JPH10302642A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH10302642A JPH10302642A JP9089072A JP8907297A JPH10302642A JP H10302642 A JPH10302642 A JP H10302642A JP 9089072 A JP9089072 A JP 9089072A JP 8907297 A JP8907297 A JP 8907297A JP H10302642 A JPH10302642 A JP H10302642A
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- display panel
- plasma display
- glass substrates
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ガラス基板を用いたＰＤＰパネルにおいて、ア
ルカリ成分の、駆動回路等との接続部への滲出の抑制
と、密着性の向上を図る。 【解決手段】少なくとも一方のガラス基板の表面、また
は、該基板上に形成したＳｉＯ２膜の表面を酸素雰囲気
下で紫外線照射処理する。また、酸素雰囲気下で紫外線
照射しながら熱処理を行う。また、ガラス基板の表面を
二酸化硫黄（ＳＯ２）と酸素との混合ガス雰囲気下で紫
外線照射処理する。または、二酸化硫黄（ＳＯ２）と酸
素との混合ガス雰囲気下で紫外線照射しながら熱処理す
る。
ルカリ成分の、駆動回路等との接続部への滲出の抑制
と、密着性の向上を図る。 【解決手段】少なくとも一方のガラス基板の表面、また
は、該基板上に形成したＳｉＯ２膜の表面を酸素雰囲気
下で紫外線照射処理する。また、酸素雰囲気下で紫外線
照射しながら熱処理を行う。また、ガラス基板の表面を
二酸化硫黄（ＳＯ２）と酸素との混合ガス雰囲気下で紫
外線照射処理する。または、二酸化硫黄（ＳＯ２）と酸
素との混合ガス雰囲気下で紫外線照射しながら熱処理す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーＴＶ，コン
ピュータ，案内表示，等に利用される平面型表示装置の
プラズマデイスプレイに関し、特に、確実かつ長期信頼
性に富んだプラズマデイスプレイパネル（以下、ＰＤＰ
と称する）の構成及びその製造技術に関する。
ピュータ，案内表示，等に利用される平面型表示装置の
プラズマデイスプレイに関し、特に、確実かつ長期信頼
性に富んだプラズマデイスプレイパネル（以下、ＰＤＰ
と称する）の構成及びその製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１（ａ）は従来の対向３電極面放電型
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの要部断面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図であ
る。表示面側のガラス基板１上にＸ，Ｙ２本の平行な表
示電極１０を対として形成し、この平行電極間にパルス
又は交流電圧を印加し面放電を行う。各表示電極１０は
ＩＴＯ等の透明電極２とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｇ等から
なるバス電極３により構成され、これらの表示電極上１
０に誘電体層４と保護膜（ＭｇＯ）５を設ける。一方、
対向する背面側のガラス基板９上には、表示電極１０と
直交する方向にアドレス電極８を構成する。これらのア
ドレス電極８上に誘電体層７を設け、その上に各アドレ
ス電極間に位置するように隔壁６を形成する。隔壁の側
面と底にはＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体１１を塗り分けて形成す
る。この２枚のガラス基板間の放電空間にはＮｅ−Ｘｅ
等の混合ガスを封入し、放電時のＸｅから放出される波
長１４７ｎｍ等の紫外光が蛍光体を励起する。励起され
た蛍光体はＲ，Ｇ，Ｂの可視光を放射し表面側基板より
出光することによりフルカラーとして視認される。この
ようなパネル構造は例えば特開昭５５ー１１３２３７号
公報および富士通技報（０７．１９９６）３３９ページ
に記載されている。
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの要部断面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図であ
る。表示面側のガラス基板１上にＸ，Ｙ２本の平行な表
示電極１０を対として形成し、この平行電極間にパルス
又は交流電圧を印加し面放電を行う。各表示電極１０は
ＩＴＯ等の透明電極２とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｇ等から
なるバス電極３により構成され、これらの表示電極上１
０に誘電体層４と保護膜（ＭｇＯ）５を設ける。一方、
対向する背面側のガラス基板９上には、表示電極１０と
直交する方向にアドレス電極８を構成する。これらのア
ドレス電極８上に誘電体層７を設け、その上に各アドレ
ス電極間に位置するように隔壁６を形成する。隔壁の側
面と底にはＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体１１を塗り分けて形成す
る。この２枚のガラス基板間の放電空間にはＮｅ−Ｘｅ
等の混合ガスを封入し、放電時のＸｅから放出される波
長１４７ｎｍ等の紫外光が蛍光体を励起する。励起され
た蛍光体はＲ，Ｇ，Ｂの可視光を放射し表面側基板より
出光することによりフルカラーとして視認される。この
ようなパネル構造は例えば特開昭５５ー１１３２３７号
公報および富士通技報（０７．１９９６）３３９ページ
に記載されている。
【０００３】プラズマディスプレイパネルに用いるガラ
