JP2003022580A - 情報記録担体、情報記録担体の製造方法、情報記録担体再生装置及び情報記録担体記録装置 - Google Patents
情報記録担体、情報記録担体の製造方法、情報記録担体再生装置及び情報記録担体記録装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 支持基板の反対側からレーザ光を照射して用
いる場合にも、高出力高品質な再生信号と、正確にアド
レスや記録情報を読み取ることができる情報記録担体及
びその製造方法、情報記録担体の再生装置及び記録装置
を提供する。 【解決手段】 基体１上に塗布されたポジ型のエネルギ
ー線感応層２にエネルギー線を照射して、両側面に周期
の等しいウォブルを有する微細パターン３を形成し、こ
の微細パターン３上にメッキ層４を形成した後、基体１
から剥離して、微細パターン３Ａを有する第１メッキ型
５を作製し、この第１メッキ型５上に第２メッキ層６を
形成した後、この第２メッキ層６を第１メッキ型５から
剥離して、第３微細パターン３Ｂを有する第２メッキ型
７を作製し、この第２メッキ型７を支持体８上に転写し
て微細パターン３Ｃを形成した後、この微細パターン３
Ｃ上に記録層９、透光層１０を順次形成する。
いる場合にも、高出力高品質な再生信号と、正確にアド
レスや記録情報を読み取ることができる情報記録担体及
びその製造方法、情報記録担体の再生装置及び記録装置
を提供する。 【解決手段】 基体１上に塗布されたポジ型のエネルギ
ー線感応層２にエネルギー線を照射して、両側面に周期
の等しいウォブルを有する微細パターン３を形成し、こ
の微細パターン３上にメッキ層４を形成した後、基体１
から剥離して、微細パターン３Ａを有する第１メッキ型
５を作製し、この第１メッキ型５上に第２メッキ層６を
形成した後、この第２メッキ層６を第１メッキ型５から
剥離して、第３微細パターン３Ｂを有する第２メッキ型
７を作製し、この第２メッキ型７を支持体８上に転写し
て微細パターン３Ｃを形成した後、この微細パターン３
Ｃ上に記録層９、透光層１０を順次形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的手段によっ
て記録再生を行う情報記録担体、情報記録担体の製造方
法、情報記録担体の再生装置及び情報記録担体の記録装
置に関するものである。
て記録再生を行う情報記録担体、情報記録担体の製造方
法、情報記録担体の再生装置及び情報記録担体の記録装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、レーザー光線などを用いて情
報を記録再生は、光ディスクシステム等によって行なわ
れている。この光ディスクシステムに用いられる情報記
録担体の一つとして、ＤＶＤ（デジタルバーサタイルデ
ィスク）があるが、このＤＶＤは、厚さ０．６ｍｍ、直
径１２０ｍｍの透明プラスチック支持基板の表面に成形
により凸凹形状で刻印された情報トラックや情報ピット
列からなる情報記録面を有している。情報トラックは、
情報を記録するためのものである。また、情報ピット列
は、これを走査して、情報を再生するためのものであ
る。
報を記録再生は、光ディスクシステム等によって行なわ
れている。この光ディスクシステムに用いられる情報記
録担体の一つとして、ＤＶＤ（デジタルバーサタイルデ
ィスク）があるが、このＤＶＤは、厚さ０．６ｍｍ、直
径１２０ｍｍの透明プラスチック支持基板の表面に成形
により凸凹形状で刻印された情報トラックや情報ピット
列からなる情報記録面を有している。情報トラックは、
情報を記録するためのものである。また、情報ピット列
は、これを走査して、情報を再生するためのものであ
る。
【０００３】再生型情報記録担体の場合には、情報記録
面上に、金、アルミニウム等の高反射膜からなる反射層
が形成され、記録型情報記録担体の場合には、この情報
記録面上に、色素膜が形成される。上記した情報記録面
上に色素膜が形成された記録型としては、ＤＶＤ−Ｒと
呼ばれる追記記録型がある。また、上記の情報記録面上
に光磁気記録膜が形成された書換記録型もある。
面上に、金、アルミニウム等の高反射膜からなる反射層
が形成され、記録型情報記録担体の場合には、この情報
記録面上に、色素膜が形成される。上記した情報記録面
上に色素膜が形成された記録型としては、ＤＶＤ−Ｒと
呼ばれる追記記録型がある。また、上記の情報記録面上
に光磁気記録膜が形成された書換記録型もある。
【０００４】このようなＤＶＤ―Ｒ（ディジタルバーサ
タイルディスク・レコーダブル）は、具体的には図３２
に示すような構造を有している。図３２は、従来の記録
型ＤＶＤを示す断面図である。ＤＶＤ７０は、表面に情
報記録面７１０を有する透明なプラスティックからなる
支持基板７１上に記録層７２、接着層７３が順次積層さ
れ、この接着層７３上には、ダミー基板７４が貼り合わ
されたものである。なお、情報記録面７１０は、凹凸形
状で刻印された情報トラックや情報ピット列を有してい
る。
タイルディスク・レコーダブル）は、具体的には図３２
に示すような構造を有している。図３２は、従来の記録
型ＤＶＤを示す断面図である。ＤＶＤ７０は、表面に情
報記録面７１０を有する透明なプラスティックからなる
支持基板７１上に記録層７２、接着層７３が順次積層さ
れ、この接着層７３上には、ダミー基板７４が貼り合わ
されたものである。なお、情報記録面７１０は、凹凸形
状で刻印された情報トラックや情報ピット列を有してい
る。
【０００５】通常、情報トラックとしては、記録再生用
レーザ光を照射する側から見て、この照射側に突き出た
凸部が用いられ、この凸部には、溝からなる情報トラッ
クやピットからなるアドレス情報等がレーザ光の走査方
向に対して直線または、断続したピットとして形成され
ている。これは、いわゆるスタンパ方式と呼ばれる形成
方法によって形成される。この断続したピットは、ユー
ザーが任意選択した所定の情報トラックに位置決めして
正確に記録を行うためのものである。このスタンパ方式
による記録型ＤＶＤの製造方法では、カッティング形成
した情報トラックやアドレス情報は、支持基板７１の凹
部Ｎになるように作製される。そして、ＤＶＤ７０は、
支持基板７１側から波長６３５ｎｍのレーザ光を、情報
記録面７１０の情報トラック、すなわち、支持基板７１
上の凹部Ｎに照射して、記録再生される。ここでは、支
持基板７１上の凹部Ｎをグルーブ、凸部Ｏをランドとい
う。
レーザ光を照射する側から見て、この照射側に突き出た
凸部が用いられ、この凸部には、溝からなる情報トラッ
クやピットからなるアドレス情報等がレーザ光の走査方
向に対して直線または、断続したピットとして形成され
ている。これは、いわゆるスタンパ方式と呼ばれる形成
方法によって形成される。この断続したピットは、ユー
ザーが任意選択した所定の情報トラックに位置決めして
正確に記録を行うためのものである。このスタンパ方式
による記録型ＤＶＤの製造方法では、カッティング形成
した情報トラックやアドレス情報は、支持基板７１の凹
部Ｎになるように作製される。そして、ＤＶＤ７０は、
支持基板７１側から波長６３５ｎｍのレーザ光を、情報
記録面７１０の情報トラック、すなわち、支持基板７１
上の凹部Ｎに照射して、記録再生される。ここでは、支
持基板７１上の凹部Ｎをグルーブ、凸部Ｏをランドとい
う。
【０００６】一方、図３３に示すようなＤＶＤより高密
度な次世代型情報記録担体の開発が盛んである。図３３
は、ＤＶＤより高密度な次世代情報記録担体を示す断面
図である。図３２で用いたと同一構成には同一符号を付
し、その説明を省略する。高密度な次世代情報記録担体
７５は、表面に凹凸部の情報記録面７１０を有する支持
基板７１に、記録層７２を介して、０．１ｍｍの透光層
７６を積層したものである。支持基板７１は、厚さ１．
１ｍｍ、直径１２０ｍｍの透明プラスティックからな
り、ＤＶＤと同様なスタンパ方式によって製造されてい
る。そして、次世代情報記録担体７５に対する記録再生
方法は、透光層７６側から波長４００ｎｍのレーザ光を
情報記録面７１０の情報トラック、支持体７１上の凹部
Ｎ（グルーブ）に照射して行う。
度な次世代型情報記録担体の開発が盛んである。図３３
は、ＤＶＤより高密度な次世代情報記録担体を示す断面
図である。図３２で用いたと同一構成には同一符号を付
し、その説明を省略する。高密度な次世代情報記録担体
７５は、表面に凹凸部の情報記録面７１０を有する支持
基板７１に、記録層７２を介して、０．１ｍｍの透光層
７６を積層したものである。支持基板７１は、厚さ１．
１ｍｍ、直径１２０ｍｍの透明プラスティックからな
り、ＤＶＤと同様なスタンパ方式によって製造されてい
る。そして、次世代情報記録担体７５に対する記録再生
方法は、透光層７６側から波長４００ｎｍのレーザ光を
情報記録面７１０の情報トラック、支持体７１上の凹部
Ｎ（グルーブ）に照射して行う。
【０００７】即ち、ＤＶＤ７０でも次世代情報記録担体
７５でも支持基板７１上の凹部Ｎに対して記録再生が行
われる。一方、別の見方をしてみると、ＤＶＤ７０は、
記録再生レーザ光を照射する側から見て凸部に記録再生
を行うのに対して、次世代情報記録担体７５は、記録再
生レーザ光を照射する側から見て凹部にレーザ光を照射
して記録再生を行うということができる。換言すれば、
情報トラックとなるグルーブは、ＤＶＤ７０では、記録
再生用レーザ光を照射する側から見るならば、凸部にな
るのに対して、次世代情報記録担体７５では、凹部にな
る。
７５でも支持基板７１上の凹部Ｎに対して記録再生が行
われる。一方、別の見方をしてみると、ＤＶＤ７０は、
記録再生レーザ光を照射する側から見て凸部に記録再生
を行うのに対して、次世代情報記録担体７５は、記録再
生レーザ光を照射する側から見て凹部にレーザ光を照射
して記録再生を行うということができる。換言すれば、
情報トラックとなるグルーブは、ＤＶＤ７０では、記録
再生用レーザ光を照射する側から見るならば、凸部にな
るのに対して、次世代情報記録担体７５では、凹部にな
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
人らはこのような高密度な次世代情報記録担体７５に対
して実際に記録再生を行ったところ、支持基板７１のグ
ルーブである凹部Ｎに記録再生した場合には、ランドで
ある凸部Ｏに記録再生する場合に比較し、再生信号出力
が減少すると共に、情報品質の低下を招き、再生信号の
エラーレートが増大するといった問題があった。更に、
凹部Ｎに記録される情報信号は、品質が劣るため、高密
度な記録を行うことができなかった。このような品質劣
化の原因は、記録層７２の熱拡散の方向が反転すること
によると思われる。このため、このランドである凸部Ｏ
に情報を記録して再生することが考えられたが、ランド
では、再生されるアドレスが混信を起こし、正確なアド
レス情報そのものを再生できないといった不都合を生じ
ていた。そこで、本発明は、上記した問題点を解消すべ
く、支持基板の反対側からレーザ光を照射して用いる場
合にも、高出力高品質な再生信号と、正確にアドレス情
報を読み取ることができる情報記録担体及びその製造方
法を提供することを目的とする。また、このような情報
記録担体を記録再生する情報記録担体の再生装置及び情
報記録担体の記録装置を提供することを目的とする。
人らはこのような高密度な次世代情報記録担体７５に対
して実際に記録再生を行ったところ、支持基板７１のグ
ルーブである凹部Ｎに記録再生した場合には、ランドで
ある凸部Ｏに記録再生する場合に比較し、再生信号出力
が減少すると共に、情報品質の低下を招き、再生信号の
エラーレートが増大するといった問題があった。更に、
凹部Ｎに記録される情報信号は、品質が劣るため、高密
度な記録を行うことができなかった。このような品質劣
化の原因は、記録層７２の熱拡散の方向が反転すること
によると思われる。このため、このランドである凸部Ｏ
に情報を記録して再生することが考えられたが、ランド
では、再生されるアドレスが混信を起こし、正確なアド
レス情報そのものを再生できないといった不都合を生じ
ていた。そこで、本発明は、上記した問題点を解消すべ
く、支持基板の反対側からレーザ光を照射して用いる場
合にも、高出力高品質な再生信号と、正確にアドレス情
報を読み取ることができる情報記録担体及びその製造方
法を提供することを目的とする。また、このような情報
記録担体を記録再生する情報記録担体の再生装置及び情
報記録担体の記録装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の発明は、
基体上にポジ型のエネルギー線感応層を塗布する第１工
程と、このポジ型のエネルギー線感応層にエネルギー線
を照射して、両側面に周期及び位相の等しいウォブルを
有し、交互に形成されたグルーブとランドとを有する第
１微細パターンを形成する第２工程と、この第１微細パ
ターン上に第１メッキ層を形成した後、この第１メッキ
層を前記基体から剥離して、前記第１微細パターンの前
記グルーブ及び前記ランドと逆の関係となる第２微細パ
ターンを有する第１メッキ型を作製する第３工程と、こ
の第１メッキ型の前記第２微細パターン上に第２メッキ
層を形成した後、この第２メッキ層を前記第１メッキ型
から剥離して、前記第１微細パターンのグルーブ及びラ
ンドと同じ関係となる第３微細パターンを有する第２メ
ッキ型を作製する第４工程と、この第２メッキ型を支持
体上に転写して第４微細パターンを形成した後、この第
４微細パターン上に記録層、透光層を順次形成する第５
工程と、からなることを特徴とする情報記録担体の製造
方法を提供する。第２の発明は、基体上にネガ型のエネ
ルギー線感応層を塗布する第１工程と、このネガ型のエ
ネルギー線感応層にエネルギー線を照射して、両側面に
周期及び位相の等しいウォブルを有し、交互に形成され
たグルーブとランドを有する第１微細パターンを形成す
る第２工程と、この第１微細パターン上に第１メッキ層
を形成した後、この第１メッキ層を前記基体から剥離し
て、前記第１微細パターンの前記グルーブ及び前記ラン
ドと逆の関係となる第２微細パターンを有する第１メッ
キ型を作製する第３工程と、この第１メッキ型を支持体
上に転写して第３微細パターンを形成した後、この第３
微細パターン上に記録層、透光層を順次形成する第４工
程と、からなることを特徴とるする情報記録担体の製造
方法を提供する。第３の発明は、前記ウォブルは、アド
レスデータが振幅変移変調によって変調されていること
を特徴とする請求項１又は２記載の製造方法を提供す
る。第４の発明は、前記ウォブルは、アドレスデータが
周波数変移変調によって変調されていることを特徴とす
る請求項１又は２記載の製造方法を提供する。第５の発
明は、前記ウォブルは、アドレスデータが位相変移変調
によって変調されていることを特徴とする請求項１又は
２記載の製造方法を提供する。第６の発明は、表面に凸
部と凹部とが交互に形成された平行溝連続体からなる微
細パターンを有する支持体と、前記微細パターン上に形
成された記録層と、前記記録層上に形成された厚さ０．
０５〜０．１２ｍｍの透光層とからなる少なくともな
り、前記凸部又は前記凹部のピッチをＰ、前記記録層を
再生する再生光の波長をλ、前記再生光を出力する対物
レンズの開口数をＮＡとするとき、前記微細パターン
は、Ｐ≦λ／ＮＡの関係を有すると共に、前記透光層側
から見て凸部の両側壁には、変調されたアドレス情報が
周期及び位相を同じくしてウォブルとして形成されてい
ることを特徴とする情報記録担体を提供する。第７の発
明は、表面に凸部と凹部とが交互に形成された平行溝連
続体からなる微細パターンを有する支持体と、前記微細
パターン上に形成された記録層と、前記記録層上に形成
された厚さ０．０５〜０．１２ｍｍの透光層とからなる
少なくともなり、前記凸部又は前記凹部のピッチをＰ、
前記記録層を再生する再生光の波長をλ、前記再生光を
出力する対物レンズの開口数をＮＡとするとき、前記微
細パターンは、Ｐ≦λ／ＮＡの関係を有すると共に、前
記透光層側から見て凸部の両側壁には、変調されたアド
レス情報が互いに平行なウォブルとして形成されている
ことを特徴とする情報記録担体を提供する。第８の発明
は、前記アドレス情報は、周波数変移変調によって変調
されたものであることを特徴とする請求項６又は７記載
の情報記録担体を提供する。第９の発明は、前記アドレ
ス情報は、位相変移変調によって変調されたものである
ことを特徴とする請求項６又は７記載の情報記録担体を
提供する。第１０の発明は、再生光の波長がλで、ＲＩ
Ｎ−１２５ｄＢ／Ｈｚ以下のノイズを有する発光素子
と、開口数ＮＡの対物レンズとを有し、請求項６又は７
記載の情報記録担体を再生する再生装置であって、請求
項６又は７記載の情報記録担体を装着し、前記λが３５
０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜０．９であり、
前記再生光を前記情報記録担体の前記透光層側から見て
凸部に照射して再生を行う構成にしたことを特徴とする
再生装置を提供する。第１１の発明は、記録光の波長が
λで、ＲＩＮ−１２５ｄＢ／Ｈｚ以下のノイズを有する
発光素子と、開口数ＮＡの対物レンズとを有し、請求項
６又は７記載の情報記録担体を記録する記録装置であっ
て、前記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５
〜０．９であり、前記記録光を前記情報記録担体の前記
透光層側から見て凸部に照射して記録を行う構成にした
ことを特徴とする記録装置を提供する。
基体上にポジ型のエネルギー線感応層を塗布する第１工
程と、このポジ型のエネルギー線感応層にエネルギー線
を照射して、両側面に周期及び位相の等しいウォブルを
有し、交互に形成されたグルーブとランドとを有する第
１微細パターンを形成する第２工程と、この第１微細パ
ターン上に第１メッキ層を形成した後、この第１メッキ
層を前記基体から剥離して、前記第１微細パターンの前
記グルーブ及び前記ランドと逆の関係となる第２微細パ
ターンを有する第１メッキ型を作製する第３工程と、こ
の第１メッキ型の前記第２微細パターン上に第２メッキ
層を形成した後、この第２メッキ層を前記第１メッキ型
から剥離して、前記第１微細パターンのグルーブ及びラ
ンドと同じ関係となる第３微細パターンを有する第２メ
ッキ型を作製する第４工程と、この第２メッキ型を支持
体上に転写して第４微細パターンを形成した後、この第
４微細パターン上に記録層、透光層を順次形成する第５
工程と、からなることを特徴とする情報記録担体の製造
方法を提供する。第２の発明は、基体上にネガ型のエネ
ルギー線感応層を塗布する第１工程と、このネガ型のエ
ネルギー線感応層にエネルギー線を照射して、両側面に
周期及び位相の等しいウォブルを有し、交互に形成され
たグルーブとランドを有する第１微細パターンを形成す
る第２工程と、この第１微細パターン上に第１メッキ層
を形成した後、この第１メッキ層を前記基体から剥離し
て、前記第１微細パターンの前記グルーブ及び前記ラン
ドと逆の関係となる第２微細パターンを有する第１メッ
キ型を作製する第３工程と、この第１メッキ型を支持体
上に転写して第３微細パターンを形成した後、この第３
微細パターン上に記録層、透光層を順次形成する第４工
程と、からなることを特徴とるする情報記録担体の製造
方法を提供する。第３の発明は、前記ウォブルは、アド
レスデータが振幅変移変調によって変調されていること
を特徴とする請求項１又は２記載の製造方法を提供す
る。第４の発明は、前記ウォブルは、アドレスデータが
周波数変移変調によって変調されていることを特徴とす
る請求項１又は２記載の製造方法を提供する。第５の発
明は、前記ウォブルは、アドレスデータが位相変移変調
によって変調されていることを特徴とする請求項１又は
２記載の製造方法を提供する。第６の発明は、表面に凸
部と凹部とが交互に形成された平行溝連続体からなる微
細パターンを有する支持体と、前記微細パターン上に形
成された記録層と、前記記録層上に形成された厚さ０．
０５〜０．１２ｍｍの透光層とからなる少なくともな
り、前記凸部又は前記凹部のピッチをＰ、前記記録層を
再生する再生光の波長をλ、前記再生光を出力する対物
レンズの開口数をＮＡとするとき、前記微細パターン
は、Ｐ≦λ／ＮＡの関係を有すると共に、前記透光層側
から見て凸部の両側壁には、変調されたアドレス情報が
周期及び位相を同じくしてウォブルとして形成されてい
ることを特徴とする情報記録担体を提供する。第７の発
明は、表面に凸部と凹部とが交互に形成された平行溝連
続体からなる微細パターンを有する支持体と、前記微細
パターン上に形成された記録層と、前記記録層上に形成
された厚さ０．０５〜０．１２ｍｍの透光層とからなる
少なくともなり、前記凸部又は前記凹部のピッチをＰ、
前記記録層を再生する再生光の波長をλ、前記再生光を
出力する対物レンズの開口数をＮＡとするとき、前記微
細パターンは、Ｐ≦λ／ＮＡの関係を有すると共に、前
記透光層側から見て凸部の両側壁には、変調されたアド
レス情報が互いに平行なウォブルとして形成されている
ことを特徴とする情報記録担体を提供する。第８の発明
は、前記アドレス情報は、周波数変移変調によって変調
されたものであることを特徴とする請求項６又は７記載
の情報記録担体を提供する。第９の発明は、前記アドレ
ス情報は、位相変移変調によって変調されたものである
ことを特徴とする請求項６又は７記載の情報記録担体を
提供する。第１０の発明は、再生光の波長がλで、ＲＩ
Ｎ−１２５ｄＢ／Ｈｚ以下のノイズを有する発光素子
と、開口数ＮＡの対物レンズとを有し、請求項６又は７
記載の情報記録担体を再生する再生装置であって、請求
項６又は７記載の情報記録担体を装着し、前記λが３５
０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜０．９であり、
前記再生光を前記情報記録担体の前記透光層側から見て
凸部に照射して再生を行う構成にしたことを特徴とする
再生装置を提供する。第１１の発明は、記録光の波長が
λで、ＲＩＮ−１２５ｄＢ／Ｈｚ以下のノイズを有する
発光素子と、開口数ＮＡの対物レンズとを有し、請求項
６又は７記載の情報記録担体を記録する記録装置であっ
て、前記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５
〜０．９であり、前記記録光を前記情報記録担体の前記
透光層側から見て凸部に照射して記録を行う構成にした
ことを特徴とする記録装置を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図１乃
至図３１を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態
における情報記録担体の製造方法の（基板準備工程）を
示す図である。図２は、本発明の実施形態における情報
記録担体の製造方法の（エネルギー線感応膜形成工程）
を示す図である。図３は、本発明の実施形態における情
報記録担体の製造方法の（第１微細パターン形成工程）
を示す図である。図４は、本発明の実施形態における情
報記録担体の製造方法の（第１メッキ層形成工程）を示
す図である。図５は、本発明の実施形態における情報記
録担体の製造方法の（第１メッキ型作製工程）を示す図
である。図６は、本発明の実施形態における情報記録担
体の製造方法の（第２メッキ層形成工程）を示す図であ
る。図７は、本発明の実施形態における情報記録担体の
製造方法の（第２メッキ型作製工程）を示す図である。
図８は、本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（支持体形成工程）を示す図である。
至図３１を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態
における情報記録担体の製造方法の（基板準備工程）を
示す図である。図２は、本発明の実施形態における情報
記録担体の製造方法の（エネルギー線感応膜形成工程）
を示す図である。図３は、本発明の実施形態における情
報記録担体の製造方法の（第１微細パターン形成工程）
を示す図である。図４は、本発明の実施形態における情
報記録担体の製造方法の（第１メッキ層形成工程）を示
す図である。図５は、本発明の実施形態における情報記
録担体の製造方法の（第１メッキ型作製工程）を示す図
である。図６は、本発明の実施形態における情報記録担
体の製造方法の（第２メッキ層形成工程）を示す図であ
る。図７は、本発明の実施形態における情報記録担体の
製造方法の（第２メッキ型作製工程）を示す図である。
図８は、本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（支持体形成工程）を示す図である。
【００１１】図９は、本発明の実施形態における情報記
録担体の製造方法の（記録層形成工程）を示す図であ
る。図１０は、本発明の実施形態における情報記録担体
の製造方法により作製された情報記録担体を示す図であ
る。図１１は、本発明の実施形態における情報記録担体
の製造方法により形成される微細パターンを示す平面図
である。図１２は、微細パターン記録を行う第１のエネ
ルギー線照射装置を示す図である。図１３は、微細パタ
ーン記録を行う第２のエネルギー線照射装置を示す図で
ある。図１４は、本発明の実施形態の（ネガ型メッキ型
作製工程）にネガ型のエネルギー感応膜を適用した場合
の工程を示す図である。図１５は、本発明の実施形態の
（ネガ型支持体形成工程）を示す図である。
録担体の製造方法の（記録層形成工程）を示す図であ
る。図１０は、本発明の実施形態における情報記録担体
の製造方法により作製された情報記録担体を示す図であ
る。図１１は、本発明の実施形態における情報記録担体
の製造方法により形成される微細パターンを示す平面図
である。図１２は、微細パターン記録を行う第１のエネ
ルギー線照射装置を示す図である。図１３は、微細パタ
ーン記録を行う第２のエネルギー線照射装置を示す図で
ある。図１４は、本発明の実施形態の（ネガ型メッキ型
作製工程）にネガ型のエネルギー感応膜を適用した場合
の工程を示す図である。図１５は、本発明の実施形態の
（ネガ型支持体形成工程）を示す図である。
【００１２】図１６は、本発明の実施形態における情報
記録担体の製造方法により形成される微細パターンを示
す拡大平面図である。図１７は、本発明における情報記
録担体を、ディスク形状のＣＬＶ記録に適応した場合の
情報記録担体を上方から見た拡大平面図である。図１８
は、本発明における情報記録担体を、ディスク形状のＣ
ＬＶ記録に適応し、更にユーザー記録を行った場合の情
報記録担体を上方から見た拡大平面図である。図１９
は、第４微細パターンに記録した第１の振幅変移変調波
を示す図である。図２０は、第４微細パターンに記録し
た第２の振幅変移変調波を示す図である。図２１は、第
４微細パターンに記録した第３の振幅変移変調波を示す
図である。
記録担体の製造方法により形成される微細パターンを示
す拡大平面図である。図１７は、本発明における情報記
録担体を、ディスク形状のＣＬＶ記録に適応した場合の
情報記録担体を上方から見た拡大平面図である。図１８
は、本発明における情報記録担体を、ディスク形状のＣ
ＬＶ記録に適応し、更にユーザー記録を行った場合の情
報記録担体を上方から見た拡大平面図である。図１９
は、第４微細パターンに記録した第１の振幅変移変調波
を示す図である。図２０は、第４微細パターンに記録し
た第２の振幅変移変調波を示す図である。図２１は、第
４微細パターンに記録した第３の振幅変移変調波を示す
図である。
【００１３】図２２は、第４の微細パターンに記録した
第１の周波数変移変調波を示す図である。図２３は、第
４の微細パターンに記録した第２の周波数変移変調波を
示す図である。図２４は、第４の微細パターンに記録し
た第３の周波数変移変調波を示す図である。図２５は、
第４の微細パターンに記録した第１の位相変移変調波を
示す図である。図２６は、第４の微細パターンに記録し
た第２の位相変移変調波を示す図である。図２７は、第
４の微細パターンに記録した第３の位相変移変調波を示
す図である。図２８は、本発明の実施形態における第１
の再生装置を示すブロック図である。図２９は、本発明
の実施形態における第１の再生装置に用いられるフォト
ディテクタを示す平面図である。図３０は、本発明の実
施形態における第２の再生装置を示すブロック図であ
る。図３１は、本発明の実施形態における記録装置を示
すブロック図である。従来例と同一構成には同一符号を
付し、その説明を省略する。
第１の周波数変移変調波を示す図である。図２３は、第
４の微細パターンに記録した第２の周波数変移変調波を
示す図である。図２４は、第４の微細パターンに記録し
た第３の周波数変移変調波を示す図である。図２５は、
第４の微細パターンに記録した第１の位相変移変調波を
示す図である。図２６は、第４の微細パターンに記録し
た第２の位相変移変調波を示す図である。図２７は、第
４の微細パターンに記録した第３の位相変移変調波を示
す図である。図２８は、本発明の実施形態における第１
