JP2007293949A - 光記録媒体、情報記録再生装置及び方法 - Google Patents
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
【解決手段】基板(1a、1b)および、干渉膜と相変化記録膜と界面膜と反射膜を含む積層構造(19、20)を持ち、前記記録膜に対し光を用いて可逆的に記録または消去が行われる相変化光ディスクにおいて、前記相変化記録膜(13a、13b)と接する部位(21a、21bの場所)からこの記録膜の厚さ方向に、もしくはこの記録膜の面内方向(厚さ方向と直交する方向)に、前記記録膜を構成する元素(Ge,Te等)が偏析または濃度分布を有する。
【選択図】図1
Description
相変化光記録膜は、一般に融点以上に加熱された部分が溶融し、急激に冷却される際に非晶質(アモルファス)の原子配列をとる。近年の研究では完全なアモルファス状態ではなく、ショート・レンジ(短距離)の規則性がある可能が示唆されている。しかしながら、XRD(X線回折)の測定によると結晶が存在すれば観測されるピークは確認できていない。そのため、結晶状態の本質的な特徴であるロング・レンジ(長距離)の規則性は無い、もしくはあっても非常に弱いと考えられる。そのため、以下では、「融点以上に加熱された部分が急冷される際に非晶質の原子配列をとる状態」を従前と同様にアモルファス状態と呼ぶことにする。また、融点以下、結晶化温度の温度領域に一定時間以上保持された場合は、初期状態が結晶の場合は結晶のままであるが、初期状態が非晶質の場合は結晶化する(固相消去モード)。記録膜の材料によっては、記録膜の非結晶部近傍を融点以上に加熱・溶融してから徐冷することにより結晶化を行う方法も採られる(溶融消去モード)。
ここで、一枚の記録媒体に記録できる情報の量、すなわち記録容量を増すためには、以下の二通りの方法がある。一つは、トラック方向の記録マークのピッチを微細化する方法であるが、微細化の程度が進むと再生する光ビームの大きさよりも小さい領域に至り、再生ビームスポット内に二つの記録マークが一時的に含まれる場合が生じる。記録マークが互いに十分離れている場合は再生信号が大きく変調され、振幅の大きい信号が得られるが、互いに近接している場合は、振幅の小さい信号となり、デジタルデータへの変換の際にエラーを生じやすい。
もうひとつの大容量化の手法は、情報を担う層を複数設け、それらを重ね合わせる方法である。この方法は、特開2000−322770(特許文献1)に開示されている。二つの層を重ね合わせ、片面から読み書きできるように設計された媒体を片面2層媒体、または単に2層媒体と呼ぶ。片面2層媒体において、光入射側に近い方に設ける情報層(以後、L0と称する)は、遠い方に設ける情報層(以後、L1と称する)にアクセスする際に、L0で必要以上に光を減衰させないため、おおよそ50%以上の透過率を確保する必要がある。このためには、L0では記録膜の厚さを10nm以下と極めて薄くする必要がある。
高速記録は相変化光記録に対するもうひとつの要求である。例えば、映像を録画する場合、実際の視聴時間よりも短時間で記録ができるようになれば、配布媒体のダビング時や、放送録画中に時間を戻って前の映像を視聴するいわゆるタイムシフト機能の実現が容易となる。ここで相変化記録において高速記録を妨げる一つの要因は、オーバーライト時に比較的低い消去レベルのレーザによって結晶化を行う際、情報が消え残ってしまう問題、すなわち消去率不足の問題である。これは、記録マークがレーザスポット内を高速に通過するため、結晶化可能な温度領域に十分に長い時間保たれず、情報が消え残ってしまうためである。
相変化記録媒体では、相変化光記録原理のところで説明したように、レーザパルスの照射により記録膜の所望部分にアモルファスのマークを形成し(すなわちデータを書き込み)、または逆にアモルファスのマーク上に低パワーのレーザを照射し結晶化させてデータを消去する。前者ではレーザが照射された部分を急冷することによりアモルファスのマークが形成され、後者は逆に徐冷することによりアモルファスの部分を結晶化させる。また、記録膜部でのレーザの吸収率が大きければ小さなレーザパワーで記録や消去などの動作が行え、逆に吸収率が小さければ記録や消去に大きなレーザパワーを必要とすることになる。この記録膜での吸収率は、多層膜から形成される媒体の各膜材料の光学的特性と熱特性から決まる。例えば、吸収率が同等でも膜材料の選択により構成を変えることができ、急冷構造と徐冷構造、または膜の面内方向と断面方向で熱物性の異方性を作り出すことなどができる。
GeNの他に、結晶化促進機能を有する界面層材料になり得る公知技術として、硫黄(S)フリーの保護膜用材料を目指した「Ta2O5などのいくつかの酸化物に炭化物もしくは窒化物を混合する技術」が特開2003−6794(特許文献4)に開示されている。特許文献4は、主に波長λ=650nmのレーザダイオードを用いた現行のDVDを改良することを目的に検討されている。特許文献4の材料は次世代の青色レーザダイオード(λ=405nm)では不透明となり、光学的ロスが大きくなる。そのため、次世代の高密度媒体では問題点がある。前述のGeNも同様にλ=405nmでは透明ではなく、光学的ロスが大きい。
また、共晶系の記録膜は、前述のように消去過程に溶融消去のモードが用いられるため、キャップ層に結晶化促進機能などは求められない。そのため、膜材料や組織と言った詳細については検討されていなかった。加えて、共晶系は、前述のように溶融消去モードを用いるため、ランド(L)とグルーブ(G)の両方に情報を記録・再生する、いわゆるランド・グルーブ記録を行うことが非常に困難である。そのため、記録密度の高密度化には非常に不利である。
