JP2003007612A - 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板処理のスループットの向上を図るととも
に、基板間の品質のばらつきを抑える。 【解決手段】 本発明に係る基板処理装置は、塗布処理
部１、現像処理部２、熱処理部、および搬送機構４など
を備える。塗布処理部１は、基板Ｗ上にフォトレジスト
液を供給して基板表面をフォトレジスト液で覆うカバレ
ッジ処理を行う第１処理ユニット５と、カバレッジ処理
された基板Ｗを高速回転してフォトレジスト液を薄膜化
するとともに、フォトレジスト膜の乾燥および基板Ｗの
洗浄を行う第２処理ユニット６とを備える。本発明によ
れば全ての基板Ｗが同じ塗布条件で処理されるので基板
間の品質のばらつきが抑制される。また、第１、第２処
理ユニット５，６は各処理を並行して行うので、基板処
理のスループットの向上を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板などの基板にフォトレジスト液
などの塗布液を供給して基板上に塗布液の薄膜を形成す
る塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置に係
り、特にこの種の装置のスループットを向上させる技術
に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に例えばフォトレジストの薄膜を
生成する一連の塗布処理工程は、大まかには次のような
処理に区分することができる。第１の処理は、基板上に
フォトレジスト液を供給して基板表面全体をフォトレジ
スト液で覆う「カバレッジ処理」である。第２の処理
は、基板上のフォトレジスト液を薄膜化する「レベリン
グ処理」である。第３の処理は、基板上に形成されたフ
ォトレジスト液の薄膜を乾燥させる「乾燥処理」であ
る。さらに必要に応じて、第４の処理として、フォトレ
ジストの薄膜が生成された基板表面の周縁や、基板裏面
などの不要領域に付着したフォトレジストを除去する
「除去処理」が行われる。

【０００３】従来の塗布処理装置は、上述した第１〜第
３の各処理、あるいは第１〜第４の各処理を単一の処理
ユニットで連続的に行っている。例えば、基板を回転さ
せて塗布処理を行う回転塗布処理装置の場合、この処理
ユニットは、基板を水平姿勢で保持して縦軸心周りで回
転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持
された基板にフォトレジスト液を供給する塗布液供給ノ
ズルと、基板の裏面や基板表面周縁に溶剤を供給する溶
剤供給ノズルとを備えている。このような単一の処理ユ
ニットを備えた塗布処理装置が１枚の基板の塗布処理に
要する時間は、概ね６０秒である。

【０００４】ところで、近年主流となりつつある化学増
幅型フォトレジストは、大気中のアンモニアなどによる
化学汚染の影響を受けやすいという性質がある。そこ
で、基板が大気中に暴露される時間をできるだけ短くす
るために、上述した塗布処理装置と、フォトレジスト膜
が形成された基板にパターンを焼きつける露光装置（ス
テッパー）とを連結して、塗布処理から露光までを連続
的に行う「インライン方式」が広く採用されている。

【０００５】塗布処理装置に連結される露光装置が１枚
の基板の露光処理に要する時間は、概ね３０秒である。
そのため、塗布処理装置のスループットを露光装置のそ
れに合わせるために、従来の塗布処理装置は、塗布処理
ユニットを複数台（例えば、２台）設置し、各処理ユニ
ットで上述した第１〜第３の各処理（あるいは、第１〜
第４の各処理）を同時並行して行っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の塗布
処理装置に備えられた各塗布処理ユニットは、フォトレ
ジスト膜の基板内平均膜厚や膜厚分布が規定範囲内にな
るように、レジスト吐出状態、レジスト温度、処理ユニ
ット内の温湿度など塗布処理条件が各処理ユニットごと
に調節されている。

【０００７】しかしながら、各処理ユニットでフォトレ
ジスト膜が形成された基板に回路パターンを焼きつけ
し、現像処理を行ってみると、現像処理後のパターン精
度などの品質が基板間で大きくばらつくという問題が発
生している。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板処理のスループットの向上を図る
とともに、基板間の品質のばらつきを抑えることができ
る塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置を提供
することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見
を得た。一方の塗布処理ユニットで処理された基板に合
わせて露光・現像処理の各条件を設定すると、それらの
基板の品質は満足できるものであるが、他方の塗布処理
ユニットで処理された基板については前者の基板の品質
よりも劣ることが分かった。つまり、基板間の品質のば
らつきを抑えるためには、各塗布処理ユニットの種々の
塗布処理条件を一致させる必要がある。しかし、実際問
題として、各塗布処理ユニットの各構成部品には特性の
ばらつきがあるので、各塗布処理ユニットの塗布処理条
件を厳密に一致させることは困難である。してみれば、
複数個の塗布処理ユニットを使って並行処理を行うので
はなく、一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分け
し、これらの区分けされた各処理を複数個の個別の処理
ユニットを使って順に行わせるようにすればよい。この
ような知見に基づく本発明は、次のように構成されてい
る。

【００１０】すなわち、請求項１に記載の発明は、基板
上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッ
ジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理
と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処
理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であ
って、前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分け
して、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし
たことを特徴とする。

【００１１】（作用・効果）請求項１に記載の発明によ
れば、複数個の個別の処理ユニットを使って、一連の薄
膜形成処理を時系列に区分けして行っているので、全て
の基板は同じ塗布処理条件で処理されることになる。し
たがって、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えるこ
とができる。しかも、各処理ユニットは、区分けされた
各処理を並行して行うのでスループットを向上させるこ
ともできる。

【００１２】本発明において、一連の薄膜形成処理をど
のように区分けするかは任意である。例えば、請求項２
に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、
前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、この
カバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング
処理と前記乾燥処理とを行うレベリング・乾燥ユニット
とを含む。

