JP2000347621A - 画像表示方法および装置 - Google Patents
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Abstract
る画像表示装置において、有機EL素子の寿命を延長す
る。 【解決手段】 保持コンデンサ16の保持電圧に対応し
て電源線13の駆動電圧を有機EL素子12に印加し、
有機EL素子12をアクティブ駆動で発光制御する。た
だし、第(n−1)列目の走査電圧のタイミングで第n列
目の保持コンデンサ16の保持電圧を放電するなどし、
有機EL素子12の駆動電圧を点灯制御の直前に一瞬だ
け停止させる。
Description
れた多数の有機EL素子をアクティブ駆動して画像を表
示する画像表示方法および装置とに関する。
変化する場所で各種画像を表示する画像表示装置とし
て、多数の有機EL素子を二次元状に配列させてドット
マトリクスの画像を表示するELディスプレイが開発さ
れている。有機EL素子は自発光する発光素子であり、
低電圧の直流電流で駆動することができる。
方式とアクティブ方式があるが、アクティブ方式は表示
画像を更新するまで有機EL素子を連続的に点灯するの
で高輝度を高効率に実現することができる。ここで、画
像表示装置の一従来例として有機EL素子をアクティブ
駆動するELディスプレイを図14および図15を参照
して以下に説明する。なお、図14は一従来例のELデ
ィスプレイの要部を示す回路図、図15は各部の信号波
形を示すタイムチャート、である。
プレイ1は、図14に示すように、有機EL素子2を具
備しており、一対の電源電極として電源線3と接地線4
とを具備している。電源線3には所定の駆動電圧が常時
印加されており、接地線4は基準電圧である“0”電圧
に常時維持されている。
続されているが、電源線3には駆動TFT(Thin Film T
ransistor)5を介して接続されている。この駆動TFT
5はゲート電極を具備しており、電源線3から接地線4
に印加される駆動電圧を、そのゲート電極に印加される
データ電圧に対応して有機EL素子2に供給する。
手段として保持コンデンサ6の一端が接続されており、
この保持コンデンサ6の他端も接地線4に接続されてい
る。また、この保持コンデンサ6および駆動TFT5の
ゲート電極には、スイッチング手段であるスイッチング
TFT7を介してデータ線8が接続されており、このス
イッチングTFT7のゲート電極には、走査線9が接続
されている。
度を駆動制御するためのデータ電圧が供給され、走査線
9には、スイッチングTFT7を動作制御するための走
査電圧が入力される。保持コンデンサ6は、データ電圧
を保持して駆動TFT5のゲート電極に印加し、スイッ
チングTFT7は、保持コンデンサ6とデータ線8との
接続をオンオフする。
ディスプレイ1では、実際には(M×N)個の有機EL素
子2がM行N列の二次元状に配列されており(図示せ
ず)、このM行N列の有機EL素子2にM行のデータ線
8とN列の走査線9とがマトリクス接続されている。ま
た、ここでは図面で上下方向と平行な一次元を行、左右
方向と平行な一次元を列、として行列を表現するが、こ
れは定義の問題なので反対でも良い。
は、有機EL素子2を可変自在な発光輝度で駆動制御す
ることができる。その場合、図15(b)(c)に示すよう
に、走査線9に走査電圧を入力してスイッチングTFT
7をオン状態に動作制御し、同図(e)に示すように、こ
の状態でデータ線8から有機EL素子2の発光輝度に対
応したデータ電圧を保持コンデンサ6に供給して保持さ
せる。
サ6が保持したデータ電圧は駆動TFT5のゲート電極
に印加されるので、同図(f)に示すように、電源線3と
接地線4とに常時発生している駆動電圧が駆動TFT5
によりゲート電圧に対応して有機EL素子2に供給され
ることになり、この有機EL素子2はデータ線8に供給
されたデータ電圧に対応した輝度で発光することにな
る。
8とN列の走査線9とにデータ電圧と走査電圧とがマト
リクス入力されるので、M行N列の有機EL素子2が個
々に相違する輝度で点灯されることになり、画素単位で
階調表現されたドットマトリクスの画像が表示される。
5(a)(b)に示すように、N列の走査線9には走査電圧
が一列ずつ順番に入力されるので、この走査電圧が入力
されているときに、M行のデータ線8に一列のM個のデ
ータ電圧が順番に入力されることになる。
持したデータ電圧に対応して有機EL素子2に駆動電圧
が印加される状態は、走査線9の走査電圧によりスイッ
チングTFT7がオフ状態に動作制御されても継続され
る。このため、有機EL素子2は、所定の輝度に制御さ
れた点灯を次回の制御まで継続することになり、ELデ
ィスプレイ1は画像を高輝度かつ高コントラストに表示
することができる。
スプレイ1では、M行N列の有機EL素子2を個々に所
望の輝度で点灯させて多階調の画像を表示することがで
き、特に、所望の電圧に制御した有機EL素子2の駆動
電圧の印加を次回の制御まで継続させることができるの
で、有機EL素子2を連続的に点灯させて画像を高輝度
に表示することができる。
ELディスプレイ1では、有機EL素子2が短寿命であ
る。その理由は各種が想定されているが、特性的に有機
EL素子2は同一極性の駆動電圧が連続的に印加される
と短寿命となることが判明している。
るELディスプレイ(図示せず)では、その駆動過程で有
機EL素子2に印加される電圧の極性が反転されるた
め、アクティブ駆動の場合に比較して有機EL素子2が
長寿命となることが確認されている。しかし、前述のよ
うにパッシブ方式のELディスプレイでは、有機EL素
子2を高輝度かつ高効率に点灯できないため、高輝度が
要望される装置に利用することが困難である。
たものであり、有機EL素子をアクティブ駆動で高輝度
かつ高効率に点灯しながらも長寿命とすることができる
画像表示方法および装置を提供することを目的とする。
置は、M行N列の二次元状に配列されている(M×N)個
の有機EL素子と、これら(M×N)個の前記有機EL素
子の発光輝度が個々に設定されたデータ電圧が順番に印
加されるM行のデータ線と、これらM行のデータ線に印
加されるデータ電圧に同期して走査電圧が順番に入力さ
れるN列の走査線と、これらN列の走査線に順番に入力
される走査電圧により一列ずつオン状態とされるM行N
列のスイッチング手段と、これらM行N列のスイッチン
グ手段のオン状態に対応してM行の前記データ線から印
加される(M×N)個のデータ電圧を個々に保持するM行
N列の電圧保持手段と、所定の駆動電圧が常時印加され
ている一対の電源電極と、この電源電極に常時印加され
ている駆動電圧を(M×N)個の前記電圧保持手段の保持
電圧に個々に対応して(M×N)個の前記有機EL素子に
印加するM行N列の駆動トランジスタと、第n列目の前
記走査線に走査電圧が入力される直前に第n列目のM個
