JP3393082B2 - 現像方法および現像装置 - Google Patents
現像方法および現像装置Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3014—Imagewise removal using liquid means combined with ultrasonic means
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の基板上に形成されたレジスト膜を所
定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像
方法および現像装置に関する。
ハやLCD基板等の基板上に形成されたレジスト膜を所
定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像
方法および現像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程のための塗布・現像処
理システムにおいては、半導体ウエハの表面にレジスト
膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後の半
導体ウエハに対して露光処理を行った後に当該ウエハを
現像する現像処理とが行われている。
おけるフォトリソグラフィー工程のための塗布・現像処
理システムにおいては、半導体ウエハの表面にレジスト
膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後の半
導体ウエハに対して露光処理を行った後に当該ウエハを
現像する現像処理とが行われている。
【0003】この現像処理においては、所定のパターン
が露光されポストエクスポージャーベーク処理および冷
却処理されたウエハが現像処理ユニットに搬入され、ス
ピンチャックに装着される。現像液供給ノズルから現像
液が供給されて、半導体ウエハの全面に例えば1mmの
厚みになるように塗布(液盛り)され、現像液パドルが
形成される。この現像液パドルが形成された状態で所定
時間静止されて、自然対流により現像処理が進行する。
その後、半導体ウエハがスピンチャックにより回転され
て現像液が振り切られ、次いで、洗浄液供給ノズルから
リンス液が吐出されてウエハ上に残存する現像液が洗い
流される。その後、スピンチャックが高速で回転され、
半導体ウエハ上に残存する現像液およびリンス液が吹き
飛ばされてウエハが乾燥される。これにより、一連の現
像処理が終了する。
が露光されポストエクスポージャーベーク処理および冷
却処理されたウエハが現像処理ユニットに搬入され、ス
ピンチャックに装着される。現像液供給ノズルから現像
液が供給されて、半導体ウエハの全面に例えば1mmの
厚みになるように塗布(液盛り)され、現像液パドルが
形成される。この現像液パドルが形成された状態で所定
時間静止されて、自然対流により現像処理が進行する。
その後、半導体ウエハがスピンチャックにより回転され
て現像液が振り切られ、次いで、洗浄液供給ノズルから
リンス液が吐出されてウエハ上に残存する現像液が洗い
流される。その後、スピンチャックが高速で回転され、
半導体ウエハ上に残存する現像液およびリンス液が吹き
飛ばされてウエハが乾燥される。これにより、一連の現
像処理が終了する。
【0004】この現像処理において現像液パドルを形成
する際には、現像液を半導体ウエハの全面に塗布するた
めに、種々の形状のノズルを用い、ノズルから現像液を
吐出させながら、ウエハを回転させたり、ノズルをスキ
ャンさせたりしている。
する際には、現像液を半導体ウエハの全面に塗布するた
めに、種々の形状のノズルを用い、ノズルから現像液を
吐出させながら、ウエハを回転させたり、ノズルをスキ
ャンさせたりしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の現像方法の場合には、半導体ウエハ上に
現像液パドルを形成する際に、現像液液盛りの時間、現
像液供給の際のインパクト、現像液の置換スピード等が
どうしても半導体ウエハ上でばらつくため、線幅の均一
性を得ることが困難である。また、液盛り時の気泡の巻
き込み等により欠陥が発生しやすい。
たような従来の現像方法の場合には、半導体ウエハ上に
現像液パドルを形成する際に、現像液液盛りの時間、現
像液供給の際のインパクト、現像液の置換スピード等が
どうしても半導体ウエハ上でばらつくため、線幅の均一
性を得ることが困難である。また、液盛り時の気泡の巻
き込み等により欠陥が発生しやすい。
【0006】近年、デバイスが64Mビットから256
Mビットへと高集積化するに伴い、回路パターンの微細
化の要求が益々高まっており、最小線幅が0.2μm以
下の超サブミクロン領域に達しようとしており、その要
求に対応すべく微細加工が可能なレジストとして化学増
幅型が用いられているが、この化学増幅型レジストは現
像液に対する濡れ性が悪いため、特に上述のような欠陥
が発生しやすい。また、化学増幅型レジストを用いて微
細加工しようとする場合には、化学増幅型レジストが現
像液に対して感受性が極めて高いことに起因して、上述
のようなばらつきによる線幅の不均一が顕著になる。
Mビットへと高集積化するに伴い、回路パターンの微細
化の要求が益々高まっており、最小線幅が0.2μm以
下の超サブミクロン領域に達しようとしており、その要
求に対応すべく微細加工が可能なレジストとして化学増
幅型が用いられているが、この化学増幅型レジストは現
像液に対する濡れ性が悪いため、特に上述のような欠陥
が発生しやすい。また、化学増幅型レジストを用いて微
細加工しようとする場合には、化学増幅型レジストが現
像液に対して感受性が極めて高いことに起因して、上述
のようなばらつきによる線幅の不均一が顕著になる。
【0007】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、線幅を均一にすることができ、現像液塗布の
際に欠陥が生じ難い現像方法および現像装置を提供する
ことを目的とする。
であって、線幅を均一にすることができ、現像液塗布の
際に欠陥が生じ難い現像方法および現像装置を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像方法
であって、現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液
に添加する工程と、前記物質が添加された現像液を所定
の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の露光さ
れたレジスト膜の上に塗布する工程と、その後、前記現
像液に所定のトリガーを与えて現像液を高流動性にし、
現像を進行させる工程とを具備することを特徴とする現
像方法を提供する。この場合に、前記トリガーとして温
度または光を用いることができる。
に、本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像方法
であって、現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液
に添加する工程と、前記物質が添加された現像液を所定
の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の露光さ
れたレジスト膜の上に塗布する工程と、その後、前記現
像液に所定のトリガーを与えて現像液を高流動性にし、
現像を進行させる工程とを具備することを特徴とする現
像方法を提供する。この場合に、前記トリガーとして温