【００１３】また、請求項３に記載の発明は、前記複数
個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前記
レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユニッ
トと、このカバレッジ・レベリングユニットで処理され
た基板に前記乾燥処理を行う乾燥ユニットとを含む。

【００１４】さらに、請求項４に記載の発明は、前記複
数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を行
うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処
理された基板に前記レベリング処理を行うレベリングユ
ニットと、このレベリングユニットで処理された基板に
前記乾燥処理を行う乾燥ユニットとを含む。

【００１５】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれかに記載の塗布処理装置において、基板の不要領
域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の
薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連
の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の
個別の処理ユニットで順に行うものである。

【００１６】（作用・効果）請求項５に記載の発明によ
れば、基板の不要領域に付着した塗布液の膜を除去する
除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合にも、そ
の一連の薄膜形成処理過程を時系列に区分けして各処理
ユニットが行うので、基板の品質が安定するとともに、
装置のスループットを向上させることができる。

【００１７】請求項５に記載の発明のように除去処理を
一連の薄膜形成処理過程に含む場合おいても、一連の薄
膜形成処理をどのように区分けするかは任意である。例
えば、請求項６に記載の発明は、前記複数個の個別の処
理ユニットが、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユ
ニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理と前記除
去処理とを行うレベリング・乾燥・除去ユニットとを含
む。

【００１８】また、請求項７に記載の発明は、前記複数
個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前記
レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユニッ
トと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去
ユニットとを含む。

【００１９】さらに、請求項８に記載の発明は、前記複
数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前
記レベリング処理と前記乾燥処理を行うカバレッジ・レ
ベリング・乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユ
ニットとを含む。

【００２０】さらに、請求項９に記載の発明は、前記複
数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を行
うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレ
ベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを
行う乾燥・除去ユニットとを含む。

【００２１】さらに、請求項１０に記載の発明は、前記
複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を
行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記
乾燥処理を行うレべリング・乾燥ユニットと、前記除去
処理を行う除去ユニットとを含む。

【００２２】さらに、請求項１１に記載の発明は、前記
複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と
前記レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユ
ニットと、前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、前記除
去処理を行う除去ユニットとを含む。

【００２３】さらに、請求項１２に記載の発明は、前記
複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を
行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行う
レベリングユニットと、前記乾燥処理を行う乾燥ユニッ
トと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。

【００２４】上記の除去処理としては、例えば、基板の
周縁に付着した塗布液の膜を除去するエッジリンス（請
求項１３に記載の発明）、あるいは、基板の裏面に付着
した塗布液を除去するバックリンス（請求項１４に記載
の発明）がある。

【００２５】請求項１５に記載の発明は、基板上に塗布
液の薄膜を形成する塗布処理部と、塗布処理および露光
処理された基板を現像処理する現像処理部と、前記塗布
・現像処理の前後に基板を熱処理する熱処理部と、前記
各処理部に基板を搬送する搬送機構を備えた基板処理装
置において、前記塗布処理部が、基板上に塗布液を供給
して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上
の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成
された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の
薄膜形成処理を行う処理部であって、前記一連の薄膜形
成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処
理ユニットで順に行うようにしたことを特徴とする。

【００２６】（作用・効果）請求項１５に記載の発明に
よれば、塗布処理部において、一連の薄膜形成処理を時
系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニット
で順に行うようにしたので、基板の品質が安定するとと
もに、基板処理装置のスループットを向上させることが
できる。

【００２７】請求項１６に記載の発明は、請求項１５に
記載の基板処理装置において、前記塗布処理部は、前記
カバレッジ処理、前記レべリング処理、前記乾燥処理の
他に、さらに基板の不要領域に付着した塗布液を除去す
る除去処理を含む一連の薄膜形成処理を行う処理部であ
ることを特徴とする。

【００２８】（作用・効果）請求項１６に記載の発明に
よれば、基板の不要領域に付着した塗布液の膜を除去す
る除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合にも、
その一連の薄膜形成処理過程を時系列に区分けして、複
数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたので、
基板の品質が安定するとともに、基板処理装置のスルー
プットを向上させることができる。

【００２９】請求項１７に記載の発明は、請求項１５ま
たは１６に記載の基板処理装置において、前記塗布処理
部が、前記複数個の個別の処理ユニット間で基板を搬送
する専用搬送機構を備えている。

【００３０】（作用・効果）請求項１７に記載の発明に
よれば、塗布処理部、現像処理部、および熱処理部の相
互間では、この基板処理装置の主たる搬送機構が基板の
搬送を行う一方、塗布処理部内の複数個の処理ユニット
間では専用搬送機構を使って基板の搬送を行う。つま
り、塗布処理部内の基板搬送を専用搬送機構に負担させ
ているので、主たる搬送機構の負担が過渡になって基板
処理装置のスループットが低下するという事態を回避す
ることができる。

【００３１】本明細書は次のような課題解決手段も開示
している。

【００３２】（１）基板に対して所要の処理を行う複数
個の処理部と、前記各処理部間の基板搬送に共通使用さ
れる主搬送機構とを備えた基板処理装置において、前記
主搬送機構に代わって特定の処理部間で基板搬送を行う
専用搬送機構を備えたことを特徴とする基板処理装置。

