JPH11250504A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH11250504A JPH11250504A JP10048071A JP4807198A JPH11250504A JP H11250504 A JPH11250504 A JP H11250504A JP 10048071 A JP10048071 A JP 10048071A JP 4807198 A JP4807198 A JP 4807198A JP H11250504 A JPH11250504 A JP H11250504A
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24085—Pits
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微小な凹凸パターンが転写性良く成形された
光記録媒体を提供し、また、微小な凹凸パターンを確実
に成形することができる光記録媒体の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 光記録媒体の製造方法は、基板上に形成
されたレジスト膜の所定の領域を露光することによっ
て、レジスト膜に凹部が一列に配列されてなる凹部列を
複数本形成するとともに、隣り合う凹部列間のレジスト
膜を除去して原盤を形成し、この原盤に金属メッキを行
い、これを剥離することによりマスタースタンパを形成
し、このマスタースタンパからの転写を奇数回行うこと
によりマザースタンパを形成し、このマザースタンパを
転写することにより樹脂基板を成形し、この樹脂基板の
上記マザースタンパが転写された面上に少なくとも光透
過層を形成する。
光記録媒体を提供し、また、微小な凹凸パターンを確実
に成形することができる光記録媒体の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 光記録媒体の製造方法は、基板上に形成
されたレジスト膜の所定の領域を露光することによっ
て、レジスト膜に凹部が一列に配列されてなる凹部列を
複数本形成するとともに、隣り合う凹部列間のレジスト
膜を除去して原盤を形成し、この原盤に金属メッキを行
い、これを剥離することによりマスタースタンパを形成
し、このマスタースタンパからの転写を奇数回行うこと
によりマザースタンパを形成し、このマザースタンパを
転写することにより樹脂基板を成形し、この樹脂基板の
上記マザースタンパが転写された面上に少なくとも光透
過層を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、凹凸パターンが形
成された基板及び光透過層を有する光記録媒体及びその
製造方法に関する。
成された基板及び光透過層を有する光記録媒体及びその
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、光を記録再生に用いた光記録
媒体としては、ポリカーボネイト等の合成樹脂を円盤状
に成形してなる光ディスクが知られている。この光ディ
スクには、予め記録された信号が再生される再生専用型
のもの、単数回のみ記録を行うことができる追記型のも
の及び複数回の記録が可能である書換え型のものがあ
る。
媒体としては、ポリカーボネイト等の合成樹脂を円盤状
に成形してなる光ディスクが知られている。この光ディ
スクには、予め記録された信号が再生される再生専用型
のもの、単数回のみ記録を行うことができる追記型のも
の及び複数回の記録が可能である書換え型のものがあ
る。
【0003】再生専用型の光ディスクでは、微小な凹部
(ピットと呼ぶ。)パターンがトラック方向に形成され
た基板と、このピットパターンが形成された面上に反射
層が形成されている。すなわち、この光ディスクは、ト
ラック方向に配列したピットパターンとして信号を記録
している。そして、この再生専用型の光ディスクでは、
信号を再生する際、ピットパターンが形成された面とは
反対側の面から再生光が照射される。そして、この再生
光が反射層で反射した反射光を検出することによって、
ピットパターンとして記録された信号を再生することが
できる。
(ピットと呼ぶ。)パターンがトラック方向に形成され
た基板と、このピットパターンが形成された面上に反射
層が形成されている。すなわち、この光ディスクは、ト
ラック方向に配列したピットパターンとして信号を記録
している。そして、この再生専用型の光ディスクでは、
信号を再生する際、ピットパターンが形成された面とは
反対側の面から再生光が照射される。そして、この再生
光が反射層で反射した反射光を検出することによって、
ピットパターンとして記録された信号を再生することが
できる。
【0004】また、この光ディスクでは、ピットが形成
された面の回折光を検出することによって、トラッキン
グを行っている。
された面の回折光を検出することによって、トラッキン
グを行っている。
【0005】一方、追記型及び書換え型の光ディスク
は、同心円状又はスパイラル状に形成された凹溝(グル
ーブと呼ぶ。)及び隣接するグルーブ間に形成される凸
条部(ランドと呼ぶ。)を有する基板と、この基板上に
形成された記録層と、この記録層上に形成された反射膜
とから構成されている。そして、この光ディスクでは、
これらグルーブ及び/又はランド上に形成された記録層
に信号が記録される。また、これら追記型及び書換え型
の光ディスクにおいても、ディスク固有情報やアドレス
等の付帯信号としてのピットパターンがトラック方向に
隣接するグルーブ間に形成されている。
は、同心円状又はスパイラル状に形成された凹溝(グル
ーブと呼ぶ。)及び隣接するグルーブ間に形成される凸
条部(ランドと呼ぶ。)を有する基板と、この基板上に
形成された記録層と、この記録層上に形成された反射膜
とから構成されている。そして、この光ディスクでは、
これらグルーブ及び/又はランド上に形成された記録層
に信号が記録される。また、これら追記型及び書換え型
の光ディスクにおいても、ディスク固有情報やアドレス
等の付帯信号としてのピットパターンがトラック方向に
隣接するグルーブ間に形成されている。
【0006】このような光ディスクでは、ランド及び/
又はグルーブ上に形成された記録層に対して、ピット及
びグルーブが形成された面とは反対側の面から記録光が
照射される。これにより、記録層には、記録マークが形
成されることとなる。そして、この光ディスクでは、再
生する際、上述した再生専用型の光ディスクと同様にし
て再生光が照射され、その反射光が検出される。
又はグルーブ上に形成された記録層に対して、ピット及
びグルーブが形成された面とは反対側の面から記録光が
照射される。これにより、記録層には、記録マークが形
成されることとなる。そして、この光ディスクでは、再
生する際、上述した再生専用型の光ディスクと同様にし
て再生光が照射され、その反射光が検出される。
【0007】また、この光ディスクでも、例えば、グル
ーブからの反射光を検出することによって、トラッキン
グを行っている。
ーブからの反射光を検出することによって、トラッキン
グを行っている。
【0008】ところで、再生専用型、追記型及び書換え
型の光ディスク(以下、まとめて、単に「光ディスク」
と呼ぶ。)は、ピットやグルーブとなる凹凸が形成され
たスタンパを用いた射出成形により形成される。詳しく
は、ポリカーボネイト等の樹脂を用いて射出成形するこ
とにより、ピットやグルーブを有する透明基板が形成さ
れ、この透明基板上に反射層等を形成することにより、
光ディスクが形成される。なお、追記型及び書換え型の
光ディスクにおいて、記録層は、透明基板と反射層との
間に形成される。
型の光ディスク(以下、まとめて、単に「光ディスク」
と呼ぶ。)は、ピットやグルーブとなる凹凸が形成され
たスタンパを用いた射出成形により形成される。詳しく
は、ポリカーボネイト等の樹脂を用いて射出成形するこ
とにより、ピットやグルーブを有する透明基板が形成さ
れ、この透明基板上に反射層等を形成することにより、
光ディスクが形成される。なお、追記型及び書換え型の
光ディスクにおいて、記録層は、透明基板と反射層との
間に形成される。
【0009】また、近年、高密度記録を達成するため、
光ディスクに照射される光のスポット径を小さくする方
向にある。一般に、照射される光を短波長化するととも
に対物レンズを高開口数化することによって、照射され
る光のスポット径を小さくすることができる。
光ディスクに照射される光のスポット径を小さくする方
向にある。一般に、照射される光を短波長化するととも
に対物レンズを高開口数化することによって、照射され
る光のスポット径を小さくすることができる。
【0010】このように、高密度記録化に伴って照射さ
れるスポット径を小さくすると、透明基板の厚みを薄く
する必要がある。これは、高開口数化に伴い、光学ピッ
クアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角
度(チルト角)により発生する収差の許容量が小さくな
るためであり、このチルト角により発生する収差は再生
光が透過する部分の厚さが厚いほど大きくなるためであ
る。また、開口数を向上させることに伴い、デフォーカ
ス、スキュー(反り)或いは基板の厚みムラ等の理想的
な記録再生状態からズレが生じたときに、それらに対し
て極端に弱くなってしまうためでもある。
れるスポット径を小さくすると、透明基板の厚みを薄く
する必要がある。これは、高開口数化に伴い、光学ピッ
クアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角
度(チルト角)により発生する収差の許容量が小さくな
るためであり、このチルト角により発生する収差は再生
光が透過する部分の厚さが厚いほど大きくなるためであ
る。また、開口数を向上させることに伴い、デフォーカ
ス、スキュー(反り)或いは基板の厚みムラ等の理想的
な記録再生状態からズレが生じたときに、それらに対し
て極端に弱くなってしまうためでもある。
【0011】このため、光ディスクにおいて、光が入射
する面と信号面との距離を小さくすることによって、ス
ポット径の小さな光に対応したものとなる。
する面と信号面との距離を小さくすることによって、ス
ポット径の小さな光に対応したものとなる。
【0012】しかしながら、上述したような光ディスク
において、例えば、厚みが0.3mm以下であるような
基板に凹凸パターンを成形するようなことは困難であ
り、また、成形したとしても反りが発生しやすくなり、
その後の成膜プロセスの作業性を損なうことになる。さ
らには、基板の厚みが0.3mm以下であると、使用者
も扱いにくいものとなってしまう。
において、例えば、厚みが0.3mm以下であるような
基板に凹凸パターンを成形するようなことは困難であ
り、また、成形したとしても反りが発生しやすくなり、
その後の成膜プロセスの作業性を損なうことになる。さ
らには、基板の厚みが0.3mm以下であると、使用者
も扱いにくいものとなってしまう。
【0013】このため、従来より、いわゆる、裏読み型
の光ディスク(以下、裏読みディスクと呼ぶ。)が提案
されている。この裏読みディスクは、凹凸パターンが形
成された透明基板上に少なくとも反射膜等が形成される
とともに、この反射層の上方に光透過性を有する光透過
層が形成されてなる。そして、この裏読みディスクで
は、光透過層側から所定の波長の光を照射して記録再生
が行われている。
の光ディスク(以下、裏読みディスクと呼ぶ。)が提案
されている。この裏読みディスクは、凹凸パターンが形
成された透明基板上に少なくとも反射膜等が形成される
とともに、この反射層の上方に光透過性を有する光透過
層が形成されてなる。そして、この裏読みディスクで
は、光透過層側から所定の波長の光を照射して記録再生
が行われている。
【0014】なお、この裏読みディスクにおいて、記録
層は、反射層と光透過層との間に形成されることとな
る。
層は、反射層と光透過層との間に形成されることとな
る。
【0015】この裏読みディスクでは、凹凸パターンが
形成された基板に対して光透過層を非常に薄くすること
ができる。このため、この裏読みディスクでは、短波長
化及び高開口数化された光を用いた場合でも、上述した
ような問題が発生することなく、正確に記録再生を行う
ことができる。
形成された基板に対して光透過層を非常に薄くすること
ができる。このため、この裏読みディスクでは、短波長
化及び高開口数化された光を用いた場合でも、上述した
ような問題が発生することなく、正確に記録再生を行う
ことができる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな裏読みディスクにおいても、透明基板は、ピットや
グルーブとなる凹凸パターンが形成されたスタンパを用
いて射出成形により形成されている。このスタンパを作
製する際には、先ず、ガラス基板上の全面にレジスト膜
を形成し、このレジスト膜の所定の領域を露光して、ガ
ラス基板上に残存したレジスト膜により所定の凹凸パタ
ーンが形成されてなるガラス原盤を作製する。次に、こ
のガラス原盤を基にしてNiメッキ等を行うことにより
スタンパを作製する。
うな裏読みディスクにおいても、透明基板は、ピットや
グルーブとなる凹凸パターンが形成されたスタンパを用
いて射出成形により形成されている。このスタンパを作
製する際には、先ず、ガラス基板上の全面にレジスト膜
を形成し、このレジスト膜の所定の領域を露光して、ガ
ラス基板上に残存したレジスト膜により所定の凹凸パタ
ーンが形成されてなるガラス原盤を作製する。次に、こ
のガラス原盤を基にしてNiメッキ等を行うことにより
スタンパを作製する。
【0017】したがって、このような裏読みディスクに
おいて、透明基板におけるピットやグルーブを精密に形
成するためには、スタンパ上の凹凸パターンを精密に形
成するとともに、この凹凸ターンを正確に転写すること
が必要である。
おいて、透明基板におけるピットやグルーブを精密に形
成するためには、スタンパ上の凹凸パターンを精密に形
成するとともに、この凹凸ターンを正確に転写すること
が必要である。
【0018】しかしながら、高密度記録化に伴い、ピッ
トやグルーブがより微小構造になるに従って、スタンパ
