KR100892089B1 - 웨이퍼 세정 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정 처리장치에 관한 것으로, 본 발명에 의한 웨이퍼 세정 처리장치는 웨이퍼의 상, 하면을 세정 및 공정 처리하는 세정 처리장치에 있어서, 상기 웨이퍼를 기점으로 상기 챔버 내 상부에 상부 공간이 형성되고 하부에 하부 공간이 형성되며, 상기 상부 공간에 상기 웨이퍼가 웨이퍼척 없이 챔버 내부에 홀딩되는 안착부를 포함하여 하나의 챔버에서 상기 웨이퍼의 상, 하면을 순차 또는 동시에 세정이 실시된다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 세정시 하나의 챔버에서 웨이퍼의 상, 하면을 동시 또는 순차 진행할 수 있으며 웨이퍼 홀더가 필요하지 않아 장비의 제조단가 감소 및 장비 사이즈가 작아지고 반도체 소자들이 형성되는 웨이퍼의 앞면에 대한 영향을 최소화함과 더불어 웨이퍼의 뒷면을 효율적으로 처리 가능한 효과가 있다.
웨이퍼, 세정 처리장치, 안착부, 순차, 동시

Description

웨이퍼 세정 처리장치{WAFER CLEANING AND PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼 세정 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 세정시 하나의 챔버에서 웨이퍼의 상, 하면을 동시 또는 순차 진행할 수 있으며 웨이퍼 홀더가 필요하지 않아 장비의 제조단가 감소 및 장비 사이즈가 작아지고 반도체 소자들이 형성되는 웨이퍼의 앞면에 대한 영향을 최소화함과 더불어 웨이퍼의 뒷면을 효율적으로 처리 가능한 웨이퍼 세정 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼 세정은 크게 화학적 세정방법(chemical cleaning method) 및 물리적 세정 방법(Mechanical cleaning method)으로 구분할 수 있다. 화학적인 세정 방법이란 소정의 화합물을 포함하는 세정액을 시각 공정에서의 잔류물 등과 화학적으로 반응시켜 상기 잔류물을 웨이퍼의 뒷면으로부터 제거하는 방법을 말한다. 예를 들면, 상기 세정액으로는 황산(H2SO4)을 포함하는 세정액을 사용하는 피라나(Piranha) 세정 또는 수산화암모늄(암모니아(NH4OH))을 포함하는 세정액을 사용하는 일반 세정 등이 있다.
이와 달리, 물리적인 세정 방법은 잔여물이 부착된 웨이퍼를 회전 또는 고정시킨 후에, 순수(Deionized water)를 소정의 압력으로 분사하거나, 순수 및 브러시 등을 사용하여 물리적으로 상기 잔여물을 제거하는 방법을 말한다.
종래 기술로써 예외적으로 플라즈마를 이용한 기술이 상용화되지는 않았지만, 식각 공정과 같은 장비에서 웨이퍼를 뒤집어 세정 공정을 진행하는 기술과 리프트 핀(Lift pin)을 사용하여 웨이퍼를 들어올린 상태에서 세정 공정을 진행하는 기술이 있다.
이러한 종래기술은 우선, 플라즈마 처리 공정을 마친 후 종래 세정 공정인 웨트 세정 장비(wet cleaning system)로 이송하기 위해 대기중에 노출되어야 하므로 장비 사이즈 확대, 가공 정밀도 및 제조 효율을 저하시키며, 웨트 세정 공정은 세정 외에 린스(rinse), 건조의 공정이 필요하게 되어 제조 공정의 증가를 초래한다.
그리고 웨트 세정에서는 반도체 재료의 극 표면을 개질하게 되어 반도체 장치의 미세화에 따라 그 표면 개질에 의한 수율의 저하가 생기며, 액체의 표면장력에 의한 반도체 장치의 미세 구조부에 충분히 액체가 침투하지 않는 경우가 있어 이 미세 구조부에서의 세정력이 부족하다.
