JP2002536553A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2002536553A5
JP2002536553A5 JP2000598688A JP2000598688A JP2002536553A5 JP 2002536553 A5 JP2002536553 A5 JP 2002536553A5 JP 2000598688 A JP2000598688 A JP 2000598688A JP 2000598688 A JP2000598688 A JP 2000598688A JP 2002536553 A5 JP2002536553 A5 JP 2002536553A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tungsten
carbon
hydrogen
mixture
ratio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000598688A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002536553A (ja
JP4456279B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/RU1999/000037 external-priority patent/WO2000047796A1/ru
Publication of JP2002536553A publication Critical patent/JP2002536553A/ja
Publication of JP2002536553A5 publication Critical patent/JP2002536553A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4456279B2 publication Critical patent/JP4456279B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【特許請求の範囲】
【請求項1】 耐摩耗性で耐侵食性で耐腐食性の被膜用材料であって、0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素と一緒に合金を形成している炭化タングステンで構成されている材料。
【請求項2】 耐摩耗性で耐侵食性で耐腐食性の被膜用材料であって、0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を形成している少なくとも2種類の炭化タングステンの混合物を含んで成る材料。
【請求項3】 被膜であって、
− ある基質の上に位置するタングステンで構成される内側層、および
− 前記内側層の上に位置していて請求項1記載の炭化タングステンを含有する外側層、
を含有することを特徴とする被膜。
【請求項4】 六フッ化タングステン、水素、炭素含有ガスおよび場合により不活性ガスを含有する気体混合物を用いて加熱基質に化学蒸着させることで炭化タングステンを生じさせる方法であって、前記炭素含有ガスを前以て500−850℃の温度に加熱してそれに熱による活性化を受けさせておくことを特徴とする方法。
【請求項5】 タングステンの内側層とサブ炭化タングステンW12Cを含有する外側層で構成される被膜を基質、好適には建設用材料またはそれらから作られた品目の上に位置させる方法であって、下記の段階:
(a)前記基質を化学蒸着反応槽に入れ、
(b)前記反応槽に減圧排気を受けさせ、
(c)前記基質を加熱し、
(d)六フッ化タングステンと水素を前記反応槽に供給し、
(e)前記基質を前記気体状媒体中にタングステン層が前記基質上に生じるに必要な時間保持し、
(f)前記六フッ化タングステンと水素に加えて、前以て熱による活性化を受けさせておいた炭素含有ガスを前記反応槽に供給し、
(g)前記基質を段階(f)で生じさせた気体状媒体中に炭化タングステン、それらの互いの混合物、それとタングステンの混合物またはそれと遊離炭素の混合物を含有する外側層が生じるに必要な時間保持する、
段階を包含することを特徴とする方法。
【請求項6】 材料であって、
− 建設用材料で作られた基質、
− 前記基質上に位置していて内側のタングステン層と0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を形成している炭化タングステンを含有する外側層で構成されている被膜、
を含んで成る材料。
【請求項7】 材料であって、
− 建設用材料で作られた基質、および
− 前記基質上に位置していて内側のタングステン層と0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を形成している少なくとも2種類の炭化タングステンの混合物を含有する外側層で構成されている被膜、
を含んで成る材料。
【請求項8】 請求項5記載の方法で得られる材料。
【請求項9】 多積層被膜であって、タングステンの層と請求項1記載の炭化タングステンを含有する層が交互に位置することで作られた多積層被膜。
【請求項10】 多積層被膜であって、タングステンの層と請求項2記載の炭化タングステンを含有する層が交互に位置することで作られた多積層被膜。
【請求項11】 タングステンの層と炭化タングステンもしくは炭化タングステンの互いの混合物またはそれとタングステンの混合物またはそれと遊離炭素の混合物を含有する層を交互に位置させることで構成させた多積層被膜を基質、好適には建設用材料またはそれらから作られた品目の上に位置させる方法であって、下記の段階:
(a)前記基質を化学蒸着反応槽に入れ、
(b)前記反応槽に減圧排気を受けさせ、
(c)前記基質を加熱し、
(d)六フッ化タングステンと水素を前記反応槽に供給し、
(e)前記基質を前記気体状媒体中にタングステン層が前記基質上に生じるに必要な時間保持し、
(f)前記六フッ化タングステンと水素に加えて、前以て熱による活性化を受けさせておいた炭素含有ガスを前記反応槽に供給し、
(g)前記基質を段階(f)で生じさせた気体状媒体中に炭化タングステンもしくは炭化タングステンの互いの混合物またはそれとタングステンの混合物またはそれと遊離炭素の混合物を含有する外側層が生じるに必要な時間保持し、
段階(d)から(g)をタングステンの層と炭化タングステンを含有する層が交互に形成されるように数回繰り返す、
段階を包含する方法。
【請求項12】 建設用材料であって、タングステンの層と0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を形成している炭化タングステンを含有する層が交互に存在することで構成された多積層被膜と基質を含んで成る建設用材料。
【請求項13】 建設用材料であって、タングステンの層と0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を成している少なくとも2種類の炭化タングステンの混合物を含有する層が交互に存在することで構成された多積層被膜と基質を含んで成る建設用材料。
【請求項14】 建設用材料であって、請求項11記載の方法を用いて得られた建設用材料。
本発明に従って得る耐摩耗性で耐腐食性の被膜を多数種の品目の油および気体用装置[接地ポンプ(ground−level pumps)、浸漬ポンプ(immersion pumps)、クリスマスツリーのアクセサリーなど]に付着させることを通して、それらを有意に改良することができる。
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
1. 耐摩耗性で耐侵食性で耐腐食性の被膜用材料であって、0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素と一緒に合金を形成している炭化タングステンで構成されている材料。
2. 0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素と一緒に合金を形成している一炭化タングステンWCである上記1記載の材料。
3. 0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素と一緒に合金を形成している半炭化タングステンW2Cである上記1記載の材料。
4. 0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素と一緒に合金を形成しているサブ炭化タングステンW3Cである上記1記載の材料。
