KR100541867B1 - 상압 플라즈마 발생용 전극 제조방법 및 전극구조와 이를이용한 상압 플라즈마 발생장치 - Google Patents

상압 플라즈마 발생용 전극 제조방법 및 전극구조와 이를이용한 상압 플라즈마 발생장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 전극의 수명을 향상시키고, 전극의 제조 단가를 낮출 수 있는 전극의 제조방법 및 전극구조와 이를 이용한 상압 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극이 상호 이격되어 그 사이에 형성되는 플라즈마 발생공간과, 상기 한 쌍의 전극 중 적어도 하나의 표면에 균일하게 형성된 산화피막층을 포함하는 플라즈마 전극구조, 상기 전극의 제조방법 및 이를 이용한 상압 플라즈마 발생장치를 제공한다.
플라즈마, 아노다이징, 보호막, 전극

Description

상압 플라즈마 발생용 전극 제조방법 및 전극구조와 이를 이용한 상압 플라즈마 발생장치{MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE FOR ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA AND ELECTRODE STRUCTURE AND ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA APPARATUS USING IT}
도 1은 일반적인 상압 플라즈마 발생장치를 이용한 세정시스템의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 수평평행 대향형 플라즈마 전극구조를 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 종래의 플라즈마 전극구조에서 면방전이 발생한 예를 보여주는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 전극구조를 나타낸 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 플라즈마 전극구조에서는 면방전이 발생하지 않음을 보여주는 도면이다.
본 발명은 상압 즉 대기압하에서 방전을 통해 플라즈마를 발생시키는 전극의 제조방법 및 전극구조와 이를 이용한 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
현재 FPD(Flat Panel Display) 표면처리장치 중에서 상압 플라즈마 발생장치의 적용이 점점 확대되어가고 있는데, 이는 별도의 챔버나 진공시스템의 구비없이 인라인(in-line) 시스템으로 구현할 수 있다는 장점 때문이다.
즉, 기존의 플라즈마 장치는 고가의 진공챔버와 시스템이 필요하였고, 이로인해, 처리속도, 장비가격, 유지보수비용 등이 많이 소요되어, 근래에 이르러서는 상압 플라즈마 발생장치의 개발과 공정 적용이 활발히 진행되는 추세에 있다.
도 1은 일반적인 상압 플라즈마 발생장치를 이용한 세정시스템(100)의 구성을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 세정시스템(100)은, 세정 대상인 LCD 글래스(130)의 표면에 플라즈마 반응에서 생성된 산소 라디컬(O radical)(107)을 분사하는 상압 플라즈마 발생장치(110)와, 상기 상압 플라즈마 발생장치에 교류전압을 인가하는 전원공급장치(140)와, 상기 상압 플라즈마 발생장치에 연결된 가스 배관을 통해 질소, 산소, 공기 등의 가스를 공급하는 가스공급장치(120)와, 상기 상압 플라즈마 발생장치가 플라즈마 상압 방전을 실시하는 동안 LCD 글래스(130)를 일정한 속도로 일방향으로 이송하는 이송장치(160)로 구성된다.
또한, 가스공급장치(120)에서 공급된 처리가스는 가스 주입구(108)를 통해 상압 플라즈마 발생장치(110)의 격벽 유전체 공간(105)으로 유입되는데, 유입 전에 유량조절기(MFC: Mass Flow Controller)(121)를 통해 공급되는 가스의 유량이 조절 된다.
또한, 상압 플라즈마 발생장치(110)의 상부에, 가스 주입구(108)를 통해 공급된 처리가스가 격벽 유전체 공간(105) 내부에 균일하게 분포되도록, 가스분배기(gas distributor)(109)가 배치된다.
또한, 가스분배기(109)의 하부에는 유전체의 충전 및 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 제1 유전체(101)와 제2 유전체(102)가 형성된다.