の再生装置を示すブロック図である。図２９は、本発明
の実施形態における第１の再生装置に用いられるフォト
ディテクタを示す平面図である。図３０は、本発明の実
施形態における第２の再生装置を示すブロック図であ
る。図３１は、本発明の実施形態における記録装置を示
すブロック図である。従来例と同一構成には同一符号を
付し、その説明を省略する。
【００１４】（基体準備工程）まずは、図１に示すよう
に、平坦な基体１を準備する。基体１は、表面が光学グ
レード並みにフラットに仕上げられ、酸化珪素や、無ア
ルカリガラス、７９１３ガラスなどのセラミック基板、
珪素、モリブデン、タングステンやこれらの合金（酸化
物、窒化物、炭化物の例を含む）を表面に有した金属基
板などから選ばれる。
に、平坦な基体１を準備する。基体１は、表面が光学グ
レード並みにフラットに仕上げられ、酸化珪素や、無ア
ルカリガラス、７９１３ガラスなどのセラミック基板、
珪素、モリブデン、タングステンやこれらの合金（酸化
物、窒化物、炭化物の例を含む）を表面に有した金属基
板などから選ばれる。
【００１５】（エネルギー線感応膜形成工程）図２に示
すように、この平坦な基体１表面にポジ型のエネルギー
線感応膜２を片面に塗布する。エネルギー線感応膜２
は、エネルギー線の照射を受けて、分解または重合する
性質を持つ材料である。特に、ポジ型とは、エネルギー
線の照射を受けて、分解する方向に作用する性質を有す
るものであり、その分解過程は１ステップであっても、
複数ステップ（例えば２または３ステップ、あるいはそ
れ以上）であっても良い。
すように、この平坦な基体１表面にポジ型のエネルギー
線感応膜２を片面に塗布する。エネルギー線感応膜２
は、エネルギー線の照射を受けて、分解または重合する
性質を持つ材料である。特に、ポジ型とは、エネルギー
線の照射を受けて、分解する方向に作用する性質を有す
るものであり、その分解過程は１ステップであっても、
複数ステップ（例えば２または３ステップ、あるいはそ
れ以上）であっても良い。
【００１６】ここで、エネルギー線感応膜２の１〜３以
上ステップ分解過程について以下に説明する。１ステッ
プ分解過程の代表例としては、エネルギー線が、高照度
の遠紫外線である場合には、ポリカーボネート樹脂やポ
リスチレン樹脂などをエネルギー線感応膜２として用い
ることができ、表面の昇華または爆発現象により、穴を
形成させることができる。また、１ステップ分解過程の
他の例としては、エネルギー線が、高照度のｇ線（４３
６ｎｍ）に代表される紫外線やそれ以下の波長を有する
遠紫外線である場合には、酸化テルル薄膜、酸化バナジ
ウム薄膜、酸化モリブデン薄膜、酸化イットリウム薄
膜、酸化バラジウム薄膜、酸化銀薄膜、酸化タングステ
ン薄膜、酸化亜鉛薄膜等を用いることができ、表面の昇
華により穴を形成することができる。
上ステップ分解過程について以下に説明する。１ステッ
プ分解過程の代表例としては、エネルギー線が、高照度
の遠紫外線である場合には、ポリカーボネート樹脂やポ
リスチレン樹脂などをエネルギー線感応膜２として用い
ることができ、表面の昇華または爆発現象により、穴を
形成させることができる。また、１ステップ分解過程の
他の例としては、エネルギー線が、高照度のｇ線（４３
６ｎｍ）に代表される紫外線やそれ以下の波長を有する
遠紫外線である場合には、酸化テルル薄膜、酸化バナジ
ウム薄膜、酸化モリブデン薄膜、酸化イットリウム薄
膜、酸化バラジウム薄膜、酸化銀薄膜、酸化タングステ
ン薄膜、酸化亜鉛薄膜等を用いることができ、表面の昇
華により穴を形成することができる。
【００１７】２ステップ分解過程の代表例としては、エ
ネルギー線が、紫外線である場合、クレゾールノボラッ
ク樹脂とナフトキノンジアジドの混合材料からなる膜を
エネルギー線感応膜２として用いることができる。表面
への照射により、ナフトキノンジアジドが化学的に分解
してクレゾールノボラック樹脂の不溶化を解除する。こ
の段階では穴が開かないが、続いてアルカリ現像液を表
面に流すことによって、照射部分が溶解し、穴を形成す
ることができる。
ネルギー線が、紫外線である場合、クレゾールノボラッ
ク樹脂とナフトキノンジアジドの混合材料からなる膜を
エネルギー線感応膜２として用いることができる。表面
への照射により、ナフトキノンジアジドが化学的に分解
してクレゾールノボラック樹脂の不溶化を解除する。こ
の段階では穴が開かないが、続いてアルカリ現像液を表
面に流すことによって、照射部分が溶解し、穴を形成す
ることができる。
【００１８】３ステップ分解過程の代表例としては、エ
ネルギー線が、遠紫外線や電子線である場合、ポリヒド
ロキシスチレン樹脂と、オニウム塩など酸発生剤とから
少なくともなる膜をエネルギー線感応膜２として用いる
ことができる。表面への照射により、酸発生剤が化学的
に分解して酸を発生させる。この段階では穴が開かない
が、続いて加熱することによって、酸が膜内を拡散し
て、ポリヒドロキシスチレン樹脂を分解する。続いて、
アルカリ現像液を表面に流すことによって、照射部分が
溶解し、穴を形成することができる。
ネルギー線が、遠紫外線や電子線である場合、ポリヒド
ロキシスチレン樹脂と、オニウム塩など酸発生剤とから
少なくともなる膜をエネルギー線感応膜２として用いる
ことができる。表面への照射により、酸発生剤が化学的
に分解して酸を発生させる。この段階では穴が開かない
が、続いて加熱することによって、酸が膜内を拡散し
て、ポリヒドロキシスチレン樹脂を分解する。続いて、
アルカリ現像液を表面に流すことによって、照射部分が
溶解し、穴を形成することができる。
【００１９】なお、ポジ型のエネルギー線感応膜２の代
わりに、収束エネルギー線に感応したところだけ不溶性
となるネガ型エネルギー感応膜を用いることもできる。
ネガ型のエネルギー線感応膜を使用した場合、ポジ型の
エネルギー感応膜を使用した場合と異なり、その後のメ
ッキ工程数を、１工程増加させたり、１工程減少させた
りすることで、本発明の製造方法に対応することができ
るようになる。エネルギー線感応膜２としてネガ型エネ
ルギー感応膜を用いた製造方法については後述する。
わりに、収束エネルギー線に感応したところだけ不溶性
となるネガ型エネルギー感応膜を用いることもできる。
ネガ型のエネルギー線感応膜を使用した場合、ポジ型の
エネルギー感応膜を使用した場合と異なり、その後のメ
ッキ工程数を、１工程増加させたり、１工程減少させた
りすることで、本発明の製造方法に対応することができ
るようになる。エネルギー線感応膜２としてネガ型エネ
ルギー感応膜を用いた製造方法については後述する。
【００２０】（微細パターン形成工程）続いて、図１２
或いは図１３に示す第１及び第２のエネルギー線照射装
置３０、４０を用いて、図示しないプロセッサから信号
をＯＮ、ＯＦＦさせて、ポジ型のエネルギー線感応膜２
上に収束エネルギー線を照射する。そして、アドレスウ
ォブルを有したグルーブＧを形成して、図３及び図１１
に示す第１微細パターン３を形成する。この際、グルー
ブＧの両側面のウォブルの周期及び位相が等しくなるよ
うに形成する。
或いは図１３に示す第１及び第２のエネルギー線照射装
置３０、４０を用いて、図示しないプロセッサから信号
をＯＮ、ＯＦＦさせて、ポジ型のエネルギー線感応膜２
上に収束エネルギー線を照射する。そして、アドレスウ
ォブルを有したグルーブＧを形成して、図３及び図１１
に示す第１微細パターン３を形成する。この際、グルー
ブＧの両側面のウォブルの周期及び位相が等しくなるよ
うに形成する。
【００２１】具体的には、第１微細パターン３のグルー
ブＧは、アドレス情報に基づいて、収束エネルギー線を
左右に振ったり、左右に振ると同時に照射強度を変化さ
せて形成される。前記した左右とは、グルーブＧの進行
方向に対して、直角の方向を指す。すなわちトラック方
向に対して、直交する方向である。例えば、後述するよ
うに、第１微細パターン３を転写して作製された情報記
録担体１１（図１０参照）がディスク状である場合に
は、前記した左右方向は、半径方向になる。なお、以下
では、エネルギー線感応膜２の収束エネルギー線が照射
された部分をグルーブＧと呼ぶことにする。
ブＧは、アドレス情報に基づいて、収束エネルギー線を
左右に振ったり、左右に振ると同時に照射強度を変化さ
せて形成される。前記した左右とは、グルーブＧの進行
方向に対して、直角の方向を指す。すなわちトラック方
向に対して、直交する方向である。例えば、後述するよ
うに、第１微細パターン３を転写して作製された情報記
録担体１１（図１０参照）がディスク状である場合に
は、前記した左右方向は、半径方向になる。なお、以下
では、エネルギー線感応膜２の収束エネルギー線が照射
された部分をグルーブＧと呼ぶことにする。
【００２２】ここで、収束エネルギー線照射を行う第１
及び第２のエネルギー線照射装置３０、４０について図
１２及び図１３を用いて説明する。まずは、第１のエネ
ルギー線照射装置３０について図１２を用いて説明す
る。第１のエネルギー線照射装置３０は、エネルギー線
感応膜２が形成された平坦な基体１を支持する平坦基体
支持ユニット１１０と、エネルギー線照射ユニット１２
０と、このエネルギー線照射ユニット１２０を稼動させ
る相対運動付与ユニット１００とからなる。平坦基体支
持ユニット１１０はエネルギー線感応膜２を表面に有
し、エネルギー線感応膜２が形成された平坦な基体１を
設置し、少なくともエネルギー線照射により記録を行う
間、支持できるユニットである。具体的には高精度に研
磨されたテーブルが該当し、それに基体１が設置できる
ように固定機構（ねじ止め、真空吸着、静電吸着など）
が付与されたものである。
及び第２のエネルギー線照射装置３０、４０について図
１２及び図１３を用いて説明する。まずは、第１のエネ
ルギー線照射装置３０について図１２を用いて説明す
る。第１のエネルギー線照射装置３０は、エネルギー線
感応膜２が形成された平坦な基体１を支持する平坦基体
支持ユニット１１０と、エネルギー線照射ユニット１２
０と、このエネルギー線照射ユニット１２０を稼動させ
る相対運動付与ユニット１００とからなる。平坦基体支
持ユニット１１０はエネルギー線感応膜２を表面に有
し、エネルギー線感応膜２が形成された平坦な基体１を
設置し、少なくともエネルギー線照射により記録を行う
間、支持できるユニットである。具体的には高精度に研
磨されたテーブルが該当し、それに基体１が設置できる
ように固定機構（ねじ止め、真空吸着、静電吸着など）
が付与されたものである。
【００２３】エネルギー線照射ユニット１２０は、エネ
ルギー線を出射するエネルギー線源１２１と、このエネ
ルギー線を情報記録に相応しいビーム形状に信号変調す
るビーム整形器１２２と、このビーム整形器１２２で信
号変調されたエネルギー線を平坦基体支持ユニット１１
０上に設置され、エネルギー線感応膜２が形成された平
坦な基体１上に導く反射鏡１２３とからなる。また、ア
ドレス情報に従って、変調信号を生成、送信するプロセ
ッサ（図示せず）が、ビーム整形器１２２に接続され
る。この際、平坦基体支持ユニット１１０と反射鏡１２
３との間にエネルギー線を収束させるためのレンズ（図
示せず）を設置するようにしても良い。
ルギー線を出射するエネルギー線源１２１と、このエネ
ルギー線を情報記録に相応しいビーム形状に信号変調す
るビーム整形器１２２と、このビーム整形器１２２で信
号変調されたエネルギー線を平坦基体支持ユニット１１
０上に設置され、エネルギー線感応膜２が形成された平
坦な基体１上に導く反射鏡１２３とからなる。また、ア
ドレス情報に従って、変調信号を生成、送信するプロセ
ッサ（図示せず）が、ビーム整形器１２２に接続され
る。この際、平坦基体支持ユニット１１０と反射鏡１２
３との間にエネルギー線を収束させるためのレンズ（図
示せず）を設置するようにしても良い。
【００２４】このエネルギー線源１２１は、波長１０〜
１５００ｎｍの電磁波（γ線、Ｘ線、極端紫外線、遠紫
外線、紫外線、可視光、赤外線など）や、粒子線（α
線、β線、陽子線、中性子線、電子線など）を出射す
る。エネルギー線源１２１の具体例としては、エネルギ
ー線源１２１が紫外線から遠紫外線（例えば３６４ｎ
ｍ、３５５ｎｍ、３５１ｎｍ、３２５ｎｍ、２７５ｎ
ｍ、２６６ｎｍ、２５７ｎｍ、２４８ｎｍ、２４４ｎｍ
などの波長）を出射する照射装置などがある。ビーム整
形器１２２の具体例としては、電気光学結晶素子による
偏向器（ＥＯＤ）や音響光学結晶素子による偏向器（Ａ
ＯＤ）などがある。また、エネルギー線源１２１が電子
線の照射装置の場合には、ビーム整形器１２２は、ブラ
ンキング電極やビーム偏向器となる。
１５００ｎｍの電磁波（γ線、Ｘ線、極端紫外線、遠紫
外線、紫外線、可視光、赤外線など）や、粒子線（α
線、β線、陽子線、中性子線、電子線など）を出射す
る。エネルギー線源１２１の具体例としては、エネルギ
ー線源１２１が紫外線から遠紫外線（例えば３６４ｎ
ｍ、３５５ｎｍ、３５１ｎｍ、３２５ｎｍ、２７５ｎ
ｍ、２６６ｎｍ、２５７ｎｍ、２４８ｎｍ、２４４ｎｍ
などの波長）を出射する照射装置などがある。ビーム整
形器１２２の具体例としては、電気光学結晶素子による
偏向器（ＥＯＤ）や音響光学結晶素子による偏向器（Ａ
ＯＤ）などがある。また、エネルギー線源１２１が電子
線の照射装置の場合には、ビーム整形器１２２は、ブラ
ンキング電極やビーム偏向器となる。
【００２５】反射鏡１２３は、エネルギー線感応膜２が
形成された平坦な基体１にエネルギー線を導くためのも
のであるので、エネルギー線を直接、エネルギー線感応
膜２が形成された基体１に照射できる構成である場合に
は不要である。なお、必要な場合には、アドレス情報の
情報受信から送信するまでの時間を遅延させたり、短縮
あるいは伸張させたりする回路をプロセッサ（図示せ
ず）に内蔵またはプロセッサとビーム整形器１２２の間
に設置してもよい。
形成された平坦な基体１にエネルギー線を導くためのも
のであるので、エネルギー線を直接、エネルギー線感応
膜２が形成された基体１に照射できる構成である場合に
は不要である。なお、必要な場合には、アドレス情報の
情報受信から送信するまでの時間を遅延させたり、短縮
あるいは伸張させたりする回路をプロセッサ（図示せ
ず）に内蔵またはプロセッサとビーム整形器１２２の間
に設置してもよい。
【００２６】相対ユニット１００は、モーターやリニア
ドライブ等からなり、回転、Ｘ軸方向移動、Ｙ軸方向移
動、Ｚ軸方向移動又はこれらの複合移動を行うことがで
きる。必要に応じて位置モニターを設置し、モニターさ
れた位置に応じて制御を行うようにしても良い。また、
この相対ユニット１００は、エネルギー線照射ユニット
１２０側又は平坦基体支持ユニット１１０側のどちらか
一方、又はこれらの両方に配置される。ここでは、エネ
ルギー線照射ユニット１２０側に配置され、このエネル
ギー線照射ユニット１２０を相対運動させる。
ドライブ等からなり、回転、Ｘ軸方向移動、Ｙ軸方向移
動、Ｚ軸方向移動又はこれらの複合移動を行うことがで
きる。必要に応じて位置モニターを設置し、モニターさ
れた位置に応じて制御を行うようにしても良い。また、
この相対ユニット１００は、エネルギー線照射ユニット
１２０側又は平坦基体支持ユニット１１０側のどちらか
一方、又はこれらの両方に配置される。ここでは、エネ
ルギー線照射ユニット１２０側に配置され、このエネル
ギー線照射ユニット１２０を相対運動させる。
【００２７】次に、第２のエネルギー線照射装置４０に
ついて、図１３を用いて説明する。第２のエネルギー線
照射装置４０は、第１のエネルギー線照射装置３０にお
いて、相対ユニット１００を平坦基体支持ユニット１１
０側に配置したものであり、この平坦基体支持ユニット
１１０を稼動させて、エネルギー線感応膜２が形成され
た基体１を相対運動させるようにしたものである。
ついて、図１３を用いて説明する。第２のエネルギー線
照射装置４０は、第１のエネルギー線照射装置３０にお
いて、相対ユニット１００を平坦基体支持ユニット１１
０側に配置したものであり、この平坦基体支持ユニット
１１０を稼動させて、エネルギー線感応膜２が形成され
た基体１を相対運動させるようにしたものである。
【００２８】次に、具体的に、第１及び第２のエネルギ
ー線照射装置３０、４０を用いて、収束エネルギー線の
スポットＥＳによる図３及び図１１に示す第１微細パタ
ーン３の形成方法について説明する。第１のエネルギー
線照射装置３０を用いた場合には、エネルギー線感応膜
２が形成された基体１を平坦基体支持ユニット１１０上
に載置し、エネルギー線照射ユニット１２０のエネルギ
ー線源１２１から収束エネルギー線を出射し、この収束
エネルギー線をビーム整形器１２２で信号変調して反射
鏡１２３で反射した後、相対ユニット１００を相対運動
させて、エネルギー線照射ユニット１２０を稼動させな
がら、ポジ型のエネルギー線感応膜２に照射して凹部か
らなるアドレスウォブルを有したグルーブＧを形成す
る。
ー線照射装置３０、４０を用いて、収束エネルギー線の
スポットＥＳによる図３及び図１１に示す第１微細パタ
ーン３の形成方法について説明する。第１のエネルギー
線照射装置３０を用いた場合には、エネルギー線感応膜
２が形成された基体１を平坦基体支持ユニット１１０上
に載置し、エネルギー線照射ユニット１２０のエネルギ
ー線源１２１から収束エネルギー線を出射し、この収束
エネルギー線をビーム整形器１２２で信号変調して反射
鏡１２３で反射した後、相対ユニット１００を相対運動
させて、エネルギー線照射ユニット１２０を稼動させな
がら、ポジ型のエネルギー線感応膜２に照射して凹部か
らなるアドレスウォブルを有したグルーブＧを形成す
る。
【００２９】このことは、ポジ型のエネルギー線感応膜
２と収束エネルギー線との相互作用を利用することによ
り実現できる。即ち、収束エネルギー線のスポットＥＳ
（以下、単にスポットＥＳという）によりポジ型のエネ
ルギー線感応膜２を照射して、複数のアドレスウォブル
を有するグルーブＧとこのグルーブＧに隣接したランド
Ｌが形成された第１微細パターン３を得ることができ
る。前記したようにグルーブＧは、凹部であり、ランド
Ｌは凸部を形成する。
２と収束エネルギー線との相互作用を利用することによ
り実現できる。即ち、収束エネルギー線のスポットＥＳ
（以下、単にスポットＥＳという）によりポジ型のエネ
ルギー線感応膜２を照射して、複数のアドレスウォブル
を有するグルーブＧとこのグルーブＧに隣接したランド
Ｌが形成された第１微細パターン３を得ることができ
る。前記したようにグルーブＧは、凹部であり、ランド
Ｌは凸部を形成する。
【００３０】なお、ポジ型のエネルギー線感応膜２の分
解過程は、１ステップ又は複数ステップを取ることがで
きる。したがって、１ステップのポジ型のエネルギー線
感応膜２を使用した場合には、収束エネルギー線照射を
行った直後に第１微細パターン３が形成されるが、複数
ステップの場合には、所定の処理（例えば、２ステップ
の場合にはアルカリ現像処理、３ステップの場合には、
過熱及びアルカリ現像処理）を行うことにより、グルー
ブＧとランドＬとが交互に繰り返された第１微細パター
ン３を得ることができる。
解過程は、１ステップ又は複数ステップを取ることがで
きる。したがって、１ステップのポジ型のエネルギー線
感応膜２を使用した場合には、収束エネルギー線照射を
行った直後に第１微細パターン３が形成されるが、複数
ステップの場合には、所定の処理（例えば、２ステップ
の場合にはアルカリ現像処理、３ステップの場合には、
過熱及びアルカリ現像処理）を行うことにより、グルー
ブＧとランドＬとが交互に繰り返された第１微細パター
ン３を得ることができる。
【００３１】また、グルーブＧをライン状に形成するに
は、前記したように、平坦基体支持ユニット１１０かエ
ネルギー線照射ユニット１２０のどちらか一方を稼動さ
せることによって形成できる。また、均一なトラックピ
ッチＰも、同様にして、この相対運動を利用して行うこ
とができる。
は、前記したように、平坦基体支持ユニット１１０かエ
ネルギー線照射ユニット１２０のどちらか一方を稼動さ
せることによって形成できる。また、均一なトラックピ
ッチＰも、同様にして、この相対運動を利用して行うこ
とができる。
【００３２】この際、アドレスウォブルは、具体的に
は、収束エネルギー線を連続照射する位置を左右に振っ
て形成する。前述したとおり左右とは、グルーブＧの進
行方向に対して直角の方向、すなわちトラック方向に対
して、直交する方向である。
は、収束エネルギー線を連続照射する位置を左右に振っ
て形成する。前述したとおり左右とは、グルーブＧの進
行方向に対して直角の方向、すなわちトラック方向に対
して、直交する方向である。
【００３３】照射される収束エネルギー線の周縁のう
ち、進行方向に対して直角の位置は、形成されるグルー
ブＧの両側面に相当するので、収束エネルギー線を直角
に振ることにより、グルーブＧの両側面が蛇行し、周期
及び位相の揃った蛇行グルーブＧが形成される。周期及
び位相の揃ったグルーブＧであるから、言い換えれば、
第１微細パターン３に形成されたグルーブＧの両側面は
常に平行である。
ち、進行方向に対して直角の位置は、形成されるグルー
ブＧの両側面に相当するので、収束エネルギー線を直角
に振ることにより、グルーブＧの両側面が蛇行し、周期
及び位相の揃った蛇行グルーブＧが形成される。周期及
び位相の揃ったグルーブＧであるから、言い換えれば、
第１微細パターン３に形成されたグルーブＧの両側面は
常に平行である。
【００３４】なお、収束エネルギー線を左右に振ると同
時に、照射強度を変化させて形成してもよい。このタイ
ミングは、アドレス情報用制御機構（図示せず）により
制御することができる。たとえば、アドレス情報がＯＮ
となった時間だけ、収束エネルギー線照射を行い、アド
レスウォブルを有するグルーブＧを基体１上のエネルギ
ー線感応膜２に形成する。
時に、照射強度を変化させて形成してもよい。このタイ
ミングは、アドレス情報用制御機構（図示せず）により
制御することができる。たとえば、アドレス情報がＯＮ
となった時間だけ、収束エネルギー線照射を行い、アド
レスウォブルを有するグルーブＧを基体１上のエネルギ
ー線感応膜２に形成する。
【００３５】次に、第２のエネルギー線照射装置４０を
用いた場合には、相対ユニット１００を相対運動させ
て、平坦基体支持ユニット１１０を稼動させながら行う
以外は、第１のエネルギー線照射装置３０を用いた場合
と同様に行って図３及び図１１に示す第１微細パターン
３を形成する。この図３及び図１１で得られた第１微細
パターン３が形成された基板１をカッティング原盤とい
う。
用いた場合には、相対ユニット１００を相対運動させ
て、平坦基体支持ユニット１１０を稼動させながら行う
以外は、第１のエネルギー線照射装置３０を用いた場合
と同様に行って図３及び図１１に示す第１微細パターン
３を形成する。この図３及び図１１で得られた第１微細
パターン３が形成された基板１をカッティング原盤とい
う。
【００３６】ところで、本発明の実施形態でグルーブＧ
に形成するアドレス情報とは、後述する図１０に示す情
報記録担体１１の場所によって連続変化する番地を表し
たもので、情報記録担体１１の全面に対して割り当てら
れた絶対アドレス、部分領域について割り当てられた相
対アドレス、トラック番号、セクタ番号、フレーム番
号、フィールド番号、時間情報などから選ばれるデータ
である。これらは、記録トラック（例えばグルーブＧ）
の進行に従って、連続的にインクリメントまたはデクリ
メントする。この他、アドレス情報に伴って、少量のデ
ータからなる特定情報を併せ持ってもよい。
に形成するアドレス情報とは、後述する図１０に示す情
報記録担体１１の場所によって連続変化する番地を表し
たもので、情報記録担体１１の全面に対して割り当てら
れた絶対アドレス、部分領域について割り当てられた相
対アドレス、トラック番号、セクタ番号、フレーム番
号、フィールド番号、時間情報などから選ばれるデータ
である。これらは、記録トラック（例えばグルーブＧ）
の進行に従って、連続的にインクリメントまたはデクリ
メントする。この他、アドレス情報に伴って、少量のデ
ータからなる特定情報を併せ持ってもよい。
【００３７】特定情報とは、情報記録担体１１の面内で
共通のデータであり、例えば情報記録担体の種別、情報
記録担体のサイズ、情報記録担体の想定記録容量、情報
記録担体の想定記録線密度、情報記録担体の想定記録線
速度、情報記録担体のトラックピッチ、記録ストラテジ
情報、再生パワー情報、製造者情報、製造番号、ロット
番号、管理番号、著作権関連情報、暗号作成のためのキ
ー、暗号解読のためのキー、暗号化されたデータ、記録
許可コード、記録拒否コード、再生許可コード、再生拒
否コードなどから少なくとも選ばれるものである。
共通のデータであり、例えば情報記録担体の種別、情報
記録担体のサイズ、情報記録担体の想定記録容量、情報
記録担体の想定記録線密度、情報記録担体の想定記録線
速度、情報記録担体のトラックピッチ、記録ストラテジ
情報、再生パワー情報、製造者情報、製造番号、ロット
番号、管理番号、著作権関連情報、暗号作成のためのキ
ー、暗号解読のためのキー、暗号化されたデータ、記録
許可コード、記録拒否コード、再生許可コード、再生拒
否コードなどから少なくとも選ばれるものである。
【００３８】これらアドレスや特定情報は、例えば１０
進法または１６進法によって記述されたものを２進法に
変換した情報（例えばＢＣＤコードやグレイコード）で
あってもよい。またデータエラーを防止するためのエラ
ー訂正コードを伴っていてもよいものである。
進法または１６進法によって記述されたものを２進法に
変換した情報（例えばＢＣＤコードやグレイコード）で
あってもよい。またデータエラーを防止するためのエラ
ー訂正コードを伴っていてもよいものである。
【００３９】ところで、前述したようにアドレス情報
は、グルーブＧの蛇行によって形成される。ビーム整形
器１２２に接続される信号は、前述したとおりアドレス
情報のデジタルデータを元に、変調信号を生成するプロ
セッサ（図示せず）から送信される。ここで、生成され
る変調波は、アドレス情報がデジタルである場合には、
振幅変移変調波２５０（２５０、２５１、２５２）、周
波数変移変調波２６０（２６０、２６１、２６２）、位
相変移変調波２７０（２７０、２７１、２７２）のいず
れか、またはこれらの変形によって構成される。
は、グルーブＧの蛇行によって形成される。ビーム整形
器１２２に接続される信号は、前述したとおりアドレス
情報のデジタルデータを元に、変調信号を生成するプロ
セッサ（図示せず）から送信される。ここで、生成され
る変調波は、アドレス情報がデジタルである場合には、
振幅変移変調波２５０（２５０、２５１、２５２）、周
波数変移変調波２６０（２６０、２６１、２６２）、位
相変移変調波２７０（２７０、２７１、２７２）のいず
れか、またはこれらの変形によって構成される。
【００４０】これら変調方式については後に詳述する
が、振幅変移変調では基本波の有無または振幅強度が一
定値を越えるか否かによって、アドレスのデジタルデー
タが表現（例えば１、０）される。周波数変移変調で
は、基本波の周波数の高低によって、アドレスのデジタ
ルデータが表現（例えば１、０）される。位相変移変調
では、所定周期間隔毎の基本波の位相角度の相違（例え
ば一周期間隔毎の基本波の位相角度の相違）によって、
アドレスのデジタルデータが表現（例えば１、０）され
る。
が、振幅変移変調では基本波の有無または振幅強度が一
定値を越えるか否かによって、アドレスのデジタルデー
タが表現（例えば１、０）される。周波数変移変調で
は、基本波の周波数の高低によって、アドレスのデジタ
ルデータが表現（例えば１、０）される。位相変移変調
では、所定周期間隔毎の基本波の位相角度の相違（例え
ば一周期間隔毎の基本波の位相角度の相違）によって、
アドレスのデジタルデータが表現（例えば１、０）され
る。
【００４１】これら変調方式を採用することにより、ア
ドレスを高効率に形成することが可能となる。これらの
変調の基本波は、正弦波（余弦波）、三角波、矩形波な
どから選ぶことができる。このうち、正弦波（余弦波）
を選択すると、再生時の高調波成分が最小にできるの
で、電力効率向上及びジッター抑制ができて好適であ
る。
ドレスを高効率に形成することが可能となる。これらの
変調の基本波は、正弦波（余弦波）、三角波、矩形波な
どから選ぶことができる。このうち、正弦波（余弦波）
を選択すると、再生時の高調波成分が最小にできるの
で、電力効率向上及びジッター抑制ができて好適であ
る。
【００４２】これらアドレスは、変調に対応して、前述
の第１及び第２のエネルギー線照射装置３０，４０によ
り、スポット光ＥＳが進行方向に対して直角方向に変調
されることになる。すなわち、変調信号の時間軸方向
が、グルーブＧのトラック方向に変換され、さらに変調
信号の振幅方向が、グルーブＧの直角方向に変換されて
形成される。
の第１及び第２のエネルギー線照射装置３０，４０によ
り、スポット光ＥＳが進行方向に対して直角方向に変調
されることになる。すなわち、変調信号の時間軸方向
が、グルーブＧのトラック方向に変換され、さらに変調
