JP2003203940A - 半導体チップ及び配線基板並びにこれらの製造方法、半導体ウエハ、半導体装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

半導体チップ及び配線基板並びにこれらの製造方法、半導体ウエハ、半導体装置、回路基板並びに電子機器

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JP2003203940A JP2002250773A JP2002250773A JP2003203940A JP 2003203940 A JP2003203940 A JP 2003203940A JP 2002250773 A JP2002250773 A JP 2002250773A JP 2002250773 A JP2002250773 A JP 2002250773A JP 2003203940 A JP2003203940 A JP 2003203940A
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resist layer
opening
pad
passivation film
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Hiroshi Obara
浩志 小原
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップ及び配線基板並びにこれらの製
造方法、半導体ウエハ、半導体装置、回路基板並びに電
子機器に関して、下地層への水分の進入が防止されるバ
ンプを形成することを目的とする。 【解決手段】 集積回路には複数のパッド１２が電気的
に接続されている。パッシベーション膜１４は、パッド
１２の一部を覆うとともに他の部分を露出させている。
パッド１２には、バンプ３０が形成されている。バンプ
３０は、パッド１２のパッシベーション膜１４からの露
出部とパッシベーション膜１４とに載る単一層である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
配線基板並びにこれらの製造方法、半導体ウエハ、半導
体装置、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】半導体集積回路の高集積化、半導体チッ
プの縮小化が進むと、微細ピッチの端子接続に対応可能
な実装技術が要求される。この要求に対応しやすい実装
技術として、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）等で利用
されるＴＡＢ（Tape AutomatedBonding）実装や、ＣＳ
Ｐ（Chip Size Package）等で利用されるフリップチッ
プ実装があげられる。
【０００３】上記のような実装技術には、通常、半導体
チップのパッドにバンプが設けられる。バンプは例えば
Ａｕバンプが代表的であり、その形成は電解メッキ法に
よるものが一般的である。電解メッキ法によるＡｕバン
プ電極の形成方法を以下に説明する。
【０００４】図１４は、従来の半導体チップにおけるＡ
ｕバンプの断面図である。内部の集積回路に繋がる配線
の一部であるパッド１２は、電気的接続領域の表面を除
いてパッシベーション膜１４によって被覆されている。
【０００５】まず、アンダーバンプメタル層（バリアメ
タル層及び密着性金属層の積層）１をスパッタ法により
形成する。その後、フォトリソグラフィ技術によりパッ
ド１２の電気的接続領域及びその周囲部を露出させたバ
ンプ形成用のレジスト層２を形成する。次に、レジスト
層２のパターンに従って電解メッキ法によりＡｕをメッ
キ成長させる。その後、レジスト層２を剥離してからメ
ッキ成長したＡｕをマスクとして、アンダーバンプメタ
ル層１を、その層の種類に応じてウェットエッチングす
る。その後はアニールなどを経てバンプ３を形成する。
各所で適宜洗浄工程も入る。このように、電解メッキ法
によるバンプ形成プロセスは長く、よりいっそうの短縮
合理化が要求されている。
【０００６】そこで、最近提案されているのが、無電解
メッキ法によるバンプの形成である。無電解メッキ法で
形成したバンプは、少なくともアンダーバンプメタル層
のスパッタ形成及びエッチング工程が不要である。これ
により、大幅なプロセスの短縮が可能で、安価なバンプ
の形成が実現される。しかし、無電解メッキ法でバンプ
を形成するときには、アンダーバンプメタル層を形成し
ないので、パッドへの水分の進入を防止することが必要
である。
【０００７】本発明は、半導体チップ及び配線基板並び
にこれらの製造方法、半導体ウエハ、半導体装置、回路
基板並びに電子機器に関して、下地層への水分の進入が
防止されるバンプを形成することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体ウエハは、複数の集積回路と、それぞれの前記集積回
路に電気的に接続されてなる複数のパッドと、それぞれ
の前記パッドの一部を覆うとともに他の部分を露出させ
てなるパッシベーション膜と、それぞれの前記パッドに
形成されてなるバンプと、を有し、前記バンプは、前記
パッドの前記パッシベーション膜からの露出部と前記パ
ッシベーション膜とに載る単一層である。
【０００９】本発明によれば、バンプが、パッシベーシ
ョン膜にかかるようにパッドを覆うので、パッドへの水
分の進入を防止することができる。しかも、パッドを覆
っているのは、単一層であるから、水分の進入防止効果
が大きい。
【００１０】（２）この半導体ウエハにおいて、前記バ
ンプの外側に第２の層が形成されていてもよい。
【００１１】（３）本発明に係る半導体チップは、集積
回路と、前記集積回路に電気的に接続されてなる複数の
パッドと、それぞれの前記パッドの一部を覆うとともに
他の部分を露出させてなるパッシベーション膜と、それ
ぞれの前記パッドに形成されてなるバンプと、を有し、
前記バンプは、前記パッドの前記パッシベーション膜か
らの露出部と前記パッシベーション膜とに載る単一層で
ある。
【００１２】本発明によれば、バンプが、パッシベーシ
ョン膜にかかるようにパッドを覆うので、パッドへの水
分の進入を防止することができる。しかも、パッドを覆
っているのは、単一層であるから、水分の進入防止効果
が大きい。
【００１３】（４）この半導体チップにおいて、前記バ
ンプの外側に第２の層が形成されていてもよい。
【００１４】（５）本発明に係る半導体装置は、半導体
チップと、前記半導体チップが実装されてなる基板と、
外部端子と、を有する。
【００１５】（６）本発明に係る回路基板は、上記半導
体チップが実装されてなる。
【００１６】（７）本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置が実装されてなる。
【００１７】（８）本発明に係る電子機器は、上記半導
体装置を有する。
【００１８】（９）本発明に係る半導体チップの製造方
法は、パッドを覆うパッシベーション膜上に、前記パッ
ドの中央部の上方に開口を有するレジスト層を形成する
こと、前記レジスト層をマスクとして、前記パッシベー
ション膜を、前記パッドの端部を覆ったままで前記パッ
ドの前記中央部を露出させるようにエッチングしなが
ら、前記レジスト層を、前記開口が拡大するようにエッ
