JP2003152141A

JP2003152141A - セラミックス放熱回路基板

Info

Publication number: JP2003152141A
Application number: JP2001350294A
Authority: JP
Inventors: Noriyoshi Hirao; 則好平尾; Setsuo Ando; 節夫安藤
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 2001-11-15
Filing date: 2001-11-15
Publication date: 2003-05-23

Abstract

(57)【要約】【課題】回路基板と放熱部材とを半田で接合する際に
生じる半田流れ、半田ボイドを防止し半田濡れ性を改善
する。【解決手段】一方に半導体チップを搭載するＣｕ又は
Ａｌの回路板３を、他方にＣｕ又はＡｌの板４をそれぞ
れ接合したセラミックス絶縁基板２と、表面にＡｌ皮膜
６０を有するＡｌ−ＳｉＣ複合体の放熱部材６とからな
り、前記放熱部材６のＡｌ皮膜上に接合層６４を形成
し、この接合層６４と前記セラミックス絶縁基板のＣｕ
又はＡｌ板４とを半田７により接合してなるセラミック
ス放熱回路基板において、前記接合層６４をＮｉを主体
とする層とすると共に、その表面６５の中心線平均面粗
さ（Ｒａ）を０．２〜１．５μｍとし、厚さは３〜１５
μｍとしたセラミックス放熱回路基板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に炭化ケイ素
（ＳｉＣ）からなる多孔体に、アルミニウム（Ａｌ）を
主成分とする金属を含浸して形成した炭化ケイ素とアル
ミニウムの複合体（Ａｌ−ＳｉＣ複合体）と、窒化ケイ
素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等のセラミックス絶縁基板とを
はんだを用いて接合したセラミックス放熱回路基板に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、産業機器の分野では、半導体スイ
ッチングデバイスを用いて大きな電力を最適な電力に効
率よく交換制御する大電力モジュール装置の開発が進ん
でいる。例えば、電動車輌用インバータとして高電圧、
大電流動作が可能な絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タ（ＩＧＢＴ）モジュールがある。このような大電力モ
ジュール化に伴い、半導体チップから発生する熱も増大
している。半導体チップは熱に弱く、発熱が大きくなれ
ば半導体回路の誤動作や破壊を招くことになる。そこ
で、半導体チップなど電子部品を搭載するための回路基
板の裏面にヒートシンクなどの放熱部材を設けて、放熱
部品を介して半導体チップから発生した熱を外部に発散
させ、半導体回路の動作を安定にすることが行われてい
る。電子部品を搭載するための回路基板としては、窒化
ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸
化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等のセラミックス絶縁基板
が主に用いられており、このセラミックス絶縁基板の表
面にＣｕ板やＡｌ板をろう材を介して接合して回路基板
となしている。

【０００３】この種の回路基板として、良好な熱伝導性
を有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミッ
クス絶縁基板上に銅（Ｃｕ）回路板を接合し、回路を形
成した後、めっきを施して半導体チップを実装したもの
がある。ＡｌＮ基板とＣｕ回路板との接合は、両者の間
に活性金属を含むろう材を介在させて加熱処理し接合す
る活性金属ろう付け法や、表面が酸化処理されたＡｌＮ
基板とＣｕ回路板をＣｕの融点以下でＣｕ−Ｏの共晶温
度以上で加熱接合するＤＢＣ（Direct BrazingCopper）
法等がある。このＣｕ回路板を接合した基板では、Ｃｕ
回路とその表面にはんだでダイボンディングされたシリ
コン半導体チップとの熱膨張差が大きいため、回路の作
動中に繰り返し与えられる熱応力によりチップ直下では
んだにクラックが生じやすい。また、Ｃｕ回路板とＡｌ
Ｎ基板の熱膨張差が大きいため、その接合部に剥離が生
じたり、ＡｌＮにクラックが発生する問題があった。