<1>基板(1a、1b)および、干渉膜(保護膜または誘電体膜:11a、11b)と、原子配列を可逆的に変化させることができる記録膜(13a、13b)と、この記録膜に接する結晶化促進膜(12a、12b/14a、14b)と、反射膜(16a、16b)を含む積層構造(19、20)を持ち、前記記録膜(13a、13b)に対して、光を用いて可逆的に記録または消去が行われる記録媒体(100)において、前記記録膜(13a、13b)と接する部位(21a、21bの場所)からこの記録膜の厚さ方向(図1の図示縦方向)に、もしくはこの記録膜の面内方向(図1の図示横方向または法線方向:厚さ方向と直交する方向)に、前記記録膜(13a、13b)を構成する元素(Ge,Te等)が、偏析または濃度分布を有する(図5)ように構成する。
記録膜に接して結晶化促進機能を有する界面膜は、窒化ゲルマニウム(GeN)、または窒化ゲルマニウム-クロム(GeCrN)、または酸化ジルコニウム(ZrO2)、または安定化ジルコニア+酸化クロム(ZrO2+Cr2O3)、または安定化ジルコニア+酸化ケイ素+酸化クロム(ZrO2+SiO2+Cr2O3)、またはジルコン+酸化クロム(ZrSiO4+Cr2O3)、または酸化ハフニウム(HfO2)を含んで構成される。あるいは、この界面膜は、ハフニウム(Hf)、酸素(O)、および窒素(N)を含有する化合物(HfO2-xNx)で構成される。あるいは、この界面膜は、ジルコニューム(Zr)、酸素(O)、窒素(N)、およびイットリア(Y)を含有する膜((ZrO2-xNx)1-y((Y2O3)1-z(Nb2O5)z)yにおいてz=0)で構成される。あるいは、この界面膜は、ジルコニューム(Zr)、酸素(O)、窒素(N)、およびニオブ(Nb)を含有する膜((ZrO2-xNx)1-y((Y2O3)1-z(Nb2O5)z)yにおいてz=1)で構成される。あるいは、この界面膜は、ジルコニューム(Zr)、酸素(O)、窒素(N)、およびイットリア(Y)とニオブ(Nb)から構成される膜((ZrO2-xNx)1-y((Y2O3)1-z(Nb2O5)z)yにおいて0<z<1)で構成される。あるいは、この界面膜は、酸化クロム(Cr2O3)、または酸化亜鉛(ZnO)、または酸化亜鉛+酸化タンタル(ZnO+Ta2O5)、または酸化亜鉛+酸化タンタル+酸化インジウム(ZnO+Ta2O5+In2O3)、または酸化錫(SnO2)、または酸化錫+酸化アンチモン(SnO2+Sb2O3)、または酸化錫+酸化タンタル(SnO2+Ta2O5)、または酸化錫+酸化ニオブ(SnO2+Nb2O5)を含んで構成される。このような構成を採用した場合に、この発明の実施の形態の特徴がより顕著となる。
記録膜をGeSbTeとし、(GeTe)-(Sb2Te3)と表記できる、いわゆる擬二元系線上組成とその近傍とした場合に、この発明の界面膜の効果が顕著であり、さらに好ましくは、前記(GeTe)-(Sb2Te3)組成とその近傍の合金記録膜材料であって、Geの組成比が30at.%以上の組成に対して、特にこの発明の効果が顕著である。従来の考えでは、記録膜の組成のみが重要であると考えられてきたが、前述のようにこの発明ではその電子状態がどのようなものであるのかも組成と同様に重要である。以下では組成に関する記述をする。
記録膜に窒素(N)が含まれる場合としは、(GeTe)-(Sb2Te3)- N 、すなわち(GeTe)-(Sb2Te3)に窒素(N)を添加した構成と表記できる。すなわち、(GeTe)-(Sb2Te3)の擬二元系に窒素(N)を添加した構成である。より簡単には、GeSbTe-Nと表記できる。このように窒化された記録膜を用いた場合、この発明の界面膜の効果が顕著であり、さらに好ましくは、前記(GeTe)-(Sb2Te3)組成とその近傍の合金記録膜材料であって、Geの組成比が30at.%以上の組成に対してこの発明の界面膜を用いると、特にその効果が顕著である。
試作した光記録媒体の実施例を示すのに先立ち、以下の実施例に用いた構造の試料において、記録膜が結晶状態、およびアモルファス状態の両者の試料を作成し、記録膜の価電子帯の状態密度をHX−PES法を用いてそれぞれ測定した。記録膜および界面層は、以下の系に関して実験を行った。
GeSbTe、GeSnSbTe、GeSnSbTeIn、GeSbTeIn、GeSbTeBiIn、GeSbSnTeBiIn、GeSbTeBi、GeSnSbTeBi、GeSnSbTeBiIn、GeBiTeIn、GeBiTe、GeSbTe-N、GeSbTeBi-N、GeBiTe-N、GeSbInTe-N、GeSbTeBiIn-N、GeBiInTe-N。
窒化ゲルマニウム(GeN)、窒化ゲルマニウム-クロム(GeCrN)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、安定化ジルコニア+酸化クロム(ZrO2+Cr2O3)、安定化ジルコニア+酸化ケイ素+酸化クロム(ZrO2+SiO2+Cr2O3)、ジルコン+酸化クロム(ZrSiO4+Cr2O3)、酸化ハフニウム(HfO2)、ハフニウム(Hf)酸素(O)および窒素(N)を含有する化合物(HfO2-xNxにおいて0.1≦x≦0.2)、ジルコニューム(Zr)酸素(O)窒素(N)およびイットリア(Y)とニオブ(Nb)から構成される膜((ZrO2-xNx)1-y((Y2O3)1-z(Nb2O5)z)yにおいて0<x≦0.2、0<y≦0.1、0≦z≦1)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化亜鉛+酸化タンタル(ZnO+Ta2O5)、酸化亜鉛+酸化タンタル+酸化インジウム(ZnO+Ta2O5+In2O3)、酸化錫(SnO2)、酸化錫+酸化アンチモン(SnO2+Sb2O3)、酸化錫+酸化タンタル(SnO2+Ta2O5)、酸化錫+酸化ニオブ(SnO2+Nb2O5)。
図1の基板には、ランド・グルーブ記録方式(a)およびグルーブ記録方式(b)の両者に対応するものを用いた。ランド・グルーブ記録方式(a)では射出成形で形成された厚さ0.59mmのポリカーボネート(PC)基板を使用した。グルーブピッチ0.68μmでグルーブを形成したものを用いたので、ランド(L)とグルーブ(G)の両方に記録する場合は、トラックピッチ0.34μmに相当する。グルーブ記録方式(b)ではやはり射出成形で形成された厚さ0.59mmのPC基板を使用し、グルーブピッチを0.4μmとした。