ス基板はコスト低減を狙いとして、主にソーダライムが
用いられているが、ソーダライムにはアルカリ成分が１
０％以上含有しており、そのアルカリ成分が放電特性に
悪影響を与えるため、ソーダライムガラス基板のガス放
電側表面にアルカリ成分バリア層としてＳｉＯ２膜を形
成することが有効であることが、オーム社出版『電子デ
ィスプレイ』平成８年６月２０日第１版第２刷発行の９
６ページに記載されている。
ス基板はコスト低減を狙いとして、主にソーダライムが
用いられているが、ソーダライムにはアルカリ成分が１
０％以上含有しており、そのアルカリ成分が放電特性に
悪影響を与えるため、ソーダライムガラス基板のガス放
電側表面にアルカリ成分バリア層としてＳｉＯ２膜を形
成することが有効であることが、オーム社出版『電子デ
ィスプレイ』平成８年６月２０日第１版第２刷発行の９
６ページに記載されている。
【０００４】半導体の表面処理技術に、表面に有機物汚
染がある試料に酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射する
と、雰囲気のＯ２分子は光のエネルギーを吸収してＯと
Ｏ３に分解し、一方、汚染物も光のエネルギーで励起さ
れイオン状又はフリーラジカルとなり上記のＯやＯ３と
が反応してＣＯ２，Ｈ２Ｏ，Ｎ２などの揮発性分子とな
り汚染物を除去する技術があり、例えば、学会出版セン
ター出版『化学総説Ｎｏ．４４ 表面の改質』昭和６１
年５月３０日２版の１５２ページに記載されている。
染がある試料に酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射する
と、雰囲気のＯ２分子は光のエネルギーを吸収してＯと
Ｏ３に分解し、一方、汚染物も光のエネルギーで励起さ
れイオン状又はフリーラジカルとなり上記のＯやＯ３と
が反応してＣＯ２，Ｈ２Ｏ，Ｎ２などの揮発性分子とな
り汚染物を除去する技術があり、例えば、学会出版セン
ター出版『化学総説Ｎｏ．４４ 表面の改質』昭和６１
年５月３０日２版の１５２ページに記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ソーダライム基板に
は、Ｎａ＋イオン，Ｌｉ＋イオン，Ｋ＋イオン等の比較
的ガラス内を移動し易いアルカリ成分イオンが１０〜１
５％含有している。これらのアルカリ成分イオンは、複
数の表示電極およびアドレス電極に電圧を印加するＰＤ
Ｐにおいては、ソーダライム基板内のみならず、表示電
極、誘電体層、保護膜（ＭｇＯ）、放電空間、アドレス
電極、パネルを駆動する駆動回路との接続部に滲出し、
リーク電流の増加および放電異常、表示電極、誘電体
層、保護膜（ＭｇＯ）、アドレス電極、パネルを駆動す
る駆動回路との接続部等の密着性の低下による膜剥がれ
が発生する。
は、Ｎａ＋イオン，Ｌｉ＋イオン，Ｋ＋イオン等の比較
的ガラス内を移動し易いアルカリ成分イオンが１０〜１
５％含有している。これらのアルカリ成分イオンは、複
数の表示電極およびアドレス電極に電圧を印加するＰＤ
Ｐにおいては、ソーダライム基板内のみならず、表示電
極、誘電体層、保護膜（ＭｇＯ）、放電空間、アドレス
電極、パネルを駆動する駆動回路との接続部に滲出し、
リーク電流の増加および放電異常、表示電極、誘電体
層、保護膜（ＭｇＯ）、アドレス電極、パネルを駆動す
る駆動回路との接続部等の密着性の低下による膜剥がれ
が発生する。
【０００６】本発明は、アルカリ成分を含有するガラス
基板、例えば、ソーダライム基板を用いたＰＤＰにおい
て、アルカリ成分が、表示電極、誘電体層、保護膜（Ｍ
ｇＯ）、放電空間、アドレス電極、パネルを駆動する駆
動回路との接続部、への滲出する現象を抑制し、かつ、
密着性の向上を図り、長期信頼性の確保を図ることを目
的とする。
基板、例えば、ソーダライム基板を用いたＰＤＰにおい
て、アルカリ成分が、表示電極、誘電体層、保護膜（Ｍ
ｇＯ）、放電空間、アドレス電極、パネルを駆動する駆
動回路との接続部、への滲出する現象を抑制し、かつ、
密着性の向上を図り、長期信頼性の確保を図ることを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＰＤＰは、
上記課題を解決するため、ガス空間を挟んで対向配置す
るガラス基板の少なくとも一方のガラス基板の表面、ま
たは、少なくとも一方のガラス基板上に形成したＳｉＯ
２膜の表面、を酸素雰囲気下で紫外線照射処理する、ま
たは、酸素雰囲気下で紫外線照射しながら熱処理を行
う。また、ガラス基板の表面を二酸化硫黄（ＳＯ２）と
酸素との混合ガス雰囲気下で紫外線照射処理する、また
は、二酸化硫黄（ＳＯ２）と酸素との混合ガス雰囲気下
で紫外線照射しながら熱処理を行う。
上記課題を解決するため、ガス空間を挟んで対向配置す
るガラス基板の少なくとも一方のガラス基板の表面、ま
たは、少なくとも一方のガラス基板上に形成したＳｉＯ
２膜の表面、を酸素雰囲気下で紫外線照射処理する、ま
たは、酸素雰囲気下で紫外線照射しながら熱処理を行
う。また、ガラス基板の表面を二酸化硫黄（ＳＯ２）と
酸素との混合ガス雰囲気下で紫外線照射処理する、また
は、二酸化硫黄（ＳＯ２）と酸素との混合ガス雰囲気下
で紫外線照射しながら熱処理を行う。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【０００９】図２は、本発明に係わる一実施例のガラス
基板１３の表面処理方法を示す図である。基板ホルダー
１２に設置されたガラス基板１３は処理室１８に導入さ
れ、処理室空間１４はバルブ１５，排気ポンプ１６によ
り５×１０−２ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その
後、酸素ガスを導入しながら排気を行いＵＶランプ１７
を照射する。該酸素ガス雰囲気下で紫外線照射されたガ
ラス基板１３は、次工程の、透明電極膜（ＩＴＯ，Ｓｎ
Ｏ２等）、アドレス電極膜、またはアルカリ成分バリア