5. 0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素と一緒に合金を形成しているサブ炭化タングステンW12Cである上記1記載の材料。
6. 炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物を追加的に含有する上記1記載の材料。
7. 耐摩耗性で耐侵食性で耐腐食性の被膜用材料であって、0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を形成している少なくとも2種類の炭化タングステンの混合物を含んで成る材料。
8. 被膜であって、
− ある基質の上に位置するタングステンで構成される内側層、および
− 前記内側層の上に位置していて上記1−6記載の炭化タングステンを含有する外側層、
を含有することを特徴とする被膜。
9. 前記外側層が追加的に上記7記載の炭化タングステンの混合物も含有することを特徴とする上記6記載の被膜。
10. 前記外側層が追加的にタングステンも含有することを特徴とする上記8または9記載の被膜。
11. 前記外側層が追加的に炭素も含有することを特徴とする上記8または9記載の被膜。
12. 前記内側層が0.5−300μmの厚みを有しそして前記外側層が0.5−300μmの厚みを有していて前記内側層の厚みと前記外側層の厚みの比率が1:1から1:600の範囲であることを特徴とする上記8から11のいずれか記載の被膜。
13. 六フッ化タングステン、水素、炭素含有ガスおよび場合により不活性ガスを含有する気体混合物を用いて加熱基質に化学蒸着させることで炭化タングステンを生じさせる方法であって、前記炭素含有ガスを前以て500−850℃の温度に加熱してそれに熱による活性化を受けさせておくことを特徴とする方法。
14. 前記炭素含有ガスがプロパンであることを特徴とする上記13記載の方法。
15. 2−150kPaの圧力下、400−900℃の基質温度で、水素に対する炭素含有ガスの比率を0.2−1.7にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.02−0.12にして実施することを特徴とする上記13または14記載の方法。
16. 水素に対する炭素含有ガスの比率を1.0−1.5にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.08−0.10にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て750−850℃の温度に加熱しておき、この場合、一炭化タングステンWCを得ることを特徴とする上記15記載の方法。
17. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.75−0.90にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.06−0.08にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て600−750℃の温度に加熱しておき、この場合、半炭化タングステンW2Cを得ることを特徴とする上記15記載の方法。
18. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.60−0.65にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.05−0.055にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て560−720℃の温度に加熱しておき、この場合、サブ炭化タングステンW3Cを得ることを特徴とする上記15記載の方法。
19. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.35−0.45にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.040−0.045にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て500−700℃の温度に加熱しておき、この場合、サブ炭化タングステンW12Cを得ることを特徴とする上記15記載の方法。
20. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.90−1.00にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.07−0.09にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て670−790℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物WCとW2Cの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
21. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.70−0.75にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.055−0.060にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て580−730℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W2CとW3Cの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
22. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.60−0.65にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.045−0.060にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て570−700℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W2CとW12Cの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
23. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.45−0.60にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.045−0.050にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て550−680℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W3CとW12Cの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
24. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.65−0.70にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.045−0.060にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て570−710℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W2CとW3CとW12Cの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
25. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.70−0.90にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.08−0.09にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て600−720℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物WCとタングステンの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
26. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.70−0.90にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.08−0.09にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て600−720℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W2Cとタングステンの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
27. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.60−0.65にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.055−0.070にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て560−700℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W3Cとタングステンの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
28. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.20−0.35にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.045−0.070にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て500−680℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W12Cとタングステンの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
29. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.35−0.60にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.05−0.07にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て500−680℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W3CとW12Cとタングステンの混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
30. 水素に対する炭素含有ガスの比率を1.50−1.70にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.10−0.12にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て750−850℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物WCと炭素の混合物を得ることを特徴とする上記15記載の方法。
31. タングステンの内側層とサブ炭化タングステンW12Cを含有する外側層で構成される被膜を基質、好適には建設用材料またはそれらから作られた品目の上に位置させる方法であって、下記の段階:
(a)前記基質を化学蒸着反応槽に入れ、
(b)前記反応槽に減圧排気を受けさせ、
(c)前記基質を加熱し、
(d)六フッ化タングステンと水素を前記反応槽に供給し、
(e)前記基質を前記気体状媒体中にタングステン層が前記基質上に生じるに必要な時間保持し、
(f)前記六フッ化タングステンと水素に加えて、前以て熱による活性化を受けさせておいた炭素含有ガスを前記反応槽に供給し、
(g)前記基質を段階(f)で生じさせた気体状媒体中に炭化タングステン、それらの互いの混合物、それとタングステンの混合物またはそれと遊離炭素の混合物を含有する外側層が生じるに必要な時間保持する、
段階を包含することを特徴とする方法。
32. 2−150kPaの反応槽圧力下、400−900℃の基質温度で、水素に対する炭素含有ガスの比率を0.2−1.7にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.02−0.12にして実施することを特徴とする上記31記載の方法。
33. 鉄、炭素鋼、ステンレス鋼、鋳鉄、チタン合金およびチタンを含有する硬質合金(超硬合金)を包含する群から選択される材料または前記材料から作られた品目に被膜を付着させるに先立ってそれらにフッ化水素に化学的耐性を示す材料、即ちニッケル、コバルト、銅、銀、金、白金、イリジウム、タンタル、モリブデンまたはそれらの合金、化合物または混合物で構成させた被膜を水溶液を用いた電気化学もしくは化学的沈着、溶融物の電気分解または物理的もしくは化学的蒸着で付着させておくことを特徴とする上記31記載の方法。
34. 水素に対する炭素含有ガスの比率を1.00−1.50にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.08−0.10にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て750−850℃の温度に加熱しておき、この場合、一炭化タングステンWCを含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
35. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.75−0.90にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.06−0.08にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て600−750℃の温度に加熱しておき、この場合、半炭化タングステンW2Cを含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
36. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.60−0.65にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.050−0.055にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て560−720℃の温度に加熱しておき、この場合、サブ炭化タングステンW3Cを含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
37. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.35−0.40にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.040−0.045にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て500−700℃の温度に加熱しておき、この場合、サブ炭化タングステンW12Cを含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
38. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.90−1.00にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.07−0.09にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て670−790℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物WCとW2Cの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
39. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.70−0.75にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.055−0.060にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て580−730℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W2CとW3Cの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
40. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.65−0.70にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.045−0.060にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て570−710℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W2CとW3CとW12Cの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
41. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.60−0.65にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.045−0.060にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て570−700℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W2CとW12Cの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
42. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.40−0.60にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.045−0.050にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て550−680℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W3CとW12Cの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
43. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.70−0.90にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.08−0.09にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て600−720℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W2Cとタングステンの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
44. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.60−0.65にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.055−0.070にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て560−700℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W3Cとタングステンの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
45. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.35−0.60にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.050−0.070にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て500−690℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W3CとW12Cとタングステンの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
46. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.20−0.35にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.045−0.070にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て500−680℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物W12Cとタングステンの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
47. 水素に対する炭素含有ガスの比率を0.70−0.90にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.08−0.09にして実施しそして前記炭素含有ガスを前以て600−720℃の温度に加熱しておき、この場合、炭化物WCとタングステンの混合物を含有する外側層を得ることを特徴とする上記32記載の方法。
48. 前記被膜を摩擦アセンブリ上に位置させることを特徴とする上記31から47のいずれか記載の方法。
49. 前記被膜を材料の加工で用いられる成形用工具上にプレス加工で位置させることを特徴とする上記31から47のいずれか記載の方法。
50. 前記被膜を圧縮気体もしくは液体または他の空気系もしくは油圧系で作動する機械または機構の構成要素または装置の上に位置させることを特徴とする上記31から47のいずれか記載の方法。
51. 材料であって、
− 建設用材料で作られた基質、
− 前記基質上に位置していて内側のタングステン層と0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を形成している炭化タングステンを含有する外側層で構成されている被膜、
を含んで成る材料。
52. 前記炭化タングステンが一炭化タングステンWCである上記51記載の材料。
53. 前記炭化タングステンが半炭化タングステンW2Cである上記51記載の材料。
54. 前記炭化タングステンがサブ炭化タングステンW3Cである上記51記載の材料。
55. 前記炭化タングステンがサブ炭化タングステンW12Cである上記51記載の材料。
56. 材料であって、
− 建設用材料で作られた基質、および
− 前記基質上に位置していて内側のタングステン層と0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を形成している少なくとも2種類の炭化タングステンの混合物を含有する外側層で構成されている被膜、
を含んで成る材料。
57. 前記被膜の外側層が炭化タングステンWCとW12Cの混合物を含有することを特徴とする上記56記載の材料。
58. 前記被膜の外側層が炭化タングステンW3CとW2Cの混合物を含有することを特徴とする上記56記載の材料。
59. 前記被膜の外側層が炭化タングステンW3CとW12Cの混合物を含有することを特徴とする上記56記載の材料。
60. 前記被膜の外側層が炭化タングステンW2CとW12Cの混合物を含有することを特徴とする上記56記載の材料。
61. 前記被膜の外側層が炭化タングステンW2CとW3CとW12Cの混合物を含有することを特徴とする上記56記載の材料。
62. 前記被膜の外側層が追加的にタングステンも含有することを特徴とする上記52−61記載の材料。
63. 前記被膜の外側層が追加的に炭素も含有することを特徴とする上記52−61記載の材料。
64. 前記被膜の内側層が0.5−300μmの厚みを有していて前記内側層の厚みと前記外側層の厚みの比率が1:1から1:600の範囲であることを特徴とする上記52から63記載の材料。
65. 前記被膜に隣接して位置する前記基質層がニッケル含有量が25重量%を越える合金、例えばInvar、Nichrome、Monelを含有することを特徴とする上記52から64記載の材料。
66. 上記31から47のいずれか記載の方法で得られる材料。
67. 多積層被膜であって、タングステンの層と上記1から6のいずれか記載の炭化タングステンを含有する層が交互に位置することで作られた多積層被膜。
