JP2003234068A - プラズマディスプレイ装置の不純物除去方法 - Google Patents
プラズマディスプレイ装置の不純物除去方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 上部基板及び下部基板の不純物を真空ガス雰
囲気で除去することでパネルエージング時間を短縮し得
るＰＤＰの不純物除去方法を提供しようとする。 【解決手段】 上部基板３６及び下部基板３８を製作す
る段階と、不活性ガス雰囲気で放電を実行するクリーニ
ング工程及び熱を加えてヒーティングさせるヒーティン
グ工程の少なくとも何れか一つの工程により上部基板３
６及び下部基板３８の不純物を除去する洗浄段階と、を
順次行ってＰＤＰの不純物を除去する。
囲気で除去することでパネルエージング時間を短縮し得
るＰＤＰの不純物除去方法を提供しようとする。 【解決手段】 上部基板３６及び下部基板３８を製作す
る段階と、不活性ガス雰囲気で放電を実行するクリーニ
ング工程及び熱を加えてヒーティングさせるヒーティン
グ工程の少なくとも何れか一つの工程により上部基板３
６及び下部基板３８の不純物を除去する洗浄段階と、を
順次行ってＰＤＰの不純物を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイ装置に係るもので、詳しくは、パネルエージング時
間を短縮し得るようにしたプラズマディスプレイ装置の
不純物除去方法に関するものである。
レイ装置に係るもので、詳しくは、パネルエージング時
間を短縮し得るようにしたプラズマディスプレイ装置の
不純物除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、情報処理システムの発展と普及
に伴って、視覚情報伝達手段としてディスプレイ装置の
重要性が増大している。
に伴って、視覚情報伝達手段としてディスプレイ装置の
重要性が増大している。
【０００３】従来のディスプレイ装置のＣＲＴは、体積
が大きく、地磁界(Earth MagneticField)による映像表
示の歪みが発生するという問題点を有している。また、
最近の各種のディスプレイ装置は、画面の大型化、平面
化、高輝度、及び高効率を目標としている。これに従っ
て、各種のフラットパネルディスプレイ装置の研究が活
発に行われている。このフラットパネルディスプレイ装
置としては、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界放
出表示装置（ＦＥＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）な
どが開発されている。
が大きく、地磁界(Earth MagneticField)による映像表
示の歪みが発生するという問題点を有している。また、
最近の各種のディスプレイ装置は、画面の大型化、平面
化、高輝度、及び高効率を目標としている。これに従っ
て、各種のフラットパネルディスプレイ装置の研究が活
発に行われている。このフラットパネルディスプレイ装
置としては、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界放
出表示装置（ＦＥＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）な
どが開発されている。
【０００４】ＰＤＰは、He+Xe、Ne+Xe、及びHe+Ne+Xeな
どの不活性混合ガスが放電する時に発生する紫外線によ
り蛍光体を発光させて、文字またはグラフィックを含ん
だ画像を表示する。このようなＰＤＰは、薄膜化及び大
型化が容易であるだけでなく、構造が単純になって製作
が容易になり、併せて、他のフラットパネルディスプレ
イ装置に比べて輝度及び発光効率が高いという利点を有
している。このような利点によってＰＤＰに対する研究
が活発に行われている。特に、３電極交流面放電型ＰＤ
Ｐは、放電する時に表面に壁電荷を蓄積するようにし、
かつ、放電によって発生するスパタッタリングから各電
極を保護するようにしているため、低電圧駆動及び長寿
命の長所を有している。
どの不活性混合ガスが放電する時に発生する紫外線によ
り蛍光体を発光させて、文字またはグラフィックを含ん
だ画像を表示する。このようなＰＤＰは、薄膜化及び大
型化が容易であるだけでなく、構造が単純になって製作
が容易になり、併せて、他のフラットパネルディスプレ
イ装置に比べて輝度及び発光効率が高いという利点を有
している。このような利点によってＰＤＰに対する研究
が活発に行われている。特に、３電極交流面放電型ＰＤ
Ｐは、放電する時に表面に壁電荷を蓄積するようにし、
かつ、放電によって発生するスパタッタリングから各電
極を保護するようにしているため、低電圧駆動及び長寿
命の長所を有している。
【０００５】図６は従来３電極交流面放電型ＰＤＰの放
電セルを示した断面斜視図である。
電セルを示した断面斜視図である。
【０００６】図示したように、上部基板は上部ガラス基
板１０と、二つが対となって上部ガラス基板１０の一面
に形成される維持電極１２と、維持電極１２が放電する
時に発生した表面電荷を維持するための上部誘電体層１
４と、該上部誘電体層１４を放電から保護するための保
護膜１６とを備えている。
板１０と、二つが対となって上部ガラス基板１０の一面