度または光を用いることができる。
【0009】このような構成によれば、現像液の流動性
を低下させ得る物質を現像液に添加し、物質が添加され
た現像液を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を
基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布するので、現
像液を塗布する時点では現像がほとんど進行せず、塗布
後に現像液を高流動性にして現像を進行させるので、現
像が基板全体で一括的に進行する。したがって、基板面
内で現像開始時の時間差が生じず、均一に現像すること
ができ、基板面内の線幅均一性(CD値均一性)を向上
させることができる。また、このように現像液を塗布し
た後に現像が一括して進行し、かつ低流動性状態で塗布
するため、現像液液盛りの方法に制約がない。さらに、
現像液がレジスト膜に直接アタックしないため、欠陥を
少なくすることも可能である。
を低下させ得る物質を現像液に添加し、物質が添加され
た現像液を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を
基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布するので、現
像液を塗布する時点では現像がほとんど進行せず、塗布
後に現像液を高流動性にして現像を進行させるので、現
像が基板全体で一括的に進行する。したがって、基板面
内で現像開始時の時間差が生じず、均一に現像すること
ができ、基板面内の線幅均一性(CD値均一性)を向上
させることができる。また、このように現像液を塗布し
た後に現像が一括して進行し、かつ低流動性状態で塗布
するため、現像液液盛りの方法に制約がない。さらに、
現像液がレジスト膜に直接アタックしないため、欠陥を
少なくすることも可能である。
【0010】また、本発明は、基板上に形成されたレジ
スト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現
像する現像方法であって、温度上昇により低流動性の状
態から高流動性の状態に変化し得る物質を現像液に添加
する工程と、前記物質が添加された現像液を所定温度で
低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジス
ト膜の上に塗布する工程と、その後、前記現像液の温度
を上昇させて現像液を高流動性にし、現像を進行させる
工程とを具備することを特徴とする現像方法を提供す
る。前記物質としてはゼラチンを用いることができる。
スト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現
像する現像方法であって、温度上昇により低流動性の状
態から高流動性の状態に変化し得る物質を現像液に添加
する工程と、前記物質が添加された現像液を所定温度で
低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジス
ト膜の上に塗布する工程と、その後、前記現像液の温度
を上昇させて現像液を高流動性にし、現像を進行させる
工程とを具備することを特徴とする現像方法を提供す
る。前記物質としてはゼラチンを用いることができる。
【0011】このような構成によれば、温度上昇により
低流動性の状態から高流動性の状態に変化し得る物質を
現像液に添加し、物質が添加された現像液を所定温度で
低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジス
ト膜の上に塗布するので、現像液を塗布する時点では現
像がほとんど進行せず、塗布後に現像液の温度を上昇さ
せて高流動性にして現像を進行させるので、現像が基板
全体で一括的に進行する。したがって、上記効果と同様
の効果を得ることができる。
低流動性の状態から高流動性の状態に変化し得る物質を
現像液に添加し、物質が添加された現像液を所定温度で
低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジス
ト膜の上に塗布するので、現像液を塗布する時点では現
像がほとんど進行せず、塗布後に現像液の温度を上昇さ
せて高流動性にして現像を進行させるので、現像が基板
全体で一括的に進行する。したがって、上記効果と同様
の効果を得ることができる。
【0012】さらに、本発明は、基板上に形成されたレ
ジスト膜を所定パターンに露光した 後、現像液を供給し
て露光パターンを現像する現像装置であって、現像液の
流動性を低下させ得る物質が添加された現像液を所定の
条件下で低流動性とし、その現像液を基板上のレジスト
膜の上に塗布する手段と、前記レジスト膜上の現像液に
所定のトリガーを与えて現像液を高流動性にし、現像を
進行させるトリガー付与手段とを具備することを特徴と
する現像装置を提供する。
ジスト膜を所定パターンに露光した 後、現像液を供給し
て露光パターンを現像する現像装置であって、現像液の
流動性を低下させ得る物質が添加された現像液を所定の
条件下で低流動性とし、その現像液を基板上のレジスト
膜の上に塗布する手段と、前記レジスト膜上の現像液に
所定のトリガーを与えて現像液を高流動性にし、現像を
進行させるトリガー付与手段とを具備することを特徴と
する現像装置を提供する。
【0013】さらにまた、本発明は、基板上に形成され
たレジスト膜を所定パターンに露光した後、現像液を供
給して露光パターンを現像する現像装置であって、温度
上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変化し
得る物質が添加された現像液を所定温度で低流動性と
し、その現像液を基板上のレジスト膜の上に塗布する手
段と、前記レジスト膜上の現像液を昇温して前記現像液
を高流動性にして現像を進行させる昇温手段とを具備す
ることを特徴とする現像装置を提供する。 前記物質とし
てはゼラチンを用いることができる。
たレジスト膜を所定パターンに露光した後、現像液を供
給して露光パターンを現像する現像装置であって、温度
上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変化し
得る物質が添加された現像液を所定温度で低流動性と
し、その現像液を基板上のレジスト膜の上に塗布する手
段と、前記レジスト膜上の現像液を昇温して前記現像液
を高流動性にして現像を進行させる昇温手段とを具備す
ることを特徴とする現像装置を提供する。 前記物質とし
てはゼラチンを用いることができる。
【0014】さらにまた、本発明は、基板上に形成され
たレジスト膜を所定パターンに露光した後、現像液を供
給して露光パターンを現像する現像装置であって、基板
を保持するとともに回転可能に構成された保持手段と、
温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変
化し得る物質が添加された現像液を所定温度で低流動性
とし、その現像液を基板上のレジスト膜の上に供給する
手段と、前記保持手段に保持された基板を加熱して前記
現像液を昇温する加熱体とを具備することを特徴とする
現像装置を提供する。
たレジスト膜を所定パターンに露光した後、現像液を供
給して露光パターンを現像する現像装置であって、基板
を保持するとともに回転可能に構成された保持手段と、
温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変
化し得る物質が添加された現像液を所定温度で低流動性
とし、その現像液を基板上のレジスト膜の上に供給する
手段と、前記保持手段に保持された基板を加熱して前記