68. 多積層被膜であって、タングステンの層と上記7記載の炭化タングステンを含有する層が交互に位置することで作られた多積層被膜。
69. 前記個々の層の厚みが2から10μmの範囲でありそして前記交互に位置する層の厚みの比率が1:1から1:5の範囲であることを特徴とする上記67−68記載の多積層被膜。
70. タングステンの層と炭化タングステンもしくは炭化タングステンの互いの混合物またはそれとタングステンの混合物またはそれと遊離炭素の混合物を含有する層を交互に位置させることで構成させた多積層被膜を基質、好適には建設用材料またはそれらから作られた品目の上に位置させる方法であって、下記の段階:
(a)前記基質を化学蒸着反応槽に入れ、
(b)前記反応槽に減圧排気を受けさせ、
(c)前記基質を加熱し、
(d)六フッ化タングステンと水素を前記反応槽に供給し、
(e)前記基質を前記気体状媒体中にタングステン層が前記基質上に生じるに必要な時間保持し、
(f)前記六フッ化タングステンと水素に加えて、前以て熱による活性化を受けさせておいた炭素含有ガスを前記反応槽に供給し、
(g)前記基質を段階(f)で生じさせた気体状媒体中に炭化タングステンもしくは炭化タングステンの互いの混合物またはそれとタングステンの混合物またはそれと遊離炭素の混合物を含有する外側層が生じるに必要な時間保持し、
段階(d)から(g)をタングステンの層と炭化タングステンを含有する層が交互に形成されるように数回繰り返す、
段階を包含する方法。
71. 2−150kPaの反応槽圧力下、400−900℃の基質温度で、水素に対する炭素含有ガスの比率を0.2−1.7にしかつ水素に対する六フッ化タングステンの比率を0.02−0.12にして実施することを特徴とする上記70記載の方法。
72. 鉄、炭素鋼、ステンレス鋼、鋳鉄、チタン合金およびチタンを含有する硬質合金(超硬合金)を包含する群から選択される材料または前記材料から作られた品目に被膜を付着させるに先立ってそれらにフッ化水素に化学的耐性を示す材料、即ちニッケル、コバルト、銅、銀、金、白金、イリジウム、タンタル、モリブデンまたはそれらの合金、化合物または混合物で構成させた被膜を水溶液を用いた電気化学もしくは化学的沈着、溶融物の電気分解または物理的もしくは化学的蒸着で付着させておくことを特徴とする上記70記載の方法。
73. 前記被膜を摩擦アセンブリ上に位置させることを特徴とする上記70から72のいずれか記載の方法。
74. 前記被膜を材料の加工で用いられる成形用工具上にプレス加工で位置させることを特徴とする上記70から72のいずれか記載の方法。
75. 前記被膜を圧縮気体もしくは液体または他の空気系もしくは油圧系で作動する機械または機構の装置の上に位置させることを特徴とする上記70から72のいずれか記載の方法。
76. 建設用材料であって、タングステンの層と0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を形成している炭化タングステンを含有する層が交互に存在することで構成された多積層被膜と基質を含んで成る建設用材料。
77. 前記炭化タングステンが一炭化タングステンWCである上記76記載の材料。
78. 前記炭化タングステンが半炭化タングステンW2Cである上記76記載の材料。
79. 前記炭化タングステンがサブ炭化タングステンW3Cである上記76記載の材料。
80. 前記炭化タングステンがサブ炭化タングステンW12Cである上記76記載の材料。
81. 建設用材料であって、タングステンの層と0.0005から0.5重量%の範囲の量のフッ素および場合により炭素含有量が15重量%以下でフッ素含有量が0.5重量%以下のフルオロカーボン組成物と一緒に合金を成している少なくとも2種類の炭化タングステンの混合物を含有する層が交互に存在することで構成された多積層被膜と基質を含んで成る建設用材料。
82. 前記炭化物層が炭化タングステンWCとW2Cの混合物を含有する上記81記載の材料。
83. 前記炭化物層が炭化タングステンW3CとW2Cの混合物を含有する上記81記載の材料。
84. 前記炭化物層が炭化タングステンW3CとW12Cの混合物を含有する上記81記載の材料。
85. 前記炭化物層が炭化タングステンW2CとW12Cの混合物を含有する上記81記載の材料。
86. 前記炭化物層が炭化タングステンW2CとW3CとW12Cの混合物を含有する上記81記載の材料。
87. 前記炭化物層が追加的にタングステンも含有することを特徴とする上記76から86のいずれか記載の材料。
88. 前記炭化物層が追加的に炭素も含有することを特徴とする上記76から86のいずれか記載の材料。
89. 前記層の厚みが2から10μmの範囲でありそして前記交互に存在する層の厚みの比率が1:1から1:5の範囲であることを特徴とする上記76から88のいずれか記載の材料。
90. 建設用材料であって、上記70から72記載の方法のいずれかを用いて得られた建設用材料。
JP2000598688A 1999-02-11 1999-02-11 炭化タングステン被膜およびそれの製造方法 Expired - Fee Related JP4456279B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU1999/000037 WO2000047796A1 (fr) 1999-02-11 1999-02-11 Revetements de carbure de tungstene et procede de production

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002536553A JP2002536553A (ja) 2002-10-29
JP2002536553A5 true JP2002536553A5 (ja) 2006-01-19
JP4456279B2 JP4456279B2 (ja) 2010-04-28

Family

ID=20130326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000598688A Expired - Fee Related JP4456279B2 (ja) 1999-02-11 1999-02-11 炭化タングステン被膜およびそれの製造方法

Country Status (24)

Country Link
US (1) US6800383B1 (ja)
EP (1) EP1158070B1 (ja)
JP (1) JP4456279B2 (ja)
KR (1) KR100603554B1 (ja)
CN (1) CN1150347C (ja)
AT (1) ATE408035T1 (ja)
AU (1) AU747585B2 (ja)
BR (1) BR9917267B1 (ja)
CA (1) CA2366500C (ja)
CZ (1) CZ300250B6 (ja)
DE (1) DE69939554D1 (ja)
EA (1) EA003063B1 (ja)
EE (1) EE200100421A (ja)
ES (1) ES2315012T3 (ja)
HK (1) HK1041908B (ja)
IS (1) IS6046A (ja)
MX (1) MXPA01008146A (ja)
NO (1) NO331513B1 (ja)
PL (1) PL190391B1 (ja)
SI (1) SI1158070T1 (ja)
SK (1) SK286721B6 (ja)
TR (1) TR200102340T2 (ja)
UA (1) UA66913C2 (ja)
WO (1) WO2000047796A1 (ja)

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6475276B1 (en) 1999-10-15 2002-11-05 Asm Microchemistry Oy Production of elemental thin films using a boron-containing reducing agent
US7419903B2 (en) 2000-03-07 2008-09-02 Asm International N.V. Thin films
ES2362265T3 (es) * 2000-03-15 2011-06-30 Hardide Limited Revestimiento de material compuesto adhesivo para diamante y materiales que contienen diamante y método para producir dicho revestimiento.