一つはデータの誤り率を測定するビット・エラー・レート(SbER : Simulated bit Error Rate)の測定である。もう一つは、読み出し信号品質を判断するためのアナログ測定である。SbER測定は、まず2Tから13Tまでのパターンがランダムに含まれたマーク列を10回オーバーライトした。次に、前記トラックの両側の隣接トラックに同じランダムパターンを10回オーバーライトした。その後、真中のトラックに戻り、SbERを測定した。
アナログ測定は、次のように行った。やはりまず2Tから13Tまでのパターンがランダムに含まれたマーク列を10回オーバーライトした。次に、そのマーク列に9Tのシングルパターンを1回オーバーライトし、9Tマークの信号周波数の信号対ノイズ比(以下、CNR)をスペクトラムアナライザーによって測定した。次に、消去パワーレベルのレーザビームをディスク一回転分照射し、記録マークを消去した。その際の、9Tマークの信号強度の減少分を測定し、これを消去率(ER)と定義する。次に、十分離れたトラックにヘッドを移動し、クロスイレース(E−X)の測定を行った。
また、3つ目の測定としてオーバーライト(OW)特性の実験を行った。本実験では同一トラックにランダム信号をオーバーライト(OW)しつつ、CNRを測定した。CNRが、初期の価より2dB以上減少してしまう回数が2000回以上あるかどうかで判定した。OW回数が何処まで可能かどうかと言う視点で実験を行っていない。映像記録用途であれば、1000回程度、PCのデータ用途を目指すなら10000回以上可能であることが求められる。ただし、マーケットとしては、圧倒的に映像記録用途が大きいので、映像記録用途を重視した評価を行うこととした。
[実施形態3]
実施形態2の構成と同様な構成で、界面層には、光入射側にGeCrN、反射膜側にCr2O3を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに52dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にZrO2+Y2O3+Cr2O3、反射膜側にSnO2+Sb2O3を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに52dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にZrSiO4+Cr2O3、反射膜側にCr2O3を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに53dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にZrO2+Y2O3+SiO2+Cr2O3、反射膜側にZnO+Ta2O5+In2O3を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに53dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側に(ZrO2-xNx)1-y((Y2O3)1-z(Nb2O5)z)y ((x、y、z)=(0.05、0.05、0)) 、反射膜側にSnO2+Nb2O5を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに53dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にHfO2-xNx (x=0.1)、反射膜側にGeNを用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに52dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にGeN、反射膜側にCr2O3を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに53dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にHfO2-xNx (x=0.1)、反射膜側にZrSiO4+Cr2O3を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに53dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にCr2O3、反射膜側にZnO+Ta2O5を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに51dB以上と良好な結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にGeN、反射膜側にSnO2+Ta2O5を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに53dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にZrO2+Y2O3+Cr2O3、反射膜側にZnO+Ta2O5+In2O3を用いてディスクを作成した。やはり実施形態2と同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに53dB以上と優れた結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
基板には、前述の(a)、(b)の両方式、すなわちランド・グルーブ記録方式(a)およびグルーブ記録方式(b)の両者に対応するものを用いた。ランド・グルーブ記録方式(a)では射出成形で形成された厚さ0.6mmのポリカーボネート(PC)基板を使用した。グルーブピッチ0.68μmでグルーブを形成したものを用いたので、ランド(L)とグルーブ(G)の両方に記録する場合は、トラックピッチ0.34μmに相当する。グルーブ記録方式(b)ではやはり射出成形で形成された厚さ0.59mmのPC基板を使用し、グルーブピッチを0.4μmとした。