信号の振幅方向が、グルーブＧの直角方向に変換されて
形成される。
【００４３】（第１メッキ層形成工程）次に、図４に示
すように、第１微細パターン３が形成された基体１上に
第１メッキ層４を形成する。ポジ型のエネルギー線感応
膜２または平坦な基体１が導電体である場合には、ポジ
型のエネルギー線感応膜２上に直接メッキを施して、第
１メッキ層４を形成する。また、ポジ型のエネルギー線
感応膜２、平坦な基体１の一方が不導体や半導体である
場合には、前処理としてポジ型のエネルギー線感応膜２
表面上に薄い導電膜（図示せず）を施し、その後にメッ
キを施して第１メッキ層４を形成する。
すように、第１微細パターン３が形成された基体１上に
第１メッキ層４を形成する。ポジ型のエネルギー線感応
膜２または平坦な基体１が導電体である場合には、ポジ
型のエネルギー線感応膜２上に直接メッキを施して、第
１メッキ層４を形成する。また、ポジ型のエネルギー線
感応膜２、平坦な基体１の一方が不導体や半導体である
場合には、前処理としてポジ型のエネルギー線感応膜２
表面上に薄い導電膜（図示せず）を施し、その後にメッ
キを施して第１メッキ層４を形成する。
【００４４】以下では、薄い導電膜は、第１メッキ層４
の一部分と考えることにする。第１メッキ層４として
は、厚さ１００〜５００μｍ、望ましくは２００〜４０
０μｍ、最も望ましくは２４０〜３１０μｍのニッケル
やコバルト、或いはこれらを含む合金などを用いること
ができる。薄い導電膜は、厚さ５０〜１５０ｎｍ、望ま
しくは１００ｎｍ前後のニッケル、ニッケル・パラジウ
ム合金、ニッケル・リン合金、ニッケル・ボロン合金、
ニッケル・リン・ボロン合金、金、銀、銀・パラジウム
合金、銀・パラジウム・銅合金などを用いることができ
る。必要に応じて、第１メッキ層４のポジ型のエネルギ
ー線感応膜２とは反対側に補強板を接着してもよい。そ
のような補強板としては、ガラス、アルミ、ステンレス
などの０．３〜２０ｍｍ程度の板を用いることができ
る。
の一部分と考えることにする。第１メッキ層４として
は、厚さ１００〜５００μｍ、望ましくは２００〜４０
０μｍ、最も望ましくは２４０〜３１０μｍのニッケル
やコバルト、或いはこれらを含む合金などを用いること
ができる。薄い導電膜は、厚さ５０〜１５０ｎｍ、望ま
しくは１００ｎｍ前後のニッケル、ニッケル・パラジウ
ム合金、ニッケル・リン合金、ニッケル・ボロン合金、
ニッケル・リン・ボロン合金、金、銀、銀・パラジウム
合金、銀・パラジウム・銅合金などを用いることができ
る。必要に応じて、第１メッキ層４のポジ型のエネルギ
ー線感応膜２とは反対側に補強板を接着してもよい。そ
のような補強板としては、ガラス、アルミ、ステンレス
などの０．３〜２０ｍｍ程度の板を用いることができ
る。
【００４５】（第１メッキ型作製工程）次に、図５に示
すように、ポジ型のエネルギー線感応膜２が形成された
基体１から第１メッキ層４を剥離して第１微細パターン
３Ａを有する第１メッキ型５を作製する。この剥離は、
ポジ型のエネルギー線感応膜２と第１メッキ層４との間
から物理的に行う。前記した薄い導電膜を有する場合に
は、薄い導電膜と第１メッキ層４の間で剥離を行う。こ
の剥離を化学的に行うと、第１メッキ層４に付着したポ
ジ型のエネルギー線感応膜２の残さを低減でき、欠陥の
少ない第２微細パターン３Ａを有する第１メッキ型５を
得ることができる。
すように、ポジ型のエネルギー線感応膜２が形成された
基体１から第１メッキ層４を剥離して第１微細パターン
３Ａを有する第１メッキ型５を作製する。この剥離は、
ポジ型のエネルギー線感応膜２と第１メッキ層４との間
から物理的に行う。前記した薄い導電膜を有する場合に
は、薄い導電膜と第１メッキ層４の間で剥離を行う。こ
の剥離を化学的に行うと、第１メッキ層４に付着したポ
ジ型のエネルギー線感応膜２の残さを低減でき、欠陥の
少ない第２微細パターン３Ａを有する第１メッキ型５を
得ることができる。
【００４６】基体１から剥離された第１メッキ型５の第
２微細パターン３Ａは、（微細パターン形成工程）で形
成された第１微細パターン３とは、凹凸関係が逆となっ
ている。なお、後続の（支持体成形工程）を考慮して、
第１メッキ型５の第２微細パターン３Ａの形状は保持し
たまま、第１メッキ型５の全体形状を修正加工してもよ
い。
２微細パターン３Ａは、（微細パターン形成工程）で形
成された第１微細パターン３とは、凹凸関係が逆となっ
ている。なお、後続の（支持体成形工程）を考慮して、
第１メッキ型５の第２微細パターン３Ａの形状は保持し
たまま、第１メッキ型５の全体形状を修正加工してもよ
い。
【００４７】（第２メッキ層形成工程）次に、図６に示
すように、第２微細パターン３Ａが形成された第１メッ
キ型５上に第２メッキ層６を形成する。
すように、第２微細パターン３Ａが形成された第１メッ
キ型５上に第２メッキ層６を形成する。
【００４８】（第２メッキ型作製工程）次に、図７に示
すように、第１メッキ型５から第２メッキ層６を剥離し
て第３微細パターン３Ｂが形成された第２メッキ型７を
作製する。この際、第２メッキ型７の第３微細パターン
３Ｂは、（微細パターン形成工程）で形成された第１微
細パターン３とは同じ凹凸関係になっている。
すように、第１メッキ型５から第２メッキ層６を剥離し
て第３微細パターン３Ｂが形成された第２メッキ型７を
作製する。この際、第２メッキ型７の第３微細パターン
３Ｂは、（微細パターン形成工程）で形成された第１微
細パターン３とは同じ凹凸関係になっている。
【００４９】（支持体成形工程）次に、図８に示すよう
に、この第２メッキ型７を支持体８上に転写して第４微
細パターン３Ｃを形成する。この工程には、公知の射出
成形、圧縮成形、射出圧縮成形、２Ｐ成形などを用いる
ことができる。支持体８上に形成された第４微細パター
ン３Ｃは、基体１に形成された第１微細パターン３とは
逆の凹凸関係にある。
に、この第２メッキ型７を支持体８上に転写して第４微
細パターン３Ｃを形成する。この工程には、公知の射出
成形、圧縮成形、射出圧縮成形、２Ｐ成形などを用いる
ことができる。支持体８上に形成された第４微細パター
ン３Ｃは、基体１に形成された第１微細パターン３とは
逆の凹凸関係にある。
【００５０】支持体８の材料としては、合成樹脂が用い
られる。合成樹脂の代表例としては、ポリカーボネート
やポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカー
ボネート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライ
ド、脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの
各種熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、各種エネルギー線硬化
樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹
脂の例を含む）を好適に用いることができる。
られる。合成樹脂の代表例としては、ポリカーボネート
やポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカー
ボネート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライ
ド、脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの
各種熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、各種エネルギー線硬化
樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹
脂の例を含む）を好適に用いることができる。
【００５１】これらは、金属粉またはセラミック粉など
を配合した合成樹脂であってもよい。なお、機械的に保
持する必要性から支持体８の厚みは０．３〜３ｍｍ、望
ましくは０．５〜２ｍｍが好適に用いられる。また、後
述する図１０に示す情報記録担体１１が円盤状である場
合には、従来の光ディスクとの互換性から、支持体８、
記録層９（図９参照）、透光層１０（図１０参照）等の
合計厚みが１．２ｍｍとなるように、支持体８の厚みを
設計するのが最も望ましい。
を配合した合成樹脂であってもよい。なお、機械的に保
持する必要性から支持体８の厚みは０．３〜３ｍｍ、望
ましくは０．５〜２ｍｍが好適に用いられる。また、後
述する図１０に示す情報記録担体１１が円盤状である場
合には、従来の光ディスクとの互換性から、支持体８、
記録層９（図９参照）、透光層１０（図１０参照）等の
合計厚みが１．２ｍｍとなるように、支持体８の厚みを
設計するのが最も望ましい。
【００５２】（記録層形成工程）次に、図９に示すよう
に、支持体８の第４微細パターン３Ｃ上に記録層９を形
成する。記録層９は、情報を読み出し、あるいは情報を
記録ないしは書き換える機能を有した薄膜層である。こ
の記録層９の材料としては、相変化材料に代表される記
録前後において反射率変化や屈折率変化、或いはその両
方の変化を生じる材料、あるいは光磁気材料に代表され
る記録前後においてカー回転角変化を生じる材料、ある
いは色素材料に代表される記録前後において屈折率変化
や深さ変化、或いはその両方の変化を生じる材料があ
る。
に、支持体８の第４微細パターン３Ｃ上に記録層９を形
成する。記録層９は、情報を読み出し、あるいは情報を
記録ないしは書き換える機能を有した薄膜層である。こ
の記録層９の材料としては、相変化材料に代表される記
録前後において反射率変化や屈折率変化、或いはその両
方の変化を生じる材料、あるいは光磁気材料に代表され
る記録前後においてカー回転角変化を生じる材料、ある
いは色素材料に代表される記録前後において屈折率変化
や深さ変化、或いはその両方の変化を生じる材料があ
る。
【００５３】相変化材料の具体例としては、インジウ
ム、アンチモン、テルル、セレン、ゲルマニウム、ビス
マス、バナジウム、ガリウム、白金、金、銀、銅、アル
ミニウム、シリコン、パラジウム、錫、砒素などの合金
（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物
の例を含む）を用いることができ、特にＧｅＳｂＴｅ
系、ＡｇＩｎＴｅＳｂ系、ＣｕＡｌＳｂＴｅ系、ＡｇＡ
ｌＳｂＴｅ系などの合金が好適である。これらの合金に
微量添加元素としてＣｕ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚ
ｎ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｎｉの群から選ばれる少なくとも１種以上の
元素を合計で０．０１原子％以上１０原子％未満含有す
ることもできる。
ム、アンチモン、テルル、セレン、ゲルマニウム、ビス
マス、バナジウム、ガリウム、白金、金、銀、銅、アル
ミニウム、シリコン、パラジウム、錫、砒素などの合金
（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物
の例を含む）を用いることができ、特にＧｅＳｂＴｅ
系、ＡｇＩｎＴｅＳｂ系、ＣｕＡｌＳｂＴｅ系、ＡｇＡ
ｌＳｂＴｅ系などの合金が好適である。これらの合金に
微量添加元素としてＣｕ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚ
ｎ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｎｉの群から選ばれる少なくとも１種以上の
元素を合計で０．０１原子％以上１０原子％未満含有す
ることもできる。
【００５４】各元素の組成は、例えば、ＧｅＳｂＴｅ系
としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5、Ｇｅ1Ｓｂ 2Ｔｅ4、Ｇｅ8Ｓｂ
69Ｔｅ23、Ｇｅ8Ｓｂ74Ｔｅ18、Ｇｅ5Ｓｂ71Ｔｅ24、Ｇ
ｅ5Ｓｂ76Ｔｅ19、Ｇｅ10Ｓｂ68Ｔｅ22、Ｇｅ10Ｓｂ72
Ｔｅ18があり、 ＧｅＳｂＴｅ系にＳｎ、Ｉｎ等の金属
を添加した系があり、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系として、Ａｇ
4Ｉｎ4Ｓｂ66Ｔｅ26、Ａｇ4Ｉｎ4Ｓｂ64Ｔｅ28、Ａｇ2
Ｉｎ6Ｓｂ64Ｔｅ28、Ａｇ 3Ｉｎ5Ｓｂ64Ｔｅ28、Ａｇ2Ｉ
ｎ6Ｓｂ66Ｔｅ26、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系にＣｕ、Ｆｅ、
Ｇｅ等の金属や半導体を添加した系がある。また、Ｃｕ
ＡｌＳｂＴｅ系、ＡｇＡｌＳｂＴｅ系などがある。
としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5、Ｇｅ1Ｓｂ 2Ｔｅ4、Ｇｅ8Ｓｂ
69Ｔｅ23、Ｇｅ8Ｓｂ74Ｔｅ18、Ｇｅ5Ｓｂ71Ｔｅ24、Ｇ
ｅ5Ｓｂ76Ｔｅ19、Ｇｅ10Ｓｂ68Ｔｅ22、Ｇｅ10Ｓｂ72
Ｔｅ18があり、 ＧｅＳｂＴｅ系にＳｎ、Ｉｎ等の金属
を添加した系があり、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系として、Ａｇ
4Ｉｎ4Ｓｂ66Ｔｅ26、Ａｇ4Ｉｎ4Ｓｂ64Ｔｅ28、Ａｇ2
Ｉｎ6Ｓｂ64Ｔｅ28、Ａｇ 3Ｉｎ5Ｓｂ64Ｔｅ28、Ａｇ2Ｉ
ｎ6Ｓｂ66Ｔｅ26、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系にＣｕ、Ｆｅ、
Ｇｅ等の金属や半導体を添加した系がある。また、Ｃｕ
ＡｌＳｂＴｅ系、ＡｇＡｌＳｂＴｅ系などがある。
【００５５】光磁気材料の具体例としては、テルビウ
ム、コバルト、鉄、ガドリニウム、クロム、ネオジム、
ジスプロシウム、ビスマス、パラジウム、サマリウム、
ホルミウム、プロセオジム、マンガン、チタン、パラジ
ウム、エルビウム、イッテルビウム、ルテチウム、錫な
どの合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、
フッ化物の例を含む）を用いることができ、特にＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどに代表される
ように遷移金属と希土類の合金で構成するのが好適であ
る。更に、コバルトと白金の交互積層膜を用いて記録層
９としてもよい。
ム、コバルト、鉄、ガドリニウム、クロム、ネオジム、
ジスプロシウム、ビスマス、パラジウム、サマリウム、
ホルミウム、プロセオジム、マンガン、チタン、パラジ
ウム、エルビウム、イッテルビウム、ルテチウム、錫な
どの合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、
フッ化物の例を含む）を用いることができ、特にＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどに代表される
ように遷移金属と希土類の合金で構成するのが好適であ
る。更に、コバルトと白金の交互積層膜を用いて記録層
９としてもよい。
【００５６】色素材料の具体例としては、ポルフィリン
色素、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシ
アニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素、フルギド色
素、ポリメチン色素、アクリジン色素などを用いること
ができる。これら記録層９の形成方法としては、気相成
膜法または液層成膜法を用いることができる。気相成膜
法の代表例としては、抵抗加熱型や電子ビーム型の真空
蒸着、直流スパッタリングや高周波スパッタリング、反
応性スパッタリング、 イオンビームスパッタリング、
イオンプレーティング、ＣＶＤ法等を用いることができ
る。また、液層成膜法の代表例としては、スピンコート
法や浸漬引き上げ法等を用いることができる。
色素、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシ
アニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素、フルギド色
素、ポリメチン色素、アクリジン色素などを用いること
ができる。これら記録層９の形成方法としては、気相成
膜法または液層成膜法を用いることができる。気相成膜
法の代表例としては、抵抗加熱型や電子ビーム型の真空
蒸着、直流スパッタリングや高周波スパッタリング、反
応性スパッタリング、 イオンビームスパッタリング、
イオンプレーティング、ＣＶＤ法等を用いることができ
る。また、液層成膜法の代表例としては、スピンコート
法や浸漬引き上げ法等を用いることができる。
【００５７】（透光層形成工程）次に、図１０に示すよ
うに、記録層９上に透光層１０を形成して情報記録担体
１１を作製する。この結果、支持体８側から見た時の凹
部は、（微細パターン形成工程）における収束エネルギ
ー線で形成されたグルーブＧとなる。このため、情報記
録担体１１の透光層１０側からレーザ光を照射して、グ
ルーブ上に形成された記録層９の再生を行うに際し、グ
ルーブＧの両側面のウォブル信号が同じになるようにす
ることができる。
うに、記録層９上に透光層１０を形成して情報記録担体
１１を作製する。この結果、支持体８側から見た時の凹
部は、（微細パターン形成工程）における収束エネルギ
ー線で形成されたグルーブＧとなる。このため、情報記
録担体１１の透光層１０側からレーザ光を照射して、グ
ルーブ上に形成された記録層９の再生を行うに際し、グ
ルーブＧの両側面のウォブル信号が同じになるようにす
ることができる。
【００５８】透光層１０は、収束した再生光を光学的歪
みの少ない状態で記録層９に導く機能を有する材料から
構成される。例えば、再生波長λにおいて透過率を７０
％以上、望ましくは８０％以上有した材料を好適に用い
ることができる。この透光層１０は、光学的な異方性が
少ないことが必要であり、再生光の減少を抑制するため
に、具体的には複屈折が９０度（垂直）入射ダブルパス
にて±１００ｎｍ以下、望ましくは±５０ｎｍ以下とし
た厚み５０〜１２０μｍ、望ましくは７０〜１００μｍ
のシート状材料が用いられる。
みの少ない状態で記録層９に導く機能を有する材料から
構成される。例えば、再生波長λにおいて透過率を７０
％以上、望ましくは８０％以上有した材料を好適に用い
ることができる。この透光層１０は、光学的な異方性が
少ないことが必要であり、再生光の減少を抑制するため
に、具体的には複屈折が９０度（垂直）入射ダブルパス
にて±１００ｎｍ以下、望ましくは±５０ｎｍ以下とし
た厚み５０〜１２０μｍ、望ましくは７０〜１００μｍ
のシート状材料が用いられる。
【００５９】このような特性を有する材料としてポリカ
ーボネートやポリメチルメタクリレート、三酢酸セルロ
ース、二酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、
脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの合成
樹脂を用いることができる。
ーボネートやポリメチルメタクリレート、三酢酸セルロ
ース、二酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、
脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの合成
樹脂を用いることができる。
【００６０】なお、透光層１０は、剛性の高い材料を用
いることもでき、例えば透明セラミック（例えばソーダ
ライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガ
ラス、石英ガラス）や熱硬化性樹脂、エネルギー線硬化
樹脂（例えば紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線
硬化樹脂）、湿気硬化樹脂、２液混合硬化樹脂が好適に
用いられる。透光層１０は、単層に限らず、これら材料
を組み合わせた複数層からなってもよい。
いることもでき、例えば透明セラミック（例えばソーダ
ライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガ
ラス、石英ガラス）や熱硬化性樹脂、エネルギー線硬化
樹脂（例えば紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線
硬化樹脂）、湿気硬化樹脂、２液混合硬化樹脂が好適に
用いられる。透光層１０は、単層に限らず、これら材料
を組み合わせた複数層からなってもよい。
【００６１】透光層１０の形成方法は、シート状材料の
単層で構成する場合には熱融着が用いられ、各種硬化性
樹脂の単層で構成する場合には、スピンコート、スクリ
ーン印刷、ロールコート、ナイフコートなどを用いるこ
とができる。また、シート状材料と各種硬化性樹脂の２
層で構成することもできる。この場合には、各種硬化性
樹脂を透光層１０と記録層９の間に挟み、スピン振り切
りを行う。そして遠心力によって各種硬化性樹脂を薄膜
化して、貼り合わせする方法などが挙げられる。
単層で構成する場合には熱融着が用いられ、各種硬化性
樹脂の単層で構成する場合には、スピンコート、スクリ
ーン印刷、ロールコート、ナイフコートなどを用いるこ
とができる。また、シート状材料と各種硬化性樹脂の２
層で構成することもできる。この場合には、各種硬化性
樹脂を透光層１０と記録層９の間に挟み、スピン振り切
りを行う。そして遠心力によって各種硬化性樹脂を薄膜
化して、貼り合わせする方法などが挙げられる。
【００６２】これら透光層１０の厚みの一面中での変動
量は、再生時の情報記録担体１１の球面収差を考慮し
て、最大で±０．００３ｍｍが望ましい。特に、対物レ
ンズＮＡが０．８５以上では、望ましくは±０．００２
ｍｍ以下とする。更に、対物レンズＮＡが０．９では、
望ましくは±０．００１ｍｍ以下とする。
量は、再生時の情報記録担体１１の球面収差を考慮し
て、最大で±０．００３ｍｍが望ましい。特に、対物レ
ンズＮＡが０．８５以上では、望ましくは±０．００２
ｍｍ以下とする。更に、対物レンズＮＡが０．９では、
望ましくは±０．００１ｍｍ以下とする。
【００６３】以上のように、本発明の実施形態によれ
ば、ポジ型のエネルギー感応膜２を用いて情報記録担体
１１を作製する際、（第１メッキ層形成工程）〜（第２
メッキ型形成工程）を有するので、支持体８のランド両
側面のウォブル周期及び位相を同一にすることができ
る。
ば、ポジ型のエネルギー感応膜２を用いて情報記録担体
１１を作製する際、（第１メッキ層形成工程）〜（第２
メッキ型形成工程）を有するので、支持体８のランド両
側面のウォブル周期及び位相を同一にすることができ
る。
【００６４】この結果、情報トラックが、レーザ光照射
側から見て凸部に相当する情報記録担体１１を製造でき
る。そして、レーザ光照射側から見て凸部に情報記録が
できるために、高出力高品質の再生信号が得られ、エラ
ーレートが少なく、高密度の記録再生ができる。また、
レーザ光照射側から見て凸部における両側面のウォブル
周期及び位相が同一であるので、混信を起こさず、正確
なアドレス情報を再生することができる。
側から見て凸部に相当する情報記録担体１１を製造でき
る。そして、レーザ光照射側から見て凸部に情報記録が
できるために、高出力高品質の再生信号が得られ、エラ
ーレートが少なく、高密度の記録再生ができる。また、
レーザ光照射側から見て凸部における両側面のウォブル
周期及び位相が同一であるので、混信を起こさず、正確
なアドレス情報を再生することができる。
【００６５】以上ではエネルギー線感応膜２がポジ型の
場合について説明したが、ネガ型の場合についても同様
に行うことができる。ネガ型の場合について図１４及び
図１５を用いて説明する。 （ネガ型メッキ型作製工程）図１４に示すように、ネガ
型の場合には、ポジ型と同様の工程で行うと、凹凸が逆
転した関係となるので、グルーブとランドの関係も逆転
する。図１乃至図５に示す（基板準備工程）乃至（第１
メッキ型作製工程）と同様の工程を経て、図５に示す第
１メッキ型５に形成されている第２微細パターン３Ａと
逆の第５微細パターン３Ｄを有する図１４に示す第３メ
ッキ型１２を作製する。
場合について説明したが、ネガ型の場合についても同様
に行うことができる。ネガ型の場合について図１４及び
図１５を用いて説明する。 （ネガ型メッキ型作製工程）図１４に示すように、ネガ
型の場合には、ポジ型と同様の工程で行うと、凹凸が逆
転した関係となるので、グルーブとランドの関係も逆転
する。図１乃至図５に示す（基板準備工程）乃至（第１
メッキ型作製工程）と同様の工程を経て、図５に示す第
１メッキ型５に形成されている第２微細パターン３Ａと
逆の第５微細パターン３Ｄを有する図１４に示す第３メ
ッキ型１２を作製する。
【００６６】（ネガ型支持体形成工程）次に、図１５に
示すように、この第３メッキ型１２を支持体８に転写し
て第６微細パターン３Ｅを形成する。この第３メッキ型
１２は、図７に示した第２メッキ型７と同一である。こ
の後、図９乃至図１０に示す（記録層形成工程）乃至
（透光層形成工程）と同様の工程を経て、図１０に示す
情報記録担体１１を得る。
示すように、この第３メッキ型１２を支持体８に転写し
て第６微細パターン３Ｅを形成する。この第３メッキ型
１２は、図７に示した第２メッキ型７と同一である。こ
の後、図９乃至図１０に示す（記録層形成工程）乃至
（透光層形成工程）と同様の工程を経て、図１０に示す
情報記録担体１１を得る。
【００６７】ネガ型のエネルギー線感応膜２を用いた場
合には、情報記録担体１１の製造方法において、ポジ型
のエネルギー線感応膜２を用いた場合の（第２メッキ層
形成工程）〜（第２メッキ型作製工程）を省略した工程
により、レーザ光照射側から見て凸部の両側面のウォブ
ルの周期及び位相を同じにすることができる。
合には、情報記録担体１１の製造方法において、ポジ型
のエネルギー線感応膜２を用いた場合の（第２メッキ層
形成工程）〜（第２メッキ型作製工程）を省略した工程
により、レーザ光照射側から見て凸部の両側面のウォブ
ルの周期及び位相を同じにすることができる。
【００６８】この結果、情報トラックが、レーザ光照射
側から見て凸部に相当する情報記録担体１１が製造でき
る。そして、レーザ光照射側から見て凸部に情報記録が
できるために、高出力高品質の再生信号が得られ、エラ
ーレートが少なく、高密度の記録再生ができる。また、
レーザ光照射側から見て凸部における両側面のウォブル
周期及び位相が同一であるので、混信を起こさず、正確
なアドレス情報を再生することができる。
側から見て凸部に相当する情報記録担体１１が製造でき
る。そして、レーザ光照射側から見て凸部に情報記録が
できるために、高出力高品質の再生信号が得られ、エラ
ーレートが少なく、高密度の記録再生ができる。また、
レーザ光照射側から見て凸部における両側面のウォブル
周期及び位相が同一であるので、混信を起こさず、正確
なアドレス情報を再生することができる。
【００６９】ここで情報記録担体１１の微細パターンの
形状上の特徴について図１６乃至図１８を用いて補足説
明する。ここで、情報記録担体１１は、ディスク状の情
報記録担体とし、線速度一定（constant linear veloci
ty、ＣＬＶ）の様式で記録されている。図１６中、グル
ーブＧは、３本、ランドＬは、２本の例を示し、ランド
部Ｌの内周側側壁をＬｉ、外周側側壁をＬｏとし、グル
ーブ部Ｇの内周側側壁をＧｉ、外周側側壁をＧｏとして
いる。ここで、ＬｉとＧｏ、ＬｏとＧｉは、同じ壁面を
示している。
形状上の特徴について図１６乃至図１８を用いて補足説
明する。ここで、情報記録担体１１は、ディスク状の情
報記録担体とし、線速度一定（constant linear veloci
ty、ＣＬＶ）の様式で記録されている。図１６中、グル
ーブＧは、３本、ランドＬは、２本の例を示し、ランド
部Ｌの内周側側壁をＬｉ、外周側側壁をＬｏとし、グル
ーブ部Ｇの内周側側壁をＧｉ、外周側側壁をＧｏとして
いる。ここで、ＬｉとＧｏ、ＬｏとＧｉは、同じ壁面を
示している。
【００７０】そして、グルーブＧは、半径方向に蛇行さ
れてアドレスが記録されている。情報記録担体１１は、
（第１メッキ層形成工程）〜（第２メッキ型形成工程）
を用いて製作されているので、グルーブＧの両側面（Ｇ
ｉ及びＧｏ）のウォブルの周期及び位相を同一にして形
成されている。従って、グルーブＧの両側面、すなわち
内周側側壁Ｇｉ及び外周側側壁Ｇｏは、常に平行に形成
されている。なお、図１６では、ＣＬＶの様式での記録
としたが、ＣＡＶ（角速度一定、constant angular vel
ocity、ＣＡＶ）の様式で記録してもよい。この場合に
は、グルーブＧの両側面（Ｇｉ及びＧｏ）が平行に形成
されるのみならず、ランドＬの両側面（Ｌｉ及びＬｏ）
も平行となる。
れてアドレスが記録されている。情報記録担体１１は、