또한, 제1 유전체(101) 및 제2 유전체(102) 상에 교류전압을 인가하기 위해, 제1 유전체(101) 상에 전원전극(104)이 형성되고, 제2 유전체(102) 상에 접지전극(103)이 각각 형성된다. 이때, 도 1에 도시된 제1 유전체(101)와 제2 유전체(102)는 수직하게 마주보고 있는 수직평행 대향형의 DBD(Dielectric Barrier Discharge: 유전체 격벽 방전)타입으로 구성되어 있다.
또한, 제1 유전체(101) 상의 전원전극(104)은 전원공급장치(140)와 연결되고, 제2 유전체(102) 상의 접지전극(103)은 접지(112)된다.
또한, 전원전극(104) 및 접지전극(103) 상에는 방열판(111)이 설치되어 가열된 전극을 냉각시킨다.
이러한 세정시스템(100)에서의 세정 과정을 살펴보면 다음과 같다.
즉, LCD 글래스(130)의 하부에 형성된 이송장치(160)가 세정 대상인 LCD 글래스(130)를 일정한 속도로 일방향으로 이송시킨다. 이때, 제1 유전체(101) 상에 형성된 전원전극(104)에 교류전압을 인가하면, 격벽 유전체 공간(105)에 유입된 가스가 플라즈마 반응을 일으키고, 플라즈마 반응에 의해 생성된 산소 라디컬(107)이 가스 방출구(106)를 통해 상압 플라즈마 발생장치(110)의 본체 외부로 방출된다.
상기 외부로 방출된 산소 라디컬(107)이 세정 대상인 LCD 글래스(130) 표면에 분사되어, LCD 글래스(130) 표면의 유기물을 제거하게 된다.
이와 같이, 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시키는 상압 플라즈마 세정방법은, 기판 표면의 유기물, 회로 제작시 발생하는 잔류 폴리머 등의 오염물질을 플라즈마 내의 산소 라디컬(radical)을 이용하여 제거하는 방법으로써, 환경적으로 안전하고 세정효율이 높은 장점이 있다.
통상적으로 상압 플라즈마 발생장치(110)는 DBD 타입의 전극구조를 사용하는데, 상기 DBD 타입의 전극구조는 수직 또는 수평의 평행 대향판 형태로 형성할 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 수평평행 대향형의 플라즈마 전극구조(200)를 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 플라즈마 전극구조는(200)는, 상하부에 서로 평형하게 마주보는 제1 유전체(210) 및 제2 유전체(220)를 형성한다.
또한, 제1 유전체(210) 및 제2 유전체(220) 사이의 간극을 일정하게 유지하기 위해, 정밀 가공된 절연 스페이서를 사용하거나, 기타 조절가능한 갭조절 기구물을 이용하여, 두 유전체 사이의 간극을 일정하게 유지한다.
여기서, 유전체의 재료로는 통상 고유전율의 세라믹이 사용된다. 예를 들면, 이산화규소, 산화알루미늄, 이산화지르코늄, 이산화티탄, 산화이트륨 등의 파인 세라믹(fine ceramics)이 많이 사용되고 있다.
또한, 상기 제1 유전체(210) 및 제2 유전체(220)의 상호 마주보는 표면의 반대편에, 고전압의 전원이 인가될 수 있도록, 전원전극(211) 및 접지전극(221)을 형성한다. 이때, 상기 전원전극 및 접지전극은 금속박막 형태이고, 상기 금속박막의 형성과정을 살펴보면 다음과 같다.
즉, 주로 페이스트 상태의 은, 구리, 금, 알루미늄 등의 양도체가 스크린 프린팅(Screen printing), 스프레이 코팅(Spray coating) 등의 방법을 이용하여, 상기 제1 및 제2 유전체의 표면에 도포된 후 고온으로 소결된다. 이후, 금속막으로 결정화되어, 상기 유전체의 표면에 완전히 고착되도록 형성된다. 이는 유전체와 금속박막과의 결합시, 기공 등의 결함이 없는 전극을 만들기 위함이다.