그리고 고성능 디바이스에서는 반도체 장치의 신 재료, 특히 절연막 재료에 유기계(organic film) 막이나 다공질(porous) 유기계 막 등의 흡습성 높은 재료가 필요하게 되고 있으며, 그들의 재료를 사용한 반도체 장치의 제조에서 웨트 세정 또는 경우에 따라서는 대기에 노출시키는 것만으로 장치의 특성 열화가 초래되어 버린다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 웨이퍼 세정시 하나의 챔버에서 웨이퍼의 상, 하면을 동시 또는 순차 진행할 수 있으며 웨이퍼 홀더가 필요하지 않아 장비의 제조단가 감소 및 장비 사이즈가 작아지고 반도체 소자들이 형성되는 웨이퍼의 앞면에 대한 영향을 최소화함과 더불어 웨이퍼의 뒷면을 효율적으로 처리가 가능할 수 있게 한 웨이퍼 세정 처리장치를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 웨이퍼의 상, 하면을 세정 및 공정 처리하는 세정 처리장치에 있어서, 상기 웨이퍼를 기점으로 상기 챔버 내 상부에 상부 공간이 형성되고 하부에 하부 공간이 형성되며, 상기 상부 공간에 상기 웨이퍼가 웨이퍼척 없이 챔버 내부에 홀딩되는 안착부를 포함하여 하나의 챔버에서 상기 웨이퍼의 상, 하면을 순차 또는 동시에 세정이 실시된다.
이와 같은 본 발명의 웨이퍼 세정 처리장치는 웨이퍼 세정시 하나의 챔버에서 웨이퍼의 상, 하면을 동시 또는 순차 진행할 수 있으며 웨이퍼 홀더가 필요하지 않아 장비의 제조단가 감소 및 장비 사이즈가 작아지고 반도체 소자들이 형성되는 웨이퍼의 앞면에 대한 영향을 최소화함과 더불어 웨이퍼의 뒷면을 효율적으로 처리 가능한 효과가 있다.
본 발명은 반도체 소자들이 형성되는 웨이퍼의 앞면에 대한 영향을 최소화함과 더불어 웨이퍼의 뒷면을 효율적이고, 웨트 세정 기술에 필적하는 세정력이 있도록 하며, 웨이퍼에 플라즈마 처리 공정이나 평탄화 처리 공정을 진행할 때 웨이퍼의 뒷면이나 에지(Edge) 부위에 증착된 부산물을 용이하게 제거할 수 있다.
이하, 본 발명의 웨이퍼 세정 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일 실시 예를 들어 설명하면 다음과 같다.
< 제 1 실시 예 >
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 세정 처리장치는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 진공 상태에서 원격 플라즈마(Remote Plasma)를 이용하여 생성된 기체를 공급하고 화학 반응에 에칭하되 웨이퍼(W)의 상, 하면을 순차 또는 동시에 세정 및 공정처리가 가능한 챔버(100)로, 상기 챔버(100) 내 상부 즉, 웨이퍼(W)를 기점으로 상부에 형성되는 상부 공간(102)과 상기 챔버(100) 내 하부 즉, 상기 웨이퍼(W)를 기점으로 한 하부에 형성되는 하부 공간(104)이 각각 형성된다.
즉, 상기 상부 공간(102)에 의해 상기 웨이퍼(W)의 상면에 대해 플라즈마 세정 공정을 수행할 수 있고 상기 하부 공간(104)에 의해 상기 웨이퍼(W)의 하면에 대해 플라즈마 세정 공정을 수행할 수 있다.
그리고 상기 챔버(100)의 하부 공간(104)과 연결되는 하측에는 원격 플라즈 마를 발생시켜 상기 웨이퍼(W)에 공급하는 원격 플라즈마 발생기(도면에 미도시)가 구비된다.
그리고 상기 챔버(100)의 일측벽에는 상기 상부 공간(102)과 연결되어 통하면서 트랜스퍼 챔버(도면에 미도시)와의 사이에 개재된 게이트 밸브(도면에 미도시)에 의해 개방 또는 폐쇄되며 상기 웨이퍼(W)가 반입 또는 반출되는 통로인 개폐구(106)가 형성된다.
여기서, 상기 상부 공간(102)에는 상기 웨이퍼(W)가 웨이퍼척 없이 챔버(100) 내부에 홀딩되는 안착부(102a)를 포함하며, 상기 안착부(102a)는 상기 챔버(100)의 내부 상부 공간(102)에 별도로 구비(예: 프로세스 킷: Process kit)하여 결합시키거나 상기 챔버(100) 내벽에 일체 형성되는 것으로 본 실시 예에서는 이 챔버(100)의 내벽에 일체 형성되는 것으로 예시한다.