（第１メッキ層形成工程）〜（第２メッキ型形成工程）
を用いて製作されているので、グルーブＧの両側面（Ｇ
ｉ及びＧｏ）のウォブルの周期及び位相を同一にして形
成されている。従って、グルーブＧの両側面、すなわち
内周側側壁Ｇｉ及び外周側側壁Ｇｏは、常に平行に形成
されている。なお、図１６では、ＣＬＶの様式での記録
としたが、ＣＡＶ（角速度一定、constant angular vel
ocity、ＣＡＶ）の様式で記録してもよい。この場合に
は、グルーブＧの両側面（Ｇｉ及びＧｏ）が平行に形成
されるのみならず、ランドＬの両側面（Ｌｉ及びＬｏ）
も平行となる。
【００７１】図１７中、グルーブＧは、４本、ランドＬ
は、３本の例を示し、前記したグルーブＧには、半径方
向に蛇行してアドレスが記録されている。そして、グル
ーブＧの中心線は、一点鎖線直線で示され、この近接し
た２本の中心線の間隔は、ピッチＰで示されている。ウ
ォブルしたグルーブＧの蛇行幅peak to peakが点線直線
で示され、これをΔとする。情報記録担体１１を再生す
る場合、前述したようにグルーブＧに焦点が結ばれる。
ここで、その再生スポット径（＝λ／ＮＡ）をＳとして
示している（ここでλは再生装置搭載の再生レーザーの
波長、ＮＡは再生レーザーを集光するための対物レンズ
の開口数）。
は、３本の例を示し、前記したグルーブＧには、半径方
向に蛇行してアドレスが記録されている。そして、グル
ーブＧの中心線は、一点鎖線直線で示され、この近接し
た２本の中心線の間隔は、ピッチＰで示されている。ウ
ォブルしたグルーブＧの蛇行幅peak to peakが点線直線
で示され、これをΔとする。情報記録担体１１を再生す
る場合、前述したようにグルーブＧに焦点が結ばれる。
ここで、その再生スポット径（＝λ／ＮＡ）をＳとして
示している（ここでλは再生装置搭載の再生レーザーの
波長、ＮＡは再生レーザーを集光するための対物レンズ
の開口数）。
【００７２】第４微細パターン３Ｃの寸法は、Ｐ≦Ｓ
（Ｐはピッチ）とし、記録層９のグルーブＧに相当する
部分にのみ記録することによって、高出力であり、且つ
時間軸方向の揺らぎの少ない記録マークＭを書くことが
できる。また、情報記録担体１１の再生にあっては、再
生光により消えにくい記録マークＭを記録することがで
きる。これらの効果は、ピッチＰをＳよりも減じること
により、蓄熱効果が生まれ、エネルギー密度の高い、す
なわちコントラストの高い記録が行えることによる。
（Ｐはピッチ）とし、記録層９のグルーブＧに相当する
部分にのみ記録することによって、高出力であり、且つ
時間軸方向の揺らぎの少ない記録マークＭを書くことが
できる。また、情報記録担体１１の再生にあっては、再
生光により消えにくい記録マークＭを記録することがで
きる。これらの効果は、ピッチＰをＳよりも減じること
により、蓄熱効果が生まれ、エネルギー密度の高い、す
なわちコントラストの高い記録が行えることによる。
【００７３】例えば、青紫レーザを使用するとすると、
λは、３５０〜４５０ｎｍの範囲であり、高ＮＡレンズ
を使用すると、ＮＡは、０．７５〜０．９となるから、
ピッチＰは、２５０〜６００ｎｍに設定される。更に、
ＨＤＴＶ（ハイディフィニションテレビジョン）による
デジタル画像を、２時間前後収録することを考慮した場
合には、記録容量が２０ＧＢ以上必要であるから、ピッ
チＰは、２５０〜４５０ｎｍが望ましい。ＮＡが０．８
５〜０．９とした場合には、２５０〜４００ｎｍが特に
望ましい。ＮＡが０．８５〜０．９であるとともに、λ
を３５０〜４１０ｎｍとした場合には、２５０〜３６０
ｎｍが特に望ましい。
λは、３５０〜４５０ｎｍの範囲であり、高ＮＡレンズ
を使用すると、ＮＡは、０．７５〜０．９となるから、
ピッチＰは、２５０〜６００ｎｍに設定される。更に、
ＨＤＴＶ（ハイディフィニションテレビジョン）による
デジタル画像を、２時間前後収録することを考慮した場
合には、記録容量が２０ＧＢ以上必要であるから、ピッ
チＰは、２５０〜４５０ｎｍが望ましい。ＮＡが０．８
５〜０．９とした場合には、２５０〜４００ｎｍが特に
望ましい。ＮＡが０．８５〜０．９であるとともに、λ
を３５０〜４１０ｎｍとした場合には、２５０〜３６０
ｎｍが特に望ましい。
【００７４】また、第４微細パターン３Ｃの深さ、すな
わち、凸部と凹部の高低差は、λ／８ｎ〜λ／２０ｎが
相応しい。ここで、ｎは、透光層１１のλにおける屈折
率である。記録層９の反射率が、第４微細パターン３Ｃ
の存在によって減少することから、この高低差は、小さ
い方が望ましく、再生信号のエラーレートを劣化させな
いための限界として、λ／１０ｎ以下が適切である。ま
たトラッキングを行う際のプッシュプル信号（差信号）
がこの高低差と共に増大するから、トラッキングの可能
な限界値として、λ／１８ｎ以上が必要である。すなわ
ち、λ／１０ｎ〜λ／１８ｎが最も好適である。
わち、凸部と凹部の高低差は、λ／８ｎ〜λ／２０ｎが
相応しい。ここで、ｎは、透光層１１のλにおける屈折
率である。記録層９の反射率が、第４微細パターン３Ｃ
の存在によって減少することから、この高低差は、小さ
い方が望ましく、再生信号のエラーレートを劣化させな
いための限界として、λ／１０ｎ以下が適切である。ま
たトラッキングを行う際のプッシュプル信号（差信号）
がこの高低差と共に増大するから、トラッキングの可能
な限界値として、λ／１８ｎ以上が必要である。すなわ
ち、λ／１０ｎ〜λ／１８ｎが最も好適である。
【００７５】ところで、微細パターン３ＣをＰ≦Ｓとし
て設計した場合には、Δ＜Ｐとして蛇行幅Δを定めるこ
とが必要である。このように形成すると、隣接トラック
どおし（例えばグルーブＧどおし）が物理的に接触しな
いので、記録時のクロスライトが回避できる。
て設計した場合には、Δ＜Ｐとして蛇行幅Δを定めるこ
とが必要である。このように形成すると、隣接トラック
どおし（例えばグルーブＧどおし）が物理的に接触しな
いので、記録時のクロスライトが回避できる。
【００７６】ここで、情報記録担体１１の記録層９に相
変化記録材料を選択し、反射率、位相差またはその両方
の高低差によって記録を行う場合について、具体的に実
験を行った。すなわち、情報記録担体１１に対して、相
変化記録によるランダムデータを書き込み、プッシュプ
ル法によるアドレスの再生を試みたところ、アドレス検
出が可能な限界としては、０．０１Ｓ≦Δであり、０．
０１Ｓを下回って作製されたグルーブＧに対しては、相
変化記録によるランダムデータがノイズとして顕著に重
畳されて、アドレスのエラーレートが急増した。
変化記録材料を選択し、反射率、位相差またはその両方
の高低差によって記録を行う場合について、具体的に実
験を行った。すなわち、情報記録担体１１に対して、相
変化記録によるランダムデータを書き込み、プッシュプ
ル法によるアドレスの再生を試みたところ、アドレス検
出が可能な限界としては、０．０１Ｓ≦Δであり、０．
０１Ｓを下回って作製されたグルーブＧに対しては、相
変化記録によるランダムデータがノイズとして顕著に重
畳されて、アドレスのエラーレートが急増した。
【００７７】０．０１Ｓ≦Δの場合には、相変化記録に
よる低い反射率状態（例えばアモルファス状態）であっ
ても、充分アドレスが再生できた。０．１５Ｓ＜Δの場
合には、隣接トラックからの再生クロストークの影響が
現れ、アドレス信号の時間軸方向の揺らぎが発生し、安
定性が劣化した。従って、特にΔ＜Ｐ且つ、０．０１Ｓ
≦Δ≦０．１５Ｓの関係を満たす条件が最も相応しい。
よる低い反射率状態（例えばアモルファス状態）であっ
ても、充分アドレスが再生できた。０．１５Ｓ＜Δの場
合には、隣接トラックからの再生クロストークの影響が
現れ、アドレス信号の時間軸方向の揺らぎが発生し、安
定性が劣化した。従って、特にΔ＜Ｐ且つ、０．０１Ｓ
≦Δ≦０．１５Ｓの関係を満たす条件が最も相応しい。
【００７８】図１８中、蛇行したグルーブＧに対しての
み、記録マークＭが記録され、この記録マークＭは、変
調信号のＯＮまたはＯＦＦを示すものであり、各種長さ
のものがある。マークＭは、前述したとおり記録層９に
形成されるものであり、記録層９が相変化材料である場
合には、反射率または位相差またはその両方の高低差に
よって記録される。
み、記録マークＭが記録され、この記録マークＭは、変
調信号のＯＮまたはＯＦＦを示すものであり、各種長さ
のものがある。マークＭは、前述したとおり記録層９に
形成されるものであり、記録層９が相変化材料である場
合には、反射率または位相差またはその両方の高低差に
よって記録される。
【００７９】マークＭの記録様式は、情報記録担体１１
の第４微細パターン３ＣがＣＬＶ記録として製造された
場合には、ＣＬＶとしてユーザー記録を行う。一方、情
報記録担体１１の第４微細パターン３Ｃが角速度一定
（constant angular velocity、ＣＡＶ）記録として製
造された場合には、ＣＡＶとしてユーザー記録を行う。
この結果、グルーブＧより正確なアドレス情報を再生し
ながら、アドレスに同期したユーザーデータを正確に記
録することができる。
の第４微細パターン３ＣがＣＬＶ記録として製造された
場合には、ＣＬＶとしてユーザー記録を行う。一方、情
報記録担体１１の第４微細パターン３Ｃが角速度一定
（constant angular velocity、ＣＡＶ）記録として製
造された場合には、ＣＡＶとしてユーザー記録を行う。
この結果、グルーブＧより正確なアドレス情報を再生し
ながら、アドレスに同期したユーザーデータを正確に記
録することができる。
【００８０】次に、情報記録担体１１のアドレス記録に
用いる振幅変移変調波２５０（２５０、２５１、２５
２）、周波数変移変調波２６０（２６０、２６１、２６
２）、位相変移変調波２７０（２７０、２７１、２７
２）について図１９乃至図２７を用いて以下に説明す
る。前述したとおり、これら変調波は、ビーム整形器１
２２に入力される信号形状であると同時に、第１微細パ
ターン３に形成されるグルーブ形状と同じである。すな
わち、これら変調波の時間軸方向が、第１微細パターン
３のグルーブＧのトラック方向に変換され、同時に変調
信号の振幅方向が、グルーブＧの直角方向に変換されて
記録される。
用いる振幅変移変調波２５０（２５０、２５１、２５
２）、周波数変移変調波２６０（２６０、２６１、２６
２）、位相変移変調波２７０（２７０、２７１、２７
２）について図１９乃至図２７を用いて以下に説明す
る。前述したとおり、これら変調波は、ビーム整形器１
２２に入力される信号形状であると同時に、第１微細パ
ターン３に形成されるグルーブ形状と同じである。すな
わち、これら変調波の時間軸方向が、第１微細パターン
３のグルーブＧのトラック方向に変換され、同時に変調
信号の振幅方向が、グルーブＧの直角方向に変換されて
記録される。
【００８１】言い換えれば、これら変調波の時間軸方向
は、第４微細パターン３ＣのグルーブＧのトラック方向
に変換され、同時に変調信号の振幅方向が、グルーブＧ
の直角方向に変換されて記録される。以下の説明では、
第４微細パターン３Ｃを構成するグルーブＧの形状とし
て説明するが、ビーム整形器１２２に入力される信号形
状としても同じである。
は、第４微細パターン３ＣのグルーブＧのトラック方向
に変換され、同時に変調信号の振幅方向が、グルーブＧ
の直角方向に変換されて記録される。以下の説明では、
第４微細パターン３Ｃを構成するグルーブＧの形状とし
て説明するが、ビーム整形器１２２に入力される信号形
状としても同じである。
【００８２】まず、振幅変移変調波２５０、２５１、２
５２について図１９乃至図２１を用いて説明する。図１
９に示すように、振幅変移変調波２５０は、データを振
幅変移変調によって形状記録するものであり、具体的に
はグルーブＧを一定の周期で蛇行させた振幅部分２５０
１と非振幅部分２５００とからなる。言い換えれば、振
幅部分２５０１は、グルーブＧの蛇行部分であり、非振
幅部分２５００は、グルーブＧが蛇行しない部分であ
る。そして、振幅部分２５０１と非振幅部分２５００は
データビットの１と０にそれぞれ対応する。
５２について図１９乃至図２１を用いて説明する。図１
９に示すように、振幅変移変調波２５０は、データを振
幅変移変調によって形状記録するものであり、具体的に
はグルーブＧを一定の周期で蛇行させた振幅部分２５０
１と非振幅部分２５００とからなる。言い換えれば、振
幅部分２５０１は、グルーブＧの蛇行部分であり、非振
幅部分２５００は、グルーブＧが蛇行しない部分であ
る。そして、振幅部分２５０１と非振幅部分２５００は
データビットの１と０にそれぞれ対応する。
【００８３】振幅部分２５０１は、複数の波から構成さ
れている。その数には制限がないが、多すぎると非振幅
部分２５００の長さも必然的に長くなるので、再生時に
ゲートを生成する基本波を検出しにくくなる。従って、
２〜１００波、望ましくは３〜３０波が適当である。こ
のように振幅の有無、または振幅強度が一定値を越える
か否かによってデジタルデータ（図１９では１０１１
０）が記録される。記録されたデータの読み取りには、
後述するプッシュプル法を用いることができる。また、
振幅変移変調波２５０は、振幅部分２５０１と非振幅部
分２５００のそれぞれの長さや、その振幅の大きさにつ
いて制限を与えるものではない。例えば図１９中、振幅
部分２５０１の長さは、非振幅部分２５００よりも長く
設定している。
れている。その数には制限がないが、多すぎると非振幅
部分２５００の長さも必然的に長くなるので、再生時に
ゲートを生成する基本波を検出しにくくなる。従って、
２〜１００波、望ましくは３〜３０波が適当である。こ
のように振幅の有無、または振幅強度が一定値を越える
か否かによってデジタルデータ（図１９では１０１１
０）が記録される。記録されたデータの読み取りには、
後述するプッシュプル法を用いることができる。また、
振幅変移変調波２５０は、振幅部分２５０１と非振幅部
分２５００のそれぞれの長さや、その振幅の大きさにつ
いて制限を与えるものではない。例えば図１９中、振幅
部分２５０１の長さは、非振幅部分２５００よりも長く
設定している。
【００８４】図２０に示すように、振幅変移変調波２５
１は、振幅部分２５１１と非振幅部分２５１０によって
構成されており、振幅部分２５１１の振幅が各々ばらば
らであるが、これでも構わないし、意図的にその振幅を
多段階として、３値以上の多値記録を実現してもよいも
のである。更に、図２１に示す振幅変移変調波２５２の
ように、振幅部分２５２１の振幅が、各々揃っており、
且つ振幅部分２５２１の長さが、非振幅部分２５２０の
長さと同じになっていてもよいものである。
１は、振幅部分２５１１と非振幅部分２５１０によって
構成されており、振幅部分２５１１の振幅が各々ばらば
らであるが、これでも構わないし、意図的にその振幅を
多段階として、３値以上の多値記録を実現してもよいも
のである。更に、図２１に示す振幅変移変調波２５２の
ように、振幅部分２５２１の振幅が、各々揃っており、
且つ振幅部分２５２１の長さが、非振幅部分２５２０の
長さと同じになっていてもよいものである。
【００８５】これらのうち、特に０，１の２値によって
データをデジタル記録する場合には、図２１に示すよう
に等方的なレイアウトとした場合が望ましい。すなわち
振幅部分２５２１の高さが揃っており、振幅部分２５２
１と非振幅部分２５２０との長さを互いに等しくする
と、再生時に０，１判定を充分な振幅閾値で行うことが
でき、なおかつシリーズ化したデータを１つの時間閾値
で読み取ることができるので、再生回路が簡単になる。
データをデジタル記録する場合には、図２１に示すよう
に等方的なレイアウトとした場合が望ましい。すなわち
振幅部分２５２１の高さが揃っており、振幅部分２５２
１と非振幅部分２５２０との長さを互いに等しくする
と、再生時に０，１判定を充分な振幅閾値で行うことが
でき、なおかつシリーズ化したデータを１つの時間閾値
で読み取ることができるので、再生回路が簡単になる。
【００８６】再生データにジッタがあった場合にも、そ
の影響を最小にできるというメリットがある。また、記
録するコードが理想的に対称であったとすると、振幅部
分２５２１の総計長さと非振幅部分２５２０の総計長さ
は等しくなり、再生信号に直流成分がないことになる。
これはデータのデコード及びサーボに負担がかからない
ことになり、有利である。
の影響を最小にできるというメリットがある。また、記
録するコードが理想的に対称であったとすると、振幅部
分２５２１の総計長さと非振幅部分２５２０の総計長さ
は等しくなり、再生信号に直流成分がないことになる。
これはデータのデコード及びサーボに負担がかからない
ことになり、有利である。
【００８７】このように、本発明の実施形態における情
報記録担体１１には、振幅変移変調波２５０，２５１，
２５２によりアドレスが記録される。グルーブＧの側壁
蛇行有無に対応して、０，１を記録するので、０，１の
判別能力には優れたものがある。すなわち、アドレスは
比較的少ないＣ／Ｎであっても低いエラーレートを得る
ことができる。また、ユーザーによる記録層９への記録
が行われた状態であっても、その記録に伴うランダムノ
イズの影響は少なくすることができ、低いエラーレート
を維持することができる。
報記録担体１１には、振幅変移変調波２５０，２５１，
２５２によりアドレスが記録される。グルーブＧの側壁
蛇行有無に対応して、０，１を記録するので、０，１の
判別能力には優れたものがある。すなわち、アドレスは
比較的少ないＣ／Ｎであっても低いエラーレートを得る
ことができる。また、ユーザーによる記録層９への記録
が行われた状態であっても、その記録に伴うランダムノ
イズの影響は少なくすることができ、低いエラーレート
を維持することができる。
【００８８】次に、周波数変移変調波２６０について図
２２乃至図２４を用いて説明する。これは、データを周
波数変移変調によって形状記録するものであり、グルー
ブＧを異なる周波数で蛇行させた複数の部分よりなる。
具体的には、２値（バイナリ）データの場合、高周波数
部分と低周波数部分とを用いて形状記録される。ｎ値デ
ータの多値とする場合は、ｎ種類の周波数部分を用いた
周波数変移変調によって形状記録される。
２２乃至図２４を用いて説明する。これは、データを周
波数変移変調によって形状記録するものであり、グルー
ブＧを異なる周波数で蛇行させた複数の部分よりなる。
具体的には、２値（バイナリ）データの場合、高周波数
部分と低周波数部分とを用いて形状記録される。ｎ値デ
ータの多値とする場合は、ｎ種類の周波数部分を用いた
周波数変移変調によって形状記録される。
【００８９】図２２は、データ１，０，１，１，０を形
状記録した一例であり、高周波数部分２６０１と低周波
数部分２６００とからなっている。高周波数部分２６０
１と低周波数部分２６００は、データビットの１と０に
それぞれ対応し、１チャネルビット毎に周波数が切り替
わってデジタル記録されている。それぞれの周波数部分
を構成する波の数に制限はなく、１波以上の波で構成さ
れている。しかし再生装置において周波数を正しく検知
すること及びデータ転送速度をある程度得るため、冗長
になりすぎないことを考慮すると、１〜１００波、望ま
しくは１〜３０波の範囲で、前記した各データビットに
対応した周波数部分のそれぞれを構成するのが望まし
い。
状記録した一例であり、高周波数部分２６０１と低周波
数部分２６００とからなっている。高周波数部分２６０
１と低周波数部分２６００は、データビットの１と０に
それぞれ対応し、１チャネルビット毎に周波数が切り替
わってデジタル記録されている。それぞれの周波数部分
を構成する波の数に制限はなく、１波以上の波で構成さ
れている。しかし再生装置において周波数を正しく検知
すること及びデータ転送速度をある程度得るため、冗長
になりすぎないことを考慮すると、１〜１００波、望ま
しくは１〜３０波の範囲で、前記した各データビットに
対応した周波数部分のそれぞれを構成するのが望まし
い。
【００９０】高周波数部分２６０１と低周波数部分２６
００それぞれの振幅は、一致していてよい。しかし、振
幅比に制限はなく、再生装置の周波数特性を考慮して、
高周波数部分２６０１の振幅を、低周波数部分２６００
よりも大きく形成してもよい。このように構成すると、
再生装置での高い周波数における出力減衰を補完するこ
とができ、読み取り能力が向上する。記録されたデータ
の読み取りには、公知のプッシュプル法を用いることが
できる。
００それぞれの振幅は、一致していてよい。しかし、振
幅比に制限はなく、再生装置の周波数特性を考慮して、
高周波数部分２６０１の振幅を、低周波数部分２６００
よりも大きく形成してもよい。このように構成すると、
再生装置での高い周波数における出力減衰を補完するこ
とができ、読み取り能力が向上する。記録されたデータ
の読み取りには、公知のプッシュプル法を用いることが
できる。
【００９１】本発明の実施形態における情報記録担体１
１は、高周波数部分２６０１及び低周波数部分２６００
で構成されるチャネルビットの物理長さや、その振幅の
大きさについて制限を与えるものではない。例えば、図
２２では、低周波数部分２６００の物理長さは、高周波
数部分２６０１より長く設定している。図２３に示すよ
うに、周波数変移変調２６１は、高周波数部分２６１１
と低周波数部分２６１０の振幅が、各々揃っており、且
つ高周波数部分２６１１の長さが、低周波数部分２６１
０の長さと同じになっていてもよいものである。
１は、高周波数部分２６０１及び低周波数部分２６００
で構成されるチャネルビットの物理長さや、その振幅の
大きさについて制限を与えるものではない。例えば、図
２２では、低周波数部分２６００の物理長さは、高周波
数部分２６０１より長く設定している。図２３に示すよ
うに、周波数変移変調２６１は、高周波数部分２６１１
と低周波数部分２６１０の振幅が、各々揃っており、且
つ高周波数部分２６１１の長さが、低周波数部分２６１
０の長さと同じになっていてもよいものである。
【００９２】このようにすると、再生時に０，１判定を
充分な振幅閾値で行うことができ、なおかつシリーズ化
したデータを１つの時間閾値で読み取ることができるの
で、再生回路が簡単になる。また再生データにジッタが
あった場合にも、その影響を最小にできるというメリッ
トがある。記録するコードが理想的に対称であったとす
ると、高周波数部分２６１１の長さ総計と低周波数部分
２６１０の長さ総計は、等しくなり、再生信号に直流成
分がないことになる。これは、データのデコード及びサ
ーボに負担がかからないことになり、有利である。
充分な振幅閾値で行うことができ、なおかつシリーズ化
したデータを１つの時間閾値で読み取ることができるの
で、再生回路が簡単になる。また再生データにジッタが
あった場合にも、その影響を最小にできるというメリッ
トがある。記録するコードが理想的に対称であったとす
ると、高周波数部分２６１１の長さ総計と低周波数部分
２６１０の長さ総計は、等しくなり、再生信号に直流成
分がないことになる。これは、データのデコード及びサ
ーボに負担がかからないことになり、有利である。
【００９３】図２２、図２３では高周波数部分２６０
１、２６１１と低周波数部分２６００、２６１０がそれ
ぞれ、チャネルビットの切り替え点で立ち上がるように
接続されている。しかしながら、この時、５０％の確率
で位相ジャンプが発生するので、高周波成分が生成さ
れ、周波数あたりの電力効率が悪くなる。
１、２６１１と低周波数部分２６００、２６１０がそれ
ぞれ、チャネルビットの切り替え点で立ち上がるように
接続されている。しかしながら、この時、５０％の確率
で位相ジャンプが発生するので、高周波成分が生成さ
れ、周波数あたりの電力効率が悪くなる。
【００９４】図２４は、このような問題点を改善するた
めに、周波数変移変調２６２のチャネルビット切り替え
点で位相連続性が保たれるように、高周波数部分２６２
１と低周波数部分２６２０を配置した例である。すなわ
ち、高周波数部分２６２１の終了と低周波数部分２６２
０の開始が同じ位相方向になるように低周波数部分２６
２０の開始位相を選択する。また、逆も同じで、低周波
数部分２６２０の終了と高周波数部分２６２１の開始が
同じ位相方向になるように高周波数部分２６２１の開始
位相を選択する。
めに、周波数変移変調２６２のチャネルビット切り替え
点で位相連続性が保たれるように、高周波数部分２６２
１と低周波数部分２６２０を配置した例である。すなわ
ち、高周波数部分２６２１の終了と低周波数部分２６２
０の開始が同じ位相方向になるように低周波数部分２６
２０の開始位相を選択する。また、逆も同じで、低周波
数部分２６２０の終了と高周波数部分２６２１の開始が
同じ位相方向になるように高周波数部分２６２１の開始
位相を選択する。
【００９５】このように選択すると、位相の連続性は保
たれ、電力効率が向上するとともに、再生エンベロープ
が一定となるので情報記録担体１１に記録されたアドレ
スのデータエラーレートが向上する。また、高周波数部
分２６２１（２６０１、２６１１、２６２１）と低周波
数部分２６２０（２６００、２６１０、２６２０）の周
波数の選択は任意であるが、情報記録担体１１にユーザ
がデータを記録する周波数帯との干渉を避けるために、
高周波数部分２６２１は低周波数部分２６２０と比べ、
著しく高い周波数にならないことが求められる。
たれ、電力効率が向上するとともに、再生エンベロープ
が一定となるので情報記録担体１１に記録されたアドレ
スのデータエラーレートが向上する。また、高周波数部
分２６２１（２６０１、２６１１、２６２１）と低周波
数部分２６２０（２６００、２６１０、２６２０）の周
波数の選択は任意であるが、情報記録担体１１にユーザ
がデータを記録する周波数帯との干渉を避けるために、
高周波数部分２６２１は低周波数部分２６２０と比べ、
著しく高い周波数にならないことが求められる。
【００９６】一方、アドレスデータの再生エラーレート
を良好にするために高周波数部分２６２１と低周波数部
分２６２０の周波数差は、ある程度有し、分離性を良好
に保つことが望ましい。これらの観点から、高周波数部
分２６２１と低周波数部分２６２０の周波数比（高周波
数／低周波数）は、１．０５〜５．０の範囲内、特に
１．０９〜１．６７の範囲内であることが望ましい。言
い換えると、２つの周波数の位相関係は、基準位相を２
πとしたとき、２π±（π／２０．５）〜±（π／０．
７５）の範囲内、特に２π±（π／１２）〜±（π／
２）（すなわち３６０±１５度〜±９０度）の範囲とす
ることが望ましい。
を良好にするために高周波数部分２６２１と低周波数部
分２６２０の周波数差は、ある程度有し、分離性を良好
に保つことが望ましい。これらの観点から、高周波数部
分２６２１と低周波数部分２６２０の周波数比（高周波
数／低周波数）は、１．０５〜５．０の範囲内、特に
１．０９〜１．６７の範囲内であることが望ましい。言
い換えると、２つの周波数の位相関係は、基準位相を２
πとしたとき、２π±（π／２０．５）〜±（π／０．
７５）の範囲内、特に２π±（π／１２）〜±（π／
２）（すなわち３６０±１５度〜±９０度）の範囲とす
ることが望ましい。
【００９７】このうち、特に、図２４に示した周波数比
（高周波数／低周波数）を１．５倍とすると、２つの周
波数は、単一波の位相を−π／２．５（高周波数）と＋
π／２．５（低周波数）にずらした位相関係となる（基
準位相を２πとしたとき、２π±（π／２．５））。す
なわち、３６０±７２度にずらした関係となる。これら
２つの周波数は単一の周波数（ここでは０．５）の整数
倍（ここでは３倍と２倍）で表現できる。
（高周波数／低周波数）を１．５倍とすると、２つの周
波数は、単一波の位相を−π／２．５（高周波数）と＋
π／２．５（低周波数）にずらした位相関係となる（基
準位相を２πとしたとき、２π±（π／２．５））。す
なわち、３６０±７２度にずらした関係となる。これら
２つの周波数は単一の周波数（ここでは０．５）の整数
倍（ここでは３倍と２倍）で表現できる。
【００９８】従って、復調回路を簡単化できるという利
点が生じる。０．５のウインドを持った回路により、ク
ロックの生成も容易になる。復調を同期検波回路により
行うこともでき、その場合はエラーレートを著しく減少
させることができる。このように本発明の実施形態にお
ける情報記録担体１１には、周波数変移変調２６０，２
６１、２６２によりアドレスが記録される。蛇行周波数
の変化に対応して、０，１を記録するので、０，１の判
別能力には優れたものがある。すなわち、アドレスは比
較的少ないＣ／Ｎであっても低いエラーレートを得るこ
とができる。
点が生じる。０．５のウインドを持った回路により、ク
ロックの生成も容易になる。復調を同期検波回路により
行うこともでき、その場合はエラーレートを著しく減少
させることができる。このように本発明の実施形態にお
ける情報記録担体１１には、周波数変移変調２６０，２
６１、２６２によりアドレスが記録される。蛇行周波数
の変化に対応して、０，１を記録するので、０，１の判
別能力には優れたものがある。すなわち、アドレスは比
較的少ないＣ／Ｎであっても低いエラーレートを得るこ
とができる。
【００９９】また、ユーザーによる記録層９への記録が