【０００４】これに代わり、例えば、特開平１０−６５
２９６号ではＳｉ₃Ｎ₄基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材
を介してＡｌ回路板を接合したセラミックス回路基板が
開示されている。回路板をＣｕに替えＡｌにしたＡｌ回
路板では、Ａｌの変形抵抗がＣｕより小さいため、回路
とＡｌＮの接合部に働く応力を低く抑えることができ
る。また、シリコン半導体チップとのダイボンディング
部では、Ａｌが塑性変形することにより回路表面の膨張
量がＡｌＮのそれに近くなり、はんだに加わる応力を低
減できる。したがって、Ａｌ回路とＡｌＮ基板との接合
部が剥離しにくく接合信頼性の高いものが得られる。ま
た、Ａｌの比重2.7g/cm^３はＣｕの比重8.9g/cm^３と比較
して約１／３程度のため回路基板の重量をこれまでの半
分以下に軽量化できるメリットもある。しかしその反
面、Ａｌの比抵抗2.66×10^−６ΩcmはＣｕの比抵抗1.67
×10^−６Ωcmより約１．６倍大きく、高耐圧・大電流を
負荷することができず、電気容量の使用範囲に制約があ
るといった問題がある。このため高耐圧・大電流のパワ
ーモジュールに用いる場合には回路部の体積拡大が必要
となり、このため回路基板全体の厚みが増大し、モジュ
ールが大型化してしまう難点がある。以上のようにＣｕ
板とＡｌ板のどちらにしても一長一短があり、回路基板
として用いる際はその用途に合わせて選択することにな
る。

【０００５】他方、放熱部材としては、従来より銅、モ
リブデン、タングステン等の材料を用いたものがある。
しかしながら、モリブデンやタングステンからなる放熱
部品は高価であり、また金属の比重が大きいため放熱部
品の重量が重くなり好ましくない。また、銅あるいは銅
―モリブデン合金、銅―タングステン合金からなる放熱
部材は、セラミックス絶縁基板との熱膨張係数の差が大
きいため、放熱部材とセラミックス絶縁基板とを半田で
接合する際に、また、使用中の熱サイクルにより、半田
層の破壊、熱放散経路の遮断、セラミックス絶縁基板の
割れが生じやすい。そこで、上記の従来材に替わる放熱
部材として、ＡｌまたはＡｌ合金中にＳｉＣを分散させ
た低熱膨張・高熱伝導特性を有するＡｌ−ＳｉＣ複合体
が注目されている（特公平７−２６１７４号、特開昭６
４−８３６３４号等参照）。Ａｌ−ＳｉＣ複合体は、一
例としてＳｉＣ粉末あるいはＳｉＣ繊維で形成された多
孔体（プリフォーム）に窒素雰囲気中で加圧もしくは非
加圧で加熱溶融したＡｌ又はＡｌ合金を含浸させた溶融
金属含浸法により複合材としたものがある。これによれ
ば、ＳｉＣの含有量を２０〜９０体積％の範囲で選択
し、熱膨張係数を制御することができる。また、ＳｉＣ
多孔体の形状の自由度が高く、複雑な形状の製品をニア
ネットシェイプ成形できる利点を有している。

【０００６】以上のことより、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、Ａｌ
₂Ｏ₃等からなるセラミックス絶縁基板にＣｕ板やＡｌ板
をろう材を介して接合した回路基板と、Ａｌ−ＳｉＣ複
合体からなる放熱部材とを半田により接合したセラミッ
クス放熱回路基板が知られている。この様なセラミック
ス放熱回路基板の一例を図１に示す。セラミックス基板
２はＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉ_３Ｎ_４等からなる絶
縁基板である。セラミックス絶縁基板２の上面にはＡｇ
−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を用いてＣｕ回路板３を、下面に
はＣｕ板４がそれぞれ接合されている。尚、回路板３に
Ａｌを用いた場合にはＡｌ−Ｓｉ系のろう材を用いてセ
ラミックス絶縁基板２と接合する。Ｃｕ回路板３の上面
には複数の半導体チップ５が半田により実装されワイヤ
ーで配線されている。一方、放熱部材６はＡｌ−ＳｉＣ
複合体からなり、表面にＡｌの皮膜を有している。この
Ａｌ皮膜上に半田濡れ性を持たせるために接合層を形成
し、半田７を介して上記Ｃｕ板４が接合されている。ま
た、放熱部材６の下面には高熱伝導性グリス等を介在し
て、例えば放熱フィンを有するヒートシンク８がボルト
１０で締結されている。このようなセラミックス回路基
板１では、半導体チップ５等から発生した熱はＣｕ回路
板３、セラミックス絶縁基板２、Ｃｕ板４、はんだ７、
および放熱基板６を経由してヒートシンク８の表面から
放散される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】さて、以上のセラミッ
クス放熱回路基板は、回路基板９（本発明ではセラミッ
クス絶縁基板２にＣｕ回路板３やＣｕ板４を接合したも
のを指す。）とＡｌ−ＳｉＣ放熱部材６とを、まずそれ
ぞれの条件で空焼きした後、両者の間に板状の低融点半
田７を介在させている。ここで、通常、半導体チップ５
を接合した後の回路基板９と放熱部材６とを接合するの
で、半導体チップ５の接着に用いたろう材に比べ低融点
の半田７で回路基板９と放熱部材６とを接合する必要が
ある。よって、Ｐｂ−Ｓｎ系またはＰｂ−Ｓｂ系半田
等、組成に制約を受けたものを用いざるを得ない。そし
てその後、Ｈ_２雰囲気中で２４０℃×１０分程度の半田
付け工程を行うことによって、回路基板９と放熱部材６
とを一体化したセラミックス放熱回路基板を製造してい
る。