【００３３】例えば、基板にフォトレジスト膜を塗布形
成する塗布処理部、基板に現像処理を行う現像処理部、
および基板に熱処理を行う熱処理部などの複数個の処理
部と、これら各処理部間の基板搬送に共通使用される主
搬送機構とを備えた基板処理装置の場合、各処理部の処
理効率を上げても主搬送機構の搬送速度や基板の受け渡
しの速度に上限があるので、これが制約となって基板処
理装置のスループットをあるレベル以上に上げられない
ことがある。前記（１）の発明は、特定の処理部間の基
板搬送の役目を専用搬送機構に担わせているので、主搬
送機構の負担が軽減され、結果として基板処理装置のス
ループットを向上させることができる。

【００３４】（２）前記（１）に記載の基板処理装置に
おいて、前記複数個の処理部は上下に多段配置されてお
り、前記主搬送機構は昇降移動することにより少なくと
も上下の処理部間の基板搬送に共通使用され、かつ、前
記専用搬送機構は、同じ高さ位置に設けられた特定の処
理部間の基板搬送に使用される基板処理装置。

【００３５】前記（２）の発明によれば、専用搬送機構
は、同じ高さ位置に設けられた特定の処理部間の基板搬
送に使用されるので、特定の処理部間で基板を速やかに
搬送することができるとともに、上下に移動する主搬送
機構との干渉を容易に避けることができる。

【００３６】（３）前記（２）に記載の基板処理装置に
おいて、前記同じ高さ位置に設けられた特定の処理部
は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆う
カバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリ
ング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させ
る乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意
に区分けして処理する複数個の個別の処理ユニットであ
り、前記専用搬送機構は前記複数個の個別の処理ユニッ
ト間の基板搬送に使用される基板処理装置。

【００３７】（４）前記（２）に記載の基板処理装置に
おいて、前記同じ高さ位置に設けられた特定の処理部
は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆う
カバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリ
ング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させ
る乾燥処理と、基板の不要領域に付着した塗布液を除去
する除去処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列に任
意に区分けして処理する複数個の個別の処理ユニットで
あり、前記専用搬送機構は前記複数個の個別の処理ユニ
ット間の基板搬送に使用される基板処理装置。

【００３８】前記（３）または（４）に記載の発明によ
れば、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして処理す
る複数個の個別の処理ユニット間の基板搬送を専用搬送
機構で行うので、主搬送機構の負担が軽減するととも
に、薄膜形成途中の基板を搬送することによって主搬送
装置に塗布液が付着して、他の基板を汚染するという不
都合も回避することができる。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。 ＜第１実施例＞図１は、本発明に係る塗布処理装置の一
実施例を用いた基板処理装置の要部の平面図、図２は、
同じく要部の正面図である。

【００４０】この基板処理装置は、半導体ウエハなどの
基板Ｗ上にフォトレジスト液などの塗布液の薄膜を形成
する塗布処理部１と、塗布処理および図示しない露光装
置で露光処理された基板Ｗを現像処理する現像処理部２
と、塗布・現像処理の前後に基板を熱処理する熱処理部
３と、各処理部１，２，３に基板Ｗを搬送する搬送機構
４などを備えている。各処理部１，２，３は搬送機構４
の周囲に上下多段に配設されており、下段に塗布処理部
１と現像処理部２が配置され、上段に熱処理部３が配置
されている。以下、各部の構成を具体的に説明する。

【００４１】塗布処理部１は、本発明の塗布処理装置に
相当するもので、基板Ｗ上にフォトレジスト液を供給し
て基板Ｗの表面をフォトレジスト液で覆うカバレッジ処
理と、基板Ｗ上のフォトレジスト液を薄膜化するレベリ
ング処理と、基板Ｗ上に形成された塗布液の膜を乾燥さ
せる乾燥処理と、基板Ｗの不要領域に付着したフォトレ
ジスト液を除去する除去処理とを含む一連の薄膜形成処
理を、時系列に２つに区分けして、２個の個別の第１、
第２処理ユニット５、６で順に行うように構成されてい
る。本実施例では、図３の（a)に示すように、第１処理
ユニット５が主としてカバレッジ処理を行い、第２処理
ユニット６がレベリング、乾燥、および除去（エッジリ
ンスとバックリンス）の各処理を行うようになってい
る。

【００４２】本発明のカバレッジユニットに相当する第
１処理ユニット５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持し、
モータ７ａで回転駆動されるスピンチャック７を備えて
いる。このスピンチャック７の周囲に、基板Ｗから飛散
したフォトレジスト液を受け止めて排出する飛散防止カ
ップ８が配設されている。この飛散防止カップ８の傍ら
に、フォトレジスト液の種類に応じた複数本のレジスト
供給ノズル９と、エッジリンス用の溶剤供給ノズル１０
とがそれぞれ配設されている。

【００４３】本発明のレベリング・乾燥・除去ユニット
に相当する第２処理ユニット６は、第１処理ユニット１
と同様に、モータ１１ａで回転駆動されるスピンチャッ
ク１１と、飛散防止カップ１２とを備えている。飛散防
止カップ１２の傍らにはエッジリンス用の溶剤供給ノズ
ル１３が配設されている。また、スピンチャック７に保
持された基板Ｗの裏面に対向してバックリンス用の溶剤
供給ノズル１４が配設されている。

【００４４】現像処理部２は、同様の構成のものが２台
備えられている。各現像処理部２は、塗布処理部１と同
様にスピンチャック１５と飛散防止カップ１６とを備え
ている。また、飛散防止カップ１６の傍らに現像液供給
ノズル１７と洗浄液供給ノズル１８とが配設されてい
る。

【００４５】熱処理部３は、塗布処理および現像処理の
前後に基板Ｗを加熱処理する複数個の加熱ユニット１９
と、加熱処理された基板Ｗを冷却して常温に戻す冷却ユ
ニット２０を備えている。各ユニット１９および２０
は、図示しない熱処理プレートに基板Ｗを載置して熱処
理を行うように構成されている。なお、図２中の符号２
１は、各ユニット１９，２０に設けられた基板Ｗの搬入
・搬出用の開口である。