に形成される維持電極１２と、維持電極１２が放電する
時に発生した表面電荷を維持するための上部誘電体層１
４と、該上部誘電体層１４を放電から保護するための保
護膜１６とを備えている。
【０００７】また、下部基板は、下部ガラス基板２６
と、下部ガラス基板２６の一面、上部基板側の面に形成
されるアドレス電極２２と、アドレス電極２２を覆うよ
うに形成される下部誘電体層２４と、アドレス電極２２
の間にアドレス電極に平行になるように下部誘電体層２
４の上に形成される隔壁２０と、隔壁２０の表面や下部
誘電層の表面に塗布されて放電によって発生する紫外線
によって可視光線を発生する蛍光体１８とを備えてい
る。
と、下部ガラス基板２６の一面、上部基板側の面に形成
されるアドレス電極２２と、アドレス電極２２を覆うよ
うに形成される下部誘電体層２４と、アドレス電極２２
の間にアドレス電極に平行になるように下部誘電体層２
４の上に形成される隔壁２０と、隔壁２０の表面や下部
誘電層の表面に塗布されて放電によって発生する紫外線
によって可視光線を発生する蛍光体１８とを備えてい
る。
【０００８】以下、このように構成された従来３電極交
流面放電型ＰＤＰの製造方法に対して説明する。
流面放電型ＰＤＰの製造方法に対して説明する。
【０００９】上部基板の製造方法は、まず、上部ガラス
基板１０の一面に維持電極１２を多数配置する。本維持
電極１２は、透明電極（Indium Tin Oxide;以下、ＩＴ
Ｏと略称す）１２Ａと、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒまたは銀（Ａ
ｇ）でペースト状にて形成させたバス電極１２Ｂとから
構成されている。このような維持電極１２は、周知のよ
うに、アドレス放電のための走査信号及び維持放電のた
めの維持信号が供給される。維持電極１２を形成させた
上部基板に電荷蓄積のための上部誘電体層１４をスクリ
ーンプリンティング方法により塗布し、その表面に保護
膜１６を成形する。
基板１０の一面に維持電極１２を多数配置する。本維持
電極１２は、透明電極（Indium Tin Oxide;以下、ＩＴ
Ｏと略称す）１２Ａと、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒまたは銀（Ａ
ｇ）でペースト状にて形成させたバス電極１２Ｂとから
構成されている。このような維持電極１２は、周知のよ
うに、アドレス放電のための走査信号及び維持放電のた
めの維持信号が供給される。維持電極１２を形成させた
上部基板に電荷蓄積のための上部誘電体層１４をスクリ
ーンプリンティング方法により塗布し、その表面に保護
膜１６を成形する。
【００１０】この保護膜１６は、各プラズマ粒子のスパ
タッタリング現象から上部誘電体層１４を保護して寿命
を延長させるだけでなく、２次電子の放出効率を高め
て、酸化物の汚染による耐火金属の放電特性変化を減少
させる役を果たす。主に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜
が利用されている。
タッタリング現象から上部誘電体層１４を保護して寿命
を延長させるだけでなく、２次電子の放出効率を高め
て、酸化物の汚染による耐火金属の放電特性変化を減少
させる役を果たす。主に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜
が利用されている。
【００１１】また、下部基板の製造方法は、まず、下部
ガラス基板２６の表面にアドレス電極２２をスクリーン
プリンティング方法により形成する。このアドレス電極
２２にはアドレス放電のためのデータ信号が供給され
る。アドレス電極２２が形成された下部ガラス基板２６
の上に下部誘電体層２４が形成される。アドレス電極２
２が形成された下部誘電体層２４の上に、隔壁２０がス
クリーンプリンティング方法やサンドブラスト方法によ
りアドレス電極２２と並んで形成される。隔壁２０は、
各放電セル間の電気的、光学的干渉が遮断されるように
放電セルの内部に放電空間を設けると共に、上部基板と
下部基板とを所定の間隔はなして支持する役割を果た
す。
ガラス基板２６の表面にアドレス電極２２をスクリーン
プリンティング方法により形成する。このアドレス電極
２２にはアドレス放電のためのデータ信号が供給され
る。アドレス電極２２が形成された下部ガラス基板２６
の上に下部誘電体層２４が形成される。アドレス電極２
２が形成された下部誘電体層２４の上に、隔壁２０がス
クリーンプリンティング方法やサンドブラスト方法によ
りアドレス電極２２と並んで形成される。隔壁２０は、
各放電セル間の電気的、光学的干渉が遮断されるように
放電セルの内部に放電空間を設けると共に、上部基板と
下部基板とを所定の間隔はなして支持する役割を果た
す。
【００１２】アドレス電極２２が形成された下部誘電体
層２４及び隔壁２０の表面には、固有色の可視光線を発
生する蛍光体１８をスクリーンプリンティング方法によ
り形成する。
層２４及び隔壁２０の表面には、固有色の可視光線を発
生する蛍光体１８をスクリーンプリンティング方法によ
り形成する。
【００１３】次いで、図７のような製造工程により３電
極交流面放電ＰＤＰが完成される。図７は従来の面放電
交流ＰＤＰの製造工程を示したフローチャートである。
極交流面放電ＰＤＰが完成される。図７は従来の面放電