行われた状態であっても、その記録に伴うランダムノイ
ズの影響は少なくすることができ、低いエラーレートを
維持することができる。また、周波数と周期を組み合わ
せて、データを表現することもできる。図示はしない
が、（高い周波数）÷（高い周波数の周期数）＝（低い
周波数）÷（低い周波数の周期数）となるように、互い
のウォブル周期を定めると、ウォブルの周波数を切り替
えるときにウォブルの位相が一致し、グルーブＧの形状
がウォブルの周波数が切り替わるところでスムーズに変
位させることができる。
行われた状態であっても、その記録に伴うランダムノイ
ズの影響は少なくすることができ、低いエラーレートを
維持することができる。また、周波数と周期を組み合わ
せて、データを表現することもできる。図示はしない
が、（高い周波数）÷（高い周波数の周期数）＝（低い
周波数）÷（低い周波数の周期数）となるように、互い
のウォブル周期を定めると、ウォブルの周波数を切り替
えるときにウォブルの位相が一致し、グルーブＧの形状
がウォブルの周波数が切り替わるところでスムーズに変
位させることができる。
【０１００】この結果、再生時にウォブルを検出すると
きの誤差が減り、ウォブル中に埋め込まれている情報の
復調誤差が減る効果を有するようになる。例えば、記録
周波数として、１５０ＫＨｚのウォブルで「０」という
情報を８周期分記録し、１３１．２５ｋＨｚのウォブル
で「１」という情報を７周期分記録した場合、１５０ｋ
Ｈｚと１３１．２５ｋＨｚとの切り替え部分の位相が一
致するので、良好な情報を記録することができる効果が
ある。
きの誤差が減り、ウォブル中に埋め込まれている情報の
復調誤差が減る効果を有するようになる。例えば、記録
周波数として、１５０ＫＨｚのウォブルで「０」という
情報を８周期分記録し、１３１．２５ｋＨｚのウォブル
で「１」という情報を７周期分記録した場合、１５０ｋ
Ｈｚと１３１．２５ｋＨｚとの切り替え部分の位相が一
致するので、良好な情報を記録することができる効果が
ある。
【０１０１】次に、位相変移変調波２７０について、図
２５乃至図２７を用いて説明する。図２５に示すよう
に、データを位相変移変調によって形状記録するもので
あり、具体的にはグルーブＧを一定の周波数で蛇行させ
た複数の部分よりなる。２値（バイナリ）データの場合
は、前進位相部分と後退位相部分の２種類で構成し、ｎ
値データの多値とする場合は、ｎ種類の位相にそれぞれ
対応するｎ個の位相部分で構成する。
２５乃至図２７を用いて説明する。図２５に示すよう
に、データを位相変移変調によって形状記録するもので
あり、具体的にはグルーブＧを一定の周波数で蛇行させ
た複数の部分よりなる。２値（バイナリ）データの場合
は、前進位相部分と後退位相部分の２種類で構成し、ｎ
値データの多値とする場合は、ｎ種類の位相にそれぞれ
対応するｎ個の位相部分で構成する。
【０１０２】図２５は、データ１，０，１，１，０を形
状記録した一例であり、前進位相部分２７０１と後進位
相部分２７００とからなっている。そして、前進位相部
分２７０１と後進位相部分２７００は、データビットの
１と０にそれぞれ対応し、１チャネルビット毎に位相が
切り替わってデジタル記録されている。具体的には、前
進位相部分２７０１は、正弦波のｓｉｎ０で表され、後
進位相部分２７００は、正弦波のｓｉｎ（−π）で表さ
れる。前進位相部分２７０１と後進位相部分２７００
は、それぞれ１波で構成されているが、位相差はπもあ
るので、エンベロープ検波や同期検波によって充分分離
再生することができる。
状記録した一例であり、前進位相部分２７０１と後進位
相部分２７００とからなっている。そして、前進位相部
分２７０１と後進位相部分２７００は、データビットの
１と０にそれぞれ対応し、１チャネルビット毎に位相が
切り替わってデジタル記録されている。具体的には、前
進位相部分２７０１は、正弦波のｓｉｎ０で表され、後
進位相部分２７００は、正弦波のｓｉｎ（−π）で表さ
れる。前進位相部分２７０１と後進位相部分２７００
は、それぞれ１波で構成されているが、位相差はπもあ
るので、エンベロープ検波や同期検波によって充分分離
再生することができる。
【０１０３】前進位相部分２７０１と後進位相部分２７
００の周波数は、いずれも同じであるが、それぞれを構
成する波の数に制限はなく、１波以上の波で構成され
る。しかし再生装置において位相を正しく検知するこ
と、及びデータ転送速度をある程度得るため、冗長にな
りすぎないことを考慮すると、１〜１００波、望ましく
は１〜３０波の範囲で、前記した各データビットに対応
した周波数部分のそれぞれを構成するのが望ましい。
００の周波数は、いずれも同じであるが、それぞれを構
成する波の数に制限はなく、１波以上の波で構成され
る。しかし再生装置において位相を正しく検知するこ
と、及びデータ転送速度をある程度得るため、冗長にな
りすぎないことを考慮すると、１〜１００波、望ましく
は１〜３０波の範囲で、前記した各データビットに対応
した周波数部分のそれぞれを構成するのが望ましい。
【０１０４】前進位相部分２７０１と後進位相部分２７
００のそれぞれの物理長さは、同じであっても異なって
いてもよい。ぞれぞれの物理長さを同じとすると、再生
時にシリーズ化したデータ１つ１つを一定の時間（クロ
ック）で区切ることができるので、再生回路が簡単にな
る。再生データにジッタがあった場合にも、その影響を
最小にできるというメリットがある。前進位相部分２７
０１と後進位相部分２７００それぞれの振幅は一致して
いても異なっていてもよいが、再生のしやすさを考慮す
ると一致していることが望ましい。
００のそれぞれの物理長さは、同じであっても異なって
いてもよい。ぞれぞれの物理長さを同じとすると、再生
時にシリーズ化したデータ１つ１つを一定の時間（クロ
ック）で区切ることができるので、再生回路が簡単にな
る。再生データにジッタがあった場合にも、その影響を
最小にできるというメリットがある。前進位相部分２７
０１と後進位相部分２７００それぞれの振幅は一致して
いても異なっていてもよいが、再生のしやすさを考慮す
ると一致していることが望ましい。
【０１０５】本発明の実施形態における情報記録担体１
１は、バイナリデータのみならず多値データも扱うこと
ができる。何種類の位相まで扱えるかは、各データビッ
トの位相差をどの程度の細かさまで分離できるかに依っ
ている。本出願人は、情報記録担体１１から、実験的に
その分離限界を求めたところ、位相差がπ／８まで分離
できることを確かめた。言い換えると、多値のチャネル
ビットでは、それを構成する多種の位相部分は、それぞ
れの最小位相差をπ／８〜πまで扱うことが可能である
（πはバイナリの最小位相差に相当）。すなわち２値か
ら１６値のデータまで扱うことができる。
１は、バイナリデータのみならず多値データも扱うこと
ができる。何種類の位相まで扱えるかは、各データビッ
トの位相差をどの程度の細かさまで分離できるかに依っ
ている。本出願人は、情報記録担体１１から、実験的に
その分離限界を求めたところ、位相差がπ／８まで分離
できることを確かめた。言い換えると、多値のチャネル
ビットでは、それを構成する多種の位相部分は、それぞ
れの最小位相差をπ／８〜πまで扱うことが可能である
（πはバイナリの最小位相差に相当）。すなわち２値か
ら１６値のデータまで扱うことができる。
【０１０６】図２６は、位相変移変調波２７１に４値の
データを記録した例を示すもので、位相部分［ｓｉｎ
（−３π／４）］２７１０、位相部分［ｓｉｎ（−π／
４）］２７１１、位相部分［ｓｉｎ（π／４）］２７１
２、位相部分［ｓｉｎ（３π／４）］２７１３の４種類
の位相を扱う。それぞれの位相部分の最小位相差は、π
／２であるので、充分データを分離取得することができ
る。便宜上位相部分［ｓｉｎ（−３π／４）］２７１０
は、データ「１」、位相部分［ｓｉｎ（−π／４）］２
７１１は、データ「２」、位相部分［ｓｉｎ（π／
４）］２７１２は、データ「３」、位相部分［ｓｉｎ
（３π／４）］２７１３は、データ「４」に対応させて
いる。
データを記録した例を示すもので、位相部分［ｓｉｎ
（−３π／４）］２７１０、位相部分［ｓｉｎ（−π／
４）］２７１１、位相部分［ｓｉｎ（π／４）］２７１
２、位相部分［ｓｉｎ（３π／４）］２７１３の４種類
の位相を扱う。それぞれの位相部分の最小位相差は、π
／２であるので、充分データを分離取得することができ
る。便宜上位相部分［ｓｉｎ（−３π／４）］２７１０
は、データ「１」、位相部分［ｓｉｎ（−π／４）］２
７１１は、データ「２」、位相部分［ｓｉｎ（π／
４）］２７１２は、データ「３」、位相部分［ｓｉｎ
（３π／４）］２７１３は、データ「４」に対応させて
いる。
【０１０７】このような多値データの記録にあたって
は、多値データを多次元データとしてもよい。例えば、
データを２次元の「ｘ，ｙ」とすると、データ「１」を
データ「０，０」、データ「２」をデータ「０，１」、
データ「３」をデータ「１，０」、データ「４」をデー
タ「１，１」と置き換えて扱ってもよい。
は、多値データを多次元データとしてもよい。例えば、
データを２次元の「ｘ，ｙ」とすると、データ「１」を
データ「０，０」、データ「２」をデータ「０，１」、
データ「３」をデータ「１，０」、データ「４」をデー
タ「１，１」と置き換えて扱ってもよい。
【０１０８】図２７は、本発明の実施形態における情報
記録担体１１でアドレスを扱う別の例を示した図であ
る。すなわち基本波が鋸波になっており、立ち上がりと
立ち下がりの非対称な形状と捉える。それぞれを別々に
制御することで位相の違いを表現している。図２５で
は、データ「１」を立ち上がり緩やか、立ち下がり急峻
部分２７２１（以下、下り急峻部分２７２１と呼ぶ）、
データ「０」を立ち上がり急峻、立ち下がり穏やか部分
２７２０（以下、登り急峻部分２７２０と呼ぶ）として
記録している。
記録担体１１でアドレスを扱う別の例を示した図であ
る。すなわち基本波が鋸波になっており、立ち上がりと
立ち下がりの非対称な形状と捉える。それぞれを別々に
制御することで位相の違いを表現している。図２５で
は、データ「１」を立ち上がり緩やか、立ち下がり急峻
部分２７２１（以下、下り急峻部分２７２１と呼ぶ）、
データ「０」を立ち上がり急峻、立ち下がり穏やか部分
２７２０（以下、登り急峻部分２７２０と呼ぶ）として
記録している。
【０１０９】アドレスデータの例として１０１１０を記
録する場合においては、図２７に示すように、下り急峻
部分２７２１、登り急峻部分２７２０、下り急峻部分２
７２１、下り急峻部分２７２１、登り急峻部分２７２０
の順で形状記録される。このような登りと下りの角度の
違いによってデータを記録する方法は、高帯域フィルタ
ーに入力し、微分成分を抽出することで復調でき、低い
Ｃ／Ｎ環境下でも再生できる利点がある。
録する場合においては、図２７に示すように、下り急峻
部分２７２１、登り急峻部分２７２０、下り急峻部分２
７２１、下り急峻部分２７２１、登り急峻部分２７２０
の順で形状記録される。このような登りと下りの角度の
違いによってデータを記録する方法は、高帯域フィルタ
ーに入力し、微分成分を抽出することで復調でき、低い
Ｃ／Ｎ環境下でも再生できる利点がある。
【０１１０】このように本発明の実施形態における情報
記録担体１１には、位相変移変調２７０，２７１、２７
２によりアドレスが記録される。蛇行数の位相変化に対
応して、０，１を記録するので、０，１の判別能力には
優れたものがある。特に、位相変移変調は、周波数が一
定であるために、アドレス復調回路の前段に設けるフィ
ルタを１つの周波数に特化したバンドパスフィルタとす
ることができ、ユーザー記録により生じたノイズを含
め、あらゆるノイズを効果的に除去することができる。
記録担体１１には、位相変移変調２７０，２７１、２７
２によりアドレスが記録される。蛇行数の位相変化に対
応して、０，１を記録するので、０，１の判別能力には
優れたものがある。特に、位相変移変調は、周波数が一
定であるために、アドレス復調回路の前段に設けるフィ
ルタを１つの周波数に特化したバンドパスフィルタとす
ることができ、ユーザー記録により生じたノイズを含
め、あらゆるノイズを効果的に除去することができる。
【０１１１】すなわち、アドレスは、比較的少ないＣ／
Ｎであっても低いエラーレートを得ることができる。ま
た、ユーザーによる記録層９への記録が行われた状態で
あっても、その記録に伴うランダムノイズを効果的に除
去することができ、低いエラーレートを維持することが
できる。
Ｎであっても低いエラーレートを得ることができる。ま
た、ユーザーによる記録層９への記録が行われた状態で
あっても、その記録に伴うランダムノイズを効果的に除
去することができ、低いエラーレートを維持することが
できる。
【０１１２】以上のように、これら変調波を記録した情
報記録担体１１の再生にあたっては、公知の２分割また
は４分割フォトディテクタを内蔵した再生装置を用いる
ことができる。再生装置に装着された情報記録担体１１
がディスク状であった場合、その内周側に配置された分
割フォトディテクタ面の出力と、外周側に配置された分
割フォトディテクタ面の出力との差を取ることによっ
て、信号が出力される（プッシュプル法）。
報記録担体１１の再生にあたっては、公知の２分割また
は４分割フォトディテクタを内蔵した再生装置を用いる
ことができる。再生装置に装着された情報記録担体１１
がディスク状であった場合、その内周側に配置された分
割フォトディテクタ面の出力と、外周側に配置された分
割フォトディテクタ面の出力との差を取ることによっ
て、信号が出力される（プッシュプル法）。
【０１１３】この出力は、蛇行したグルーブＧの形状に
対応した信号を出力することになるので、情報記録担体
１１の形状である振幅変移変調波２５０、２５１、２５
２、周波数変移変調波２６０、２６１、２６２、位相変
移変調波２７０、２７１、２７２が、電気信号として復
元される。すなわち、グルーブＧのトラック方向が、再
生信号の時間軸方向に変換され、グルーブＧの直角方向
が再生信号の振幅方向に変換される。これは、情報記録
担体１１製造時に使用したビーム整形器１２２に入力さ
れた信号と同じであり、入力信号をほぼ相似形の信号と
して、そのまま復元されることになる。
対応した信号を出力することになるので、情報記録担体
１１の形状である振幅変移変調波２５０、２５１、２５
２、周波数変移変調波２６０、２６１、２６２、位相変
移変調波２７０、２７１、２７２が、電気信号として復
元される。すなわち、グルーブＧのトラック方向が、再
生信号の時間軸方向に変換され、グルーブＧの直角方向
が再生信号の振幅方向に変換される。これは、情報記録
担体１１製造時に使用したビーム整形器１２２に入力さ
れた信号と同じであり、入力信号をほぼ相似形の信号と
して、そのまま復元されることになる。
【０１１４】図１９〜図２７を用いた説明では、基本波
を正弦波として記録する例を説明したが、基本波を余弦
波とした記録であってもよい。アドレスウォブルは、上
記のような種類から選択して用いることが可能であり、
情報記録担体１１の用途に応じて選択することができ
る。
を正弦波として記録する例を説明したが、基本波を余弦
波とした記録であってもよい。アドレスウォブルは、上
記のような種類から選択して用いることが可能であり、
情報記録担体１１の用途に応じて選択することができ
る。
【０１１５】これら変調波から１つを選択してグルーブ
Ｇを形成するのみならず、２つ乃至３つの異なる変調波
を選択して、異なる領域にそれぞれ時分割記録するよう
にしてもよいし、２つの変調方式を選択して、同じ領域
に重畳して多重記録するようにしてもよい。
Ｇを形成するのみならず、２つ乃至３つの異なる変調波
を選択して、異なる領域にそれぞれ時分割記録するよう
にしてもよいし、２つの変調方式を選択して、同じ領域
に重畳して多重記録するようにしてもよい。
【０１１６】また、これら変調波に対し、単一周波数波
を重畳記録してもよい。すなわち、振幅変移変調波２５
０、２５１、２５２、周波数変移変調波２６０、２６
１、２６２に対して、それを構成する周波数側と同じ周
波数、または異なる周波数を重畳してよい。特に周波数
変移変調波２６０に対しては、高周波数側または低周波
数側のいずれかの周波数を重畳してもよい。同様に高周
波数側または低周波数側のいずれかの周波数の整数倍、
または整数分の１の周波数を重畳してもよい。位相変移
変調波２７０に対しては、それを構成する周波数の整数
倍、または整数分の１の周波数を重畳してもよい。
を重畳記録してもよい。すなわち、振幅変移変調波２５
０、２５１、２５２、周波数変移変調波２６０、２６
１、２６２に対して、それを構成する周波数側と同じ周
波数、または異なる周波数を重畳してよい。特に周波数
変移変調波２６０に対しては、高周波数側または低周波
数側のいずれかの周波数を重畳してもよい。同様に高周
波数側または低周波数側のいずれかの周波数の整数倍、
または整数分の１の周波数を重畳してもよい。位相変移
変調波２７０に対しては、それを構成する周波数の整数
倍、または整数分の１の周波数を重畳してもよい。
【０１１７】いずれの場合であっても、再生装置では重
畳波から、公知のバンドパスフィルタや位相検出器等に
よって単一周波数波と振幅変移変調波２５０、周波数変
移変調波２６０、位相変移変調波２７０を分離すること
が可能である。例えば、位相変移変調波２７０に対して
実験を試みたところ、単一周波数を重畳記録する際に、
位相変移変調の振幅と単一周波数波の振幅比が所定値、
１：５〜５：１の範囲内であれば問題なく分離再生でき
る。
畳波から、公知のバンドパスフィルタや位相検出器等に
よって単一周波数波と振幅変移変調波２５０、周波数変
移変調波２６０、位相変移変調波２７０を分離すること
が可能である。例えば、位相変移変調波２７０に対して
実験を試みたところ、単一周波数を重畳記録する際に、
位相変移変調の振幅と単一周波数波の振幅比が所定値、
１：５〜５：１の範囲内であれば問題なく分離再生でき
る。
【０１１８】他の方法としては、ウォブルの波形の種類
を情報とすることもできる。例えば、正弦波で形成され
るウォブルの情報を「０」、鋸波または三角波で形成さ
れるウォブルの情報を「１」とすることも可能である。
また、正弦波で形成されるウォブルの情報を「０」、矩
形波で形成されるウォブルの情報を「１」、登り急峻鋸
波で形成されるウォブルを「２」、下り急峻鋸波で形成
されるウォブルを「３」、三角波で形成されるウォブル
を「４」、ウォブルを有していない直線で形成される部
分の情報を「５」というように定めておくこともでき
る。再生装置でウォブルの形状までも検出することとす
れば、５進法での情報表示が可能となり、アドレス情報
の高密度化を計ることができる効果も生じる。
を情報とすることもできる。例えば、正弦波で形成され
るウォブルの情報を「０」、鋸波または三角波で形成さ
れるウォブルの情報を「１」とすることも可能である。
また、正弦波で形成されるウォブルの情報を「０」、矩
形波で形成されるウォブルの情報を「１」、登り急峻鋸
波で形成されるウォブルを「２」、下り急峻鋸波で形成
されるウォブルを「３」、三角波で形成されるウォブル
を「４」、ウォブルを有していない直線で形成される部
分の情報を「５」というように定めておくこともでき
る。再生装置でウォブルの形状までも検出することとす
れば、５進法での情報表示が可能となり、アドレス情報
の高密度化を計ることができる効果も生じる。
【０１１９】以上のように、本発明の実施形態では、基
本的な部分のみについて説明したが、用途に応じて種々
の変形や機能追加が可能である。上記した実施例はお互
いに構成要素を入れ替えることも可能であるし、本文で
記載した別の構成要素と交換することも可能である。例
えば、情報記録担体１１の形状に限定はなく、ディスク
状、カード状、テープ状の情報記録担体であってもよ
い。また円形であっても、四角形でも、楕円形でも構わ
ない。更に、穴が開けられていてもよいものである。情
報記録担体１１がディスク状の場合、その大きさに制限
はなく、例えば直径２０〜４００ｍｍの各種サイズを取
ることができ、直径３０、３２、３５、４１、５１、６
０、６５、８０、８８、１２０、１３０、２００、３０
０、３５６ｍｍなどであってもよい。
本的な部分のみについて説明したが、用途に応じて種々
の変形や機能追加が可能である。上記した実施例はお互
いに構成要素を入れ替えることも可能であるし、本文で
記載した別の構成要素と交換することも可能である。例
えば、情報記録担体１１の形状に限定はなく、ディスク
状、カード状、テープ状の情報記録担体であってもよ
い。また円形であっても、四角形でも、楕円形でも構わ
ない。更に、穴が開けられていてもよいものである。情
報記録担体１１がディスク状の場合、その大きさに制限
はなく、例えば直径２０〜４００ｍｍの各種サイズを取
ることができ、直径３０、３２、３５、４１、５１、６
０、６５、８０、８８、１２０、１３０、２００、３０
０、３５６ｍｍなどであってもよい。
【０１２０】例えば、情報記録担体１１を２枚準備し、
支持体８同士を互いに対向させて貼り合わせてもよい。
また、情報記録担体１１の透光層１０上に、記録層９と
透光層１０をセットでもう一層ずつ重ねてもよい。この
ようにすれば、情報記録担体１１の容量を約２倍に増す
ことができる。更に、記録層９と透光層１０のセットの
積層を複数回繰り返して、多層の情報記録担体としても
よい。
支持体８同士を互いに対向させて貼り合わせてもよい。
また、情報記録担体１１の透光層１０上に、記録層９と
透光層１０をセットでもう一層ずつ重ねてもよい。この
ようにすれば、情報記録担体１１の容量を約２倍に増す
ことができる。更に、記録層９と透光層１０のセットの
積層を複数回繰り返して、多層の情報記録担体としても
よい。
【０１２１】グルーブＧ、またはランドＬの形成は、Ｃ
ＬＶの様式、ＣＡＶの様式のみならず、半径毎に異なる
ゾーンを形成し、各ゾーン毎で制御が異なるＺＣＡＶ
（zoneconstant angular velocity）やＺＣＬＶ（zone
constant linear velocity）の様式による形成であって
もよい。例えば、ＺＣＡＶで形成する場合には、ゾーン
内でＣＬＶが実現され、情報記録担体１１（基体１）全
体ではＣＡＶに近い制御が行われる。ＺＣＬＶで記録す
る場合には、ゾーン内でＣＡＶが実現され、情報記録担
体１１（基体１）全体ではＣＬＶに近い制御が行われ
る。また、第１乃至第６の微細パターン３、３Ａ、３
Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅのうち、グルーブＧとランドＬは
それぞれ平坦としたが、これに限るものではない。例え
ばグルーブＧ、ランドＬの少なくとも一方が、その断面
図において、Ｖ形状、またはΛ形状としてもよいもので
ある。
ＬＶの様式、ＣＡＶの様式のみならず、半径毎に異なる
ゾーンを形成し、各ゾーン毎で制御が異なるＺＣＡＶ
（zoneconstant angular velocity）やＺＣＬＶ（zone
constant linear velocity）の様式による形成であって
もよい。例えば、ＺＣＡＶで形成する場合には、ゾーン
内でＣＬＶが実現され、情報記録担体１１（基体１）全
体ではＣＡＶに近い制御が行われる。ＺＣＬＶで記録す
る場合には、ゾーン内でＣＡＶが実現され、情報記録担
体１１（基体１）全体ではＣＬＶに近い制御が行われ
る。また、第１乃至第６の微細パターン３、３Ａ、３
Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅのうち、グルーブＧとランドＬは
それぞれ平坦としたが、これに限るものではない。例え
ばグルーブＧ、ランドＬの少なくとも一方が、その断面
図において、Ｖ形状、またはΛ形状としてもよいもので
ある。
【０１２２】記録層９は、図面上単層で示したが、記録
特性や再生特性を向上させる目的や保存安定性向上の目
的等で、複数の薄膜材料で構成してもよい。例えば補助
材料として、例えばシリコン、タンタル、亜鉛、マグネ
シウム、カルシウム、アルミニウム、クロム、ジルコニ
ウムなどの合金（酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フ
ッ化物の例を含む）や高反射膜（アルミニウム、金、銀
などやこれらを１つ以上含む各種合金などのヒートシン
ク材料）を併用して積層してもよい。特に、記録層９を
相変化材料とした場合には、例えばＺｎＳ、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＯ、ＡｌＮ、ＭｇＦ、ＺｒＯなどの
誘電体材料を先述の記録材料に積層することによって、
反射率を適正化し、再生光量の増大や、書き換え回数、
再生特性、記録特性、再生安定性、保存安定性の向上を
することができる。
特性や再生特性を向上させる目的や保存安定性向上の目
的等で、複数の薄膜材料で構成してもよい。例えば補助
材料として、例えばシリコン、タンタル、亜鉛、マグネ
シウム、カルシウム、アルミニウム、クロム、ジルコニ
ウムなどの合金（酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フ
ッ化物の例を含む）や高反射膜（アルミニウム、金、銀
などやこれらを１つ以上含む各種合金などのヒートシン
ク材料）を併用して積層してもよい。特に、記録層９を
相変化材料とした場合には、例えばＺｎＳ、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＯ、ＡｌＮ、ＭｇＦ、ＺｒＯなどの
誘電体材料を先述の記録材料に積層することによって、
反射率を適正化し、再生光量の増大や、書き換え回数、
再生特性、記録特性、再生安定性、保存安定性の向上を
することができる。
【０１２３】更に、図示しないが、透光層１０の記録層
９とは、反対側に公知の静電気防止層、潤滑層、ハード
コート層などを形成してもよい。静電気防止層の具体的
な材料としては、エネルギー線硬化樹脂や熱硬化樹脂な
どに界面活性剤や導電性微粒子などを分散させたものを
用いることができる。潤滑層の具体的な材料としては、
炭化水素高分子にシリコンやフッ素を修飾し、表面エネ
ルギを調整した液体潤滑剤を用いることができる。潤滑
層の厚みは、０．１ｎｍ〜１０ｎｍ程度が望ましい。ま
た、ハードコート層の具体的な材料としては、波長λの
光を７０％以上透過する熱硬化樹脂、各種エネルギ線硬
化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化
樹脂の例を含む）、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹
脂、溶剤含有熱可塑性樹脂を用いることができる。
９とは、反対側に公知の静電気防止層、潤滑層、ハード
コート層などを形成してもよい。静電気防止層の具体的
な材料としては、エネルギー線硬化樹脂や熱硬化樹脂な
どに界面活性剤や導電性微粒子などを分散させたものを
用いることができる。潤滑層の具体的な材料としては、
炭化水素高分子にシリコンやフッ素を修飾し、表面エネ
ルギを調整した液体潤滑剤を用いることができる。潤滑
層の厚みは、０．１ｎｍ〜１０ｎｍ程度が望ましい。ま
た、ハードコート層の具体的な材料としては、波長λの
光を７０％以上透過する熱硬化樹脂、各種エネルギ線硬
化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化
樹脂の例を含む）、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹
脂、溶剤含有熱可塑性樹脂を用いることができる。
【０１２４】ハードコート層は、透光層１０の耐摩耗性
を考慮して、ＪＩＳ規格Ｋ５４００の鉛筆ひっかき試験
値がある一定以上値であることが望ましい。情報記録担
体再生装置の対物レンズの最も硬い材料はガラスであ
り、これを考慮するとハードコート層の鉛筆ひっかき試
験値は、Ｈ以上が特に望ましい。この試験値以下である
とハードコート層が削れることによる塵埃の発生が著し
くなり、エラーレートが急激に悪くなるからである。ハ
ードコート層の厚みは、耐衝撃性を考慮して、０．００
１ｍｍ以上が望ましく、情報記録担体１１全体の反りを
考慮して、０．０１ｍｍ以下が望ましい。ハードコート
層の他の材料として、波長λの光を７０％以上透過し、
鉛筆ひっかき試験値Ｈ以上のカーボン、モリブデン、シ
リコンなどの単体やその合金（酸化物、窒化物、硫化
物、フッ化物、炭化物の例を含む）を用いることもでき
る（膜厚１〜１０００ｎｍ）。
を考慮して、ＪＩＳ規格Ｋ５４００の鉛筆ひっかき試験
値がある一定以上値であることが望ましい。情報記録担
体再生装置の対物レンズの最も硬い材料はガラスであ
り、これを考慮するとハードコート層の鉛筆ひっかき試
験値は、Ｈ以上が特に望ましい。この試験値以下である
とハードコート層が削れることによる塵埃の発生が著し
くなり、エラーレートが急激に悪くなるからである。ハ
ードコート層の厚みは、耐衝撃性を考慮して、０．００
１ｍｍ以上が望ましく、情報記録担体１１全体の反りを