그 이유는, 기공 등의 결함이 유전체와 전극 사이에 존재할 때, 상기 기공에서 플라즈마가 발생하여 많은 열이 발생하게 되고, 상기 발생된 열로 인해 유전체의 절연성능을 저하시켜, 유전체의 절연파괴, 즉 Arcing이 쉽게 발생하기 때문이다.
이렇게, 제1 유전체 및 제2 유전체(210)(220)의 한 면에 금속박막 형태의 전극(211)(221)을 형성한 후에는, 반드시 상기 금속박막을 보호하기 위한 제1 및 제2 보호막(214)(224)을 입혀야 한다. 이는 금속이 플라즈마에 의해 발생할 수 있는 활성분자에 대한 내성이 매우 약하기 때문이다.
상기 금속박막의 보호막으로는, 플라즈마에 대한 내성이 높은 고분자 플라스틱이나 세라믹 베이스의 무기 재료 등이 쓰일 수 있는데, 각각의 재료에 따라서 코팅방법에는 차이가 있다.
또한, 전원전극(211) 및 접지전극(221) 사이의 격벽 유전체 공간(230)에, 질소, 아르곤, 헬륨, 산소 등의 처리가스를 유입시키는 가스 유입구(212)(213)가, 제1 유전체(210) 상에 형성된다.
또한, 전원전극(211)에 교류전압이 인가되면, 격벽 유전체 공간(230)에 유입된 처리가스가 플라즈마 반응에 여기된다. 이때, 여기된 처리가스 이온(양이온, 전자, 라디컬 등)이 피처리물(글라스, 반도체 웨이퍼 등)에 분사되도록, 하나 이상의 미세한 홀(hole) 또는 슬릿 형태의 가스 배출구(223)가, 제2 유전체(220), 접지전극(221), 및 제2 보호막(224)을 관통하여 형성된다.
이와 같이, 플라즈마 전극구조는 DBD방식으로, 한 쌍의 대향된 유전체 전극 사이에서 플라즈마를 발생시킨다. 이후, 그 중 한 개의 전극에 형성된 가스 배출구를 통해, 플라즈마에 의해 여기된 반응가스를 배출시켜, 그 하부에 위치한 피처리물을 처리하는 형태의 전극구조이다.
도 2c는 도 2b에 도시된 전극구조에서 가스 배출구(223)가 형성되어 있는 제2 유전체 전극(빗금친 부분)을 확대한 도면이다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 가스 배출구(223)의 단면 형태에서, 매우 얇은 두께의 금속전극(221)을 보호막(224)이 덮어서 보호하는 구조로 되어있다.
이러한 상태에서 DBD 방전이 발생하게 되면, 제2 유전체(220)의 상하부에 서로 다른 극성의 전하가 모이게 된다. 그러면, 제2 유전체(220) 상하부에 전기장이 형성되고, 예리하게 형성된 금속박막 전극(221)의 엣지부에서 전계효과(Edge effect)에 의해 더욱더 강한 전기장이 형성된다.
이러한 전기장에 의해, 제2 유전체(220)의 상하면의 공기층에서 절연파괴가 발생한다. 즉, 제2 유전체(220) 상면과 접지전극(221)의 엣지부 사이의 상기 제2 유전체 벽면을 따라 방전이 일어나게 되는데, 이는 일종의 면방전이라 할 수 있다.
이렇게 발생한 면방전은 높은 에너지의 활성 이온으로 방전이 발생하는 전극의 표면을 손상시키게 되며, 상대적으로 두께가 얇은 전극 엣지부의 제2 보호막(224)을 집중적으로 손상시키게 된다.
도 3a 및 도 3b는 도 2b의 빗금친 부분에서 면방전이 발생한 예를 보여주는 도면이다.
여기서, 도 3a는 세라믹 유전체, 금속박막, 세라믹 보호막이 순차적으로 코팅된 초기 상태를 보여주며, 도 3b는 상기 초기 코팅 후 100시간 경과 후에 면방전에 따라 둥근원(가스 배출구) 주위의 보호막 및 전극에 침해현상이 발생함을 보여준다.