の前記有機EL素子への駆動電圧の印加を停止させる通
電制御手段と、を具備している。
表示方法では、(M×N)個の有機EL素子がM行N列の
二次元状に配列されている状態で、これら(M×N)個の
有機EL素子の発光輝度が個々に設定された(M×N)個
のデータ電圧がM行のデータ線の各々に順番にN個ずつ
印加され、これらM行のデータ線に印加されるデータ電
圧に同期してN列の走査線に走査電圧が順番に入力され
る。これらN列の走査線に順番に入力される走査電圧に
よりM行N列のスイッチング手段が一列ずつオン状態と
され、これらM行N列のスイッチング手段のオン状態に
対応してM行のデータ線から印加される(M×N)個のデ
ータ電圧をM行N列の電圧保持手段が個々に保持する。
電源電極に常時印加されている駆動電圧を(M×N)個の
電圧保持手段の保持電圧に個々に対応してM行N列の駆
動トランジスタが(M×N)個の有機EL素子に印加する
ので、これでM行N列の有機EL素子が個々に相違する
輝度でアクティブ駆動されてドットマトリクスの多階調
の画像が表示される。ただし、第n列目の走査線に走査
電圧が入力される直前に第n列目のM個の有機EL素子
への駆動電圧の印加を通電制御手段が停止させるので、
同一輝度の画像が連続的に表示される場合でもアクティ
ブ駆動される有機EL素子の通電が画像の表示制御の直
前に一瞬だけ停止される。
二次元状に配列されている(M×N)個の有機EL素子
と、これら(M×N)個の前記有機EL素子の発光輝度が
個々に設定されたデータ電圧が順番に印加されるM行の
データ線と、これらM行のデータ線に印加されるデータ
電圧に同期して走査電圧が順番に入力されるN列の走査
線と、これらN列の走査線に順番に入力される走査電圧
により一列ずつオン状態とされるM行N列のスイッチン
グ手段と、これらM行N列のスイッチング手段のオン状
態に対応してM行の前記データ線から印加される(M×
N)個のデータ電圧を個々に保持するM行N列の電圧保
持手段と、所定の駆動電圧が常時印加されている一対の
電源電極と、この電源電極に常時印加されている駆動電
圧を(M×N)個の前記電圧保持手段の保持電圧に個々に
対応して(M×N)個の前記有機EL素子に印加するM行
N列の駆動トランジスタと、第n列目の前記走査線に走
査電圧が入力される直前に第n列目のM個の前記有機E
L素子に駆動電圧とは極性が反対の反対電圧を印加させ
る通電制御手段と、を具備している。
表示方法では、(M×N)個の有機EL素子がM行N列の
二次元状に配列されている状態で、これら(M×N)個の
有機EL素子の発光輝度が個々に設定された(M×N)個
のデータ電圧がM行のデータ線の各々に順番にN個ずつ
印加され、これらM行のデータ線に印加されるデータ電
圧に同期してN列の走査線に走査電圧が順番に入力され
る。これらN列の走査線に順番に入力される走査電圧に
よりM行N列のスイッチング手段が一列ずつオン状態と
され、これらM行N列のスイッチング手段のオン状態に
対応してM行のデータ線から印加される(M×N)個のデ
ータ電圧をM行N列の電圧保持手段が個々に保持する。
電源電極に常時印加されている駆動電圧を(M×N)個の
電圧保持手段の保持電圧に個々に対応してM行N列の駆
動トランジスタが(M×N)個の有機EL素子に印加する
ので、これでM行N列の有機EL素子が個々に相違する
輝度でアクティブ駆動されてドットマトリクスの多階調
の画像が表示される。ただし、第n列目の走査線に走査
電圧が入力される直前に通電制御手段が第n列目のM個
の有機EL素子に駆動電圧とは極性が反対の反対電圧を
印加させるので、同一輝度の画像が連続的に表示される
場合でもアクティブ駆動される有機EL素子に印加され
る電圧の極性が画像の表示制御の直前に一瞬だけ反転さ
れる。
通電制御手段は、第(n−a)列目の前記走査線に走査電
圧が入力されると第n列目の前記有機EL素子への駆動
電圧の印加を停止させることも可能である。この場合、
第(n−a)列目の走査線に走査電圧が入力されると通電
制御手段が第n列目の有機EL素子への駆動電圧の印加
を停止させるので、第n列目の走査線に走査電圧が入力
される直前に第n列目のM個の有機EL素子への駆動電
圧の印加を停止させることが、所望のタイミングで簡単
かつ確実に実行される。
通電制御手段は、第(n−a)列目の前記走査線に走査電
圧が入力されると第n列目の前記有機EL素子に反対電
圧を印加させることも可能である。この場合、第(n−
a)列目の走査線に走査電圧が入力されると通電制御手
段が第n列目の有機EL素子に反対電圧を印加させるの
で、第n列目の走査線に走査電圧が入力される直前に第
n列目のM個の有機EL素子に駆動電圧とは極性が反対
の反対電圧を印加させることが、所望のタイミングで簡
単かつ確実に実行される。
通電制御手段は、第(n−a)列目の前記走査線に走査電
圧が入力されると第n列目の前記有機EL素子への駆動
電圧の印加を停止させるとともに反対電圧を印加させる
ことも可能である。この場合、第(n−a)列目の走査線
に走査電圧が入力されると通電制御手段が第n列目の有
機EL素子への駆動電圧の印加を停止させて反対電圧を
印加させるので、第n列目の走査線に走査電圧が入力さ
れる直前に第n列目のM個の有機EL素子に駆動電圧と
は極性が反対の反対電圧を印加させることが、所望のタ
イミングで簡単かつ確実に実行される。
通電制御手段は、第(n−b)列目(bはaより大きくN
より小さい整数)の前記走査線に走査電圧が入力される
と第n列目の前記有機EL素子への駆動電圧の印加を停
止させ、第(n−a)列目の前記走査線に走査電圧が入力
されると第n列目の前記有機EL素子に反対電圧を印加
させることも可能である。
電圧が入力されると通電制御手段が第n列目の有機EL
素子への駆動電圧の印加を停止させ、第(n−a)列目の
走査線に走査電圧が入力されると第n列目の有機EL素
子に反対電圧を印加させるので、有機EL素子への反対
電圧の通電は駆動電圧の印加が確実に停止されてから実
行される。
通電制御手段は、第(n−a)列目の前記走査線に走査電
圧が入力されると第n列目の前記電圧保持手段の保持電
圧を放電させることも可能である。この場合、第(n−
a)列目の前記走査線に走査電圧が入力されると通電制
御手段が第n列目の電圧保持手段の保持電圧を放電させ
るので、有機EL素子への駆動電圧の印加を停止させる
ことが電圧保持手段の動作制御により実現される。
通電制御手段は、第(n−a)列目の前記走査線に走査電
圧が入力されると第n列目の前記有機EL素子と前記電
源電極との接続を切断することも可能である。この場
合、第(n−a)列目の前記走査線に走査電圧が入力され
ると通電制御手段が第n列目の有機EL素子と電源電極
との接続を切断するので、有機EL素子への駆動電圧の
印加を停止させることが確実に実行される。
通電制御手段は、第(n−a)列目の前記走査線に入力さ