더욱이, 상기 안착부(102a)는 테이퍼(Taper)진 경사면 또는 경사진 곡면으로 형성되되 본 실시 예에서는 경사진 곡면 형상으로 형성되는 것을 예시한다.
그리고 상기 안착부(102a)가 형성된 상부 공간(102) 및 상기 챔버(100)의 하측으로 갈수록 면적이 확장되도록 테이퍼가 형성된 하부 공간(104)의 형상으로 인해 상기 웨이퍼(W)의 윗면, 아랫면을 동시에 전체적으로 공정 가스로부터 노출시킬 수 있어, 웨이퍼(W)를 기준으로 상부 공간(102)과 하부 공간(104)에서 다른 공정 가스를 이용한 세정 공정이 가능할 수 있다.
그리고 상기 챔버(100)는 그 상부 공간(102)의 상, 하측 외부에서 원격 플라즈마를 상기 웨이퍼(W) 방향으로 하향, 상향 공급하는 가스 공급부(도면에 미도시)와 연결되고 그 양 측벽에는 펌핑수단(도면에 미도시)과 연결되도록 가스유동라인(108)이 각각 형성된다.
그리고 상기 챔버(100)의 하측에는 운송로봇(도면에 미도시)의 작동으로 상기 개폐구(106)를 통해 반입된 웨이퍼(W)의 높이까지 상승하고 상기 안착부(102a)까지 하강시키거나 공정 처리된 웨이퍼(W)를 반출 높이까지 상승시키고 반출 후 하강되는 리프트 핀이 구비된 리프터 모듈(110)이 구비된다.
즉, 상기 리프터 모듈(110)은 상기 웨이퍼(W)가 상기 리프트 핀에 의해 하강할 때 자연적으로 웨이퍼(W)가 상기 안착부(102a)에 위치될 수 있도록 승강 구동된다.
여기서, 상기 웨이퍼(W)의 저면 세정 방법은 웨이퍼(W)를 공정이 가능한 상기 안착부(102a) 상에 위치시킨 후 세정에 적정한 가스와 압력, 온도를 조절하여 리모트 플라즈마(remote plasma)를 이용한 세정방법에 의해 플라즈마를 발생하여 세정을 할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼(W) 윗면 세정 방법 또한, 웨이퍼 뒷면 세정 방법과 동일하게 리모트 플라즈마 모드를 이용한 방법을 적용할 수 있다.
결국, 상기 웨이퍼(W)에 상기 상부 공간(102)을 통한 상부 또는 상기 하부 공간(104)을 통한 하부에서 공급되는 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)의 윗면 또는 밑면 부분의 세정을 선택적 또는 동시에 처리할 수 있으며, 플라즈마 가스의 흐름 방향은 상기 안착부(102a)의 하부에서 웨이퍼(W)의 모서리 부분으로 상기 가스유동라인(108)을 통해 펌핑(Pumping)되는 방법으로 구성할 수 있다.
그러므로 본 발명의 웨이퍼 세정 처리장치의 작동 과정은 우선, 운송로봇에 의해 웨이퍼(W)를 상기 챔버(100)의 개폐구(106)를 통해 반입 위치까지 이동한다.
다음으로, 상기 리프터 모듈(110)의 리프트 핀이 상승하여 반입된 웨이퍼(W)의 저면까지 상승하고 상기 운송로봇이 퇴출하면서 상기 리프트 핀이 하강하고 하강시 상기 안착부(102a)에 상기 웨이퍼(W)가 안착된다.
다음으로, 상기 웨이퍼(W)의 앞, 뒷면 세정에 적정한 가스와 압력, 온도 등을 조절하여 리모트 플라즈마를 이용한 플라즈마를 발생시켜 이 웨이퍼(W)의 앞, 뒷면을 순차 또는 동시에 세정을 하게 된다.
다음으로, 상기 리프터 모듈(110)의 리프트 핀이 웨이퍼(W)를 반출 위치까지 상승하고 진입된 상기 운송로봇에 의해 외부로 상기 웨이퍼(W)가 반출된다.