【００４６】搬送機構４は、昇降および旋回移動可能な
可動ベース２２に、それぞれ独立して駆動される２つの
多関節アーム２３が備えられている。各多関節アーム２
３の先端部には、基板Ｗを水平姿勢で支持する支持具２
４がそれぞれ取り付けられている。各多関節アーム２３
は伸縮移動可能に構成されている。

【００４７】次に、上述した構成を備えた基板処理装置
の動作を説明する。 Ａ：熱処理（１） まず、搬送機構４の２つの多関節アーム２３が、図示し
ないインデクサユニットから未処理の基板Ｗ（以下、一
方の基板を符号Ｗ１で、他方の基板を符号Ｗ２で表す）
をそれぞれを受け取り、一方の基板Ｗ１を所定の加熱ユ
ニット１９に搬入する。この加熱ユニット１９は基板Ｗ
１にアドヒージョン処理（レジストの密着強化処理）を
施す。一方の多関節アーム２３が、アドヒージョン処理
を受けた基板Ｗ１を加熱ユニット１９から搬出すると、
他方の多関節アームを使って基板Ｗ２を加熱ユニット１
９に搬入する。加熱ユニット１９から取り出した基板Ｗ
１を搬送機構４が冷却ユニット２０に搬送する。冷却ユ
ニット２０はその基板Ｗ１を常温にまで冷却する。

【００４８】Ｂ：カバレッジ処理 熱処理が終わると、搬送機構４は、その基板Ｗ１を塗布
処理部１の第１処理ユニット５に搬送する。この基板Ｗ
１をスピンチャック７が吸着保持する。所定のレジスト
供給ノズル９が移動して基板Ｗ１の中央部にフォトレジ
スト液を供給する。スピンチャック７が第１の回転速度
で回転してフォトレジスト液を回転半径方向外側に向け
て広げる。これにより基板Ｗ１の表面がフォトレジスト
液で覆われる。このときに溶剤供給ノズル１０が、回転
している基板Ｗ１の周縁に溶剤を供給して、基板Ｗ１の
周縁部のフォトレジスト液を洗浄除去する。なお、基板
Ｗ１にカバレッジ処理を施している間に、搬送機構４
は、加熱処理ユニット１９内の基板Ｗ２を冷却ユニット
２０に移すとともに、次の基板Ｗ３を加熱処理ユニット
１９に搬入する。

【００４９】Ｃ：レベリング・乾燥・エッジリンス・バ
ックリンス処理 カバレッジ処理が終わると、搬送機構４は、その基板Ｗ
１を塗布処理部１の第２処理ユニット６に搬送する。な
お、第１処理ユニット５で基板Ｗ１の周縁部のフォトレ
ジスト液を除去しているので、搬送機構４の支持具２４
がフォトレジスト液で汚れることがない。第２処理ユニ
ット６に搬送された基板Ｗ１をスピンチャック１１が吸
着保持する。スピンチャック１１が第２の回転速度で回
転することにより、基板Ｗ１のフォトレジスト液を薄膜
化する（レベリング処理）。スピンチャック１１が続け
て回転することにより、基板Ｗ１上のフォトレジスト膜
中の溶剤が飛散し、フォトレジスト膜が乾燥する（乾燥
処理）。次に溶剤供給ノズル１３が、回転している基板
Ｗの周縁に溶剤を供給して、基板Ｗの周縁部のフォトレ
ジスト膜を洗浄除去する（エッジリンス）。また、溶剤
供給ノズル１４が、回転している基板Ｗ１の裏面に溶剤
を供給して、基板Ｗ１の裏面に回り込んで付着したフォ
トレジストを洗浄除去する（バックリンス）。

【００５０】第２処理ユニット６で基板Ｗ１に一連の処
理を施している間に、搬送機構４は、冷却処理された基
板Ｗ２を第１処理ユニット５に搬入する。そして、第２
処理ユニット６での基板Ｗ１の処理と並行して、第１処
理ユニット５で基板Ｗ２にカバレッジ処理を行う。以下
同様に、第１処理ユニット５の処理と第２処理ユニット
６の処理とを並行して進める。なお、以下では基板Ｗ１
の処理に着目して説明するが、各処理部１，２，３で並
行処理が行われるのは同様である。

【００５１】Ｄ：熱処理（２） 第２処理ユニット６での処理が終わると、搬送機構４
は、その基板Ｗ１を熱処理部３に搬送する。熱処理部３
は、適当な加熱ユニット１９および冷却ユニット２０を
使って、基板Ｗ１に加熱・冷却処理を施す。

【００５２】上記の熱処理の後、搬送機構４は、基板Ｗ
１を本基板処理装置に連結された図示しない露光装置に
受け渡す。露光装置で回路パターンが焼き付けられた基
板Ｗ１は再び搬送機構４に受け渡される。

【００５３】Ｅ：熱処理（３） 基板Ｗ１を受け取った搬送機構４は、その基板Ｗ１を熱
処理部３に搬送する。熱処理部３は、適当な加熱ユニッ
ト１９および冷却ユニット２０を使って、基板Ｗ１に加
熱・冷却処理を施す。