チングすること、及び、無電解メッキによって、前記レ
ジスト層の前記拡大した開口内であって、前記パッドの
前記中央部及び前記パッシベーション膜上に、単一層の
バンプを形成すること、を含む。
【００１９】本発明によれば、バンプが、パッシベーシ
ョン膜にかかるようにパッドを覆うので、パッドへの水
分の進入を防止することができる。しかも、バンプが単
一層であるから、水分の進入防止効果が大きい。
【００２０】（１０）この半導体チップの製造方法にお
いて、前記レジスト層の前記開口の内壁面をエッチング
してもよい。
【００２１】（１１）この半導体チップの製造方法にお
いて、化学的エッチング作用及び物理的エッチング作用
を有するエッチングを適用し、前記パッシベーション膜
を、化学的エッチング作用よりも物理的エッチング作用
によって多くエッチングし、前記レジスト層を、物理的
エッチング作用よりも化学的エッチング作用によって多
くエッチングしてもよい。
【００２２】（１２）この半導体チップの製造方法にお
いて、前記レジスト層の前記開口を拡大させた後に、前
記エッチングよりも物理的エッチング効果の小さい第２
のエッチングを適用して、前記レジスト層の前記開口を
さらに拡大させることをさらに含んでもよい。
【００２３】（１３）本発明に係る半導体チップの製造
方法は、パッドを覆うパッシベーション膜上に、前記パ
ッドの中央部の上方に開口を有するレジスト層を形成す
ること、前記レジスト層をマスクとして、前記パッシベ
ーション膜を、前記パッドの端部を覆ったままで前記パ
ッドの前記中央部を露出させるようにエッチングするこ
と、前記レジスト層を、前記開口が拡大するようにエッ
チングすること、及び、無電解メッキによって、前記レ
ジスト層の前記拡大した開口内であって、前記パッドの
前記中央部及び前記パッシベーション膜上に、単一層の
バンプを形成すること、を含む。
【００２４】本発明によれば、バンプが、パッシベーシ
ョン膜にかかるようにパッドを覆うので、パッドへの水
分の進入を防止することができる。しかも、バンプが単
一層であるから、水分の進入防止効果が大きい。
【００２５】（１４）本発明に係る半導体チップの製造
方法は、パッドを覆うパッシベーション膜上に、前記パ
ッドの中央部の上方に開口を有するレジスト層を形成す
ること、前記レジスト層をマスクとして、前記パッシベ
ーション膜を、前記パッドの端部を覆ったままで前記パ
ッドの前記中央部を露出させるようにエッチングする第
１のエッチング、前記レジスト層の下端部を除いた部分
を、前記開口が拡大するようにエッチングする第２のエ
ッチング、前記レジスト層の前記下端部を、前記開口が
拡大するようにエッチングする第３のエッチング、及
び、無電解メッキによって、前記レジスト層の前記拡大
した開口内であって、前記パッドの前記中央部及び前記
パッシベーション膜上に、単一層のバンプを形成するこ
と、を含む。
【００２６】本発明によれば、バンプが、パッシベーシ
ョン膜にかかるようにパッドを覆うので、パッドへの水
分の進入を防止することができる。しかも、バンプが単
一層であるから、水分の進入防止効果が大きい。
【００２７】（１５）この半導体チップの製造方法にお
いて、前記第２のエッチングは、前記第３のエッチング
よりも、前記レジスト層に対するエッチング速度が速く
てもよい。
【００２８】（１６）この半導体チップの製造方法にお
いて、前記第３のエッチングは、前記第２のエッチング
よりも、前記レジスト層の前記パッシベーション膜に対
するエッチング選択比が高くてもよい。
【００２９】（１７）本発明に係る半導体チップの製造
方法は、パッドを覆うパッシベーション膜上に、前記パ
ッドの中央部の上方に第１の開口を有する第１のレジス
ト層を形成すること、前記第１のレジスト層をマスクと
して、前記パッシベーション膜を、前記パッドの端部を
覆ったままで前記パッドの前記中央部を露出させるよう
にエッチングすること、前記第１のレジスト層を除去す
ること、前記パッドの前記中央部よりも大きい第２の開
口を有する第２のレジスト層を、前記第２の開口内に前
記パッドの前記中央部及び前記パッシベーション膜の一
部が配置されるように形成すること、及び、無電解メッ
キによって、前記第２のレジスト層の前記第２の開口内
であって、前記パッドの前記中央部及び前記パッシベー
ション膜上に、単一層のバンプを形成すること、を含
む。
【００３０】本発明によれば、バンプが、パッシベーシ
ョン膜にかかるようにパッドを覆うので、パッドへの水
分の進入を防止することができる。しかも、バンプが単
一層であるから、水分の進入防止効果が大きい。
【００３１】（１８）本発明に係る配線基板の製造方法
は、配線パターンの一部であるランドを覆う絶縁膜上
に、前記ランドの中央部の上方に開口を有するレジスト
層を形成すること、前記レジスト層をマスクとして、前
記絶縁膜を、前記ランドの端部を覆ったままで前記ラン
ドの前記中央部を露出させるようにエッチングしなが
ら、前記レジスト層を、前記開口が拡大するようにエッ
チングすること、及び、無電解メッキによって、前記レ
ジスト層の前記拡大した開口内であって、前記ランドの
前記中央部及び前記絶縁膜上に、単一層のバンプを形成
すること、を含む。
【００３２】本発明によれば、バンプが、絶縁膜にかか
るようにランドを覆うので、ランドへの水分の進入を防
止することができる。しかも、バンプが単一層であるか
ら、水分の進入防止効果が大きい。
【００３３】（１９）この配線基板の製造方法におい
て、前記レジスト層の前記開口の内壁面をエッチングし
てもよい。
【００３４】（２０）この配線基板の製造方法におい
て、化学的エッチング作用及び物理的エッチング作用を
有するエッチングを適用し、前記絶縁膜を、化学的エッ
チング作用よりも物理的エッチング作用によって多くエ
ッチングし、前記レジスト層を、物理的エッチング作用
よりも化学的エッチング作用によって多くエッチングし
てもよい。
【００３５】（２１）この配線基板の製造方法におい
て、前記レジスト層の前記開口を拡大させた後に、前記
エッチングよりも物理的エッチング効果の小さい第２の
エッチングを適用して、前記レジスト層の前記開口をさ
らに拡大させることをさらに含んでもよい。
【００３６】（２２）本発明に係る配線基板の製造方法
は、配線パターンの一部であるランドを覆う絶縁膜上
に、前記ランドの中央部の上方に開口を有するレジスト
層を形成すること、前記レジスト層をマスクとして、前
記絶縁膜を、前記ランドの端部を覆ったままで前記ラン
ドの前記中央部を露出させるようにエッチングするこ
と、前記レジスト層を、前記開口が拡大するようにエッ
チングすること、及び、無電解メッキによって、前記レ
ジスト層の前記拡大した開口内であって、前記ランドの
前記中央部及び前記絶縁膜上に、単一層のバンプを形成
すること、を含む。
【００３７】本発明によれば、バンプが、絶縁膜にかか
るようにランドを覆うので、ランドへの水分の進入を防
止することができる。しかも、バンプが単一層であるか
ら、水分の進入防止効果が大きい。
【００３８】（２３）本発明に係る配線基板の製造方法
は、配線パターンの一部であるランドを覆う絶縁膜上
に、前記ランドの中央部の上方に開口を有するレジスト
層を形成すること、前記レジスト層をマスクとして、前
記絶縁膜を、前記ランドの端部を覆ったままで前記ラン
ドの前記中央部を露出させるようにエッチングする第１
のエッチング、前記レジスト層の下端部を除いた部分