れる走査電圧を反対電圧として第n列目の前記有機EL
素子に通電させることも可能である。この場合、第(n
−a)列目の走査線に入力される走査電圧を通電制御手
段が反対電圧として第n列目の有機EL素子に通電させ
るので、有機EL素子に通電させる反対電圧として走査
電圧が利用される。
通電制御手段は、第(n−b)列目の前記走査線に走査電
圧が入力されると第n列目の前記電圧保持手段の保持電
圧を放電させ、第(n−a)列目の前記走査線に入力され
る走査電圧を反対電圧として第n列目の前記有機EL素
子に通電させることも可能である。
電圧が入力されると通電制御手段が第n列目の電圧保持
手段の保持電圧を放電させ、第(n−a)列目の走査線に
入力される走査電圧を反対電圧として第n列目の有機E
L素子に通電させるので、電圧保持手段の動作制御によ
り有機EL素子への駆動電圧の印加が停止され、この通
電電流が停止された有機EL素子に走査電圧が反対電圧
として通電される。
通電制御手段は、第(n−b)列目の前記走査線に走査電
圧が入力されると第n列目の前記有機EL素子と前記電
源電極との接続を切断し、第(n−a)列目の前記走査線
に入力される走査電圧を反対電圧として第n列目の前記
有機EL素子に通電させることも可能である。
電圧が入力されると通電制御手段が第n列目の有機EL
素子と電源電極との接続を切断し、第(n−a)列目の走
査線に入力される走査電圧を反対電圧として第n列目の
有機EL素子に通電させるので、電源電極の切断により
有機EL素子への駆動電圧の印加が停止され、この通電
電流が停止された有機EL素子に走査電圧が反対電圧と
して通電される。
=1”であり、前記通電制御手段は、第N列目の前記走
査線に走査電圧が入力されると第一列目の前記有機EL
素子の通電を制御することも可能である。この場合、
“a=1”なので一列前の走査線に走査電圧が入力され
ると通電制御手段が有機EL素子の通電を制御するが、
第一列目の前記有機EL素子の通電は最終列である第N
列目の走査線に走査電圧が入力されると制御される。
=1”であり、第一列目の前記走査線に並設されて第一
列目の走査電圧の直前にダミーの走査電圧が入力される
ダミー線も具備しており、前記通電制御手段は、前記ダ
ミー線に走査電圧が入力されると第一列目の前記有機E
L素子の通電を制御することも可能である。
線に走査電圧が入力されると通電制御手段が有機EL素
子の通電を制御するが、第一列目の走査線に並設された
ダミー線にダミーの走査電圧が第一列目の走査電圧の直
前に入力されるので、第一列目の有機EL素子の通電は
ダミー線にダミーの走査電圧が入力されると制御され
る。
=1,b=2”であり、前記通電制御手段は、第(N−
1)列目の前記走査線に走査電圧が入力されると第一列
目の前記有機EL素子への駆動電圧の印加を停止させ、
第N列目の前記走査線に走査電圧が入力されると第一列
目の前記有機EL素子に反対電圧を印加させるとともに
第二列目の前記有機EL素子への駆動電圧の印加を停止
させることも可能である。
前の走査線に走査電圧が入力されると通電制御手段が有
機EL素子に印加される駆動電圧を停止させ、一列前の
走査線に走査電圧が入力されると有機EL素子に反対電
圧を印加させる。ただし、第一列目の有機EL素子は第
(N−1)列目の走査線に走査電圧が入力されると駆動電
圧が停止され、第N列目の走査線に走査電圧が入力され
ると反対電圧が通電される。第二列目の有機EL素子は
第N列目の走査線に走査電圧が入力されると駆動電圧が
停止される。
=1,b=2”であり、第一列目の前記走査線に並設さ
れて第一列目の走査電圧の直前にダミーの走査電圧が順
番に入力される第一第二のダミー線も具備しており、前
記通電制御手段は、前記第一のダミー線に走査電圧が入
力されると第一列目の前記有機EL素子への駆動電圧の
印加を停止させ、前記第二のダミー線に走査電圧が入力
されると第一列目の前記有機EL素子に反対電圧を印加
させるとともに第二列目の前記有機EL素子への駆動電
圧の印加を停止させることも可能である。
前の走査線に走査電圧が入力されると通電制御手段が有
機EL素子に印加される駆動電圧を停止させ、一列前の
走査線に走査電圧が入力されると有機EL素子に反対電
圧を印加させる。ただし、第一列目の走査線に並設され
た第一第二のダミー線に第一第二のダミーの走査電圧が
第一列目の走査電圧の直前に入力されるので、第一列目
の有機EL素子は第一のダミー線に走査電圧が入力され
ると駆動電圧が停止され、第二のダミー線に走査電圧が
入力されると反対電圧が通電される。第二列目の有機E
L素子は第二のダミー線に走査電圧が入力されると駆動
電圧が停止される。
を実現するように形成されていれば良く、例えば、専用
のハードウェア、適正な機能がプログラムにより付与さ
れたコンピュータ、適正なプログラムによりコンピュー
タの内部に実現された機能、これらの組み合わせ、等を
許容する。
ないし図4を参照して以下に説明する。ただし、本実施
の形態に関して前述した一従来例と同一の部分は、同一
の名称を使用して詳細な説明は省略する。また、ここで
も図面で上下方向と平行な一次元を行、左右方向と平行
な一次元を列、として行列を表現するが、これは説明を
簡略化するために便宜的に定義するものであり、反対の
呼称を拒絶するものではない。
の第一の形態であるELディスプレイの要部の回路構造
を示す回路図、図2はELディスプレイの全体構造を示
すブロック図、図3は有機EL素子の部分の薄膜構造を
示す断面図、図4はELディスプレイの各部の信号波形
を示すタイムチャート、である。
図1に示すように、一従来例のELディスプレイ1と同
様に、(M×N)個の有機EL素子12を具備しており、
図2に示すように、この(M×N)個の有機EL素子12
がM行N列の二次元状に配列されている。
1は、いわゆるVGA(Video Graphics Array)規格に対
応しており、RGB(Red,Green,Blue)方式でカラー画像
を表示出力するので、(480×1980)個の有機EL素子1
2が480行1980列に配列されている。
一対の電源電極として電源線13と接地線14とを具備
しており、有機EL素子12は、接地線14には直接に
接続されており、電源線13には駆動トランジスタであ
る駆動TFT15を介して接続されている。
圧保持手段として保持コンデンサ16が接続されてお
り、この保持コンデンサ16も接地線14に接続されて
いる。この保持コンデンサ16および駆動TFT15の
ゲート電極には、スイッチング手段であるスイッチング
TFT17のドレイン電極が接続されており、このスイ
ッチングTFT17は、ソース電極にデータ線18が接
続されるとともにゲート電極に走査線19が接続されて
いる。
11は、一従来例のELディスプレイ1とは相違して、
“5.0(V)”の矩形パルスの走査電圧が第n列目の走査