【０００８】ここで次のような問題が生じる。即ち、こ
の半田付け工程において半田がＡｌ−ＳｉＣ放熱部材６
の周辺にまで流れ出してしまうことがある。この半田流
れにより半田が放熱部材６の隅部のボルト穴近くまで広
がると、半導体チップ５とＡｌ−ＳｉＣ放熱部材６間の
絶縁が保てずＩＧＢＴの機能が損なわれる。また、半田
付け後のヒートシンク８の組立工程に支障をきたす等の
問題があった。さらに、半田流れが生じると半田の層間
に空洞が形成され易くなり、いわゆる半田ボイドと言う
不良が発生していた。半田ボイドの発生率が３％程度を
超えると接合強度の低下および熱伝導性の低下が顕著と
なりＩＧＢＴの機能が損なわれると言う問題もあった。

【０００９】そこで、本発明は、回路基板と放熱部材と
を半田で接合する際に生じる半田流れを防止することを
目的とし、さらに半田ボイドの低減と半田濡れ性の改善
を図ったセラミックス放熱回路基板を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、一方に半導体
チップを搭載するＣｕ又はＡｌの回路板を、他方にＣｕ
又はＡｌの板をそれぞれ接合したセラミックス絶縁基板
と、表面にＡｌ皮膜を有するＡｌ−ＳｉＣ複合体の放熱
部材とからなり、前記放熱部材のＡｌ皮膜上に接合層を
形成し、当該接合層と前記セラミックス絶縁基板のＣｕ
又はＡｌ板とを半田により接合してなるセラミックス放
熱回路基板において、前記接合層をＮｉを主体とする層
とすると共に、その表面の中心線平均面粗さ（Ｒａ）を
０．２〜１．５μｍとしたセラミックス放熱回路基板で
ある。さらに望ましい中心線平均面粗さ（Ｒａ）は０．
５〜１．０μｍである。

【００１１】また、本発明のセラミックス放熱回路基板
では、前記接合層の厚さを３〜１５μｍとすることが望
ましく、さらに望ましくは４〜８μｍである。また、前
記接合層は２層からなり、下地層がＮｉ―Ｐめっきであ
り、表面層がＮｉ―Ｂめっきであることが望ましい。

