JP3707481B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の高密度実装を追及すると、ベアチップ実装が理想的である。しかしながら、ベアチップは、品質の保証及び取り扱いが難しい。そこで、ＣＳＰ（Chip Scale/ Size Package）が適用された半導体装置が開発されている。特に近年、ウエハレベルＣＳＰが注目されている。ウエハレベルＣＳＰでは、ウエハレベルでパッケージングを行い、その後、ウエハを個々のパッケージに切り出す。したがって、ウエハに複数層を形成し、これを切断すると、複数層の端面が露出するので、層間から水分が進入することや、層の剥離が生じることがあり、信頼性が低下する。
本発明の目的は、半導体装置の製造方法に関して、信頼性の低下を防ぐことにある。
（１）半導体ウエハは、集積回路と、前記集積回路に電気的に接続する配線と、を含み、前記配線の端部であるパッドを表面に含む半導体本体と、
前記半導体本体の上方に設けられ、前記パッドと電気的に接続し、前記パッドの上方に位置する第１の部分と前記第１の部分を除く第２の部分とを含む再配線層と、
前記再配線層の上方に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層の上方に設けられ、前記第１の樹脂層の側面を覆う第２の樹脂層と、
前記再配線層の前記第２の部分の上方に、前記再配線層に電気的に接続して設けられた外部端子と、
を含むことを特徴とする。本発明によれば、第２の樹脂層が第１の樹脂層の側面を覆うので、第１及び第２の樹脂層間から水分が進入することがなく、第１の樹脂層の剥離が生じにくくなっており、信頼性の低下を防ぐことができる。
（２）この半導体ウエハにおいて、
前記第１の樹脂層は、前記外部端子を設ける領域を除いて前記再配線層を覆うように形成され、
前記第２の樹脂層は、前記外部端子の少なくとも根本を覆うように形成されていてもよい。
（３）この半導体ウエハにおいて、
前記再配線層の下に、絶縁層をさらに有してもよい。
（４）この半導体ウエハにおいて、
前記半導体ウエハは、複数の第１の領域と、それぞれの前記第１の領域に囲まれた複数の第２の領域とを有し、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、前記第２の領域内にのみ設けられていてもよい。
（５）この半導体ウエハにおいて、
前記第２の樹脂層のうち前記第１の樹脂層の側面を覆う部分は、前記第２の領域の外周端部の上方に設けられていてもよい。
（６）半導体装置は、集積回路と、前記集積回路に電気的に接続する配線と、を含み、前記配線の端部であるパッドを表面に含む半導体本体と、
前記半導体本体の上方に設けられ、前記パッドと電気的に接続し、前記パッドの上方に位置する第１の部分と前記第１の部分を除く第２の部分とを含む再配線層と、
前記再配線層の上方に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層の上方に設けられ、前記第１の樹脂層の側面を覆う第２の樹脂層と、
前記再配線層の前記第２の部分の上方に、前記再配線層に電気的に接続して設けられた外部端子と、
を備えることを特徴とする。第２の樹脂層が第１の樹脂層の側面を覆うので、第１及び第２の樹脂層間から水分が進入することがなく、第１の樹脂層の剥離が生じにくくなっており、信頼性の低下を防ぐことができる。
（７）この半導体装置において、
前記第１の樹脂層は、前記外部端子を設ける領域を除いて前記再配線層を覆うように形成され、
前記第２の樹脂層は、前記外部端子の少なくとも根本を覆うように形成されていてもよい。
（８）この半導体装置において、
前記再配線層の下に、絶縁層をさらに有してもよい。
（９）回路基板には、上記半導体装置が実装されてなる。
（１０）電子機器は、上記半導体装置を有する。
（１１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路と前記集積回路に電気的に接続する配線とを含む半導体本体の上方に、前記配線の一部であるパッドに電気的に接続し、前記パッドの上方に位置する第１の部分と前記第１の部分以外の第２の部分とを含む再配線層を形成すること、
前記第２の部分に外部端子を形成すること、
前記再配線層上に少なくとも一部が載るように、側面を有する第１の樹脂層を形成すること、
前記第１の樹脂層の上方に、前記第１の樹脂層の前記側面を覆うように第２の樹脂層を形成すること、及び、
前記半導体ウエハを切断すること、
を含むことを特徴とする。本発明によれば、第２の樹脂層が第１の樹脂層の側面を覆うので、第１及び第２の樹脂層間から水分が進入することがなく、第１の樹脂層の剥離が生じにくくなっており、信頼性の低下を防ぐことができる。