層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。このようなガラス
基板の表面処理を行うことにより、ガラス基板表面と透
明電極，アドレス電極，アルカリ成分バリア層との密着
性は向上する。また、このような表面処理を行った場合
と行わない場合のＰＤＰの放電特性には明らかに相違が
あり、該表面処理を行った場合には、異常放電の発生頻
度が激減した。異常放電抑制の原因は、現在明らかでは
ないが、ガラス基板表面にアルカリ成分の欠乏層が形成
されアルカリ成分の滲出が抑制されているものと考えら
れる。
基板１３の表面処理方法を示す図である。基板ホルダー
１２に設置されたガラス基板１３は処理室１８に導入さ
れ、処理室空間１４はバルブ１５，排気ポンプ１６によ
り５×１０−２ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その
後、酸素ガスを導入しながら排気を行いＵＶランプ１７
を照射する。該酸素ガス雰囲気下で紫外線照射されたガ
ラス基板１３は、次工程の、透明電極膜（ＩＴＯ，Ｓｎ
Ｏ２等）、アドレス電極膜、またはアルカリ成分バリア
層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。このようなガラス
基板の表面処理を行うことにより、ガラス基板表面と透
明電極，アドレス電極，アルカリ成分バリア層との密着
性は向上する。また、このような表面処理を行った場合
と行わない場合のＰＤＰの放電特性には明らかに相違が
あり、該表面処理を行った場合には、異常放電の発生頻
度が激減した。異常放電抑制の原因は、現在明らかでは
ないが、ガラス基板表面にアルカリ成分の欠乏層が形成
されアルカリ成分の滲出が抑制されているものと考えら
れる。
【００１０】図３は、本発明に係わる一実施例のガラス
基板１３の表面処理方法を示す図である。ガラス基板１
３は処理室１８にローラー１９により搬送される。処理
室空間１４には、バルブ２２及びバルブ２３を介して、
オゾン発生装置２４から数千ＰＰＭ〜数万ＰＰＭのオゾ
ンまたは酸素ガスが大気圧程度にて導入されており、所
定位置にガラス基板１３が搬送された後ＵＶランプ１７
を照射する。ＵＶランプ１７とガラス基板１３との距離
Ｌは適時設定変更可能である。該ガス雰囲気下で紫外線
照射されたガラス基板１３は、次工程の、透明電極膜
（ＩＴＯ，ＳｎＯ２等）、アドレス電極膜、またはアル
カリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。こ
のようなガラス基板の表面処理を行うことにより、ガラ
ス基板表面と透明電極，アドレス電極，アルカリ成分バ
リア層との密着性は向上する。また、このような表面処
理を行った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性には
明らかに相違があり、該表面処理を行った場合には、異
常放電の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度激減の
原因は、現在明らかではないが、ガラス基板表面にアル
カリ成分の欠乏層が形成されアルカリ成分の滲出が抑制
されているものと考えられる。
基板１３の表面処理方法を示す図である。ガラス基板１
３は処理室１８にローラー１９により搬送される。処理
室空間１４には、バルブ２２及びバルブ２３を介して、
オゾン発生装置２４から数千ＰＰＭ〜数万ＰＰＭのオゾ
ンまたは酸素ガスが大気圧程度にて導入されており、所
定位置にガラス基板１３が搬送された後ＵＶランプ１７
を照射する。ＵＶランプ１７とガラス基板１３との距離
Ｌは適時設定変更可能である。該ガス雰囲気下で紫外線
照射されたガラス基板１３は、次工程の、透明電極膜
（ＩＴＯ，ＳｎＯ２等）、アドレス電極膜、またはアル
カリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。こ
のようなガラス基板の表面処理を行うことにより、ガラ
ス基板表面と透明電極，アドレス電極，アルカリ成分バ
リア層との密着性は向上する。また、このような表面処
理を行った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性には
明らかに相違があり、該表面処理を行った場合には、異
常放電の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度激減の
原因は、現在明らかではないが、ガラス基板表面にアル
カリ成分の欠乏層が形成されアルカリ成分の滲出が抑制
されているものと考えられる。
【００１１】図４は、本発明に係わる一実施例のガラス
基板１３の表面処理方法を示す図である。ガラス基板１
３は処理室１８にローラー１９により所定場所に搬送さ
れ、加熱ヒーター２５にて２００℃〜６００℃に加熱す
る。処理室空間１４には、バルブ２２及びバルブ２３を
介して、オゾン発生装置２４から数千ＰＰＭ〜数万ＰＰ
Ｍのオゾンまたは酸素ガスが大気圧程度にて導入されて
おり、所定位置にガラス基板１３が搬送された後ＵＶラ
ンプ１７を照射する。ＵＶランプ１７とガラス基板１３
との距離Ｌは適時設定変更可能である。該ガス雰囲気下
で紫外線照射されたガラス基板１３は、次工程の、透明
電極膜（ＩＴＯ，ＳｎＯ２等）、アドレス電極膜、また
はアルカリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移
る。このようなガラス基板の表面処理を行うことによ
り、ガラス基板表面と透明電極，アドレス電極，アルカ
リ成分バリア層との密着性は向上する。また、このよう
な表面処理を行った場合と行わない場合のＰＤＰの放電
特性には明らかに相違があり、該表面処理を行った場合
には、異常放電の発生頻度が激減した。異常放電発生頻
度激減の原因は、現在明らかではないが、ガラス基板表
面にアルカリ成分の欠乏層が形成されアルカリ成分の滲
出が抑制されているものと考えられる。