交流ＰＤＰの製造工程を示したフローチャートである。
【００１４】図示したように、最初、上部基板及び下部
基板を製造する（ＳＴ１）。二番目に、上部基板と下部
基板とを組み合わせるが、その組み付け工程（ＳＴ２）
は、シール剤が塗布された上部基板と下部基板とを双方
の塗布したシール剤の位置に合わせて一時的に固定させ
る。その後、一時的に固定した上部基板及び下部基板を
焼成炉に入れて、約４５０度の熱を加えてシール剤であ
る融点の低いガラスを溶かして固定させる。次の工程で
ある排気／放電ガス注入工程（ＳＴ３）は、接合した上
部基板と下部基板のガラス内を真空状態にしてネオン
（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）などの
不活性ガスを混合したガスを数ｍｇ封入する。最後に、
パネルエージング工程を実施する（ＳＴ４）。パネルエ
ージング工程は、パネル製作過程で発生する各電極の表
面が汚染され及び酸化される等によって、駆動の際に駆
動電圧が上昇し、発光形態にむらが発生する現象を防止
するために、電極表面（即ち、絶縁層）を均一化させて
良好な放電特性を得、駆動電圧を減少させるためにパネ
ルを組み付けした後必ず実施する。また、このパネルエ
ージング工程は、パネルに適当な電圧を印加して初期に
不良パネルを検査したり、デバイスの電圧安定化を通し
てパネルの信頼性を確保する段階であり、通常２４時間
程度所要される。
基板を製造する（ＳＴ１）。二番目に、上部基板と下部
基板とを組み合わせるが、その組み付け工程（ＳＴ２）
は、シール剤が塗布された上部基板と下部基板とを双方
の塗布したシール剤の位置に合わせて一時的に固定させ
る。その後、一時的に固定した上部基板及び下部基板を
焼成炉に入れて、約４５０度の熱を加えてシール剤であ
る融点の低いガラスを溶かして固定させる。次の工程で
ある排気／放電ガス注入工程（ＳＴ３）は、接合した上
部基板と下部基板のガラス内を真空状態にしてネオン
（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）などの
不活性ガスを混合したガスを数ｍｇ封入する。最後に、
パネルエージング工程を実施する（ＳＴ４）。パネルエ
ージング工程は、パネル製作過程で発生する各電極の表
面が汚染され及び酸化される等によって、駆動の際に駆
動電圧が上昇し、発光形態にむらが発生する現象を防止
するために、電極表面（即ち、絶縁層）を均一化させて
良好な放電特性を得、駆動電圧を減少させるためにパネ
ルを組み付けした後必ず実施する。また、このパネルエ
ージング工程は、パネルに適当な電圧を印加して初期に
不良パネルを検査したり、デバイスの電圧安定化を通し
てパネルの信頼性を確保する段階であり、通常２４時間
程度所要される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来のパネルエージング工程においては、プラズマディス
プレイ装置を大量生産する時、エージング工程により時
間及び費用が最も多くかかり、ボトルネック現象として
作用する。すなわち、エージング工程によりプラズマデ
ィスプレイ装置の製作のための工程時間が長くかかり、
費用が増大するという不都合な点があった。
来のパネルエージング工程においては、プラズマディス
プレイ装置を大量生産する時、エージング工程により時
間及び費用が最も多くかかり、ボトルネック現象として
作用する。すなわち、エージング工程によりプラズマデ
ィスプレイ装置の製作のための工程時間が長くかかり、
費用が増大するという不都合な点があった。
【００１６】本発明は、このような従来の不都合に鑑み
てなされたもので、上部基板及び下部基板の不純物を真
空ガス雰囲気で除去することでパネルエージング時間を
短縮し得るプラズマディスプレイ装置の不純物除去方法
を提供することを目的とする。
てなされたもので、上部基板及び下部基板の不純物を真
空ガス雰囲気で除去することでパネルエージング時間を
短縮し得るプラズマディスプレイ装置の不純物除去方法
を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の不純
物除去方法は、上部基板及び下部基板を製作する段階
と、真空ガス雰囲気で放電を行わせるクリーニング工程
及び熱を加えて加熱するcヒーティング工程の少なくと
も何れか一つの工程により上部基板及び下部基板の不純
物を除去する洗浄段階とを含むことを特徴とする。
るため、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の不純
物除去方法は、上部基板及び下部基板を製作する段階
と、真空ガス雰囲気で放電を行わせるクリーニング工程
及び熱を加えて加熱するcヒーティング工程の少なくと
も何れか一つの工程により上部基板及び下部基板の不純
物を除去する洗浄段階とを含むことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、図面を用いて説明する。図１は、本発明に係るプラ
ズマディスプレイ装置の不純物除去装置の実施形態を示
した例示図である。
し、図面を用いて説明する。図１は、本発明に係るプラ
ズマディスプレイ装置の不純物除去装置の実施形態を示
した例示図である。
【００１９】図示されたように、本不純物除去装置は、
プラズマクリーニング装置及びヒーティング装置として