現像液を昇温する加熱体とを具備することを特徴とする
現像装置を提供する。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施形態について具体的に説明する。図1は本発明
の実施に用いるレジスト塗布・現像処理システムを示す
概略平面図、図2は図1の正面図、図3は図1の背面図
である。
明の実施形態について具体的に説明する。図1は本発明
の実施に用いるレジスト塗布・現像処理システムを示す
概略平面図、図2は図1の正面図、図3は図1の背面図
である。
【0016】この処理システムは、搬送ステーションで
あるカセットステーション10と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション11と、処理ステーション1
1と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間で
半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)Wを受け渡す
ためのインターフェイス部12とを具備している。
あるカセットステーション10と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション11と、処理ステーション1
1と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間で
半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)Wを受け渡す
ためのインターフェイス部12とを具備している。
【0017】上記カセットステーション10は、被処理
体としてのウエハWを複数枚例えば25枚単位でウエハ
カセット1に搭載された状態で他のシステムからこのシ
ステムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ搬
出したり、ウエハカセット1と処理ステーション11と
の間でウエハWの搬送を行うためのものである。
体としてのウエハWを複数枚例えば25枚単位でウエハ
カセット1に搭載された状態で他のシステムからこのシ
ステムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ搬
出したり、ウエハカセット1と処理ステーション11と
の間でウエハWの搬送を行うためのものである。
【0018】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセット載置台2上に図中X方
向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20aが
形成されており、この突起20aの位置にウエハカセッ
トCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション1
1側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセ
ットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に配
列されている。また、カセットステーション10は、ウ
エハカセット載置台20と処理ステーション11との間
に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウエ
ハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)および
その中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動可
能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬送
アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに対
して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ
搬送用アーム21aは、θ方向に回転可能に構成されて
おり、後述する処理ステーション11側の第3の処理部
G3に属するアライメントユニット(ALIM)および
エクステンションユニット(EXT)にもアクセスでき
るようになっている。
は、図1に示すように、カセット載置台2上に図中X方
向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20aが
形成されており、この突起20aの位置にウエハカセッ
トCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション1
1側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセ
ットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に配
列されている。また、カセットステーション10は、ウ
エハカセット載置台20と処理ステーション11との間
に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウエ
ハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)および
その中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動可
能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬送
アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに対
して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ
搬送用アーム21aは、θ方向に回転可能に構成されて
おり、後述する処理ステーション11側の第3の処理部
G3に属するアライメントユニット(ALIM)および
エクステンションユニット(EXT)にもアクセスでき
るようになっている。
【0019】上記処理ステーション11は、ウエハWへ
対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施するため
の複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段
に配置されており、これらによりウエハWが一枚ずつ処
理される。この処理ステーション11は、図1に示すよ
うに、中心部に搬送路22aを有し、この中に主ウエハ
搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路22aの周りに
全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処
理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部
は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置さ
れている。
対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施するため
の複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段
に配置されており、これらによりウエハWが一枚ずつ処
理される。この処理ステーション11は、図1に示すよ
うに、中心部に搬送路22aを有し、この中に主ウエハ
搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路22aの周りに
全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処
理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部
は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置さ
れている。
【0020】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置4
6も一体的に回転可能となっている。
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置4
6も一体的に回転可能となっている。
【0021】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
【0022】また、図1に示すように、この実施の形態
においては、4個の処理部G1,G2,G3,G4がウ
エハ搬送路22aの周囲に実際に配置されており、処理
部G5は必要に応じて配置可能となっている。
においては、4個の処理部G1,G2,G3,G4がウ
エハ搬送路22aの周囲に実際に配置されており、処理
部G5は必要に応じて配置可能となっている。
【0023】これらのうち、第1および第2の処理部G
1,G2はシステム正面(図1において手前)側に並列
に配置され、第3の処理部G3はカセットステーション
10に隣接して配置され、第4の処理部G4はインター
フェイス部12に隣接して配置されている。また、第5
の処理部G5は背面部に配置可能となっている。
1,G2はシステム正面(図1において手前)側に並列
に配置され、第3の処理部G3はカセットステーション
10に隣接して配置され、第4の処理部G4はインター
フェイス部12に隣接して配置されている。また、第5
の処理部G5は背面部に配置可能となっている。
【0024】この場合、図2に示すように、第1の処理
部G1では、カップCP内でウエハWをスピンチャック
(図示せず)に載置して所定の処理を行う2台のスピナ
型処理ユニットが上下2段に配置されており、この実施
形態においては、ウエハWにレジストを塗布するレジス
ト塗布ユニット(COT)およびレジストのパターンを
現像する現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重
ねられている。第2の処理部G2も同様に、2台のスピ
ナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット(CO
T)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に
重ねられている。
部G1では、カップCP内でウエハWをスピンチャック
(図示せず)に載置して所定の処理を行う2台のスピナ
型処理ユニットが上下2段に配置されており、この実施
形態においては、ウエハWにレジストを塗布するレジス
ト塗布ユニット(COT)およびレジストのパターンを
現像する現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重
ねられている。第2の処理部G2も同様に、2台のスピ
ナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット(CO
T)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に
重ねられている。
【0025】このようにレジスト塗布ユニット(CO
T)等を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が
機構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本
質的に複雑であり、このように塗布ユニット(COT)
等を下段に配置することによりその複雑さが緩和される
からである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニッ
ト(COT)等を上段に配置することも可能である。
T)等を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が
機構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本
質的に複雑であり、このように塗布ユニット(COT)
等を下段に配置することによりその複雑さが緩和される
からである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニッ
ト(COT)等を上段に配置することも可能である。
【0026】第3の処理部G3においては、図3に示す
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット(CO
L)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わ
せを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハW
の搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Wに対して加熱処理を行う4つのホットプレートユニッ
ト(HP)が下から順に8段に重ねられている。
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット(CO
L)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わ
せを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハW
の搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Wに対して加熱処理を行う4つのホットプレートユニッ
ト(HP)が下から順に8段に重ねられている。
【0027】第4の処理部G4も、オーブン型の処理ユ
ニッが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユ
ニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエハ
搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット
(EXTCOL)、エクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニット(COL)、および4つのホ
ットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ね
られている。
ニッが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユ
ニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエハ
搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット
(EXTCOL)、エクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニット(COL)、および4つのホ
ットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ね