を、前記開口が拡大するようにエッチングする第２のエ
ッチング、前記レジスト層の前記下端部を、前記開口が
拡大するようにエッチングする第３のエッチング、及
び、無電解メッキによって、前記レジスト層の前記拡大
した開口内であって、前記ランドの前記中央部及び前記
絶縁膜上に、単一層のバンプを形成すること、を含む。
【００３９】本発明によれば、バンプが、絶縁膜にかか
るようにランドを覆うので、ランドへの水分の進入を防
止することができる。しかも、バンプが単一層であるか
ら、水分の進入防止効果が大きい。
【００４０】（２４）この配線基板の製造方法におい
て、前記第２のエッチングは、前記第３のエッチングよ
りも、前記レジスト層に対するエッチング速度が速くて
もよい。
【００４１】（２５）この配線基板の製造方法におい
て、前記第３のエッチングは、前記第２のエッチングよ
りも、前記レジスト層の前記パッシベーション膜に対す
るエッチング選択比が高くてもよい。
【００４２】（２６）本発明に係る配線基板の製造方法
は、配線パターンの一部であるランドを覆う絶縁膜上
に、前記ランドの中央部の上方に第１の開口を有する第
１のレジスト層を形成すること、前記第１のレジスト層
をマスクとして、前記絶縁膜を、前記ランドの端部を覆
ったままで前記ランドの前記中央部を露出させるように
エッチングすること、前記第１のレジスト層を除去する
こと、前記ランドの前記中央部よりも大きい第２の開口
を有する第２のレジスト層を、前記第２の開口内に前記
ランドの前記中央部及び前記絶縁膜の一部が配置される
ように形成すること、及び、無電解メッキによって、前
記第２のレジスト層の前記第２の開口内であって、前記
ランドの前記中央部及び前記絶縁膜上に、単一層のバン
プを形成すること、を含む。
【００４３】本発明によれば、バンプが、絶縁膜にかか
るようにランドを覆うので、ランドへの水分の進入を防
止することができる。しかも、バンプが単一層であるか
ら、水分の進入防止効果が大きい。
【００４４】（２７）本発明に係る配線基板は、ランド
を有する配線パターンと、前記ランドの一部を覆うとと
もに他の部分を露出させてなる絶縁膜と、前記ランドに
形成されてなるバンプと、を有し、前記バンプは、前記
ランドの前記絶縁膜からの露出部と前記絶縁膜とに載る
単一層である。
【００４５】本発明によれば、バンプが、絶縁膜にかか
るようにランドを覆うので、ランドへの水分の進入を防
止することができる。しかも、ランドを覆っているバン
プは単一層であるから、水分の進入防止効果が大きい。
【００４６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。
【００４７】（第１の実施の形態）図１（Ａ）〜図１
（Ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体チッ
プの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、
半導体ウエハ１０は、本体（半導体基板及びその上の絶
縁膜）の上方にパッド１２を有する。まず、図１（Ａ）
に示すように、パッド１２を覆うパッシベーション膜
（保護用絶縁膜）１４上にレジスト層２０を形成する。
パッド１２は、例えばアルミニウムで形成されていても
よい。パッド１２は、本体（半導体基板及びその上の絶
縁膜）内又は半導体基板上に設けられた集積回路１６
（図２参照）に電気的に接続されている。複数の集積回
路１６が半導体ウエハ１０（図２参照）に形成されてい
る。半導体ウエハ１０は、複数の半導体チップに切断
（例えばダイシング又はスクライビング）されるもので
あり、各半導体チップが集積回路１６を有する。半導体
ウエハ１０の本体は、集積回路１６を有し、例えば、ト
ランジスタとトランジスタを保護する層間絶縁膜とを有
する。パッド１２は、層間絶縁膜の上方に設けられてい
る。パッシベーション膜１４は、半導体ウエハ１０の本
体とパッド１２との上に形成されたものである。パッシ
ベーション膜１４は、半導体ウエハ１０の最上層であっ
てもよい。パッシベーション膜１４は、ＣＶＤ（化学気
相成長）法によって形成してもよい。
【００４８】パッシベーション膜１４は、切断するため
のライン（例えばダイシングライン又はスクライブライ
ン）上を避けて形成してもよい。パッシベーション膜１
４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド等の樹脂などで形
成することができる。パッシベーション膜１４は、単層
で形成してもよいし、複数層で形成してもよい。
【００４９】レジスト層２０は、エネルギー（光、電子
線、Ｘ線等）に感応する材料（例えば感光性樹脂）で形
成してもよい。レジスト層２０は、感光性のポリイミド
樹脂であってもよい。レジスト層２０は、パッド１２の
一部（例えば中央部）の上方に開口２２を有する。開口
２２の形成には、リソグラフィ（例えばフォトリソグラ
フィ）を適用してもよい。
【００５０】図１（Ｂ）に示すように、レジスト層２０
をマスクとしてエッチングを行い、パッシベーション膜
１４に開口２２を形成する。エッチングは、ウェットエ
ッチング、ドライエッチングのどちらを使用してもよ
い。
【００５１】パッシベーション膜１４を、パッド１２の
一部（例えば端部）を覆ったままでパッド１２の一部
（例えば中央部）を露出させるようにエッチングする。
すなわち、パッド１２上のパッシベーション膜１４に、
パッド１２の上面（パッシベーション膜１４が上に設け
られた表面）の面積よりも小さい面積の開口部を形成す
る。パッシベーション膜１４は、ドライエッチングまた
はウェットエッチングによってエッチングしてもよい。
異方性の高いドライエッチング、例えば、Ａｒ又はＣＦ
４を含むエッチングガスを使用したドライエッチング
（例えば反応性イオンエッチング）で、パッシベーショ
ン膜１４の一部をエッチングすることにより、異方性の
高いエッチングをすることができる。
【００５２】パッシベーション膜１４の開口は、Ａｒ又
はＣＦ４とＯ２の混合ガスをエッチングガスとして使用
したドライエッチング（例えば反応性イオンエッチン
グ）を用いて行ってもよい。例えば、Ｏ２とＣＦ４を含
むエッチングガスにおいて、Ｏ ２とＣＦ４の比率が、 Ｏ2：ＣＦ4＝２：１〜１：５ 望ましくは、 Ｏ2：ＣＦ4＝２：１〜１：２ の範囲のエッチング条件を採用してもよい。枚葉式のエ
ッチングなら、圧力は８０〜２５０Ｐａ、Ｒｆパワーは
１００〜２００Ｗ程度であってもよい。パッシベーショ
ン膜１４がＳｉＯ2膜なら、ウェットエッチング及びド
ライエッチングを適用してもよい。パッシベーション膜
１４がＳｉＮ膜を含むときには、ドライエッチングが主
流となるが、テーパー付けが必要ならウェットエッチン
グも使用してよい。パッシベーション膜（絶縁膜）１４
が複数層から構成されるときには、ウェットエッチング
及びドライエッチングを適宜使用してもよい。
【００５３】また、レジスト層２０の開口２２が設けら
れた領域に、開口２２の開口面積よりも広い開口２４を
設ける。開口面積とはパッシベーション膜１４と接触す
る側におけるレジスト層２０の開口面積をいう。レジス
ト層２０を、開口２２がパッド１２の一部（例えば中央
部）よりも拡大するようにエッチングしてもよい。すな
わち、開口２４の開口面積を、パッド１２の上面（パッ
シベーション膜１４が上に設けられた表面）の面積より
も大きくなるように形成してもよい。レジスト層２０の