US6827796B2 (en) 2000-11-02 2004-12-07 Composite Tool Company, Inc. High strength alloys and methods for making same
DE10063717C1 (de) 2000-12-20 2002-02-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten durch Chemical Vapor Deposition
US9139906B2 (en) 2001-03-06 2015-09-22 Asm America, Inc. Doping with ALD technology
AU2002333601A1 (en) 2001-09-14 2003-04-01 Asm America, Inc. Metal nitride deposition by ald using gettering reactant
GB0207375D0 (en) 2002-03-28 2002-05-08 Hardide Ltd Cutting tool with hard coating
US7202166B2 (en) 2003-08-04 2007-04-10 Asm America, Inc. Surface preparation prior to deposition on germanium
US7405143B2 (en) 2004-03-25 2008-07-29 Asm International N.V. Method for fabricating a seed layer
GB0422608D0 (en) * 2004-10-12 2004-11-10 Hardide Ltd Alloyed tungsten produced by chemical vapour deposition
JP2008532271A (ja) 2005-02-22 2008-08-14 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 原子層堆積のための表面のプラズマ前処理
KR100664042B1 (ko) 2005-10-11 2007-01-03 엘지전자 주식회사 조리 기구
US8993055B2 (en) 2005-10-27 2015-03-31 Asm International N.V. Enhanced thin film deposition
EP1785506A1 (en) 2005-11-09 2007-05-16 Centre de compétence de l'Ind. Techn. (CRIF) - Kenniscentrum van de Tech. Ind. (WICM) Protective coating for casting moulds
US20100211180A1 (en) * 2006-03-21 2010-08-19 Jet Engineering, Inc. Tetrahedral Amorphous Carbon Coated Medical Devices
DE102006023396B4 (de) * 2006-05-17 2009-04-16 Man B&W Diesel A/S Verschleißschutzbeschichtung sowie Verwendung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
US8202335B2 (en) * 2006-10-10 2012-06-19 Us Synthetic Corporation Superabrasive elements, methods of manufacturing, and drill bits including same
US8268409B2 (en) 2006-10-25 2012-09-18 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition of metal carbide films
US7611751B2 (en) * 2006-11-01 2009-11-03 Asm America, Inc. Vapor deposition of metal carbide films
US7595270B2 (en) * 2007-01-26 2009-09-29 Asm America, Inc. Passivated stoichiometric metal nitride films
US7598170B2 (en) * 2007-01-26 2009-10-06 Asm America, Inc. Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films
US7713874B2 (en) 2007-05-02 2010-05-11 Asm America, Inc. Periodic plasma annealing in an ALD-type process
US8196682B2 (en) * 2007-07-13 2012-06-12 Baker Hughes Incorporated Earth boring bit with wear resistant bearing and seal
US8080324B2 (en) * 2007-12-03 2011-12-20 Kobe Steel, Ltd. Hard coating excellent in sliding property and method for forming same
KR101540077B1 (ko) 2008-04-16 2015-07-28 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 알루미늄 탄화수소 화합물들을 이용한 금속 카바이드 막들의 원자층 증착법
US7666474B2 (en) 2008-05-07 2010-02-23 Asm America, Inc. Plasma-enhanced pulsed deposition of metal carbide films
JP5353310B2 (ja) * 2009-03-05 2013-11-27 株式会社不二越 バナジウム含有被膜およびバナジウム含有被膜を被覆した金型または切削工具
US8383200B2 (en) * 2009-05-27 2013-02-26 GM Global Technology Operations LLC High hardness nanocomposite coatings on cemented carbide
US8592711B2 (en) * 2009-10-01 2013-11-26 George H. Lambert Apparatus and method of electronically impregnating a wear-resistant cutting edge
WO2011049816A2 (en) 2009-10-20 2011-04-28 Asm International N.V. Processes for passivating dielectric films
CN102234755B (zh) * 2010-04-23 2013-03-27 南京梅山冶金发展有限公司 一种覆有非晶态碳化钨涂层的新型冷轧活套辊
JP2011051890A (ja) * 2010-10-18 2011-03-17 Hardide Ltd ダイアモンド用およびダイアモンド含有材料用の接着性複合被膜および前記被膜の製造方法
GB201020098D0 (en) 2010-11-26 2011-01-12 Head Phillip Rotating impacting tool