【００１２】Ａｌ−ＳｉＣ複合体の表面に形成されてい
るＡｌ皮膜にＮｉを主体とする接合層を形成することに
より、半田濡れ性を向上させており、さらに、その接合
層の中心線平均面粗さＲａを０．２〜１．５μｍに制御
することにより半田流れを防ぐことが出来る。接合層の
表面粗さは、その下にあるＡｌ皮膜の表面を適宜サンド
ブラスト処理等をして中心線平均面粗さ（Ｒａ）を０．
２〜１．５μｍに調整することによって得られる。即
ち、これはＡｌ皮膜の表面粗さがほぼそのまま接合層の
表面粗さになって反映されるためである。この表面粗さ
が１．５μｍを超えると半田流れが生じやすくなる。他
方、０．２μｍ未満であると十分なアンカー効果が得ら
れず接合強度に問題が生じる。また、接合層の形成は半
田接合する上で必要であるが、この厚さは前記表面粗さ
を制御するためにも、また接合強度及び熱伝導の点でも
好ましい範囲がある。即ち、表面性状を調整したＡｌ皮
膜の表面粗さをほぼそのまま接合層の表面に映し出すた
めには、接合層の厚さは１５μｍを超えないことが必要
である。他方、３μｍ未満であると密着強度及び膜の劣
化を生じ問題がある。また、接合層は二層構造が好まし
い。Ｎｉ−Ｐめっきを下地層に形成することによって前
記Ａｌ皮膜上に半田付けが可能となり、その上にＮｉ−
Ｂめっき層を施すことによって半田濡れ性が向上する。
以上のように、所定の表面粗さと厚みをもった接合層を
設けることによって、半田流れを防止すると共に、密着
強度を得ることに効果がある。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施態様を図面と
共に説明する。図１はセラミックス放熱回路基板の一例
を示す断面図であり、図２は本発明の回路基板と放熱部
材との接合部であってＡｌ皮膜と接合層の９００倍の顕
微鏡写真を示し、図３は図２の一部を拡大した接合層の
周辺を模式的に示した図である（但し、縮尺は無視して
いる）。実施例のセラミックス放熱回路基板の基本構成
は、上述した図１の回路基板及び放熱部材と同様であ
る。即ち、Ｃｕ回路板３とＣｕ板４を接合したセラミッ
クス絶縁基板２とからなる回路基板９と、Ａｌ−ＳｉＣ
複合体からなる放熱部材６とからなり、回路基板９と放
熱部材６とを半田７により接合した後ヒートシンク８を
ボルトで組み立てたものである。本発明では回路基板と
放熱部材を組んだものをセラミックス放熱回路基板と言
っているが、ヒートシンクを含んでいても構わない。こ
こで、実施例のセラミックス絶縁基板２はＡｌＮからな
り、その上面に厚さ０．３ｍｍのＣｕ回路板３をＡｇ−
Ｃｕ−Ｔｉ系のろう材により接合し、下面には厚さ０．
２ｍｍのＣｕ板４を同じＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のろう材を
介して接合している。

【００１４】また、放熱部材６はＳｉＣ粉末からなるプ
リフォームに溶融金属含浸法により純Ａｌを３７Vol％
含浸して得たもので、その表面に約０．０５〜０．１ｍ
ｍ程度のＡｌ皮膜６０を有している。このＡｌ皮膜６０
の上には図２、図３で示すように接合層６４を形成して
いる。本例の接合層６４は、Ｎｉ−Ｐ無電解めっきによ
る第１の層６２（下地層）を厚さ４〜５μｍ程度に形成
し、その上にＮｉ−Ｂ無電解めっきによる第２の層６３
（表面層）を１〜２μｍ程度に形成している。Ｎｉ−Ｐ
の層は主に密着性を改善し、Ｎｉ−Ｂの層は主に半田濡
れ性を改善する。尚、本発明では一層の接合層でも二層
の接合層でも良いが、これら接合層６４の総厚さが３〜
１５μｍ、望ましくは４〜８μｍになるように制御して
いる。さらにまた、その表面６５の中心線平均面粗さ
（Ｒａ）は０．２〜１．５μｍ、望ましくは０．５〜
１．０μｍになるように制御している。

【００１５】図３は接合層付近の拡大断面を模式的に示
しているが、この実施例では中心線平均面粗さ（Ｒａ）
は約０．９μｍであった。図２、図３より接合層の表面
粗さは、Ａｌ皮膜６０の表面６１の表面性状がほぼその
まま接合層６４の表面まで沿って現れ反映されることが
分かる。表面性状を調整する方法としては、例えばサン
ドブラスト、ショットブラスト、グリッドブラスト又は
ハイドロブラスト等により結晶粒を機械的に除去する方
法、又は塩酸又は硫酸等の酸エッチング処理により粒界
相から溶出する方法がある。ここでは製造能率やコスト
等から考えてサンドブラストによるものが好ましい。そ
こで、下記するサンドブラスト条件により表面処理した
Ａｌ皮膜の表面６１の中心線平均面粗さ（Ｒａ）と、こ
のＡｌ皮膜上に形成した接合層６４の表面６５の中心線
平均面粗さ（Ｒａ）を触針式表面粗さ測定器により距離
２．５ｍｍに渡って測定した。その結果を図４に示す、
ここで（ａ）はＡｌ皮膜６０の表面の面粗さＲａ＝０．
９８７μｍを示し、（ｂ）はその後、第1の層５μｍと
第２の層１μｍからなる接合層６４の表面の面粗さＲａ
＝０．９４３μｍを示している。このようにＡｌ皮膜６
０と接合層６４の中心線平均面粗さ（Ｒａ）は、ほぼ同
じものが得られることが確認できた。さらに、これと同
様に接合層の厚さを種々変えてその違いを観察したとこ
ろ、接合層６４の総厚さが１５μｍを超えるとＡｌ皮膜
６０の表面性状を反映し難くなり半田流れが生じること
も確認された。また、総厚さが３μｍ未満であると接合
強度に問題が生じることも分かった。