< 제 2 실시 예 >
본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 세정 처리장치는 도 3에 도시된 바와 같이 진공 상태에서 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma)에 의해 반응관인 챔버 외부의 코일에 고주파 전원을 인가함으로써, 무전극형(Electrodeless type)의 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼(W)의 상, 하면을 순차 또는 동시에 세정 및 공정처리가 챔버(200)로, 상기 챔버(200) 내 상부 즉, 웨이퍼(W)를 기점으로 한 상부에 형성되는 상부 공간(202)과 상기 챔버(200) 내 하부 즉, 상기 웨이퍼(W)를 기점으로 한 하부에 형성되는 하부 공간(204)이 각각 형성된다.
여기서, 상기 상부 공간(202), 이 상부 공간(202)과 연결되는 개폐구(206), 가스유동라인(208), 안착부(202a)와 하부 공간(204) 및 리프터 모듈(210)은 앞선 제 1 실시 예의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.
그리고 상기 안착부(202a)가 형성된 상부 공간(202) 및 상기 챔버(200)의 하측으로 갈수록 면적이 확장되도록 테이퍼가 형성된 하부 공간(204)의 형상으로 인해 상기 웨이퍼(W)의 윗면, 아랫면을 동시에 전체적으로 공정 가스로부터 노출시킬 수 있어, 웨이퍼(W)를 기준으로 상부 공간(202)과 하부 공간(204)에서 다른 공정 가스와 RF 발생기(220)에 의한 RF 값을 이용하여 세정 공정이 가능할 수 있다.
그리고 상기 챔버(200)는 그 상부 공간(202)의 상, 하측 외부에서 공정 가스를 상기 웨이퍼(W) 방향으로 하향, 상향 공급하는 가스 공급부(도면에 미도시)와 연결되고 그 양 측벽에는 펌핑수단(도면에 미도시)과 연결되도록 가스유동라인(208)이 각각 형성된다.
여기서, 상기 웨이퍼(W)의 저면 세정 방법은 웨이퍼(W)를 공정이 가능한 상기 안착부(202a) 상에 고정한 후 세정에 적정한 가스와 압력, 온도, 상기 RF 발생기(220)에 의한 RF 값을 조절하여 인덕터 모드(Inductor mode)를 이용한 플라즈마를 발생하여 세정을 할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼(W) 윗면 세정 방법 또한 웨이퍼 뒷면 세정 방법과 동일하게 인덕터 모드를 이용한 방법을 적용할 수 있다.
결국, 상기 웨이퍼(W)에 상기 상부 공간(202)을 통한 상부 또는 상기 하부 공간(204)을 통한 하부에서 공급되는 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)의 윗면 또는 밑면 부분의 세정을 선택적 또는 동시에 처리할 수 있으며, 플라즈마 가스의 흐름 방향은 상기 안착부(202a)의 하부에서 웨이퍼(W)의 모서리 부분으로 상기 가스유동 라인(208)을 통해 펌핑(Pumping)되는 방법으로 구성할 수 있다.
그러므로 본 발명의 웨이퍼 세정 처리장치의 작동 과정은 우선, 운송로봇에 의해 웨이퍼(W)를 상기 챔버(200)의 개폐구(206)를 통해 반입 위치까지 이동한다.
다음으로, 상기 리프터 모듈(210)의 리프트 핀이 상승하여 반입된 웨이퍼(W)의 저면까지 상승하고 상기 운송로봇이 퇴출하면서 상기 리프트 핀이 하강하고 하강시 상기 안착부(202a)에 상기 웨이퍼(W)가 안착된다.
다음으로, 상기 웨이퍼(W)의 앞, 뒷면 세정에 적정한 가스와 압력, 온도 및 RF 값 등을 조절하여 리모트 플라즈마를 이용한 플라즈마를 발생시키므로 이 웨이퍼(W)의 앞, 뒷면을 순차 또는 동시에 세정을 하게 된다.
다음으로, 상기 리프터 모듈(210)의 리프트 핀이 웨이퍼(W)를 반출 위치까지 상승하고 진입된 상기 운송로봇에 의해 외부로 상기 웨이퍼(W)가 반출된다.
< 제 3 실시 예 >
본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 세정 처리장치는 도 4에 도시된 바와 같이 진공 상태에서 웨이퍼(W)의 에지(Edge) 세정, 일명 베벨 에칭(Bevel Etching) 및 공정처리를 수행하는 챔버(300)로, 상기 챔버(300) 내 상부 즉, 웨이퍼(W)를 기점으로 한 상부에 형성되는 상부 공간(302)과 상기 챔버(300) 내 하부 즉, 상기 웨이퍼(W)를 기점으로 한 하부에 형성되는 하부 공간(304)이 각각 형성된다.