이처럼 에너지가 집중된 방전이 지속적으로 발생하게 된다면, 아무리 플라즈마의 내성이 있는 물질이라 하더라도, 직접적인 방전이 일어남으로 해서 침해현상이 발생하게 된다.
또한, 제2 보호막(224)이 면방전에 의해 침해되면, 결국에는 접지전극(221)이 면방전에 직접적으로 노출되게 된다. 따라서, 그 이후에는 플라즈마에 내성이 없는 금속 전극이 매우 빠른 속도로 침해되어 전극의 수명이 다하게 된다.
혹, 제2 보호막(224)의 두께를 충분히 두껍게 하여 이와 같은 현상을 방지하려 할 수도 있지만, 이도 역시 쉽지않다. 즉, 통상 세라믹 계열의 무기질이나 고 분자 화합물의 코팅 방법은, 플라즈마 용사법, 아크 용사법을 이용하거나, 혹은 페이스트 상태의 재료를 스프레이 코팅이나 스크린 프린팅 후 소결과정을 거치는 졸, 겔법 등을 이용할 수 있다. 그러나, 접지전극(221)과 같이 직각으로 절단된 엣지 부위의 두께를 높이는 것은 한계가 있다.
또한, 평평한 접지전극(221) 표면의 제2 보호막(224)의 두께를 늘이는 것은 가능하지만, 가스 배출구(223)의 단면 내부의 두께를 늘이는 것은 기술적으로 어려움이 많다.
또한, 엣지부의 보호막의 두께를 늘인다 하더라도, 근본적으로 전계 효과에 의한 면방전 발생의 위험성은 항시 내포하고 있는 것이다.
따라서, 면방전에 따른 보호막 침식과 이에 따라 전극이 상기 방전에 직접적으로 노출됨으로써, 침식의 속도가 가속되고 전극의 수명이 급격히 저하되는 문제점은 여전히 남게 된다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 그 목적은 전극의 표면에 산화피막층을 형성하여, 상기 산화피막층 자체가 유전체와 보호막의 역할을 동시에 수행할 수 있도록 한 상압 플라즈마 발생용 전극의 제조방법 및 전극구조와 이를 이용한 플라즈마 발생장치를 제공함에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극이 상호 이격되어 그 사이에 형성되는 플라즈마 발생공간과, 상기 한 쌍의 전 극 중 적어도 하나의 표면에 균일하게 형성된 산화피막층을 포함하는 플라즈마 전극구조를 제공한다.
또한, 상기 전극은 표면에 자연적 또는 인위적으로 산화피막을 형성할 수 있는 합금인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전극은 알루미늄, 티타늄, 마그네슘, 아연, 탄탈륨 중 어느 하나의 합금으로 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 산화피막층은 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화탄탈륨 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 산화피막층은 양극산화피막 형성법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
다른 바람직한 실시예는, 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극 중 적어도 하나의 표면에 균일하게 형성된 산화피막층으로 구성되는 플라즈마 전극을 포함하고;
상기 전극의 사이에 형성된 플라즈마 발생공간으로 유입된 가스를 플라즈마 방전하여, 발생된 가스 이온을 피처리물에 분사하는 상압 플라즈마 발생장치를 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 전극의 제조방법에 있어서, 금속을 이용하여 전극 자체를 형성하고, 상기 전극의 전 표면에 산화피막을 균일하게 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 산화피막은 양극산화피막 형성법을 이용하여 형성된다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명 된다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 전극구조(300)를 나타낸 도면이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 전극구조(300)는, 플라즈마 형성을 위한 고주파 전원을 인가하기 위해, 상하부에 서로 평형하게 마주보는 평판형 전원전극(311) 및 접지전극(321)을 구비한다.
또한, 전원전극(311) 및 접지전극(321)의 전 표면에 각각 산화피막층(310)(320)을 균일하게 형성하고, 상기 전원전극 및 접지전극의 사이에 플라즈마 발생공간(330)을 형성한다.