【００５４】Ｆ：現像処理 上記の熱処理の後、搬送機構４は、その基板Ｗ１を現像
処理部２に搬送する。この基板Ｗ１をスピンチャック１
５が吸着保持する。現像液供給ノズル１７が移動して基
板Ｗ１の中央部に現像液を供給して、現像液を基板Ｗ１
上に液盛りする。基板Ｗ１を静止させた状態で、フォト
レジスト膜の現像処理を行う。現像処理が終わると基板
Ｗ１を高速回転させて基板Ｗ１上の現像液を振り切ると
ともに、洗浄液供給ノズル１８から基板Ｗ１へ洗浄液を
供給して、基板Ｗ１を洗浄する。

【００５５】洗浄処理が終わると、洗浄液の供給を止め
るとともに、基板Ｗ１を継続して回転させて基板Ｗ１を
乾燥処理する。必要に応じて基板Ｗ１に加熱・冷却処理
を施した後、搬送機構４は基板Ｗ１をインデクサユニッ
トに戻す。

【００５６】以上のように、本実施例に係る基板処理装
置によれば、第１処理ユニット５でカバレッジ処理を行
う一方、第２処理ユニット６でレベリング・乾燥・エッ
ジリンス・バックリンス処理を行っているので、全ての
基板Ｗは同じ塗布処理条件で処理されることになる。し
たがって現像処理後のパターン精度など、基板Ｗの品質
のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、第
１処理ユニット５および第２処理ユニット６は並行して
各処理を行うので、基板処理のスループットを向上させ
ることができる。

【００５７】なお、上述した実施例装置では、第１処理
ユニット５でカバレッジ処理を、第２処理ユニット６で
レベリング・乾燥・エッジリンス・バックリンス処理
を、それぞれ行うようにしたが、図３の（ｂ）に示すよ
うに、第１処理ユニット５でカバレッジ処理とレベリン
グ処理とを行い、第２処理ユニット６で乾燥・除去（エ
ッジリンス・バックリンス）の各処理を行うようにして
もよい。この場合、第１処理ユニット５が本発明におけ
るカバレッジ・レベリングユニットに相当し、第２処理
ユニット６が本発明の乾燥・除去ユニットに相当する。

【００５８】また、現実にはレベリング処理と乾燥処理
との境目は必ずしも明確ではないので、第１処理ユニッ
ト５でレベリング処理または乾燥処理を途中まで行い、
それ以降の処理を第２処理ユニット６で行ってもよい。

【００５９】＜第２実施例＞図４は、第２実施例に係る
基板処理装置の要部の平面図である。第１実施例では、
第１処理ユニット５から第２処理ユニット６へ基板Ｗを
搬送する際に、各処理部１，２，３間の基板搬送に用い
られる主たる搬送機構４を用いたので、それだけ搬送機
構４の負担が増す。搬送機構４には移動速度や基板受け
渡し速度に上限があるので、搬送機構４の負担が過度に
なると、各処理部１，２，３の処理速度を速めても、搬
送機構４の制約のために基板処理装置のスループットの
向上が望めなくなる。そこで、本実施例では、第１処理
ユニット５から第２処理ユニット６へ基板Ｗを搬送する
ための専用搬送機構２５を備えている。専用搬送機構２
５は、搬送機構４と同様に伸縮および旋回移動可能な多
関節アーム２３を備え、この多関節アーム２３の先端部
に基板Ｗを支持する支持具２４が取り付けられている。
なお、他の構成は第１実施例と同様であるので、ここで
の説明は省略する。また、本実施例も第１実施例と同様
に変形実施できることはもちろんである。

【００６０】専用搬送機構２５は、同じ高さ位置にある
第１、第２処理ユニット５，６間の基板搬送に使用され
るので、第１、第２処理ユニット５，６間で基板Ｗを速
やかに搬送することができる。また、上下に移動する搬
送機構４との干渉も容易に避けることができる。さら
に、本実施例装置によれば、第１、第２処理ユニット
５，６間の基板搬送に専用搬送機構２５を用いているの
で、仮に基板Ｗの搬送中に専用搬送機構２５の支持具２
４がフォトレジスト液で汚れたとしても、第２処理ユニ
ット６で基板Ｗが除去処理されるので、主たる搬送機構
４がフォトレジスト液で汚れることがない。つまり搬送
機構４を介して基板Ｗが汚染されるという不都合を回避
することができる。したがって、本実施例によれば、第
１実施例の第１処理ユニット５に備えられているような
エッジリンス用の溶剤供給ノズル１０を備える必要がな
い。

【００６１】＜第３実施例＞図５は、第３実施例に係る
基板処理装置の要部の平面図である。第１および第２実
施例では、一連の薄膜形成処理を時系列に２つに区分け
して、２個の個別の第１、第２処理ユニット５、６で順
に行うように構成したが、本実施例では、一連の薄膜形
成処理を時系列に３つに区分けして、３個の個別の第
１、第２、第３処理ユニット２６，２７，２８で順に行
うように構成してある。なお、他の構成は第１実施例と
同様であるので、ここでの説明は省略する。

【００６２】各処理ユニット２６，２７，２８には、そ
れぞれスピンチャック２９および飛散防止カップ３０が
設けられている。第１処理ユニット２６は、フォトレジ
スト液の種類に応じた複数本のレジスト供給ノズル９を
備えている。図３の（ｃ）に示すように、本発明のカバ
レッジユニットに相当する第１処理ユニット２６は、ス
ピンチャック２９に保持された基板Ｗ上に所定のレジス
ト供給ノズル９からフォトレジスト液を供給して、基板
Ｗの表面をフォトレジスト液で覆うカバレッジ処理を行
う。本発明のレベリングユニットに相当する第２処理ユ
ニット２７は、カバレッジ処理された基板Ｗを所定の回
転速度で回転させてフォトレジスト液を薄膜化するレベ
リング処理を行う。本発明の乾燥・除去ユニットに相当
する第３処理ユニットは、レベリング処理された基板Ｗ
を所定の回転速度で回転させてフォトレジスト膜の乾燥
処理を行うとともに、基板Ｗのエッジリンスとバックリ
ンスとを行う。