開口２２の内壁面をエッチングしてもよい。レジスト層
２０は、異方性よりも等方性が高いエッチングによって
エッチングしてもよい。例えば、Ｏ２を含むエッチング
ガスを使用したプラズマドライエッチング（例えば反応
性イオンエッチング、酸素プラズマを使用するプラズマ
エッチング）で、反応ガスのレジスト層２０との反応に
よって、レジスト層２０をエッチングすることができ
る。酸素プラズマを用いたプラズマドライエッチングを
用いれば、酸素ラジカルによって反応ガスが活性化され
て、レジスト層２０のエッチング速度が速くなる。この
場合、エッチング条件を変化させることによって、レジ
スト層２０を等方的にエッチングして所定範囲量だけ後
退制御してもよい。すなわち、レジスト層２０をさらに
等方性エッチングすることにより、レジスト層２０に設
けられた開口２２を横方向から広げるように開口２４を
形成してもよい。また、開口２２の周りのレジスト層を
異方性の高いドライエッチングで除去してもよい。これ
によれば、開口形状を制御しやすい。
【００５４】本実施の形態では、パッシベーション膜１
４のエッチングとレジスト層２０の開口２２を拡大する
エッチングとを同一工程で行ってもよいし、上述のよう
に別工程で行ってもよい。
【００５５】エッチングが終了すると、拡大した開口２
４の内側に、パッシベーション膜１４が突出する。開口
２４の開口面積は、パッシベーション膜１４のパッド１
２上の開口の開口面積よりも大きくてもよい。すなわ
ち、拡大した開口２４の内側では、パッド１２の一部
（例えば中央部）がパッシベーション膜１４から露出
し、パッド１２の他の一部（例えば端部）にパッシベー
ション膜１４が載っている。パッシベーション膜１４に
は若干テーパーが付与されてもよい。すなわち、パッシ
ベーション膜１４のパッド１２を覆う部分は、パッド１
２の露出部（例えば中央部）から、斜め上方を向いて傾
斜していてもよい。すなわち、パッシベーション膜１４
の開口の面積は、パッド１２の側からレジスト層２０の
側に向かって大きくなっていてもよい。パッド１２の側
面は、パッシベーション膜１４によって覆われている。
レジスト層２０は無電解メッキ成長方向を規制する部材
となる。次の無電解メッキ工程の前に、レジスト層２０
を、ＵＶ照射などによって硬化させてもよい。
【００５６】図１（Ｃ）に示すように、無電解メッキに
よってバンプ３０を形成する。例えば、レジスト層２０
の開口２４内で、Ａｌで形成されたパッド１２のパッシ
ベーション膜１４からの露出面にジンケート処理を施
す。例えば、Ｚｎイオンの入った処理液に半導体ウエハ
１０を浸漬し、 ２Ａｌ＋３Ｚｎ2+→２Ａｌ3+＋３Ｚｎ の反応によりＡｌをＺｎに置換する。これにより、パッ
ド１２の露出面をＺｎに置換する。その後、半導体ウエ
ハ１０を無電解Ｎｉメッキ液（Ｎｉイオン、還元剤（一
般的には次亜リン酸Ｎａ）、安定剤、緩衝剤を主成分と
する液）中に浸し、ＺｎとＮｉの置換反応を経てＮｉを
堆積させてもよい。もしくは、Ａｌを、Ａｌ上のみに選
択的に吸着するパラジウム溶液に浸し、その後無電解Ｎ
ｉメッキ液中に浸し、パラジウムを核としてＮｉを析出
させてもよい。
【００５７】無電解メッキによって析出する金属（例え
ばＮｉ）は、パッド１２の露出面から横方向にも拡が
り、パッシベーション膜１４上にも延在し、レジスト層
２０の内壁面で横方向への拡がりが止まる。開口２４の
内壁面が、パッド１２に対して垂直に立ち上がっていれ
ば、垂直に立ち上がるようにバンプ３０を形成すること
ができる。レジスト層２０の上端部において開口２４の
内壁面が、上述したエッチングによって傾斜している場
合、内壁面が垂直に立ち上がっている領域（ストレート
性の高いパターンの領域）で、無電解Ｎｉメッキを終了
させてもよい。
【００５８】こうして、レジスト層２０の拡大した開口
２４内であって、パッド１２の一部（例えば中央部）及
びパッシベーション膜１４上に、単一層のバンプ３０を
形成することができる。バンプ３０が、パッシベーショ
ン膜１４にかかるようにパッド１２を覆うので、パッド
１２への水分の進入を防止することができる。しかも、
バンプ３０が単一層であるから、水分の進入防止効果が
大きい。バンプ３０は、パッシベーション膜１４上に載
るため、上面が凹面になっていてもよい。その場合、バ
ンプ３０の上端部がつぶれやすくなっていてもよい。
【００５９】次に、図１（Ｄ）に示すように、レジスト
層２０を除去する。バンプ３０に第２の層３２を形成し
てもよい。第２の層３２は、無電解メッキで形成しても
よい。第２の層３２は、Ａｕで形成してもよい。例え
ば、半導体ウエハ１０を、メッキ液（Ａｕイオン、還元
剤、安定剤、緩衝剤を主成分とした液）に浸漬し、無電
解Ａｕメッキを施してもよい。Ａｕの自己析出量が０．
４μｍ以上になるようにメッキ時間を制御してもよい。
すなわち、Ａｕメッキ析出速度は、Ｎｉメッキ析出速度
に比べて極めて遅いので、第２の層３２の厚みが０．４
μｍ以上になればメッキを終了してもよい。その後、洗
浄して第２の層３２を形成することができる。Ａｕで形
成された第２の層３２によって良好な電気的接続が得ら
れる。第２の層３２は、パッシベーション膜３２に載る
ように形成してもよい。第２の層３２は、バンプ３０を
封止するように形成してもよい。
【００６０】本実施の形態では、異なるメッキ液を使用
して、２層以上の異なる金属を析出、成長させる無電解
メッキによってバンプを形成する。メッキ材料は、メッ
キ成長速度、抵抗、接続性などを考慮して効率のよいも
のを選択することができる。Ａｕメッキ析出速度は、Ｎ
ｉメッキ析出速度に比べて極めて遅いので、バンプ３０
及び第２の層３２の全体の高さの９９％までをＮｉで形
成してもよい。
【００６１】無電解メッキの工程で、処理液が半導体ウ
エハ１０の裏面にも接触すると、接地電位（または不安
定な電位）への電気的導通路ができ、各パッド１２の電
位が不安定になる場合がある（グランド効果）。そこ
で、メッキに関する処理液が、半導体ウエハ１０の主表
面（バンプ３０を形成する面）のみに接触するようにし
てもよい。すなわち、ジンケート処理、無電解Ｎｉメッ
キ、無電解Ａｕメッキの各処理液が、半導体ウエハ１０
の主表面以外には触れないように対策してもよい。例え
ば、ディップ式の処理槽を使用する場合、半導体ウエハ
１０の裏面側を密封するホルダを使用したり、半導体ウ
エハ１０の主表面側を損傷させないように裏面にレジス
トを塗布したりしてもよい。あるいは、半導体ウエハ１
０の主表面の外周部を処理液カップに当てるカップ式な
どを適用してもよい。この他の対策を講じてもよい。こ
れにより、ジンケート処理、各種無電解メッキ処理に関
し、パッドの電位に左右されることもなく、グランド効
果の影響を防止できる。
【００６２】本実施の形態によれば、バンプ３０を、電
解メッキと比べてプロセスが大幅に短縮できる無電解メ
ッキによって形成する。また、一度形成されたレジスト
３０は、パッシベーション膜（絶縁膜）１４をエッチン
グするときのマスクとして使用できるとともに、無電解
メッキの成長方向を規制する部材として機能する。これ
により、製造プロセスが大幅に短縮され、合理化され生
産効率及び信頼性が高められる。また、再度のレジスト
の塗布、パターニングの工程がないため、位置ズレに対
応するための領域が不要であるため、狭ピッチに対処可
能なバンプが実現しやすい。
【００６３】なお、変形例として、バンプ３０を、Ｃｕ