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層を、前記外部端子を設ける領域を除いて前記再配線層を覆うように形成し、
前記第２の樹脂層を、前記外部端子の少なくとも根本を覆うように形成してもよい。
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記再配線層の形成前に、絶縁層を形成することをさらに含み、
前記絶縁層上に前記再配線層を形成してもよい。
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハは、複数の第１の領域と、それぞれの前記第１の領域に囲まれた複数の第２の領域とを有し、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、前記第２の領域内にのみ設けられ、
前記半導体ウエハを切断する際に、前記第１の領域を切断してもよい。
（１５）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層のうち前記第１の樹脂層の側面を覆う部分を、前記第２の領域の外周端部の上方に形成してもよい。
（１６）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層の形成は、放射線に対する感応性樹脂を使用し、リソグラフィ技術を適用して行ってもよい。
（１７）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層の形成は、インクジェット法によって樹脂を吐出して行ってもよい。
（１８）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層の形成は、印刷法によって樹脂を塗布して行ってもよい。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハを示す断面図であり、図２は、半導体ウエハの平面図である。半導体ウエハ１０の半導体本体には、集積回路１２が形成されている。半導体ウエハ１０を複数の半導体チップに切り出す場合、半導体ウエハ１０には、複数の集積回路１２が形成され、個々の半導体チップが個々の集積回路１２を有することになる。
半導体ウエハ１０の表面には、１層又はそれ以上の層のパッシベーション膜１４，１６が形成されていてもよい。例えば、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等からなるパッシベーション膜１４上に、ポリイミド樹脂等からなるパッシベーション膜１６を形成してもよい。
半導体ウエハ１０には、パッド１８が形成されている。パッド１８は、集積回路（例えば半導体集積回路）１２に電気的に接続された配線の一部（端部）である。パッシベーション膜１６は、パッド１８の少なくとも中央部を避けて形成されている。
半導体ウエハ１０には、パッシベーション膜１４，１６上に、絶縁層２０が形成されていてもよい。絶縁層２０は、複数層で形成されてもよいが、１層で形成されていてもよい。絶縁層２０は、応力緩和機能を有してもよい。絶縁層２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。絶縁層２０は、複数の第１の領域（切断領域）３２を避けて形成してもよい。
半導体ウエハ１０には再配線層２２が形成されている。再配線層２２は、パッド１８の上方に位置する第１の部分と、それ以外の第２の部分（絶縁層２０上を通る部分）を有する。再配線層２２は、導電膜２４上に形成されていてもよい。再配線層２２には、外部端子２６を形成してもよい。外部端子２６は、ろう材（軟ろう又は硬ろう）から形成されていてもよい。例えば、外部端子２６は、ハンダボールであってもよい。
本実施の形態では、２層以上の樹脂層（第１及び第２の樹脂層３０，２８を含む。）が形成されている。第１及び第２の樹脂層３０，２８は、半導体ウエハ１０の第１の領域３２を避けて、第２の領域３４内に、再配線層２２上に少なくとも一部が載るように形成されている。ここで、第１の領域３２は、切断領域（例えばダイシング領域）であり、第２の領域３４は、第１の領域３２以外の領域（例えば半導体チップとなる領域）である。複数の第１の領域３２は、図２に示すように、格子状領域を形成してもよい。複数の第１の領域３２によって、第２の領域３４が囲まれる。
第１の樹脂層３０は、例えばソルダレジスト層であってもよく、外部端子２６を形成する領域（例えばランドの少なくとも一部）を除いて、再配線層２２を覆うように形成してもよい。第１の樹脂層３０は、再配線層２２の側面及び先端面（立ち上がる面）を覆っていてもよい。第１の樹脂層３０は、第１の領域３２を避けて形成されており、第１の領域３２から間隔をあけて形成してもよい。