に形成された凹凸パターンを正確に転写することが困難
になってくる。例えば、透明基板の一主面上に微小な凸
部を形成するような場合、スタンパ上には、この凸部に
対応して微小な凹部が形成されることとなる。したがっ
て、この場合、スタンパ上の微小な凹部に樹脂を充填し
なければならない。
トやグルーブがより微小構造になるに従って、スタンパ
に形成された凹凸パターンを正確に転写することが困難
になってくる。例えば、透明基板の一主面上に微小な凸
部を形成するような場合、スタンパ上には、この凸部に
対応して微小な凹部が形成されることとなる。したがっ
て、この場合、スタンパ上の微小な凹部に樹脂を充填し
なければならない。
【0019】このため、光ディスクを形成する際には、
樹脂の粘度を低くして樹脂の充填効率を向上させること
により、転写性を向上させることが考えられる。しか
し、樹脂の粘度を向上させたとしても、微小な凹部に樹
脂を完全に充填させることは困難であり、ピットを正確
に成形することができないといった問題点があった。
樹脂の粘度を低くして樹脂の充填効率を向上させること
により、転写性を向上させることが考えられる。しか
し、樹脂の粘度を向上させたとしても、微小な凹部に樹
脂を完全に充填させることは困難であり、ピットを正確
に成形することができないといった問題点があった。
【0020】このことを実証するため、以下のような実
験を行った。この実験では、充填する樹脂としてポリカ
ーボネイトを用い、この樹脂の温度を変化させるために
金型の温度を変化させて射出成形を行った。なお、この
実験において、金型の温度としては、120℃、125
℃、130℃の3種とした。
験を行った。この実験では、充填する樹脂としてポリカ
ーボネイトを用い、この樹脂の温度を変化させるために
金型の温度を変化させて射出成形を行った。なお、この
実験において、金型の温度としては、120℃、125
℃、130℃の3種とした。
【0021】この実験では、トラックピッチが0.85
μm、深さが120nmであるようなグルーブを形成す
るスタンパを用いて射出成形を行い、成形されたグルー
ブの転写性を測定した。その結果を、図20に示す。こ
の図20では、縦軸に成形されたグルーブの深さを表
し、横軸にスタンパにおける凹溝の幅とトラックピッチ
の幅との比率を表している。すなわち、この図20にお
ける横軸には、スタンパ全面における凹溝の面積の割合
を示している。
μm、深さが120nmであるようなグルーブを形成す
るスタンパを用いて射出成形を行い、成形されたグルー
ブの転写性を測定した。その結果を、図20に示す。こ
の図20では、縦軸に成形されたグルーブの深さを表
し、横軸にスタンパにおける凹溝の幅とトラックピッチ
の幅との比率を表している。すなわち、この図20にお
ける横軸には、スタンパ全面における凹溝の面積の割合
を示している。
【0022】この図20から分かるように、金型温度が
高いほど転写性は向上しているが、金型温度が高い場合
であっても、スタンパ全面における凹溝の面積が減少す
るほど転写性は劣化している。このことから、例えば、
ピットに相当する部分がトラック方向に断続的に形成さ
れた凹部であるような場合には、微小なピットを成形す
ることは困難となる。また、金型温度を高くしすぎる
と、成形された基板に大きな反りが発生してしまうこと
となり、転写性が向上したとしても再生光等のスポット
の集光性が劣化してしまうことになる。さらに、金型温
度が高いと金型自体が膨張してしまい、射出成形機の動
作に支障を来してしまい、膨張の程度によっては可動部
分に、いわゆるカジリが生じてしまい射出成形機が損傷
してしまうといった不都合が生じる。このため、金型温
度の上限値は、約130℃程度といえる。
高いほど転写性は向上しているが、金型温度が高い場合
であっても、スタンパ全面における凹溝の面積が減少す
るほど転写性は劣化している。このことから、例えば、
ピットに相当する部分がトラック方向に断続的に形成さ
れた凹部であるような場合には、微小なピットを成形す
ることは困難となる。また、金型温度を高くしすぎる
と、成形された基板に大きな反りが発生してしまうこと
となり、転写性が向上したとしても再生光等のスポット
の集光性が劣化してしまうことになる。さらに、金型温
度が高いと金型自体が膨張してしまい、射出成形機の動
作に支障を来してしまい、膨張の程度によっては可動部
分に、いわゆるカジリが生じてしまい射出成形機が損傷
してしまうといった不都合が生じる。このため、金型温
度の上限値は、約130℃程度といえる。
【0023】ところで、裏読みディスクにおいては、透
明基板の光透過層側からみて凸となる部分に記録マーク
を形成する方がよい。また、この裏読みディスクでは、
光透過層側からみて凸となる部分がガラス原盤面に相当
することが好ましい。裏読みディスクでは、上述した部
分を記録領域とすることよって、記録再生の信号量を向
上させるとともに記録再生特性が向上したものとなる。
明基板の光透過層側からみて凸となる部分に記録マーク
を形成する方がよい。また、この裏読みディスクでは、
光透過層側からみて凸となる部分がガラス原盤面に相当
することが好ましい。裏読みディスクでは、上述した部
分を記録領域とすることよって、記録再生の信号量を向
上させるとともに記録再生特性が向上したものとなる。
【0024】この場合、裏読みディスクには、光透過層
側からみて凸となる部分の延長上、すなわち、記録トラ
ックのトラック方向に、上述した光ディスクにおけるピ
ット列に相当する、微小な凸部が形成されている。すな
わち、この裏読みディスクでは、この微小な凸部により
ディスク固有情報やアドレス等の付帯信号が書き込まれ
ている。
側からみて凸となる部分の延長上、すなわち、記録トラ
ックのトラック方向に、上述した光ディスクにおけるピ
ット列に相当する、微小な凸部が形成されている。すな
わち、この裏読みディスクでは、この微小な凸部により
ディスク固有情報やアドレス等の付帯信号が書き込まれ
ている。
【0025】このような裏読みディスクにおいて、グル
ーブや凸部を微小構造とすることにより高密度記録化が
なされると、微小な凸部も正確に形成しなければならな
い。しかしながら、特に、微小な凸部を成形するために
は、それに対応した微小な凹部を有するスタンパを使用
することとなり、上述したような理由から転写性が顕著
に低下してしまう。
ーブや凸部を微小構造とすることにより高密度記録化が
なされると、微小な凸部も正確に形成しなければならな
い。しかしながら、特に、微小な凸部を成形するために
は、それに対応した微小な凹部を有するスタンパを使用
することとなり、上述したような理由から転写性が顕著
に低下してしまう。
【0026】このように、裏読みディスクを製造する際
には、付帯信号等として形成される凸部を精密に転写す
ることができず、歩留まりが悪いといった問題があっ
た。また、裏読みディスクには、付帯信号等として形成
される凸部を精密に転写することができなかった場合、
付帯信号を確実に再生することができないといった問題
点があった。
には、付帯信号等として形成される凸部を精密に転写す
ることができず、歩留まりが悪いといった問題があっ
た。また、裏読みディスクには、付帯信号等として形成
される凸部を精密に転写することができなかった場合、
付帯信号を確実に再生することができないといった問題
点があった。
【0027】そこで、本発明は、上述したような問題点
を解決し、微小な凹凸パターンが転写性良く成形された
光記録媒体を提供することを目的とし、また、微小な凹
凸パターンを確実に成形することができる光記録媒体の
製造方法を提供することを目的としている。
を解決し、微小な凹凸パターンが転写性良く成形された
光記録媒体を提供することを目的とし、また、微小な凹
凸パターンを確実に成形することができる光記録媒体の
製造方法を提供することを目的としている。
【0028】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決し
た本発明にかかる光記録媒体は、基板とこの基板上に少
なくとも光透過層を有し、この光透過層側から所定の波
長の光を照射することにより信号の記録及び/又は再生
を行う光記録媒体において、上記基板は、上記光透過層
側からみて凸となるような凸条部と、この凸条部の長手
方向の位置に、凸条部の主面と同じ高さ位置から形成さ
れた凹部とを有することを特徴とするものである。
た本発明にかかる光記録媒体は、基板とこの基板上に少
なくとも光透過層を有し、この光透過層側から所定の波
長の光を照射することにより信号の記録及び/又は再生
を行う光記録媒体において、上記基板は、上記光透過層
側からみて凸となるような凸条部と、この凸条部の長手
方向の位置に、凸条部の主面と同じ高さ位置から形成さ
れた凹部とを有することを特徴とするものである。
【0029】以上のように構成された本発明にかかる光
記録媒体は、凸条部の長手方向の位置に凹部が形成され
ている。そして、この光記録媒体では、これら凹部が付
帯信号等となっている。そして、この凹部は、転写性良
く成形されたものであるため、所望の形状を有すること
となる。このため、この光記録媒体では、この凹部を確
実に再生することができる。
記録媒体は、凸条部の長手方向の位置に凹部が形成され
ている。そして、この光記録媒体では、これら凹部が付
帯信号等となっている。そして、この凹部は、転写性良
く成形されたものであるため、所望の形状を有すること
となる。このため、この光記録媒体では、この凹部を確
実に再生することができる。
【0030】一方、本発明にかかる光記録媒体の製造方
法は、基板上に形成されたレジスト膜の所定の領域を露
光することによって、レジスト膜に凹部が一列に配列さ
れてなる凹部列を複数本形成するとともに、隣り合う凹
部列間のレジスト膜を除去して原盤を形成し、この原盤
に金属メッキを行い、これを剥離することによりマスタ
ースタンパを形成し、このマスタースタンパからの転写
を奇数回行うことによりマザースタンパを形成し、この
マザースタンパを転写することにより樹脂基板を成形
し、この樹脂基板の上記マザースタンパが転写された面
上に少なくとも光透過層を形成することを特徴としてい
る。
法は、基板上に形成されたレジスト膜の所定の領域を露
光することによって、レジスト膜に凹部が一列に配列さ
れてなる凹部列を複数本形成するとともに、隣り合う凹
部列間のレジスト膜を除去して原盤を形成し、この原盤
に金属メッキを行い、これを剥離することによりマスタ
ースタンパを形成し、このマスタースタンパからの転写
を奇数回行うことによりマザースタンパを形成し、この
マザースタンパを転写することにより樹脂基板を成形
し、この樹脂基板の上記マザースタンパが転写された面
上に少なくとも光透過層を形成することを特徴としてい
る。
【0031】以上のように構成された本発明にかかる光
記録媒体の製造方法では、凹部が一列に配列されてなる
凹部列を複数本形成するとともに、隣り合う凹部列間の
レジスト膜を除去して原盤を作製しているため、基板上
に残存するレジスト膜が微小な凸部として形成される。
すなわち、この手法では、原盤上に微小な凸部が形成さ
れることとなる。また、この手法において、マスタース
タンパは、原盤を転写することにより形成されているた
め、原盤の凹凸と正反対の凹凸パターンを有することと
なる。さらに、この手法では、マザースタンパは、マス
タースタンパの転写を奇数回行うことにより形成されて
いるため、マスタースタンパの凹凸とは逆の凹凸パター
ンを有することとなる。したがって、マザースタンパ
は、原盤の凹凸と同じ凹凸パターンを有することとな
る。
記録媒体の製造方法では、凹部が一列に配列されてなる
凹部列を複数本形成するとともに、隣り合う凹部列間の
レジスト膜を除去して原盤を作製しているため、基板上
に残存するレジスト膜が微小な凸部として形成される。
すなわち、この手法では、原盤上に微小な凸部が形成さ
れることとなる。また、この手法において、マスタース
タンパは、原盤を転写することにより形成されているた
め、原盤の凹凸と正反対の凹凸パターンを有することと
なる。さらに、この手法では、マザースタンパは、マス
タースタンパの転写を奇数回行うことにより形成されて
いるため、マスタースタンパの凹凸とは逆の凹凸パター
ンを有することとなる。したがって、マザースタンパ
は、原盤の凹凸と同じ凹凸パターンを有することとな
る。
【0032】そして、この手法では、マザースタンパを
用いて樹脂基板を成形しているため、マザースタンパ上
に形成された凹凸パターンが転写されることとなる。す
なわち、この手法では、原盤上に形成された微小な凸部
に対応する凸部を有するマザースタンパに樹脂が充填さ
れることとなり、この凸部が転写されて透明基板上に凹
部を形成する。
用いて樹脂基板を成形しているため、マザースタンパ上
に形成された凹凸パターンが転写されることとなる。す
なわち、この手法では、原盤上に形成された微小な凸部
に対応する凸部を有するマザースタンパに樹脂が充填さ
れることとなり、この凸部が転写されて透明基板上に凹
部を形成する。
【0033】なお、この手法において、マスタースタン
パの転写を奇数回行うことによりマザースタンパを形成
するとは、マスタースタンパを一回転写することにより
形成されたものをマザースタンパとすること、又は、マ
スタースタンパを一回転写して形成されたものを基にし
て二回目の転写を行い、この二回目の転写で形成された
ものを基にして三回目の転写を行って得られたものをマ
ザースタンパとすること等のことである。すなわち、こ
の手法では、マスタースタンパを基にして行う転写を一
回と数えて、転写により形成されたものを基にして更に
転写を行い、奇数回目に形成されたものをマザースタン
パとして用いている。
パの転写を奇数回行うことによりマザースタンパを形成
するとは、マスタースタンパを一回転写することにより
形成されたものをマザースタンパとすること、又は、マ
スタースタンパを一回転写して形成されたものを基にし
て二回目の転写を行い、この二回目の転写で形成された
ものを基にして三回目の転写を行って得られたものをマ
ザースタンパとすること等のことである。すなわち、こ
の手法では、マスタースタンパを基にして行う転写を一
回と数えて、転写により形成されたものを基にして更に
転写を行い、奇数回目に形成されたものをマザースタン