【００６３】本実施例装置の場合も全ての基板Ｗの塗布
処理条件は同じになる。しかも、一連の薄膜化処理を区
分けして、３個の第１、第２、第３処理ユニット２６，
２７，２８で並行して行うので、基板処理装置のスルー
プットを一層向上することができる。

【００６４】なお、本実施例では、各処理ユニット２
６，２７、２８間の基板搬送に主たる搬送機構４を用い
ているので、搬送機構４の支持具２４にフォトレジスト
液が付着するのを防止するために、第１処理ユニット２
６と第２処理ユニット２７に、第１実施例の第１処理ユ
ニット５に備えたようなエッジリンス用の溶剤供給ノズ
ル１０を設けてもよい。あるいは、第１、第２処理ユニ
ット２６，２７間および第２、第３処理ユニット２７，
２８間を、それぞれ第２実施例のように専用搬送機構２
５を用いて基板Ｗを搬送してもよい。

【００６５】＜第４実施例＞図６は、第４実施例に係る
塗布処理装置の要部の平面図である。本実施例装置は、
略１２０度ごとに間欠回転移動する回転テーブル３１上
に３つの基板保持部３２，３３，３４が等間隔に設定さ
れている。各基板保持部３２、３３，３４には、スピン
チャック３５と飛散防止カップ３６とがそれぞれ設けら
れている。回転テーブル３１の周囲であって、各基板保
持部３２、３３、３４が停止する位置に処理ステーショ
ンＳ１、Ｓ２、Ｓ３が設定されている。処理ステーショ
ンＳ１には、第１実施例で説明したと同様の搬送機構４
が配設されている。第２処理ステーションＳ２には、フ
ォトレジスト液を供給するレジスト供給ノズル９が配設
されている。第３処理ステーションＳ３には、エッジリ
ンス用の溶剤供給ノズル１３が配設されている。本実施
例における処理ステーションと基板保持部との組合せ
は、本発明における処理ユニットに相当する。

【００６６】本実施例によれば、まず第１処理ステーシ
ョンＳ１において、搬送機構４が未処理の基板Ｗを基板
保持部３２のスピンチャック３５上に移載する。このス
ピンチャック３５が基板Ｗを吸着保持した後、回転テー
ブル３１が間欠回転移動して基板保持部３２が第２処理
ステーションＳ２に進む。

【００６７】第２処理ステーションＳ２では、レジスト
供給ノズル９が揺動移動して基板保持部３２の基板Ｗ上
にフォトレジスト液を供給する。続いて基板保持部３２
のスピンチャック３５が第１の回転速度で回転すること
により、基板Ｗの表面をフォトレジスト液で覆う（カバ
レッジ処理）。カバレッジ処理が終わるとさらに回転テ
ーブル３１が間欠回転移動することにより、基板処理部
３２が第３処理ステーションＳ３に進む。

【００６８】第３処理ステーションＳ３では、基板保持
部３２のスピンチャック３５が高速回転することによ
り、基板Ｗ上のフォトレジスト液を薄膜化する（レベリ
ング処理）。さらにスピンチャック３５が第２の回転速
度で回転することにより、基板Ｗ上のフォトレジスト膜
を乾燥する（乾燥処理）。続いて、基板Ｗを回転させな
がら溶剤供給ノズル１３が基板Ｗの周縁に溶剤を供給す
ることにより、基板Ｗの周縁に付着したフォトレジスト
膜を洗浄除去する（エッジリンス）。

【００６９】エッジリンスが終わると、回転テーブル３
１が間欠回転移動することにより、基板処理部３２が第
１処理ステーションＳ１に戻る。搬送機構４は、処理済
の基板Ｗを基板処理部３２のスピンチャック３５から受
け取るとともに、新たな未処理の基板Ｗをスピンチャッ
ク３５上に載せる。

【００７０】以後同様の処理が繰り返し行われることに
より、第１処理ステーションＳ１における基板Ｗの搬入
・搬出処理と、第２処理ステーションＳ２におけるカバ
レッジ処理と、第３処理ステーションＳ３におけるレベ
リング・乾燥・エッジリンスの各処理が同時並行して行
われる。

【００７１】レジスト供給ノズル９が共通使用されるの
で、本実施例装置の場合も全ての基板Ｗの塗布処理条件
は概ね同じになる。しかも、基板Ｗの搬入・搬出処理
と、カバレッジ処理と、レベリング・乾燥・エッジリン
スの各処理とを同時並行して行うので、塗布処理装置の
スループットを向上することができる。

【００７２】なお、上述した第１および第４実施例にお
けるカバレッジ、レベリング、乾燥等の各処理時のスピ
ンチャック７の第１の回転速度および第２の回転速度
は、各々を低速回転、高速回転となるよう異なる回転速
度としてもよく、また、いずれも同程度の回転速度とし
てもよい。

【００７３】また、上述した第４実施例では、第１処理
ステーションＳ１で基板Ｗの搬入・搬出処理を、第２処
理ステーションＳ２でカバレッジ処理を、第３処理ステ
ーションＳ３でレベリング・乾燥・エッジリンスの各処
理を、それぞれ行ったが、各処理ステーションＳ１〜Ｓ
３で行う処理は任意に設定可能であり、例えば第２処理
ステーションＳ２でカバレッジとレベリングの各処理を
行い、第３処理ステーションＳ３で乾燥とエッジリンス
の各処理を行うようにしても良い。また、処理ステーシ
ョンの個数は任意であり、２個、あるいは４個以上の処
理ステーションを設け、一連の薄膜形成処理を時系列に
区分けして、各処理ステーションで行うようにしても良
い。