第２の樹脂層２８は、第１の樹脂層３０を覆っており、また、その側面（立ち上がる面）を覆うように形成されている。こうすることで、第１の樹脂層３０が露出しないようになって、第１及び第２の樹脂層３０，２８の境目が露出しないようになる。第２の樹脂層２８のうち第１の樹脂層３０を覆う部分は、第２の領域３４の外周端部の上方に設けられている。第２の樹脂層２８は、第１の領域３２を避けて形成されており、第１の領域３２から間隔をあけて形成してもよい。第２の樹脂層２８のうち、第１の樹脂層３０を覆う部分は、第１の領域３２に隣接して形成されていてもよい。すなわち、第２の樹脂層２８の立ち上がり面によって、第１の領域３２が区画されていてもよい。
第２の樹脂層２８は、外部端子２６の少なくとも根本の部分を覆うように形成されている。これによって、熱ストレスによって外部端子２６に加えられる応力等を緩和することができる。なお、第２の樹脂層２８は、例えばポリイミド樹脂等で形成し、その熱膨張係数（線膨張係数）は、絶縁層２０のそれよりも大きくてもよい。
本実施の形態によれば、第２の樹脂層２８が第１の樹脂層３０の側面を覆うので、第１及び第２の樹脂層３０，２８間から水分が進入することがなく、第１の樹脂層３０の剥離が生じにくくなっており、信頼性の低下を防ぐことができる。
次に、半導体装置の製造方法を説明する。本実施の形態では、上述した半導体ウエハを使用する。例えば、再配線層２２の形成は次のようにして行う。半導体ウエハ１０に、一層又は複数層の導電膜２４を形成する。例えば、ＴｉＷ膜とその上のＣｕ膜によって導電膜２４を形成してもよい。導電膜２４は、スパッタリングによって形成してもよい。導電膜２４は、少なくとも再配線層２２を形成する領域に形成し、半導体ウエハ１０のパッド１８が形成された面全体に形成してもよい。続いて、導電膜２４上に、再配線層２２を形成する領域を除くように、図示しないメッキレジスト層を形成する。導電膜２４上に設けたメッキレジスト層を、フォトリソグラフィなどの工程を経てパターニングしてもよい。そして、導電膜２４を電極として電解メッキによって、導電膜２４上であってメッキレジスト層の開口領域に再配線層２２を形成することができる。あるいは、無電解メッキによって、再配線層２２を形成してもよい。
２層以上の樹脂層（第１及び第２の樹脂層３０，２８）は、第１の樹脂層３０を形成してから、第２の樹脂層２８を形成する。例えば、リソグラフィの技術を適用して、第１の樹脂層３０をパターニングしてもよい。
第２の樹脂層２８は、印刷法（例えばスクリーン印刷法）によって樹脂を塗布することで形成してもよい。硬化前の樹脂は、樹脂前駆体ということもできる（他の説明でも同様）。印刷法では、マスクを使用し、スキージにて樹脂を選択的に印刷し、必要に応じてポストベークを行うなど周知の工程を行う。第２の樹脂層２８を設ける領域は、上述した通りである。これ以外に、次の方法がある。
図３は、第２の樹脂層２８の形成方法を説明する図である。例えば、半導体ウエハ１０に非樹脂層４０を形成する。非樹脂層４０は、樹脂以外の材料（例えば、銅等の金属、ハンダ、ＳｉＯ２など）で形成する。非樹脂層４０の材料は、非樹脂層４０の材料は、第２の樹脂層２８の材料よりも延展性が低いものであってよい。これにより、半導体ウエハ１０を切断するブレード（図７参照）の目詰まりが生じにくくなる。また、非樹脂層４０は、第２の樹脂層２８の材料とエッチングレートが異なる材料からなるものであってもよい。例えば、後の非樹脂層４０の除去において、非樹脂層４０をエッチングする場合には、このエッチングにおいて、非樹脂層４０は、第２の樹脂層２８の材料よりもエッチングレートが高い材料から形成されてもよい。この場合も、後の非樹脂層４０の除去において、非樹脂層４０が半導体ウエハ１０上から除去しやすくなるため、半導体ウエハ１０を切断するブレードの目詰まりが生じにくくなる。非樹脂層４０は、第１の領域３２上に形成する。絶縁層（応力緩和層）２０を形成する場合、非樹脂層４０は、絶縁層２０よりも高く形成してもよい。非樹脂層４０は、第１の樹脂層３０と接触しないように間隔をあけて形成する。
非樹脂層４０の形成には、電解メッキを適用してもよい。例えば、半導体ウエハ１０に、第１の領域３２を避けて図示しないメッキレジスト層を形成し、パターニング前の導電膜２４を電極として電解メッキによって、メッキレジスト層の開口領域、すなわち第１の領域３２に非樹脂層４０を形成してもよい。あるいは、無電解メッキによって、非樹脂層４０を形成してもよい。あるいは、導電性材料（例えば金、銀、銅などの金属）の微粒子を含む溶媒の液滴を吐出して非樹脂層４０を形成してもよい。例えば、インクジェット法やバブルジェット（登録商標）法を使用してもよい。金の微粒子を含む溶媒として、真空冶金株式会社の「パーフェクトゴールド」、銀の微粒子を含む溶媒として、同社の「パーフェクトシルバー」を使用してもよい。なお、微粒子とは、特に大きさを限定したものではなく、溶媒とともに吐出できる粒子である。