パとして用いている。
【0034】また、本発明にかかる光記録媒体の製造方
法は、上記凹部列と同列上に凹溝を形成するものであっ
てもよい。
法は、上記凹部列と同列上に凹溝を形成するものであっ
てもよい。
【0035】この場合、原盤上において凹部列と同列上
に形成された凹溝が、マザースタンパ上においても凹溝
となる。したがって、この場合、製造される光記録媒体
は、この凹溝に対応して凸条部を有することとなる。
に形成された凹溝が、マザースタンパ上においても凹溝
となる。したがって、この場合、製造される光記録媒体
は、この凹溝に対応して凸条部を有することとなる。
【0036】また、この手法は、上記凹溝及び上記凹部
がそれぞれの底面が上記基板からなるようにすることが
好ましい。
がそれぞれの底面が上記基板からなるようにすることが
好ましい。
【0037】この場合、この手法では、凹溝及び凹部の
底面が基板からなるため、樹脂基板において、これら凹
溝及び凹部の底面に対応して成形された部分が基板面を
転写したものとなる。すなわち、この手法では、基板面
を転写してなる部分を有する光記録媒体を製造すること
となる。
底面が基板からなるため、樹脂基板において、これら凹
溝及び凹部の底面に対応して成形された部分が基板面を
転写したものとなる。すなわち、この手法では、基板面
を転写してなる部分を有する光記録媒体を製造すること
となる。
【0038】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光記録媒体の
実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0039】本実施の形態に示す光記録媒体は、図1に
示すように、略円盤状に形成されてなる、いわゆる、光
ディスク1である。しかしながら、本発明は、このよう
な光ディスク1に限定されるものではなく、カード状や
シート状の光記録媒体であってもよい。
示すように、略円盤状に形成されてなる、いわゆる、光
ディスク1である。しかしながら、本発明は、このよう
な光ディスク1に限定されるものではなく、カード状や
シート状の光記録媒体であってもよい。
【0040】この光ディスク1は、図2に示すように、
一主面2aに凹凸パターンが形成されてなる基板2と、
この一主面2a上に積層された反射層3と、この反射層
3上に積層された記録層4と、この記録層4上に積層さ
れた光透過層5とを備える。この光記録媒体において、
反射層3及び記録層4は、基板2上に形成されるため、
基板2上に形成された凹凸パターンに従った形状を呈す
る。また、この光記録媒体において、光透過層5は、基
板2に形成された凹凸パターンを覆うように形成され、
その一主面5aが平坦面とされる。すなわち、この光記
録媒体では、基板2の他主面2bと光透過層5の一主面
5aとが平坦面とされて両表面を構成している。
一主面2aに凹凸パターンが形成されてなる基板2と、
この一主面2a上に積層された反射層3と、この反射層
3上に積層された記録層4と、この記録層4上に積層さ
れた光透過層5とを備える。この光記録媒体において、
反射層3及び記録層4は、基板2上に形成されるため、
基板2上に形成された凹凸パターンに従った形状を呈す
る。また、この光記録媒体において、光透過層5は、基
板2に形成された凹凸パターンを覆うように形成され、
その一主面5aが平坦面とされる。すなわち、この光記
録媒体では、基板2の他主面2bと光透過層5の一主面
5aとが平坦面とされて両表面を構成している。
【0041】また、この光記録媒体は、いわゆる相変化
型の光ディスクであって、一対の誘電体膜6a,6bに
より挟み込まれた記録膜7を有する記録層4を備える。
ここで、一対の誘電体膜6a,6bとしては、例えば、
Al、Si等の金属や半金属元素の窒化物、酸化物、硫
化物等が用いられる。また、記録膜7としては、一般に
相変化型の光ディスクに用いられている相変化材料が用
いられ、例えば、カルコゲナイト、すなわち、カルコゲ
ン化合物或いは単体のカルコゲンが挙げられる。例示す
れば、Te、Seの単体又はこれらのカルコゲナイトで
あるGeSbTe、GeTe、InSbTeAg、Bi
2Te3、BiSe、Sb2Se3、Sb2Te3等のカルコ
ゲナイト系材料を挙げることができる。なお、詳細は後
述するが、この光ディスク1では、光透過層5の一主面
5a側から所定の波長の光Lが記録膜7に照射されるこ
とにより、記録再生が行われる。すなわち、この光ディ
スク1は、光透過層5が記録再生装置の対物レンズ8と
対向するように配され、この対物レンズ8を介して所定
の波長の光が照射される。
型の光ディスクであって、一対の誘電体膜6a,6bに
より挟み込まれた記録膜7を有する記録層4を備える。
ここで、一対の誘電体膜6a,6bとしては、例えば、
Al、Si等の金属や半金属元素の窒化物、酸化物、硫
化物等が用いられる。また、記録膜7としては、一般に
相変化型の光ディスクに用いられている相変化材料が用
いられ、例えば、カルコゲナイト、すなわち、カルコゲ
ン化合物或いは単体のカルコゲンが挙げられる。例示す
れば、Te、Seの単体又はこれらのカルコゲナイトで
あるGeSbTe、GeTe、InSbTeAg、Bi
2Te3、BiSe、Sb2Se3、Sb2Te3等のカルコ
ゲナイト系材料を挙げることができる。なお、詳細は後
述するが、この光ディスク1では、光透過層5の一主面
5a側から所定の波長の光Lが記録膜7に照射されるこ
とにより、記録再生が行われる。すなわち、この光ディ
スク1は、光透過層5が記録再生装置の対物レンズ8と
対向するように配され、この対物レンズ8を介して所定
の波長の光が照射される。
【0042】さらに、この光ディスク1において、基板
2には、図3及び図4に示すように、所定のトラックピ
ッチで略円周方向にグルーブ9が形成さるとともに、所
定の領域にピット10が形成されている。すなわち、こ
の光ディスク1において、基板2は、これらグルーブ9
及びピット10から上述した凹凸パターンが構成される
こととなる。なお、トラック幅方向に隣接するグルーブ
9間には、凸条部であるランド11が形成されている。
2には、図3及び図4に示すように、所定のトラックピ
ッチで略円周方向にグルーブ9が形成さるとともに、所
定の領域にピット10が形成されている。すなわち、こ
の光ディスク1において、基板2は、これらグルーブ9
及びピット10から上述した凹凸パターンが構成される
こととなる。なお、トラック幅方向に隣接するグルーブ
9間には、凸条部であるランド11が形成されている。
【0043】また、この基板1では、ピット10は、光
ディスク1の所定の領域に形成されるとともに、ランド
11の長手方向の延長線上に一列に並んでピット列を形
成している。そして、この光ディスク1において、ピッ
ト10は、ランド11の主面と同じ高さ位置からグルー
ブ9と同じ深さで凹部として形成される。
ディスク1の所定の領域に形成されるとともに、ランド
11の長手方向の延長線上に一列に並んでピット列を形
成している。そして、この光ディスク1において、ピッ
ト10は、ランド11の主面と同じ高さ位置からグルー
ブ9と同じ深さで凹部として形成される。
【0044】なお、本発明にかかる光記録媒体は、上述
したような光ディスク1のように、相変化型の記録層4
を有するものに限定されず、例えば、光磁気記録型や有
機色素型の記録層を有するものであってもよい。また、
本発明にかかる光記録媒体は、上述したような記録層4
を有するような構成に限定されず、例えば、記録層を有
しないような構成であってもよい。この場合、光記録媒
体は、再生専用となり、基板上に形成されたピットによ
り信号を記録したものとなる。すなわち、この光記録媒
体では、ピットがトラック方向に一列に並んで形成され
ることとなり、これらピット列によって信号が記録され
ている。
したような光ディスク1のように、相変化型の記録層4
を有するものに限定されず、例えば、光磁気記録型や有
機色素型の記録層を有するものであってもよい。また、
本発明にかかる光記録媒体は、上述したような記録層4
を有するような構成に限定されず、例えば、記録層を有
しないような構成であってもよい。この場合、光記録媒
体は、再生専用となり、基板上に形成されたピットによ
り信号を記録したものとなる。すなわち、この光記録媒
体では、ピットがトラック方向に一列に並んで形成され
ることとなり、これらピット列によって信号が記録され
ている。
【0045】以上のように構成された本実施の形態に示
す光ディスク1は、所定の波長の光が照射されることに
より信号を記録したり、また、異なる波長の光を照射す
ることにより記録された信号を再生する。
す光ディスク1は、所定の波長の光が照射されることに
より信号を記録したり、また、異なる波長の光を照射す
ることにより記録された信号を再生する。
【0046】この光ディスク1では、光透過層5側から
照射される記録光によりランド11の主面に信号が記録
される。したがって、この光ディスクにおいては、ラン
ド11の主面上をスポットが走査するように記録光が照
射される。
照射される記録光によりランド11の主面に信号が記録
される。したがって、この光ディスクにおいては、ラン
ド11の主面上をスポットが走査するように記録光が照
射される。
【0047】この光記録媒体では、上述したように、相
変化型の記録膜7を有しており、この記録膜7が初期化
状態として結晶状態とされる。そして、この記録膜7の
所望の位置に対して記録光を照射することにより、記録
光が照射された部分の記録膜7が加熱されて結晶状態か
らアモルファス状態に変化する。これにより、この光デ
ィスク1では、初期化状態として結晶化された記録膜7
上にアモルファス状態のの記録マークを形成することに
よって、信号を記録することができる。したがって、こ
の記録光は、結晶状態の記録膜7をアモルファス状態に
変化させるに足るエネルギを与えることができる程度の
強い光とされる。
変化型の記録膜7を有しており、この記録膜7が初期化
状態として結晶状態とされる。そして、この記録膜7の
所望の位置に対して記録光を照射することにより、記録
光が照射された部分の記録膜7が加熱されて結晶状態か
らアモルファス状態に変化する。これにより、この光デ
ィスク1では、初期化状態として結晶化された記録膜7
上にアモルファス状態のの記録マークを形成することに
よって、信号を記録することができる。したがって、こ
の記録光は、結晶状態の記録膜7をアモルファス状態に
変化させるに足るエネルギを与えることができる程度の
強い光とされる。
【0048】このように、この光ディスク1では、結晶
化されたランド11の主面上にアモルファス状態の記録
マークが形成されたこととなる。そして、この光ディス
ク1では、ランド11の主面上を所定の波長の再生光を
照射することにより、上述したような記録マークとして
記録された信号を再生することができる。このとき、再
生光は、上述した記録光と同様に、スポットがランド1
1の主面上をトラック方向に走査するように照射され
る。
化されたランド11の主面上にアモルファス状態の記録
マークが形成されたこととなる。そして、この光ディス
ク1では、ランド11の主面上を所定の波長の再生光を
照射することにより、上述したような記録マークとして
記録された信号を再生することができる。このとき、再
生光は、上述した記録光と同様に、スポットがランド1
1の主面上をトラック方向に走査するように照射され
る。
【0049】この光ディスク1を再生する際には、照射
された再生光の反射光を検出している。このとき、照射
された再生光は、記録膜7が結晶状態かアモルファス状
態かによってその反射率が異なる。したがって、この光
ディスク1においては、再生光の反射光を検出すること
により、アモルファス状態として記録された記録マーク
を検出することができる。なお、この再生光は、記録膜
7の相変化を起こさせない程度の比較的弱い光とされ
る。
された再生光の反射光を検出している。このとき、照射
された再生光は、記録膜7が結晶状態かアモルファス状
態かによってその反射率が異なる。したがって、この光
ディスク1においては、再生光の反射光を検出すること
により、アモルファス状態として記録された記録マーク
を検出することができる。なお、この再生光は、記録膜
7の相変化を起こさせない程度の比較的弱い光とされ
る。
【0050】さらに、この光ディスク1においては、上
述したように、所定の領域に一列に並んで配された複数
のピット10に対しても再生光を照射することにより、
この領域に記録された信号が再生される。このとき、再
生光は、スポットがランド11の主面上をトラック方向
に走査するように照射された後、スポットが所定の領域
に一列に並んで形成された複数のピット10からなるピ
ット列上を走査するように照射される。
述したように、所定の領域に一列に並んで配された複数
のピット10に対しても再生光を照射することにより、
この領域に記録された信号が再生される。このとき、再
生光は、スポットがランド11の主面上をトラック方向
に走査するように照射された後、スポットが所定の領域
に一列に並んで形成された複数のピット10からなるピ
ット列上を走査するように照射される。
【0051】このとき、再生光は、ピット10に照射さ
れると、ピット10の底面で反射してなる反射光の位相
がずれるため、反射強度が低下する。このため、この光
ディスク1においては、一列に並んで配されるピット列
に再生光が照射され、この再生光の反射光を検出するこ
とにより、ピット10として記録された信号を再生する
ことができる。
れると、ピット10の底面で反射してなる反射光の位相
がずれるため、反射強度が低下する。このため、この光
ディスク1においては、一列に並んで配されるピット列
に再生光が照射され、この再生光の反射光を検出するこ
とにより、ピット10として記録された信号を再生する
ことができる。
【0052】なお、これらのピット10によれば、光デ
ィスク1の固有情報やアドレス情報等の付帯信号を記録
することができる。
ィスク1の固有情報やアドレス情報等の付帯信号を記録
することができる。
【0053】この光ディスク1では、詳細を後述する
が、所定の形状を有するスタンパを用いて樹脂を成形す
ることにより、基板2上に微小な凹部であるピット10
が形成されている。このため、この光ディスク1におい