で形成してもよい。その場合、Ｃｕイオン、還元剤、安
定剤、緩衝剤を主成分としたメッキ液に半導体ウエハ１
０を浸漬し、Ｃｕを自己析出させてもよい。また、第２
の層３２を、Ａｕの代りにＳｎで形成してもよい。
【００６４】図２に示すように、半導体ウエハ１０をツ
ール（ダイサ等のカッタ又はスクライバ）４０によって
切断して、個々の半導体チップを得ることができる。な
お、半導体チップに対して上述した工程を行ってバンプ
３０を形成してもよい。
【００６５】上述した工程を経た半導体ウエハ１０は、
複数の集積回路１６を有する。それぞれの集積回路１６
には、複数のパッド１２が電気的に接続されている。パ
ッシベーション膜１４は、それぞれのパッド１２の一部
（例えば中央部）を覆うとともに他の部分を露出させて
なる。それぞれのパッド１２にはバンプ３０が形成され
ている。バンプ３０の一部は、パッド１２のパッシベー
ション膜１４からの露出部とパッシベーション膜１４と
に載る単一層である。バンプ３０の外側には、第２の層
３２が形成されていてもよい。
【００６６】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体装置を示す図である。半導体装置は、半導体チッ
プ５０を有する。半導体チップ５０は、集積回路１６を
有する。集積回路１６には、複数のパッド１２が電気的
に接続されている。パッシベーション膜１４は、それぞ
れのパッド１２の一部（例えば中央部）を覆うとともに
他の部分を露出させてなる。それぞれのパッド１２には
バンプ３０が形成されている。バンプ３０の一部は、パ
ッド１２のパッシベーション膜１４からの露出部とパッ
シベーション膜１４とに載る単一層である。バンプ３０
の外側には、第２の層３２が形成されていてもよい。
【００６７】半導体チップ５０は、基板（例えばセラミ
ック基板又はフレキシブル基板等）５２に実装（例えば
フェースダウンボンディング）されている。基板５２に
は配線パターン５４が形成されている。配線パターン５
４とバンプ３０とが電気的に接続されている。電気的接
続に、異方性導電材料（異方性導電膜又は異方性導電ペ
ースト）を使用し、バンプ３０又は第２の層３２の上面
が凹面になっている場合、その凹面に導電性粒子を捕捉
しやすい。そして、導電性粒子を捉えたまま、バンプ３
０又は第２の層３２がつぶれ、良好なボンディングを行
うことができる。導電性材料（導電性ペースト等）を使
用した場合も同様である。配線パターン５４とバンプ３
０との電気的接続には、金属接合を適用してもよいし、
絶縁性接着剤を使用してもよい。基板５２には、外部端
子（例えばハンダボール）５６が設けられていてもよ
い。
【００６８】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体チップが実装された回路基板を示す図である。回
路基板（マザーボード）６０には、上述した半導体チッ
プ５０が実装（例えばフリップチップボンディング）さ
れている。なお、回路基板６０には、図示しない配線パ
ターンが形成されている。
【００６９】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体チップが実装された半導体装置を示す図である。
半導体装置は、半導体チップ５０が基板７０に実装され
て、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）を構成している。
この半導体装置は、電子パネル（例えば液晶パネルやエ
レクトロルミネッセンスパネル）７２に接合されてい
る。なお、半導体チップ５０の実装形態は、ＣＯＧ（Ch
ip On Glass）、ＣＯＦ（Chip On Film/Flexible）であ
ってもよい。
【００７０】図６には、図３に示す半導体装置が実装さ
れた回路基板８０が示されている。本発明を適用した半
導体装置を有する電子機器として、図７にはノート型パ
ーソナルコンピュータ９０、図８には携帯電話１００が
示されている。
【００７１】（第２の実施の形態）図９（Ａ）〜図９
（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体チッ
プの製造方法を説明する図である。本実施の形態でも、
図１（Ａ）に示す開口２２を有するレジスト層２０をマ
スクとして、パッド１２の一部（例えば中央部）をパッ
シベーション膜１４から露出させるとともに、レジスト
層２０の開口２２を拡大させる。ただし、第１の実施の
形態とは異なり、本実施の形態では、図９（Ａ）に示す
ように、拡大した開口１０２の内壁面が傾斜している。
このような傾斜は、物理的エッチング作用によるエッチ
ングによって生じる。
【００７２】そこで、本実施の形態では、レジスト層２
０の開口２２を拡大させるためのエッチングよりも、物
理的エッチング効果の小さい（例えば化学的エッチング
効果の大きい）第２のエッチングを適用して、レジスト
層２０の開口１０２をさらに拡大させる。第２のエッチ
ングとして、ドライエッチングを適用してもよいし、シ
ャワーによってエッチング液をパッド１２に対して垂直
に当てるウェットエッチングを適用してもよい。第２の
エッチングは、レジスト層２０をＵＶ照射などで硬化さ
せる前に行ってもよい。こうすることで、図９（Ｂ）に
示すように、パッド１２に対して垂直に立ち上がる内壁
面を有する開口１０４を形成することができる。そし
て、垂直に立ち上がるバンプを形成することができる。
本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した効果を
達成することができる。また、本実施の形態には、第１
の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
さらに、本実施の形態で説明した内容を他の実施の形態
に適用してもよい。
【００７３】（第３の実施の形態）図１０（Ａ）〜図１
０（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体チ
ップの製造方法を説明する図である。本実施の形態で
は、図１（Ａ）に示す開口２２を有するレジスト層２０
をマスクとして、図１０（Ａ）に示すように、パッシベ
ーション膜１４を、パッド１２の一部（例えば端部）を
覆ったままでパッド１２の他の一部（例えば中央部）を
露出させるようにエッチングする。このエッチングは、
パッシベーション膜１４のエッチングに最適な条件（例
えば物理的エッチング作用が大きくなる条件）で行って
もよい。レジスト層２０がエッチングされてなくてもよ
いが、エッチングされてもよい。
【００７４】次に、図１０（Ｂ）に示すように、レジス
ト層２０を、開口２２が拡大するようにエッチングす
る。このエッチングは、レジスト層２０のエッチングに
最適な条件（例えば化学的作用が大きくなる条件）で行
ってもよい。パッシベーション膜１４がエッチングされ
てなくてもよいが、エッチングされてもよい。
【００７５】本実施の形態では、パッシベーション膜１
４及びレジスト層２０のエッチングを、それぞれに最適
な条件で行うので、良好なエッチングを行うことができ
る。例えば、レジスト層２０の開口２２を拡大して、パ
ッド１２に対して垂直に立ち上がる内壁面を有するよう
に、拡大した開口１０６を形成することができる。そし
て、垂直に立ち上がるバンプを形成することができる。