線19に入力される直前に第n列目のM個の有機EL素
子12への駆動電圧の印加を停止させる通電制御手段と
して、M行N列の制御TFT20がM行N列の有機EL
素子12の一個ごとに一個ずつ設けられている。
持コンデンサ16と駆動TFT15との接続配線に接続
されており、ソース電極が接地線14に接続されてい
る。ただし、第n列目のM個の制御TFT20のゲート
電極は、第(n−1)列目の走査線19に接続されている
ので、第(n−1)列目の走査線19に走査電圧が入力さ
れると第n列目の保持コンデンサ16の“5.0〜0.0
(V)”の保持電圧を放電させる。
TFT20に対しては、第(n−1)列目の走査線19が
存在しない。そこで、本実施の形態のELディスプレイ
11では、図2に示すように、ダミー線21が第一列目
の走査線19に並設されており、このダミー線21に第
一列目のM個の制御TFT20のゲート電極が接続され
ている。
線21とは一個の走査駆動回路22に接続されており、
この走査駆動回路22は、(N+1)個の走査電圧を一画
面の表示ごとに一列のダミー線21とN列の走査線19
とに順番に入力するので、ダミー線21には、第一列目
の走査線19に走査電圧が入力される直前にダミーの走
査電圧が入力される。
駆動回路23に接続されており、このデータ駆動回路2
3は、一画面の表示ごとに(M×N)個の“5.0〜0.0
(V)”のデータ電圧をM行のデータ線18の各々にN個
の走査電圧に同期して順番に印加するので、一列ごとに
M個の保持コンデンサ16にM個のデータ電圧が順番に
保持される。
も、図2および図3に示すように、上述した有機EL素
子12などの各部が、一個のガラス基板30の一面に層
膜構造で形成されている。より詳細には、図3に示すよ
うに、駆動TFT15や制御TFT20は、ガラス基板
30の面上に積層されたp−Si製のアイランド31上
に形成されており、このアイランド31上にゲート酸化
膜32が積層されている。
ミニウム等の金属製のゲート電極33が積層されてお
り、その両側にはソース電極34とドレイン電極35と
が接続されている。これらの電極34,35は電源線1
3や接地線14と一体に形成されており、上述のような
構造は絶縁層36で一様に封入されている。
形成されており、この絶縁層36の面上にはITO(Ind
ium Tin Oxide)製の陽極41が積層されている。この陽
極41上には、正孔輸送層42、発光層43、電子輸送
層44、金属製の陰極45、が順番に積層されており、
これらで有機EL素子12が形成されている。
ンタクトホールが形成されており、このコンタクトホー
ルにより、有機EL素子12の陽極41と駆動TFT1
5のソース電極34とが接続されており、陰極45と接
地線14とが接続されている。
上述のようにM行N列の有機EL素子12に各種線1
3,14…や各種素子15,16…や各種回路22,2
3等を接続したものであり、外部入力される画像データ
に対応して画像を表示する。有機EL素子12は、図3
に示すように、発光層43等で形成されているが、図2
に示すように、ELディスプレイ11のM行N列の画素
領域に対応した形状に各々形成されている。
のELディスプレイ11も、一従来例のELディスプレ
イ1と同様に、M行N列の有機EL素子12を個々に所
望の輝度で発光させて画素単位で多階調のドットマトリ
クス画像を表示することができ、特に、有機EL素子1
2を個々にアクティブ駆動するので高効率に高輝度を実
現することができる。
線19に走査電圧が順番に入力されてM行N列のスイッ
チングTFT17が一列ずつ順番にオン状態とされるの
で、その一列のM個の有機EL素子12の発光輝度に対
応したデータ電圧がM行のデータ線18に個々に印加さ
れる。
ングTFT17を介して一列のM個の保持コンデンサ1
6に個々に保持され、この保持コンデンサ16の保持電
圧は一列のM個の駆動TFT15のゲート電極に個々に
印加されるので、電源線13に常時印加されている駆動
電圧が駆動TFT15により一列のM個の有機EL素子
12に供給される。
TFT15のゲート電極に印加される電圧に対応するの
で、一列のM個の有機EL素子12がデータ線18に供
給された制御電流に対応した輝度で発光することにな
り、この動作状態は走査電圧がオフ状態となっても保持
コンデンサ16の保持電圧により維持される。
に順番に実行されるので、本実施の形態のELディスプ
レイ11は、M行N列の有機EL素子12を個々に所望
の輝度で発光させて画素単位で階調表現されたドットマ
トリクスの画像を表示することができる。しかも、有機
EL素子12の発光状態は保持コンデンサ16の保持電
圧により次回の発光制御まで維持されるので、高効率に
高輝度が実現される。
11では、上述のように有機EL素子12をアクティブ
駆動するが、有機EL素子12の通電を発光制御の直前
に一瞬だけ停止させる。つまり、第(n−1)列目の走査
線19に走査電圧が入力されるとき、その走査電圧によ
り第n列目の制御TFT20をオン状態として第n列目
の保持コンデンサ16の両端を接地線14に接続し、第
n列目の有機EL素子12の通電を停止させる。
イ11では、アクティブ駆動により有機EL素子12の
発光状態を次回の発光制御まで維持するが、その発光制
御の直前に有機EL素子12の通電を一瞬だけ停止させ
るので、アクティブ駆動する有機EL素子12の寿命を
延長することができる。
させることを一列前の走査線19の走査電圧で制御する
ので、有機EL素子12の通電を最適なタイミングで確
実に制御することができる。しかも、第一列目の走査線
19の手前にはダミー線21が並設されており、このダ
ミー線21に入力するダミーの走査電圧により第一列目
の有機EL素子12の通電を停止させるので、M行N列
の有機EL素子12の全部の通電を最適なタイミングで
確実に制御することができる。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では第n列目の有機EL素子
12の通電を第(n−1)列目の走査線19の走査電圧の
タイミングで一時停止させることを例示したが、これを
第(n−a)列目の走査線19の走査電圧のタイミングと
することも可能である。ただし、“a”を二以上とする
と、ダミー線21の本数も増加させる必要があり、有機
EL素子12が消灯する時間も増加して全体の輝度が低
下するので、一般的には“a=1”とすることが最適で
ある。
にダミー線21を並設してダミーの走査電圧を入力する
ことを例示したが、最終列である第N列目の走査線19
を第一列目の制御TFT20に接続し、第N列目の走査
線19に入力される走査電圧で第一列目の有機EL素子
12の通電を一時停止させることも可能である。
線21や走査駆動回路22の内部回路を追加する必要が
あるが、面倒な配線の引き回しは無用である。第N列目
の走査線19を第一列目の制御TFT20に接続する構