또한, 플라즈마를 발생시키기 위해 플라즈마 발생공간(330)으로 처리가스를 유입시키는 가스 유입구(미도시)를 형성한다. 상기 가스 유입구는 전극에 형성하거나 상기 플라즈마 발생공간의 측부에 형성할 수 있다.
또한, 전원전극(311)에 교류전압이 인가되면, 플라즈마 발생공간(330)에 유입된 처리가스가 플라즈마 반응에 여기된다. 이때, 여기된 처리가스 이온(양이온, 전자, 라디컬 등)이 피처리물(글라스, 반도체 웨이퍼 등)에 분사되도록, 하나 이상의 홀(hole) 또는 슬릿 형태의 가스 배출구(323)가, 접지전극(321) 및 산화피막층(320)을 관통하여 형성된다.
한편, 기존에는 세라믹을 이용하여 유전체 격벽을 형성하고, 그 표면에 금속전극 박막을 형성하고, 상기 전극 박막 상에 다시 보호막을 입히는 방법으로 플라즈마 전극구조를 형성하였다.
그러나, 본 발명에서는, 전원전극(311) 및 접지전극(321)의 양 전극을 형성하고, 상기 접지전극을 관통하는 가스 배출구(323)를 복수개 형성한다.
그 후, 양극산화피막 형성법(Anodizing)을 이용하여 양 전극(311)(321)의 모든 표면에 산화피막층(310)(320)을 형성한다.
또한, 도 4a에 도시된 바와 같이, 전원전극(311) 및 접지전극(321)에 모두 산화피막층(310)(320)을 형성하였으나, 어느 하나의 전극에만 산화피막층을 형성할 수 있으며, 특히 가스 배출구(323)의 내측면에 면방전이 발생되는 접지전극(321)에만 산화피막층을 형성하여 사용할 수 있다.
또한, 전원전극(311) 및 접지전극(321)은 주로 알루미늄 합금을 사용하나, 표면에 자연적 또는 인위적으로 산화피막을 형성할 수 있는 합금도 사용될 수 있다.
가령, 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 탄탈륨(Ta) 등이 이에 해당된다.
또한, 상기 양극산화피막 형성법을 통해 형성되는 산화피막층은 산화알루미늄(Al2O3) 결정이며, 이는 통상 DBD 전극의 유전체로 활용하는 알루미나와 같은 물질이다. 이외에도 산화티타늄, 산화마그네슘(MgO), 산화아연(ZnO), 산화탄탈륨 등이 사용될 수 있다.
따라서, 상기 산화피막층 자체가 유전체로서의 역할을 담당할 수 있으며, 산화피막층 자체의 훌륭한 내식성과 내플라즈마성으로 인해, 별도의 보호막이 필요없 이, 상기 알루미늄합금 형태의 전원전극(311) 및 접지전극(321)을 보호하는 보호막으로써의 역할도 겸하게 된다.
또한, 양극산화피막 형성법은, 알루미늄 합금 전극을 전해액에 완전히 침지시켜, 전기분해를 이용하여, 상기 전극의 모든 표면에 산화피막층을 형성하므로, 아무리 복잡한 형상의 전극일지라도, 상기 전극의 모든 표면에 균일한 산화피막층을 형성할 수 있다.
즉, 전극의 평평한 부분이나 가스 배출구의 내부면까지 동일한 두께의 산화피막층이 형성된다.
또한, 상기 금속전극으로 알루미늄합금을 예로 들었으나, 이에 한정되지 않고, 양극산화피막 형성법을 통해 산화피막층을 형성할 수 있는 다양한 종류의 금속이 사용될 수 있다.
또한, 산화피막층도 산화알루미늄 외에 상기 금속전극으로 활용될 수 있는 금속의 산화피막층도 사용될 수 있다.
도 4b는 도 4a에 도시된 전극구조에서 가스 배출구(323)가 형성되어 있는 산화피막층 및 접지전극(빗금친 부분)을 확대한 도면이다.