本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した効果を
達成することができる。また、本実施の形態には、第１
の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
さらに、本実施の形態で説明した内容を他の実施の形態
に適用してもよい。
【００７６】（第４の実施の形態）図１１（Ａ）〜図１
１（Ｃ）は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体チ
ップの製造方法を説明する図である。本実施の形態で
は、図１（Ａ）に示す開口２２を有するレジスト層２０
をマスクとして、図１１（Ａ）に示すように、パッシベ
ーション膜１４を、パッド１２の一部（例えば端部）を
覆ったままでパッド１２の他の一部（例えば中央部）を
露出させるようにエッチングする（第１のエッチン
グ）。このエッチングは、パッシベーション膜１４のエ
ッチングに最適な条件（例えば物理的エッチング作用が
大きくなる条件）で行ってもよい。レジスト層２０がエ
ッチングされてなくてもよいが、エッチングされてもよ
い。
【００７７】次に、図１１（Ｂ）に示すように、レジス
ト層２０の下端部１１０を除いた部分を、開口２２が拡
大するようにエッチングする（第２のエッチング）。例
えば、開口２２の内壁面をエッチングする。レジスト層
２０の下端部１１０は、エッチングされなくてもよい
し、エッチングされるとしてもそれ以外の部分（例えば
上端部及び中央部）よりもエッチング量が少ない。こう
して、レジスト層２０の拡大された開口１０８を形成す
る。開口１０８のうち、レジスト層２０の下端部１１０
によって形成された穴は、下端部１１０以外の部分（例
えば上端部及び中央部）によって形成された穴よりも小
さい。したがって、レジスト層２０の下端部１１０は、
パッシベーション膜１４（例えばその上面）を覆ってい
る。
【００７８】次に、図１１（Ｃ）に示すように、レジス
ト層２０の下端部１１０を、開口１０８がさらに拡大す
るようにエッチングする（第３のエッチング）。第３の
エッチングは、第２のエッチングよりも、レジスト層２
０のパッシベーション膜１４に対するエッチング選択比
が高くてもよい。こうして、レジスト層２０のさらに拡
大された開口１１２を形成する。開口１１２の内側に、
パッシベーション膜１４が突出している。第３のエッチ
ングでは、開口１１２内にパッシベーション膜１４を露
出させるので、パッシベーション膜１４に対する影響が
第２のエッチングよりも小さい条件を適用する。
【００７９】本実施の形態では、２段階のエッチング
（第２及び第３のエッチング）によって、開口２２を拡
大させる。第２のエッチングは、第３のエッチングより
も、レジスト層２０に対するエッチング速度が速くても
よい。また、第２のエッチングは、第３のエッチングよ
りも、レジスト層２０のパッシベーション膜１４に対す
るエッチング選択比が低くてもよい。ただし、開口２２
を開口１０８に拡大しても、レジスト層２０の下端部１
１０をパッシベーション膜１４上に残す。こうすること
で、エッチングによるパッシベーション膜１４への影響
が少ない。なお、第２のエッチングは、パッシベーショ
ン膜１４をエッチングしないか、あるいはエッチングす
るとしてもその量が少ない条件で行ってもよい。
【００８０】本実施の形態によれば、パッシベーション
膜１４に対する影響を小さくして、バンプを形成するこ
とができる。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説
明した効果を達成することができる。また、本実施の形
態には、第１の実施の形態で説明した内容を適用するこ
とができる。さらに、本実施の形態で説明した内容を他
の実施の形態に適用してもよい。
【００８１】（第５の実施の形態）図１２（Ａ）〜図１
２（Ｂ）は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体チ
ップの製造方法を説明する図である。本実施の形態で
は、図１２（Ａ）に示すように、パッド１２を覆うパッ
シベーション膜１４上に、パッド１２の一部（例えば中
央部）の上方に第１の開口１２２を有する第１のレジス
ト層１２０を形成する。第１のレジスト層１２０及び開
口１２２には、第１の実施の形態で説明したレジスト層
２０及び開口２２の内容が該当する。
【００８２】そして、第１のレジスト層１２０をマスク
として、パッシベーション膜１４を、パッド１２の一部
（例えば端部）を覆ったままでパッド１２の一部（例え
ば中央部）を露出させるようにエッチングする。このエ
ッチングは、このエッチングは、パッシベーション膜１
４のエッチングに最適な条件（例えば物理的エッチング
作用が大きくなる条件）で行ってもよい。レジスト層１
２０がエッチングされてなくてもよいが、エッチングさ
れてもよい。そして、第１のレジスト層１２０を除去す
る。
【００８３】次に、図１２（Ｂ）に示すように、パッド
１２のパッシベーション膜１４からの露出部（例えば中
央部）よりも大きい第２の開口１３２を有する第２のレ
ジスト層１３０を形成する。第２の開口１３２内に、パ
ッド１２のパッシベーション膜１４からの露出部（例え
ば中央部）と、パッシベーション膜１４の一部を配置す
る。本実施の形態では、パッシベーション膜１４のエッ
チング時に第１のレジスト層１２０を使用し、これとは
異なる第２のレジスト層１３０をバンプ形成時に使用す
る。したがって、それぞれの工程に最適な形状（開口１
２２，１３２）を有する第１及び第２のレジスト層１２
０，１３０を使用することができる。
【００８４】そして、第１の実施の形態で説明したよう
に無電解メッキによってバンプを形成する。本実施の形
態でも、第１の実施の形態で説明した効果を達成するこ
とができる。また、本実施の形態には、第１の実施の形
態で説明した内容を適用することができる。さらに、本
実施の形態で説明した内容を他の実施の形態に適用して
もよい。
【００８５】（第６の実施の形態）図１３は、本発明の
第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する
図である。本実施の形態では、基板１４０に、配線パタ
ーンの一部であるランド１４２が形成されている。ラン
ド１４２は、絶縁膜（例えばソルダレジスト層）１４４
によって覆われている。そして、ランド１４２に対して
バンプを形成する。その内容は、第１の実施の形態のパ
ッド１２をランド１４２に置き換え、パッシベーション
膜１４を絶縁膜１４４に置き換えた内容である。こうし
て、バンプが形成された配線基板を製造することができ
る。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した効
果を達成することができる。また、本実施の形態には、
第１の実施の形態で説明した内容を適用することができ
る。さらに、本実施の形態で説明した内容を他の実施の
形態に適用してもよい。
【００８６】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、本発明の第１の
実施の形態に係る半導体チップの製造方法を説明する図
である。
【図２】 図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半
導体チップの製造方法を説明する図である。