基板には、前述の(a)、(b)の両方式、すなわちランド・グルーブ記録方式およびグルーブ記録方式の両者に対応するものを用いた。すなわち、ランド・グルーブ記録方式(a)では射出成形で形成された厚さ0.6mmのポリカーボネート(PC)基板を使用した。グルーブピッチ0.68μmでグルーブを形成したものを用いたので、ランド(L)とグルーブ(G)の両方に記録する場合は、トラックピッチ0.34μmに相当する。グルーブ記録方式(b)ではやはり射出成形で形成された厚さ0.59mmのPC基板を使用し、グルーブピッチを0.4μmとした。これらのPC基板のグルーブが形成された面に、スパッタリング装置を用いて、光入射側からZnS-SiO2、SiOC、ZnS-SiO2、界面層、記録膜層、界面層、ZnS-SiO2、Ag合金を順次成膜し、UV硬化樹脂を用いて、成膜を行っていないいわゆるブランク・ディスクを貼り合わせた。SiOC膜は、SiC系ターゲットをAr/O2の混合ガスを用いて反応性スパッタリング法により得られる膜で、SiO2とほぼ同様な低屈折率を示す。やはり実施形態2などと同様な実験をした。その結果、やはり図13に示すように、いずれのサンプルについてもSbERはランド・グルーブともに10−6台であり、良好なエラーレートが得られた。アナログデータに関しても、いずれもCNRがランド・グルーブともに51dB以上と良好な結果となった。OW回数も同様にいずれの媒体も2000回以上と実用的な特性が得られた。
実施形態2の構成と同様な構成で界面層には、光入射側にGeN、反射膜側にCr2O3、または両側にGeNを用いてディスクを作成した。記録膜層は、Ge、Sb、Teからなり、その組成をGexSbyTezと表すときx+y+z=100で、GeSbTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで囲まれた組成から選択されたものを用いた。また、記録膜層がGe、Sb、TeおよびBiまたはSnからなり、前記GeSbTeの組成の一部をBiおよび/またはInおよび/またはSnで置換し、その組成を(Ge(1-w) Snw)x(Sbv (Bi(1-u) In u)(1-v))yTezと表すとき、x+y+z=100で、0≦w<0.5かつ0≦v<0.7かつ0≦u≦1を満たすGeSbTeBi、GeSbTeSn、GeSbTeBiSn、GeSnSbTeIn、GeSbTeIn、GeSbTeBiIn、GeSbSnTeBiIn、GeBiTeIn、GeSnSbTeBiInを用いた。更には記録膜層が、Ge、Bi、Teからなり、その組成をGexBiyTezと表すときx+y+z=100で、GeBiTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで囲まれた組成の条件を満たすものを用いた。多くの組成について検討したが、この実施例では図8に示すものを代表例としたGeSbTe系、GeSbTeSn系、およびGeBiTe系の記録膜層を用いたディスクの例を示した。やはりそれぞれ実施形態2と同様な実験をした。これらの結果を図15に示す。
実施形態2の構成と同様な構成で、界面層には、光入射側にGeCrN、反射膜側にCr2O3を用いてディスクを作成した。記録膜層は、Ge、Sb、Te、およびN(窒素)からなり、Ge、Sb、Teからなる化合物のの組成をGexSbyTezと表すときx+y+z=100で、GeSbTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで囲まれた組成領域のGeSbTe系化合物にN(窒素)を1〜5at.%添加したものから選択されたものを用いた。また、記録膜層がGe、Sb、Te、Biおよび/またはInおよび/またはSn、およびN(窒素)からなり、前記GeSbTeの組成の一部をBiおよび/またはSnで置換し、その組成を(Ge(1-w) Snw)x(Sbv (Bi(1-u) In u)(1-v))yTezと表すとき、x+y+z=100で、0≦w<0.5かつ0≦v<0.7かつ0≦u≦1を満たすGeSbTeBi、GeSbTeSn、GeSbTeBiSn、GeSnSbTeIn、GeSbTeIn、GeSbTeBiIn、GeSbSnTeBiIn、GeBiTeIn、GeSnSbTeBiInにN(窒素)を0.1〜10at.%添加したものを用いた。更には記録膜層が、Ge、Bi、Teからなり、その組成をGexBiyTezと表すときx+y+z=100で、GeBiTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで囲まれたGe、Sb、Te、およびN(窒素)からなり、Ge、Sb、Teからなる化合物のの組成をGexSbyTezと表すときx+y+z=100で、GeSbTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで囲まれた組成領域のGeSbTe系化合物にN(窒素)を0.1〜10at.%添加したものの中から選択したものを用いた。
次に比較例を示す。やはり実施形態2の構成と同様な構成で界面層にSiO2、Y2O3、を用いたディスク、および界面層を用いなかったディスクを作成した。図17、図18に整理した。やはりそれぞれ実施形態2と同様な実験をした。その結果を図17、図18に示す。
・再生専用で記録が不可能な“再生専用形情報記憶媒体”
・1回のみの追記記録が可能な“追記形情報記憶媒体”
・何回でも書き替え記録が可能な“書替え形情報記憶媒体”
の3種類の情報記憶媒体の実施形態を明示する。図28に示すように上記3種類の情報記憶媒体では大部分の構造と寸法が共通化されている。3種類の情報記憶媒体いずれも内周側からバーストカッティング領域BCA、システムリードイン領域SYLDI、コネクション領域CNA、データリードイン領域DTLDI、データ領域DTAが配置された構造になっている。OPT形再生専用媒体以外は全て外周部にデータリードアウト領域DTLDOが配置されている。後述するようにOPT形再生専用媒体では外周部にミドル領域MDAが配置される。システムリードイン領域SYLDIではエンボス(プリピット)の形で情報が記録されており、追記形および書替え形のいずれもこの領域内は再生専用(追記不可能)となっている。