【００１６】サンドブラスト条件は以下の通りであっ
た。処理速度：０．３５秒／ｃｍ^２ノズルとの距離：１００ｍｍノズルの噴出圧力：０．３MPa 基板表面に対する噴射角度：４５° 砥粒：アルミナ製#２４０上記したサンドブラスト条件（処理速度、ノズルとの距
離、ノズルの噴出圧力、基板表面に対する噴射角度、砥
粒の種類及び粒度等）を調整すれば、Ａｌ皮膜の中心線
平均面粗さ、ひいては接合層の表面粗さを制御できる。
中心線平均面粗さ（Ｒａ）は０．２〜１．５μｍの範囲
に制御するが、例えば、粗さを小さくするにはサンドブ
ラスト条件のうち噴出圧力を低くすると良く、逆に荒く
するには噴出圧力を高くすることで調整できる。Ｒａが
１．５μｍを超えると半田流れが生じやすくなる。他
方、０．２μｍ未満であると十分なアンカー効果が得ら
れず接合強度に問題が生じる。

【００１７】図５は接合層６４の中心線平均面粗さ（Ｒ
ａ）を横軸に、半田拡がり係数を縦軸にとった特性デー
タである。半田拡がり係数とは、初期の半田直径（Ｄｍ
ｍ）と加熱したときの半田高さ（Ｈｍｍ）の差と半田直
径Ｄの比（（Ｄ−Ｈ）×100／Ｄ）を拡がり率（％）で
表したものである（ＪＩＳＺ３１９７拡がり試験方法参
照）。試験は大気中でホットプレート上に接合層に相当
するめっきを施した試験板を設け、２５０℃ではんだ溶
融後３０秒間加熱により測定したものである。この結果
よりＲａが略０．２〜１．５μｍの範囲で合格判定であ
る拡がり係数７５以上を有している。さらに略０．８〜
１．５μｍの範囲では８０％以上の拡がり係数を示して
いる。拡がり係数が高いほど半田濡れ性が良好である
が、拡がりすぎても半田流れに通じるため、拡がり係数
は７５〜８５％が好ましい。また、Ｒａが１．５μｍ以
上となると拡がり係数が８８以上となり、はんだ流れが
見られる。

【００１８】（実施例）縦１８７ｍｍ×横１３７ｍｍ×
厚さ３ｍｍのＡｌ−ＳｉＣ放熱部材６の上に、縦５５．
４ｍｍ×横５７ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの回路基板９を６
個配置したセラミックス放熱回路基板について以下の試
験を行った。Ａｌ−ＳｉＣ放熱部材６のＡｌ皮膜６０の
表面６１の中心線平均面粗さ（Ｒａ）及び接合層６４の
第１のめっき層６２及び第２のめっき層６３の材質と厚
さを種々変化させた試料Ｎｏ１〜１０を作製した。半田
は縦５４．９ｍｍ×横５６．５ｍｍ×厚さ０．２ｍｍの
低融点半田を使用し、回路基板９をＨ_２雰囲気で３２５
℃×１０分、放熱部材６をＨ_２雰囲気で２６０℃×１０
分でそれぞれ空焼きした後、回路基板９と前記各放熱部
材の間に前記半田板を介在させ２５０℃×１０分の半田
接合を行った。これらについて半田流れの有無、半田ボ
イドの発生率（％）及び接合強度について評価した。
尚、ボイド発生率は超音波映像により回路基板の総面積
あたりのボイド面積の発生率の平均をとった。接合強度
については引っ張り試験を行いめっき層が剥離するか否
かで合格・不合格の判断をした。また、比較例として中
心線平均面粗さ（Ｒａ）と接合層の材質及び厚さを変え
た試料Ｎｏ１１〜１５を作製し、同様の評価を行った。
尚、その他の回路基板の構成は実施例と比較例共に図１
に示す構造のものを使用した。以上の評価結果を表１に
示す。