構成されている。
プラズマクリーニング装置及びヒーティング装置として
構成されている。
【００２０】プラズマクリーニング装置は、高周波（Ｒ
Ｆ）電力供給源３０と、上部基板３６の外側の面、すな
わち上側の面と対面されるように設置されて、高周波電
力供給源と接続された第１平板電極３４と、下部基板３
８の外側の面、すなわち下側の面と対面されるように設
置されて、グラウンド（ＧＮＤ）に接続された第２平板
電極４０とを備えている。これらの電極の間の距離は数
十ｍｍ〜数百ｍｍとすることが望ましい。
Ｆ）電力供給源３０と、上部基板３６の外側の面、すな
わち上側の面と対面されるように設置されて、高周波電
力供給源と接続された第１平板電極３４と、下部基板３
８の外側の面、すなわち下側の面と対面されるように設
置されて、グラウンド（ＧＮＤ）に接続された第２平板
電極４０とを備えている。これらの電極の間の距離は数
十ｍｍ〜数百ｍｍとすることが望ましい。
【００２１】ヒーティング装置は、交流電力供給源４４
と、第１平板電極３４の上側及び第２平板電極４０の下
側にそれぞれの電極と対面されるように設置されて、交
流電力供給源４４と接続されたヒータ３２、４２とから
構成されている。ヒータ３２、４２は上部基板３６及び
下部基板３８それぞれを加熱する。
と、第１平板電極３４の上側及び第２平板電極４０の下
側にそれぞれの電極と対面されるように設置されて、交
流電力供給源４４と接続されたヒータ３２、４２とから
構成されている。ヒータ３２、４２は上部基板３６及び
下部基板３８それぞれを加熱する。
【００２２】以下、このように構成された不純物除去装
置を用いたＰＤＰの不純物除去方法に対して説明する。
図２は、本発明に係るＰＤＰの不純物除去方法を工程順
に示したフローチャートである。
置を用いたＰＤＰの不純物除去方法に対して説明する。
図２は、本発明に係るＰＤＰの不純物除去方法を工程順
に示したフローチャートである。
【００２３】図示されたように、ＰＤＰの不純物除去方
法は、上部基板３６及び下部基板３８を製作する段階
（ＳＴ１０）と、上部基板３６及び下部基板３８を完成
した後、プラズマクリーニング工程またはヒーティング
工程の少なくとも何れか一つの工程を実行する洗浄段階
（ＳＴ１１）と、上部基板３６と下部基板３８とを組み
付ける段階（ＳＴ１２）と、その組み付けられた上部基
板３６と下部基板３８内のガスを排気して放電ガスを注
入する排気及び放電ガス注入段階（ＳＴ１３）と、放電
ガスが注入されたＰＤＰをエージングするパネルエージ
ング段階（ＳＴ１４）とを順次行って完成させる。
法は、上部基板３６及び下部基板３８を製作する段階
（ＳＴ１０）と、上部基板３６及び下部基板３８を完成
した後、プラズマクリーニング工程またはヒーティング
工程の少なくとも何れか一つの工程を実行する洗浄段階
（ＳＴ１１）と、上部基板３６と下部基板３８とを組み
付ける段階（ＳＴ１２）と、その組み付けられた上部基
板３６と下部基板３８内のガスを排気して放電ガスを注
入する排気及び放電ガス注入段階（ＳＴ１３）と、放電
ガスが注入されたＰＤＰをエージングするパネルエージ
ング段階（ＳＴ１４）とを順次行って完成させる。
【００２４】以下、ＰＤＰの不純物除去方法に対して、
各段階に従って説明する。上部基板３６及び下部基板３
８を製作する段階は従来と同様であるため、これに対す
る詳細な説明は省略する。
各段階に従って説明する。上部基板３６及び下部基板３
８を製作する段階は従来と同様であるため、これに対す
る詳細な説明は省略する。
【００２５】以下、上部基板及び下部基板を完成（ＳＴ
１０）した後、プラズマクリーニング工程またはヒーテ
ィング工程の少なくとも何れか一つの工程を実施する洗
浄段階（Ｓ２）に対して説明する。これらはいずれも不
活性ガスの雰囲気中で行われる。不活性ガスとしてはネ
オン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、
アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）の中からから任
意に選択することができる。複数の種類が混合していて
もよい。
１０）した後、プラズマクリーニング工程またはヒーテ
ィング工程の少なくとも何れか一つの工程を実施する洗
浄段階（Ｓ２）に対して説明する。これらはいずれも不
活性ガスの雰囲気中で行われる。不活性ガスとしてはネ
オン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、
アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）の中からから任
意に選択することができる。複数の種類が混合していて
もよい。
【００２６】クリーニング工程を実施するために、高周
波電力供給源３０は、周期がＭＨｚ帯域の高周波、好ま
しくは１３．５６ＭＨｚを第１平板電極３４に供給す
る。従って、第１平板電極３４が装着された上部基板３
６と第２平板電極４０が装着された下部基板３８間で不
活性ガス雰囲気でプラズマ放電が発生する。よって、上
部基板３６の保護膜及び下部基板３８の蛍光体の表面が
ガスの陽イオンによって適切にクリーニングされる。
波電力供給源３０は、周期がＭＨｚ帯域の高周波、好ま
しくは１３．５６ＭＨｚを第１平板電極３４に供給す
る。従って、第１平板電極３４が装着された上部基板３