られている。
【0028】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、エクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いホ
ットプレートユニット(HP)を上段に配置すること
で、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることがで
きる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
ット(COL)、エクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いホ
ットプレートユニット(HP)を上段に配置すること
で、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることがで
きる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【0029】上述したように、主ウエハ搬送機構22の
背部側に第5の処理部G5を設けることができるが、第
5の処理部G5を設ける場合には、案内レール25に沿
って主ウエハ搬送機構21から見て側方へ移動できるよ
うになっている。したがって、第5の処理部G5を設け
た場合でも、これを案内レール25に沿ってスライドす
ることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機
構21a,21bに対して背後からメンテナンス作業を
容易に行うことができる。この場合に、このような直線
状の移動に限らず、回動させるようにしても同様にスペ
ースの確保を図ることができる。なお、この第5の処理
部G5としては、基本的に第3および第4の処理部
G3,G4と同様、オープン型の処理ユニットが多段に
積層された構造を有しているものを用いることができ
る。
背部側に第5の処理部G5を設けることができるが、第
5の処理部G5を設ける場合には、案内レール25に沿
って主ウエハ搬送機構21から見て側方へ移動できるよ
うになっている。したがって、第5の処理部G5を設け
た場合でも、これを案内レール25に沿ってスライドす
ることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機
構21a,21bに対して背後からメンテナンス作業を
容易に行うことができる。この場合に、このような直線
状の移動に限らず、回動させるようにしても同様にスペ
ースの確保を図ることができる。なお、この第5の処理
部G5としては、基本的に第3および第4の処理部
G3,G4と同様、オープン型の処理ユニットが多段に
積層された構造を有しているものを用いることができ
る。
【0030】上記インターフェイス部12は、奥行方向
(X方向)については、処理ステーション11と同じ長
さを有している。図1、図2に示すように、このインタ
ーフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に
配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中
央部には、ウエハ搬送体24が配設されている。このウ
エハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセッ
トCR,BRおよび周辺露光装置23にアクセス可能と
なっている。また、このウエハ搬送体24は、θ方向に
回転可能であり、処理ステーション11の第4の処理部
G4に属するエクステンションユニット(EXT)や、
さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台(図示
せず)にもアクセス可能となっている。
(X方向)については、処理ステーション11と同じ長
さを有している。図1、図2に示すように、このインタ
ーフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に
配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中
央部には、ウエハ搬送体24が配設されている。このウ
エハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセッ
トCR,BRおよび周辺露光装置23にアクセス可能と
なっている。また、このウエハ搬送体24は、θ方向に
回転可能であり、処理ステーション11の第4の処理部
G4に属するエクステンションユニット(EXT)や、
さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台(図示
せず)にもアクセス可能となっている。
【0031】レジスト塗布ユニット(COT)は、図4
に示すように、カップCPと、カップCP内にウエハW
を水平に吸着保持するスピンチャック42と、スピンチ
ャック42を回転させるモータ43と、レジスト液等の
塗布液を供給するノズル44とを有している。そして、
ノズル44からウエハWの中央にレジスト液を供給しつ
つ、モータ43によりスピンチャック42および吸着保
持されているウエハWを回転させてウエハWの全面にレ
ジスト液を広げ、レジスト膜を形成する。また、幅の広
いノズルを用いてノズルをスキャンさせることにより塗
布するようにしてもよい。
に示すように、カップCPと、カップCP内にウエハW
を水平に吸着保持するスピンチャック42と、スピンチ
ャック42を回転させるモータ43と、レジスト液等の
塗布液を供給するノズル44とを有している。そして、
ノズル44からウエハWの中央にレジスト液を供給しつ
つ、モータ43によりスピンチャック42および吸着保
持されているウエハWを回転させてウエハWの全面にレ
ジスト液を広げ、レジスト膜を形成する。また、幅の広
いノズルを用いてノズルをスキャンさせることにより塗
布するようにしてもよい。
【0032】現像ユニット(DEV)は、いずれも、図
5に示すように、カップCPと、カップCP内にウエハ
Wを水平に吸着保持するスピンチャック52と、スピン
チャック52を回転させるモータ53と、現像液を供給
するノズル54とを有している。このノズル54は、ウ
エハWとほぼ同一の幅を有しており、その底部に全幅に
亘って多数の現像液吐出部55が設けられている。そし
て、ノズル54の吐出部55から現像液を吐出しつつモ
ータ53によりスピンチャック52および吸着保持され
ているウエハWを一回転させることにより、ウエハW上
に現像液パドルを形成する。本実施形態では、後述する
ように、所定温度で低流動性状態、例えばゲル状または
固化状であり、温度上昇により高流動性状態に変化する
物質、例えばゼラチンを現像液に添加し、パドル形成時
点では現像液の温度を調整して低流動化状態とする。ウ
エハWの下方位置には加熱体56が設けられており、パ
ドル形成後にウエハWを昇温させて現像を進行させるよ
うになっている。また、現像ユニット(DEV)には、
図示しないリンスノズルが設けられており、現像終了後
にウエハWの回転により現像液が振り切られた後、そこ
からリンス液が吐出されてウエハW上に残存する現像液
が洗い流される。なお、現像液パドルを形成する際に、
ノズル54をスキャンさせてもよい。
5に示すように、カップCPと、カップCP内にウエハ
Wを水平に吸着保持するスピンチャック52と、スピン
チャック52を回転させるモータ53と、現像液を供給
するノズル54とを有している。このノズル54は、ウ