て、ピット10は、スタンパの形状を非常に正確に転写
したものとなる。
が、所定の形状を有するスタンパを用いて樹脂を成形す
ることにより、基板2上に微小な凹部であるピット10
が形成されている。このため、この光ディスク1におい
て、ピット10は、スタンパの形状を非常に正確に転写
したものとなる。
【0054】このため、本実施の形態に示す光ディスク
では、固有情報やアドレス情報等の付帯信号が確実に記
録されたものとなる。したがって、この光ディスクは、
これらの付帯信号が確実に再生されるために高品質なも
のとなるまた、この光ディスク1では、図2に示したよ
うに、光透過層5側から記録光及び再生光(以下、単に
光という。)が照射される。このため、これらの光は、
光透過層5を透過して記録膜7に照射され、反射層3で
反射する。言い換えると、この光ディスク1において
は、照射される光は光透過層5の厚みに相当する部分を
透過すればよい。
では、固有情報やアドレス情報等の付帯信号が確実に記
録されたものとなる。したがって、この光ディスクは、
これらの付帯信号が確実に再生されるために高品質なも
のとなるまた、この光ディスク1では、図2に示したよ
うに、光透過層5側から記録光及び再生光(以下、単に
光という。)が照射される。このため、これらの光は、
光透過層5を透過して記録膜7に照射され、反射層3で
反射する。言い換えると、この光ディスク1において
は、照射される光は光透過層5の厚みに相当する部分を
透過すればよい。
【0055】これに対して、従来の光ディスク100
は、図5に示すように、一主面101aに凹凸パターン
が形成された基板101と、この基板101の一主面1
01a上に積層された記録層102と、この記録層10
2上に積層された反射層103と、この反射層103上
に積層された保護膜104とを備え、基板101の他主
面101b側から光を照射することにより記録再生が行
われている。したがって、この光ディスク100では、
光は、基板101の厚みtに相当する部分を透過しなく
てはならなかっった。
は、図5に示すように、一主面101aに凹凸パターン
が形成された基板101と、この基板101の一主面1
01a上に積層された記録層102と、この記録層10
2上に積層された反射層103と、この反射層103上
に積層された保護膜104とを備え、基板101の他主
面101b側から光を照射することにより記録再生が行
われている。したがって、この光ディスク100では、
光は、基板101の厚みtに相当する部分を透過しなく
てはならなかっった。
【0056】ところで、これら光のスポット径φは、下
記式(1)に示すように、光の波長λと対物レンズの開
口数N.Aによって決定される。
記式(1)に示すように、光の波長λと対物レンズの開
口数N.Aによって決定される。
【0057】 φ=1.22×(λ/N.A)・・・(1) そして、一般に、光ディスクにおいて、記録密度を向上
させるためには、スポット径φを小さくすればよいが、
このためには式(1)から分かるように、光の波長λを
小さくする(短波長化)及び開口数N.Aを大きくすれ
ば(高開口数化)よい。
させるためには、スポット径φを小さくすればよいが、
このためには式(1)から分かるように、光の波長λを
小さくする(短波長化)及び開口数N.Aを大きくすれ
ば(高開口数化)よい。
【0058】このように、スポット径φを微小なものと
するために高開口数化すると、照射される光は、デフォ
ーカス、基板の反り(スキュー)及び基板の厚みムラ等
が発生した場合に所望の領域を照射することができない
ことがあった。このため、従来の光ディスク100で
は、基板101の厚みtを薄くすることによりこれらの
問題に対処していた。
するために高開口数化すると、照射される光は、デフォ
ーカス、基板の反り(スキュー)及び基板の厚みムラ等
が発生した場合に所望の領域を照射することができない
ことがあった。このため、従来の光ディスク100で
は、基板101の厚みtを薄くすることによりこれらの
問題に対処していた。
【0059】しかしながら、従来の光ディスク100に
おいて、基板101の厚みtを薄くすると、微小な凹凸
パターンを正確に転写することが困難になるとともに基
板101に反りが発生しやすくなってしまう。このた
め、従来の光ディスク100において、基板101の厚
みを薄くするには限界があり、具体的には基板の厚みt
が約0.6μm程度のものを用いていた。このため、従
来の光ディスク100においては、高開口数化された対
物レンズ105を用いて、正確に記録再生を行えないこ
とがあった。
おいて、基板101の厚みtを薄くすると、微小な凹凸
パターンを正確に転写することが困難になるとともに基
板101に反りが発生しやすくなってしまう。このた
め、従来の光ディスク100において、基板101の厚
みを薄くするには限界があり、具体的には基板の厚みt
が約0.6μm程度のものを用いていた。このため、従
来の光ディスク100においては、高開口数化された対
物レンズ105を用いて、正確に記録再生を行えないこ
とがあった。
【0060】これに対して、上述した光ディスク1にお
いては、このように高開口数化された対物レンズ8を用
いて光が照射されたとしても、光透過層5の厚み(図2
中、Tで示す。)を非常に薄くすることができるため、
正確に記録再生を行うことができる。すなわち、この光
ディスク1では、基板2を反りの発生しない程度の厚み
で成形したとしても、光透過層5を非常に薄くすること
ができ、照射された光が透過する部分の厚みを非常に薄
くすることができる。具体的には、例えば、開口数N.
Aが0.85〜0.95程度の対物レンズ8を用いた場
合であっても、光透過層5の膜厚Tを0.3μm程度に
することによって、正確に記録再生することができる。
いては、このように高開口数化された対物レンズ8を用
いて光が照射されたとしても、光透過層5の厚み(図2
中、Tで示す。)を非常に薄くすることができるため、
正確に記録再生を行うことができる。すなわち、この光
ディスク1では、基板2を反りの発生しない程度の厚み
で成形したとしても、光透過層5を非常に薄くすること
ができ、照射された光が透過する部分の厚みを非常に薄
くすることができる。具体的には、例えば、開口数N.
Aが0.85〜0.95程度の対物レンズ8を用いた場
合であっても、光透過層5の膜厚Tを0.3μm程度に
することによって、正確に記録再生することができる。
【0061】また、この光ディスク1では、光透過層5
側から見て凸である部分、すなわち、ランド11の主面
上に記録マークを形成している。そして、この光ディス
ク1では、図2に示すように、ランド11の幅Wに対し
て、ランド11上に積層された記録膜7の幅Weffが大
となる。これは、記録膜7が反射層3及び誘電体膜6
a,6bを介して基板2上に積層されたため、その分記
録膜7の幅Weffが大となるためである。
側から見て凸である部分、すなわち、ランド11の主面
上に記録マークを形成している。そして、この光ディス
ク1では、図2に示すように、ランド11の幅Wに対し
て、ランド11上に積層された記録膜7の幅Weffが大
となる。これは、記録膜7が反射層3及び誘電体膜6
a,6bを介して基板2上に積層されたため、その分記
録膜7の幅Weffが大となるためである。
【0062】これに対して、図6に示すように、光透過
層5側から見て凹である部分、すなわち、グルーブ9の
底面に記録マークを形成した場合には、グルーブ9の幅
Wgに対して記録膜7の幅Weffが小となっている。
層5側から見て凹である部分、すなわち、グルーブ9の
底面に記録マークを形成した場合には、グルーブ9の幅
Wgに対して記録膜7の幅Weffが小となっている。
【0063】このため、図2に示すように、ランド11
の主面に記録マークを形成した場合には、グルーブ9に
記録マークを形成した場合と比較して、再生信号のキャ
リアレベルを向上させることとなり、その結果、CN比
を向上させることができる。このとき、予め、CN比を
向上させるためには、グルーブ幅Wgを広く形成して図
6に示すようなグルーブ記録を行うことが考えられる。
しかしながら、トラックピッチが狭くなって記録密度の
向上がなされると、良好なCN比が得られる程度に、グ
ルーブ幅Wgを十分に広げることは物理的に不可能とな
る。
の主面に記録マークを形成した場合には、グルーブ9に
記録マークを形成した場合と比較して、再生信号のキャ
リアレベルを向上させることとなり、その結果、CN比
を向上させることができる。このとき、予め、CN比を
向上させるためには、グルーブ幅Wgを広く形成して図
6に示すようなグルーブ記録を行うことが考えられる。
しかしながら、トラックピッチが狭くなって記録密度の
向上がなされると、良好なCN比が得られる程度に、グ
ルーブ幅Wgを十分に広げることは物理的に不可能とな
る。
【0064】したがって、光が光透過層5側から照射さ
れるような光ディスクにおいて、ランド11の主面に記
録マークを形成することにより、記録再生特性が大幅に
向上することとなる。
れるような光ディスクにおいて、ランド11の主面に記
録マークを形成することにより、記録再生特性が大幅に
向上することとなる。
【0065】ところで、本発明にかかる光記録媒体の製
造方法は、例えば、上述したような光ディスク1を製造
する際に適用される。
造方法は、例えば、上述したような光ディスク1を製造
する際に適用される。
【0066】本手法は、図7に示すように、光ディスク
原盤形成工程S1と、スタンパ形成工程S2と、基板成
形工程S3と、成膜工程S4と有する。すなわち、この
手法では、先ず、スタンパを形成するために光ディスク
原盤を形成し(光ディスク原盤形成工程S1)、その
後、この光ディスク原盤を用いてスタンパを形成し(ス
タンパ形成工程S2)、その後、このスタンパを用いた
射出成形により光ディスクの基板を形成し(基板成形工
程S3)、そして、この基板上に反射膜等を成膜する
(成膜工程S4)ことによって、光ディスク1が製造さ
れる。
原盤形成工程S1と、スタンパ形成工程S2と、基板成
形工程S3と、成膜工程S4と有する。すなわち、この
手法では、先ず、スタンパを形成するために光ディスク
原盤を形成し(光ディスク原盤形成工程S1)、その
後、この光ディスク原盤を用いてスタンパを形成し(ス
タンパ形成工程S2)、その後、このスタンパを用いた
射出成形により光ディスクの基板を形成し(基板成形工
程S3)、そして、この基板上に反射膜等を成膜する
(成膜工程S4)ことによって、光ディスク1が製造さ
れる。
【0067】光ディスク原盤形成工程S1では、先ず、
図8に示すように、円盤状のガラス基板20の一主面2
0a上に所定の厚みでレジスト膜21を形成する。この
とき、ガラス基板20は、レジスト膜21が形成される
一主面20aが高度に平坦化されるとともに、この一主
面20aが高度に鏡面化される。そして、レジスト膜2
1は、詳細を後述するが、その深さがグルーブ9及びピ
ット10の深さを規定するため、ガラス基板20上に高
精度に均一に形成される。
図8に示すように、円盤状のガラス基板20の一主面2
0a上に所定の厚みでレジスト膜21を形成する。この
とき、ガラス基板20は、レジスト膜21が形成される
一主面20aが高度に平坦化されるとともに、この一主
面20aが高度に鏡面化される。そして、レジスト膜2
1は、詳細を後述するが、その深さがグルーブ9及びピ
ット10の深さを規定するため、ガラス基板20上に高
精度に均一に形成される。
【0068】次に、図9に示すような露光装置を用い
て、図10に示すように、回転するガラス基板20上に
形成されたレジスト膜21の所定の領域Rを露光してパ
ターニングを行う。このパターニングでは、光ディスク
1に形成されるグルーブ9及びピット10に対応した形
状のレジスト膜21がガラス基板20上に残存するよう
に行われる。
て、図10に示すように、回転するガラス基板20上に
形成されたレジスト膜21の所定の領域Rを露光してパ
ターニングを行う。このパターニングでは、光ディスク
1に形成されるグルーブ9及びピット10に対応した形
状のレジスト膜21がガラス基板20上に残存するよう
に行われる。
【0069】この露光装置は、いわゆる、2ビーム光学
系を有するものであり、レジスト膜21上に2つの異な
るスポットを形成することができる。この露光装置は、
図9に示すように、レーザを出射するレーザ光源25
と、レーザ光源25から出射されたレーザの強度を制御
するとともにレーザを分離する制御部26と、分離され
たレーザをそれぞれ変調する変調部27と、それぞれの
レーザを合流させるとともにレーザのスポット径を調節
する調節部28と、レジスト膜21に対向して配される
対物レンズ29とを備える。
系を有するものであり、レジスト膜21上に2つの異な
るスポットを形成することができる。この露光装置は、
図9に示すように、レーザを出射するレーザ光源25
と、レーザ光源25から出射されたレーザの強度を制御
するとともにレーザを分離する制御部26と、分離され
たレーザをそれぞれ変調する変調部27と、それぞれの
レーザを合流させるとともにレーザのスポット径を調節
する調節部28と、レジスト膜21に対向して配される
対物レンズ29とを備える。
【0070】また、この露光装置は、図示しないが、レ
ジスト膜21が形成されたガラス基板20を載置すると
ともにこのガラス基板20を所定の速度で回転させるタ
ーンテーブルと、このターンテーブルに載置されたガラ
ス基板20と対物レンズ29との距離を所定の値に維持
する制御装置とを有する。
ジスト膜21が形成されたガラス基板20を載置すると
ともにこのガラス基板20を所定の速度で回転させるタ
ーンテーブルと、このターンテーブルに載置されたガラ
ス基板20と対物レンズ29との距離を所定の値に維持
する制御装置とを有する。
【0071】この露光措置において、レーザ光源25
は、例えば、波長λ=351nmのKrイオンレーザを
出射するものである。このレーザ光源25から出射され
たレーザは、制御部26に入射する。
は、例えば、波長λ=351nmのKrイオンレーザを
出射するものである。このレーザ光源25から出射され
たレーザは、制御部26に入射する。
【0072】この制御部26は、レーザ光源25から出
射されたレーザLZが入射する電気光学結晶素子30