造では、配線の引き回しが面倒な可能性はあるが、ダミ
ー線21や走査駆動回路22の内部回路の追加は無用で
ある。つまり、これらは相互に一長一短を有するので、
実際に装置を実施する場合には各種条件を考慮して最適
な一方を選択することが好適である。
素子12の通電を制御するために制御TFT20もM行
N列に配列することを例示した。しかし、制御TFT2
0は走査電圧ごとに一列のM個の有機EL素子12の通
電を制御できれば良いので、例えば、N列の走査線19
の一本と一列のM個の有機EL素子12とにN個の制御
TFT20を一個ずつ接続することも可能である。
では、回路規模が増大するが、面倒な配線の引き回しは
無用であり、制御TFT20をN列のみ配列する構造で
は、配線の引き回しが面倒な可能性はあるが、回路規模
を削減することができるので、これらも実際には最適な
一方を選択することが好適である。
する場合には同一パターンの薄膜回路をM行N列に形成
するので、制御TFT20もM行N列に配列する構造は
製造が容易である。そこで、制御TFT20をN列のみ
配列する場合は、その制御TFT20を画素領域の外側
で各列の端部などに位置させて別個に形成することが好
適である。
および図6を参照して以下に説明する。ただし、これよ
り以下の実施の形態では、それ以前の実施の形態と同一
の部分は、同一の名称および符号を使用して詳細な説明
は省略する。なお、図5は実施の第二の形態のELディ
スプレイの要部の回路構造を示す回路図、図6は各部の
信号波形を示すタイムチャート、である。
は、図5に示すように、第n列目の走査線19に走査電
圧が入力される直前に第n列目のM個の有機EL素子1
2への駆動電圧の印加を停止させる通電制御手段とし
て、M行N列の第一の制御TFT20とともに第二の制
御TFT52もM行N列の有機EL素子12の一個ごと
に一個ずつ設けられている。
ト電極が第(n−1)列目の走査線19に接続されてお
り、両端が有機EL素子12の両端に接続されている。
なお、この第二の制御TFT52も、第一列目ではゲー
ト電極がダミー線21に接続されている。
のELディスプレイ51も、第一の形態として前述した
ELディスプレイ11と同様に、アクティブ駆動する有
機EL素子12の通電を発光制御の直前に一瞬だけ停止
させる。その場合、図6に示すように、第(n−1)列目
の走査線19に入力される走査電圧により第n列目の第
一第二の制御TFT20,52の両方をオン状態とし、
第n列目の保持コンデンサ16の両端を接地線14に接
続するとともに、第n列目の有機EL素子12の両端を
短絡させる。
イ51では、より確実に有機EL素子12の通電を一時
停止させることができ、より良好にアクティブ駆動する
有機EL素子12の寿命を延長することができる。な
お、上述の第二の制御TFT52も、M行N列でなくN
列のみとすることが可能である。
および図8を参照して以下に説明する。なお、図7は実
施の第二の形態のELディスプレイの要部の回路構造を
示す回路図、図8は各部の信号波形を示すタイムチャー
ト、である。
は、図7に示すように、M行N列の第一の制御TFT2
0とともに制御コンデンサ62も、通電制御手段として
M行N列の有機EL素子12の一個ごとに一個ずつ設け
られている。
第(n−1)列目の走査線19に接続されており、他端が
有機EL素子12と駆動TFT15との接点に接続され
ている。なお、この制御コンデンサ62も、第一列目で
は一端がダミー線21に接続されている。
のELディスプレイ61では、図6に示すように、第
(n−1)列目の走査線19に入力される走査電圧によ
り、第n列目の制御TFT20をオン状態にするととも
に、制御コンデンサ62の一端に走査電圧の電圧を印加
する。
サ62は他端に極性が反対のスパイクノイズを発生する
ので、これが駆動電圧とは極性が反対の反対電圧として
有機EL素子12に通電される。このため、本実施の形
態のELディスプレイ61では、有機EL素子12を発
光制御する直前に駆動電圧とは極性が反対の反対電圧を
印加させることができ、より良好に有機EL素子12の
寿命を延長することができる。
1では、上述のように制御コンデンサ62で発生するス
パイクノイズを反対電圧として有機EL素子12に確実
に通電するため、同図に示すように、N列の走査線19
に順番に印加される走査電圧に所定時間の間隔を設定す
ることが好適である。
および図10を参照して以下に説明する。なお、図9は
実施の第二の形態のELディスプレイの要部の回路構造
を示す回路図、図10は各部の信号波形を示すタイムチ
ャート、である。
は、図9に示すように、M行N列の第一の制御TFT2
0とともに第三から第五の制御TFT72〜74が、通
電制御手段としてM行N列の有機EL素子12の一個ご
とに各々一個ずつ設けられている。
動TFT15と並列に保持コンデンサ16に接続されて
おり、ソース電極が接地線14に接続されており、ドレ
イン電極が駆動TFT15とは反対の有機EL素子12
の一端に接続されている。このため、第三の制御TFT
72は駆動TFT15と同様に、電源線3から接地線4
に印加される駆動電圧を保持コンデンサ16の保持電圧
に対応して有機EL素子12に供給するので、保持コン
デンサ16の保持電圧が放電されると、有機EL素子1
2を電源線13および接地線14から切断する。
ト電極とソース電極とが第(n−1)列目の走査線19に
接続されており、ドレイン電極が有機EL素子12と第
三の制御TFT72との接点に接続されている。第n列
目の第五の制御TFT74は、ゲート電極が第(n−1)
列目の走査線19に接続されており、ソース電極が有機
EL素子12と駆動TFT15との接点に接続されてお
り、ドレイン電極が接地線14に接続されている。
T73,74は、第n列目の走査線19に走査電圧が入
力されるとオン状態となり、その走査電圧を駆動電圧と
は極性が反対の反対電圧として第n列目の有機EL素子
12から接地線14まで通電させる。
のELディスプレイ71では、図10に示すように、第
(n−1)列目の走査線19に入力される走査電圧により
第n列目の第一の制御TFT20をオン状態として第n
列目の保持コンデンサ16の保持電圧を放電させ、これ
で駆動TFT15と第三の制御TFT72とをオフ状態
として第n列目の有機EL素子12を浮遊させる。
力される走査電圧により第n列目の第四第五の制御TF
T73,74をオン状態として有機EL素子12の両端
を第(n−1)列目の走査線19と接地線14とに接続
し、第(n−1)列目の走査線19の走査電圧を駆動電圧
とは極性が反対の反対電圧として有機EL素子12に通
電する。
イ71では、有機EL素子12を発光制御する直前に駆
動電圧とは極性が反対の反対電圧を確実に通電させるこ
とができ、より良好に有機EL素子12の寿命を延長す
ることができる。特に、走査線19に入力される走査電
圧を反対電圧として利用するので、反対電圧を生成する