基板１３の表面処理方法を示す図である。ガラス基板１
３は処理室１８にローラー１９により所定場所に搬送さ
れ、加熱ヒーター２５にて２００℃〜６００℃に加熱す
る。処理室空間１４には、バルブ２２及びバルブ２３を
介して、オゾン発生装置２４から数千ＰＰＭ〜数万ＰＰ
Ｍのオゾンまたは酸素ガスが大気圧程度にて導入されて
おり、所定位置にガラス基板１３が搬送された後ＵＶラ
ンプ１７を照射する。ＵＶランプ１７とガラス基板１３
との距離Ｌは適時設定変更可能である。該ガス雰囲気下
で紫外線照射されたガラス基板１３は、次工程の、透明
電極膜（ＩＴＯ，ＳｎＯ２等）、アドレス電極膜、また
はアルカリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移
る。このようなガラス基板の表面処理を行うことによ
り、ガラス基板表面と透明電極，アドレス電極，アルカ
リ成分バリア層との密着性は向上する。また、このよう
な表面処理を行った場合と行わない場合のＰＤＰの放電
特性には明らかに相違があり、該表面処理を行った場合
には、異常放電の発生頻度が激減した。異常放電発生頻
度激減の原因は、現在明らかではないが、ガラス基板表
面にアルカリ成分の欠乏層が形成されアルカリ成分の滲
出が抑制されているものと考えられる。
【００１２】図５は、本発明に係わる一実施例のガラス
基板１３の表面処理方法を示す図である。図５（ａ）
は、基板の加熱方法を示す図であり、図５（ｂ）は、そ
の後に実施する基板処理方法を示す図である。基板ホル
ダー１２に設置されたガラス基板１３は処理室１８に導
入され、処理室空間１４はバルブ１５，排気ポンプ１６
により真空排気を行いながら加熱用ランプ２０にて２０
０〜６００℃の範囲内で加熱を行いながら５×１０−２
ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その後、基板ホルダ
ー１２と共にガラス基板１３を真空排気された処理室１
８に搬送し酸素ガスを導入しながら排気を行いＵＶラン
プ１７を照射する。該酸素ガス雰囲気下で紫外線照射さ
れたガラス基板１３は、次工程の、透明電極膜（ＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ２等）、アドレス電極膜、またはアルカリ成
分バリア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。このよう
なガラス基板の表面処理を行うことにより、ガラス基板
表面と透明電極，アドレス電極，アルカリ成分バリア層
との密着性は向上する。また、このような表面処理を行
った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性には明らか
に相違があり、該表面処理を行った場合には、異常放電
の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度抑制の原因
は、現在明らかではないが、ガラス基板表面にアルカリ
成分の欠乏層が形成されアルカリ成分の滲出が抑制され
ているものと考えられる。
基板１３の表面処理方法を示す図である。図５（ａ）
は、基板の加熱方法を示す図であり、図５（ｂ）は、そ
の後に実施する基板処理方法を示す図である。基板ホル
ダー１２に設置されたガラス基板１３は処理室１８に導
入され、処理室空間１４はバルブ１５，排気ポンプ１６
により真空排気を行いながら加熱用ランプ２０にて２０
０〜６００℃の範囲内で加熱を行いながら５×１０−２
ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その後、基板ホルダ
ー１２と共にガラス基板１３を真空排気された処理室１
８に搬送し酸素ガスを導入しながら排気を行いＵＶラン
プ１７を照射する。該酸素ガス雰囲気下で紫外線照射さ
れたガラス基板１３は、次工程の、透明電極膜（ＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ２等）、アドレス電極膜、またはアルカリ成
分バリア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。このよう
なガラス基板の表面処理を行うことにより、ガラス基板
表面と透明電極，アドレス電極，アルカリ成分バリア層
との密着性は向上する。また、このような表面処理を行
った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性には明らか
に相違があり、該表面処理を行った場合には、異常放電
の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度抑制の原因
は、現在明らかではないが、ガラス基板表面にアルカリ
成分の欠乏層が形成されアルカリ成分の滲出が抑制され
ているものと考えられる。
【００１３】図６は、本発明に係わる一実施例のガラス
基板の表面処理方法を示す図である。基板は、ガラス基
板１３と前工程にて形成された０．０２〜０．２μｍ厚
のアルカリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）２１にて構成さ
れている。基板ホルダー１２に設置された基板は処理室
１８に導入され、処理室空間１４はバルブ１５と排気ポ
ンプ１６により５×１０−２ｔｏｒｒ以下まで真空排気
を行う。その後、酸素ガスを導入しながら排気を行いＵ
Ｖランプ１７を照射する。該酸素ガス雰囲気下で紫外線
照射されたアルカリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）２１
は、次工程の透明電極膜（ＩＴＯ，ＳｎＯ２等）または
アドレス電極膜の形成工程に移る。このようなアルカリ
成分バリア層（ＳｉＯ２等）２１の表面処理を行うこと
により、アルカリ成分バリア層２１と透明電極またはア
ドレス電極との密着性は向上する。また、このような表