(以下、EO30と略称する。)と、このEO30から
出射されたレーザLZの偏向を検出する検光子31と、
この検光子31を通ったレーザLZが入射されるととも
にこのレーザLZから第1のレーザL1を分離する第1の
レーザスプリッタ32と、分離された第1のレーザL1
以外のレーザLZから第2のレーザL2を分離する第2の
レーザスプリッタ33と、分離された第1のレーザL1
及び第2のレーザL2以外のレーザLZを検出するするフ
ォトディテクタ34と、EO30から出射されるレーザ
LZの出力を制御する出力制御装置35とを備える。な
お、この手法では、第1のレーザL1がランド11及び
ピット列に対応した部分を露光し、第2のレーザL2が
隣合うピット列間を露光する。
射されたレーザLZが入射する電気光学結晶素子30
(以下、EO30と略称する。)と、このEO30から
出射されたレーザLZの偏向を検出する検光子31と、
この検光子31を通ったレーザLZが入射されるととも
にこのレーザLZから第1のレーザL1を分離する第1の
レーザスプリッタ32と、分離された第1のレーザL1
以外のレーザLZから第2のレーザL2を分離する第2の
レーザスプリッタ33と、分離された第1のレーザL1
及び第2のレーザL2以外のレーザLZを検出するするフ
ォトディテクタ34と、EO30から出射されるレーザ
LZの出力を制御する出力制御装置35とを備える。な
お、この手法では、第1のレーザL1がランド11及び
ピット列に対応した部分を露光し、第2のレーザL2が
隣合うピット列間を露光する。
【0073】このように構成された制御部26では、レ
ーザ光源25から出射されたレーザLZがEO30に入
射する。これにより、EO30は、出射されたレーザL
Zを所望の強度に変調することができる。そして、レー
ザLZは、EO30により強度変調を受けた後、第1の
レーザスプリッタ32により第1のレーザL1が分離さ
れるとともに、第2のレーザスプリッタ33により第2
のレーザL2が分離される。
ーザ光源25から出射されたレーザLZがEO30に入
射する。これにより、EO30は、出射されたレーザL
Zを所望の強度に変調することができる。そして、レー
ザLZは、EO30により強度変調を受けた後、第1の
レーザスプリッタ32により第1のレーザL1が分離さ
れるとともに、第2のレーザスプリッタ33により第2
のレーザL2が分離される。
【0074】また、この制御部26では、第1のレーザ
L1及び第2のレーザL2が分離された後のレーザ強度を
フォトディテクタ34にて検出している。そして、この
フォトディテクタ34は、出力制御装置35と接続され
ており、検出したレーザ強度信号を出力制御装置35に
対して出力する。この出力制御装置35は、フォトディ
テクタ34から出力されたレーザ強度信号を基にして、
EO30からから出力されるレーザ強度を制御してい
る。すなわち、この制御部26では、EO30から出力
されたレーザLZをフォトディテクタ34にて検出して
フィードバック制御することによって、EO30からは
常に所望の強度を有するレーザLZが出力される。
L1及び第2のレーザL2が分離された後のレーザ強度を
フォトディテクタ34にて検出している。そして、この
フォトディテクタ34は、出力制御装置35と接続され
ており、検出したレーザ強度信号を出力制御装置35に
対して出力する。この出力制御装置35は、フォトディ
テクタ34から出力されたレーザ強度信号を基にして、
EO30からから出力されるレーザ強度を制御してい
る。すなわち、この制御部26では、EO30から出力
されたレーザLZをフォトディテクタ34にて検出して
フィードバック制御することによって、EO30からは
常に所望の強度を有するレーザLZが出力される。
【0075】そして、この制御部26で分離された第1
のレーザL1及び第2のレーザL2は、それぞれ変調部2
7に入射する。この変調部27は、第1のレーザL1の
光軸上に順に配された第1のレンズ36、第1の音響光
学変調器37及び第2のレンズ38と、第2のレーザL
2の光軸上に順に配された第3のレンズ39、第2の音
響光学変調器40及び第4のレンズ41と、これら第1
の音響光学変調器37及び第2の音響光学変調器40に
接続された信号制御装置42とを備える。
のレーザL1及び第2のレーザL2は、それぞれ変調部2
7に入射する。この変調部27は、第1のレーザL1の
光軸上に順に配された第1のレンズ36、第1の音響光
学変調器37及び第2のレンズ38と、第2のレーザL
2の光軸上に順に配された第3のレンズ39、第2の音
響光学変調器40及び第4のレンズ41と、これら第1
の音響光学変調器37及び第2の音響光学変調器40に
接続された信号制御装置42とを備える。
【0076】このように構成された変調部27では、第
1のレーザL1が第1のレンズ36により所定のスポッ
ト径とされて第1の音響光学変調器37に入射される。
また、第2のレーザL2が第3のレンズ39により所定
のスポット径とされて第2の音響光学変調器40に入射
される。これら第1の音響光学変調器37及び第2の音
響光学変調器40は、信号制御装置42からの制御信号
に基づいて、入射された第1のレーザL1及び第2のレ
ーザL2の光強度をそれぞれ制御する。
1のレーザL1が第1のレンズ36により所定のスポッ
ト径とされて第1の音響光学変調器37に入射される。
また、第2のレーザL2が第3のレンズ39により所定
のスポット径とされて第2の音響光学変調器40に入射
される。これら第1の音響光学変調器37及び第2の音
響光学変調器40は、信号制御装置42からの制御信号
に基づいて、入射された第1のレーザL1及び第2のレ
ーザL2の光強度をそれぞれ制御する。
【0077】具体的に、信号制御装置42から出力され
た信号が「0」と「1」の2値からなる場合、第1のレ
ーザL1及び第2のレーザL2は、オン又はオフに制御さ
れる。なお、これら第1の音響光学変調器37及び第2
の音響光学変調器40は、数十MHzの帯域で使用でき
るものが好ましい。
た信号が「0」と「1」の2値からなる場合、第1のレ
ーザL1及び第2のレーザL2は、オン又はオフに制御さ
れる。なお、これら第1の音響光学変調器37及び第2
の音響光学変調器40は、数十MHzの帯域で使用でき
るものが好ましい。
【0078】この手法では、第1のレーザL1によって
ランド11及びピット列に対応した部分が照射されると
ともに複数形成されたピット列間に対応した部分が第2
のレーザL2によって照射される。このため、第1のレ
ーザL1がレジスト膜21上におけるランド11に対応
した部分を露光するとともにトラック方向に並列するピ
ット10とピット10との間を露光するように、第1の
音響光学変調器37が第1のレーザL1のオンオフ制御
を行う。また、第2のレーザL2がレジスト膜21上に
おけるピット列間に対応した部分を露光するように、第
2の音響光学変調器40が第2のレーザL2のオンオフ
制御を行う。
ランド11及びピット列に対応した部分が照射されると
ともに複数形成されたピット列間に対応した部分が第2
のレーザL2によって照射される。このため、第1のレ
ーザL1がレジスト膜21上におけるランド11に対応
した部分を露光するとともにトラック方向に並列するピ
ット10とピット10との間を露光するように、第1の
音響光学変調器37が第1のレーザL1のオンオフ制御
を行う。また、第2のレーザL2がレジスト膜21上に
おけるピット列間に対応した部分を露光するように、第
2の音響光学変調器40が第2のレーザL2のオンオフ
制御を行う。
【0079】そして、上述したように、所望のタイミン
グでオンオフ制御された第1のレーザL1及び第2のレ
ーザL2は、第2のレンズ38及び第4のレンズ41を
介して調節部28にそれぞれ入射される。この調節部2
8は、第1のレーザL1の光軸上に順に配された第3の
ビームスプリッタ43及び半波長板44と、第2のレー
ザL2の光軸上に順に配された第4のビームスプリッタ
45及び第5のビームスプリッタ46と、第1のレーザ
L1及び第2のレーザL2を合流させる偏向ビームスプリ
ッタ47(以下PBS47と略称する。)と、PBS4
7を透過した第1のレーザL1及び第2のレーザL2の光
軸上に配された第5のレンズ48及び第6のレンズ49
とを備える。また、この調節部28において、半波長板
44は、図示しない信号出力制御装置と接続されてい
る。
グでオンオフ制御された第1のレーザL1及び第2のレ
ーザL2は、第2のレンズ38及び第4のレンズ41を
介して調節部28にそれぞれ入射される。この調節部2
8は、第1のレーザL1の光軸上に順に配された第3の
ビームスプリッタ43及び半波長板44と、第2のレー
ザL2の光軸上に順に配された第4のビームスプリッタ
45及び第5のビームスプリッタ46と、第1のレーザ
L1及び第2のレーザL2を合流させる偏向ビームスプリ
ッタ47(以下PBS47と略称する。)と、PBS4
7を透過した第1のレーザL1及び第2のレーザL2の光
軸上に配された第5のレンズ48及び第6のレンズ49
とを備える。また、この調節部28において、半波長板
44は、図示しない信号出力制御装置と接続されてい
る。
【0080】この調節部28において、半波長板44
は、半波長板44の面内の所定の方向(結晶軸方向)と
第1のレーザL1の偏向方向とのなす角θとしたとき
に、第1のレーザL1の偏向方向を2θ回転させる素子
である。また、第5のビームスプリッタ46は、第2の
レーザL2を所定の角度傾斜させてPBS47に入射さ
せるものである。さらに、このPBS47は、所定の方
向の直線偏光を有するレーザを100%透過することが
でき、この方向と垂直する方向の直線偏光を有するレー
ザを100%遮蔽するものである。
は、半波長板44の面内の所定の方向(結晶軸方向)と
第1のレーザL1の偏向方向とのなす角θとしたとき
に、第1のレーザL1の偏向方向を2θ回転させる素子
である。また、第5のビームスプリッタ46は、第2の
レーザL2を所定の角度傾斜させてPBS47に入射さ
せるものである。さらに、このPBS47は、所定の方
向の直線偏光を有するレーザを100%透過することが
でき、この方向と垂直する方向の直線偏光を有するレー
ザを100%遮蔽するものである。
【0081】このように構成された調節部28では、第
1のレーザL1のうちで、第3のビームスプリッタ43
で反射した分が半波長板44に入射し、第3のビームス
プリッタ43で透過した分が図示しないモニタに入射す
る。また、第2のレーザビームL2のうちで、第4のビ
ームスプリッタ45で反射した分が第5のビームスプリ
ッタ46に入射し、第4のビームスプリッタ45で透過
した分が図示しないモニタに入射する。
1のレーザL1のうちで、第3のビームスプリッタ43
で反射した分が半波長板44に入射し、第3のビームス
プリッタ43で透過した分が図示しないモニタに入射す
る。また、第2のレーザビームL2のうちで、第4のビ
ームスプリッタ45で反射した分が第5のビームスプリ
ッタ46に入射し、第4のビームスプリッタ45で透過
した分が図示しないモニタに入射する。
【0082】そして、半波長板44の結晶軸方向と第1
のレーザの偏向方向とのなす角θを所望の値に制御する
ことにより、第1のレーザL1は、所望の偏向方向を有
するものとなる。このため、第1のレーザL1の偏向方
向を、PBS47が100%透過する方向から所定量ず
れたものとすることによって、第1のレーザL1は、P
BS47における0〜100%の任意の透過率を有する
こととなる。すなわち、PBS47に入射する第1のレ
ーザL1の偏向方向を調節することによって、PBS4
7を透過する第1のレーザL1の強度を調節することが
できる。
のレーザの偏向方向とのなす角θを所望の値に制御する
ことにより、第1のレーザL1は、所望の偏向方向を有
するものとなる。このため、第1のレーザL1の偏向方
向を、PBS47が100%透過する方向から所定量ず
れたものとすることによって、第1のレーザL1は、P
BS47における0〜100%の任意の透過率を有する
こととなる。すなわち、PBS47に入射する第1のレ
ーザL1の偏向方向を調節することによって、PBS4
7を透過する第1のレーザL1の強度を調節することが
できる。
【0083】また、第2のレーザL2は、第5のビーム
スプリッタ46で反射された分がPBS47に入射する
こととなる。このとき、第2のレーザL2は、第1のレ
ーザL1がPBS47に対して入射する角度に対して所
定量傾斜してPBS47に入射する。すなわち、この第
2のレーザL2は、PBS47に所定の「あおり角」を
与えることにより、第1のレーザL1の入射角に対して
傾斜している。
スプリッタ46で反射された分がPBS47に入射する
こととなる。このとき、第2のレーザL2は、第1のレ
ーザL1がPBS47に対して入射する角度に対して所
定量傾斜してPBS47に入射する。すなわち、この第
2のレーザL2は、PBS47に所定の「あおり角」を
与えることにより、第1のレーザL1の入射角に対して
傾斜している。
【0084】さらに、この調節部28では、第3のビー
ムスプリッタ43で透過した第1のレーザL1をモニタ
により検出するとともに第4のビームスプリッタ45で
透過した第2のレーザL2をモニタにより検出してい
る。すなわち、この調節部28では、第1のレーザL1
及び第2のレーザL2の強度をそれぞれ検出することが
できる。このため、この調節部28では、第1のレーザ
L1の強度及び第2のレーザL2の強度を比較することが
でき、この結果を基に、PBS47に入射する第1のレ
ーザL1の強度を、上述したように調節することができ
る。
ムスプリッタ43で透過した第1のレーザL1をモニタ
により検出するとともに第4のビームスプリッタ45で
透過した第2のレーザL2をモニタにより検出してい
る。すなわち、この調節部28では、第1のレーザL1
及び第2のレーザL2の強度をそれぞれ検出することが
できる。このため、この調節部28では、第1のレーザ
L1の強度及び第2のレーザL2の強度を比較することが
でき、この結果を基に、PBS47に入射する第1のレ
ーザL1の強度を、上述したように調節することができ
る。
【0085】さらにまた、第1のレーザL1及び第2の
レーザL2は、PBS47にて合流された後、第5のレ
ンズ48及び第6のレンズ49に入射する。この第5の