６と第２平板電極４０が装着された下部基板３８間で不
活性ガス雰囲気でプラズマ放電が発生する。よって、上
部基板３６の保護膜及び下部基板３８の蛍光体の表面が
ガスの陽イオンによって適切にクリーニングされる。
【００２７】次いで、ヒーティング工程を実施するため
に、交流電力供給源４４は、各ヒータ３２、４２に交流
電源を供給する。それら各ヒータ３２、４２は、上部基
板３６及び下部基板３８を真空中で加熱させて不純物を
除去する。この時、ヒーティング工程は、プラズマクリ
ーニング工程と同時に実行し、不純物除去、反応速度向
上、平坦度、均一度維持などの役割を行わせたり、プラ
ズマクリーニング工程の代わりに、ヒーティング工程の
みを実施して上記役割を実行させることもできる。
に、交流電力供給源４４は、各ヒータ３２、４２に交流
電源を供給する。それら各ヒータ３２、４２は、上部基
板３６及び下部基板３８を真空中で加熱させて不純物を
除去する。この時、ヒーティング工程は、プラズマクリ
ーニング工程と同時に実行し、不純物除去、反応速度向
上、平坦度、均一度維持などの役割を行わせたり、プラ
ズマクリーニング工程の代わりに、ヒーティング工程の
みを実施して上記役割を実行させることもできる。
【００２８】洗浄段階のためのプラズマクリーニング及
び加熱するためのヒーティングの条件は、表１に示した
ような条件で実施する。本洗浄段階は１０−７Ｔｏｒｒ
〜１０−６Ｔｏｒｒの基本圧力(base pressure)で行わ
れるが、工程圧力は数ｍＴｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒとする。
び加熱するためのヒーティングの条件は、表１に示した
ような条件で実施する。本洗浄段階は１０−７Ｔｏｒｒ
〜１０−６Ｔｏｒｒの基本圧力(base pressure)で行わ
れるが、工程圧力は数ｍＴｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒとする。
【００２９】
【表１】
【００３０】図３はプラズマクリーニング実施による保
護膜の化学的変化を示したＸ線光電子分光器（X-ray Ph
otoelectron Spectroscopy）の分析グラフである。
護膜の化学的変化を示したＸ線光電子分光器（X-ray Ph
otoelectron Spectroscopy）の分析グラフである。
【００３１】図示されたように、酸化マグネシウム保護
膜の表面に存在する不純物である水（Ｈ２Ｏ）によっ
て、保護膜（ＭｇＯ）の表面と結合したＭｇ−ＯＨのピ
ークはプラズマクリーニング工程によりほとんど除去さ
れたことが分かる。また、結合エネルギー（Binding En
ergy）が従来より相対的に低くなることが分かる。
膜の表面に存在する不純物である水（Ｈ２Ｏ）によっ
て、保護膜（ＭｇＯ）の表面と結合したＭｇ−ＯＨのピ
ークはプラズマクリーニング工程によりほとんど除去さ
れたことが分かる。また、結合エネルギー（Binding En
ergy）が従来より相対的に低くなることが分かる。
【００３２】図４は本実施形態に係るヒーティング工程
による蛍光体のＴＰＤ（Temperature Programmed Desor
ption）曲線を示したグラフである。図示されたよう
に、ヒーティング工程により、蛍光体の不純物である水
（Ｈ２Ｏ）が約１３０℃でほとんどが除去され、ＣＯ２
は約４３０℃でほとんどが除去される。即ち、数百℃の
範囲で不純物が除去されることが分かる。
による蛍光体のＴＰＤ（Temperature Programmed Desor
ption）曲線を示したグラフである。図示されたよう
に、ヒーティング工程により、蛍光体の不純物である水
（Ｈ２Ｏ）が約１３０℃でほとんどが除去され、ＣＯ２
は約４３０℃でほとんどが除去される。即ち、数百℃の
範囲で不純物が除去されることが分かる。
【００３３】次いで、プラズマクリーニング工程または
ヒーティング工程により、洗浄された上部基板３６と下
部基板３８とを組み付けることになる。
ヒーティング工程により、洗浄された上部基板３６と下
部基板３８とを組み付けることになる。
【００３４】この組み付け工程は、シール剤が塗布され
た上部基板３６と下部基板３８のシール剤の位置を合せ
て一時的に固定させる。この時、接合装置のポイント
は、精密度、平面度、及び平行度による画像処理技術に
よって位置を決定する。次いで、一時的に固定した上部
基板３６及び下部基板３８を焼成炉に入れて、適切な熱
（好ましくは４５０℃）を加えてシール剤である融点の
低いガラスを溶かして固定させる。
た上部基板３６と下部基板３８のシール剤の位置を合せ
て一時的に固定させる。この時、接合装置のポイント
は、精密度、平面度、及び平行度による画像処理技術に
よって位置を決定する。次いで、一時的に固定した上部
基板３６及び下部基板３８を焼成炉に入れて、適切な熱
（好ましくは４５０℃）を加えてシール剤である融点の
低いガラスを溶かして固定させる。
【００３５】次の工程である排気／ガス注入工程は、相
互接合された上部基板３６と下部基板３８の内部を真空
状態にしてネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウ
ム（Ｈｅ）などの混合ガスを数mg封入することで行われ
る。
互接合された上部基板３６と下部基板３８の内部を真空