面処理を行った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性
には明らかに相違があり、該表面処理を行った場合に
は、異常放電の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度
抑制の原因は、現在明らかではないが、アルカリ成分バ
リア層の表面に新たな安定層が形成されたためと考えら
れる。
基板の表面処理方法を示す図である。基板は、ガラス基
板１３と前工程にて形成された０．０２〜０．２μｍ厚
のアルカリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）２１にて構成さ
れている。基板ホルダー１２に設置された基板は処理室
１８に導入され、処理室空間１４はバルブ１５と排気ポ
ンプ１６により５×１０−２ｔｏｒｒ以下まで真空排気
を行う。その後、酸素ガスを導入しながら排気を行いＵ
Ｖランプ１７を照射する。該酸素ガス雰囲気下で紫外線
照射されたアルカリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）２１
は、次工程の透明電極膜（ＩＴＯ，ＳｎＯ２等）または
アドレス電極膜の形成工程に移る。このようなアルカリ
成分バリア層（ＳｉＯ２等）２１の表面処理を行うこと
により、アルカリ成分バリア層２１と透明電極またはア
ドレス電極との密着性は向上する。また、このような表
面処理を行った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性
には明らかに相違があり、該表面処理を行った場合に
は、異常放電の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度
抑制の原因は、現在明らかではないが、アルカリ成分バ
リア層の表面に新たな安定層が形成されたためと考えら
れる。
【００１４】図７は、本発明に係わる一実施例のガラス
基板の表面処理方法を示す図である。図７（ａ）は、基
板の加熱方法を示す図であり、図７（ｂ）は、その後に
実施する基板処理方法を示す図である。基板は、ガラス
基板１３と前工程にて形成された０．０２〜０．２μｍ
厚のアルカリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）２１にて構成
されている。基板ホルダー１２に設置された基板は処理
室１８に導入され、処理室空間１４をバルブ１５，排気
ポンプ１６にて真空排気を行いながら加熱用ランプ２０
にて２００〜６００℃の範囲内で加熱を行い、５×１０
−２ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その後、基板ホ
ルダー１２と共に基板を処理室１８に搬送し酸素ガスを
導入しながら排気を行いＵＶランプ１７を照射する。該
酸素ガス雰囲気下で紫外線照射された基板は、次工程の
透明電極膜（ＩＴＯ，ＳｎＯ２等）またはアドレス電極
膜の形成工程に移る。このようなアルカリ成分バリア層
２１の表面処理を行うことにより、アルカリ成分バリア
層２１と透明電極またはアドレス電極との密着性は向上
する。また、このような表面処理を行った場合と行わな
い場合のＰＤＰの放電特性には明らかに相違があり、該
表面処理を行った場合には、異常放電の発生頻度が激減
した。。異常放電発生頻度抑制の原因は、現在明らかで
はないが、アルカリ成分バリア層の表面に新たな安定層
が形成されたためと考えられる。
基板の表面処理方法を示す図である。図７（ａ）は、基
板の加熱方法を示す図であり、図７（ｂ）は、その後に
実施する基板処理方法を示す図である。基板は、ガラス
基板１３と前工程にて形成された０．０２〜０．２μｍ
厚のアルカリ成分バリア層（ＳｉＯ２等）２１にて構成
されている。基板ホルダー１２に設置された基板は処理
室１８に導入され、処理室空間１４をバルブ１５，排気
ポンプ１６にて真空排気を行いながら加熱用ランプ２０
にて２００〜６００℃の範囲内で加熱を行い、５×１０
−２ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その後、基板ホ
ルダー１２と共に基板を処理室１８に搬送し酸素ガスを
導入しながら排気を行いＵＶランプ１７を照射する。該
酸素ガス雰囲気下で紫外線照射された基板は、次工程の
透明電極膜（ＩＴＯ，ＳｎＯ２等）またはアドレス電極
膜の形成工程に移る。このようなアルカリ成分バリア層
２１の表面処理を行うことにより、アルカリ成分バリア
層２１と透明電極またはアドレス電極との密着性は向上
する。また、このような表面処理を行った場合と行わな
い場合のＰＤＰの放電特性には明らかに相違があり、該
表面処理を行った場合には、異常放電の発生頻度が激減
した。。異常放電発生頻度抑制の原因は、現在明らかで
はないが、アルカリ成分バリア層の表面に新たな安定層
が形成されたためと考えられる。
【００１５】図８は、本発明に係わる一実施例のガラス
基板１３の表面処理方法を示す図である。基板ホルダー
１２に設置されたガラス基板１３は処理室１８に導入さ
れ、処理室空間１４はバルブ１５と排気ポンプ１６にて
５×１０−２ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その
後、二酸化硫黄ガスと酸素ガスの混合ガスを導入しなが
ら排気を行いＵＶランプ１７を照射する。該二酸化硫黄
ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気下で紫外線照射された
ガラス基板１３は、次工程の、透明電極膜（ＩＴＯ，Ｓ
ｎＯ２等）、アドレス電極膜、またはアルカリ成分バリ
ア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。このようなガラ
ス基板の表面処理を行うことにより、ガラス基板表面と
透明電極，アドレス電極，またはアルカリ成分バリア層
との密着性は向上する。また、このような表面処理を行