レンズ48及び第6のレンズ49は、第1のレーザL1
及び第2のレーザL2のビーム径をそれぞれ拡大してい
る。そして、第1のレーザL1及び第2のレーザL2は、
これら第5のレンズ48及び第6のレンズ49により拡
大された後に対物レンズ29に入射することとなる。
レーザL2は、PBS47にて合流された後、第5のレ
ンズ48及び第6のレンズ49に入射する。この第5の
レンズ48及び第6のレンズ49は、第1のレーザL1
及び第2のレーザL2のビーム径をそれぞれ拡大してい
る。そして、第1のレーザL1及び第2のレーザL2は、
これら第5のレンズ48及び第6のレンズ49により拡
大された後に対物レンズ29に入射することとなる。
【0086】この露光装置において、対物レンズ29
は、入射した第1のレーザL1及び第2のレーザL2を集
光することによって、第1のレーザL1及び第2のレー
ザL2を所定のスポット径でレジスト膜21上に照射す
る。このとき、この露光装置では、PBS47に対する
第1のレーザL1の入射角とPBS47に対する第2の
レーザL2の入射角とが異なる。このため、第1のレー
ザL1と第2のレーザL2とは、対物レンズ29に対して
異なる入射角で入射することとなる。したがって、この
露光装置では、第1のレーザL1及び第2のレーザL2が
ガラス基板20の径方向にずれたかたちで照射されるこ
とになる。なお、対物レンズ29は、図示しない制御装
置によりターンテーブルに載置されたガラス基板20と
の距離を所定の値に維持された状態で第1のレーザL1
及び第2のレーザL2を照射する。
は、入射した第1のレーザL1及び第2のレーザL2を集
光することによって、第1のレーザL1及び第2のレー
ザL2を所定のスポット径でレジスト膜21上に照射す
る。このとき、この露光装置では、PBS47に対する
第1のレーザL1の入射角とPBS47に対する第2の
レーザL2の入射角とが異なる。このため、第1のレー
ザL1と第2のレーザL2とは、対物レンズ29に対して
異なる入射角で入射することとなる。したがって、この
露光装置では、第1のレーザL1及び第2のレーザL2が
ガラス基板20の径方向にずれたかたちで照射されるこ
とになる。なお、対物レンズ29は、図示しない制御装
置によりターンテーブルに載置されたガラス基板20と
の距離を所定の値に維持された状態で第1のレーザL1
及び第2のレーザL2を照射する。
【0087】このとき、本手法では、ランド11に対応
する部分のレジスト膜21が第1のレーザL1により露
光されるとともに、図11に示すように、トラック方向
に並列して配されるピット10間の領域R1に対応する
部分のレジスト膜21が第1のレーザL1により露光さ
れる。また、この手法では、図11に示すように、トラ
ック幅方向に並列して配されるピット列間に対応する領
域R2のレジスト膜21が第2のレーザL2により露光さ
れる。
する部分のレジスト膜21が第1のレーザL1により露
光されるとともに、図11に示すように、トラック方向
に並列して配されるピット10間の領域R1に対応する
部分のレジスト膜21が第1のレーザL1により露光さ
れる。また、この手法では、図11に示すように、トラ
ック幅方向に並列して配されるピット列間に対応する領
域R2のレジスト膜21が第2のレーザL2により露光さ
れる。
【0088】次に、この光ディスク原盤形成工程S1で
は、所定の領域が露光されたレジスト膜21に対して現
像処理を行う。この現像処理では、上述したように、第
1のレーザL1又は第2のレーザL2により露光された領
域のレジスト膜21を、ガラス基板20上から除去して
いる。これにより、光ディスク1上における複数の凹
部、すなわち、複数のピット10に対応した部分は、図
12及び図13に示すように、ガラス基板20上におい
て、レジスト膜21からなる凸部として残存している。
は、所定の領域が露光されたレジスト膜21に対して現
像処理を行う。この現像処理では、上述したように、第
1のレーザL1又は第2のレーザL2により露光された領
域のレジスト膜21を、ガラス基板20上から除去して
いる。これにより、光ディスク1上における複数の凹
部、すなわち、複数のピット10に対応した部分は、図
12及び図13に示すように、ガラス基板20上におい
て、レジスト膜21からなる凸部として残存している。
【0089】なお、このとき、光ディスク1におけるラ
ンド11に対応した部分のレジスト膜21も除去されて
おり、光ディスクにおけるグルーブ9に対応した部分の
レジスト膜21がガラス基板20上に残存している。こ
のように、ガラス原盤形成工程S1では、ガラス基板2
0上の所定の領域にレジスト膜21からなる凸部が形成
されてなるガラス原盤50が形成される。
ンド11に対応した部分のレジスト膜21も除去されて
おり、光ディスクにおけるグルーブ9に対応した部分の
レジスト膜21がガラス基板20上に残存している。こ
のように、ガラス原盤形成工程S1では、ガラス基板2
0上の所定の領域にレジスト膜21からなる凸部が形成
されてなるガラス原盤50が形成される。
【0090】次に、スタンパ形成工程S2は、上述した
ように形成されたガラス原盤50を用いて行われる。
ように形成されたガラス原盤50を用いて行われる。
【0091】このスタンパ形成工程S2では、先ず、図
14に示すように、所定の領域にレジスト膜21が残存
したガラス原盤50の一主面50aにNiメッキを行
い、一主面50a上に第1のニッケルメッキ層51を形
成する。その後、図15に示すように、第1のニッケル
メッキ層51を剥離して、マスタースタンパ52を形成
する。これにより、マスタースタンパ52の一主面52
aには、ガラス原盤50の凹凸が反転した凹凸パターン
が形成されることとなる。
14に示すように、所定の領域にレジスト膜21が残存
したガラス原盤50の一主面50aにNiメッキを行
い、一主面50a上に第1のニッケルメッキ層51を形
成する。その後、図15に示すように、第1のニッケル
メッキ層51を剥離して、マスタースタンパ52を形成
する。これにより、マスタースタンパ52の一主面52
aには、ガラス原盤50の凹凸が反転した凹凸パターン
が形成されることとなる。
【0092】次に、図16に示すように、重クロム酸溶
液によりマスタースタンパ52の一主面52aを酸処理
することによって、マスタースタンパ52の一主面52
aに剥離被膜53を形成する。
液によりマスタースタンパ52の一主面52aを酸処理
することによって、マスタースタンパ52の一主面52
aに剥離被膜53を形成する。
【0093】次に、図17に示すように、マスタースタ
ンパ52の一主面52a上に剥離被膜53を介してNi
メッキを行い、第2のニッケルメッキ層54を形成す
る。その後、図18に示すように、第2のニッケルメッ
キ層54を剥離して、マザースタンパ55を形成する。
これにより、マザースタンパ55の一主面55a上に
は、マスタースタンパ52の凹凸パターンが反転した凹
凸パターン、すなわち、ガラス原盤50に形成された凹
凸パターンと同じ凹凸パターンが形成されることとな
る。
ンパ52の一主面52a上に剥離被膜53を介してNi
メッキを行い、第2のニッケルメッキ層54を形成す
る。その後、図18に示すように、第2のニッケルメッ
キ層54を剥離して、マザースタンパ55を形成する。
これにより、マザースタンパ55の一主面55a上に
は、マスタースタンパ52の凹凸パターンが反転した凹
凸パターン、すなわち、ガラス原盤50に形成された凹
凸パターンと同じ凹凸パターンが形成されることとな
る。
【0094】このとき、マザースタンパ55は、マスタ
ースタンパ52を基にして複数枚形成しておくことが好
ましい。複数枚のマザースタンパ55を形成することに
より、後述する基板成形工程S3を多数行うことがで
き、光ディスク1を製造する生産性が大幅に向上するこ
ととなる。
ースタンパ52を基にして複数枚形成しておくことが好
ましい。複数枚のマザースタンパ55を形成することに
より、後述する基板成形工程S3を多数行うことがで
き、光ディスク1を製造する生産性が大幅に向上するこ
ととなる。
【0095】次に、基板成形工程S3は、上述したよう
に形成されたマザースタンパ55を用いて行われる。こ
の基板成形工程S3では、図19に示すような射出成形
機60が用いられる。この射出成形機60は、固定金型
61とこの固定金型61に対して近接離間する方向に移
動可能な可動金型62とから構成されるキャビティ63
と、このキャビティ63の内部と連結されに溶融した樹
脂Pが充填される加熱筒64と、この加熱筒64内に充
填された樹脂Pを混練するとともにキャビティ63内に
溶融した樹脂Pを射出するピストン65とを備える。そ
して、この射出成形機60は、加熱筒64に樹脂Pを充
填するためのホッパ66を備える。また、この射出成形
機60は、加熱筒64の内周面にスクリュー溝67が形
成されている。
に形成されたマザースタンパ55を用いて行われる。こ
の基板成形工程S3では、図19に示すような射出成形
機60が用いられる。この射出成形機60は、固定金型
61とこの固定金型61に対して近接離間する方向に移
動可能な可動金型62とから構成されるキャビティ63
と、このキャビティ63の内部と連結されに溶融した樹
脂Pが充填される加熱筒64と、この加熱筒64内に充
填された樹脂Pを混練するとともにキャビティ63内に
溶融した樹脂Pを射出するピストン65とを備える。そ
して、この射出成形機60は、加熱筒64に樹脂Pを充
填するためのホッパ66を備える。また、この射出成形
機60は、加熱筒64の内周面にスクリュー溝67が形
成されている。
【0096】この射出成形機60では、ホッパ66から
加熱筒64に充填された樹脂Pがピストン65により押
し出され、キャビティ63内に樹脂Pが射出される。こ
のとき、樹脂Pは、加熱筒64の内周面に形成されたス
クリュー溝67により十分に混練される。なお、この射
出成形機60は、油圧によりピストン65を駆動してい
る。
加熱筒64に充填された樹脂Pがピストン65により押
し出され、キャビティ63内に樹脂Pが射出される。こ
のとき、樹脂Pは、加熱筒64の内周面に形成されたス
クリュー溝67により十分に混練される。なお、この射
出成形機60は、油圧によりピストン65を駆動してい
る。
【0097】そして、この射出成形機60では、キャビ
ティ63を構成する固定金型61の一主面に、上述した
ように形成されたマザースタンパ55を装着する。この
とき、マザースタンパ55は、凹凸パターンが形成され
た面をキャビティ63の内方に向けて配される。
ティ63を構成する固定金型61の一主面に、上述した
ように形成されたマザースタンパ55を装着する。この
とき、マザースタンパ55は、凹凸パターンが形成され
た面をキャビティ63の内方に向けて配される。
【0098】このように構成された射出成形機60は、
マザースタンパ55を取り付けた固定金型61に対して
可動金型62を近接する方向に駆動し、キャビティ63
を形成する。そして、キャビティ63内に溶融した樹脂
Pを射出して充填する。そして、固定金型61及び可動
金型62を冷却して、キャビティ63内の樹脂Pを冷却
固化する。その後、可動金型62を固定金型61から離
間する方向に駆動させ、キャビティ63内で冷却固化し
た樹脂Pを取り出す。
マザースタンパ55を取り付けた固定金型61に対して
可動金型62を近接する方向に駆動し、キャビティ63
を形成する。そして、キャビティ63内に溶融した樹脂
Pを射出して充填する。そして、固定金型61及び可動
金型62を冷却して、キャビティ63内の樹脂Pを冷却
固化する。その後、可動金型62を固定金型61から離
間する方向に駆動させ、キャビティ63内で冷却固化し
た樹脂Pを取り出す。
【0099】これにより、マザースタンパ55に形成さ
れた凹凸パターンが転写された基板2が形成される。し
たがって、この基板2は、マザースタンパ55に形成さ
れた凹凸パターンを反転した凹凸パターンを有すること
となる。言い換えると、このように成形された基板2
は、ガラス原盤50の一主面に形成された凹凸パターン
を反転した凹凸パターンを有することとなる。
れた凹凸パターンが転写された基板2が形成される。し
たがって、この基板2は、マザースタンパ55に形成さ
れた凹凸パターンを反転した凹凸パターンを有すること
となる。言い換えると、このように成形された基板2
は、ガラス原盤50の一主面に形成された凹凸パターン
を反転した凹凸パターンを有することとなる。
【0100】次に、成膜工程S4は、上述したように形
成された基板2の一主面2aに対して光透過層5等を形
成する。具体的に、成膜工程S4では、先ず、凹凸パタ
ーンが形成された一主面2aに対して反射層3が形成さ
れる。この反射層3は、例えば、Alが用いられ、約6
0nmの膜厚で形成される。
成された基板2の一主面2aに対して光透過層5等を形
成する。具体的に、成膜工程S4では、先ず、凹凸パタ
ーンが形成された一主面2aに対して反射層3が形成さ
れる。この反射層3は、例えば、Alが用いられ、約6
0nmの膜厚で形成される。
【0101】次に、この反射層3上に第1の誘電体膜6
aを形成する。この第1の誘電体膜6aは、例えば、Z
nSとSiO2との混合物が用いられ、約18nmの膜
厚で形成される。続いて、この第1の誘電体膜6a上に
記録膜7が形成される。この記録膜7は、例えば、上述
したようなGeSbTe等の相変化材料が用いられ、約
24nmの膜厚で形成される。続いて、この記録膜7上
に、上述したような材料及び膜厚で第2の誘電体膜6b
を形成する。
aを形成する。この第1の誘電体膜6aは、例えば、Z
nSとSiO2との混合物が用いられ、約18nmの膜
厚で形成される。続いて、この第1の誘電体膜6a上に
記録膜7が形成される。この記録膜7は、例えば、上述
したようなGeSbTe等の相変化材料が用いられ、約
24nmの膜厚で形成される。続いて、この記録膜7上
に、上述したような材料及び膜厚で第2の誘電体膜6b
を形成する。
【0102】次に、この第2の誘電体膜6b上に光透過
層5を形成する。この光透過層5は、例えば、光透過性
を有する樹脂を、いわゆる、2P法(Photo Polymeriza
tion法)により形成することができる。また、この光透
過層5は、例えば、0.3mm以下、好ましくは、0.