【図３】 図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半
導体装置を示す図である。
【図４】 図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半
導体チップが実装された回路基板を示す図である。
【図５】 図５は、本発明の第１の実施の形態に係る半
導体チップが実装された半導体装置を示す図である。
【図６】 図６は、図３に示す半導体装置が実装された
回路基板を示す図である。
【図７】 図７は、本発明の実施の形態に係る半導体装
置を有する電子機器を示す図である。
【図８】 図８は、本発明の実施の形態に係る半導体装
置を有する電子機器を示す図である。
【図９】 図９（Ａ）〜図９（Ｂ）は、本発明の第２の
実施の形態に係る半導体チップの製造方法を説明する図
である。
【図１０】 図１０（Ａ）〜図１０（Ｂ）は、本発明の
第３の実施の形態に係る半導体チップの製造方法を説明
する図である。
【図１１】 図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は、本発明の
第４の実施の形態に係る半導体チップの製造方法を説明
する図である。
【図１２】 図１２（Ａ）〜図１２（Ｂ）は、本発明の
第５の実施の形態に係る半導体チップの製造方法を説明
する図である。
【図１３】 図１３は、本発明の第６の実施の形態に係
る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図１４】 図１４は、本発明の従来技術を説明する図
である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウエハ、 １２ パッド、 １４ パッシ
ベーション膜 １６ 集積回路、 ２０ レジスト層、 ２２ 開口、
２４ 開口 ３０ バンプ、 ３２ 第２の層、 ５６ 外部端子、
６０ 回路基板 ７０ 基板、 ８０ 回路基板、 １０２ 開口、 １
０４ 開口 １０６ 開口、 １０８ 開口、 １１０ 下端部、
１１２ 開口 １２０ 第１のレジスト層、 １２２ 第１の開口 １３０ 第２のレジスト層、 １３２ 第２の開口、
１４０ 基板 １４２ ランド、 １４４ 絶縁膜

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の集積回路と、 それぞれの前記集積回路に電気的に接続されてなる複数
    のパッドと、 それぞれの前記パッドの一部を覆うとともに他の部分を
    露出させてなるパッシベーション膜と、 それぞれの前記パッドに形成されてなるバンプと、 を有し、 前記バンプは、前記パッドの前記パッシベーション膜か
    らの露出部と前記パッシベーション膜とに載る単一層で
    ある半導体ウエハ。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウエハにおいて、 前記バンプの外側に第２の層が形成されてなる半導体ウ
    エハ。
  3. 【請求項３】 集積回路と、 前記集積回路に電気的に接続されてなる複数のパッド
    と、 それぞれの前記パッドの一部を覆うとともに他の部分を
    露出させてなるパッシベーション膜と、 それぞれの前記パッドに形成されてなるバンプと、 を有し、 前記バンプは、前記パッドの前記パッシベーション膜か
    らの露出部と前記パッシベーション膜とに載る単一層で
    ある半導体チップ。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体チップにおいて、 前記バンプの外側に第２の層が形成されてなる半導体チ
    ップ。
  5. 【請求項５】 請求項３又は請求項４記載の半導体チッ
    プと、 前記半導体チップが実装されてなる基板と、 外部端子と、 を有する半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項３又は請求項４記載の半導体チッ
    プが実装されてなる回路基板。
  7. 【請求項７】 請求項５記載の半導体装置が実装されて
    なる回路基板。
  8. 【請求項８】 請求項５記載の半導体装置を有する電子
    機器。
  9. 【請求項９】 パッドを覆うパッシベーション膜上に、
    前記パッドの中央部の上方に開口を有するレジスト層を
    形成すること、 前記レジスト層をマスクとして、前記パッシベーション
    膜を、前記パッドの端部を覆ったままで前記パッドの前
    記中央部を露出させるようにエッチングしながら、前記
    レジスト層を、前記開口が拡大するようにエッチングす
    ること、及び、無電解メッキによって、前記レジスト層
    の前記拡大した開口内であって、前記パッドの前記中央
    部及び前記パッシベーション膜上に、単一層のバンプを
    形成すること、 を含む半導体チップの製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体チップの製造方
    法において、 前記レジスト層の前記開口の内壁面をエッチングする半
    導体チップの製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項９又は請求項１０記載の半導体
    チップの製造方法において、 化学的エッチング作用及び物理的エッチング作用を有す
    るエッチングを適用し、 前記パッシベーション膜を、化学的エッチング作用より
    も物理的エッチング作用によって多くエッチングし、 前記レジスト層を、物理的エッチング作用よりも化学的
    エッチング作用によって多くエッチングする半導体チッ
    プの製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項９から請求項１１のいずれかに
    記載の半導体チップの製造方法において、 前記レジスト層の前記開口を拡大させた後に、前記エッ
    チングよりも物理的エッチング効果の小さい第２のエッ
    チングを適用して、前記レジスト層の前記開口をさらに
    拡大させることをさらに含む半導体チップの製造方法。
  13. 【請求項１３】 パッドを覆うパッシベーション膜上
    に、前記パッドの中央部の上方に開口を有するレジスト
    層を形成すること、 前記レジスト層をマスクとして、前記パッシベーション
    膜を、前記パッドの端部を覆ったままで前記パッドの前
    記中央部を露出させるようにエッチングすること、 前記レジスト層を、前記開口が拡大するようにエッチン
    グすること、及び、無電解メッキによって、前記レジス
    ト層の前記拡大した開口内であって、前記パッドの前記
    中央部及び前記パッシベーション膜上に、単一層のバン
    プを形成すること、 を含む半導体チップの製造方法。
  14. 【請求項１４】 パッドを覆うパッシベーション膜上
    に、前記パッドの中央部の上方に開口を有するレジスト
    層を形成すること、 前記レジスト層をマスクとして、前記パッシベーション
    膜を、前記パッドの端部を覆ったままで前記パッドの前
    記中央部を露出させるようにエッチングする第１のエッ
    チング、 前記レジスト層の下端部を除いた部分を、前記開口が拡
