JP2003016938A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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- JP2003016938A JP2003016938A JP2001201630A JP2001201630A JP2003016938A JP 2003016938 A JP2003016938 A JP 2003016938A JP 2001201630 A JP2001201630 A JP 2001201630A JP 2001201630 A JP2001201630 A JP 2001201630A JP 2003016938 A JP2003016938 A JP 2003016938A
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- Japan
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- display panel
- plasma display
- manufacturing
- panel
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの内部に水やＣ
Ｈ系ガスなどの不純物ガスが残留していると、パネル特
性が悪くなる。パネルのエージング時基板から不純物ガ
スが放出され、パネル内部に残留することで、パネル特
性が劣化するという問題があった。 【解決手段】 蛍光体、フリット焼成工程後の背面板の
アドレス電極に電圧を印可しながら、加熱、紫外光照
射、プラズマ照射などの処理を行うことにより、背面板
中に含まれる不純物を除去することができる。これによ
り、エージング時間の短縮や、パネル特性の改善ができ
る。
Ｈ系ガスなどの不純物ガスが残留していると、パネル特
性が悪くなる。パネルのエージング時基板から不純物ガ
スが放出され、パネル内部に残留することで、パネル特
性が劣化するという問題があった。 【解決手段】 蛍光体、フリット焼成工程後の背面板の
アドレス電極に電圧を印可しながら、加熱、紫外光照
射、プラズマ照射などの処理を行うことにより、背面板
中に含まれる不純物を除去することができる。これによ
り、エージング時間の短縮や、パネル特性の改善ができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＦＥＤ（Ｆ
ｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤ
Ｐ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）等の
画像表示装置の製造方法に係わるものである。
ｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤ
Ｐ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）等の
画像表示装置の製造方法に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
に代表されるガス放電パネルは、大画面化することが比
較的容易なフラットディスプレイパネル（ＦＤＰ）であ
り、すでに５０インチクラスのものが商品化されてい
る。このＰＤＰは、２枚の薄いガラス板（前面板と背面
板）を隔壁（リブ）を介して対向させ、隔壁の間に蛍光
体層を形成し、両ガラス板の間に放電ガスを封入して気
密封着した構成を持つ。放電ガス中で放電して紫外線を
発生するための表示電極は、前面板の表面に形成され
る。
に代表されるガス放電パネルは、大画面化することが比
較的容易なフラットディスプレイパネル（ＦＤＰ）であ
り、すでに５０インチクラスのものが商品化されてい
る。このＰＤＰは、２枚の薄いガラス板（前面板と背面
板）を隔壁（リブ）を介して対向させ、隔壁の間に蛍光
体層を形成し、両ガラス板の間に放電ガスを封入して気
密封着した構成を持つ。放電ガス中で放電して紫外線を
発生するための表示電極は、前面板の表面に形成され
る。
【０００３】図１は、一般的なＰＤＰ背面板の概略構成
図を示す。背面板１は背面板ガラス２上にアドレス電極
３、誘電体ガラス膜４、隔壁５、が形成された後、蛍光
体層６，７，８及びフリット９が塗布される。さらに、
蛍光体及びフリットの仮焼をおこなって蛍光体及びフリ
ットに含まれる水や有機物などの不純物を焼きとばした
後、前面板との組立、封止、排気、ガス導入によりパネ
ルを作成する。
図を示す。背面板１は背面板ガラス２上にアドレス電極
３、誘電体ガラス膜４、隔壁５、が形成された後、蛍光
体層６，７，８及びフリット９が塗布される。さらに、
蛍光体及びフリットの仮焼をおこなって蛍光体及びフリ
ットに含まれる水や有機物などの不純物を焼きとばした
後、前面板との組立、封止、排気、ガス導入によりパネ
ルを作成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプラズマディスプレイパネルにおいて、さらなるパ
ネル特性（高輝度化、高効率化、放電電圧低下等）の向
上が望まれていた。パネル特性を劣化させる要因の一つ
として、ＰＤＰのパネル内部に、水やＣＨ系ガスなどの
不純物ガスが残留しているという課題があった。従来の
技術では、蛍光体及びフリットの仮焼時に焼きとばされ
ずに残留した不純物ガスが、エージング時にパネル内部
に放出され、パネル内部にパネル特性の劣化の原因とな
る不純物ガスが残留するという問題があった。
うなプラズマディスプレイパネルにおいて、さらなるパ
ネル特性（高輝度化、高効率化、放電電圧低下等）の向
上が望まれていた。パネル特性を劣化させる要因の一つ
として、ＰＤＰのパネル内部に、水やＣＨ系ガスなどの
不純物ガスが残留しているという課題があった。従来の
技術では、蛍光体及びフリットの仮焼時に焼きとばされ
ずに残留した不純物ガスが、エージング時にパネル内部
に放出され、パネル内部にパネル特性の劣化の原因とな
る不純物ガスが残留するという問題があった。
【０００５】このため、蛍光体及びフリット仮焼後の基
板に、アニールや、紫外光照射、プラズマ照射などの前
処理を施す方法が検討されているが、いずれも十分に特
性が改善されていない。
板に、アニールや、紫外光照射、プラズマ照射などの前
