JP2002323705A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
電気光学装置および電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストの増大を最小限に抑えながら、光
拡散機能を備えた光反射膜を好適な状態に形成すること
のできる電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を
提供すること。 【解決手段】 アクティブマトリクス型の反射型あるい
は半透過・半反射型の電気光学装置１００において、ア
レイ基板１０では、光反射膜８ａの表面には、下地保護
膜１１ａ、ゲート絶縁膜２ａ、走査線３ａ、第１層間絶
縁膜４ａ、データ線６ａ、第２層間絶縁膜５ａと同層の
薄膜が所定パターンで残された凹凸形成用薄膜１１ｇ、
２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇの段差や凹凸によって形
成された凹凸パターン８ｇが形成されているので、対向
基板２０から入射した光を拡散させながら、対向基板２
０に向けて反射させることができる。
拡散機能を備えた光反射膜を好適な状態に形成すること
のできる電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を
提供すること。 【解決手段】 アクティブマトリクス型の反射型あるい
は半透過・半反射型の電気光学装置１００において、ア
レイ基板１０では、光反射膜８ａの表面には、下地保護
膜１１ａ、ゲート絶縁膜２ａ、走査線３ａ、第１層間絶
縁膜４ａ、データ線６ａ、第２層間絶縁膜５ａと同層の
薄膜が所定パターンで残された凹凸形成用薄膜１１ｇ、
２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇの段差や凹凸によって形
成された凹凸パターン８ｇが形成されているので、対向
基板２０から入射した光を拡散させながら、対向基板２
０に向けて反射させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置、お
よびそれを用いた電子機器に関するものである。さらに
詳しくは、当該電気光学装置における画素の構成に関す
るものである。
よびそれを用いた電子機器に関するものである。さらに
詳しくは、当該電気光学装置における画素の構成に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶装置などの電気光学装置は、各種機
器の直視型の表示装置として用いられている。このよう
な電気光学装置のうち、画素スイッチング用の非線形素
子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶
装置では、図２１に示すように、電気光学物質としての
液晶５０を挟持するＴＦＴアレイ基板１０および対向基
板２０のうち、ＴＦＴアレイ基板１０の方には、画素ス
イッチング用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ／Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３０と、このＴＦＴ
３０を介してデータ線６ａに電気的に接続するＩＴＯ膜
などの透明導電性膜からなる画素電極９ａとが形成され
ている。
器の直視型の表示装置として用いられている。このよう
な電気光学装置のうち、画素スイッチング用の非線形素
子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶
装置では、図２１に示すように、電気光学物質としての
液晶５０を挟持するＴＦＴアレイ基板１０および対向基
板２０のうち、ＴＦＴアレイ基板１０の方には、画素ス
イッチング用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ／Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３０と、このＴＦＴ
３０を介してデータ線６ａに電気的に接続するＩＴＯ膜
などの透明導電性膜からなる画素電極９ａとが形成され
ている。
【０００３】液晶装置のうち、反射型あるいは半透過・
半反射型のものでは、対向基板２０の側から入射してき
た外光を対向基板２０の方に向けて反射するための光反
射膜８ａが画素電極９ａの下層側に形成され、対向基板
２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射
し、対向基板１０側から出射された光によって画像を表
示する方式が主流である。なお、対向基板２０の側に光
反射膜を形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０側
から入射した外光を対向基板２０側で反射し、ＴＦＴア
レイ基板１０側から出射された光によって画像を表示す
ることも可能であるが、このような構成の場合、ＴＦＴ
アレイ基板１０を光が透過することになるため、ＴＦＴ
３０の形成領域などでは光が透過しないので、明るい表
示を行うという点で不利である。また、アレイ基板１
０、対向基板２０の液晶５０と逆側に反射板を設ける構
造も考えられるが、明るさと視差の問題から表示品質は
上記のような内面電極構造に比べて一般的にかなり落ち
る。
半反射型のものでは、対向基板２０の側から入射してき
た外光を対向基板２０の方に向けて反射するための光反
射膜８ａが画素電極９ａの下層側に形成され、対向基板
２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射
し、対向基板１０側から出射された光によって画像を表
示する方式が主流である。なお、対向基板２０の側に光
反射膜を形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０側
から入射した外光を対向基板２０側で反射し、ＴＦＴア
レイ基板１０側から出射された光によって画像を表示す
ることも可能であるが、このような構成の場合、ＴＦＴ
アレイ基板１０を光が透過することになるため、ＴＦＴ
３０の形成領域などでは光が透過しないので、明るい表
示を行うという点で不利である。また、アレイ基板１
０、対向基板２０の液晶５０と逆側に反射板を設ける構
造も考えられるが、明るさと視差の問題から表示品質は
上記のような内面電極構造に比べて一般的にかなり落ち
る。
【０００４】このような反射型あるいは半透過・半反射
型の液晶装置において、光反射膜８ａで反射された光の
方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなど
の視野角依存性が顕著に出てくる。そこで、従来は、液