エハWとほぼ同一の幅を有しており、その底部に全幅に
亘って多数の現像液吐出部55が設けられている。そし
て、ノズル54の吐出部55から現像液を吐出しつつモ
ータ53によりスピンチャック52および吸着保持され
ているウエハWを一回転させることにより、ウエハW上
に現像液パドルを形成する。本実施形態では、後述する
ように、所定温度で低流動性状態、例えばゲル状または
固化状であり、温度上昇により高流動性状態に変化する
物質、例えばゼラチンを現像液に添加し、パドル形成時
点では現像液の温度を調整して低流動化状態とする。ウ
エハWの下方位置には加熱体56が設けられており、パ
ドル形成後にウエハWを昇温させて現像を進行させるよ
うになっている。また、現像ユニット(DEV)には、
図示しないリンスノズルが設けられており、現像終了後
にウエハWの回転により現像液が振り切られた後、そこ
からリンス液が吐出されてウエハW上に残存する現像液
が洗い流される。なお、現像液パドルを形成する際に、
ノズル54をスキャンさせてもよい。
【0033】次に、このように構成されるシステムによ
り本実施形態の現像方法を含む一連の処理動作について
説明する。まず、カセットステーション10において、
ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アーム21aがカセ
ット載置台20上の未処理のウエハWを収容しているカ
セットCRにアクセスして、そのカセットCRから1枚
のウエハWを取り出す。ウエハWはエクステンションユ
ニット(EXT)に搬送され、そこから主ウエハ搬送機
構22の搬送装置46により処理ステーション11に搬
入される。そして、まず、第3の処理部G3に属するア
ライメントユニット(ALIM)によりアライメントを
行った後、その下のアドヒージョン処理ユニット(A
D)にてウエハWに対して疎水化処理を施す。
り本実施形態の現像方法を含む一連の処理動作について
説明する。まず、カセットステーション10において、
ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アーム21aがカセ
ット載置台20上の未処理のウエハWを収容しているカ
セットCRにアクセスして、そのカセットCRから1枚
のウエハWを取り出す。ウエハWはエクステンションユ
ニット(EXT)に搬送され、そこから主ウエハ搬送機
構22の搬送装置46により処理ステーション11に搬
入される。そして、まず、第3の処理部G3に属するア
ライメントユニット(ALIM)によりアライメントを
行った後、その下のアドヒージョン処理ユニット(A
D)にてウエハWに対して疎水化処理を施す。
【0034】アドヒージョン処理が終了したウエハW
は、第3および第4の処理部G3,G4のいずれかのク
ーリングプレートユニット(COL)内で冷却された
後、処理部G1またはG2の塗布ユニット(COT)に
て、上述した手順によりレジストが塗布される。その
後、処理部G3,G4のいずれかのホットプレートユニ
ット(HP)内でプリベークが実施され、いずれかのク
ーリングユニット(COL)で冷却される。
は、第3および第4の処理部G3,G4のいずれかのク
ーリングプレートユニット(COL)内で冷却された
後、処理部G1またはG2の塗布ユニット(COT)に
て、上述した手順によりレジストが塗布される。その
後、処理部G3,G4のいずれかのホットプレートユニ
ット(HP)内でプリベークが実施され、いずれかのク
ーリングユニット(COL)で冷却される。
【0035】その後、ウエハWは、第3の処理部G3の
アライメントユニット(ALIM)でアライメントされ
た後、その主搬送機構22のウエハ搬送装置46により
第4の処理部G4のエクステンションユニット(EX
T)を介してインターフェイス部12に搬送される。
アライメントユニット(ALIM)でアライメントされ
た後、その主搬送機構22のウエハ搬送装置46により
第4の処理部G4のエクステンションユニット(EX
T)を介してインターフェイス部12に搬送される。
【0036】インターフェイス部12では、周辺露光装
置23による周辺露光が実施され、その後、半導体ウエ
ハWは隣接する露光装置(図示せず)に搬送され、所定
のパターンに従ってウエハWのレジスト膜に露光処理が
施される。
置23による周辺露光が実施され、その後、半導体ウエ
ハWは隣接する露光装置(図示せず)に搬送され、所定
のパターンに従ってウエハWのレジスト膜に露光処理が
施される。
【0037】露光処理が終了すると、ウエハWはインタ
ーフェイス部12のウエハ搬送体24により第4の処理
部G4に属するエクステンションユニット(EXT)に
搬送され、そこから主ウエハ搬送機構22の搬送装置4
6により処理ステーション11に搬入される。そして、
ウエハWは第3および第4の処理部G3およびG4のい
ずれかのホットプレートユニット(HP)に搬送されて
ポストエクスポージャーベーク処理が施され、さらにい
ずれかのクーリングプレート(COL)にて冷却され
る。
ーフェイス部12のウエハ搬送体24により第4の処理
部G4に属するエクステンションユニット(EXT)に
搬送され、そこから主ウエハ搬送機構22の搬送装置4
6により処理ステーション11に搬入される。そして、
ウエハWは第3および第4の処理部G3およびG4のい
ずれかのホットプレートユニット(HP)に搬送されて
ポストエクスポージャーベーク処理が施され、さらにい
ずれかのクーリングプレート(COL)にて冷却され
る。
【0038】このようにしてポストエクスポージャーベ
ーク処理が施されたウエハWは第1および第2の処理部
G1およびG2のいずれかの現像ユニット(DEV)に
搬送され、現像が行われる。
ーク処理が施されたウエハWは第1および第2の処理部
G1およびG2のいずれかの現像ユニット(DEV)に
搬送され、現像が行われる。
【0039】現像処理に際しては、図6に示すように、
まず、所定温度で低流動性状態、例えばゲル状または固
化状であり、温度上昇により高流動性状態に変化する物
質、例えばゼラチンを現像液に添加する(STEP
1)。このような物質が添加された現像液が低流動性状
態、例えば60poise程度となるように現像液の温度を
調整し、ウエハWに形成されたレジスト膜上に現像液を
供給する(STEP2)。このように現像液が低流動性
状態では現像液とレジストとの化学反応はほとんど生じ
ず、現像は実質的に進行しない。例えば、現像液100
ccにゼラチンを10〜12g添加すると、13℃で流
動性が低下し、8℃では実質的に流動しない状態とな
り、これらの状態では現像が実質的に進行しなかった。
まず、所定温度で低流動性状態、例えばゲル状または固
化状であり、温度上昇により高流動性状態に変化する物
質、例えばゼラチンを現像液に添加する(STEP
1)。このような物質が添加された現像液が低流動性状
態、例えば60poise程度となるように現像液の温度を
調整し、ウエハWに形成されたレジスト膜上に現像液を
供給する(STEP2)。このように現像液が低流動性
状態では現像液とレジストとの化学反応はほとんど生じ
ず、現像は実質的に進行しない。例えば、現像液100
ccにゼラチンを10〜12g添加すると、13℃で流
動性が低下し、8℃では実質的に流動しない状態とな
り、これらの状態では現像が実質的に進行しなかった。
【0040】そして、現像液がウエハWの全面に広がっ
た時点で加熱体56によりウエハWを加熱して現像液の
温度を上昇させ、現像液を高流動性状態とする(STE
P3)。上記ゼラチンの例では、13℃以上に温度を上
昇させることにより、現像液が速やかに高流動性となっ
た。このように現像液が高流動性状態となることによ