った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性には明らか
に相違があり、該表面処理を行った場合には、異常放電
の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度抑制の原因
は、現在明らかではないが、ガラス基板表面のアルカリ
成分が析出（Ｎａの場合にはＮａ２ＳＯ４の形成）し、
ガラス基板表面の可動アルカリ成分が不動化されている
ためと考えられる。
基板１３の表面処理方法を示す図である。基板ホルダー
１２に設置されたガラス基板１３は処理室１８に導入さ
れ、処理室空間１４はバルブ１５と排気ポンプ１６にて
５×１０−２ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その
後、二酸化硫黄ガスと酸素ガスの混合ガスを導入しなが
ら排気を行いＵＶランプ１７を照射する。該二酸化硫黄
ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気下で紫外線照射された
ガラス基板１３は、次工程の、透明電極膜（ＩＴＯ，Ｓ
ｎＯ２等）、アドレス電極膜、またはアルカリ成分バリ
ア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。このようなガラ
ス基板の表面処理を行うことにより、ガラス基板表面と
透明電極，アドレス電極，またはアルカリ成分バリア層
との密着性は向上する。また、このような表面処理を行
った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性には明らか
に相違があり、該表面処理を行った場合には、異常放電
の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度抑制の原因
は、現在明らかではないが、ガラス基板表面のアルカリ
成分が析出（Ｎａの場合にはＮａ２ＳＯ４の形成）し、
ガラス基板表面の可動アルカリ成分が不動化されている
ためと考えられる。
【００１６】図９は、本発明に係わる一実施例のガラス
基板１３の表面処理方法を示す図である。図９（ａ）
は、基板の加熱方法を示す図であり、図９（ｂ）は、そ
の後に実施する基板処理方法を示す図である。基板ホル
ダー１２に設置されたガラス基板１３は処理室１８に導
入され、処理室空間１４はバルブ１５，排気ポンプ１６
により真空排気を行いながら加熱用ランプ２０にて２０
０〜６００℃の範囲内で加熱を行いながら５×１０−２
ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その後、基板ホルダ
ー１２と共にガラス基板１３を真空排気された処理室１
８に搬送し二酸化硫黄ガスと酸素ガスの混合ガスを導入
しながら排気を行いＵＶランプ１７を照射する。該二酸
化硫黄ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気下で紫外線照射
されたガラス基板１３は、次工程の透明電極膜（ＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ２等）、アドレス電極膜、またはアルカリ成
分バリア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。このよう
なガラス基板１３の表面処理を行うことにより、ガラス
基板表面と透明電極，アドレス電極，またはアルカリ成
分バリア層との密着性は向上する。また、このような表
面処理を行った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性
には明らかに相違があり、該表面処理を行った場合に
は、異常放電の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度
抑制の原因は、現在明らかではないが、ガラス基板表面
のアルカリ成分が析出（Ｎａの場合にはＮａ２ＳＯ４の
形成）し、ガラス基板表面の可動アルカリ成分が不動化
されているためと考えられる。
基板１３の表面処理方法を示す図である。図９（ａ）
は、基板の加熱方法を示す図であり、図９（ｂ）は、そ
の後に実施する基板処理方法を示す図である。基板ホル
ダー１２に設置されたガラス基板１３は処理室１８に導
入され、処理室空間１４はバルブ１５，排気ポンプ１６
により真空排気を行いながら加熱用ランプ２０にて２０
０〜６００℃の範囲内で加熱を行いながら５×１０−２
ｔｏｒｒ以下まで真空排気を行う。その後、基板ホルダ
ー１２と共にガラス基板１３を真空排気された処理室１
８に搬送し二酸化硫黄ガスと酸素ガスの混合ガスを導入
しながら排気を行いＵＶランプ１７を照射する。該二酸
化硫黄ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気下で紫外線照射
されたガラス基板１３は、次工程の透明電極膜（ＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ２等）、アドレス電極膜、またはアルカリ成
分バリア層（ＳｉＯ２等）の形成工程に移る。このよう
なガラス基板１３の表面処理を行うことにより、ガラス
基板表面と透明電極，アドレス電極，またはアルカリ成
分バリア層との密着性は向上する。また、このような表
面処理を行った場合と行わない場合のＰＤＰの放電特性
には明らかに相違があり、該表面処理を行った場合に
は、異常放電の発生頻度が激減した。異常放電発生頻度
抑制の原因は、現在明らかではないが、ガラス基板表面
のアルカリ成分が析出（Ｎａの場合にはＮａ２ＳＯ４の
形成）し、ガラス基板表面の可動アルカリ成分が不動化
されているためと考えられる。
【００１７】実施例では、図３，図４以外の実施の形態
ではガラス基板の配置を縦型にて説明したが、必ずしも
そのようにする必要はなく、横型でもよい。また、ＵＶ
ランプの波長は酸素ガスのオゾン化を図るエネルギーの