考慮して、０．０１ｍｍ以下が望ましい。ハードコート
層の他の材料として、波長λの光を７０％以上透過し、
鉛筆ひっかき試験値Ｈ以上のカーボン、モリブデン、シ
リコンなどの単体やその合金（酸化物、窒化物、硫化
物、フッ化物、炭化物の例を含む）を用いることもでき
る（膜厚１〜１０００ｎｍ）。
【０１２５】更に、図示しないが、支持体８の記録層９
とは反対側にレーベル印刷を施してもよい。印刷材料に
は例えば、各種顔料や染料を含んだ各種エネルギ線ー硬
化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化
樹脂の例を含む）を好適に用いることができ、視認性を
考慮して０．００１ｍｍ以上が望ましく、情報記録担体
１１全体の反りを考慮して０．０５ｍｍ以下が望まし
い。記録に用いる所定領域以外に、情報記録担体１１を
認識するためのホログラムや目視可能な微細パターンを
形成してもよい。
とは反対側にレーベル印刷を施してもよい。印刷材料に
は例えば、各種顔料や染料を含んだ各種エネルギ線ー硬
化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化
樹脂の例を含む）を好適に用いることができ、視認性を
考慮して０．００１ｍｍ以上が望ましく、情報記録担体
１１全体の反りを考慮して０．０５ｍｍ以下が望まし
い。記録に用いる所定領域以外に、情報記録担体１１を
認識するためのホログラムや目視可能な微細パターンを
形成してもよい。
【０１２６】情報記録担体１１は、再生装置への装着性
やハンドリング上の保護性を向上するために、情報記録
担体全体をカートリッジに入れた構成としてもよい。情
報記録担体１１にユーザー記録する記録マークＭは、マ
ークポジション記録、マークエッジ記録のいずれも用い
ることができる。記録に用いられる信号は、いわゆる
（ｄ、ｋ）符号と呼ばれる最短マーク長をｄ＋１、最長
マーク長をｋ＋１とした変調信号である。この時、
（ｄ、ｋ）変調信号は、固定長符号であっても可変長符
号であっても用いることができる。具体的には最短マー
クを２Ｔとした（１．７）変調、１７ＰＰ変調、ＤＲＬ
変調、（１．８）変調、（１．９）変調などを用いるこ
とができる。
やハンドリング上の保護性を向上するために、情報記録
担体全体をカートリッジに入れた構成としてもよい。情
報記録担体１１にユーザー記録する記録マークＭは、マ
ークポジション記録、マークエッジ記録のいずれも用い
ることができる。記録に用いられる信号は、いわゆる
（ｄ、ｋ）符号と呼ばれる最短マーク長をｄ＋１、最長
マーク長をｋ＋１とした変調信号である。この時、
（ｄ、ｋ）変調信号は、固定長符号であっても可変長符
号であっても用いることができる。具体的には最短マー
クを２Ｔとした（１．７）変調、１７ＰＰ変調、ＤＲＬ
変調、（１．８）変調、（１．９）変調などを用いるこ
とができる。
【０１２７】例えば、固定長符号の（１，７）変調の代
表例としては、Ｄ１，７変調（特願２００１−８０２０
５に記載）が挙げられる。これはまた、固定長符号であ
るＤ４，６変調（特開２０００−３３２６１３に記載）
を基本とした（１．７）変調や（１，９）変調にも置き
換えてもよい。前述した１７ＰＰ変調は、可変長符号の
（１，７）変調の１つであり、特開平１１−３４６１５
４号公報に詳しく掲載されている。また、最短マークを
３Ｔとした可変長符号の（２．７）変調、（２．８）変
調、固定長符号の（２．１０）変調としてＥＦＭ変調、
ＥＦＭプラス変調、Ｄ８−１５変調（特開２０００−２
８６７０９号公報記載）なども用いることができる。同
様に最短マークを４Ｔとした変調方式（例えば（３，１
７）変調）や、５Ｔとした変調方式（例えば（４，２
１）変調）なども用いることができる。
表例としては、Ｄ１，７変調（特願２００１−８０２０
５に記載）が挙げられる。これはまた、固定長符号であ
るＤ４，６変調（特開２０００−３３２６１３に記載）
を基本とした（１．７）変調や（１，９）変調にも置き
換えてもよい。前述した１７ＰＰ変調は、可変長符号の
（１，７）変調の１つであり、特開平１１−３４６１５
４号公報に詳しく掲載されている。また、最短マークを
３Ｔとした可変長符号の（２．７）変調、（２．８）変
調、固定長符号の（２．１０）変調としてＥＦＭ変調、
ＥＦＭプラス変調、Ｄ８−１５変調（特開２０００−２
８６７０９号公報記載）なども用いることができる。同
様に最短マークを４Ｔとした変調方式（例えば（３，１
７）変調）や、５Ｔとした変調方式（例えば（４，２
１）変調）なども用いることができる。
【０１２８】次に、情報記録担体１１を再生する本発明
の実施形態における第１の再生装置５００について図２
８及び図２９を用いて説明する。図２８に示すように、
第１の再生装置５００は、情報記録担体１１からの反射
光を読み取るピックアップ５０と、この情報記録担体１
１を回転するモータ５１と、ピックアップ５０及びモー
タ５１の駆動を制御するサーボ５２と、ピックアップ５
０で読み取った情報信号を復調する復調器５４と、復調
器５４で復調した信号を外部に送出するインターフェー
ス（Ｉ／Ｆ）５５と、全体を制御するコントローラ６０
とから少なくともなる。
の実施形態における第１の再生装置５００について図２
８及び図２９を用いて説明する。図２８に示すように、
第１の再生装置５００は、情報記録担体１１からの反射
光を読み取るピックアップ５０と、この情報記録担体１
１を回転するモータ５１と、ピックアップ５０及びモー
タ５１の駆動を制御するサーボ５２と、ピックアップ５
０で読み取った情報信号を復調する復調器５４と、復調
器５４で復調した信号を外部に送出するインターフェー
ス（Ｉ／Ｆ）５５と、全体を制御するコントローラ６０
とから少なくともなる。
【０１２９】ここで、復調器５４とは、例えば再生信号
がＤＶＤで使用されているＥＦＭプラス変調（８−１６
変調）であれば、１６ビットデータを、オリジナルの８
ビットデータに戻す操作を行うデジタル変換器である。
ターンテーブル５３と情報記録担体１１とは、中心穴Ｑ
を填めあいにして接続されているが、これらは固定接続
でもよいし、自由に着脱できる半固定接続でもよい。ま
た、情報記録担体１１は、カートリッジに装着されたも
のであってもよく、中央に開閉機構がある公知のカート
リッジをそのまま用いることができる。
がＤＶＤで使用されているＥＦＭプラス変調（８−１６
変調）であれば、１６ビットデータを、オリジナルの８
ビットデータに戻す操作を行うデジタル変換器である。
ターンテーブル５３と情報記録担体１１とは、中心穴Ｑ
を填めあいにして接続されているが、これらは固定接続
でもよいし、自由に着脱できる半固定接続でもよい。ま
た、情報記録担体１１は、カートリッジに装着されたも
のであってもよく、中央に開閉機構がある公知のカート
リッジをそのまま用いることができる。
【０１３０】モータ５１は、ターンテーブル５３と接続
されており、ターンテーブル５３と情報記録担体１１と
は、中心穴Ｑを填めあいにして接続されている。モータ
５１はターンテーブル５３を介し、情報記録担体１１を
保持し、再生のための相対運動を付与する。信号出力
は、図示しない外部出力端子に接続されていてもよい
し、図示しない表示装置や、オーディオ装置、印字装置
に直接接続されていてもよい。
されており、ターンテーブル５３と情報記録担体１１と
は、中心穴Ｑを填めあいにして接続されている。モータ
５１はターンテーブル５３を介し、情報記録担体１１を
保持し、再生のための相対運動を付与する。信号出力
は、図示しない外部出力端子に接続されていてもよい
し、図示しない表示装置や、オーディオ装置、印字装置
に直接接続されていてもよい。
【０１３１】ピックアップ５０は、λ＝３５０〜４５０
ｎｍの間の単一波長、望ましくは４００〜４３５ｎｍの
間の単一波長で発光する発光素子５０ａと、開口数０．
７５〜０．９の対物レンズ５０ｂと、情報記録担体１１
からの反射光を受光する４分割フォトディテクタ５０ｃ
を少なくとも備えている。そして、これらによって再生
光９９を形成するものである。前記した発光素子５０ａ
は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザであってもよい
し、第２高調波生成素子を有したレーザであってもよ
い。本出願人の実測によれば、第２高調波生成素子は、
レーザＲＩＮ（Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ
Ｎｏｉｓｅ）が−１３４ｄＢ／Ｈｚであり、一方、窒
化ガリウム系化合物半導体レーザの場合は、ＲＩＮが−
１２５ｄＢ／Ｈｚである。窒化ガリウム系化合物半導体
レーザの方が、ノイズが９ｄＢ大きいものの、どちらも
好適に用いることができる。
ｎｍの間の単一波長、望ましくは４００〜４３５ｎｍの
間の単一波長で発光する発光素子５０ａと、開口数０．
７５〜０．９の対物レンズ５０ｂと、情報記録担体１１
からの反射光を受光する４分割フォトディテクタ５０ｃ
を少なくとも備えている。そして、これらによって再生
光９９を形成するものである。前記した発光素子５０ａ
は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザであってもよい
し、第２高調波生成素子を有したレーザであってもよ
い。本出願人の実測によれば、第２高調波生成素子は、
レーザＲＩＮ（Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ
Ｎｏｉｓｅ）が−１３４ｄＢ／Ｈｚであり、一方、窒
化ガリウム系化合物半導体レーザの場合は、ＲＩＮが−
１２５ｄＢ／Ｈｚである。窒化ガリウム系化合物半導体
レーザの方が、ノイズが９ｄＢ大きいものの、どちらも
好適に用いることができる。
【０１３２】ここで、フォトディテクタ５０ｃについて
図２９を用いて説明する。図２９は、フォトディテクタ
５０ｃの分割状態と、情報記録担体１１との相対関係を
示す平面図である。図２９に示すように、フォトディテ
クタ５０ｃは、４分割に分割されている。すなわち、４
分割された素子Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが、情報記録担体１１の
半径方向、接線方向に関係づけられて配置されている。
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのそれぞれの各素子が受光して得られる
電流は、Ｉａ、Ｉｂ、Ｉｃ、Ｉｄであり、総和信号を生
成するときは、すべての電流を合計してＩａ＋Ｉｂ＋Ｉ
ｃ＋Ｉｄとなす。また差信号（プッシュプル信号）を生
成するときは、接線方向の合計同士を引き算することに
よって、（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ）を生成する。
図２９を用いて説明する。図２９は、フォトディテクタ
５０ｃの分割状態と、情報記録担体１１との相対関係を
示す平面図である。図２９に示すように、フォトディテ
クタ５０ｃは、４分割に分割されている。すなわち、４
分割された素子Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが、情報記録担体１１の
半径方向、接線方向に関係づけられて配置されている。
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのそれぞれの各素子が受光して得られる
電流は、Ｉａ、Ｉｂ、Ｉｃ、Ｉｄであり、総和信号を生
成するときは、すべての電流を合計してＩａ＋Ｉｂ＋Ｉ
ｃ＋Ｉｄとなす。また差信号（プッシュプル信号）を生
成するときは、接線方向の合計同士を引き算することに
よって、（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ）を生成する。
【０１３３】サーボ５２は、図面の説明上１つとした
が、ピックアップ５０の駆動制御用サーボ、及びモータ
５１の駆動制御用サーボの２つに分けてもよい。復調器
５４には、図示しない公知のイコライザーとＰＲＭＬ復
号回路が内蔵されていてもよい。例えばイコライザ（波
形等化器）として、非線形な入出力特性を有する複数の
変換系が独立した可変重みで結合されて、ニューラルネ
ットワークを構成する、いわゆるニューラルネットイコ
ライザ（特許第２７９７０３５号）や、再生信号の振幅
レベルを所定値に制限してからフィルタリング処理す
る、いわゆるリミットイコライザ（特開平１１−２５９
９８５号公報）、再生信号と波形等化目標値との誤差を
求めて、それを最小とするように波形等化器の周波数を
適応的に可変する、いわゆる誤差選択型イコライザ（特
開２００１−１１０１４６号公報記載）などを好適に用
いることができる。
が、ピックアップ５０の駆動制御用サーボ、及びモータ
５１の駆動制御用サーボの２つに分けてもよい。復調器
５４には、図示しない公知のイコライザーとＰＲＭＬ復
号回路が内蔵されていてもよい。例えばイコライザ（波
形等化器）として、非線形な入出力特性を有する複数の
変換系が独立した可変重みで結合されて、ニューラルネ
ットワークを構成する、いわゆるニューラルネットイコ
ライザ（特許第２７９７０３５号）や、再生信号の振幅
レベルを所定値に制限してからフィルタリング処理す
る、いわゆるリミットイコライザ（特開平１１−２５９
９８５号公報）、再生信号と波形等化目標値との誤差を
求めて、それを最小とするように波形等化器の周波数を
適応的に可変する、いわゆる誤差選択型イコライザ（特
開２００１−１１０１４６号公報記載）などを好適に用
いることができる。
【０１３４】また、公知のＰＲＭＬ復号回路のうち、予
測値制御／等化誤差演算回路を含み、ビタビ・アルゴリ
ズムの復号に用いる予測値を演算するとともに、波形等
化器の等化誤差を最小とするように周波数特性を最適化
する、いわゆるアダプティブビタビデコーダ（特開２０
００−２２８０６４号公報、及び特開２００１−１８６
０２７号公報）を好適に用いることができる
測値制御／等化誤差演算回路を含み、ビタビ・アルゴリ
ズムの復号に用いる予測値を演算するとともに、波形等
化器の等化誤差を最小とするように周波数特性を最適化
する、いわゆるアダプティブビタビデコーダ（特開２０
００−２２８０６４号公報、及び特開２００１−１８６
０２７号公報）を好適に用いることができる
【０１３５】次に、第１の再生装置５００の動作につい
て説明する。ここでは、第４微細パターン３Ｃを有した
情報記録担体１１のグルーブＧに記録されたユーザデー
タを再生するものとして説明する。ピックアップ５０の
発光素子５０ａから対物レンズ５０ｂを介して、再生光
９９を出射し、情報記録担体１１の第４微細パターン３
Ｃに集光させる。具体的には透光層１０の厚みに相当す
る５０〜１２０μｍの深度にある第４微細パターン３Ｃ
にフォーカスを行う。続いて、グルーブＧにトラッキン
グを行う。
て説明する。ここでは、第４微細パターン３Ｃを有した
情報記録担体１１のグルーブＧに記録されたユーザデー
タを再生するものとして説明する。ピックアップ５０の
発光素子５０ａから対物レンズ５０ｂを介して、再生光
９９を出射し、情報記録担体１１の第４微細パターン３
Ｃに集光させる。具体的には透光層１０の厚みに相当す
る５０〜１２０μｍの深度にある第４微細パターン３Ｃ
にフォーカスを行う。続いて、グルーブＧにトラッキン
グを行う。
【０１３６】そして、第４微細パターン３Ｃからの反射
光をフォトディテクタ５０ｃで受光して記録信号を読み
取る。この時、フォトディテクタ５０ｃの総和信号が、
復調器５４に送られ、情報が復元される。このように、
記録信号の読み取りは、第４微細パターン３Ｃ上のグル
ーブＧにトラッキングを取り、グルーブＧに記録されて
いる記録マークＭを再生することによって行われること
になる。なお、説明を省略したが、フォーカスにはフォ
ーカスエラー信号を生成し、トラッキングにはトラッキ
ングエラー信号を生成する必要がある。
光をフォトディテクタ５０ｃで受光して記録信号を読み
取る。この時、フォトディテクタ５０ｃの総和信号が、
復調器５４に送られ、情報が復元される。このように、
記録信号の読み取りは、第４微細パターン３Ｃ上のグル
ーブＧにトラッキングを取り、グルーブＧに記録されて
いる記録マークＭを再生することによって行われること
になる。なお、説明を省略したが、フォーカスにはフォ
ーカスエラー信号を生成し、トラッキングにはトラッキ
ングエラー信号を生成する必要がある。
【０１３７】フォーカスエラー信号やトラッキングエラ
ー信号は、４分割フォトディテクタ出力の半径方向の差
信号（すなわち（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））によ
って生成され、サーボ５２に送られる。そして、コント
ローラ６０の制御に基づいて、受信したフォーカスエラ
ー信号やトラッキングエラー信号より、サーボ５２内で
フォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号を生成
してピックアップ５０に送る。一方、サーボ５２からは
回転サーボ信号も生成して、モータ５１に送る。復調器
５４では、前記した記録信号を復調し、必要に応じて誤
り訂正を行い、得られたデーターストリームをインター
フェース（Ｉ／Ｆ）５５に送る。そして、コントローラ
６０の制御に基づいて信号を外部に送出する。
ー信号は、４分割フォトディテクタ出力の半径方向の差
信号（すなわち（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））によ
って生成され、サーボ５２に送られる。そして、コント
ローラ６０の制御に基づいて、受信したフォーカスエラ
ー信号やトラッキングエラー信号より、サーボ５２内で
フォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号を生成
してピックアップ５０に送る。一方、サーボ５２からは
回転サーボ信号も生成して、モータ５１に送る。復調器
５４では、前記した記録信号を復調し、必要に応じて誤
り訂正を行い、得られたデーターストリームをインター
フェース（Ｉ／Ｆ）５５に送る。そして、コントローラ
６０の制御に基づいて信号を外部に送出する。
【０１３８】以上のように、本発明における第１の再生
装置５００によれば、情報記録担体１１を装着してお
り、これらは、λ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長
を有する発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．
９の対物レンズ５０ｂと、４分割フォトディテクタ５０
ｃによって生成される再生光９９に適合して設計された
ものであるから、情報記録担体１１を良好に再生するこ
とができる。第１の再生装置５００は、記録層９に記録
されたユーザーデータを読み出すための再生装置であ
り、長時間にわたって連続して記録されたコンテンツを
再生することができる。例えばビデオレコーディングさ
れたＨＤＴＶ番組や映画の再生に用いることができる。
装置５００によれば、情報記録担体１１を装着してお
り、これらは、λ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長
を有する発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．
９の対物レンズ５０ｂと、４分割フォトディテクタ５０
ｃによって生成される再生光９９に適合して設計された
ものであるから、情報記録担体１１を良好に再生するこ
とができる。第１の再生装置５００は、記録層９に記録
されたユーザーデータを読み出すための再生装置であ
り、長時間にわたって連続して記録されたコンテンツを
再生することができる。例えばビデオレコーディングさ
れたＨＤＴＶ番組や映画の再生に用いることができる。
【０１３９】次に、本発明の実施形態における第２の再
生装置５１０について、図３０を用いて説明する。第２
の再生装置５１０は、図２８及び図２９に示す第１の再
生装置５００において、ピックアップ５０とコントロー
ラ６０との間にピックアップで読取ったアドレス情報復
調器５６を少なくとも備えたものであり、それ以外は同
様である。例えば、ビデオレコーディングされたＨＤＴ
Ｖ番組や映画の頭出し再生や、データの記録されたコン
ピュータデータの頭出し再生のための再生装置である。
生装置５１０について、図３０を用いて説明する。第２
の再生装置５１０は、図２８及び図２９に示す第１の再
生装置５００において、ピックアップ５０とコントロー
ラ６０との間にピックアップで読取ったアドレス情報復
調器５６を少なくとも備えたものであり、それ以外は同
様である。例えば、ビデオレコーディングされたＨＤＴ
Ｖ番組や映画の頭出し再生や、データの記録されたコン
ピュータデータの頭出し再生のための再生装置である。
【０１４０】前述したとおり、ピックアップ５０から復
調器５４へ送られる信号は、４分割フォトディテクタ５
０ｃの総和信号（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）である。一
方、ピックアップ５０からアドレス情報復調器５６へ送
られる信号は、４分割フォトディテクタ５０ｃの半径方
向の差信号（（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））であ
る。情報記録担体１１に溝蛇行として形成されたアドレ
ス情報は、その蛇行が半径方向になされているために、
この差信号をモニターすることで抽出できる。
調器５４へ送られる信号は、４分割フォトディテクタ５
０ｃの総和信号（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）である。一
方、ピックアップ５０からアドレス情報復調器５６へ送
られる信号は、４分割フォトディテクタ５０ｃの半径方
向の差信号（（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））であ
る。情報記録担体１１に溝蛇行として形成されたアドレ
ス情報は、その蛇行が半径方向になされているために、
この差信号をモニターすることで抽出できる。
【０１４１】アドレス情報復調器５６の具体的な構成
は、振幅変移変調復調器、周波数変移変調復調器、位相
変移変調復調器の少なくとも１つからなるものである。
具体的には、振幅変移変調復調器の場合、包絡線検波回
路など、周波数変移変調復調器の場合には周波数検波回
路や同期検波回路など、位相変移変調復調器の場合には
同期検波回路や遅延検波回路、包絡線検波回路などを好
適に用いることができる。４分割フォトディテクタの半
径方向の差信号から、補助信号領域２００を構成する振
幅変移変調波２５０、周波数変移変調波２６０、位相変
移変調波２７０が入力されて、これらが復号される。と
ころで、半径方向の差信号には、総和信号が少ないなが
ら洩れ込んでくることがある。これを避けるために、補
助信号の周波数帯域に合わせたバンドパスフィルタをア
ドレス情報復調器５６の前に接続してもよい。
は、振幅変移変調復調器、周波数変移変調復調器、位相
変移変調復調器の少なくとも１つからなるものである。
具体的には、振幅変移変調復調器の場合、包絡線検波回
路など、周波数変移変調復調器の場合には周波数検波回
路や同期検波回路など、位相変移変調復調器の場合には
同期検波回路や遅延検波回路、包絡線検波回路などを好
適に用いることができる。４分割フォトディテクタの半
径方向の差信号から、補助信号領域２００を構成する振
幅変移変調波２５０、周波数変移変調波２６０、位相変
移変調波２７０が入力されて、これらが復号される。と
ころで、半径方向の差信号には、総和信号が少ないなが
ら洩れ込んでくることがある。これを避けるために、補
助信号の周波数帯域に合わせたバンドパスフィルタをア
ドレス情報復調器５６の前に接続してもよい。
【０１４２】次に、第２の再生装置５１０の動作につい
て説明する。ここでは、微細パターン３Ｃを有した情報
記録担体１１のグルーブＧの支持体に形成されたアドレ
ス情報、及び記録層９に記録されたユーザデータを再生
するものとして説明する。ピックアップ５０の発光素子
５０ａから対物レンズ５０ｂを介して、再生光９９を出
射し、情報記録担体１１の第４微細パターン３Ｃに集光
させる。具体的には、透光層１０の厚みに相当する５０
〜１２０μｍの深度にある第４微細パターン３Ｃにフォ
ーカスを行う。続いて、グルーブＧにトラッキングを行
う。
て説明する。ここでは、微細パターン３Ｃを有した情報
記録担体１１のグルーブＧの支持体に形成されたアドレ
ス情報、及び記録層９に記録されたユーザデータを再生
するものとして説明する。ピックアップ５０の発光素子
５０ａから対物レンズ５０ｂを介して、再生光９９を出
射し、情報記録担体１１の第４微細パターン３Ｃに集光
させる。具体的には、透光層１０の厚みに相当する５０
〜１２０μｍの深度にある第４微細パターン３Ｃにフォ
ーカスを行う。続いて、グルーブＧにトラッキングを行
う。
【０１４３】ピックアップ５０のうち、４分割ディテク
ター５０ｃより差信号が生成され、アドレス情報復調器
５６に送られる。そして、アドレス情報が読み取られ
る。この時、再生したアドレス情報と、コントローラ６
０に入力されているデータ頭出しのためのアドレスとを
照合する。ここで一致が見られない場合には、コントロ
ーラ６０はサーボ５２に信号を送りサーチの指示を行
う。サーチは、ピックアップ５０の半径方向スキャンを
行いながら、モータ５１の回転数を半径移動に伴って、
半径に見合う回転数に設定しなおす。
ター５０ｃより差信号が生成され、アドレス情報復調器
５６に送られる。そして、アドレス情報が読み取られ
る。この時、再生したアドレス情報と、コントローラ６
０に入力されているデータ頭出しのためのアドレスとを
照合する。ここで一致が見られない場合には、コントロ
ーラ６０はサーボ５２に信号を送りサーチの指示を行
う。サーチは、ピックアップ５０の半径方向スキャンを
行いながら、モータ５１の回転数を半径移動に伴って、
半径に見合う回転数に設定しなおす。
【０１４４】スキャンの過程では、ピックアップ５０か
らの差信号を受けているアドレス復調器５６から出力さ
れるアドレスが、所定のアドレスと照合され、これらが
一致するまでサーチが続けられる。一致が見られると、
半径方向のスキャンは、中止され、連続再生に切り替え
られる。総和信号（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）が入力さ
れた復調器５４からの出力が、頭出しして得られたデー
タストリームの復調となり、インターフェース（Ｉ／
Ｆ）５５に入力される。そしてコントローラ６０の制御
に基づいて信号を外部に送出する。
らの差信号を受けているアドレス復調器５６から出力さ
れるアドレスが、所定のアドレスと照合され、これらが
一致するまでサーチが続けられる。一致が見られると、
半径方向のスキャンは、中止され、連続再生に切り替え
られる。総和信号（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）が入力さ
れた復調器５４からの出力が、頭出しして得られたデー
タストリームの復調となり、インターフェース（Ｉ／
Ｆ）５５に入力される。そしてコントローラ６０の制御
に基づいて信号を外部に送出する。
【０１４５】以上のように、本発明における第２の再生
装置５１０によれば、情報記録担体１１を装着してお
り、これらは、λ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長
を有する発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．
９の対物レンズ５０ｂによって生成される再生光９９に
適合して設計されたものであるから、情報記録担体１１
を良好に再生することができると同時に、アドレスをも
再生して、データストリームの頭出し再生を行うことが
できる。
装置５１０によれば、情報記録担体１１を装着してお
り、これらは、λ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長
を有する発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．
９の対物レンズ５０ｂによって生成される再生光９９に
適合して設計されたものであるから、情報記録担体１１
を良好に再生することができると同時に、アドレスをも
再生して、データストリームの頭出し再生を行うことが
できる。
【０１４６】次に、本発明の実施形態における記録装置
６００について図３１を用いて説明する。図２８乃至図
３０と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略す
る。記録装置６００は、図３０に示す第２の再生装置５
１０において復調器５４の代わりに、ピックアップ５０
とＩ／Ｆ５５との間に、変調信号を情報記録担体１１の