【００１９】

【表１】

【００２０】以上より、中心線平均面粗さ（Ｒａ）が
０．２〜１．５μｍにあるものは半田流れが無く、ボイ
ド発生率も抑えられている。その結果、接合強度も全て
合格となった。また、接合層の厚さが３〜１５μｍの範
囲にあるものは面粗さに反映されて、半田流れが無く、
ボイド発生率も低く接合強度も十分であった。実際には
面粗さと接合層厚さの両方の条件をクリアできているこ
とが必要である。例えば、実施例８からは面粗さが小さ
くなるとボイドの発生率が高くなることが伺える。比較
例１では接合層の厚さが小さいがために強度不足を示し
ている。逆に比較例２では面粗さが大きいがために半田
流れが生じていると考えられる。比較例２、３からは面
粗さの他に接合層の厚さの違いがめっき膜強度に影響を
与え、これが接合強度の合否の差に現れていると考え
る。また、ボイドの発生は半田濡れ性の影響を受けると
考える。

【００２１】

【発明の効果】本発明によれば、Ａｌ−ＳｉＣ複合体か
らなる放熱部材のＡｌ皮膜上に形成する接合層の中心線
平均面粗さ（Ｒａ）を０．２〜１．５μｍとすること、
及び接合層の厚さを３〜１５μｍにすることによって、
回路基板と放熱部材とを半田で接合する際に生じる半田
流れを防止することができる。また、半田ボイド発生の
低減と半田濡れ性の改善を図ることが出来る。よって、
接合強度、熱伝導性共に安定したセラミックス放熱回路
基板を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】セラミックス放熱回路基板の一例を示す断面図
である。

【図２】本発明の回路基板と放熱部材との接合層付近の
電子顕微鏡写真である。

【図３】図２の接合層付近の模式的な断面図である。

【図４】本発明の実施例によるＡｌ皮膜の面粗さ（ａ）
と接合層の面粗さ（ｂ）の測定結果である。

【図５】本発明の実施例による中心線平均面粗さと半田
拡がり係数との関係を示す特性図である。

【符号の説明】１：セラミックス放熱回路基板、２：ＡｌＮ基板、３：
Ｃｕ回路板、４：Ｃｕ板、５：半導体チップ、６：Ａｌ
−ＳｉＣ放熱部材、７：半田、８：ヒートシンク、９：
回路基板、１０：締結部材、６０：Ａｌ皮膜、６１：Ａ
ｌ皮膜の表面、６２：第１のめっき層（下地層）、６
３：第２のめっき層（表面層）、６４：接合層、６５：
接合層の表面

【手続補正書】

【提出日】平成１３年１１月２８日（２００１．１１．
２８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G026 BA03 BA16 BA17 BB14 BB27 BB31 BC01 BC02 BD02 BD06 BD12 BD14 BF11 BF18 BF42 BF46 BG02 BG28 BH07 5E338 AA01 AA18 BB63 EE02 5F036 AA01 BA23 BB05 BB08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方に半導体チップを搭載するＣｕ又は
Ａｌの回路板を、他方にＣｕ又はＡｌの板をそれぞれ接
合したセラミックス絶縁基板と、表面にＡｌ皮膜を有す
るＡｌ−ＳｉＣ複合体の放熱部材とからなり、前記放熱
部材のＡｌ皮膜上に接合層を形成し、当該接合層と前記
セラミックス絶縁基板のＣｕ又はＡｌ板とを半田により
接合してなるセラミックス放熱回路基板において、前記
接合層をＮｉを主体とする層とすると共に、その表面の
中心線平均面粗さ（Ｒａ）を０．２〜１．５μｍとした
ことを特徴とするセラミックス放熱回路基板。
【請求項２】前記接合層の厚さが３〜１５μｍである
ことを特徴とする請求項１記載のセラミックス放熱回路
基板。
【請求項３】前記接合層は２層からなり、下地層がＮ
ｉ―Ｐめっき、表面層がＮｉ―Ｂめっきであることを特
徴とする請求項１又は２記載のセラミックス放熱回路基
板。