状態にしてネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウ
ム（Ｈｅ）などの混合ガスを数mg封入することで行われ
る。
【００３６】最後に、組み付けられた上部基板３６と下
部基板３８の電極に所定周波数の電圧を印加して放電を
引き起こすパネルエージング工程を実行する。
部基板３８の電極に所定周波数の電圧を印加して放電を
引き起こすパネルエージング工程を実行する。
【００３７】図５は本発明に係るプラズマクリーニング
工程を追加して製作したＰＤＰの放電開始電圧と時間と
の関係を従来の製作工程と比較したグラフである。
工程を追加して製作したＰＤＰの放電開始電圧と時間と
の関係を従来の製作工程と比較したグラフである。
【００３８】図示において、Ｖ１は従来のエージング時
間と放電電圧との関係を示し、Ｖ２は本発明に係るエー
ジング時間と放電電圧との関係を示している。この時、
横軸は時間を表さい、縦軸は放電開始電圧を現してい
る。Ｖ２はＶ１と顕著な差があることが理解できるであ
ろう。即ち、従来には、約２４時間の間パネルをエージ
ングすることで、ＰＤＰの代表的な汚染源である水（Ｈ
２Ｏ）が表面からほとんど除去されるが、本発明に係る
パネルエージングは、従来より相対的に低い放電電圧で
約１２時間エージングを実行することで、水が表面から
ほとんど除去される。その後エージングを継続しても同
じである。したがって、本実施形態によるＰＤＰのエー
ジング時間は従来の２４時間の半分である１２時間に減
少され、工程時間が短縮され、かつ費用を低減すること
ができる。
間と放電電圧との関係を示し、Ｖ２は本発明に係るエー
ジング時間と放電電圧との関係を示している。この時、
横軸は時間を表さい、縦軸は放電開始電圧を現してい
る。Ｖ２はＶ１と顕著な差があることが理解できるであ
ろう。即ち、従来には、約２４時間の間パネルをエージ
ングすることで、ＰＤＰの代表的な汚染源である水（Ｈ
２Ｏ）が表面からほとんど除去されるが、本発明に係る
パネルエージングは、従来より相対的に低い放電電圧で
約１２時間エージングを実行することで、水が表面から
ほとんど除去される。その後エージングを継続しても同
じである。したがって、本実施形態によるＰＤＰのエー
ジング時間は従来の２４時間の半分である１２時間に減
少され、工程時間が短縮され、かつ費用を低減すること
ができる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＰＤ
Ｐの不純物除去方法においては、真空ガス雰囲気で放電
を行わせるクリーニング工程及び熱を加えて加熱するc
ヒーティング工程の少なくとも何れか一つの工程により
上部基板及び下部基板の不純物を除去することでパネル
エージング時間を短縮することができる。よって、ＰＤ
Ｐデバイス製作のための工程時間及び費用が減少すると
いう効果がある。以上説明した内容によって、当業者な
ら本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び
修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術
的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定さ
れることでなく、特許請求の範囲によって定められるべ
きである。
Ｐの不純物除去方法においては、真空ガス雰囲気で放電
を行わせるクリーニング工程及び熱を加えて加熱するc
ヒーティング工程の少なくとも何れか一つの工程により
上部基板及び下部基板の不純物を除去することでパネル
エージング時間を短縮することができる。よって、ＰＤ
Ｐデバイス製作のための工程時間及び費用が減少すると
いう効果がある。以上説明した内容によって、当業者な
ら本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び
修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術
的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定さ
れることでなく、特許請求の範囲によって定められるべ
きである。
【図１】 本発明に係るＰＤＰの不純物除去装置を示し
た例示図である。
た例示図である。
【図２】 本発明に係るＰＤＰの不純物除去方法を工程
順に示したフローチャートである。
順に示したフローチャートである。
【図３】 本発明に係るプラズマクリーニング実施によ
る保護膜の化学的変化を示したＸ線光電子分光器の分析
グラフである。
る保護膜の化学的変化を示したＸ線光電子分光器の分析
グラフである。
【図４】 本発明に係るヒーティング工程による蛍光体
のＴＰＤ曲線を示したグラフである。
のＴＰＤ曲線を示したグラフである。
【図５】 本発明に係るプラズマクリーニング工程を追
加して製作したＰＤＰの放電開始電圧と時間との関係を
従来の製作工程と比較したグラフである。
加して製作したＰＤＰの放電開始電圧と時間との関係を
従来の製作工程と比較したグラフである。
【図６】 従来の３電極交流面放電型ＰＤＰの放電セル
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【図７】 従来の面放電交流ＰＤＰの製造工程を示した