US9145603B2 (en) 2011-09-16 2015-09-29 Baker Hughes Incorporated Methods of attaching a polycrystalline diamond compact to a substrate
US9314985B2 (en) 2011-09-27 2016-04-19 Kennametal Inc. Coated pelletizing extrusion dies and method for making the same
CN102560411A (zh) * 2012-01-10 2012-07-11 北京工业大学 一种钛合金表面抗烧蚀涂层的制备方法
US9309895B2 (en) 2012-06-18 2016-04-12 Kennametal Inc. Closed impeller with a coated vane
US20130337221A1 (en) 2012-06-18 2013-12-19 Kennametal Inc. Coated member for movement relative to a surface and method for making the coated member
BR102012024729B1 (pt) 2012-09-27 2020-05-19 Mahle Int Gmbh anel de controle de óleo de três peças para motores de combustão interna, elemento expansor e elemento anelar
US20140113453A1 (en) * 2012-10-24 2014-04-24 Lam Research Corporation Tungsten carbide coated metal component of a plasma reactor chamber and method of coating
BR102012028060A2 (pt) * 2012-10-31 2014-06-24 Mahle Metal Leve Sa Válvula para motores de combustão interna
US9412602B2 (en) 2013-03-13 2016-08-09 Asm Ip Holding B.V. Deposition of smooth metal nitride films
US8846550B1 (en) 2013-03-14 2014-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silane or borane treatment of metal thin films
US8841182B1 (en) 2013-03-14 2014-09-23 Asm Ip Holding B.V. Silane and borane treatments for titanium carbide films
GB2509790B (en) 2013-03-27 2015-02-25 Hardide Plc Superabrasive material with protective adhesive coating and method for producing said coating
CN103451527A (zh) * 2013-09-25 2013-12-18 常熟市金马模具有限公司 一种耐高温模具
US9840765B2 (en) 2013-10-16 2017-12-12 General Electric Company Systems and method of coating an interior surface of an object
US9111734B2 (en) 2013-10-31 2015-08-18 General Electric Company Systems and method of coating an interior surface of an object
US9394609B2 (en) 2014-02-13 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of aluminum fluoride thin films
US10643925B2 (en) 2014-04-17 2020-05-05 Asm Ip Holding B.V. Fluorine-containing conductive films
US10002936B2 (en) 2014-10-23 2018-06-19 Asm Ip Holding B.V. Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films
US9875890B2 (en) * 2015-03-24 2018-01-23 Lam Research Corporation Deposition of metal dielectric film for hardmasks
US9941425B2 (en) 2015-10-16 2018-04-10 Asm Ip Holdings B.V. Photoactive devices and materials
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786492B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
TWI720106B (zh) * 2016-01-16 2021-03-01 美商應用材料股份有限公司 Pecvd含鎢硬遮罩膜及製造方法
KR102378021B1 (ko) 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
US10186420B2 (en) 2016-11-29 2019-01-22 Asm Ip Holding B.V. Formation of silicon-containing thin films
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
US10504901B2 (en) 2017-04-26 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured using the same
US11158500B2 (en) 2017-05-05 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films
CN107104338A (zh) * 2017-05-19 2017-08-29 北京中航路通科技有限公司 一种接地装置使用的摩擦盘
CN107130227B (zh) * 2017-07-06 2019-08-06 北京理工大学 一种超细纳米晶碳化钨涂层及其制备方法
GB2568063B (en) 2017-11-02 2019-10-30 Hardide Plc Water droplet erosion resistant coatings for turbine blades and other components
US10991573B2 (en) 2017-12-04 2021-04-27 Asm Ip Holding B.V. Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces
EP3769882A4 (en) * 2018-03-19 2021-08-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. SURFACE COATED CUTTING TOOL