여기서, 상기 상부 공간(302), 이 상부 공간(302)과 연결되는 개폐구(306), 안착부(302a)와 하부 공간(304) 및 리프터 모듈(310)은 앞선 제 1, 2 실시 예의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.
한편, 가스유동라인(308)은 상기 챔버(300)의 양 측벽에서 상기 상부 공간(302)과 연결되도록 각각 형성되고 펌핑수단(도면에 미도시)과 연결된다.
더욱이, 상기 웨이퍼(W)의 하강 또는 상승 구간에서 웨이퍼(W) 상부를 플라즈마로부터 보호하기 위해 승강수단(도면에 미도시)에 의해 승강되는 플라즈마 블락커(Plasma blocker: 330)를 구비하고 리모트 플라즈마 또는 인턱터 모드를 이용한 플라즈마를 이용하여 진행할 수 있으며, 웨이퍼(W) 뒷면 세정을 진행한 전, 후에 처리할 수 있으므로 본 발명에서 상술한 실시 예에서와 같이 동일하게 두 가지 공정을 연속적으로 처리할 수 있다.
그리고 상기 웨이퍼(W)의 상부 또는 하부에서의 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)의 윗면 또는 밑면의 세정을 선택적 또는 동시에 처리할 수 있다.
그리고 플라즈마 가스의 흐름 방향은 상부 공간(302)의 하부와 하부 공간(304)의 상부에서 웨이퍼(W)의 모서리 부분인 상기 가스유동라인(308)을 통해 펌핑(Pumping)되는 방법으로 구성할 수 있다.
그러므로 본 발명의 웨이퍼 세정 처리장치의 작동 과정은 우선, 운송로봇에 의해 웨이퍼(W)를 상기 챔버(300)의 개폐구(306)를 통해 반입 위치까지 이동한다.
다음으로, 상기 리프터 모듈(310)의 리프트 핀이 상승하여 반입된 웨이퍼(W)의 저면까지 상승하고 상기 운송로봇이 퇴출하면서 상기 리프트 핀이 하강하고 하 강시 상기 안착부(302a)에 상기 웨이퍼(W)가 안착된다.
다음으로, 상기 플라즈마 블락커(330)가 승강수단의 구동에 의해 하강하여 상기 웨이퍼(W)의 상면을 플라즈마로부터 보호하게 된다.
그 후, 상기 웨이퍼(W)의 뒷면 세정에 적정한 가스와 압력, 온도 및 RF 발생기(320)에 의한 RF 값 등을 조절하여 리모트 플라즈마를 이용한 플라즈마를 발생시켜 이 웨이퍼(W)의 뒷면을 세정하게 된다.
다음으로, 상기 플라즈마 블락커(330)를 상승시킨 후 상기 리프터 모듈(310)의 리프트 핀이 웨이퍼(W)를 반출 위치까지 상승하고 진입된 상기 운송로봇에 의해 외부로 상기 웨이퍼(W)가 반출된다.
< 제 4 실시 예 >
본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 세정 처리장치는 도 5에 도시된 바와 같이 진공 상태에서 역가스 흐름을 주도하여 웨이퍼(W)의 배면을 세정 및 공정처리하는 챔버(400)로, 상기 챔버(400) 내 상부 즉, 웨이퍼(W)를 기점으로 한 상부에 형성되는 상부 공간(402)과 상기 챔버(400) 내 하부 즉, 상기 웨이퍼(W)를 기점으로 한 하부에 형성되는 하부 공간(404)이 각각 형성된다.
여기서, 상기 상부 공간(402), 이 상부 공간(402)과 연결되는 개폐구(406), 가스유동라인(408), 안착부(402a)와 하부 공간(404) 및 리프터 모듈(410)은 앞선 제 1, 2 실시 예의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.
그리고 상기 웨이퍼(W)의 상부 또는 하부, 측면인 가스유동라인(408)을 통한 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)의 윗면 또는 밑면, 에지 부분의 세정을 선택적 또는 동시에 처리할 수 있다.
그리고 플라즈마 가스의 흐름 방향은 상부 공간(402)의 하부에서 웨이퍼(W)의 모서리 부분인 상기 가스유동라인(408)을 통해 펌핑(Pumping)되는 방법과 그 역방향인 웨어퍼(W)의 모서리 부분인 가스유동라인(408)에서 상기 하부 공간(404)의 하부 방향으로 펌핑되는 방법을 선택적으로 사용하여 구성할 수 있다.