1mm程度の膜厚で形成される。これにより、記録光や
再生光等の光が高開口数化された場合であっても、上述
したような不都合が発生することなく良好に記録再生が
行われることとなる。
層5を形成する。この光透過層5は、例えば、光透過性
を有する樹脂を、いわゆる、2P法(Photo Polymeriza
tion法)により形成することができる。また、この光透
過層5は、例えば、0.3mm以下、好ましくは、0.
1mm程度の膜厚で形成される。これにより、記録光や
再生光等の光が高開口数化された場合であっても、上述
したような不都合が発生することなく良好に記録再生が
行われることとなる。
【0103】以上のように、本発明に係る手法では、ガ
ラス原盤50を形成する際に第1のレーザL1及び第2
のレーザL2を用いてピット列に相当する部分を露光し
ている。そして、この場合、特にピット10に相当する
部分を未露光部分のレジスト膜21として、ガラス基板
20上に微小な凸部を形成している。
ラス原盤50を形成する際に第1のレーザL1及び第2
のレーザL2を用いてピット列に相当する部分を露光し
ている。そして、この場合、特にピット10に相当する
部分を未露光部分のレジスト膜21として、ガラス基板
20上に微小な凸部を形成している。
【0104】このため、この手法では、射出成形に用い
られるマザースタンパ55において、ピット10に相当
する部分が微小な凸部として形成されることとなる。し
たがって、この手法では、射出成形の際に、ピット10
に相当する部分に樹脂を充填しやすく、この部分の転写
性が劣化するようなことがない。
られるマザースタンパ55において、ピット10に相当
する部分が微小な凸部として形成されることとなる。し
たがって、この手法では、射出成形の際に、ピット10
に相当する部分に樹脂を充填しやすく、この部分の転写
性が劣化するようなことがない。
【0105】また、この手法では、ピット10に相当す
る部分及びグルーブ9に相当する部分がレジスト膜21
としてガラス基板20上に形成されている。言い換える
と、この手法では、ランド11の主面及びピット9の周
囲の部分の主面が、ガラス原盤50におけるガラス基板
20が露出した部分に相当する。
る部分及びグルーブ9に相当する部分がレジスト膜21
としてガラス基板20上に形成されている。言い換える
と、この手法では、ランド11の主面及びピット9の周
囲の部分の主面が、ガラス原盤50におけるガラス基板
20が露出した部分に相当する。
【0106】すなわち、この手法では、ガラス原盤50
において、信号記録面の幅がレジスト膜21の露光領域
の幅となっている。この場合、トラックピッチが所定の
値に規制されているときには、規制されたトラックピッ
チ内で十分に信号記録面を広くとることができる。これ
に対して、ガラス原盤50において、信号記録面をレジ
スト膜21の未露光領域とする場合には、少なくとも露
光領域としてスポット径に相当する分をトラックピッチ
内から取らなくてはならない。したがって、この場合、
信号記録面は、トラックピッチ内に十分に広く取ること
はできない。
において、信号記録面の幅がレジスト膜21の露光領域
の幅となっている。この場合、トラックピッチが所定の
値に規制されているときには、規制されたトラックピッ
チ内で十分に信号記録面を広くとることができる。これ
に対して、ガラス原盤50において、信号記録面をレジ
スト膜21の未露光領域とする場合には、少なくとも露
光領域としてスポット径に相当する分をトラックピッチ
内から取らなくてはならない。したがって、この場合、
信号記録面は、トラックピッチ内に十分に広く取ること
はできない。
【0107】このように、信号記録面をレジスト膜21
の露光領域とすることにより、トラックピッチ内におけ
る信号記録面の幅を、レジスト膜21の幅が略々0にな
るまで広く取ることができる。したがって、本手法は、
特に、高密度記録に伴ってトラックピッチが狭くなった
場合に好適である。具体的には、露光するレーザの波長
が351nm、対物レンズのN.Aが0.90である光
学系を用いてトラックピッチが0.5μmであるグルー
ブを形成した場合、露出するガラス面幅の最小値は0.
15μm(露光領域)であった。このため、レジスト膜
の最大値は0.35μm(未露光領域)となる。これに
対して、同じトラックピッチで露光領域を0.39μm
まで広くすることができるため、信号記録面の幅をレジ
スト膜の幅とするよりも露光領域の幅とするほうが信号
記録領域を広く取ることができることが判る。
の露光領域とすることにより、トラックピッチ内におけ
る信号記録面の幅を、レジスト膜21の幅が略々0にな
るまで広く取ることができる。したがって、本手法は、
特に、高密度記録に伴ってトラックピッチが狭くなった
場合に好適である。具体的には、露光するレーザの波長
が351nm、対物レンズのN.Aが0.90である光
学系を用いてトラックピッチが0.5μmであるグルー
ブを形成した場合、露出するガラス面幅の最小値は0.
15μm(露光領域)であった。このため、レジスト膜
の最大値は0.35μm(未露光領域)となる。これに
対して、同じトラックピッチで露光領域を0.39μm
まで広くすることができるため、信号記録面の幅をレジ
スト膜の幅とするよりも露光領域の幅とするほうが信号
記録領域を広く取ることができることが判る。
【0108】さらに、本手法では、ガラス原盤50にお
いて、光ディスク1の信号記録面に相当する部分がガラ
ス基板20の一主面20aとなっている。そして、この
ガラス基板20では、レジスト膜が形成される面が高度
に鏡面化されている。したがって、この手法では、信号
記録面がガラス基板20の一主面20aの形状を転写す
ることとなり、高度に鏡面化されたものとなる。
いて、光ディスク1の信号記録面に相当する部分がガラ
ス基板20の一主面20aとなっている。そして、この
ガラス基板20では、レジスト膜が形成される面が高度
に鏡面化されている。したがって、この手法では、信号
記録面がガラス基板20の一主面20aの形状を転写す
ることとなり、高度に鏡面化されたものとなる。
【0109】これに対して、ガラス原盤50において、
光ディスク1の信号記録面に相当する部分がレジスト膜
21の主面となっている場合には、このレジスト膜21
の主面が信号記録面にとして転写されることとなる。こ
のレジスト膜21の主面は、ガラス基板20の一主面と
比較して面垂直方向のRSM値で約2倍の粗さを有して
いる。このため、本手法では、ガラス基板20を転写す
ることにより信号記録面を形成しているため、信号記録
面が非常に滑らかな表面性を有する光ディスクを製造す
ることができる。したがって、この手法によれば、信号
記録面の粗さに起因するノイズが低減され、良好なCN
比を示す光ディスク1を製造することができる。
光ディスク1の信号記録面に相当する部分がレジスト膜
21の主面となっている場合には、このレジスト膜21
の主面が信号記録面にとして転写されることとなる。こ
のレジスト膜21の主面は、ガラス基板20の一主面と
比較して面垂直方向のRSM値で約2倍の粗さを有して
いる。このため、本手法では、ガラス基板20を転写す
ることにより信号記録面を形成しているため、信号記録
面が非常に滑らかな表面性を有する光ディスクを製造す
ることができる。したがって、この手法によれば、信号
記録面の粗さに起因するノイズが低減され、良好なCN
比を示す光ディスク1を製造することができる。
【0110】ところで、上述したガラス原盤形成工程S
1では、トラックピッチが一定に形成されず、トラック
ピッチにムラが発生してしまうことがある。しかしなが
ら、トラックピッチにムラが発生してしまった場合で
も、第1のレーザL1は、所定の幅をもって露光するこ
とができるため、本手法では、信号記録面の幅を所定の
値に維持することができる。
1では、トラックピッチが一定に形成されず、トラック
ピッチにムラが発生してしまうことがある。しかしなが
ら、トラックピッチにムラが発生してしまった場合で
も、第1のレーザL1は、所定の幅をもって露光するこ
とができるため、本手法では、信号記録面の幅を所定の
値に維持することができる。
【0111】これに対して、ガラス原盤50における未
露光領域を信号記録領域とする場合には、未露光領域の
幅が信号記録面の幅を規定することとなる。この場合、
未露光領域の幅は、トラックピッチの幅から露光領域の
幅を差し引いた値となるため、トラックピッチにムラが
発生した場合には、この影響を受けて不均一なものとな
る。このため、この場合には、信号記録領域の幅が不均
一になり、その結果、安定した再生信号振動を示さない
ものとなってしまう。
露光領域を信号記録領域とする場合には、未露光領域の
幅が信号記録面の幅を規定することとなる。この場合、
未露光領域の幅は、トラックピッチの幅から露光領域の
幅を差し引いた値となるため、トラックピッチにムラが
発生した場合には、この影響を受けて不均一なものとな
る。このため、この場合には、信号記録領域の幅が不均
一になり、その結果、安定した再生信号振動を示さない
ものとなってしまう。
【0112】したがって、本手法によれば、トラックピ
ッチにムラが発生してしまった場合であっても、信号記
録面の幅が変動することなく、安定的な再生信号振動を
示すことのできる光ディスク1を製造することができ
る。
ッチにムラが発生してしまった場合であっても、信号記
録面の幅が変動することなく、安定的な再生信号振動を
示すことのできる光ディスク1を製造することができ
る。
【0113】一方、本発明に係る光記録媒体の製造方法
は、上述したように、マスタースタンパ52から形成さ
れたマザースタンパを用いて射出成形することにより樹
脂基板を形成するような手法に限定されるものではな
い。すなわち、本発明に係る光記録媒体の製造方法は、
マスタースタンパ52からの転写を奇数回行うことによ
って得られたものをマザースタンパ55として射出成形
に用いるものであってもよい。
は、上述したように、マスタースタンパ52から形成さ
れたマザースタンパを用いて射出成形することにより樹
脂基板を形成するような手法に限定されるものではな
い。すなわち、本発明に係る光記録媒体の製造方法は、
マスタースタンパ52からの転写を奇数回行うことによ
って得られたものをマザースタンパ55として射出成形
に用いるものであってもよい。
【0114】この場合も、マザースタンパ55は、ガラ
ス原盤50の一主面に形成された凹凸パターンと同じ凹
凸パターンが形成されたものとなる。そして、上述した
場合と同様に、このマザースタンパを用いて射出成形す
ることにより基板2を形成することができる。
ス原盤50の一主面に形成された凹凸パターンと同じ凹
凸パターンが形成されたものとなる。そして、上述した
場合と同様に、このマザースタンパを用いて射出成形す
ることにより基板2を形成することができる。
【0115】
【実施例】ここで、上述したような本発明に係る光記録
媒体の実施例として示す光ディスクを実際に作製し、こ
の光ディスクの特性を評価した。また、この実施例とし
て示す光ディスクと比較するために、従来の光ディスク
を比較例として作製した。
媒体の実施例として示す光ディスクを実際に作製し、こ
の光ディスクの特性を評価した。また、この実施例とし
て示す光ディスクと比較するために、従来の光ディスク
を比較例として作製した。
【0116】実施例1 実施例1では、表1に示すような基板を用いて光ディス
クを作製した。
クを作製した。
【0117】
【表1】
【0118】そして、この基板のピット及びグルーブが
形成された一主面に対してAlからなる反射膜及び記録
膜を形成し、更に、この記録膜上に光透過層を形成し
た。
形成された一主面に対してAlからなる反射膜及び記録
膜を形成し、更に、この記録膜上に光透過層を形成し
た。
【0119】実施例2 この実施例2では、いわゆる、2P法を用いてガラス基
板上に紫外線硬化樹脂よりなる層を成形して基板を形成
した以外は実施例1と同様にして非違仮ディスクを作製
した。ここで用いられた2P法とは、ガラス基板の一主
面とマザースタンパとの間に紫外線硬化樹脂を充填し、
圧力を加えながら紫外線を照射することにより紫外線硬
化樹脂を硬化する手法である。この2P法によれば、マ
ザースタンパ上に形成された凹凸パターンを略々完全に
転写することができる。
板上に紫外線硬化樹脂よりなる層を成形して基板を形成
した以外は実施例1と同様にして非違仮ディスクを作製
した。ここで用いられた2P法とは、ガラス基板の一主
面とマザースタンパとの間に紫外線硬化樹脂を充填し、
圧力を加えながら紫外線を照射することにより紫外線硬
化樹脂を硬化する手法である。この2P法によれば、マ
ザースタンパ上に形成された凹凸パターンを略々完全に
転写することができる。
【0120】比較例1 この比較例1では、従来の光ディスクの製造方法におい
て形成されたガラス基板を用いて作製されたマスタース
タンパを用いて基板を形成した以外は、実施例1と同様
にして光ディスクを作製した。すなわち、この比較例1
では、ピットに相当する部分が単一のレーザにより露光
されてガラス原盤上における凹部として形成されてい
る。したがって、この場合、マスタースタンパは、ピッ
トに相当する部分が微小な凸部となっている。
て形成されたガラス基板を用いて作製されたマスタース
タンパを用いて基板を形成した以外は、実施例1と同様
にして光ディスクを作製した。すなわち、この比較例1
では、ピットに相当する部分が単一のレーザにより露光
されてガラス原盤上における凹部として形成されてい
る。したがって、この場合、マスタースタンパは、ピッ
トに相当する部分が微小な凸部となっている。
【0121】比較例2 この比較例2では、従来の光ディスクの製造方法におい
て形成されたガラス原盤を用いて作製されたマザースタ
ンパを用いて基板を形成した以外は、実施例1と同様に
して光ディスクを作製した。すなわち、この比較例2で
は、ピットに相当する部分が単一のレーザにより露光さ
れてガラス原盤上における凹部として形成されている。
したがって、この場合、マザースタンパは、ピットに相
当する部分が微小な凹部となっている。
て形成されたガラス原盤を用いて作製されたマザースタ
ンパを用いて基板を形成した以外は、実施例1と同様に
して光ディスクを作製した。すなわち、この比較例2で
は、ピットに相当する部分が単一のレーザにより露光さ
れてガラス原盤上における凹部として形成されている。
したがって、この場合、マザースタンパは、ピットに相
当する部分が微小な凹部となっている。
【0122】特性評価 以上のように作製された実施例1、実施例2、比較例1