【００７４】上述した第１〜第４実施例では、乾燥・エ
ッジリンスの各処理を１つのユニットで行っていたが、
下記の第５〜第８実施例のように、乾燥・エッジリンス
の各処理をそれぞれ２つのユニットで時系列に区分けて
してもよい。

【００７５】＜第５実施例＞例えば、図１，２に示すよ
うな第１実施例装置において、第１処理ユニット５を、
カバレッジ処理、レべリング処理、および乾燥処理を行
うように構成するとともに、第２処理ユニット６を、除
去処理を行うように構成する。この場合、第１処理ユニ
ット５が本発明におけるカバレッジ・レべリング・乾燥
ユニットに相当し、第２処理ユニット６が本発明におけ
る除去ユニットに相当する。

【００７６】なお、第１実施例装置のみならず、第２，
第３実施例装置の処理ユニット５，６（，または２６，
２７，２８）、または第４実施例装置の第１，第２，第
３処理ステーションＳ１，Ｓ２，Ｓ３を、本発明のカバ
レッジ・レべリング・乾燥ユニット、除去ユニットとし
てそれぞれ適用することもできる。また、第１実施例装
置の各処理ユニット５，６を本実施例に適用する場合に
は、搬送機構４の支持具２４にフォトレジスト液が付着
するのを防止するために、第１処理ユニット５で基板Ｗ
の周縁部のフォトレジスト液を除去して（エッジリン
ス）、基板Ｗの裏面に回り込んで付着したフォトレジス
ト液を洗浄除去するバックリンスのみを第２処理ユニッ
ト６で行ってもよい。第３実施例装置の各処理ステーシ
ョンＳ１，Ｓ２，Ｓ３を本実施例に適用する場合も同様
である。

【００７７】＜第６実施例＞第５実施例では、例えば、
図１，２に示すような第１実施例装置において、第１処
理ユニット５を、本発明のカバレッジ・レべリング・乾
燥ユニット、第２処理ユニット６を、本発明の除去ユニ
ットとしてそれぞれ適用したが、本実施例では、図５に
示すような第３実施例装置において、第１処理ユニット
２６を、本発明のカバレッジユニット、第２処理ユニッ
ト２７を、本発明のレベリング・乾燥ユニット、第３処
理ユニット２８を、本発明の除去ユニットとしてそれぞ
れ適用する。

【００７８】なお、第５実施例と同様に、第１，第２，
第４実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレッジユ
ニット、本発明のレベリング・乾燥ユニット、本発明の
除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできるし、
エッジリンスを、カバレッジユニットまたはレベリング
・乾燥ユニットのいずれかに組み込むこともできる。

【００７９】＜第７実施例＞第５，６実施例では、レべ
リング処理、および乾燥処理を１つの処理ユニットで行
ったが、本実施例では、例えば、図５に示すような第３
実施例装置において、第１処理ユニット２６を、本発明
のカバレッジ・レベリングユニット、第２処理ユニット
２７を、本発明の乾燥ユニット、第３処理ユニット２８
を、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用する。

【００８０】なお、第５，第６実施例と同様に、第１，
第２，第４実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレ
ッジ・レベリングユニット、本発明の乾燥ユニット、本
発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用することもでき
るし、エッジリンスを、カバレッジ・レベリングユニッ
トまたは乾燥ユニットのいずれかに組み込むこともでき
る。

【００８１】＜第８実施例＞第５〜第７実施例では、２
つまたは３つの処理ユニット（，または処理ステーショ
ン）を備えて、これらの処理ユニットを各々の処理にそ
れぞれ割り当てたが、本実施例では、例えば、図５に示
すような第３実施例装置において、第１，第２，第３処
理ユニット２６，２７，２８の他に、図示を省略する第
４処理ユニットを備え、第１処理ユニット２６を、本発
明のカバレッジユニット、第２処理ユニット２７を、本
発明のレベリングユニット、第３処理ユニット２８を、
本発明の乾燥ユニット、第４処理ユニットを、本発明の
除去ユニットとしてそれぞれ適用する。

【００８２】なお、第５〜第７実施例と同様に、第１，
第２，第４実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレ
ッジユニット、本発明のレベリングユニット、本発明の
乾燥ユニット、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適
用することもできるし、エッジリンスを、カバレッジユ
ニット、レベリングユニット、または乾燥ユニットのい
ずれかに組み込むこともできる。

【００８３】本発明は、上述した各実施例のものに限ら
ず、次のように変形実施することができる。 （１）上述した実施例では、塗布液としてフォトレジス
ト液を例に採ったが、本発明はポリイミド樹脂やＳＯＧ
（spin on glass)などの塗布にも適用することができ
る。

【００８４】（２）実施例では基板を回転させることに
よってカバレッジ・レベリング・乾燥の各処理を行った
が、本発明は基板を回転させないでこれらの各処理を行
うものにも適用することができる。例えば、静止させた
基板上にスリットノズルなどを走査させることにより、
基板表面を塗布液で覆うものや、基板を振動させて塗布
液のレベリングを行うものや、基板を減圧雰囲気に置く
か、あるいはブロワーなどによって塗布膜を乾燥させる
ようにしてもよい。

【００８５】（３）上述した第１〜第８実施例では、基
板Ｗの不要領域に付着したフォトレジスト液を除去する
除去処理（エッジリンスとバックリンス）を、一連の薄
膜形成処理過程の中に含んだ基板処理装置を例に採って
説明したが、除去処理を一連の薄膜形成処理過程の中に
含まずに、カバレッジ処理、レベリング処理、および乾
燥処理からなる一連の薄膜形成処理を行う基板処理装置
においても、第１〜第８実施例のように適宜選択するこ
とができる。