도 4b에 도시된 바와 같이, DBD 방전시, 산화피막층(320)의 표면과 기저층에 다른 극의 전하가 몰리게 되어 전기장이 형성되지만, 접지전극(321)의 전 표면에 균일하게 형성된 산화피막층(320)에 의해, 전기장이 공기층을 통하여 형성되지 못하게 된다.
또한, 접지전극(321)이 기존의 금속박막(4~20㎛) 형태가 아닌 벌크상태 (1~5mm)의 알루미늄합금 전극이기 때문에, 기존 금속박막에서와 같은 엣지부의 전계효과가 발생하지 않으며, 전기장의 집중현상도 발생하지 않는다.
이러한 이유로 인해 접지전극(321) 표면의 면방전 발생을 원천적으로 방지할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 플라즈마 전극구조에서는 면방전이 발생하지 않음을 보여주는 도면이다.
도 5a는 본 발명에 따른 플라즈마 전극 형성의 초기 상태를 보여주며, 도 5b는 플라즈마 방전 지속시간이 100시간 경과 후에 둥근원(가스 배출구) 주위에서 종래(도 3b 참조)와 달리 산화피막층 및 전극에 침해현상이 발생하지 않고, 도 5a의 초기 상태와 동일함을 보여준다.
이와 같이, 면방전이 발생하지 않으면, 높은 에너지의 이온충돌로 인한 침해현상이 없기 때문에, 기존의 보호막보다도 매우 긴 수명을 유지할 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 플라즈마 전극구조는 상압 플라즈마 발생장치 뿐만아니라 플라즈마 방전을 위한 여러 형태의 장치에서 전극구조로 이용될 수 있다 할 것이다.
따라서, 본 발명은 상기의 실시예에 국한되는 것은 아니며 당해 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 설계 변경이나 회피설계를 한다 하여도 본 발명의 범위 안에 있다 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은, 전극의 표면에 산화피막층을 형성하여, 상기 산화피막층 자체가 유전체와 보호막의 역할을 동시에 수행할 수 있다.
즉, 가공비용이 높은 세라믹 유전체 대신에 상대적으로 비용이 절감되는 알루미늄 합금을 이용하여 전극을 형성하고, 상기 전극의 표면에 양극산화피막형성법을 통해 보호막을 형성함으로써, 종래와는 달리 고가의 세라믹에 금속박막을 형성하는 공정과 보호막을 코팅하는 공정을 제거할 수 있으므로, 전극의 생산공정을 단순화할 수 있음은 물론, 제조단가를 획기적으로 절감할 수 있는 효과를 가진다.
또한, 벌크상태의 알루미늄 합금 전극을 사용하고, 양극산화피막 형성법에 의해 균일한 두께로 산화피막층을 형성하기 때문에, 면방전의 발생을 방지하여, 전극의 수명을 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 한 쌍의 전극과,
    상기 한 쌍의 전극이 상호 이격되어 그 사이에 형성되는 플라즈마 발생공간과,
    상기 한 쌍의 전극 중 적어도 하나의 표면에 균일하게 형성된 산화피막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극은 표면에 자연적 또는 인위적으로 산화피막을 형성할 수 있는 합금인 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전극은 알루미늄, 티타늄, 마그네슘, 아연, 탄탈륨 중 어느 하나의 합금으로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극구조.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산화피막층은 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화탄탈륨 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 산화피막층은 양극산화피막 형성법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극구조.
  6. 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극 중 적어도 하나의 표면에 균일하게 형성된 산화피막층으로 구성되는 플라즈마 전극을 포함하고;
    상기 전극의 사이에 형성된 플라즈마 발생공간으로 유입된 가스를 플라즈마 방전하여, 발생된 가스 이온을 피처리물에 분사하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  7. 전극의 제조방법에 있어서,
    금속을 이용하여 전극 자체를 형성하고, 상기 전극의 전 표면에 산화피막을 균일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생용 전극의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 산화피막은 양극산화피막 형성법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생용 전극의 제조방법.
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