(1)バーストカッティング領域BCA内の情報の再生
(2)システムリードイン領域SYLDI内の制御データゾーンCDZ内の情報の再生
(3)データリードイン領域DTLDI内の情報の再生(追記形または書替え形の場合)
(4)参照コード記録ゾーンRCZ内での再生回路定数の再調整(最適化)
(5)データ領域DTA内に記録された情報の再生もしくは新たな情報の記録
の順で処理を行うため、バーストカッティング領域BCA内に形成されたデータからの再生信号振幅レベルとシステムリードイン領域SYLDIからの再生信号振幅レベルに大きな段差があると情報再生の信頼性が低下すると言う問題が生じる。その問題を解決するため、この実施形態では、記録膜に“L→H”形の記録膜を使用する場合にはバーストカッティング領域BCAに予め微細な凹凸形状を形成しておく。予め微細な凹凸形状を形成しておくと、局所的なレーザ露光によりデータ(バーコードデータ)を記録する前の段階で、光の干渉効果により光反射レベルが鏡面210からの光反射レベルよりも低くなり、バーストカッティング領域BCA内に形成されたデータからの再生信号振幅レベル(検出レベル)とシステムリードイン領域SYLDIからの再生信号振幅レベル(検出レベル)の段差が大きく減り、情報再生の信頼性が向上し、上記の(1)から(2)へ移行する際の処理が容易になる。
(1)拡張ドライブテストゾーンEDRTZの設定(枠取り)は外周方向(データリードアウト領域DTLDOに近い方)から内周側にむけて順次まとめて設定する
…図33(e)に示すようにデータ領域内の最も外周に近い場所(データリードアウト領域DTLDOに最も近い場所)からまとまった領域として拡張ドライブテストゾーン1EDRTZ1を設定し、その拡張ドライブテストゾーン1EDRTZ1を使い切った後で、それより内周側に存在する纏まった領域として拡張ドライブテストゾーン2EDRTZ2を次に設定可能とする。
…拡張ドライブテストゾーンEDRTZの中で試し書きを行う場合には内周側から外周側に沿ってスパイラル状に配置されたグルーブ領域214に沿って行い、前回試し書きをした(既に記録された)場所のすぐ後ろの未記録場所に今回の試し書きを行う。
…図33(e)にデータ領域DTA内に2箇所の拡張代替え領域ESPA1、ESPA2を設定し、2箇所の拡張ドライブテストゾーンEDRTZ1、EDRTZ2を設定した例を示す。この場合にこの実施形態では図33(f)に示すように拡張ドライブテストゾーンEDRTZ2までを含めた領域に対してデータリードアウト領域DTLOとして再設定できる。これに連動して、範囲を狭めた形でデータ領域DTAの範囲の再設定を行うことになり、データ領域DTA内に存在するユーザデータの追記可能範囲205の管理が容易になる。図33(f)のように再設定した場合には図33(e)に示した拡張代替え領域ESPA1の設定場所を“既に使い切った拡張代替え領域”と見なし、拡張ドライブテストゾーンEDRTZ内の拡張代替え領域ESPA2内のみに未記録領域(追記の試し書きが可能な領域)が存在すると管理する。この場合、拡張代替え領域ESPA1内に記録され、代替えに使われた非欠陥の情報はそっくりそのまま拡張代替え領域ESPA2内の未代替え領域の場所に移され、欠陥管理情報が書き替えられる。この時再設定されたデータリードアウト領域DTLDOの開始位置情報は記録位置管理データRMD内のRMDフィールド0の最新の(更新された)データ領域DTAの配置位置情報内に記録される。
NRZI信号の立上がりエッジからTSFP後にモノパルスの発生が開始し、NRZI信号の立下がりエッジから1T−TELP前に発生が終了する。モノパルスの期間は1T−TELP+TSFPである。TELP、TSFPは制御データゾーンに記録される。モノパルスに後続する第2バイアスパワーの期間はTLCである。TLCは制御データゾーンに記録される。
NRZI信号の立上がりエッジからTSFP後に第1パルスの発生が開始し、NRZI信号の立下がりエッジからTEFP後に発生が終了する。TEFP、TSFPは制御データゾーンに記録される。4Tから13Tに相当する記録パルスはマルチパルス列である。マルチパスル列はパルス幅TMPの期間Tのパルスの繰返しからなる。NRZI信号の立上がりエッジから2T後にマルチパルスの発生が開始し、NRZI信号の立下がりエッジから2T前にマルチパルス列の最後のパルスの発生が終了する。TMPは制御データゾーンに記録される。
TSFPは0.25T以上、1.50T以下である;
TELPは0.00T以上、1.00T以下である;
TEFPは1.00T以上、1.75T以下である;
TSLPは−0.10T以上、1.00T以下である;
TLCは0.00T以上、1.00T以下である;
TMPは0.15T以上、0.75T以下である;
アダプティブ制御パラメータTSFP、TELP、TLCは以下の制約がある;
TSFPの最大値と最小値との差は0.50T以下である;
TELPの最大値と最小値との差は0.50T以下である;
TLCの最大値と最小値との差は1.00T以下である;
モノパルスの幅1T−TSFP+TELPは0.25T以上、1.50T以下である。
|(平均ピークパワー)−(ピークパワー)|≦ピークパワーの5%
平均第1バイアスパワー、平均第2バイアスパワーは次の要件を満たす:
|(平均第1バイアスパワー)−(第1バイアスパワー)|≦第1バイアスパワーの5%
|(平均第2バイアスパワー)−(第2バイアスパワー)|≦第2バイアスパワーの5%
マルチパルス列の平均パワーは測定期間内のパワーの瞬時値の平均パワーである。
|(マルチパルス列の平均パワー)−(ピークパワー+第3バイアスパワー)/2|≦(ピークパワー+第2バイアスパワー)/2の5%
パワーの瞬時値は実際のパワーの瞬時値である;
平均パワーは所定のパワーレンジ内のパワーの瞬時値の平均値である。