그러므로 본 발명의 웨이퍼 세정 처리장치의 작동 과정은 우선, 운송로봇에 의해 웨이퍼(W)를 상기 챔버(400)의 개폐구(406)를 통해 반입 위치까지 이동한다.
다음으로, 상기 리프터 모듈(410)의 리프트 핀이 상승하여 반입된 웨이퍼(W)의 저면까지 상승하고 상기 운송로봇이 퇴출하면서 상기 리프트 핀이 하강하고 하강시 상기 안착부(402a)에 상기 웨이퍼(W)가 안착된다.
다음으로, 상기 웨이퍼(W)의 뒷면 세정에 적정한 가스와 압력, 온도 등을 조절하여 리모트 플라즈마를 이용한 플라즈마를 발생시켜 이 웨이퍼(W)의 뒷면을 세정하게 된다.
다음으로, 상기 리프터 모듈(410)의 리프트 핀이 웨이퍼(W)를 반출 위치까지 상승하고 진입된 상기 운송로봇에 의해 외부로 웨이퍼(W)가 반출된다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 보호범위는 상기 실시 예에 한정되는 것이 아니며, 해당 기술분야의 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 사상 및 기술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시 예인 웨이퍼 세정 처리장치에서 원격 플라즈마에 의해 웨이퍼를 세정하는 장비를 도시한 사시도 및 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예인 웨이퍼 세정 처리장치에서 유도 결합형 플라즈마에 의해 웨이퍼를 세정하는 장비를 도시한 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시 예인 웨이퍼 세정 처리장치에서 베벨 에칭에 의해 웨이퍼를 세정하는 장비를 도시한 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시 예인 웨이퍼 세정 처리장치에서 역가스 흐름을 주도하여 웨이퍼의 배면을 세정하는 장비를 도시한 측단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 제 1 실시 예에 따른 웨이퍼 세정 처리장치의 챔버
102: 상부 공간 104: 하부 공간
106: 개폐구 108: 가스유동라인
110: 리프터 모듈
200: 제 2 실시 예에 따른 웨이퍼 세정 처리장치의 챔버
202: 상부 공간 204: 하부 공간
206: 개폐구 208: 가스유동라인
210: 리프터 모듈 220: RF 발생기
300: 제 3 실시 예에 따른 웨이퍼 세정 처리장치의 챔버
302: 상부 공간 304: 하부 공간
306: 개폐구 308: 가스유동라인
310: 리프터 모듈 320: RF 발생기
330: 플라즈마 블락커
400: 제 4 실시 예에 따른 웨이퍼 세정 처리장치의 챔버
402: 상부 공간 404: 하부 공간
406: 개폐구 408: 가스유동라인
410: 리프터 모듈

Claims (6)

  1. 웨이퍼의 상, 하면을 세정 및 공정 처리하는 세정 처리장치에 있어서,
    상기 웨이퍼를 기점으로 상기 챔버 내 상부에 상부 공간이 형성되고 하부에 하부 공간이 형성되며, 상기 상부 공간에 상기 웨이퍼가 웨이퍼척 없이 챔버 내부에 홀딩되는 안착부를 포함하여 하나의 챔버에서 상기 웨이퍼의 상, 하면을 순차 또는 동시에 세정이 실시되며,
    상기 웨이퍼의 뒷면 세정시 플라즈마 가스 흐름은 상기 챔버의 하부 공간에서 상기 웨이퍼의 모서리 부분으로 펌핑되거나 상기 웨이퍼의 모서리 부분에서 상기 챔버의 하부 공간 방향으로 펌핑되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 안착부는 상기 챔버의 내부에 별도로 구비하거나 상기 챔버 내벽에 일체 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 처리장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 안착부는 경사면 또는 경사진 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 처리장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 모서리 세정시 상기 웨이퍼의 상부를 플라즈마로부터 보호하기 위해 승강되는 플라즈마 블락커(Plasma Blocker)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 처리장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 리모트 플라즈마(remote plasma)를 이용한 세정방법 또는 인덕터 모드(Inductor mode)를 이용한 플라즈마를 발생하여 세정하는 방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 처리장치.
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