り、現像がウエハWの面全体で一括的に進行し、これに
より、ウエハW面内で現像開始時の時間差が生じず、均
一に現像することができ、ウエハ面内の線幅均一性(C
D値均一性)を向上させることができる。また、このよ
うに現像液を塗布した後に現像が一括して進行し、かつ
低流動性状態で塗布するため、現像液液盛りの方法に制
約がない。したがって、上述したノズル54の代わりに
よりシンプルなノズルを用いることができるし、ノズル
以外の方法で塗布することも可能である。さらに、現像
液がレジスト膜51に直接アタックしないため、欠陥を
少なくすることも可能である。
た時点で加熱体56によりウエハWを加熱して現像液の
温度を上昇させ、現像液を高流動性状態とする(STE
P3)。上記ゼラチンの例では、13℃以上に温度を上
昇させることにより、現像液が速やかに高流動性となっ
た。このように現像液が高流動性状態となることによ
り、現像がウエハWの面全体で一括的に進行し、これに
より、ウエハW面内で現像開始時の時間差が生じず、均
一に現像することができ、ウエハ面内の線幅均一性(C
D値均一性)を向上させることができる。また、このよ
うに現像液を塗布した後に現像が一括して進行し、かつ
低流動性状態で塗布するため、現像液液盛りの方法に制
約がない。したがって、上述したノズル54の代わりに
よりシンプルなノズルを用いることができるし、ノズル
以外の方法で塗布することも可能である。さらに、現像
液がレジスト膜51に直接アタックしないため、欠陥を
少なくすることも可能である。
【0041】このようにして現像処理が終了後、いずれ
かのホットプレートユニット(HP)によりポストベー
クが実施され、次いでいずれかのクーリングユニット
(COL)により冷却される。その後、ウエハWは、処
理ステーション11の主搬送機構22の搬送装置46に
よりエクステンションユニット(EXT)の載置台に載
置される。そして、載置台上のウエハWは、カセットス
テーション10のウエハ搬送機構21のアーム21aに
より受け取られ、カセット載置台20上の処理済みウエ
ハ収容用のカセットCRの所定のウエハ収容溝に挿入さ
れる。これにより、一連の処理が完了する。
かのホットプレートユニット(HP)によりポストベー
クが実施され、次いでいずれかのクーリングユニット
(COL)により冷却される。その後、ウエハWは、処
理ステーション11の主搬送機構22の搬送装置46に
よりエクステンションユニット(EXT)の載置台に載
置される。そして、載置台上のウエハWは、カセットス
テーション10のウエハ搬送機構21のアーム21aに
より受け取られ、カセット載置台20上の処理済みウエ
ハ収容用のカセットCRの所定のウエハ収容溝に挿入さ
れる。これにより、一連の処理が完了する。
【0042】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば、上述したよ
うに、現像が一括して進行し、現像液液盛り時間の制約
がないため、現像液ノズルとしては上記実施態様のもの
に限らず、例えばストレートタイプ、スリットタイプ
等、どのようなタイプのノズルでも使用することがで
き、また、塗布時には現像液が低流動性のため、必ずし
もノズルを用いる必要はなく、ロールコーター等他の手
法を用いることもできる。さらに、現像液の流動性が極
めて低い場合には、そのままウエハ上に載せるようにし
てもよい。
ることなく種々変形が可能である。例えば、上述したよ
うに、現像が一括して進行し、現像液液盛り時間の制約
がないため、現像液ノズルとしては上記実施態様のもの
に限らず、例えばストレートタイプ、スリットタイプ
等、どのようなタイプのノズルでも使用することがで
き、また、塗布時には現像液が低流動性のため、必ずし
もノズルを用いる必要はなく、ロールコーター等他の手
法を用いることもできる。さらに、現像液の流動性が極
めて低い場合には、そのままウエハ上に載せるようにし
てもよい。
【0043】また、上記実施の形態では加熱体をウエハ
の下方に設けて現像液を加熱したが、これに限らず、例
えば、図7の(a)のように、ウエハ支持台61の中に
ヒーター62を埋設して加熱するようにしてもよい。ま
た、図7の(b)のように、ウエハWの下方から熱風6
3を供給するようにすることもできる。また、下からの
加熱に限らず、図7の(c)のように、ウエハWの上方
に矢印方向に回転可能なポリゴンミラー64を配置し、
これを回転させながら、発光装置65からレーザー光や
マイクロウエーブをポリゴンミラー64に照射し、散乱
したレーザー光等をウエハWに照射して加熱するように
してもよい。ただし、現像が生じる部分を直接加熱する
観点からは、ウエハの下から加熱するほうが好ましい。
さらに、このような加熱手段を設けなくとも、単にウエ
ハが有している熱によって現像液を高流動化するように
してもよい。
の下方に設けて現像液を加熱したが、これに限らず、例
えば、図7の(a)のように、ウエハ支持台61の中に
ヒーター62を埋設して加熱するようにしてもよい。ま
た、図7の(b)のように、ウエハWの下方から熱風6
3を供給するようにすることもできる。また、下からの
加熱に限らず、図7の(c)のように、ウエハWの上方
に矢印方向に回転可能なポリゴンミラー64を配置し、
これを回転させながら、発光装置65からレーザー光や
マイクロウエーブをポリゴンミラー64に照射し、散乱
したレーザー光等をウエハWに照射して加熱するように
してもよい。ただし、現像が生じる部分を直接加熱する
観点からは、ウエハの下から加熱するほうが好ましい。
さらに、このような加熱手段を設けなくとも、単にウエ
ハが有している熱によって現像液を高流動化するように
してもよい。
【0044】さらに、上記実施の形態においては、現像
液に温度によって流動性が変化する物質を添加し、温度
をトリガーとして現像液を低流動性状態から高流動性状
態へ変化させたが、これに限らず、光の照射によって低
流動性状態から高流動性状態へ変化する物質を添加して
もよい。
液に温度によって流動性が変化する物質を添加し、温度
をトリガーとして現像液を低流動性状態から高流動性状
態へ変化させたが、これに限らず、光の照射によって低
流動性状態から高流動性状態へ変化する物質を添加して
もよい。
【0045】さらにまた、基板も半導体ウエハに限ら
ず、LCD基板、ガラス基板、CD基板、フォトマス
ク、プリント基板等種々のものに適用可能である。
ず、LCD基板、ガラス基板、CD基板、フォトマス
ク、プリント基板等種々のものに適用可能である。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液に添加し、
物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性と
し、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に
塗布し、塗布後に現像液を高流動性にして現像を進行さ
せるか、または温度上昇により低流動性の状態から高流
動性の状態に変化し得る物質を現像液に添加し、物質が
添加された現像液を所定温度で低流動性とし、その現像
液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布し、塗布
後に現像液の温度を上昇させて高流動性にして現像を進
行させるので、現像液を塗布する時点では現像がほとん
ど進行せず、塗布後に現像液を高流動性にした時点で、
現像が基板全体で一括的に進行する。したがって、基板
面内で現像開始時の時間差が生じず、均一に現像するこ
とができ、基板面内の線幅均一性(CD値均一性)を向