    大するようにエッチングする第２のエッチング、 前記レジスト層の前記下端部を、前記開口が拡大するよ
    うにエッチングする第３のエッチング、及び、無電解メ
    ッキによって、前記レジスト層の前記拡大した開口内で
    あって、前記パッドの前記中央部及び前記パッシベーシ
    ョン膜上に、単一層のバンプを形成すること、 を含む半導体チップの製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４記載の半導体チップの製造
    方法において、 前記第２のエッチングは、前記第３のエッチングより
    も、前記レジスト層に対するエッチング速度が速い半導
    体チップの製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１４又は請求項１５記載の半導
    体チップの製造方法において、 前記第３のエッチングは、前記第２のエッチングより
    も、前記レジスト層の前記パッシベーション膜に対する
    エッチング選択比が高い半導体チップの製造方法。
  17. 【請求項１７】 パッドを覆うパッシベーション膜上
    に、前記パッドの中央部の上方に第１の開口を有する第
    １のレジスト層を形成すること、 前記第１のレジスト層をマスクとして、前記パッシベー
    ション膜を、前記パッドの端部を覆ったままで前記パッ
    ドの前記中央部を露出させるようにエッチングするこ
    と、 前記第１のレジスト層を除去すること、 前記パッドの前記中央部よりも大きい第２の開口を有す
    る第２のレジスト層を、前記第２の開口内に前記パッド
    の前記中央部及び前記パッシベーション膜の一部が配置
    されるように形成すること、及び、無電解メッキによっ
    て、前記第２のレジスト層の前記第２の開口内であっ
    て、前記パッドの前記中央部及び前記パッシベーション
    膜上に、単一層のバンプを形成すること、 を含む半導体チップの製造方法。
  18. 【請求項１８】 配線パターンの一部であるランドを覆
    う絶縁膜上に、前記ランドの中央部の上方に開口を有す
    るレジスト層を形成すること、 前記レジスト層をマスクとして、前記絶縁膜を、前記ラ
    ンドの端部を覆ったままで前記ランドの前記中央部を露
    出させるようにエッチングしながら、前記レジスト層
    を、前記開口が拡大するようにエッチングすること、及
    び、無電解メッキによって、前記レジスト層の前記拡大
    した開口内であって、前記ランドの前記中央部及び前記
    絶縁膜上に、単一層のバンプを形成すること、 を含む配線基板の製造方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載の配線基板の製造方法
    において、 前記レジスト層の前記開口の内壁面をエッチングする配
    線基板の製造方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１８又は請求項１９記載の配線
    基板の製造方法において、 化学的エッチング作用及び物理的エッチング作用を有す
    るエッチングを適用し、 前記絶縁膜を、化学的エッチング作用よりも物理的エッ
    チング作用によって多くエッチングし、 前記レジスト層を、物理的エッチング作用よりも化学的
    エッチング作用によって多くエッチングする配線基板の
    製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１８から請求項２０のいずれか
    に記載の配線基板の製造方法において、 前記レジスト層の前記開口を拡大させた後に、前記エッ
    チングよりも物理的エッチング効果の小さい第２のエッ
    チングを適用して、前記レジスト層の前記開口をさらに
    拡大させることをさらに含む配線基板の製造方法。
  22. 【請求項２２】 配線パターンの一部であるランドを覆
    う絶縁膜上に、前記ランドの中央部の上方に開口を有す
    るレジスト層を形成すること、 前記レジスト層をマスクとして、前記絶縁膜を、前記ラ
    ンドの端部を覆ったままで前記ランドの前記中央部を露
    出させるようにエッチングすること、 前記レジスト層を、前記開口が拡大するようにエッチン
    グすること、及び、無電解メッキによって、前記レジス
    ト層の前記拡大した開口内であって、前記ランドの前記
    中央部及び前記絶縁膜上に、単一層のバンプを形成する
    こと、 を含む配線基板の製造方法。
  23. 【請求項２３】 配線パターンの一部であるランドを覆
    う絶縁膜上に、前記ランドの中央部の上方に開口を有す
    るレジスト層を形成すること、 前記レジスト層をマスクとして、前記絶縁膜を、前記ラ
    ンドの端部を覆ったままで前記ランドの前記中央部を露
    出させるようにエッチングする第１のエッチング、 前記レジスト層の下端部を除いた部分を、前記開口が拡
    大するようにエッチングする第２のエッチング、 前記レジスト層の前記下端部を、前記開口が拡大するよ
    うにエッチングする第３のエッチング、及び、無電解メ
    ッキによって、前記レジスト層の前記拡大した開口内で
    あって、前記ランドの前記中央部及び前記絶縁膜上に、
    単一層のバンプを形成すること、 を含む配線基板の製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２３記載の配線基板の製造方法
    において、 前記第２のエッチングは、前記第３のエッチングより
    も、前記レジスト層に対するエッチング速度が速い配線
    基板の製造方法。
  25. 【請求項２５】 請求項２３又は請求項２４記載の配線
    基板の製造方法において、 前記第３のエッチングは、前記第２のエッチングより
    も、前記レジスト層の前記パッシベーション膜に対する
    エッチング選択比が高い配線基板の製造方法。
  26. 【請求項２６】 配線パターンの一部であるランドを覆
    う絶縁膜上に、前記ランドの中央部の上方に第１の開口
    を有する第１のレジスト層を形成すること、 前記第１のレジスト層をマスクとして、前記絶縁膜を、
    前記ランドの端部を覆ったままで前記ランドの前記中央
    部を露出させるようにエッチングすること、 前記第１のレジスト層を除去すること、 前記ランドの前記中央部よりも大きい第２の開口を有す
    る第２のレジスト層を、前記第２の開口内に前記ランド
    の前記中央部及び前記絶縁膜の一部が配置されるように
    形成すること、及び、無電解メッキによって、前記第２
    のレジスト層の前記第２の開口内であって、前記ランド
    の前記中央部及び前記絶縁膜上に、単一層のバンプを形
    成すること、を含む配線基板の製造方法。
  27. 【請求項２７】 ランドを有する配線パターンと、 前記ランドの一部を覆うとともに他の部分を露出させて
    なる絶縁膜と、 前記ランドに形成されてなるバンプと、 を有し、 前記バンプは、前記ランドの前記絶縁膜からの露出部と
    前記絶縁膜とに載る単一層である配線基板。
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