及び比較例2を用いてピット列の転写性を基板に形成さ
れたピットの深さを測定することにより評価し、また、
各光ディスクのジッターを測定することにより記録再生
特性を評価した。
及び比較例2を用いてピット列の転写性を基板に形成さ
れたピットの深さを測定することにより評価し、また、
各光ディスクのジッターを測定することにより記録再生
特性を評価した。
【0123】このとき、各光ディスクに対しては、表2
に示すような条件で信号を記録再生した。
に示すような条件で信号を記録再生した。
【0124】
【表2】
【0125】各光ディスクのジッターを測定した結果を
表3に示す。なお、このジッターの測定は、デフォーカ
ス及びディスクの傾き等のない状態で行われた。このジ
ッターの値は、変換点位置誤差であって、小さいほど信
号品質はよいものとなる。
表3に示す。なお、このジッターの測定は、デフォーカ
ス及びディスクの傾き等のない状態で行われた。このジ
ッターの値は、変換点位置誤差であって、小さいほど信
号品質はよいものとなる。
【0126】
【表3】
【0127】この表3から判るように、比較例2の光デ
ィスクでは、十分な再生信号を得ることができなかっ
た。これは、比較例2においては、マザースタンパ上の
微小な凹部に樹脂を充填することが困難であり、転写不
良が発生してしまったためである。このとき、実際に、
比較例2の光ディスクにおけるピットの深さを測定する
と、20nm程度しかなかった。
ィスクでは、十分な再生信号を得ることができなかっ
た。これは、比較例2においては、マザースタンパ上の
微小な凹部に樹脂を充填することが困難であり、転写不
良が発生してしまったためである。このとき、実際に、
比較例2の光ディスクにおけるピットの深さを測定する
と、20nm程度しかなかった。
【0128】これに対して、実施例1及び実施例2で
は、比較例1と比較しても略々同等なジッター値を示
し、十分なレベルの再生信号を出力することができるこ
とが判った。また、ピットの深さも、略々100nmと
なっていた。また、凹凸パターンを略々完全に転写する
ことができる2P法を用いて作製された実施例2と射出
成形を用いて作製された実施例1とを比較すると、殆ど
ジッター値に差がないことが判る。このことから、本手
法を用いて作製したマザースタンパを用いた場合、射出
成形法を用いても非常に正確に転写できることが明らか
になった。
は、比較例1と比較しても略々同等なジッター値を示
し、十分なレベルの再生信号を出力することができるこ
とが判った。また、ピットの深さも、略々100nmと
なっていた。また、凹凸パターンを略々完全に転写する
ことができる2P法を用いて作製された実施例2と射出
成形を用いて作製された実施例1とを比較すると、殆ど
ジッター値に差がないことが判る。このことから、本手
法を用いて作製したマザースタンパを用いた場合、射出
成形法を用いても非常に正確に転写できることが明らか
になった。
【0129】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る光記録媒体は、凸条部の主面と同じ高さ位置から形
成された凹部を有している。この凹部は、凸条部ととも
に形成されることにより、精度良く形成されたものとな
る。このため、この光記録媒体は、良好な再生信号を示
すことができる。
係る光記録媒体は、凸条部の主面と同じ高さ位置から形
成された凹部を有している。この凹部は、凸条部ととも
に形成されることにより、精度良く形成されたものとな
る。このため、この光記録媒体は、良好な再生信号を示
すことができる。
【0130】また、本発明に係る光記録媒体の製造方法
は、マスタースタンパからの転写を奇数回行うことによ
り形成されたマザースタンパを用いて樹脂基板を形成し
ている。このとき、このマザースタンパには、原盤にお
ける凹部が凸部として形成されている。このため、この
手法では、ガラス原盤における微小な凹部列がマザース
タンパにおける微小な凸部として形成されることとな
る。したがって、この手法では、ガラス原盤における凹
部列を転写性良く成形することができ、微小な凹部列を
有する樹脂基板を確実に形成することができる。
は、マスタースタンパからの転写を奇数回行うことによ
り形成されたマザースタンパを用いて樹脂基板を形成し
ている。このとき、このマザースタンパには、原盤にお
ける凹部が凸部として形成されている。このため、この
手法では、ガラス原盤における微小な凹部列がマザース
タンパにおける微小な凸部として形成されることとな
る。したがって、この手法では、ガラス原盤における凹
部列を転写性良く成形することができ、微小な凹部列を
有する樹脂基板を確実に形成することができる。
【図1】本発明に係る光記録媒体の一例として示す光デ
ィスクの斜視図である。
ィスクの斜視図である。
【図2】図1に示した光ディスクの要部断面図である。
【図3】光ディスクの基板の要部斜視図である。
【図4】同基板の平面図である。
【図5】従来の光ディスクの記録再生を示す要部断面図
である。
である。
【図6】光透過層側から見て凹となる部分に記録を行う
際の要部断面図である。
際の要部断面図である。
【図7】本発明に係る光記録媒体の製造方法のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図8】ガラス基板上にレジスト膜を形成した状態を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図9】露光装置の構成図である。
【図10】ガラス基板上に形成されたレジスト膜の所定
の領域に露光した状態を示す要部断面図である。
の領域に露光した状態を示す要部断面図である。
【図11】ガラス基板上に形成されたレジスト膜の所定
の領域に露光した状態を示す要部平面図である。
の領域に露光した状態を示す要部平面図である。
【図12】現像処理が施されることによりガラス基板上
に残存するレジスト膜を有するガラス原盤の要部平面図
である。
に残存するレジスト膜を有するガラス原盤の要部平面図
である。
【図13】ガラス原盤の要部断面図である。
【図14】ガラス原盤上にNiメッキを行った状態を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図15】ガラス原盤からマスタースタンパを剥離した
状態を示す要部断面図である。
状態を示す要部断面図である。
【図16】マスタースタンパ上に剥離被膜を形成した状
態を示す要部断面図である。
態を示す要部断面図である。
【図17】マスタースタンパ上の剥離被膜上にNiメッ
キを行った状態を示す要部断面図である。
キを行った状態を示す要部断面図である。
【図18】マスタースタンパ上からマザースタンパを剥
離した状態を示す要部断面図である。
離した状態を示す要部断面図である。
【図19】射出成形機の要部断面図である。
【図20】基板面内における凹溝の割合とこの凹溝に充
填されて形成されたグルーブの深さとの関係を、樹脂の
温度を変化させて測定した結果を示す特性図である。
填されて形成されたグルーブの深さとの関係を、樹脂の
温度を変化させて測定した結果を示す特性図である。
1 光ディスク、2 基板、3 反射層、4 記録層、
5 光透過層、6 誘電体膜、7 記録膜、8 対物レ
ンズ、9 グルーブ、10 ピット、11 ランド
5 光透過層、6 誘電体膜、7 記録膜、8 対物レ
ンズ、9 グルーブ、10 ピット、11 ランド
Claims (9)
- 【請求項1】 基板とこの基板上に少なくとも光透過層
を有し、この光透過層側から所定の波長の光を照射する
ことにより信号の記録及び/又は再生を行う光記録媒体
において、 上記基板は、上記光透過層側からみて凸となるような凸
条部と、この凸条部の長手方向の位置に、凸条部の主面
と同じ高さ位置から形成された凹部とを有することを特
徴とする光記録媒体。 - 【請求項2】 上記基板上に積層された反射膜と、この
反射膜上に積層された記録膜とを備え、上記凸条部上に
形成された上記記録膜を記録領域とすることを特徴とす
る請求項1記載の光記録媒体。 - 【請求項3】 上記記録膜は、相変化型記録膜、光磁気
記録膜、有機色素型記録膜のうちのいずれかであること
を特徴とする請求項3記載の光記録媒体。 - 【請求項4】 基板上に形成されたレジスト膜の所定の
領域を露光することによって、レジスト膜に凹部が一列
に配列されてなる凹部列を複数本形成するとともに、隣
り合う凹部列間のレジスト膜を除去して原盤を形成し、 この原盤に金属メッキを行い、これを剥離することによ
りマスタースタンパを形成し、 このマスタースタンパからの転写を奇数回行うことによ
りマザースタンパを形成し、 このマザースタンパを転写することにより樹脂基板を成
形し、 この樹脂基板の上記マザースタンパが転写された面上に
少なくとも光透過層を形成することを特徴とする光記録
媒体の製造方法。 - 【請求項5】 上記原盤上に、上記凹部列と同列上に凹
溝を形成することを特徴とする請求項5記載の光記録媒
体の製造方法。 - 【請求項6】 上記凹溝及び上記凹部は、それぞれの底
面に上記基板が露出することを特徴とする請求項6記載
の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項7】 上記レジスト膜がポジ型のレジスト膜で
あることを特徴とする請求項5記載の光記録媒体の製造
方法。 - 【請求項8】 上記レジスト膜に対して、第1の光で露
光することにより上記凹部を形成するとともに第2の光
で露光することにより上記凹部列間のレジスト膜を除去
することを特徴とする請求項8記載の光記録媒体の製造
方法。 - 【請求項9】 上記第1の光及び上記第2の光は、単一
の光源から出射された光が分光されてなり、同一の対物
レンズを介して上記レジスト膜に照射されることを特徴
とする請求項9記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10048071A JPH11250504A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 光記録媒体及びその製造方法 |
US09/252,921 US20020075791A1 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-19 | Optical recording medium, and method of manufacturing same |
EP99103408A EP0939399A3 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-22 | Optical recording medium, and method of manufacturing same |
EP01129109A EP1184860A2 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-22 | Method of manufacturing an optical recording medium |
KR1019990006580A KR19990072993A (ko) | 1998-02-27 | 1999-02-26 | 광기록매체및그의제조방법 |
CN99102431A CN1227382A (zh) | 1998-02-27 | 1999-02-26 | 光记录介质及其制造方法 |
US09/841,986 US6440333B2 (en) | 1998-02-27 | 2001-04-25 | Optical recording medium, and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10048071A JPH11250504A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11250504A true JPH11250504A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12793128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10048071A Withdrawn JPH11250504A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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EP (2) | EP0939399A3 (ja) |
JP (1) | JPH11250504A (ja) |
KR (1) | KR19990072993A (ja) |
CN (1) | CN1227382A (ja) |
Cited By (1)
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US7366083B2 (en) | 2001-05-02 | 2008-04-29 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording medium having substrate with microscopic pattern and reproducing apparatus therefor |
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- 1999-02-22 EP EP01129109A patent/EP1184860A2/en not_active Withdrawn
- 1999-02-26 KR KR1019990006580A patent/KR19990072993A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-02-26 CN CN99102431A patent/CN1227382A/zh active Pending
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- 2001-04-25 US US09/841,986 patent/US6440333B2/en not_active Expired - Fee Related
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