ために専用の回路が必要でなく、本実施の形態のELデ
ィスプレイ71は、簡単な構造で適正な反対電圧を印加
させることができる。
第四の制御TFT73は、第(n−1)列目の走査線19
に走査電圧が入力されるときに、この走査電圧を有機E
L素子12に供給できれば良いので、図11に一変形例
として例示するELディスプレイ82のように、上述の
第四の制御TFT73をダイオード素子82に換装する
ことも可能である。
2および図13を参照して以下に説明する。なお、図1
2は実施の第二の形態のELディスプレイの要部の回路
構造を示す回路図、図13は各部の信号波形を示すタイ
ムチャート、である。
は、図12に示すように、通電制御手段である第n列目
の第一の制御TFT20のゲート電極が、第(n−2)列
目の走査線19に接続されているので、第一の制御TF
T20は、第(n−2)列目の走査線19に走査電圧が入
力されると保持コンデンサ16の保持電圧を放電する。
のELディスプレイ91では、図13に示すように、第
(n−2)列目の走査線19に走査電圧が入力された時点
で保持コンデンサ16の保持電圧が放電されて第n列目
の有機EL素子12が浮遊される。このような状態で第
(n−1)列目の走査線19に走査電圧が入力されると、
この走査電圧が反対電圧として有機EL素子12に通電
される。
イ91では、有機EL素子12を発光制御する直前に、
有機EL素子12への駆動電圧の印加が確実に停止さ
れ、このように駆動電圧の印加が完全に停止された状態
で、有機EL素子12に反対電圧が通電される。従っ
て、本実施の形態のELディスプレイ91では、有機E
L素子12に反対電圧を確実に通電させることができ、
さらに良好に有機EL素子12の寿命を延長することが
可能である。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
方法では、(M×N)個の有機EL素子がM行N列の二次
元状に配列されている状態で、これら(M×N)個の有機
EL素子の発光輝度が個々に設定された(M×N)個のデ
ータ電圧がM行のデータ線の各々に順番にN個ずつ印加
され、これらM行のデータ線に印加されるデータ電圧に
同期してN列の走査線に走査電圧が順番に入力され、こ
れらN列の走査線に順番に入力される走査電圧によりM
行N列のスイッチング手段が一列ずつオン状態とされ、
これらM行N列のスイッチング手段のオン状態に対応し
てM行のデータ線から印加される(M×N)個のデータ電
圧をM行N列の電圧保持手段が個々に保持すると、電源
電極に常時印加されている駆動電圧を(M×N)個の電圧
保持手段の保持電圧に個々に対応してM行N列の駆動ト
ランジスタが(M×N)個の有機EL素子に印加するの
で、これでM行N列の有機EL素子が個々に相違する輝
度でアクティブ駆動されてドットマトリクスの多階調の
画像が表示されるが、第n列目の走査線に走査電圧が入
力される直前に第n列目のM個の有機EL素子への駆動
電圧の印加を通電制御手段が停止させることにより、同
一輝度の画像が連続的に表示される場合でも、アクティ
ブ駆動される有機EL素子の通電を画像の表示制御の直
前に一瞬だけ停止させるので、有機EL素子の寿命を延
長することができる。
方法では、第n列目の走査線に走査電圧が入力される直
前に通電制御手段が第n列目のM個の有機EL素子に駆
動電圧とは極性が反対の反対電圧を印加させることによ
り、同一輝度の画像が連続的に表示される場合でも、ア
クティブ駆動される有機EL素子に印加される電圧の極
性が画像の表示制御の直前に一瞬だけ反転されるので、
有機EL素子の寿命を延長することができる。
て、第(n−a)列目の走査線に走査電圧が入力されると
通電制御手段が第n列目の有機EL素子への駆動電圧の
印加を停止させることにより、第n列目の走査線に走査
電圧が入力される直前に第n列目のM個の有機EL素子
への駆動電圧の印加を停止させることを、所望のタイミ
ングで簡単かつ確実に実行することができる。
が入力されると通電制御手段が第n列目の有機EL素子
に反対電圧を印加させることにより、第n列目の走査線
に走査電圧が入力される直前に第n列目のM個の有機E
L素子に駆動電圧とは極性が反対の反対電圧を印加させ
ることを、所望のタイミングで簡単かつ確実に実行する
ことができる。
が入力されると通電制御手段が第n列目の有機EL素子
への駆動電圧の印加を停止させて反対電圧を印加させる
ことにより、第n列目の走査線に走査電圧が入力される
直前に第n列目のM個の有機EL素子に駆動電圧とは極
性が反対の反対電圧を印加させることを、所望のタイミ
ングで簡単かつ確実に実行することができる。
が入力されると通電制御手段が第n列目の有機EL素子
への駆動電圧の印加を停止させ、第(n−a)列目の走査
線に走査電圧が入力されると第n列目の有機EL素子に
反対電圧を印加させることにより、有機EL素子の駆動
電圧の印加を確実に停止させてから、有機EL素子に反
対電圧を確実に通電することができる。
電圧が入力されると通電制御手段が第n列目の電圧保持
手段の保持電圧を放電させることにより、有機EL素子
への駆動電圧の印加を停止させることを、電圧保持手段
の動作制御により簡単かつ確実に実行することができ
る。
電圧が入力されると通電制御手段が第n列目の有機EL
素子と電源電極との接続を切断することにより、有機E
L素子への駆動電圧の印加の停止を確実に実行すること
ができる。
る走査電圧を通電制御手段が反対電圧として第n列目の
有機EL素子に通電させることにより、有機EL素子に
通電させる反対電圧として走査電圧を利用することがで
きるので、適正な反対電圧を簡単な構造で確実に発生さ
せることができる。
が入力されると通電制御手段が第n列目の電圧保持手段
の保持電圧を放電させ、第(n−a)列目の走査線に入力
される走査電圧を反対電圧として第n列目の有機EL素
子に通電させることにより、第(n−b)列目の走査線の
走査電圧により有機EL素子への駆動電圧の印加を停止
させることができ、この通電電流が停止された有機EL
素子に第(n−a)列目の走査線の走査電圧を反対電圧と
して通電させることができ、駆動電圧が完全に停止した
有機EL素子に反対電圧を印加することができる。
が入力されると通電制御手段が第n列目の有機EL素子
と電源電極との接続を切断し、第(n−a)列目の走査線
に入力される走査電圧を反対電圧として第n列目の有機
EL素子に通電させることにより、第(n−b)列目の走
査線の走査電圧により有機EL素子への駆動電圧の印加
を停止させることができ、この通電電流が停止された有
機EL素子に第(n−a)列目の走査線の走査電圧を反対
電圧として通電させることができ、駆動電圧が完全に停
止した有機EL素子に反対電圧を印加することができ
る。
終列である第N列目の走査線の走査電圧で制御すること
により、一列前の走査線に走査電圧が入力されると通電