処理を施す方法が検討されているが、いずれも十分に特
性が改善されていない。
【０００６】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであって、その目的は高輝度、高効率な画像表示装
置の実現、およびその製造方法を提供することにある。
ものであって、その目的は高輝度、高効率な画像表示装
置の実現、およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、本発明の請求項１によれば、プラズマディ
スプレイパネルの製造方法において、蛍光体及びフリッ
ト焼成工程後の基板に、アドレス電極に交流電圧を加え
ながら、４５０℃以下に基板加熱することを特徴とす
る。
に本発明は、本発明の請求項１によれば、プラズマディ
スプレイパネルの製造方法において、蛍光体及びフリッ
ト焼成工程後の基板に、アドレス電極に交流電圧を加え
ながら、４５０℃以下に基板加熱することを特徴とす
る。
【０００８】また、本発明の請求項２によれば、プラズ
マディスプレイパネルの製造方法において、蛍光体及び
フリット焼成工程後の基板に、アドレス電極に電界を加
えながら、波長２５４ｎｍ以下の紫外光を照射して基板
洗浄をすることを特徴とする。
マディスプレイパネルの製造方法において、蛍光体及び
フリット焼成工程後の基板に、アドレス電極に電界を加
えながら、波長２５４ｎｍ以下の紫外光を照射して基板
洗浄をすることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の請求項３によれば、請求項
２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
り、前記の基板洗浄時に、基板を４５０℃以下に加熱す
ることを特徴とする。
２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
り、前記の基板洗浄時に、基板を４５０℃以下に加熱す
ることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の請求項４によれば、プラズ
マディスプレイパネルの製造方法において、蛍光体及び
フリット焼成工程後の基板に、アドレス電極に電界を加
えながら、アルゴンまたはアルゴン及び酸素プラズマを
照射して基板洗浄をすることを特徴とする。
マディスプレイパネルの製造方法において、蛍光体及び
フリット焼成工程後の基板に、アドレス電極に電界を加
えながら、アルゴンまたはアルゴン及び酸素プラズマを
照射して基板洗浄をすることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の請求項５によれば、請求項
４記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
り、前記の基板洗浄時に、基板を４５０℃以下に加熱す
ることを特徴とする。
４記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
り、前記の基板洗浄時に、基板を４５０℃以下に加熱す
ることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の請求項６によれば、請求項
５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
り、前記の基板洗浄時に、波長２５４ｎｍ以下の紫外光
を照射することを特徴とする。
５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
り、前記の基板洗浄時に、波長２５４ｎｍ以下の紫外光
を照射することを特徴とする。
【００１３】上記記載の製造方法を用いることにより、
組立以前に背面板に残留している水や有機物等の不純物
を十分に少なくでき、エージング工程でのガス放出を少
なくすることができるため、エージング時間の短縮が計
られ、また、パネル輝度及び色温度の向上などのパネル
特性の改善としても電圧の安定化が計られる。
組立以前に背面板に残留している水や有機物等の不純物
を十分に少なくでき、エージング工程でのガス放出を少
なくすることができるため、エージング時間の短縮が計
られ、また、パネル輝度及び色温度の向上などのパネル
特性の改善としても電圧の安定化が計られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を説
明する。
明する。
【００１５】（実施の形態１）図２は、本発明の実施形
態１の全容である。
態１の全容である。
【００１６】背面板１０のアドレス電極１１に−２００
Ｖ程度の電源１２で電圧を印加し、ヒーター１３で４５
０℃に１０分程度加熱する。これにより、膜中に含まれ
ているＯＨ基等が容易に放出される。これにより、短い
エージング時間で十分なパネル特性が得られる。
Ｖ程度の電源１２で電圧を印加し、ヒーター１３で４５
０℃に１０分程度加熱する。これにより、膜中に含まれ
ているＯＨ基等が容易に放出される。これにより、短い
エージング時間で十分なパネル特性が得られる。
【００１７】尚、上記処理時に紫外線照射装置１４で波
長２４５ｎｍ以下の紫外光を照射することでさらに短い
時間で、膜中の不純物の放出ができる。
長２４５ｎｍ以下の紫外光を照射することでさらに短い
時間で、膜中の不純物の放出ができる。
【００１８】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２の全容である。背面板１５を真空チャンバー１６
に入れ、アルゴン１７または酸素分圧１０％程度のアル
ゴン１７及び酸素１８ガスをチャンバー１６に導入し、
基板にＲＦ電圧をＲＦ電源１９で印可してプラズマを発
生させる。アドレス電極２０に電源２１で−２００Ｖ程
度の電圧を印加し、さらにヒーター２２で４５０℃に１
０分程度加熱する。これにより、膜中に含まれているＯ
Ｈ基等が容易に放出される。これにより、短いエージン
グ時間で十分なパネル特性が得られる。
形態２の全容である。背面板１５を真空チャンバー１６
に入れ、アルゴン１７または酸素分圧１０％程度のアル
ゴン１７及び酸素１８ガスをチャンバー１６に導入し、
基板にＲＦ電圧をＲＦ電源１９で印可してプラズマを発
生させる。アドレス電極２０に電源２１で−２００Ｖ程