メッキレジスト層を形成した場合、これを除去する。導電膜２４によって、再配線層２２及び非樹脂層４０が電気的に接続されている場合、導電膜２４をパターニングする。例えば、導電膜２４を、再配線層２２及び非樹脂層４０をマスクとしてエッチングしてもよい。
そして、第２の樹脂層２８を形成する。第２の樹脂層２８は、第１の領域（切断領域）３２を除いた第２の領域３４に形成する。例えば、第２の樹脂層２８を、非樹脂層４０を覆うように形成する。すなわち、第２の樹脂層２８は、一旦は、第１の領域３２にも形成する。ただし、非樹脂層４０の存在によって、第１の領域３２では、第２の樹脂層２８は非樹脂層４０上に設けられる。第２の樹脂層２８は、外部端子２６を覆うように形成する。外部端子２６が突出しているので、外部端子２６の上端部の上では、第２の樹脂層２８が薄くなっている。
第２の樹脂層２８の非樹脂層４０上の部分（少なくともその一部）を除去する。その除去には、プラズマ等を用いたドライエッチングを適用してもよい。こうすることで、第２の樹脂層２８は、第１の領域３２を除くように第２の領域３４に形成される。また、第２の樹脂層２８の外部端子２６上の部分（少なくともその一部）を除去して、外部端子２６の一部（例えば先端部）を露出させる。第２の樹脂層２８の非樹脂層４０上の部分の除去と、第２の樹脂層２８の外部端子２６上の部分の除去とは同時に行ってもよい。
そして、非樹脂層４０を除去してもよい。その除去には、ウエットエッチングを適用してもよい。ウエットエッチングには、過硫酸アンモニウム又は塩化第二鉄を含む溶液を使用してもよい。非樹脂層４０の下に形成されている導電膜２４も除去してもよいし残してもよい。こうすることで、切断（ダイシング）領域から非樹脂層４０が除去される。また、非樹脂層４０上からは、上述したように、すでに第２の樹脂層２８が除去されている。なお、除去とは、完全な除去でなくてもよい。切断（ダイシング）に与える影響が小さければ、非樹脂層４０の一部が残っていてもよく、その残渣があってもよい。
図４に示すように、半導体ウエハ１０を第１の領域３２で切断（例えばダイシング）する。切断には、ブレード５０を使用してもよい。この場合に、半導体ウエハ１０をテープ（図示しない）等に貼り付けて切断してもよい。
本実施の形態によれば、切断領域である第１の領域３２に第１及び第２の樹脂層３０，２８がないので、ブレード５０に目詰まり等が生じることが少なく、半導体チップの端部の欠けを抑えることができる。したがって、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
図５は、上述した工程によって製造された半導体装置を示す図であり、図６は、図５のVI−VI線に沿って切った一部断面図である。半導体装置は、半導体チップ６０を有する。半導体チップ６０は、上述した半導体ウエハ１０をダイシングして得られたものである。半導体チップ６０上には、上述した工程で形成された要素が形成されている。第２の樹脂層２８の端部は、半導体チップ６０の端部よりも内側に位置している。その他の詳細は、上述した内容から導くことができる内容なので省略する。
本実施の形態によれば、２層以上の樹脂層（第１及び第２の樹脂層３０，２８）のうち、第２の樹脂層２８が第１の樹脂層３０の側面を覆うので、第１及び第２の樹脂層３０，２８間から水分が進入することがなく、第１の樹脂層３０の剥離が生じにくくなっており、信頼性の低下を防ぐことができる。
なお、本実施の形態では、非樹脂層４０を形成することで、第１の領域３２を避けるように第２の樹脂層２８を形成したが、非樹脂層４０を形成せずに、エッチングによって第２の樹脂層２８の第１の領域３２上に部分を除去してもよい。
（第２の実施の形態）
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハを示す図である。本実施の形態では、半導体ウエハ７０は、非樹脂層４０を有する。第１の実施の形態では、非樹脂層４０を除去して半導体装置を製造したが、本実施の形態ではこれを除去せずに、非樹脂層４０を切断しながら、半導体ウエハ７０を切断する。非樹脂層４０が、樹脂よりもブレード５０の目詰まり等が生じにくい材料で形成されているので、この場合であっても、半導体ウエハ７０の切断を良好に行うことができる。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。
本実施の形態によって製造された半導体装置は、図８に示すように、半導体チップ８０の端部に非樹脂層４０が設けられている。また、非樹脂層４０に隣接して第２の樹脂層２８が形成されている。非樹脂層４０が導電体であれば、これを電気的に外部と接続してもよい。また、非樹脂層４０が金属等の放熱性の高い材料から形成されていれば、これによって半導体装置の放熱性を高めることができる。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。