ピークパワーの平均値:|(実際のパワー)−(ピークパワー)|≦ピークパワーの10%
第1バイアスパワーの平均値:|(実際のパワー)−(第1バイアスパワー)|≦第1バイアスパワーの10%
第2バイアスパワーの平均値:|(実際のパワー)−(第2バイアスパワー)|≦第2バイアスパワーの10%
第3バイアスパワーの平均値:|(実際のパワー)−(第3バイアスパワー)|≦第3バイアスパワーの10%
平均パワーを測定する期間は各パルスのパルス幅期間を越えない。
|(瞬時値ピークパワー)−(ピークパワー)|≦ピークパワーの10%
|(瞬時値第1バイアスパワー)−(第1バイアスパワー)|≦第1バイアスパワーの10%
|(瞬時値第2バイアスパワー)−(第2バイアスパワー)|≦第2バイアスパワーの10%
|(瞬時値第3バイアスパワー)−(第3バイアスパワー)|≦第3バイアスパワーの10%
マークエッジ位置を正確に制御するために、第1パルス、ラストパルス、モノパルスのタイミングは変調される。
TLC(M2)、TLC(M3)、TLC(M4)
TLC(M)はNRZI信号のマーク長のカテゴリがMの時のTLCの値を示す;
これらの3つのTLCの値は制御データゾーンに記録される。
TSFP(M2,LS2)、TSFP(M3,LS2)、TSFP(M4,LS2)
TSFP(M2,LS3)、TSFP(M3,LS3)、TSFP(M4,LS3)
TSFP(M2,LS4)、TSFP(M3,LS4)、TSFP(M4,LS4)
TSFP(M、LS)はNRZI信号のマーク長のカテゴリがMであり、マーク直前のNRZIのスペース長のカテゴリがLSの時の値を示す。これら9つのTSFPの値は制御データゾーンに記録される。
TELP(M2,TS2)、TELP(M3,TS2)、TELP(M4,TS2)
TELP(M2,TS3)、TELP(M3,TS3)、TELP(M4,TS3)
TELP(M2,TS4)、TELP(M3,TS4)、TELP(M4,TS4)
TELP(M、TS)はNRZI信号のマーク長のカテゴリがMであり、マーク直前のNRZIのスペース長のカテゴリがTSの時の値を示す。これら9つのTELPの値は制御データゾーンに記録される。
・フォーマットタイプ931…0b:CLVを表し、
1b:ゾーン構成を表す
・トラッキング方法932…0b:ピット対応で、この実施形態ではDPD(Differential Phase Detect)法を使用する
1b:プリグルーブ対応で、Push-Pull 法 またはDPP(Differential Push-Pull)法を使用する
・記録膜の反射率933…0b:40%以上
1b:40%以下
・レコーディングタイプ情報934…0b:一般データ
1b:リアルタイムデータ(Audio Video データ)
・領域タイプ情報935…00b:データ領域DTA
01b:システムリードイン領域SYLDIか
データリードイン領域DTLDI
10b:データリードアウト領域DTLDOか
システムリードアウト領域SYLDO
・データタイプ情報936…0b:再生専用データ
1b:書き替え可能データ
・レイヤー番号937…0b:レイヤー0
1b:レイヤー1
図40は、ECCブロック構造の一例を説明する図である。ECCブロックは、連続する32個のスクランブルドフレームから形成されている。縦方向に192行+16行、横方向に(172+10)×2列が配置されている。B0,0、B1,0、…はそれぞれ1バイトである。PO、PIは、エラー訂正コードであり、アウターパリティ、インナーパリティである。この実施形態では、積符号を用いたECCブロック構造を構成している。すなわち、情報記憶媒体に記録するデータを2次元状に配置し、エラー訂正用付加ビットとして“行”方向に対してはPI(Parity in)、“列”方向に対してはPO(Parity out)を付加した構造になっている。このように積符号を用いたECCブロック構造を構成することにより、イレイジャー訂正および縦と横の繰り返し訂正処理による高いエラー訂正能力を保証できる。
(1)物理セクタの最初の2232チェネルビットデータが属する小ECCブロック(右側か左側か)が異なる;
(2)セクタ毎に交互に異なるPOグループのデータが挿入される構造になっている。
図44は、変調ブロックの構成例を説明する図である。変調はコード変換テーブルを用いて行われる。この変換テーブルは、各データワード“00h”〜“FFh”と各State0〜2毎に対応するコードワードの12チャネルビットと次のデータワードのStateを示す内容を持つ。変調ブロックの構成を図44に示す。コードテーブル352は、データワードB(t)とステートS(t)から、コードワードX(t)とネクストステートS(t+1)を次のように求める:
X(t)=H{B(t),S(t)}
S(t+1)=G{B(t),S(t)}
Hはコードワード出力機能、Gは次のState出力機能である。
(1)ガード領域442〜448を跨った場所でも同期コードの出現頻度を一致させて同期コード位置検出の検出精度を向上させる;
(2)ガード領域442〜448も含めた物理セクタ内の位置の判別を容易にする;
を目的としてこの実施形態ではガード領域内に同期コード(シンクデータ)を配置する。
67+4+77376+2+4+16=77469データバイト …(01)
となる。また、1個のウォブルデータユニット560は
6+4+6+68=84ウォブル …(02)
で構成されており、17個のウォブルデータユニットで1個の物理セグメント550を構成している。7個の物理セグメント550〜556の長さが1個のデータセグメント531の長さに一致しているので、1個のデータセグメント531の長さ内には、
84×17×7=9996ウォブル …(03)
が配置される。したがって、(01)式と(03)式から1個のウォブルに対して
77496÷9996=7.75データバイト/ウォブル …(04)
が対応する。
(0.087+0.093)÷2=0.090μm …(05)
となる。物理的なずらし範囲の長さを現行のDVD-RAMディスクに合わせた場合には、この実施形態でのランダムなずらし範囲として最低限必要な長さは、上記の値を利用して、
