en) * 2007-03-30 2012-07-17 Lam Research Corporation Cleaning of bonded silicon electrodes
US8292698B1 (en) * 2007-03-30 2012-10-23 Lam Research Corporation On-line chamber cleaning using dry ice blasting
US8276898B2 (en) * 2008-06-11 2012-10-02 Lam Research Corporation Electrode transporter and fixture sets incorporating the same
TWI368543B (en) * 2009-01-12 2012-07-21 Inotera Memories Inc A showerhead clean rack and a ultrasonic cleaning method thereof
US8673083B2 (en) * 2009-04-22 2014-03-18 Inotera Memories, Inc. Method of cleaning showerhead
SG181424A1 (en) * 2009-12-18 2012-07-30 Lam Res Corp Methodology for cleaning of surface metal contamination from an upper electrode used in a plasma chamber
DE102010005762A1 (de) * 2010-01-25 2011-07-28 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Reinigungsverfahren für Beschichtungsanlagen
US9293305B2 (en) * 2011-10-31 2016-03-22 Lam Research Corporation Mixed acid cleaning assemblies
DE102013100473A1 (de) * 2013-01-17 2014-07-17 Seho Systemtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen einer Lötdüse
US20140261535A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Lam Research Corporation Standing Wave Generation in Holes to Enhance Cleaning in the Holes in Liquid Sonification Cleaning Systems
US10391526B2 (en) 2013-12-12 2019-08-27 Lam Research Corporation Electrostatic chuck cleaning fixture
US9939501B2 (en) 2014-11-12 2018-04-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Iterative minimization procedure with uncompressed local SAR estimate
JP6893018B2 (ja) * 2016-11-14 2021-06-23 株式会社キーレックス 超音波接合装置
GB201819238D0 (en) 2018-11-27 2019-01-09 Rolls Royce Plc Finishing a surface of a component made by additive manufacturing
DE102019205737A1 (de) * 2019-04-18 2020-10-22 Glatt Gesellschaft Mit Beschränkter Haftung Verfahren zur Überwachung eines Düsenmundstücks auf Ablagerungen an einer Düse
CN113421950B (zh) * 2021-06-21 2023-04-28 安徽华晟新能源科技有限公司 太阳能电池片的制造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5765370A (en) 1980-10-09 1982-04-20 Sanko Co Inc Ultrasonic washing method and its device
US4444146A (en) * 1982-01-13 1984-04-24 Honeywell Inc. Ultrasonic subsurface cleaning
US5074456A (en) * 1990-09-18 1991-12-24 Lam Research Corporation Composite electrode for plasma processes
US5217163A (en) * 1990-12-18 1993-06-08 Nlb Corp. Rotating cavitating jet nozzle
JPH0513396A (ja) 1991-07-09 1993-01-22 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 半導体装置の洗浄方法
US5415697A (en) * 1993-05-28 1995-05-16 Courtaulds Fibres (Holdings) Limited Cleaning of spinnerette jets
JP2668056B2 (ja) 1994-03-04 1997-10-27 バブコック日立株式会社 ウォータージェット用ノズル
US5574485A (en) * 1994-10-13 1996-11-12 Xerox Corporation Ultrasonic liquid wiper for ink jet printhead maintenance
WO1996015863A1 (en) * 1994-11-22 1996-05-30 United Technologies Corporation Cleaning method for turbine airfoils by ultrasonics
JPH08243516A (ja) 1995-03-13 1996-09-24 Toto Ltd 超音波洗浄装置
US5569356A (en) * 1995-05-19 1996-10-29 Lam Research Corporation Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof
TW449820B (en) * 1996-02-15 2001-08-11 Tokai Carbon Kk Plasma-etching electrode plate
JP3454333B2 (ja) * 1996-04-22 2003-10-06 日清紡績株式会社 プラズマエッチング電極
US5863376A (en) * 1996-06-05 1999-01-26 Lam Research Corporation Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
JP3871748B2 (ja) 1996-11-15 2007-01-24 ユー・エム・シー・ジャパン株式会社 プラズマ処理装置の電極板洗浄方法
JPH10270418A (ja) 1997-03-24 1998-10-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
DE19712513B4 (de) * 1997-03-25 2005-05-04 Air Liquide Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen einer Innenwandung einer Form mittels Trockeneis
US5849091A (en) * 1997-06-02 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Megasonic cleaning methods and apparatus
JP3288313B2 (ja) 1997-11-21 2002-06-04 株式会社カイジョー 超音波洗浄装置およびこれを用いた洗浄乾燥装置
US6315639B1 (en) * 1997-12-05 2001-11-13 Jens Werner Kipp Blasting method for cleaning pipes
US6073577A (en) * 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6290778B1 (en) * 1998-08-12 2001-09-18 Hudson Technologies, Inc. Method and apparatus for sonic cleaning of heat exchangers
US6350007B1 (en) * 1998-10-19 2002-02-26 Eastman Kodak Company Self-cleaning ink jet printer using ultrasonics and method of assembling same
US6336976B1 (en) * 1999-01-04 2002-01-08 Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho Hole processing apparatus and method thereof and dynamic pressure bearings cleaning method
US6237528B1 (en) * 2000-01-24 2001-05-29 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode assembly for plasma processing
JP4145457B2 (ja) 2000-02-08 2008-09-03 信越化学工業株式会社 プラズマエッチング装置用電極板
US6530388B1 (en) * 2000-02-15 2003-03-11 Quantum Global Technologies, Llc Volume efficient cleaning systems
DE60126857T2 (de) * 2000-04-28 2007-10-31 Kao Corp. Horn für eine Vorrichtung zur Ultraschallreinigung