（第３の実施の形態）
図９及び図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第２の樹脂の形成方法が第１の実施の形態と異なる。その他の内容（プロセス及び構成）については、本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。あるいは、本実施の形態の内容を、第１の実施の形態で説明した内容に組み込んでもよい。
図９に示すように、放射線（光（可視光もしくは紫外線）又は電子線）に対する感応性樹脂（例えば感光性樹脂）１００を、スピンコート法などによって設ける。感応性樹脂１００は、第１及び第２の領域３２，３４に設け、外部端子２６を覆うように設ける。必要に応じて、プリべークを行う。
図１０に示すように、感応性樹脂１００を、マスクを介して放射線に感応（例えば感光）させる。詳しくは、感応性樹脂１００を、第１の領域３２上及び外部端子２６上の部分が他の部分よりも除去しやすくなるように化学変化させる。そして、現像を行って、感応性樹脂１００をパターニングする。詳しくは、感応性樹脂１００を、第１の領域３２上及び外部端子２６上から除去する。感応性樹脂１００が熱硬化性樹脂であれば、ポストベーク（キュア）を行う。こうして、リソグラフィ技術を適用して、第２の樹脂層を形成することができる。
本実施の形態によれば、第２の樹脂層を第１の領域３２上で開口させる工程と、第２の樹脂層を外部端子２６上で開口させる工程を同時に行うことができる。また、ドライエッチングプロセスが不要であるため、外部端子２６表面の酸化が促進されず、実装不良を防止することができる。このように、本実施の形態によれば、半導体装置の品質を安定させることができる。
（第４の実施の形態）
図１１は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、インクジェット法によって樹脂１１０を吐出して、第２の樹脂層を形成する。インクジェット法によれば、任意の領域に樹脂１１０を設けることができる。また、放射線に対する感応性を有しない樹脂を使用することができる。
その他の内容（プロセス及び構成）については、本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。あるいは、本実施の形態の内容を、第１の実施の形態で説明した内容に組み込んでもよい。
（第５の実施の形態）
図１２は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、撥液性膜１２０を形成する。撥液性膜１２０は、第２の樹脂層を形成するための樹脂１２２を弾くもので、例えばフッ素系樹脂などで形成することができる。撥液性膜１２０は、第１の領域３２上及び外部端子２６上に形成する。その形成には、インクジェット法を適用してもよいし、フォトリソグラフィを適用してもよい。そして、樹脂１２２を、スピンコート法などによって半導体ウエハ１０上に設ける。樹脂１２２は、放射線に感応する性質を有している必要はないが、有していてもよい。
図１２に示すように、樹脂１２２は、撥液性膜１２０から弾かれ、第１の領域３２上及び外部端子２６上を避けるように残る。必要に応じてプリべークを行い、撥液性膜１２０を洗浄して除去してもよい。そして、ポストベークを行う。こうして、第２の樹脂層を形成することができる。
その他の内容（プロセス及び構成）については、本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。あるいは、本実施の形態の内容を、第１の実施の形態で説明した内容に組み込んでもよい。
図１３には、本実施の形態に係る半導体装置１を実装した回路基板１０００が示されている。回路基板１０００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板１０００には例えば銅からなる配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置１の外部端子２６とを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。