JP6798627B2 (ja) * 2018-03-19 2020-12-09 住友電気工業株式会社 表面被覆切削工具
US20200171581A1 (en) * 2018-03-19 2020-06-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Surface-coated cutting tool
CN110878410A (zh) * 2018-09-06 2020-03-13 深圳精匠云创科技有限公司 3d玻璃硬质合金模具及其制作方法
US10994379B2 (en) 2019-01-04 2021-05-04 George H. Lambert Laser deposition process for a self sharpening knife cutting edge
CN110735126B (zh) * 2019-10-24 2021-09-14 江苏亿阀股份有限公司 一种在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2962388A (en) * 1954-03-12 1960-11-29 Metallgesellschaft Ag Process for the production of titanium carbide coatings
US3368914A (en) * 1964-08-05 1968-02-13 Texas Instruments Inc Process for adherently depositing a metal carbide on a metal substrate
US3389977A (en) * 1964-08-05 1968-06-25 Texas Instruments Inc Tungsten carbide coated article of manufacture
GB1326769A (en) * 1970-10-08 1973-08-15 Fulmer Res Inst Ltd Formulation of tungsten and molybdenum carbides
JPS54152281A (en) * 1978-05-22 1979-11-30 Mitsubishi Metal Corp Surface-coated tool component and manufacturing method
JPS5939242B2 (ja) * 1978-07-31 1984-09-21 三菱マテリアル株式会社 表面被覆工具部品
JPS6184375A (ja) * 1984-09-29 1986-04-28 Toho Kinzoku Kk 化学蒸着法
JPS61157681A (ja) * 1984-12-28 1986-07-17 Toho Kinzoku Kk 化学蒸着法
GB8521406D0 (en) * 1985-08-28 1985-10-02 Atomic Energy Authority Uk Coatings
US4910091A (en) * 1987-09-03 1990-03-20 Air Products And Chemicals, Inc. High hardness fine grained tungsten-carbon alloys
US4874642A (en) * 1987-09-03 1989-10-17 Air Products And Chemicals, Inc. Method for depositing a hard, fine-grained, non-columnar alloy of tungsten and carbon on a substrate
US4945640A (en) * 1987-09-03 1990-08-07 Diwakar Garg Wear resistant coating for sharp-edged tools and the like
US5006371A (en) * 1988-02-08 1991-04-09 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature chemical vapor deposition method for forming tungsten and tungsten carbide
JPH0643243B2 (ja) * 1988-03-10 1994-06-08 セントラル硝子株式会社 タングステンカーバイトの製造方法
JP2537276B2 (ja) * 1988-09-30 1996-09-25 セントラル硝子株式会社 耐摩耗性アルミニウム材料およびその製造法
US5145739A (en) * 1990-07-12 1992-09-08 Sarin Vinod K Abrasion resistant coated articles
JPH04254585A (ja) * 1991-02-04 1992-09-09 Central Glass Co Ltd タングステンカーバイト膜の形成方法
GB9223300D0 (en) 1992-11-06 1992-12-23 Courtaulds Coatings Holdings Powder coating compositions and their use
JPH06173009A (ja) * 1992-12-04 1994-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 耐摩耗性に優れた被覆超硬合金及びその製造方法
RU2106429C1 (ru) * 1997-03-28 1998-03-10 Вячеслав Алексеевич Рыженков Способ нанесения многослойного износостойкого покрытия на изделия из железных и титановых сплавов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002536553A5 (ja)
JP4456279B2 (ja) 炭化タングステン被膜およびそれの製造方法
US6358428B1 (en) Method of etching
US6447890B1 (en) Coatings for cutting tools
US4282289A (en) Method of preparing coated cemented carbide product and resulting product
US7195817B2 (en) Diamond coated article and method of its production
JPH06173009A (ja) 耐摩耗性に優れた被覆超硬合金及びその製造方法
EP1192050B1 (en) Substrate treatment method
CN113718195A (zh) 一种耐高压抗磨蚀防护复合涂层及其制备方法与应用
GB2107742A (en) Coating nickel containing alloys with titanium compounds
US4485149A (en) Highly temperature-resistant, wear-resistant workpieces and method for their manufacture
KR100791112B1 (ko) 절삭공구용 고경도 cvd 다원소 복합막
NZ513944A (en) Tungsten carbide coatings and method for producing the same
JPS6254395B2 (ja)
Hale Coated product with oxide wear layer
JPS60104328A (ja) 積層材料及びその製造方法