上させることができる。また、このように現像液を塗布
した後に現像が一括して進行し、かつ低流動性状態で塗
布するため、現像液液盛りの方法に制約がない。さら
に、現像液がレジスト膜に直接アタックしないため、欠
陥を少なくすることも可能である。
現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液に添加し、
物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性と
し、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に
塗布し、塗布後に現像液を高流動性にして現像を進行さ
せるか、または温度上昇により低流動性の状態から高流
動性の状態に変化し得る物質を現像液に添加し、物質が
添加された現像液を所定温度で低流動性とし、その現像
液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布し、塗布
後に現像液の温度を上昇させて高流動性にして現像を進
行させるので、現像液を塗布する時点では現像がほとん
ど進行せず、塗布後に現像液を高流動性にした時点で、
現像が基板全体で一括的に進行する。したがって、基板
面内で現像開始時の時間差が生じず、均一に現像するこ
とができ、基板面内の線幅均一性(CD値均一性)を向
上させることができる。また、このように現像液を塗布
した後に現像が一括して進行し、かつ低流動性状態で塗
布するため、現像液液盛りの方法に制約がない。さら
に、現像液がレジスト膜に直接アタックしないため、欠
陥を少なくすることも可能である。
【図1】本発明の実施に用いるレジスト塗布・現像処理
システムを示す概略平面図。
システムを示す概略平面図。
【図2】図1のレジスト塗布・現像処理システムを示す
側面図。
側面図。
【図3】図1のレジスト塗布・現像処理システムを示す
背面図。
背面図。
【図4】図1の装置に用いられる、レジスト塗布ユニッ
トを示す断面図。
トを示す断面図。
【図5】図1の装置に用いられる、現像ユニットを示す
断面図。
断面図。
【図6】本発明の一実施形態に係る現像方法の工程を示
すフローチャート。
すフローチャート。
【図7】現像液の加熱方法の他の例を示す模式図。
10……カセットステーション
11……処理ステーション
22……主ウエハ搬送機構
G1,G2,G3,G4,G5……処理部
COT……レジスト塗布ユニット
DEV……現像ユニット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大森 伝
山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ
レクトロン九州株式会社 プロセス開発
センター内
(56)参考文献 特開 平6−301217(JP,A)
特開 平6−77124(JP,A)
特開 平5−182902(JP,A)
特開 平2−291109(JP,A)
特開 昭61−219953(JP,A)
特開 昭57−69743(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
G03F 7/30
G03F 7/32
H01L 21/027
Claims (11)
- 【請求項1】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像方法
であって、 現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液に添加する
工程と、 前記物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性
とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上
に塗布する工程と、 その後、前記現像液に所定のトリガーを与えて現像液を
高流動性にし、現像を進行させる工程とを具備すること
を特徴とする現像方法。 - 【請求項2】 前記トリガーが温度または光であること
を特徴とする請求項1に記載の現像方法。 - 【請求項3】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像方法
であって、 温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変
化し得る物質を現像液に添加する工程と、 前記物質が添加された現像液を所定温度で低流動性と
し、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に
塗布する工程と、 その後、前記現像液の温度を上昇させて現像液を高流動
性にし、現像を進行させる工程とを具備することを特徴
とする現像方法。 - 【請求項4】 前記物質はゼラチンであることを特徴と
する請求項3に記載の現像方法。 - 【請求項5】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、現像液を供給して露光パターンを
現像する現像装置であって、 現像液の流動性を低下させ得る物質が添加された現像液
を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の
レジスト膜の上に塗布する手段と、 前記レジスト膜上の現像液に所定のトリガーを与えて現
像液を高流動性にし、 現像を進行させるトリガー付与手
段とを具備することを特徴とする現像装置。 - 【請求項6】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、現像液を供給して露光パターンを
現像する現像装置であって、 温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変
化し得る物質が添加された現像液を所定温度で低流動性
とし、その現像液を基板上のレジスト膜の上に塗布する
手段と、 前記レジスト膜上の現像液を昇温して前記現像液を高流
動性にして現像を進行させる昇温手段とを具備すること
を特徴とする現像装置。 - 【請求項7】 前記昇温手段は、基板の下方から基板を
昇温するように配置されていることを特徴とする請求項
5または請求項6に記載の現像装置。 - 【請求項8】 前記物質はゼラチンであることを特徴と
する請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の現像
装置。 - 【請求項9】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、現像液を供給して露光パターンを
現像する現像装置であって、 基板を保持するとともに回転可能に構成された保持手段
と、 温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変
化し得る物質が添加された現像液を所定温度で低流動性
とし、その現像液を基板上のレジスト膜の上に供給する
手段と、 前記保持手段に保持された基板を加熱して前記現像液を
昇温する加熱体とを具備することを特徴とする現像装
置。 - 【請求項10】 前記加熱体は、前記保持手段に保持さ
れた基板の下方位置に設けられることを特徴とする請求
項9に記載の現像装置。 - 【請求項11】 前記現像液は基板の全面に塗布され、
前記加熱体は、基板の面全体の現像液を高流動性に変化
させて一括的に現像処理が開始可能となっていることを
特徴とする請求項9または請求項10に記載の現像装
置。
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