フローチャートである。
フローチャートである。
１０：上部ガラス基板、１２：維持電極、１４：上部誘
電体層、１６：保護膜、１８：蛍光体、２０：隔壁、２
２：アドレス電極、２４：下部誘電体層、２６：下部ガ
ラス基板、３０：高周波電力供給源、３２、４２：ヒー
タ、３４：第１平板電極、３６：上部基板、３８：下部
基板、４０：第２平板電極、４４：交流電力供給源
電体層、１６：保護膜、１８：蛍光体、２０：隔壁、２
２：アドレス電極、２４：下部誘電体層、２６：下部ガ
ラス基板、３０：高周波電力供給源、３２、４２：ヒー
タ、３４：第１平板電極、３６：上部基板、３８：下部
基板、４０：第２平板電極、４４：交流電力供給源
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5C012 AA09 BD04
5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GJ02
GJ08 HA04 HA10 JA23 JA24
MA23 MA26
Claims (20)
- 【請求項１】 上部基板及び下部基板を製作する段階
と、 真空ガス雰囲気で放電を行わせるクリーニング工程及び
熱を加えて加熱するcヒーティング工程の少なくとも何
れか一つの工程により前記上部基板及び前記下部基板の
不純物を除去する洗浄段階と を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の不
純物除去方法。 - 【請求項２】 前記クリーニング工程は、 前記上部基板の上側に第１平板電極を装着して、前記下
部基板の下側に第２平板電極を装着する段階と、 その装着された電極により真空ガス雰囲気で放電させる
段階とを含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマ
ディスプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項３】 前記第１平板電極にはＭＨｚ帯域、好ま
しくは１３．５６ＭＨｚの高周波電力供給源が連結さ
れ、前記第２平板電極にはグラウンド（Ｇｒｏｕｎｄ）
電源端子が連結されることを特徴とする請求項２記載の
プラズマディスプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項４】 前記ヒーティング工程は、 前記第１平板電極の上側に第１ヒータが装着されて、前
記第２平板電極の下側に第２ヒータが装着される段階
と、 前記第１ヒータ及び第２ヒータに交流電力供給源が供給
される段階とを含むことを特徴とする請求項２記載のプ
ラズマディスプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項５】 前記ヒーティング工程は、 前記上部基板の上側に第１ヒータを装着して、前記下部
基板の下側に第２ヒータを装着する段階と、 前記第１ヒータ及び第２ヒータに交流電力供給源を連結
させる段階とを含むことを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマディスプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項６】 前記ヒーティング工程は、前記第１ヒー
タ及び前記第２ヒータを数十℃〜数百℃の温度で真空中
で加熱することを特徴とする請求項５記載のプラズマデ
ィスプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項７】 前記クリーニング工程は、ネオン（Ｎ
ｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン
（Ａｒ）、またはクリプトン（Ｋｒ）などの不活性ガス
を含む雰囲気中でプラズマ放電を実行することを特徴と
する請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の不純物
除去方法。 - 【請求項８】 前記洗浄段階は、１０−７Ｔｏｒｒ〜１
０−６Ｔｏｒｒの基本圧力のもとで実施されることを特
徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の不
純物除去方法。 - 【請求項９】 前記洗浄段階は、数ｍＴｏｒｒ〜数Ｔｏ
ｒｒの工程圧力のもとで実施されることを特徴とする請
求項１記載のプラズマディスプレイ装置の不純物除去方
法。 - 【請求項１０】 前記洗浄段階は、数十ｍｍ〜数百ｍ
ｍ、好ましくは１０ｍｍ〜１００ｍｍの電極間距離で実
施されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディ
スプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項１１】 前記洗浄段階は、数分〜数十分、好ま
しくは１分〜１０分の工程時間で実施されることを特徴
とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の不純
物除去方法。 - 【請求項１２】 前記上部基板と下部基板とを組み付け
る段階と、 その組み付けられた上部基板と下部基板内のガスを排気
して放電ガスを注入する排気及び放電ガス注入段階と、 前記放電ガスが注入されたプラズマディスプレイ装置を