【００８６】（４）上述した第１〜第８実施例では、基
板を保持するのに、吸着保持するスピンチャックを用い
たが、全部あるいは一部のユニット（例えばリンス（除
去）ユニットのみ）に、基板を機械的に保持する（例え
ば基板の端縁を支持することで保持する）メカチャック
を用いてもよい。

【００８７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液
で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化する
レベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾
燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列
に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順
に行うようにしたので、全ての基板が同じ塗布処理条件
で処理されることになり、基板間の品質のばらつきを最
小限に抑えることができる。また、各処理ユニットは、
区分けされた各処理を並行して行うので、処理装置のス
ループットを向上させることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る塗布処理装置の一実施例を用いた
基板処理装置の要部の平面図である。

【図２】第１実施例装置の要部の正面図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は、各処理ユニットが行う処理
内容を示したブロック図である。

【図４】第２実施例に係る基板処理装置の要部の平面図
である。

【図５】第３実施例に係る基板処理装置の要部の平面図
である。

【図６】第４実施例に係る塗布処理装置の要部の平面図
である。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 １ … 塗布処理部 ２ … 現像処理部 ３ … 熱処理部 ４ … 搬送機構 ５ … 第１処理ユニット ６ … 第２処理ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/42 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ ５６５ (72)発明者 真田 雅和 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB17 EA04 EA05 FA47 2H096 AA25 CA12 CA14 CA20 JA02 4F042 AA02 AA07 AA10 AB00 DB01 DF09 DF25 DF29 DF32 EB02 EB09 EB13 EB18 EB21 EB25 EB28 EB29 5F046 JA04 JA15 JA27

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に塗布液を供給して基板表面を塗
   布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化
   するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜
   を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行
   う塗布処理装置であって、 前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、
   複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたこと
   を特徴とする塗布処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の塗布処理装置におい
   て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、 このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリ
   ング処理と前記乾燥処理とを行うレベリング・乾燥ユニ
   ットとを含む塗布処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の塗布処理装置におい
   て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバ
   レッジ・レベリングユニットと、 このカバレッジ・レベリングユニットで処理された基板
   に前記乾燥処理を行う乾燥ユニットとを含む塗布処理装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の塗布処理装置におい
   て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、 このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリ
   ング処理を行うレベリングユニットと、 このレベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処
   理を行う乾燥ユニットとを含む塗布処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の塗布処
   理装置において、 基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理
   を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、 前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意
   に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行う
   ようにしたことを特徴とする塗布処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の塗布処理装置におい
   て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、 前記レべリング処理と前記乾燥処理と前記除去処理とを
   行うレベリング・乾燥・除去ユニットとを含む塗布処理
   装置。
7. 【請求項７】 請求項５に記載の塗布処理装置におい
   て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバ
   レッジ・レベリングユニットと、 前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニッ
   トとを含む塗布処理装置。
8. 【請求項８】 請求項５に記載の塗布処理装置におい
   て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理と前記レベリング処理と前記乾燥処
   理を行うカバレッジ・レベリング・乾燥ユニットと、 前記除去処理を行う除去ユニットとを含む塗布処理装
   置。
9. 【請求項９】 請求項５に記載の塗布処理装置におい
   て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、 前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、 前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニッ
   トとを含む塗布処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項５に記載の塗布処理装置におい
    て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、 前記レべリング処理と前記乾燥処理を行うレべリング・
    乾燥ユニットと、 前記除去処理を行う除去ユニットとを含む塗布処理装
    置。
11. 【請求項１１】 請求項５に記載の塗布処理装置におい
    て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバ
    レッジ・レベリングユニットと、 前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、 前記除去処理を行う除去ユニットとを含む塗布処理装
    置。
12. 【請求項１２】 請求項５に記載の塗布処理装置におい
    て、 前記複数個の個別の処理ユニットは、 前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、 前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、 前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、 前記除去処理を行う除去ユニットとを含む塗布処理装
    置。
13. 【請求項１３】 請求項５〜１２のいずれかに記載の塗
    布処理装置において、 前記除去処理は、基板の周縁に付着した塗布液の膜を除
    去するエッジリンスである塗布処置装置。
14. 【請求項１４】 請求項５〜１２のいずれかに記載の塗
    布処理装置において、 前記除去処理は、基板の裏面に付着した塗布液を除去す
    るバックリンスである塗布処置装置。
15. 【請求項１５】 基板上に塗布液の薄膜を形成する塗布
    処理部と、塗布処理および露光処理された基板を現像処
    理する現像処理部と、前記塗布・現像処理の前後に基板
    を熱処理する熱処理部と、前記各処理部に基板を搬送す
    る搬送機構を備えた基板処理装置において、 前記塗布処理部は、基板上に塗布液を供給して基板表面
    を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄
    膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液
    の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理
    を行う処理部であって、 前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、
    複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたこと
    を特徴とする基板処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記塗布処理部は、前記カバレッジ処理、前記レべリン
    グ処理、前記乾燥処理の他に、さらに基板の不要領域に
    付着した塗布液を除去する除去処理を含む一連の薄膜形
    成処理を行う処理部であることを特徴とする基板処理装
    置。
17. 【請求項１７】 請求項１５または１６に記載の基板処
    理装置において、 前記塗布処理部は、前記複数個の個別の処理ユニット間
    で基板を搬送する専用搬送機構を備えている基板処理装
    置。