波長を含んでいればよく、低圧水銀ランプまたは高圧水
銀ランプ等が実用上好ましいが、限定するするものでは
ない。また、導入ガスは、酸素ガスのみならず、オゾン
を含有した酸素ガスの場合においても本発明に含まれ
る。
ではガラス基板の配置を縦型にて説明したが、必ずしも
そのようにする必要はなく、横型でもよい。また、ＵＶ
ランプの波長は酸素ガスのオゾン化を図るエネルギーの
波長を含んでいればよく、低圧水銀ランプまたは高圧水
銀ランプ等が実用上好ましいが、限定するするものでは
ない。また、導入ガスは、酸素ガスのみならず、オゾン
を含有した酸素ガスの場合においても本発明に含まれ
る。
【００１８】以上、本発明では主にガラス基板面上に透
明電極（ITO,SnO2等）、またはアドレス電極形成用のそ
れぞれの薄膜を形成する前に酸素雰囲気下で紫外線を照
射して行う例を中心として述べたが、電極パターンを化
学エッチング処理などで形成した後に露出するガラス表
面を前述した実施例と同様に電極パターン形成後に酸素
雰囲気下で紫外線を照射することで、さらに信頼性の向
上が得られるのは言うまでもない。
明電極（ITO,SnO2等）、またはアドレス電極形成用のそ
れぞれの薄膜を形成する前に酸素雰囲気下で紫外線を照
射して行う例を中心として述べたが、電極パターンを化
学エッチング処理などで形成した後に露出するガラス表
面を前述した実施例と同様に電極パターン形成後に酸素
雰囲気下で紫外線を照射することで、さらに信頼性の向
上が得られるのは言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＰＤＰの信頼性確保を図ることが可能になる。
ＰＤＰの信頼性確保を図ることが可能になる。
【図１】従来の対向３電極面放電ＡＣ型プラズマディス
プレイパネル構造の要部断面図、およびＡ−Ａ‘線に沿
った断面図。
プレイパネル構造の要部断面図、およびＡ−Ａ‘線に沿
った断面図。
【図２】本発明の一実施例の表面改質工程を示した図。
【図３】本発明の一実施例の表面改質工程を示した図。
【図４】本発明の一実施例の表面改質工程を示した図。
【図５】本発明の一実施例の表面改質工程を示した図。
【図６】本発明の一実施例の表面改質工程を示した図。
【図７】本発明の一実施例の表面改質工程を示した図。
【図８】本発明の一実施例の表面改質工程を示した図。
【図９】本発明の一実施例の表面改質工程を示した図。
１，９，１３…ガラス基板、２…透明電極、３…バス電
極、４，７…誘電体層、５…保護膜（ＭｇＯ）、６…隔
壁、８…アドレス電極、１０…表示電極、１１…蛍光
体、１２…基板ホルダー、１４…処理室空間、１５，２
２，２３…バルブ、１６…排気ポンプ、１７…ＵＶラン
プ、１８…処理室、１９…ローラー、２０…加熱用ラン
プ、２１…アルカリ成分バリア層、２４…オゾン発生装
置、２５…加熱ヒーター。
極、４，７…誘電体層、５…保護膜（ＭｇＯ）、６…隔
壁、８…アドレス電極、１０…表示電極、１１…蛍光
体、１２…基板ホルダー、１４…処理室空間、１５，２
２，２３…バルブ、１６…排気ポンプ、１７…ＵＶラン
プ、１８…処理室、１９…ローラー、２０…加熱用ラン
プ、２１…アルカリ成分バリア層、２４…オゾン発生装
置、２５…加熱ヒーター。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 康博 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内
Claims (12)
- 【請求項１】ガス空間を挟んで対向配置するガラス基板
の一方のガラス基板に、誘電体層により被覆された複数
の表示電極を配列し、他方のガラス基板にはアドレス電
極，隔壁，蛍光体を形成したプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、上記ガラス基板は、少なくとも一方のガラ
ス基板を酸素雰囲気下で紫外線照射で表面処理した構成
を特徴とするプラズマデイスプレイパネル。 - 【請求項２】ガス空間を挟んで対向配置するガラス基板
の一方のガラス基板に、誘電体層により被覆された複数
の表示電極を配列し、他方のガラス基板にはアドレス電
極，隔壁，蛍光体を形成したプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、上記ガラス基板は、少なくとも一方のガラ
ス基板を酸素雰囲気下で紫外線照射し熱処理した構成を
特徴とするプラズマデイスプレイパネル。 - 【請求項３】ガス空間を挟んで対向配置するガラス基板
の一方のガラス基板に、誘電体層により被覆された複数
の表示電極を配列し、他方のガラス基板にはアドレス電
極，隔壁，蛍光体を形成したプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、上記ガラス基板は、少なくとも一方のガラ
ス基板上にＳｉＯ２膜を形成し、酸素雰囲気下で紫外線
照射で表面処理した構成を特徴とするプラズマデイスプ
レイパネル。 - 【請求項４】ガス空間を挟んで対向配置するガラス基板
の一方のガラス基板に、誘電体層により被覆された複数
の表示電極を配列し、他方のガラス基板にはアドレス電
極，隔壁，蛍光体を形成したプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、上記ガラス基板は、少なくとも一方のガラ
ス基板上にＳｉＯ２膜を形成し、酸素雰囲気下で紫外線
照射と熱処理で表面処理した構成を特徴とするプラズマ
デイスプレイパネル。 - 【請求項５】ガス空間を挟んで対向配置するガラス基板
の一方のガラス基板に、誘電体層により被覆された複数
の表示電極を配列し、他方のガラス基板にはアドレス電
極，隔壁，蛍光体を形成したプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、上記ガラス基板は、少なくとも一方のガラ
ス基板を、二酸化硫黄と酸素との混合ガス雰囲気下で紫