そして、本発明を適用した半導体装置１を有する電子機器として、図１４にはノート型パーソナルコンピュータ２０００、図１５には携帯電話３０００が示されている。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハを示す図である。 図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハを示す図である。 図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。 図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。 図５は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。 図６は、図５のVI−VI線で切った一部断面図である。 図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハ及び半導体装置の製造方法を説明する図である。 図８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。 図９は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。 図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。 図１１は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。 図１２は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。 図１３は、本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。 図１４は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。 図１５は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
符号の説明
１０ 半導体ウエハ、 １２ 集積回路、 １８ パッド、 ２０ 絶縁層、 ２２ 再配線層、 ２６ 外部端子、 ２８ 第２の樹脂層、 ３０ 第１の樹脂層、 ３２ 第１の領域、 ３４ 第２の領域、 ６０ 半導体チップ

Claims (7)

  1. 複数の第１の領域と、それぞれの前記第１の領域に囲まれた複数の第２の領域と、を有する半導体ウエハであって、集積回路と前記集積回路に電気的に接続する配線とを含む半導体ウエハの上方に、前記配線の一部であるパッドに電気的に接続し、前記パッドの上方に位置する第１の部分と前記第１の部分以外の第２の部分とを含む再配線層を形成すること、
    前記第２の部分に外部端子を形成すること、
    前記再配線層上に少なくとも一部が載るように、第１の樹脂層を前記第２の領域内にのみ形成すること、
    前記第１の樹脂層を形成した後に、前記第１の領域に、前記第１の樹脂層の側面と接触しないように間隔をあけて、非樹脂層を形成すること、
    前記第１の樹脂層及び前記非樹脂層の上方並びに前記第１の樹脂層の前記側面を覆うように第２の樹脂層を形成すること、
    前記第２の樹脂層の前記非樹脂層上の部分を除去すること、及び、
    前記半導体ウエハを切断すること、
    を含み、
    前記半導体ウエハを切断する際に、前記第１の領域を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第１の樹脂層を、前記外部端子を設ける領域を除いて前記再配線層を覆うように形成し、
    前記第２の樹脂層を、前記外部端子の少なくとも根本を覆うように形成する半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
    前記再配線層の形成前に、絶縁層を形成することをさらに含み、
    前記絶縁層上に前記再配線層を形成する半導体装置の製造方法。
  4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第２の樹脂層のうち前記第１の樹脂層の側面を覆う部分を、前記第２の領域の外周端部の上方に形成する半導体装置の製造方法。
  5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第２の樹脂層の形成は、放射線に対する感応性樹脂を使用し、リソグラフィ技術を適用して行う半導体装置の製造方法。
  6. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第２の樹脂層の形成は、インクジェット法によって樹脂を吐出して行う半導体装置の製造方法。
  7. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第２の樹脂層の形成は、印刷法によって樹脂を塗布して行う半導体装置の製造方法。
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