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008525205A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 ラム リサーチ コーポレーション シリコン電極アセンブリのエッチング速度及びエッチング均一性を回復する方法
JP2007315395A (ja) * 2006-05-27 2007-12-06 Rolls Royce Plc 付着物を除去する方法
WO2008112225A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Lam Research Corporation Cleaning hardware kit for composite showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
US7767028B2 (en) 2007-03-14 2010-08-03 Lam Research Corporation Cleaning hardware kit for composite showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
WO2008121287A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-09 Lam Research Corporation Methodology for cleaning of surface metal contamination from electrode assemblies
CN101652837B (zh) * 2007-03-30 2011-06-08 朗姆研究公司 从电极组件上清洁表面金属污染物的方法
TWI409878B (zh) * 2007-03-30 2013-09-21 Lam Res Corp 自電極組件清除表面金屬污染的方法
KR100892089B1 (ko) * 2007-10-04 2009-04-06 우범제 웨이퍼 세정 처리장치
JP2017528598A (ja) * 2014-08-28 2017-09-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ マスク、キャリア、及び堆積ツールの構成要素から堆積材料を取り除くための剥脱プロセス
JP2022064934A (ja) * 2016-01-27 2022-04-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド スリットバルブゲート被覆及びスリットバルブゲートの洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6897161B2 (en) 2005-05-24
JP3876167B2 (ja) 2007-01-31
US20030150476A1 (en) 2003-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3876167B2 (ja) 洗浄方法および半導体装置の製造方法
US8607806B2 (en) Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
KR101819246B1 (ko) 개선된 초음파 클리닝 유체, 방법 및 장치
US7604011B2 (en) Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning using high-frequency acoustic energy with supercritical fluid
US7033068B2 (en) Substrate processing apparatus for processing substrates using dense phase gas and sonic waves
KR100931856B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR102658739B1 (ko) 컨디셔닝 챔버 컴포넌트
JP2003243358A5 (ja)
JP2007311756A (ja) 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
CN101154558A (zh) 刻蚀设备组件的清洗方法
JP4456769B2 (ja) フロロカーボン系プラズマ生成用シリコン製電極の洗浄方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法
KR20190050829A (ko) 기판을 세정하는 방법 및 장치
US20060180172A1 (en) Enhanced megasonic based clean using an alternative cleaning chemistry
KR100927028B1 (ko) 초음파 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
KR100465844B1 (ko) 에칭장비용 캐소드전극의 홀 가공 방법
KR20060057571A (ko) Ｐｖｄ 부재 및 코일의 리퍼비싱 방법
KR100870525B1 (ko) 기판 세정 장치
JP2007266194A (ja) 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体基板の洗浄装置
KR100576437B1 (ko) 챔버의 인젝터 및 ｐｅｃ세정 방법
JP7437499B2 (ja) 基板の洗浄方法及び洗浄装置
KR100951922B1 (ko) 다중 주파수를 이용한 매엽식 초음파 세정 장치
KR100938249B1 (ko) 초음파 발생 장치 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
KR101002706B1 (ko) 초음파 세정장치
KR20110000147A (ko) 실리콘 태양광 웨이퍼 제조 세정장치
KR20200109350A (ko) 기판 세정 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050203

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050203

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060620

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061017

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061030

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees