JP2003108067A - 表示装置 - Google Patents
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- JP2003108067A JP2003108067A JP2001302076A JP2001302076A JP2003108067A JP 2003108067 A JP2003108067 A JP 2003108067A JP 2001302076 A JP2001302076 A JP 2001302076A JP 2001302076 A JP2001302076 A JP 2001302076A JP 2003108067 A JP2003108067 A JP 2003108067A
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- Japan
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- optical element
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- transistor
- voltage
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の電圧プログラム方式による回路構成に
おいては、漏れ電流が多い上に構成および制御が複雑で
あった。 【解決手段】 Ｃ２１にＴｒ２１のしきい値電圧とＯＬ
ＥＤ２０の動作しきい値電圧の合計値が記憶させ、その
状態でＧＬ２をハイレベルにしてＴｒ２０をオンにす
る。Ｄａｔａ１０に輝度信号を流すと、その電圧を上記
の合計値に上乗せした電圧がＴｒ２２のゲート電極に加
えられ、ＯＬＥＤ２０に電流が流れ、発光する。
おいては、漏れ電流が多い上に構成および制御が複雑で
あった。 【解決手段】 Ｃ２１にＴｒ２１のしきい値電圧とＯＬ
ＥＤ２０の動作しきい値電圧の合計値が記憶させ、その
状態でＧＬ２をハイレベルにしてＴｒ２０をオンにす
る。Ｄａｔａ１０に輝度信号を流すと、その電圧を上記
の合計値に上乗せした電圧がＴｒ２２のゲート電極に加
えられ、ＯＬＥＤ２０に電流が流れ、発光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に関す
る。本発明は特に、表示装置に用いる光学素子を制御す
るための回路設計技術に関する。
る。本発明は特に、表示装置に用いる光学素子を制御す
るための回路設計技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、有機ＥＬ（Electro-Luminesc
ence）素子を用いた表示装置においては、回路構成のひ
とつである駆動用トランジスタのしきい値や駆動能力に
ばらつきが大きく、さらに有機ＥＬ自体の経年変化によ
って発光能力の個体差が大きいことから、入力信号に対
して輝度が一定にならないという問題があった。この問
題に対処する技術として、文献「Design of an Improve
d Pixel for a Polysilicon Active-Matrix Organic LE
D Display」（SID 98, International SymposiumProcee
dings, 1998, p.11）に電圧プログラム方式による有機
ＥＬの回路構成が開示されている。以下、この技術を図
１および図２を用いて簡単に説明する。
ence）素子を用いた表示装置においては、回路構成のひ
とつである駆動用トランジスタのしきい値や駆動能力に
ばらつきが大きく、さらに有機ＥＬ自体の経年変化によ
って発光能力の個体差が大きいことから、入力信号に対
して輝度が一定にならないという問題があった。この問
題に対処する技術として、文献「Design of an Improve
d Pixel for a Polysilicon Active-Matrix Organic LE
D Display」（SID 98, International SymposiumProcee
dings, 1998, p.11）に電圧プログラム方式による有機
ＥＬの回路構成が開示されている。以下、この技術を図
１および図２を用いて簡単に説明する。
【０００３】図１は、従来技術における１ピクセルに相
当する回路構成を示す。ＶＤＤは電源電圧、Ｓｅｌｅｃ
ｔ１は走査信号、Ｄａｔａ１は輝度信号をそれぞれ入力
するラインである。さらに、４個のトランジスタＴｒ
１、Ｔｒ２、Ｔｒ３、Ｔｒ４と、２個のコンデンサＣ
１、Ｃ２と、有機ＥＬであるＯＬＥＤ１を含む。ＡＺ
１、ＡＺＢ１は、それぞれＴｒ２、Ｔｒ４をオンする制
御信号のラインである。Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ
５、Ｎ６、Ｎ７、Ｎ８、Ｎ９はそれぞれノードを示す。
当する回路構成を示す。ＶＤＤは電源電圧、Ｓｅｌｅｃ
ｔ１は走査信号、Ｄａｔａ１は輝度信号をそれぞれ入力
するラインである。さらに、４個のトランジスタＴｒ
１、Ｔｒ２、Ｔｒ３、Ｔｒ４と、２個のコンデンサＣ
１、Ｃ２と、有機ＥＬであるＯＬＥＤ１を含む。ＡＺ
１、ＡＺＢ１は、それぞれＴｒ２、Ｔｒ４をオンする制
御信号のラインである。Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ
５、Ｎ６、Ｎ７、Ｎ８、Ｎ９はそれぞれノードを示す。
【０００４】図２は、従来技術における動作手順を示す
タイムチャートである。図１とあわせて動作手順を説明
する。期間のとき、Ｓｅｌｅｃｔ１をローレベルにす
るとＴｒ１がオンになり、さらにＡＺ１をローレベルに
するとＴｒ２がオンになる。このとき、Ｎ１、Ｎ３、お
よびＮ８に輝度信号ではない初期電位がＤａｔａ１から
供給され、これにより初期化がなされる。一方、それま
でＮ３に蓄積されていた電荷がＴｒ２、Ｔｒ４、および
ＯＬＥＤ１を経て放電され、Ｎ８は接地電位であるＮ９
の電位よりＯＬＥＤ１の動作しきい値電圧だけ高い電位
に設定される。期間のとき、ＡＺＢ１をハイレベルに
するとＴｒ４がオフになる。このとき、ＶＤＤ１からの
電流がＴｒ３およびＴｒ２を経てＮ３に流入し、Ｎ３は
ＶＤＤ１よりＴｒ３の動作しきい値電圧だけ低い電圧ま
で充電される。Ｎ３の電位が安定する頃にＡＺ１をハイ
レベルにしてＴｒ２をオフにする。このとき、Ｔｒ３は
弱くオンされた状態である。
タイムチャートである。図１とあわせて動作手順を説明
する。期間のとき、Ｓｅｌｅｃｔ１をローレベルにす
るとＴｒ１がオンになり、さらにＡＺ１をローレベルに
するとＴｒ２がオンになる。このとき、Ｎ１、Ｎ３、お
よびＮ８に輝度信号ではない初期電位がＤａｔａ１から
供給され、これにより初期化がなされる。一方、それま
でＮ３に蓄積されていた電荷がＴｒ２、Ｔｒ４、および
ＯＬＥＤ１を経て放電され、Ｎ８は接地電位であるＮ９
の電位よりＯＬＥＤ１の動作しきい値電圧だけ高い電位
に設定される。期間のとき、ＡＺＢ１をハイレベルに
するとＴｒ４がオフになる。このとき、ＶＤＤ１からの
電流がＴｒ３およびＴｒ２を経てＮ３に流入し、Ｎ３は
ＶＤＤ１よりＴｒ３の動作しきい値電圧だけ低い電圧ま
で充電される。Ｎ３の電位が安定する頃にＡＺ１をハイ
レベルにしてＴｒ２をオフにする。このとき、Ｔｒ３は
弱くオンされた状態である。
【０００５】期間のとき、Ｄａｔａ１から輝度信号が
入力され、この値に応じた電位降下がＮ３に現れ、その
電位降下に応じてＴｒ３がオンされてＮ４からＮ７に電
流が流れることにより、輝度の書き込みがなされる。期
間のとき、Ｓｅｌｅｃｔ１をハイレベルにするとＴｒ
１がオフになり、ＡＺＢ１をローレベルにするとＴｒ４
がオンになる。このとき、ＯＬＥＤ１に電流が流れ、予
め書き込まれた輝度に応じた発光が得られる。その発光
は次の輝度書き込みまで継続される。
入力され、この値に応じた電位降下がＮ３に現れ、その
電位降下に応じてＴｒ３がオンされてＮ４からＮ７に電
流が流れることにより、輝度の書き込みがなされる。期
間のとき、Ｓｅｌｅｃｔ１をハイレベルにするとＴｒ
１がオフになり、ＡＺＢ１をローレベルにするとＴｒ４
がオンになる。このとき、ＯＬＥＤ１に電流が流れ、予
め書き込まれた輝度に応じた発光が得られる。その発光
は次の輝度書き込みまで継続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術においては、Ｔｒ２、Ｔｒ４をオンさせるため
の制御信号ラインとしてＡＺ１、ＡＺＢ１の２本が必要
であり、これをピクセルごとに設けなければならないた
めに設計が複雑になり、周辺回路の占有面積が大きくな
る。パネル面積が大きくなれば、歩留まりの低下やコス
ト増大の原因ともなる。さらに、動作が複雑な分、制御
上の時間的マージンも少ない。
従来技術においては、Ｔｒ２、Ｔｒ４をオンさせるため
の制御信号ラインとしてＡＺ１、ＡＺＢ１の２本が必要
であり、これをピクセルごとに設けなければならないた
めに設計が複雑になり、周辺回路の占有面積が大きくな
る。パネル面積が大きくなれば、歩留まりの低下やコス
ト増大の原因ともなる。さらに、動作が複雑な分、制御
上の時間的マージンも少ない。
【０００７】本発明はこうした背景からなされたもので
あり、その目的は、簡素な構成で効率のよい電圧プログ
ラム方式の表示装置を実現する技術の提供にある。
あり、その目的は、簡素な構成で効率のよい電圧プログ
ラム方式の表示装置を実現する技術の提供にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のある実施の形態
は表示装置である。この装置は、画素を構成する光学素
子を含み、その光学素子の光強度を設定するプログラム
型の表示装置において、ある光学素子に対するプログラ
ムをその光学素子以外の素子に対する制御信号を利用し
て実施する。「光学素子」は、有機ＥＬ素子やＬＣ（Li
quid Crystal）素子であってもよい。「その光学素子以
外の素子」は、たとえば隣接する画素を構成する光学素
子を意味する。
は表示装置である。この装置は、画素を構成する光学素
子を含み、その光学素子の光強度を設定するプログラム
型の表示装置において、ある光学素子に対するプログラ
ムをその光学素子以外の素子に対する制御信号を利用し
て実施する。「光学素子」は、有機ＥＬ素子やＬＣ（Li
quid Crystal）素子であってもよい。「その光学素子以
外の素子」は、たとえば隣接する画素を構成する光学素
子を意味する。
【０００９】本発明の他の実施の形態もまた表示装置で
ある。この装置は、画素を構成する光学素子を含み、そ
の光学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置
において、ある光学素子に対するプログラムをその光学
素子よりも時間的に前に制御される光学素子に対する走
査信号を利用して実施する。
ある。この装置は、画素を構成する光学素子を含み、そ
の光学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置
において、ある光学素子に対するプログラムをその光学
素子よりも時間的に前に制御される光学素子に対する走
査信号を利用して実施する。
【００１０】上記二つの形態において、光学素子に電流
を流すためにこの光学素子と直列に配された駆動用トラ
ンジスタをさらに含み、これら光学素子および駆動用ト
ランジスタの動作しきい値の合計電圧がこの駆動用トラ
ンジスタの制御電極にプログラムされるよう構成しても
よい。また、光学素子よりも前に制御される光学素子に
対する走査信号がアクティブになったときにオンするプ
ログラム用トランジスタをさらに含み、プログラム用ト
ランジスタがオンしたときその光学素子と駆動用トラン
ジスタとが直列に配された系と、その駆動用トランジス
タのゲートと固定電位の間に設けられた容量とが導通し
てこの容量に合計電圧が記憶されるよう構成してもよ
い。駆動用トランジスタをｎチャネル電界効果トランジ
スタによって構成してもよい。「固定電位」は、接地レ
ベルでもよい。
を流すためにこの光学素子と直列に配された駆動用トラ
ンジスタをさらに含み、これら光学素子および駆動用ト
ランジスタの動作しきい値の合計電圧がこの駆動用トラ
ンジスタの制御電極にプログラムされるよう構成しても
よい。また、光学素子よりも前に制御される光学素子に
対する走査信号がアクティブになったときにオンするプ
ログラム用トランジスタをさらに含み、プログラム用ト
ランジスタがオンしたときその光学素子と駆動用トラン
ジスタとが直列に配された系と、その駆動用トランジス
タのゲートと固定電位の間に設けられた容量とが導通し
てこの容量に合計電圧が記憶されるよう構成してもよ
い。駆動用トランジスタをｎチャネル電界効果トランジ
スタによって構成してもよい。「固定電位」は、接地レ
ベルでもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図３は、実施の形態に係る回路構
成を示す。本実施形態においては、光学素子として有機
ＥＬを用い、駆動用トランジスタとしてＭＯＳＦＥＴ
（Metal OxideSemiconductor Field Effect Transisto
r、金属酸化物電界効果トランジスタ）を用いる。Ｐｉ
ｘ１、２はそれぞれピクセル単位の回路である。
成を示す。本実施形態においては、光学素子として有機
ＥＬを用い、駆動用トランジスタとしてＭＯＳＦＥＴ
（Metal OxideSemiconductor Field Effect Transisto
r、金属酸化物電界効果トランジスタ）を用いる。Ｐｉ
ｘ１、２はそれぞれピクセル単位の回路である。
【００１２】Ｐｉｘ１の回路は、４個のトランジスタＴ
ｒ１０、Ｔｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ１３と、３個のコン
デンサＣ１０、Ｃ１１、Ｃ１２と、１個の光学素子ＯＬ
ＥＤ１０と、を含む。Ｔｒ１０、Ｔｒ１１、Ｔｒ１２は
ｎチャネルトランジスタであり、Ｔｒ１３はｐチャネル
トランジスタである。Ｔｒ１１は駆動用トランジスタと
して働き、ＯＬＥＤ１０と直列に接続される。Ｃ１２
は、Ｔｒ１１のゲート電極と固定電位であるアースの間
に設けられ、プログラム用コンデンサとして働く。ＧＬ
１はＰｉｘ１に対して走査信号を入力し、Ｄａｔａ１０
はＰｉｘ１に対して輝度信号を入力する。ＶＤＤ１０
は、電源電圧である。Ｔｒ１２、Ｔｒ１３をオンする制
御信号ＧＬ０から入力する。
ｒ１０、Ｔｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ１３と、３個のコン
デンサＣ１０、Ｃ１１、Ｃ１２と、１個の光学素子ＯＬ
ＥＤ１０と、を含む。Ｔｒ１０、Ｔｒ１１、Ｔｒ１２は
ｎチャネルトランジスタであり、Ｔｒ１３はｐチャネル
トランジスタである。Ｔｒ１１は駆動用トランジスタと
して働き、ＯＬＥＤ１０と直列に接続される。Ｃ１２
は、Ｔｒ１１のゲート電極と固定電位であるアースの間
に設けられ、プログラム用コンデンサとして働く。ＧＬ
１はＰｉｘ１に対して走査信号を入力し、Ｄａｔａ１０
はＰｉｘ１に対して輝度信号を入力する。ＶＤＤ１０
は、電源電圧である。Ｔｒ１２、Ｔｒ１３をオンする制
御信号ＧＬ０から入力する。
【００１３】Ｐｉｘ２の回路もまた、４個のトランジス
タＴｒ２０、Ｔｒ２１、Ｔｒ２２、Ｔｒ２３と、３個の
コンデンサＣ２０、Ｃ２１、Ｃ２２と、１個の光学素子
ＯＬＥＤ２０と、を含む。Ｔｒ２０、Ｔｒ２１、Ｔｒ２
２もまたｎチャネルトランジスタであり、Ｔｒ２３はｐ
チャネルトランジスタである。Ｔｒ２１は駆動用トラン
ジスタとして働き、ＯＬＥＤ２０と直列に接続される。
Ｃ２２は、Ｔｒ２１のゲート電極と固定電位であるアー
スの間に設けられ、プログラム用コンデンサとして働
く。ＧＬ２はＰｉｘ２に対して走査信号を入力し、Ｄａ
ｔａ１０はＰｉｘ２に対して輝度信号を入力する。Ｖ
ＤＤ１０は、電源電圧である。Ｔｒ２２、Ｔｒ２３をオ
ンする制御信号として、Ｐｉｘ１に対する走査信号をＧ
Ｌ１から入力する。
タＴｒ２０、Ｔｒ２１、Ｔｒ２２、Ｔｒ２３と、３個の
コンデンサＣ２０、Ｃ２１、Ｃ２２と、１個の光学素子
ＯＬＥＤ２０と、を含む。Ｔｒ２０、Ｔｒ２１、Ｔｒ２
２もまたｎチャネルトランジスタであり、Ｔｒ２３はｐ
チャネルトランジスタである。Ｔｒ２１は駆動用トラン
ジスタとして働き、ＯＬＥＤ２０と直列に接続される。
Ｃ２２は、Ｔｒ２１のゲート電極と固定電位であるアー
スの間に設けられ、プログラム用コンデンサとして働
く。ＧＬ２はＰｉｘ２に対して走査信号を入力し、Ｄａ
ｔａ１０はＰｉｘ２に対して輝度信号を入力する。Ｖ
ＤＤ１０は、電源電圧である。Ｔｒ２２、Ｔｒ２３をオ
ンする制御信号として、Ｐｉｘ１に対する走査信号をＧ
Ｌ１から入力する。
【００１４】これらＰｉｘ１、Ｐｉｘ２と同様の回路を
マトリクス上にｍ×ｎ個設けて表示装置を構成する。走
査信号ラインであるＧＬの数は（ｍ＋１）本であり、輝
度信号ラインであるＤａｔａの数はｎ本である。
マトリクス上にｍ×ｎ個設けて表示装置を構成する。走
査信号ラインであるＧＬの数は（ｍ＋１）本であり、輝
度信号ラインであるＤａｔａの数はｎ本である。
【００１５】図４は、実施の形態に係る回路の動作手順
を示すタイムチャートである。以下、図３および図４に
沿ってＰｉｘ２を中心に説明する。まず、Ｐｉｘ２より
も前に制御されるべきＰｉｘ１に対する走査信号として
ＧＬ１をハイレベルにしたとき、プログラム用トランジ
スタとして動作するＴｒ２２がオンになり、Ｔｒ２３が
オフになる。Ｎ２７はＶＤＤ１０と切り離され、Ｎ２３
−Ｎ２４間が導通すると、Ｃ２２に貯まった電荷はＮ２
２方向とＮ２５方向に流入して放電される。ＯＬＥＤ２
０に流入する電流はＮ２２の電位がＮ２５の電位よりＴ
ｒ２１の動作しきい値電圧Ｖｔｈ２だけ高い電位に到達
した時点で止まる。このときのＮ２５の電位はＯＬＥＤ
２０の動作しきい値電圧Ｖｆ２であり、したがってＮ２
２はＶｔ ｈ２とＶｆ２の合計値Ｖｓ２に設定される。
を示すタイムチャートである。以下、図３および図４に
沿ってＰｉｘ２を中心に説明する。まず、Ｐｉｘ２より
も前に制御されるべきＰｉｘ１に対する走査信号として
ＧＬ１をハイレベルにしたとき、プログラム用トランジ
スタとして動作するＴｒ２２がオンになり、Ｔｒ２３が
オフになる。Ｎ２７はＶＤＤ１０と切り離され、Ｎ２３
−Ｎ２４間が導通すると、Ｃ２２に貯まった電荷はＮ２
２方向とＮ２５方向に流入して放電される。ＯＬＥＤ２
０に流入する電流はＮ２２の電位がＮ２５の電位よりＴ
ｒ２１の動作しきい値電圧Ｖｔｈ２だけ高い電位に到達
した時点で止まる。このときのＮ２５の電位はＯＬＥＤ
２０の動作しきい値電圧Ｖｆ２であり、したがってＮ２
２はＶｔ ｈ２とＶｆ２の合計値Ｖｓ２に設定される。
【００１６】これにより、Ｎ２２の電位はＯＬＥＤ２０
の動作しきい値電圧や駆動トランジスタＴｒ２１の動作
しきい値電圧にばらつきや経年変化が生じてもつねにＶ
ｓ２に設定され、そのばらつきや経年変化が吸収され
る。このとき、Ｔｒ２１は弱くオンされた状態になり、
これを初期化状態と呼ぶ。Ｃ２２はその初期化に用いる
ためのコンデンサと位置づけられ、その両端にはＶＤＤ
１０の電圧が印加されている。
の動作しきい値電圧や駆動トランジスタＴｒ２１の動作
しきい値電圧にばらつきや経年変化が生じてもつねにＶ
ｓ２に設定され、そのばらつきや経年変化が吸収され
る。このとき、Ｔｒ２１は弱くオンされた状態になり、
これを初期化状態と呼ぶ。Ｃ２２はその初期化に用いる
ためのコンデンサと位置づけられ、その両端にはＶＤＤ
１０の電圧が印加されている。
【００１７】ＧＬ１をローレベルにするとＴｒ２２はオ
フになり、Ｔｒ２３がオンになる。ＧＬ２をハイレベル
にするとＴｒ２０がオンになり、Ｎ２０−Ｎ２１間が導
通する。Ｃ２０はフローティング状態なのでＤａｔａ１
０にＰｉｘ２に対する輝度信号が流れると、その電位に
Ｎ２２の電位が加算されたいわゆる「たたき上げ」られ
た電圧がＴｒ２１のゲート電極に加えられる。これによ
り、Ｎ２４−Ｎ２５間が導通し、ＯＬＥＤ２０が発光す
る。なお、図４に示されるように、Ｄａｔａ１０は１ラ
インを走査する間に１ラインに含まれるピクセルの数だ
け時分割で信号を入力する。
フになり、Ｔｒ２３がオンになる。ＧＬ２をハイレベル
にするとＴｒ２０がオンになり、Ｎ２０−Ｎ２１間が導
通する。Ｃ２０はフローティング状態なのでＤａｔａ１
０にＰｉｘ２に対する輝度信号が流れると、その電位に
Ｎ２２の電位が加算されたいわゆる「たたき上げ」られ
た電圧がＴｒ２１のゲート電極に加えられる。これによ
り、Ｎ２４−Ｎ２５間が導通し、ＯＬＥＤ２０が発光す
る。なお、図４に示されるように、Ｄａｔａ１０は１ラ
インを走査する間に１ラインに含まれるピクセルの数だ
け時分割で信号を入力する。
【００１８】以上の実施形態によれば、Ｔｒ２１のオン
の程度によってＯＬＥＤ２０に入力される電流値が決ま
るため、ＯＬＥＤ２０はつねにＤａｔａ１０から入力さ
れる電流に応じた輝度が得られる。これにより、トラン
ジスタおよび有機ＥＬの動作しきい値のばらつきや経年
変化による劣化に左右されず、輝度ばらつきの小さい安
定動作を実現できる。
の程度によってＯＬＥＤ２０に入力される電流値が決ま
るため、ＯＬＥＤ２０はつねにＤａｔａ１０から入力さ
れる電流に応じた輝度が得られる。これにより、トラン
ジスタおよび有機ＥＬの動作しきい値のばらつきや経年
変化による劣化に左右されず、輝度ばらつきの小さい安
定動作を実現できる。
【００１９】Ｔｒ２０、Ｔｒ２１、Ｔｒ２２としてｎチ
ャネルトランジスタを用いるので、従来技術のように４
つのトランジスタ全てにｐチャネルトランジスタを用い
る場合よりも漏れ電流を抑制できる。また、ｎチャネル
トランジスタは、ｐチャネルトランジスタと比べて駆動
電流が大きいので、ゲート幅を小さくでき、画素面積を
小型化できる。
ャネルトランジスタを用いるので、従来技術のように４
つのトランジスタ全てにｐチャネルトランジスタを用い
る場合よりも漏れ電流を抑制できる。また、ｎチャネル
トランジスタは、ｐチャネルトランジスタと比べて駆動
電流が大きいので、ゲート幅を小さくでき、画素面積を
小型化できる。
【００２０】ｎチャネルトランジスタを用いる場合、ｐ
チャネルトランジスタを用いる場合よりも輝度信号に必
要な電圧を低く抑えることができ、よって外部駆動ＩＣ
の消費電力を低下させることができる。たとえば、ｐチ
ャネルトランジスタの場合は輝度信号としてＶＤＤ−Ｖ
ｔｈ以下の電圧が必要であり、輝度信号の電圧範囲を４
Ｖとすると８．５〜１２．５Ｖが必要となる。一方、ｎ
チャネルトランジスタの場合は輝度信号としてＶｆ＋Ｖ
ｔｈ以上の電圧が必要であり、輝度信号の電圧範囲を４
Ｖとすると６．５〜１０．５Ｖで足り、相対的に消費電
力が低下する。
チャネルトランジスタを用いる場合よりも輝度信号に必
要な電圧を低く抑えることができ、よって外部駆動ＩＣ
の消費電力を低下させることができる。たとえば、ｐチ
ャネルトランジスタの場合は輝度信号としてＶＤＤ−Ｖ
ｔｈ以下の電圧が必要であり、輝度信号の電圧範囲を４
Ｖとすると８．５〜１２．５Ｖが必要となる。一方、ｎ
チャネルトランジスタの場合は輝度信号としてＶｆ＋Ｖ
ｔｈ以上の電圧が必要であり、輝度信号の電圧範囲を４
Ｖとすると６．５〜１０．５Ｖで足り、相対的に消費電
力が低下する。
【００２１】例えばＴｒ２２およびＴｒ２３の制御信号
として、そのピクセルよりも前に制御されるピクセルに
対する走査信号を流用しているので、その制御信号用の
駆動回路をさらに設けることなく回路を構成できる。し
かも、Ｔｒ２２およびＴｒ２３の制御信号を一つの走査
信号で代用するので、２本の信号線を追加する場合と比
べてコンパクトに回路を構成できる。
として、そのピクセルよりも前に制御されるピクセルに
対する走査信号を流用しているので、その制御信号用の
駆動回路をさらに設けることなく回路を構成できる。し
かも、Ｔｒ２２およびＴｒ２３の制御信号を一つの走査
信号で代用するので、２本の信号線を追加する場合と比
べてコンパクトに回路を構成できる。
【００２２】構成が簡素化される分、制御も簡素化され
るため、時間的なマージンが増加し、動作を高速化でき
る。周辺回路数が少なくなるので、歩留まりが向上して
コストを低下させることができる。
るため、時間的なマージンが増加し、動作を高速化でき
る。周辺回路数が少なくなるので、歩留まりが向上して
コストを低下させることができる。
【００２３】以上、本発明を実施の形態をもとに説明し
た。この実施の形態は例示であり、その各構成要素や各
処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこ
と、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当
業者に理解されるところである。以下、変形例を挙げ
る。
た。この実施の形態は例示であり、その各構成要素や各
処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこ
と、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当
業者に理解されるところである。以下、変形例を挙げ
る。
【００２４】本実施形態においては、図３に示される通
り、プログラム用コンデンサであるＣ２１の一端と初期
化用コンデンサであるＣ２２の一端をそれぞれ固定電位
となるように接地している。変形例においては、それら
各一端をそれぞれ定電圧電源に接続してもよい。
り、プログラム用コンデンサであるＣ２１の一端と初期
化用コンデンサであるＣ２２の一端をそれぞれ固定電位
となるように接地している。変形例においては、それら
各一端をそれぞれ定電圧電源に接続してもよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、電圧プログラム方式に
よる有機ＥＬの回路構成および制御を簡素化することが
できる。
よる有機ＥＬの回路構成および制御を簡素化することが
できる。
【図１】 従来技術における１ピクセルに相当する回路
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】 従来技術における動作手順を示すタイムチャ
ートである。
ートである。
【図３】 実施の形態に係る回路構成を示す図である。
【図４】 実施の形態に係る回路の動作手順を示すタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
ＧＬ０、１、２、 Ｐｉｘ１、２、 Ｄａｔａ１０、
ＶＤＤ１０、 Ｔｒ１０、１１、１２、１３、２０、２
１、２２、２３、 Ｃ１０、１１、１２、２０、２１、
２２、 Ｎ１０、１１、１２、１３、１４、１５、１
６、１７、１８、２０、２１、２２、２３、２４、２
５、２６、２７、２８。
ＶＤＤ１０、 Ｔｒ１０、１１、１２、１３、２０、２
１、２２、２３、 Ｃ１０、１１、１２、２０、２１、
２２、 Ｎ１０、１１、１２、１３、１４、１５、１
６、１７、１８、２０、２１、２２、２３、２４、２
５、２６、２７、２８。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 BA06 DB03 EB00
GA02 GA04
5C080 AA06 BB05 DD03 DD22 DD29
EE28 FF11 JJ03 JJ04
5C094 AA07 AA45 AA53 AA56 BA03
BA27 CA19 CA25 DB01 DB04
EA04 EA07 FB01 FB20 GA10
Claims (5)
- 【請求項１】 画素を構成する光学素子を含み、その光
学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置にお
いて、ある光学素子に対するプログラムをその光学素子
以外の素子に対する制御信号を利用して実施することを
特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 画素を構成する光学素子を含み、その光
学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置にお
いて、ある光学素子に対するプログラムをその光学素子
よりも時間的に前に制御される光学素子に対する走査信
号を利用して実施することを特徴とする表示装置。 - 【請求項３】 前記光学素子に電流を流すためにこの光
学素子と直列に配された駆動用トランジスタを含み、こ
れら光学素子および駆動用トランジスタの動作しきい値
の合計電圧がこの駆動用トランジスタの制御電極にプロ
グラムされることを特徴とする請求項１または２に記載
の表示装置。 - 【請求項４】 前記光学素子よりも前に制御される光学
素子に対する走査信号がアクティブになったときにオン
するプログラム用トランジスタをさらに含み、プログラ
ム用トランジスタがオンしたとき前記光学素子と前記駆
動用トランジスタとが直列に配された系と、前記駆動用
トランジスタのゲートと固定電位の間に設けられた容量
とが導通してこの容量に前記合計電圧が記憶されること
を特徴とする請求項３に記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記駆動用トランジスタをｎチャネル電
界効果トランジスタによって構成したことを特徴とする
請求項３または４に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001302076A JP2003108067A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001302076A JP2003108067A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003108067A true JP2003108067A (ja) | 2003-04-11 |
Family
ID=19122388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001302076A Pending JP2003108067A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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