8バイト×(0.143μm÷0.090μm)=12.7バイト…(06)
となる。
Jm/12 データバイト …(07)
で表す。Jmの取り得る値としては(06)式の値を用いて、
12.7×12=152.4 …(08)
なので、Jmは0から152となる。以上の理由から(08)式を満足する範囲であればランダムなずらしの範囲長さは現行DVD-RAMディスクと一致し、現行DVD-RAMディスクと同様な書き替え回数を保証できる。
ランダムなずらし範囲の長さを14データバイト …(09)
に設定する。(09)式の値を(07)式に代入すると、14×12=168なので、
Jmの取り得る値は0〜167 …(10)
と設定される。
±1データバイト”までのずれ量 …(11)
を許容している。
バッファ領域537の長さは15データバイト以上 …(12)
必要となる。図48に示した実施形態では1データバイトの余裕を加味し、バッファ領域537のデータサイズを16データバイトに設定している。
拡張ガードフィールド528の長さを(15+8=)23データバイト以上
…(13)
に設定している。図48に示した実施形態ではバッファ領域537と同様に1データバイトの余裕を加味し、拡張ガードフィールド528の長さを24データバイトに設定している。
2層のレイヤーにわたって設けられる情報領域は、7つの領域:システムリードイン領域、コネクション領域、データリードイン領域、データ領域、データリードアウト領域、システムリードアウト領域、ミドル領域からなる。各レイヤーにミドル領域が設けられることにより、再生ビームをレイヤー0からレイヤー1に移動させることができる。データ領域にはメインデータを記録する。システムリードイン領域は制御データと参照(リファレンス)コードを含む。データリードアウト領域は連続するスムーズな読み出しを可能とする。
システムリードイン領域とシステムリードアウト領域はエンボスピットからなるトラックを含む。レイヤー0のデータリードイン領域、データ領域、ミドル領域と、レイヤー1のミドル領域、データ領域、データリードアウト領域は、グルーブトラックを含む。グルーブトラックはレイヤー0のデータリードイン領域の開始位置からミドル領域の終了位置まで連続であり、レイヤー1のミドル領域の開始位置からデータリードアウト領域の終了位置まで連続である。なお、片面2層ディスクを貼り合わせると、2つの読み出し面を有する両面2層ディスク(合計4つの記録層を持つディスク)となる。
ミドル領域のレイアウトは再配置によって変更可能であり、リードイン領域、リードアウト領域およびミドル領域の各ゾーン、各エリアの境界はデータセグメントの境界と一致している。レイヤー0の内周側には最内周から順にシステムリードイン領域、コネクション領域、データリードイン領域、データ領域が設けられる。レイヤー1の内周側には最内周から順にシステムリードアウト領域、コネクション領域、データリードアウト領域、データ領域が設けられる。
(a)一つは、グルーブ・ピッチが0.6〜0.8μm程度で、ランドとグルーブの両者に記録する、いわゆるランド・グルーブ記録方式を用いるもの。以下では、書替え型(1)情報記憶媒体とも呼ぶ。
本願発明者らは、以下のものが重要であると認識するに至った。すなわち、基板(1a、1b)および、保護膜または誘電体膜(11a、11b)と原子配列を可逆的に変化させることができる記録膜(相変化記録膜13a、13b)とこの記録膜に接する結晶化促進膜(12a、12bおよび/または14a、14b)と反射膜(16a、16b)を含む積層構造を持ち、前記記録膜(13)に対して光を用いて可逆的に記録または消去が行われる記録媒体(100)において、前記記録膜(13a、13b)と接する部位(21a、21b)からこの記録膜の厚さ方向(図1の縦方向)に、もしくはこの記録膜の面内方向(図1の横方向または法線方向:厚さ方向と直交する方向)に、前記記録膜(13a、13b)を構成する元素(Ge,Te等)が偏析または濃度分布を有する(図5)ように構成した光記録媒体が好適である。
該記録膜に接して結晶化促進機能を有する膜の他方(上部界面膜および下部界面膜のうちの他方)が、酸化クロム(Cr2O3)、または酸化亜鉛(ZnO)、または酸化亜鉛+酸化タンタル(ZnO+Ta2O5)、または酸化亜鉛+酸化タンタル+酸化インジウム(ZnO+Ta2O5+In2O3)、または酸化錫(SnO2)、または酸化錫+酸化アンチモン(SnO2+Sb2O3)、または酸化錫+酸化タンタル(SnO2+Ta2O5)、または酸化錫+酸化ニオブ(SnO2+Nb2O5)を含んで構成されるような光記録媒体が好適である。
Claims (18)
- 基板および、干渉膜と、原子配列を可逆的に変化させることができる記録膜と、この記録膜に接する結晶化促進膜と、反射膜を含む積層構造を持ち、前記記録膜に対して、光を用いて可逆的に記録または消去が行われる記録媒体において、
前記記録膜と接する部位からこの記録膜の厚さ方向に、もしくはこの記録膜の面内方向に、前記記録膜を構成する元素が、偏析または濃度分布を有するように構成したことを特徴とする光記録媒体。 - 前記記録膜と接する部位に、前記記録膜の構成元素から構成される元素の、平均厚が0.1nm以上で1nm以下の極薄酸化膜を設けることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。
- 前記積層構造が、光学的エンハンスおよび/または熱拡散に寄与する誘電体膜を含んで構成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光記録媒体。