制御手段が有機EL素子の通電を制御する構造でも、第
一列目の有機EL素子の通電を簡単な構造で適正なタイ
ミングに制御することができる。
ー線にダミーの走査電圧が第一列目の走査電圧の直前に
入力され、第一列目の有機EL素子の通電はダミー線に
ダミーの走査電圧が入力されると制御されることによ
り、一列前の走査線に走査電圧が入力されると通電制御
手段が有機EL素子の通電を制御する構造でも、第一列
目の有機EL素子の通電を簡単な構造で適正なタイミン
グに制御することができる。
1)列目の走査線に走査電圧が入力されると駆動電圧が
停止され、第N列目の走査線に走査電圧が入力されると
反対電圧が通電され、第二列目の有機EL素子は第N列
目の走査線に走査電圧が入力されると駆動電圧が停止さ
れることにより、二列前の走査線に走査電圧が入力され
ると通電制御手段が有機EL素子に印加される駆動電圧
を停止させ、一列前の走査線に走査電圧が入力されると
有機EL素子に反対電圧を印加させる構造でも、第一列
目および第二列目の有機EL素子の通電を簡単な構造で
適正なタイミングに制御することができる。
第二のダミー線に第一第二のダミーの走査電圧が第一列
目の走査電圧の直前に入力され、第一列目の有機EL素
子は第一のダミー線に走査電圧が入力されると駆動電圧
が停止され、第二のダミー線に走査電圧が入力されると
反対電圧が通電され、第二列目の有機EL素子は第二の
ダミー線に走査電圧が入力されると駆動電圧が停止され
ることにより、二列前の走査線に走査電圧が入力される
と通電制御手段が有機EL素子に印加される駆動電圧を
停止させ、一列前の走査線に走査電圧が入力されると有
機EL素子に反対電圧を印加させる構造でも、第一列目
および第二列目の有機EL素子の通電を簡単な構造で適
正なタイミングに制御することができる。
るELディスプレイの要部の回路構造を示す回路図であ
る。
である。
ある。
ムチャートである。
回路構造を示す回路図である。
回路構造を示す回路図である。
回路構造を示す回路図である。
る。
造を示す回路図である。
の回路構造を示す回路図である。
る。
路図である。
る。
レイ 12 有機EL素子 13 一対の電源電極の一方である電源線 14 一対の電源電極の一方である接地線 15 駆動トランジスタである駆動TFT 16 電圧保持手段である保持コンデンサ 17 スイッチング手段であるスイッチングTFT 18 データ線 19 走査線 20,52,72〜74 通電制御手段である制御T
FT 21 ダミー線 62 通電制御手段である制御コンデンサ 82 通電制御手段であるダイオード素子
Claims (17)
- 【請求項1】 M行N列(MおよびNは各々所定の自然
数)の二次元状に配列されている(M×N)個の有機EL
(Electro-Luminescence)素子と、これら(M×N)個の前
記有機EL素子の発光輝度が個々に設定されたデータ電
圧が順番に印加されるM行のデータ線と、これらM行の
データ線に印加されるデータ電圧に同期して走査電圧が
順番に入力されるN列の走査線と、これらN列の走査線
に順番に入力される走査電圧により一列ずつオン状態と
されるM行N列のスイッチング手段と、これらM行N列
のスイッチング手段のオン状態に対応してM行の前記デ
ータ線から印加される(M×N)個のデータ電圧を個々に
保持するM行N列の電圧保持手段と、所定の駆動電圧が
常時印加されている一対の電源電極と、この電源電極に
常時印加されている駆動電圧を(M×N)個の前記電圧保
持手段の保持電圧に個々に対応して(M×N)個の前記有
機EL素子に印加するM行N列の駆動トランジスタと、
を具備している画像表示装置の画像表示方法であって、 第n列目の前記走査線に走査電圧が入力される直前に第
n列目のM個の前記有機EL素子への駆動電圧の印加を
停止させるようにした画像表示方法。 - 【請求項2】 M行N列の二次元状に配列されている
(M×N)個の有機EL素子と、これら(M×N)個の前記
有機EL素子の発光輝度が個々に設定されたデータ電圧
が順番に印加されるM行のデータ線と、これらM行のデ
ータ線に印加されるデータ電圧に同期して走査電圧が順
番に入力されるN列の走査線と、これらN列の走査線に
順番に入力される走査電圧により一列ずつオン状態とさ
れるM行N列のスイッチング手段と、これらM行N列の
スイッチング手段のオン状態に対応してM行の前記デー
タ線から印加される(M×N)個のデータ電圧を個々に保
持するM行N列の電圧保持手段と、所定の駆動電圧が常
時印加されている一対の電源電極と、この電源電極に常
時印加されている駆動電圧を(M×N)個の前記電圧保持
手段の保持電圧に個々に対応して(M×N)個の前記有機
EL素子に印加するM行N列の駆動トランジスタと、を
具備している画像表示装置の画像表示方法であって、 第n列目の前記走査線に走査電圧が入力される直前に第
n列目のM個の前記有機EL素子に駆動電圧とは極性が
反対の反対電圧を印加させるようにした画像表示方法。 - 【請求項3】 M行N列の二次元状に配列されている
(M×N)個の有機EL素子と、 これら(M×N)個の前記有機EL素子の発光輝度が個々
に設定されたデータ電圧が順番に印加されるM行のデー
タ線と、 これらM行のデータ線に印加されるデータ電圧に同期し
て走査電圧が順番に入力されるN列の走査線と、 これらN列の走査線に順番に入力される走査電圧により
一列ずつオン状態とされるM行N列のスイッチング手段
と、 これらM行N列のスイッチング手段のオン状態に対応し
てM行の前記データ線から印加される(M×N)個のデー
タ電圧を個々に保持するM行N列の電圧保持手段と、 所定の駆動電圧が常時印加されている一対の電源電極
と、 この電源電極に常時印加されている駆動電圧を(M×N)
個の前記電圧保持手段の保持電圧に個々に対応して(M
×N)個の前記有機EL素子に印加するM行N列の駆動
トランジスタと、 第n列目の前記走査線に走査電圧が入力される直前に第
n列目のM個の前記有機EL素子への駆動電圧の印加を
停止させる通電制御手段と、を具備している画像表示装
置。 - 【請求項4】 M行N列の二次元状に配列されている
(M×N)個の有機EL素子と、 これら(M×N)個の前記有機EL素子の発光輝度が個々
に設定されたデータ電圧が順番に印加されるM行のデー
タ線と、 これらM行のデータ線に印加されるデータ電圧に同期し
て走査電圧が順番に入力されるN列の走査線と、 これらN列の走査線に順番に入力される走査電圧により
一列ずつオン状態とされるM行N列のスイッチング手段
と、 これらM行N列のスイッチング手段のオン状態に対応し
てM行の前記データ線から印加される(M×N)個のデー
タ電圧を個々に保持するM行N列の電圧保持手段と、 所定の駆動電圧が常時印加されている一対の電源電極
と、 この電源電極に常時印加されている駆動電圧を(M×N)
個の前記電圧保持手段の保持電圧に個々に対応して(M