エージングするパネルエージング段階と、を更に順次行
うことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレ
イ装置の不純物除去方法。 - 【請求項１３】 前記排気及び放電ガス注入段階は、相
互結合された上部基板と下部基板の内部を真空状態にし
てネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウム（Ｈ
ｅ）などの混合ガスを数ｍｇ封入することを特徴とする
請求項１２記載のプラズマディスプレイ装置の不純物除
去方法。 - 【請求項１４】 前記エージング段階は、組み付けられ
た上部基板と下部基板の電極に所定周波数の電圧を印加
して放電を引き起こさせることを特徴とする請求項１２
記載のプラズマディスプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項１５】 前記エージング段階のエージング工程
時間は、約１２時間以下であることを特徴とする請求項
１２記載のプラズマディスプレイ装置の不純物除去方
法。 - 【請求項１６】 上部基板及び下部基板を製作する段階
と、 前記上部基板と下部基板の不純物をプラズマクリーニン
グ工程及びヒーティング工程の少なくとも何れか一つの
工程により除去する洗浄段階と、 前記不純物が除去された上部基板と下部基板とを組み付
ける段階と、 その組み付けられた上部基板と下部基板内のガスを排気
して放電ガスを注入する排気及び放電ガス注入段階と、 前記放電ガスが注入されたプラズマディスプレイ装置を
エージングする段階とを含むことを特徴とするプラズマ
ディスプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項１７】 前記プラズマクリーニング工程は、 前記上部基板に第１平板電極を装着して、下部基板に第
２平板電極を装着する段階と、 真空ガス雰囲気で放電させる段階とを含むことを特徴と
する請求項１６記載のプラズマディスプレイ装置の不純
物除去方法。 - 【請求項１８】 前記第１平板電極には高周波電力供給
源が連結され、前記第２平板電極にはグラウンド電源端
子が連結されることを特徴とする請求項１７記載のプラ
ズマディスプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項１９】 前記ヒーティング工程は、前記上部基
板及び下部基板を約数十℃〜数百℃の温度で真空中で実
施することを特徴とする請求項１６記載のプラズマディ
スプレイ装置の不純物除去方法。 - 【請求項２０】 前記洗浄段階は、１０−７Ｔｏｒｒ〜
１０−６Ｔｏｒｒの基本圧力と、数ｍＴｏｒｒ〜数百Ｔ
ｏｒｒの工程圧力と、数十ｍｍ〜数百ｍｍの電極間距離
と、数分〜数十分の工程時間で施行されることを特徴と
する請求項１６記載のプラズマディスプレイ装置の不純
物除去方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2002-04477 | 2002-01-25 | ||
| KR10-2002-0004477A KR100444512B1 (ko) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | 플라즈마 디스플레이 패널의 불순물 제거방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003234068A true JP2003234068A (ja) | 2003-08-22 |
Family
ID=27607018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003016471A Pending JP2003234068A (ja) | 2002-01-25 | 2003-01-24 | プラズマディスプレイ装置の不純物除去方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6986694B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003234068A (ja) |
| KR (1) | KR100444512B1 (ja) |
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- 2002-01-25 KR KR10-2002-0004477A patent/KR100444512B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-12-31 US US10/331,978 patent/US6986694B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2003-01-24 JP JP2003016471A patent/JP2003234068A/ja active Pending
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| KR100444512B1 (ko) | 2004-08-16 |
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