記録に相応しいように変形する波形変換器８３とオリジ
ナルデータを変調する変調器８２を直列に接続したもの
であり、それ以外は同様である。この記録装置６００
は、例えば、所定のアドレスに新規にコンピュータデー
タを記録したり、所定のアドレスより連続してＨＤＴＶ
番組や映画をビデオレコーディング記録したりするため
の記録装置である。
６００について図３１を用いて説明する。図２８乃至図
３０と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略す
る。記録装置６００は、図３０に示す第２の再生装置５
１０において復調器５４の代わりに、ピックアップ５０
とＩ／Ｆ５５との間に、変調信号を情報記録担体１１の
記録に相応しいように変形する波形変換器８３とオリジ
ナルデータを変調する変調器８２を直列に接続したもの
であり、それ以外は同様である。この記録装置６００
は、例えば、所定のアドレスに新規にコンピュータデー
タを記録したり、所定のアドレスより連続してＨＤＴＶ
番組や映画をビデオレコーディング記録したりするため
の記録装置である。
【０１４７】変調器８２は、例えばＥＦＭプラス変調で
あれば、オリジナルデータの８ビットを１６ビットに変
換する変調器である。波形変換器８３は、変調器８２か
ら受け取った変調信号を情報記録担体１１の記録に相応
しいように変形する。具体的には、情報記録担体１１の
記録層９の記録特性に合わせた記録パルスに変換する変
換器であり、例えば、記録層９が相変化材料である場合
には、いわゆるマルチパルスが形成される。即ち、変調
信号をチャネルビットもしくはそれ以下の単位に分割さ
れ、パワーを矩形波状に変化させるものである。ここ
で、マルチパルスを構成するピークパワー、ボトムパワ
ー、イレイスパワー、パルス時間などがコントローラ６
０の指示に従って設定される。
あれば、オリジナルデータの８ビットを１６ビットに変
換する変調器である。波形変換器８３は、変調器８２か
ら受け取った変調信号を情報記録担体１１の記録に相応
しいように変形する。具体的には、情報記録担体１１の
記録層９の記録特性に合わせた記録パルスに変換する変
換器であり、例えば、記録層９が相変化材料である場合
には、いわゆるマルチパルスが形成される。即ち、変調
信号をチャネルビットもしくはそれ以下の単位に分割さ
れ、パワーを矩形波状に変化させるものである。ここ
で、マルチパルスを構成するピークパワー、ボトムパワ
ー、イレイスパワー、パルス時間などがコントローラ６
０の指示に従って設定される。
【０１４８】次に、記録装置６００の動作について説明
する。ここでは、第４微細パターン３Ｃを有した情報記
録担体１１のグルーブＧの支持体に形成されたアドレス
情報を読み出し、その情報に基づいて、ユーザーデータ
を記録層９に記録するものとして説明する。ピックアッ
プ５０の発光素子５０ａから対物レンズ５０ｂを介し
て、再生光９９を出射し、情報記録担体１１の第４微細
パターン３Ｃに集光させる。具体的には、透光層１０の
厚みに相当する５０〜１２０μｍの深度にある第４微細
パターン３Ｃにフォーカスを行う。続いてグルーブＧに
トラッキングを行う。続いてピックアップ５０からの半
径方向の差信号（（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を
アドレス情報復調器５６に送り、アドレス情報が読み取
られる。この時、コントローラ６０に入力されている、
データ頭出しのためのアドレスと照合する。ここで一致
が見られない場合には、コントローラ６０はサーボ５２
に信号を送りサーチの指示を行う。
する。ここでは、第４微細パターン３Ｃを有した情報記
録担体１１のグルーブＧの支持体に形成されたアドレス
情報を読み出し、その情報に基づいて、ユーザーデータ
を記録層９に記録するものとして説明する。ピックアッ
プ５０の発光素子５０ａから対物レンズ５０ｂを介し
て、再生光９９を出射し、情報記録担体１１の第４微細
パターン３Ｃに集光させる。具体的には、透光層１０の
厚みに相当する５０〜１２０μｍの深度にある第４微細
パターン３Ｃにフォーカスを行う。続いてグルーブＧに
トラッキングを行う。続いてピックアップ５０からの半
径方向の差信号（（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を
アドレス情報復調器５６に送り、アドレス情報が読み取
られる。この時、コントローラ６０に入力されている、
データ頭出しのためのアドレスと照合する。ここで一致
が見られない場合には、コントローラ６０はサーボ５２
に信号を送りサーチの指示を行う。
【０１４９】サーチは、ピックアップ５０の半径方向ス
キャンを行いながら、モータ５１の回転数を半径移動に
伴って、半径に見合う回転数に設定し直す。スキャンの
過程では、ピックアップ５０からの差信号を受けている
アドレス情報復調器５６から出力されるアドレスが、所
定のアドレスと照合され、これらが一致するまでサーチ
が続けられる。一致が見られると、半径方向のスキャン
は、中止され、記録動作に切り替えられる。即ち、イン
ターフェース（Ｉ／Ｆ）８１から入力されたデータが、
コントローラ６０の制御に基づいて変調器８２によって
変調される。続いて、コントローラ６０の制御に基づい
て変調されたデータが波形変換器８３に入力され、記録
に相応しい様式に変換されてピックアップ５０に出力さ
れる。
キャンを行いながら、モータ５１の回転数を半径移動に
伴って、半径に見合う回転数に設定し直す。スキャンの
過程では、ピックアップ５０からの差信号を受けている
アドレス情報復調器５６から出力されるアドレスが、所
定のアドレスと照合され、これらが一致するまでサーチ
が続けられる。一致が見られると、半径方向のスキャン
は、中止され、記録動作に切り替えられる。即ち、イン
ターフェース（Ｉ／Ｆ）８１から入力されたデータが、
コントローラ６０の制御に基づいて変調器８２によって
変調される。続いて、コントローラ６０の制御に基づい
て変調されたデータが波形変換器８３に入力され、記録
に相応しい様式に変換されてピックアップ５０に出力さ
れる。
【０１５０】ピックアップ５０では、波形変換器８３で
設定された記録パワーに変更して、記録光８９を生成
し、情報記録担体１１に照射される。このようにして情
報記録担体１１の所定のアドレスに記録が行われる。記
録中も記録光８９によって半径方向の差信号（（Ｉａ＋
Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を読み取ることは、可能であ
り、アドレス復調器５６よりアドレスを抽出することが
できる。従って、ユーザー希望のアドレスまでの限定し
た領域記録も可能である。
設定された記録パワーに変更して、記録光８９を生成
し、情報記録担体１１に照射される。このようにして情
報記録担体１１の所定のアドレスに記録が行われる。記
録中も記録光８９によって半径方向の差信号（（Ｉａ＋
Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を読み取ることは、可能であ
り、アドレス復調器５６よりアドレスを抽出することが
できる。従って、ユーザー希望のアドレスまでの限定し
た領域記録も可能である。
【０１５１】記録に用いる信号は、その様式がマークポ
ジション記録、マークエッジ記録のいずれでも用いるこ
とができる。また記録に用いられる信号は、先述したよ
うにいわゆる（ｄ、ｋ）符号と呼ばれる最短マーク長を
ｄ＋１、最長マーク長をｋ＋１とした変調信号である。
この時、（ｄ、ｋ）変調信号は、固定長符号であっても
可変長符号であっても用いることができる。
ジション記録、マークエッジ記録のいずれでも用いるこ
とができる。また記録に用いられる信号は、先述したよ
うにいわゆる（ｄ、ｋ）符号と呼ばれる最短マーク長を
ｄ＋１、最長マーク長をｋ＋１とした変調信号である。
この時、（ｄ、ｋ）変調信号は、固定長符号であっても
可変長符号であっても用いることができる。
【０１５２】以上のように、本発明の実施形態における
記録装置６００によれば、情報記録担体１１を装着して
おり、これらはλ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長
を有する発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．
９の対物レンズ５０ｂによって生成される再生光９９及
び記録光８９に適合して設計されたものであるから、情
報記録担体１１に良好に記録することができると同時
に、アドレスをも再生して、記録のための任意位置出し
を行うことができる。
記録装置６００によれば、情報記録担体１１を装着して
おり、これらはλ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長
を有する発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．
９の対物レンズ５０ｂによって生成される再生光９９及
び記録光８９に適合して設計されたものであるから、情
報記録担体１１に良好に記録することができると同時
に、アドレスをも再生して、記録のための任意位置出し
を行うことができる。
【０１５３】本発明は、本発明の実施形態では、基本的
な部分のみについて説明したが、上記記載した内容以外
に、本発明を阻害しない範囲での種々変形や追加が可能
である。また、本発明は、第１及び第２の再生装置５０
０，５１０及び記録装置６００に関して、請求項に記載
した範囲以外に、第１及び第２の再生装置５００，５１
０及び記録装置６００の各動作についても含むものであ
る。装置の諸動作を、各々ステップに置き換えることに
より生成される再生方法、及び記録方法を含むものであ
る。また再生方法の各ステップを実行するコンピュータ
プログラム、及び記録方法の各ステップを実行するコン
ピュータプログラムを含むものである。
な部分のみについて説明したが、上記記載した内容以外
に、本発明を阻害しない範囲での種々変形や追加が可能
である。また、本発明は、第１及び第２の再生装置５０
０，５１０及び記録装置６００に関して、請求項に記載
した範囲以外に、第１及び第２の再生装置５００，５１
０及び記録装置６００の各動作についても含むものであ
る。装置の諸動作を、各々ステップに置き換えることに
より生成される再生方法、及び記録方法を含むものであ
る。また再生方法の各ステップを実行するコンピュータ
プログラム、及び記録方法の各ステップを実行するコン
ピュータプログラムを含むものである。
【０１５４】更に、本発明の実施形態における情報記録
担体を、具体的にした実施例１〜５について比較例１及
び２と併せて説明する。 実施例１ 図３１に示した記録装置６００及び図３０に示した第２
の再生装置５１０を用いて、記録再生を行う相変化記録
型ディスク状情報記録担体１１を用意する。ここで、記
録装置６００及び第２の再生装置５１０は、共にλ＝４
０５ｎｍであり、ＮＡ＝０．８５である光ピックアップ
５０（Ｓ＝λ／ＮＡ＝４７６ｎｍ）を有したものであ
る。
担体を、具体的にした実施例１〜５について比較例１及
び２と併せて説明する。 実施例１ 図３１に示した記録装置６００及び図３０に示した第２
の再生装置５１０を用いて、記録再生を行う相変化記録
型ディスク状情報記録担体１１を用意する。ここで、記
録装置６００及び第２の再生装置５１０は、共にλ＝４
０５ｎｍであり、ＮＡ＝０．８５である光ピックアップ
５０（Ｓ＝λ／ＮＡ＝４７６ｎｍ）を有したものであ
る。
【０１５５】以下に、実施例１の情報記録担体１１の構
成について説明する。支持体８は、厚さ１．１ｍｍのポ
リカーボネートからなり、記録層９は、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅに対して、記録補助の目的でＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1、Ｚｎ
ＳＳｉＯ2（８０：２０、ｍｏｌ％）を併用したもので
あり、支持体８に対して、ＡｇＰｄＣｕ、ＺｎＳＳｉＯ
2、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＺｎＳＳｉＯ2の順でスパッタリ
ング成膜法によって積層したものである。透光層１０
は、記録層９に対し、厚さ０．００５ｍｍの紫外線硬化
型透明接着剤を介して、厚さ０．０９５ｍｍのポリカー
ボネートが接着されたものである。この透光層１０のλ
における屈折率ｎは、１．６となっている。
成について説明する。支持体８は、厚さ１．１ｍｍのポ
リカーボネートからなり、記録層９は、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅに対して、記録補助の目的でＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1、Ｚｎ
ＳＳｉＯ2（８０：２０、ｍｏｌ％）を併用したもので
あり、支持体８に対して、ＡｇＰｄＣｕ、ＺｎＳＳｉＯ
2、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＺｎＳＳｉＯ2の順でスパッタリ
ング成膜法によって積層したものである。透光層１０
は、記録層９に対し、厚さ０．００５ｍｍの紫外線硬化
型透明接着剤を介して、厚さ０．０９５ｍｍのポリカー
ボネートが接着されたものである。この透光層１０のλ
における屈折率ｎは、１．６となっている。
【０１５６】そして、支持体８には、透光層１０側から
みて凸部にアドレス情報が変調されてウオブル形成され
ており、この凸部は両側壁が周期及び位相を同じくし
て、図１６の第４微細パターン３Ｃのように形成されて
いる。言い換えれば、凸部は、両側壁が平行として形成
されている。図１７に示す第４微細パターン３Ｃと同じ
であり、ピッチＰがＰ≦Ｓであり、０．０１Ｓ≦Δ≦
０．１５Ｓとなるように形成されている。
みて凸部にアドレス情報が変調されてウオブル形成され
ており、この凸部は両側壁が周期及び位相を同じくし
て、図１６の第４微細パターン３Ｃのように形成されて
いる。言い換えれば、凸部は、両側壁が平行として形成
されている。図１７に示す第４微細パターン３Ｃと同じ
であり、ピッチＰがＰ≦Ｓであり、０．０１Ｓ≦Δ≦
０．１５Ｓとなるように形成されている。
【０１５７】具体的には、Ｐ＝３２０ｎｍであり、Δ＝
５４ｎｍ、第４微細パターン３Ｃの凸部と凹部の高低差
は、２３ｎｍとなるように形成されている。また、変調
ウォブルは、正弦波（余弦波）を基本波とする図２４に
示す周波数変移変調波２６２からなり、２π±（π／
２．５）であり、周波数切り替え点で波が連続するよう
位相が選択されたものである。そして、透光層１０側よ
りレーザ光を照射して記録層９を反射率の低いアモルフ
ァス状態から、反射率の高い結晶状態へ相変化させて、
初期化されたものである。
５４ｎｍ、第４微細パターン３Ｃの凸部と凹部の高低差
は、２３ｎｍとなるように形成されている。また、変調
ウォブルは、正弦波（余弦波）を基本波とする図２４に
示す周波数変移変調波２６２からなり、２π±（π／
２．５）であり、周波数切り替え点で波が連続するよう
位相が選択されたものである。そして、透光層１０側よ
りレーザ光を照射して記録層９を反射率の低いアモルフ
ァス状態から、反射率の高い結晶状態へ相変化させて、
初期化されたものである。
【０１５８】次に、実施例１の情報記録担体１１への記
録について説明する。実施例１の情報記録担体１１をλ
４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップ５０を備えた
図３１に示す記録装置６００に装着し、透光層１０側か
ら見て凸部（グルーブＧ）より再生した差信号をアドレ
ス情報復調器５６に導き、得られたアドレス情報と所望
のアドレスとを照合しながら、ピックアップ５０を所望
のアドレスまで誘導し、透光層１０から見た凸部（グル
ーブＧ）の記録層９に（ｄ、ｋ）符号により、記録マー
クＭの記録を行う。この際、（ｄ、ｋ）符号は、１７Ｐ
Ｐ変調であり、記録マークＭの最短マーク長（＝２Ｔ）
は、０．１４９μｍである。
録について説明する。実施例１の情報記録担体１１をλ
４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップ５０を備えた
図３１に示す記録装置６００に装着し、透光層１０側か
ら見て凸部（グルーブＧ）より再生した差信号をアドレ
ス情報復調器５６に導き、得られたアドレス情報と所望
のアドレスとを照合しながら、ピックアップ５０を所望
のアドレスまで誘導し、透光層１０から見た凸部（グル
ーブＧ）の記録層９に（ｄ、ｋ）符号により、記録マー
クＭの記録を行う。この際、（ｄ、ｋ）符号は、１７Ｐ
Ｐ変調であり、記録マークＭの最短マーク長（＝２Ｔ）
は、０．１４９μｍである。
【０１５９】記録条件としては、以下のとおりである。
記録ピークパワー６．０ｍＷ、バイアスパワー２．６ｍ
Ｗ、マルチパルス間ならびに冷却パルスのボトムパワー
０．１ｍＷ、線速度５．３ｍ／ｓである。そして、波形
変換器８３によりいわゆるマルチパルスに変換した記録
であり、先頭パルスとそれに続くパルスの幅を記録周期
１Ｔの０．４倍、冷却パルスを記録周期１Ｔの０．４倍
とした３値パワー変調を採用している。
記録ピークパワー６．０ｍＷ、バイアスパワー２．６ｍ
Ｗ、マルチパルス間ならびに冷却パルスのボトムパワー
０．１ｍＷ、線速度５．３ｍ／ｓである。そして、波形
変換器８３によりいわゆるマルチパルスに変換した記録
であり、先頭パルスとそれに続くパルスの幅を記録周期
１Ｔの０．４倍、冷却パルスを記録周期１Ｔの０．４倍
とした３値パワー変調を採用している。
【０１６０】次に、変調された実施例１の情報記録担体
１１の評価を以下のように行う。実施例１の情報記録担
体１１をλ４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップ５
０を有した図３０に示す第２の再生装置５１０に装着
し、透光層１０側から見た凸部（グルーブＧ）の再生を
行って評価を行う。ピックアップ５０の総和信号より、
変調振幅（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が０．５２
の信号が得られた。また、復調器５４から得られる再生
信号は、２×１０-5の良好なエラーレートであり、実用
上問題のないデータが抽出できることがわかった。アド
レス情報復調器５６から得られるアドレス情報のエラー
レートは、記録部分で１％程度であり、アドレスデータ
を良好に復元できた。このアドレス情報のエラーレート
は、記録層９への記録を行った後の再生で、５％以下で
あると、誤り訂正処理により、エラーのほとんどないデ
ータ復元ができるので、極めて相応しいものである。
１１の評価を以下のように行う。実施例１の情報記録担
体１１をλ４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップ５
０を有した図３０に示す第２の再生装置５１０に装着
し、透光層１０側から見た凸部（グルーブＧ）の再生を
行って評価を行う。ピックアップ５０の総和信号より、
変調振幅（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が０．５２
の信号が得られた。また、復調器５４から得られる再生
信号は、２×１０-5の良好なエラーレートであり、実用
上問題のないデータが抽出できることがわかった。アド
レス情報復調器５６から得られるアドレス情報のエラー
レートは、記録部分で１％程度であり、アドレスデータ
を良好に復元できた。このアドレス情報のエラーレート
は、記録層９への記録を行った後の再生で、５％以下で
あると、誤り訂正処理により、エラーのほとんどないデ
ータ復元ができるので、極めて相応しいものである。
【０１６１】ここで、支持体８の作製方法について説明
する。図１に示すように、光学グレードに仕上げられ
た、ソーダライムガラス状の基体１（酸化珪素７０％含
有）を用意し、続いて図２のように、この平坦な基体１
表面にポジ型のエネルギー線感応膜２を均一に塗布す
る。このポジ型のエネルギー線感応膜２は、エネルギー
線の照射を受けて、２ステップで分解するものであり、
クレゾールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドの混
合材料を用いる。
する。図１に示すように、光学グレードに仕上げられ
た、ソーダライムガラス状の基体１（酸化珪素７０％含
有）を用意し、続いて図２のように、この平坦な基体１
表面にポジ型のエネルギー線感応膜２を均一に塗布す
る。このポジ型のエネルギー線感応膜２は、エネルギー
線の照射を受けて、２ステップで分解するものであり、
クレゾールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドの混
合材料を用いる。
【０１６２】続いて、図１２に示すエネルギー線照射装
置３０を用い、図示しないプロセッサを経由して、外部
よりビーム整形器１２２に周波数変移変調波２６２を入
力し、ポジ型のエネルギー線感応性膜２上に収束エネル
ギー線を照射する。なお、エネルギー線源１２１は、２
６６ｎｍを発光するレーザであり、ビーム整形器１２２
は、アドレスの変調信号に対応して、収束エネルギー線
を半径方向に偏向する電気光学結晶素子による偏向器
（ＥＯＤ）である。このようにして、図１１に示す如
く、第１微細パターン３を、グルーブＧの両側面のウォ
ブルの周期及び位相が等しくなるよう記録する。続いて
アルカリ現像処理を行って、そして、アドレスウォブル
を有したグルーブＧを形成して、図３に示す第１微細パ
ターン３を形成する。
置３０を用い、図示しないプロセッサを経由して、外部
よりビーム整形器１２２に周波数変移変調波２６２を入
力し、ポジ型のエネルギー線感応性膜２上に収束エネル
ギー線を照射する。なお、エネルギー線源１２１は、２
６６ｎｍを発光するレーザであり、ビーム整形器１２２
は、アドレスの変調信号に対応して、収束エネルギー線
を半径方向に偏向する電気光学結晶素子による偏向器
（ＥＯＤ）である。このようにして、図１１に示す如
く、第１微細パターン３を、グルーブＧの両側面のウォ
ブルの周期及び位相が等しくなるよう記録する。続いて
アルカリ現像処理を行って、そして、アドレスウォブル
を有したグルーブＧを形成して、図３に示す第１微細パ
ターン３を形成する。
【０１６３】続いて、図４に示すように、第１微細パタ
ーン３が形成された基体１上に、薄い導電膜（図示せ
ず）を介して、２５０μｍ厚のニッケルからなる第１メ
ッキ層４を形成する。続いて図５に示すように、これら
を剥離して第２微細パターン３Ａを有する第１メッキ型
５を作製する。続いて図６に示すように、第２微細パタ
ーン３Ａが形成された第１メッキ型５上に第２メッキ層
６を形成した。そして図７に示すように、第１メッキ型
５から第２メッキ層６を剥離して第３微細パターン３Ｂ
が形成された第２メッキ型７（ニッケル製３００μｍ
厚）を作製する。
ーン３が形成された基体１上に、薄い導電膜（図示せ
ず）を介して、２５０μｍ厚のニッケルからなる第１メ
ッキ層４を形成する。続いて図５に示すように、これら
を剥離して第２微細パターン３Ａを有する第１メッキ型
５を作製する。続いて図６に示すように、第２微細パタ
ーン３Ａが形成された第１メッキ型５上に第２メッキ層
６を形成した。そして図７に示すように、第１メッキ型
５から第２メッキ層６を剥離して第３微細パターン３Ｂ
が形成された第２メッキ型７（ニッケル製３００μｍ
厚）を作製する。
【０１６４】次に、図８に示すように、第２メッキ型７
を射出成形機に取り付け、この第２メッキ型７に溶融し
たポリカーボネート樹脂を注入し、冷却して、図８に示
す支持体８を作製する。支持体８の表面には、第３微細
パターン３Ｂを有する第２メッキ型７から反転転写され
て、第４微細パターン３Ｃが形成される。
を射出成形機に取り付け、この第２メッキ型７に溶融し
たポリカーボネート樹脂を注入し、冷却して、図８に示
す支持体８を作製する。支持体８の表面には、第３微細
パターン３Ｂを有する第２メッキ型７から反転転写され
て、第４微細パターン３Ｃが形成される。
【０１６５】実施例２
実施例２の情報記録担体は、（ｄ、ｋ）符号をＤ４，６
変調とし、最短マーク長（＝２Ｔ）を０．１５４μｍと
した以外は、実施例１と同様である。また、前記と同様
に記録を行って、透光層１０側から見た凸部（グルーブ
Ｇ）の再生を行って評価を行った。変調振幅（＝（Ｉ１
０Ｈ−Ｉ１０Ｌ）／Ｉ１０Ｈ）が０．６０の信号が得ら
れた。また、復調器５４から得られる再生信号は、８×
１０-6の良好なエラーレートであり、実用上問題のない
データが抽出できることがわかった。更に、アドレス情
報のエラーレートは、記録部分で１％程度であり、アド
レスデータを良好に復元できた。
変調とし、最短マーク長（＝２Ｔ）を０．１５４μｍと
した以外は、実施例１と同様である。また、前記と同様
に記録を行って、透光層１０側から見た凸部（グルーブ
Ｇ）の再生を行って評価を行った。変調振幅（＝（Ｉ１
０Ｈ−Ｉ１０Ｌ）／Ｉ１０Ｈ）が０．６０の信号が得ら
れた。また、復調器５４から得られる再生信号は、８×
１０-6の良好なエラーレートであり、実用上問題のない
データが抽出できることがわかった。更に、アドレス情
報のエラーレートは、記録部分で１％程度であり、アド
レスデータを良好に復元できた。
【０１６６】実施例３
実施例３の情報記録担体は、（ｄ、ｋ）符号をＤ８−１
５変調とし、最短マーク長（＝３Ｔ）を０．１８５μｍ
とした以外は実施例１と同様である。また、前記と同様
に記録を行った。そして、透光層１０側から見た凸部
（グルーブＧ）の再生を行って評価を行ったところ、変
調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ１２Ｈ）が０．
６３の信号が得られた。また、復調器５４から得られる
再生信号は、４×１０-6の良好なエラーレートであり、
実用上問題のないデータが抽出できることがわかった。
更に、アドレス情報のエラーレートは、記録部分で１％
程度であり、アドレスデータを良好に復元できた。
５変調とし、最短マーク長（＝３Ｔ）を０．１８５μｍ
とした以外は実施例１と同様である。また、前記と同様
に記録を行った。そして、透光層１０側から見た凸部
（グルーブＧ）の再生を行って評価を行ったところ、変
調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ１２Ｈ）が０．
６３の信号が得られた。また、復調器５４から得られる
再生信号は、４×１０-6の良好なエラーレートであり、
実用上問題のないデータが抽出できることがわかった。
更に、アドレス情報のエラーレートは、記録部分で１％
程度であり、アドレスデータを良好に復元できた。
【０１６７】実施例４
実施例４の情報記録担体は、透光層１０から見た凸部
（グルーブＧ）にアドレス情報を、位相変移変調波２７
２によりウオブルを記録した情報記録担体１１とした以
外は実施例１と同様である。また、前記と同様に、記録
を行った。そして、透光層１０側から見た凸部（グルー
ブＧ）の再生を行って評価を行ったところ、変調振幅
（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が０．５２の信号が
得られた。また、復調器５４から得られる再生信号は、
２×１０-5の良好なエラーレートであり、実用上問題の
ないデータが抽出できた。アドレス情報エラーレートも
記録部分で０．１％程度であり、アドレスデータを良好
に復元できた。
（グルーブＧ）にアドレス情報を、位相変移変調波２７
２によりウオブルを記録した情報記録担体１１とした以
外は実施例１と同様である。また、前記と同様に、記録
を行った。そして、透光層１０側から見た凸部（グルー
ブＧ）の再生を行って評価を行ったところ、変調振幅
（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が０．５２の信号が
得られた。また、復調器５４から得られる再生信号は、
２×１０-5の良好なエラーレートであり、実用上問題の
ないデータが抽出できた。アドレス情報エラーレートも
記録部分で０．１％程度であり、アドレスデータを良好
に復元できた。
【０１６８】実施例５
図３１に示した記録装置６００及び図３０に示した第２
の再生装置５１０を用いて、記録再生を行う実施例５の
相変化記録型ディスク状の情報記録担体１１を用意す
る。ここで、記録装置６００及び再生装置５１０は、共
にλ＝４０５ｎｍであり、ＮＡ＝０．８５である光ピッ
クアップ５０（Ｓ＝λ／ＮＡ＝４７６ｎｍ）を有したも
のである。実施例５の情報記録担体１１の作製について
以下に説明する。図１のように、光学グレードに仕上げ
られた、珪素基体１を用意し、続いて図２のように、こ
の平坦な基体１表面にネガ型のエネルギー線感応膜２を
均一に塗布する。このネガ型のエネルギー線感応膜２
は、エネルギー線の照射を受けて、２ステップで不溶化
するものであり、架橋型アクリレート樹脂を用いてい