度の電圧を印加し、さらにヒーター２２で４５０℃に１
０分程度加熱する。これにより、膜中に含まれているＯ
Ｈ基等が容易に放出される。これにより、短いエージン
グ時間で十分なパネル特性が得られる。
【００１９】尚、上記処理時に紫外線照射装置２３で波
長２４５ｎｍ以下の紫外光を照射することでさらに短い
時間で、膜中の不純物の放出ができる。
長２４５ｎｍ以下の紫外光を照射することでさらに短い
時間で、膜中の不純物の放出ができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＰＤＰの
製造方法によれば、フリット、蛍光体仮焼後の基板のア
ドレス電極に、電圧を印可しながら加熱、紫外線照射、
プラズマ照射を行うことにより、膜中の不純物を容易に
放出させることができ、その結果、エージング時間の短
縮や、パネルの輝度、色温度などのパネル特性の改善が
できる。
製造方法によれば、フリット、蛍光体仮焼後の基板のア
ドレス電極に、電圧を印可しながら加熱、紫外線照射、
プラズマ照射を行うことにより、膜中の不純物を容易に
放出させることができ、その結果、エージング時間の短
縮や、パネルの輝度、色温度などのパネル特性の改善が
できる。
【図１】ＰＤＰ背面板の概略構成図
【図２】実施の形態１の概略図
【図３】実施の形態２の概略図
１ 背面板
２ 背面板ガラス
３ アドレス電極
４ 誘電体ガラス膜
５ 隔壁
６ 蛍光体層
７ 蛍光体層
８ 蛍光体層
９ フリット
１０ 背面板
１１ アドレス電極
１２ 電源
１３ ヒーター
１４ 紫外線照射装置
１５ 背面板
１６ 真空チャンバー
１７ アルゴンガス
１８ 酸素ガス
１９ ＲＦ電源
２０ アドレス電極
２１ 電源
２２ ヒーター
２３ 紫外線照射装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 加道 博行
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 安井 秀明
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 白鳥 哲也
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 山下 勝義
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5C012 AA09 BD04
5C040 FA01 GA09 GB03 GB14 JA23
MA02
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマディスプレイパネルの製造方法
において、蛍光体及びフリット焼成工程後の基板に、ア
ドレス電極に交流電圧を加えながら、４５０℃以下に基
板加熱することを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項２】 プラズマディスプレイパネルの製造方法
において、蛍光体及びフリット焼成工程後の基板に、ア
ドレス電極に電界を加えながら、波長２５４ｎｍ以下の
紫外光を照射して基板洗浄をすることを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３】 プラズマディスプレイパネルの製造方法
において、前記の基板洗浄時に、基板を４５０℃以下に
加熱することを特徴とする特許請求項２記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 プラズマディスプレイパネルの製造方法
において、蛍光体及びフリット焼成工程後の基板に、ア
ドレス電極に電界を加えながら、アルゴンまたはアルゴ
ン及び酸素プラズマを照射して基板洗浄をすることを特
徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】 プラズマディスプレイパネルの製造方法
において、前記の基板洗浄時に、基板を４５０℃以下に
加熱することを特徴とする特許請求項４記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項６】 プラズマディスプレイパネルの製造方法
において、前記の基板洗浄時に、波長２５４ｎｍ以下の
紫外光を照射することを特徴とする特許請求項５記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201630A JP2003016938A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201630A JP2003016938A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003016938A true JP2003016938A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19038553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001201630A Pending JP2003016938A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003016938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005063835A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル形成用ガラス組成物およびそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
-
2001
- 2001-07-03 JP JP2001201630A patent/JP2003016938A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005063835A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル形成用ガラス組成物およびそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
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