×N)個の前記有機EL素子に印加するM行N列の駆動
トランジスタと、 第n列目の前記走査線に走査電圧が入力される直前に第
n列目のM個の前記有機EL素子に駆動電圧とは極性が
反対の反対電圧を印加させる通電制御手段と、を具備し
ている画像表示装置。 - 【請求項5】 前記通電制御手段は、第(n−a)列目
(aはNより小さい自然数)の前記走査線に走査電圧が入
力されると第n列目の前記有機EL素子への駆動電圧の
印加を停止させる請求項3記載の画像表示装置。 - 【請求項6】 前記通電制御手段は、第(n−a)列目の
前記走査線に走査電圧が入力されると第n列目の前記有
機EL素子に反対電圧を印加させる請求項4記載の画像
表示装置。 - 【請求項7】 前記通電制御手段は、第(n−a)列目の
前記走査線に走査電圧が入力されると第n列目の前記有
機EL素子への駆動電圧の印加を停止させるとともに反
対電圧を印加させる請求項4記載の画像表示装置。 - 【請求項8】 前記通電制御手段は、第(n−b)列目
(bはaより大きくNより小さい整数)の前記走査線に走
査電圧が入力されると第n列目の前記有機EL素子への
駆動電圧の印加を停止させ、第(n−a)列目の前記走査
線に走査電圧が入力されると第n列目の前記有機EL素
子に反対電圧を印加させる請求項4記載の画像表示装
置。 - 【請求項9】 前記通電制御手段は、第(n−a)列目の
前記走査線に走査電圧が入力されると第n列目の前記電
圧保持手段の保持電圧を放電させる請求項5記載の画像
表示装置。 - 【請求項10】 前記通電制御手段は、第(n−a)列目
の前記走査線に走査電圧が入力されると第n列目の前記
有機EL素子と前記電源電極との接続を切断する請求項
5または9記載の画像表示装置。 - 【請求項11】 前記通電制御手段は、第(n−a)列目
の前記走査線に入力される走査電圧を反対電圧として第
n列目の前記有機EL素子に通電させる請求項6ないし
8の何れか一記載の画像表示装置。 - 【請求項12】 前記通電制御手段は、第(n−b)列目
の前記走査線に走査電圧が入力されると第n列目の前記
電圧保持手段の保持電圧を放電させ、第(n−a)列目の
前記走査線に入力される走査電圧を反対電圧として第n
列目の前記有機EL素子に通電させる請求項8記載の画
像表示装置。 - 【請求項13】 前記通電制御手段は、第(n−b)列目
の前記走査線に走査電圧が入力されると第n列目の前記
有機EL素子と前記電源電極との接続を切断し、第(n
−a)列目の前記走査線に入力される走査電圧を反対電
圧として第n列目の前記有機EL素子に通電させる請求
項8記載の画像表示装置。 - 【請求項14】 “a=1”であり、 前記通電制御手段は、第N列目の前記走査線に走査電圧
が入力されると第一列目の前記有機EL素子の通電を制
御する請求項5ないし7の何れか一記載の画像表示装
置。 - 【請求項15】 “a=1”であり、 第一列目の前記走査線に並設されて第一列目の走査電圧
の直前にダミーの走査電圧が入力されるダミー線も具備
しており、前記通電制御手段は、前記ダミー線に走査電
圧が入力されると第一列目の前記有機EL素子の通電を
制御する請求項5ないし7の何れか一記載の画像表示装
置。 - 【請求項16】 “a=1,b=2”であり、 前記通電制御手段は、第(N−1)列目の前記走査線に走
査電圧が入力されると第一列目の前記有機EL素子への
駆動電圧の印加を停止させ、第N列目の前記走査線に走
査電圧が入力されると第一列目の前記有機EL素子に反
対電圧を印加させるとともに第二列目の前記有機EL素
子への駆動電圧の印加を停止させる請求項8記載の画像
表示装置。 - 【請求項17】 “a=1,b=2”であり、 第一列目の前記走査線に並設されて第一列目の走査電圧
の直前にダミーの走査電圧が順番に入力される第一第二
のダミー線も具備しており、 前記通電制御手段は、前記第一のダミー線に走査電圧が
入力されると第一列目の前記有機EL素子への駆動電圧
の印加を停止させ、前記第二のダミー線に走査電圧が入
力されると第一列目の前記有機EL素子に反対電圧を印
加させるとともに第二列目の前記有機EL素子への駆動
電圧の印加を停止させる請求項8記載の画像表示装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16242299A JP3259774B2 (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 画像表示方法および装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16242299A JP3259774B2 (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 画像表示方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000347621A true JP2000347621A (ja) | 2000-12-15 |
JP3259774B2 JP3259774B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=15754312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16242299A Expired - Lifetime JP3259774B2 (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 画像表示方法および装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6525704B1 (ja) |
JP (1) | JP3259774B2 (ja) |
KR (1) | KR100377372B1 (ja) |
DE (1) | DE10028598B4 (ja) |
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---|---|
US6525704B1 (en) | 2003-02-25 |
KR100377372B1 (ko) | 2003-03-26 |
TW507469B (en) | 2002-10-21 |
DE10028598B4 (de) | 2011-11-17 |
DE10028598A1 (de) | 2001-03-29 |
JP3259774B2 (ja) | 2002-02-25 |
KR20010020964A (ko) | 2001-03-15 |
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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