る。
の再生装置５１０を用いて、記録再生を行う実施例５の
相変化記録型ディスク状の情報記録担体１１を用意す
る。ここで、記録装置６００及び再生装置５１０は、共
にλ＝４０５ｎｍであり、ＮＡ＝０．８５である光ピッ
クアップ５０（Ｓ＝λ／ＮＡ＝４７６ｎｍ）を有したも
のである。実施例５の情報記録担体１１の作製について
以下に説明する。図１のように、光学グレードに仕上げ
られた、珪素基体１を用意し、続いて図２のように、こ
の平坦な基体１表面にネガ型のエネルギー線感応膜２を
均一に塗布する。このネガ型のエネルギー線感応膜２
は、エネルギー線の照射を受けて、２ステップで不溶化
するものであり、架橋型アクリレート樹脂を用いてい
る。
【０１６９】続いて、図１２に示すエネルギー線照射装
置３０を用い、図示しないプロセッサを経由して、外部
よりビーム整形器１２２に周波数変移変調波２６２を入
力し、ポジ型のエネルギー線感応性膜２上に収束エネル
ギー線を照射する。なお、エネルギー線源１２１は、電
子線照射装置であり、ビーム整形器１２２は、アドレス
の変調信号に対応して、収束エネルギー線を半径方向に
偏向するビーム偏向器である。このようにして、第１微
細パターン３を、ランドＬの両側面のウォブルの周期及
び位相が等しくなるようにして記録する。
置３０を用い、図示しないプロセッサを経由して、外部
よりビーム整形器１２２に周波数変移変調波２６２を入
力し、ポジ型のエネルギー線感応性膜２上に収束エネル
ギー線を照射する。なお、エネルギー線源１２１は、電
子線照射装置であり、ビーム整形器１２２は、アドレス
の変調信号に対応して、収束エネルギー線を半径方向に
偏向するビーム偏向器である。このようにして、第１微
細パターン３を、ランドＬの両側面のウォブルの周期及
び位相が等しくなるようにして記録する。
【０１７０】次に、有機溶剤現像処理を行って、アドレ
スウォブルを有したランドＬを形成する。なお、この時
の製作寸法は、ピッチＰがＰ≦Ｓであり、０．０１Ｓ≦
Δ≦０．１５Ｓとなるように形成する。具体的にはＰ＝
３２０ｎｍであり、Δ＝５４ｎｍとなるように形成す
る。また、変調ウォブルは、正弦波（余弦波）を基本波
とした周波数変移変調波２６２からなり、２π±（π／
２．５）であり、さらに周波数切り替え点で波が連続す
るよう位相が選択されたものである。
スウォブルを有したランドＬを形成する。なお、この時
の製作寸法は、ピッチＰがＰ≦Ｓであり、０．０１Ｓ≦
Δ≦０．１５Ｓとなるように形成する。具体的にはＰ＝
３２０ｎｍであり、Δ＝５４ｎｍとなるように形成す
る。また、変調ウォブルは、正弦波（余弦波）を基本波
とした周波数変移変調波２６２からなり、２π±（π／
２．５）であり、さらに周波数切り替え点で波が連続す
るよう位相が選択されたものである。
【０１７１】次に、薄い導電膜を介して、３００μｍ厚
のメッキを施し、これを剥離して、図１４に示すよう
に、第５微細パターン３Ｄを有する第３メッキ型１２を
形成した（ニッケル製２５０μｍ）。図１５に示すよう
に、この第３メッキ型１２を射出成形機に取り付け、溶
融したポリカーボネート樹脂を注入し、冷却して、図８
に示す支持体８を作製する。支持体８の表面には第５微
細パターン３Ｄを反転した、第６微細パターン３Ｅが形
成される。
のメッキを施し、これを剥離して、図１４に示すよう
に、第５微細パターン３Ｄを有する第３メッキ型１２を
形成した（ニッケル製２５０μｍ）。図１５に示すよう
に、この第３メッキ型１２を射出成形機に取り付け、溶
融したポリカーボネート樹脂を注入し、冷却して、図８
に示す支持体８を作製する。支持体８の表面には第５微
細パターン３Ｄを反転した、第６微細パターン３Ｅが形
成される。
【０１７２】続いて、図９及び図１０に示すように、記
録層９及び透光層１０を形成する。これらの層の形成方
法は、実施例１と同じように行う。また、作製した情報
記録担体１１に、透光層１０側よりレーザ光を照射して
記録層９を反射率の低いアモルファス状態から、反射率
の高い結晶状態へ相変化させて、初期化を行う。
録層９及び透光層１０を形成する。これらの層の形成方
法は、実施例１と同じように行う。また、作製した情報
記録担体１１に、透光層１０側よりレーザ光を照射して
記録層９を反射率の低いアモルファス状態から、反射率
の高い結晶状態へ相変化させて、初期化を行う。
【０１７３】次に、実施例５の情報記録担体への記録に
ついて説明する。実施例５の情報記録担体をλ＝４０５
ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のピックアップ５０を有した記録
装置６００に装着し、情報記録担体１１の透光層１０側
から見て凸部（ランドＬ）より再生した差信号をアドレ
ス情報復調器５６に導き、得られたアドレス情報と所望
のアドレスとを照合しながら、ピックアップ５０を所望
のアドレスまで誘導し、透光層１０から見た凸部（ラン
ドＬ）の記録層９に（ｄ、ｋ）符号により、記録マーク
Ｍの記録を行う。この際、（ｄ、ｋ）符号は、１７ＰＰ
変調であり、記録マークＭの最短マーク長（＝２Ｔ）
は、０．１４９μｍである。
ついて説明する。実施例５の情報記録担体をλ＝４０５
ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のピックアップ５０を有した記録
装置６００に装着し、情報記録担体１１の透光層１０側
から見て凸部（ランドＬ）より再生した差信号をアドレ
ス情報復調器５６に導き、得られたアドレス情報と所望
のアドレスとを照合しながら、ピックアップ５０を所望
のアドレスまで誘導し、透光層１０から見た凸部（ラン
ドＬ）の記録層９に（ｄ、ｋ）符号により、記録マーク
Ｍの記録を行う。この際、（ｄ、ｋ）符号は、１７ＰＰ
変調であり、記録マークＭの最短マーク長（＝２Ｔ）
は、０．１４９μｍである。
【０１７４】記録条件としは、以下のとおりである。記
録ピークパワー６．０ｍＷ、バイアスパワー２．６ｍ
Ｗ、マルチパルス間ならびに冷却パルスのボトムパワー
０．１ｍＷ、線速度５．３ｍ／ｓである。そして、波形
変換器８３により、いわゆるマルチパルスに変換した記
録であり、先頭パルスとそれに続くパルスの幅を記録周
期１Ｔの０．４倍、冷却パルスを記録周期１Ｔの０．４
倍とした３値パワー変調を採用している。
録ピークパワー６．０ｍＷ、バイアスパワー２．６ｍ
Ｗ、マルチパルス間ならびに冷却パルスのボトムパワー
０．１ｍＷ、線速度５．３ｍ／ｓである。そして、波形
変換器８３により、いわゆるマルチパルスに変換した記
録であり、先頭パルスとそれに続くパルスの幅を記録周
期１Ｔの０．４倍、冷却パルスを記録周期１Ｔの０．４
倍とした３値パワー変調を採用している。
【０１７５】次に、実施例５の情報記録担体の記録を以
下のように行った。実施例５の情報記録担体をλ＝４０
５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のピックアップ５０を有した図
３０に示す第２の再生装置５１０に装着し、透光層１０
から見た凸部（ランドＬ）の再生して、評価を行った。
ピックアップ５０の総和信号より、変調振幅（＝（Ｉ８
Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が０．５３の信号が得られた。
また、復調器５４から得られる再生信号は、２．１×１
０-5の良好なエラーレートであり、実用上問題のないデ
ータが抽出できることがわかった。また、アドレス情報
復調器５６から得られるアドレス情報のエラーレート
は、記録部分で１％程度であり、アドレスデータを良好
に復元できた。
下のように行った。実施例５の情報記録担体をλ＝４０
５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のピックアップ５０を有した図
３０に示す第２の再生装置５１０に装着し、透光層１０
から見た凸部（ランドＬ）の再生して、評価を行った。
ピックアップ５０の総和信号より、変調振幅（＝（Ｉ８
Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が０．５３の信号が得られた。
また、復調器５４から得られる再生信号は、２．１×１
０-5の良好なエラーレートであり、実用上問題のないデ
ータが抽出できることがわかった。また、アドレス情報
復調器５６から得られるアドレス情報のエラーレート
は、記録部分で１％程度であり、アドレスデータを良好
に復元できた。
【０１７６】以上のように、実施例１〜５における情報
記録担体１１は、十分な変調振幅が得られ、エラーレー
トを十分低く抑えることができ、アドレス信号の復調も
良好に行えるものであることがわかった。
記録担体１１は、十分な変調振幅が得られ、エラーレー
トを十分低く抑えることができ、アドレス信号の復調も
良好に行えるものであることがわかった。
【０１７７】次に、比較例１及び２について説明する。
比較例１
比較例１の情報記録担体は、第２微細パターン３Ａを有
する第１メッキ型５を用いて、支持体８を射出成形する
ことが異なり、それ以外は、実施例１と同じ作製方法で
作製されたものである。この製造方法は、ＤＶＤで用い
られるスタンパ法と同じ製造方法である。このようにし
て作製された情報記録担体を実施例１と同様に、図３１
に示す記録装置６００を用いて、透光層１０側から見た
凸部に対して選択的に、（ｄ、ｋ）符号による記録を行
い、図３０に示す第２の再生装置５１０を用いて、透光
層１０から見た凸部の再生して評価を行った。
する第１メッキ型５を用いて、支持体８を射出成形する
ことが異なり、それ以外は、実施例１と同じ作製方法で
作製されたものである。この製造方法は、ＤＶＤで用い
られるスタンパ法と同じ製造方法である。このようにし
て作製された情報記録担体を実施例１と同様に、図３１
に示す記録装置６００を用いて、透光層１０側から見た
凸部に対して選択的に、（ｄ、ｋ）符号による記録を行
い、図３０に示す第２の再生装置５１０を用いて、透光
層１０から見た凸部の再生して評価を行った。
【０１７８】ところが、アドレス情報は支離滅裂であ
り、アドレスを得て位置出しを行うことは不可能であっ
た。透光層１０側から見た凸部は、両側壁の周期及び位
相が同じではなく、すなわち、互いに平行ではないため
で、異なるアドレスが同時に混信して再生することによ
る。なお、位置出しは行えなかったが、広域に記録を試
み、図３０に示す第２の再生装置５１０において略同一
半径の再生を行ったところ、ピックアップ５０の総和信
号より、変調振幅（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が
０．５２の信号が得られた。また、復調器５４から得ら
れる再生信号は、２×１０-5の良好なエラーレートであ
り、実用上問題のないデータが抽出できることがわかっ
た。しかしアドレス情報復調器５６から得られるアドレ
ス情報は、記録装置６００と同様、混信した支離滅裂な
データであった。
り、アドレスを得て位置出しを行うことは不可能であっ
た。透光層１０側から見た凸部は、両側壁の周期及び位
相が同じではなく、すなわち、互いに平行ではないため
で、異なるアドレスが同時に混信して再生することによ
る。なお、位置出しは行えなかったが、広域に記録を試
み、図３０に示す第２の再生装置５１０において略同一
半径の再生を行ったところ、ピックアップ５０の総和信
号より、変調振幅（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が
０．５２の信号が得られた。また、復調器５４から得ら
れる再生信号は、２×１０-5の良好なエラーレートであ
り、実用上問題のないデータが抽出できることがわかっ
た。しかしアドレス情報復調器５６から得られるアドレ
ス情報は、記録装置６００と同様、混信した支離滅裂な
データであった。
【０１７９】比較例２
比較例２の情報記録担体は、比較例１と同じ製造方法で
作製した。このようにして製造した情報記録担体を記録
装置６００を用いて、透光層１０側から見た凹部に対し
て選択的に、（ｄ、ｋ）符号による記録を行った。この
際、アドレス情報は、正しく復調され、正確な位置決め
をした記録を行うことができた。次に、図３０に示す第
２の再生装置５１０を用いて、透光層１０側から見た凹
部の再生して評価を行った。ピックアップ５０の差信号
より、アドレス情報復調器５６から得られるアドレス情
報は、記録部分で１％程度であり、アドレスデータは良
好に復元できた。
作製した。このようにして製造した情報記録担体を記録
装置６００を用いて、透光層１０側から見た凹部に対し
て選択的に、（ｄ、ｋ）符号による記録を行った。この
際、アドレス情報は、正しく復調され、正確な位置決め
をした記録を行うことができた。次に、図３０に示す第
２の再生装置５１０を用いて、透光層１０側から見た凹
部の再生して評価を行った。ピックアップ５０の差信号
より、アドレス情報復調器５６から得られるアドレス情
報は、記録部分で１％程度であり、アドレスデータは良
好に復元できた。
【０１８０】しかしながら、総和信号からは、変調振幅
（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が０．３７程度の弱
い信号であり、更に、復調器５４から得られる再生信号
は、２×１０-3のエラーレートであり、エラーの多いデ
ータが再生された。以上、実施例１〜５及び比較例１及
び２に示したように、透光層１０が０．０５〜０．１２
ｍｍであり、透光層１０側からみて凸側に両側壁が周期
及び位相を同じとしてアドレス情報が変調された情報記
録担体１１を用い、この凸部に記録及び再生を行うこと
によって、記録層９記録の変調振幅、エラーレート及び
アドレスエラーレートのすべてを満足する情報記録担体
とすることができる。
（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈ）が０．３７程度の弱
い信号であり、更に、復調器５４から得られる再生信号
は、２×１０-3のエラーレートであり、エラーの多いデ
ータが再生された。以上、実施例１〜５及び比較例１及
び２に示したように、透光層１０が０．０５〜０．１２
ｍｍであり、透光層１０側からみて凸側に両側壁が周期
及び位相を同じとしてアドレス情報が変調された情報記
録担体１１を用い、この凸部に記録及び再生を行うこと
によって、記録層９記録の変調振幅、エラーレート及び
アドレスエラーレートのすべてを満足する情報記録担体
とすることができる。
【０１８１】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ光照射側から見
て凸部に情報記録ができるために、高出力高品質の再生
信号が得られ、エラーレートが少なく、高密度の記録再
生ができる。またレーザ光照射側から見て凸部における
両側面のウォブル周期及び位相が同一であるので、混信
を起こさず、正確なアドレス情報を再生することができ
る。
て凸部に情報記録ができるために、高出力高品質の再生
信号が得られ、エラーレートが少なく、高密度の記録再
生ができる。またレーザ光照射側から見て凸部における
両側面のウォブル周期及び位相が同一であるので、混信
を起こさず、正確なアドレス情報を再生することができ
る。
【図１】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（基板準備工程）を示す図である。
方法の（基板準備工程）を示す図である。
【図２】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（エネルギー線感応膜形成工程）を示す図であ
る。
方法の（エネルギー線感応膜形成工程）を示す図であ
る。
【図３】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（第１微細パターン形成工程）を示す図である。
方法の（第１微細パターン形成工程）を示す図である。
【図４】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（第１メッキ層形成工程）を示す図である。
方法の（第１メッキ層形成工程）を示す図である。
【図５】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（第１メッキ型作製工程）を示す図である。
方法の（第１メッキ型作製工程）を示す図である。
【図６】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（第２メッキ層形成工程）を示す図である。
方法の（第２メッキ層形成工程）を示す図である。
【図７】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（第２メッキ型作製工程）を示す図である。
方法の（第２メッキ型作製工程）を示す図である。
【図８】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（支持体形成工程）を示す図である。
方法の（支持体形成工程）を示す図である。
【図９】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（記録層形成工程）を示す図である。
方法の（記録層形成工程）を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態における情報記録担体の製
造方法により作製された情報記録担体を示す図である。
造方法により作製された情報記録担体を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態における情報記録担体の製
造方法により形成される微細パターンを示す平面図であ
る。
造方法により形成される微細パターンを示す平面図であ
る。
【図１２】微細パターン記録を行う第１のエネルギー線
照射装置を示す図である。
照射装置を示す図である。
【図１３】微細パターン記録を行う第２のエネルギー線
照射装置を示す図である。
照射装置を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態の（ネガ型メッキ型作製工
程）にネガ型のエネルギー感応膜を適用した場合の工程
を示す図である。
程）にネガ型のエネルギー感応膜を適用した場合の工程
を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態の（ネガ型支持体形成工
程）を示す図である。
程）を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態における情報記録担体の製
造方法により形成される微細パターンを示す拡大平面図
である。
造方法により形成される微細パターンを示す拡大平面図
である。
【図１７】本発明における情報記録担体を、ディスク形
状のＣＬＶ記録に適応した場合の情報記録担体を上方か
ら見た拡大平面図である。
状のＣＬＶ記録に適応した場合の情報記録担体を上方か
ら見た拡大平面図である。
【図１８】発明における情報記録担体を、ディスク形状
のＣＬＶ記録に適応し、更にユーザー記録を行った場合
の情報記録担体を上方から見た拡大平面図である。
のＣＬＶ記録に適応し、更にユーザー記録を行った場合
の情報記録担体を上方から見た拡大平面図である。
【図１９】第４微細パターンに記録した第１の振幅変移
変調波を示す図である。
変調波を示す図である。
【図２０】第４微細パターンに記録した第２の振幅変移
変調波を示す図である。
変調波を示す図である。
【図２１】第４微細パターンに記録した第３の振幅変移
変調波を示す図である。
変調波を示す図である。
【図２２】第４の微細パターンに記録した第１の周波数
変移変調波を示す図である。
変移変調波を示す図である。
【図２３】第４の微細パターンに記録した第２の周波数
変移変調波を示す図である。
変移変調波を示す図である。
【図２４】第４の微細パターンに記録した第３の周波数
変移変調波を示す図である。
変移変調波を示す図である。
【図２５】第４の微細パターンに記録した第１の位相変
移変調波を示す図である。
移変調波を示す図である。
【図２６】第４の微細パターンに記録した第２の位相変
移変調波を示す図である。
移変調波を示す図である。
【図２７】第４の微細パターンに記録した第３の位相変
移変調波を示す図である。
移変調波を示す図である。
【図２８】本発明の実施形態における第１の再生装置を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２９】本発明の実施形態における第１の再生装置に
用いられるフォトディテクタを示す平面図である。
用いられるフォトディテクタを示す平面図である。
【図３０】本発明の実施形態における第２の再生装置を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図３１】本発明の実施形態における記録装置を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図３２】従来のＤＶＤを示す断面図である。
【図３３】ＤＶＤより高密度な次世代情報記録担体を示
す断面図である。
す断面図である。
１…基体、２…エネルギー線感応膜、３…第１微細パタ
ーン、３Ａ…第２微細パターン、３Ｂ…第３微細パター
ン、３Ｃ…第４微細パターン、３Ｄ…第５微細パター
ン、３Ｅ…第６微細パターン、４…第１メッキ層、５…
第1メッキ型、６…第２メッキ層、７…第２メッキ型、
８…支持体、９…記録層、１０…透光層、１１…情報記
録担体、１２…第３メッキ型、５０…ピックアップ、、
５０ａ…発光素子、５０ｂ…対物レンズ、５０ｃ…４分
割フォトディテクタ、５１…モータ、５２…サーボ、５
３…ターンテーブル、５４…復調器、５５、８１…イン
ターフェース（Ｉ／Ｆ）、５６…アドレス復調器、６０
…コントローラ、８２…変調器、８３…波形変換器、８
９…記録光、９９…再生光、２５０、２５１、２５２…
振幅変移変調波、２６０、２６１、２６２…周波数変移
変調波、２７０、２７１、２７２…位相変移変調波、５
００、５１０…再生装置、６００…記録装置、ＥＳ…照
射エネルギー線スポット、Ｇ…グルーブ、Ｌ…ランド、
Ｍ…記録マーク、Ｐ…ピッチ、Ｓ…再生スポット径
ーン、３Ａ…第２微細パターン、３Ｂ…第３微細パター
ン、３Ｃ…第４微細パターン、３Ｄ…第５微細パター
ン、３Ｅ…第６微細パターン、４…第１メッキ層、５…
第1メッキ型、６…第２メッキ層、７…第２メッキ型、
８…支持体、９…記録層、１０…透光層、１１…情報記
録担体、１２…第３メッキ型、５０…ピックアップ、、
５０ａ…発光素子、５０ｂ…対物レンズ、５０ｃ…４分
割フォトディテクタ、５１…モータ、５２…サーボ、５
３…ターンテーブル、５４…復調器、５５、８１…イン
ターフェース（Ｉ／Ｆ）、５６…アドレス復調器、６０
…コントローラ、８２…変調器、８３…波形変換器、８
９…記録光、９９…再生光、２５０、２５１、２５２…
振幅変移変調波、２６０、２６１、２６２…周波数変移
変調波、２７０、２７１、２７２…位相変移変調波、５
００、５１０…再生装置、６００…記録装置、ＥＳ…照
射エネルギー線スポット、Ｇ…グルーブ、Ｌ…ランド、
Ｍ…記録マーク、Ｐ…ピッチ、Ｓ…再生スポット径
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１Ｎ
５６１Ｑ
20/14 ３４１ 20/14 ３４１Ａ
Ｆターム(参考） 5D029 LB07 WA02 WB11 WD10
5D044 BC04 CC06 GL36
5D090 AA01 BB01 CC01 CC16 EE01
EE12 GG01 KK06 LL01
5D119 AA11 AA12 AA22 AA23 BA01
BB09 DA01 DA05 JA43
5D121 BB01 CA03 CB03
Claims (11)
- 【請求項１】基体上にポジ型のエネルギー線感応層を塗
布する第１工程と、 このポジ型のエネルギー線感応層にエネルギー線を照射
して、両側面に周期及び位相の等しいウォブルを有し、
交互に形成されたグルーブとランドとを有する第１微細
パターンを形成する第２工程と、 この第１微細パターン上に第１メッキ層を形成した後、
この第１メッキ層を前記基体から剥離して、前記第１微
細パターンの前記グルーブ及び前記ランドと逆の関係と
なる第２微細パターンを有する第１メッキ型を作製する
第３工程と、 この第１メッキ型の前記第２微細パターン上に第２メッ
キ層を形成した後、この第２メッキ層を前記第１メッキ
型から剥離して、前記第１微細パターンのグルーブ及び
ランドと同じ関係となる第３微細パターンを有する第２
メッキ型を作製する第４工程と、 この第２メッキ型を支持体上に転写して第４微細パター
ンを形成した後、この第４微細パターン上に記録層、透
光層を順次形成する第５工程と、 からなることを特徴とする情報記録担体の製造方法。 - 【請求項２】基体上にネガ型のエネルギー線感応層を塗
布する第１工程と、 このネガ型のエネルギー線感応層にエネルギー線を照射
して、両側面に周期及び位相の等しいウォブルを有し、
交互に形成されたグルーブとランドを有する第１微細パ
ターンを形成する第２工程と、 この第１微細パターン上に第１メッキ層を形成した後、
この第１メッキ層を前記基体から剥離して、前記第１微
細パターンの前記グルーブ及び前記ランドと逆の関係と
なる第２微細パターンを有する第１メッキ型を作製する
第３工程と、 この第１メッキ型を支持体上に転写して第３微細パター
ンを形成した後、この第３微細パターン上に記録層、透
光層を順次形成する第４工程と、からなることを特徴と
する情報記録担体の製造方法。 - 【請求項３】前記ウォブルは、アドレスデータが振幅変
移変調によって変調されていることを特徴とする請求項
１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】前記ウォブルは、アドレスデータが周波数
変移変調によって変調されていることを特徴とする請求
項１又は２記載の製造方法。 - 【請求項５】前記ウォブルは、アドレスデータが位相変
移変調によって変調されていることを特徴とする請求項
１又は２記載の製造方法。 - 【請求項６】表面に凸部と凹部とが交互に形成された平
行溝連続体からなる微細パターンを有する支持体と、 前記微細パターン上に形成された記録層と、 前記記録層上に形成された厚さ０．０５〜０．１２ｍｍ
の透光層とからなる少なくともなり、 前記凸部又は前記凹部のピッチをＰ、前記記録層を再生
する再生光の波長をλ、前記再生光を出力する対物レン
ズの開口数をＮＡとするとき、 前記微細パターンは、Ｐ≦λ／ＮＡの関係を有すると共
に、前記透光層側から見て凸部の両側壁には、変調され
たアドレス情報が周期及び位相を同じくしてウォブルと
して形成されていることを特徴とする情報記録担体。 - 【請求項７】表面に凸部と凹部とが交互に形成された平
行溝連続体からなる微細パターンを有する支持体と、 前記微細パターン上に形成された記録層と、 前記記録層上に形成された厚さ０．０５〜０．１２ｍｍ
の透光層とからなる少なくともなり、 前記凸部又は前記凹部のピッチをＰ、前記記録層を再生
する再生光の波長をλ、前記再生光を出力する対物レン
ズの開口数をＮＡとするとき、 前記微細パターンは、Ｐ≦λ／ＮＡの関係を有すると共
に、前記透光層側から見て凸部の両側壁には、変調され
たアドレス情報が互いに平行なウォブルとして形成され
ていることを特徴とする情報記録担体。 - 【請求項８】前記アドレス情報は、周波数変移変調によ
って変調されたものであることを特徴とする請求項６又
は７記載の情報記録担体。 - 【請求項９】前記アドレス情報は、位相変移変調によっ
て変調されたものであることを特徴とする請求項６又は
７記載の情報記録担体。 - 【請求項１０】再生光の波長がλで、ＲＩＮ−１２５ｄ
Ｂ／Ｈｚ以下のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡ
の対物レンズとを有し、請求項６又は７記載の情報記録
担体を再生する再生装置であって、 前記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜
０．９であり、前記再生光を前記情報記録担体の前記透
光層側から見て凸部に照射して再生を行う構成にしたこ
とを特徴とする情報記録担体の再生装置。 - 【請求項１１】記録光の波長がλで、ＲＩＮ−１２５ｄ
Ｂ／Ｈｚ以下のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡ
の対物レンズとを有し、請求項６又は７記載の情報記録
担体を記録する記録装置であって、 前記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜
０．９であり、前記記録光を前記情報記録担体の前記透
光層側から見て凸部に照射して記録を行う構成にしたこ
とを特徴とする情報記録担体の記録装置。
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