外線照射した構成を特徴とするプラズマデイスプレイパ
ネル。 - 【請求項６】ガス空間を挟んで対向配置するガラス基板
の一方のガラス基板に、誘電体層により被覆された複数
の表示電極を配列し、他方のガラス基板にはアドレス電
極，隔壁，蛍光体を形成したプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、上記ガラス基板は、少なくとも一方のガラ
ス基板を、二酸化硫黄と酸素との混合ガス雰囲気下で紫
外線照射と熱処理で表面処理した構成を特徴とするプラ
ズマデイスプレイパネル。 - 【請求項７】プラズマデイスプレイパネルのガラス基板
において、少なくとも一方のガラス基板表面を酸素雰囲
気下で紫外線照射し表面処理した後に、次工程を行うこ
とを特徴とするプラズマデイスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項８】プラズマデイスプレイパネルのガラス基板
において、少なくとも一方のガラス基板表面を酸素雰囲
気下で紫外線照射しながら熱処理することを特徴とする
プラズマデイスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項９】プラズマデイスプレイパネルのガラス基板
において、少なくとも一方のガラス基板上にＳｉＯ２膜
を形成した後、上記ＳｉＯ２膜表面を酸素雰囲気下で紫
外線照射し表面処理することを特徴とするプラズマデイ
スプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１０】プラズマデイスプレイパネルのガラス基
板において、少なくとも一方のガラス基板上にＳｉＯ２
膜を形成した後、上記ＳｉＯ２膜表面を酸素雰囲気下で
紫外線照射しながら熱処理することを特徴とするプラズ
マデイスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】プラズマデイスプレイパネルのガラス基
板において、少なくとも一方のガラス基板表面を二酸化
硫黄と酸素との混合ガス雰囲気下で紫外線照射し表面処
理することを特徴とするプラズマデイスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項１２】プラズマデイスプレイパネルのガラス基
板において、少なくとも一方のガラス基板表面を二酸化
硫黄と酸素との混合ガス雰囲気下で紫外線照射しながら
熱処理することを特徴とするプラズマデイスプレイパネ
ルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9089072A JPH10302642A (ja) | 1997-02-26 | 1997-04-08 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-41877 | 1997-02-26 | ||
| JP4187797 | 1997-02-26 | ||
| JP9089072A JPH10302642A (ja) | 1997-02-26 | 1997-04-08 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302642A true JPH10302642A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=26381538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9089072A Pending JPH10302642A (ja) | 1997-02-26 | 1997-04-08 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10302642A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603262B2 (en) * | 1999-12-09 | 2003-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same |
| KR100930155B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2009-12-07 | 유니램 주식회사 | 롱 아크 유브이 램프를 이용한 노광 및 경화 장치 |
-
1997
- 1997-04-08 JP JP9089072A patent/JPH10302642A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603262B2 (en) * | 1999-12-09 | 2003-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same |
| US6784614B2 (en) | 1999-12-09 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same |
| US6879105B2 (en) * | 1999-12-09 | 2005-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same |
| US7125303B2 (en) | 1999-12-09 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same |
| KR100930155B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2009-12-07 | 유니램 주식회사 | 롱 아크 유브이 램프를 이용한 노광 및 경화 장치 |
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