- 前記干渉膜が、前記記録膜に対する保護膜として機能することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記記録膜の価電子帯の状態密度のトップからエネルギー準位の低い側に0.5[eV]のエネルギー準位における、結晶状態の状態密度とアモルファス状態の状態密度の比が1.0以上、2.5以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記記録膜の価電子帯の状態密度のトップからエネルギー準位の低い側に0.25ないし1.0[eV]の範囲のエネルギー準位における、結晶状態の状態密度とアモルファス状態の状態密度の比が1.0以上、2.5以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記結晶化促進膜は前記記録膜の一方面に接する上部界面膜および前記記録膜の他方面に接する下部界面膜により構成され、前記上部界面膜および前記下部界面膜を、前記記録膜の上下で結晶化速度が異なるように制御することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記結晶化促進膜は前記記録膜の一方面に接する上部界面膜または前記記録膜の他方面に接する下部界面膜により構成され、前記上部界面膜および前記下部界面膜を、前記記録膜の上下で結晶化速度が異なるように制御することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記結晶化促進膜が、
窒化ゲルマニウム、または窒化ゲルマニウム-クロム、または酸化ジルコニウム、または安定化ジルコニア+酸化クロム、または安定化ジルコニア+酸化ケイ素+酸化クロム、またはジルコン+酸化クロム、または酸化ハフニウムを含んで構成されるか、あるいは、
ハフニウム、酸素、および窒素を含有する化合物で構成されるか、あるいは、
ジルコニューム、酸素、窒素、およびイットリアを含有する膜で構成されるか、あるいは、
ジルコニューム、酸素、窒素、およびニオブを含有する膜で構成されるか、あるいは、
ジルコニューム、酸素、窒素、およびイットリアとニオブを含有する膜で構成されるか、あるいは、
酸化クロム、または酸化亜鉛、または酸化亜鉛+酸化タンタル、または酸化亜鉛+酸化タンタル+酸化インジウム、または酸化錫、または酸化錫+酸化アンチモン、または酸化錫+酸化タンタル、または酸化錫+酸化ニオブを含んで構成される
ことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の光記録媒体。 - 前記上部界面膜および前記下部界面膜の一方が、
窒化ゲルマニウム、または窒化ゲルマニウム-クロム、または酸化ジルコニウム、または安定化ジルコニア+酸化クロム、または安定化ジルコニア+酸化ケイ素+酸化クロム、またはジルコン+酸化クロム、または酸化ハフニュームを含んで構成されるか、あるいは、
ハフニウム、酸素、および窒素を含有する化合物で構成されるか、あるいは、
ジルコニューム、酸素、窒素、およびイットリアを含有する膜で構成されるか、あるいは、
ジルコニューム、酸素、窒素、およびニオブを含有する膜で構成されるか、あるいは、
ジルコニューム、酸素、窒素、およびイットリアとニオブを含有する膜で構成され、
前記上部界面膜および前記下部界面膜の他方が、
酸化クロム、または酸化亜鉛、または酸化亜鉛+酸化タンタル、または酸化亜鉛+酸化タンタル+酸化インジウム、または酸化錫、または酸化錫+酸化アンチモン、または酸化錫+酸化タンタル、または酸化錫+酸化ニオブを含んで構成される
ことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の光記録媒体。 - 前記記録膜がゲルマニウムとアンチモンとテルルを含有し、その組成をGexSbyTezかつx+y+z=100で表したときに、
前記記録膜が、GeSbTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで規定されるエリア内またはそのエリア上の組成を持つように構成されたことを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の光記録媒体。 - 前記組成を持つGeSbTe系化合物に窒素が1ないし5at.%添加されたことを特徴とする請求項11に記載の光記録媒体。
- 前記記録膜が少なくともゲルマニウムとビスマスとテルルを含有し、その組成をGexBiyTezかつx+y+z=100で表したときに、
前記記録膜が、GeBiTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで規定されるエリア内またはそのエリア上の組成を持つように構成されたことを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の光記録媒体。 - 前記組成を持つGeBiTe系化合物に窒素が1ないし5at.%添加されたことを特徴とする請求項13に記載の光記録媒体。
- 前記記録膜の組成の一部をビスマスおよび/またはインジウムおよび/またはスズで置換し、置換後の組成を(Ge(1-w) Snw)x (Sbv (Bi(1-u) In u)(1-v))y Tezかつx+y+z=100で表したときに、この組成におけるw、vおよびuが、0≦w<0.5かつ0≦v<0.7かつ0≦u≦1となるように構成されたことを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記組成を持つGeSnSbTe、GeSnSbTeIn、GeSbTeIn、GeSbTeBiIn、GeSbSnTeBiIn、GeSbTeBi、GeBiTeIn、GeSnSbTeBi、GeSnSbTeBiIn系化合物に窒素が1ないし5at.%添加されたことを特徴とする請求項15に記載の光記録媒体。
- 請求項1に記載の光記録媒体を用い、この光記録媒体の前記記録膜に対して情報記録を行なう手段と、情報記録された前記記録膜から情報再生を行なう手段を備えた情報記録再生装置。
- 請求項1に記載の光記録媒体を用い、この光記録媒体の前記記録膜に対して情報記録を行ない、情報記録された前記記録膜から情報再生を行なうように構成された情報記録再生方法。
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