晶装置を製造する際、第２層間絶縁膜５ａ（表面保護
膜）の表面に、アクリル樹脂などといった感光性樹脂を
８００ｎｍ〜１５００ｎｍの厚さに塗布した後、この感
光性樹脂をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニン
グすることによって、光反射膜８ａの下層側のうち、光
反射膜８ａと平面的に重なる領域に、凹凸形成用感光性
樹脂層１３を所定のパターンで選択的に残すことによ
り、その上層側に形成される光反射膜８ａの表面に凹凸
パターン８ｇを形成している。
型の液晶装置において、光反射膜８ａで反射された光の
方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなど
の視野角依存性が顕著に出てくる。そこで、従来は、液
晶装置を製造する際、第２層間絶縁膜５ａ（表面保護
膜）の表面に、アクリル樹脂などといった感光性樹脂を
８００ｎｍ〜１５００ｎｍの厚さに塗布した後、この感
光性樹脂をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニン
グすることによって、光反射膜８ａの下層側のうち、光
反射膜８ａと平面的に重なる領域に、凹凸形成用感光性
樹脂層１３を所定のパターンで選択的に残すことによ
り、その上層側に形成される光反射膜８ａの表面に凹凸
パターン８ｇを形成している。
【０００５】このため、対向基板２０から入射した光
は、光反射膜８ａの表面で、拡散しながら反射して対向
基板２０に向かうので、液晶装置で表示される画像の視
野角依存性を抑えることができる。
は、光反射膜８ａの表面で、拡散しながら反射して対向
基板２０に向かうので、液晶装置で表示される画像の視
野角依存性を抑えることができる。
【０００６】なお、ここでは、画素スイッチング用のア
クティブ素子としてＴＦＴを例として示したが、アクテ
ィブ素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒＭｅｔａｌ）素子などの薄膜ダイオード素子（ＴＦＤ
素子／Ｔｈｉｎ ＦｉｌｍＤｉｏｄｅ素子）を用いても
一向に構わない。
クティブ素子としてＴＦＴを例として示したが、アクテ
ィブ素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒＭｅｔａｌ）素子などの薄膜ダイオード素子（ＴＦＤ
素子／Ｔｈｉｎ ＦｉｌｍＤｉｏｄｅ素子）を用いても
一向に構わない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶装置のように、凹凸形成用感光性樹脂層１３によっ
て光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇを形成する方
法では、感光性樹脂を塗布する工程を追加しなければな
らないため、製造コストが増大するという問題点があ
る。また、この塗布した感光性樹脂をフォトリソグラフ
ィ技術を用いて凹凸形成用感光性樹脂層１３として選択
的に残すための工程も追加する必要があるため、製造コ
ストが増大するという問題点がある。
液晶装置のように、凹凸形成用感光性樹脂層１３によっ
て光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇを形成する方
法では、感光性樹脂を塗布する工程を追加しなければな
らないため、製造コストが増大するという問題点があ
る。また、この塗布した感光性樹脂をフォトリソグラフ
ィ技術を用いて凹凸形成用感光性樹脂層１３として選択
的に残すための工程も追加する必要があるため、製造コ
ストが増大するという問題点がある。
【０００８】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
製造コストの増大を最小限に抑えながら、光拡散機能を
備えた光反射膜を好適な状態に形成することのできる電
気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供するこ
とにある。
製造コストの増大を最小限に抑えながら、光拡散機能を
備えた光反射膜を好適な状態に形成することのできる電
気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、電気光学物質を挟持する基板上には、
各画素毎に少なくとも、一つ又は複数の配線に電気的に
接続する画素スイッチング用のアクティブ素子と、光反
射膜とを備えた電気光学装置において、前記光反射膜の
下層側のうち、当該光反射膜と平面的に重なる領域に
は、前記一つ又は複数の配線、およびそれらの配線の層
間又は上層又は下層に形成された絶縁膜のうちの少なく
とも１層と同層の薄膜が所定のパターンで選択的に形成
された凹凸形成用薄膜と、当該凹凸形成用薄膜の非形成
領域とが設けられ、前記光反射膜の表面には、前記凹凸
形成用薄膜の形成領域と非形成領域とによって凹凸パタ
ーンが形成されていることを特徴とする。
に、本発明では、電気光学物質を挟持する基板上には、
各画素毎に少なくとも、一つ又は複数の配線に電気的に
接続する画素スイッチング用のアクティブ素子と、光反
射膜とを備えた電気光学装置において、前記光反射膜の
下層側のうち、当該光反射膜と平面的に重なる領域に
は、前記一つ又は複数の配線、およびそれらの配線の層
間又は上層又は下層に形成された絶縁膜のうちの少なく
とも１層と同層の薄膜が所定のパターンで選択的に形成
された凹凸形成用薄膜と、当該凹凸形成用薄膜の非形成
領域とが設けられ、前記光反射膜の表面には、前記凹凸
形成用薄膜の形成領域と非形成領域とによって凹凸パタ
ーンが形成されていることを特徴とする。
【００１０】本発明では、光反射膜の下層側のうち、光
反射膜と平面的に重なる領域には、前記一つ又は複数の
配線、およびそれらの配線の層間又は上層又は下層に形
成された絶縁膜のうちの少なくとも１層と同層の薄膜を
凹凸形成用薄膜として所定のパターンで選択的に形成
し、この凹凸形成用薄膜形成の有無に起因する段差、凹
凸を利用して、光反射膜の表面に凹凸パターンを形成す
る。ここで、前記一つ又は複数の配線およびそれらの配
線の層間又は上層又は下層に形成された絶縁膜は、光反
射膜に凹凸を付すか否かに関わらず、必ず、形成されて
いるもので、それらは、基板の表面全体に所定の薄膜を
形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングするなどの方法により形成されるものである。この
ため、前記一つ又は複数の配線およびそれらの配線の層
間又は上層又は下層に形成された絶縁膜を形成する工程
をそのまま援用して、それらと同層の凹凸形成用薄膜を
所定のパターンで選択的に形成することができる。従っ
て、成膜工程を追加する追加することなく、光拡散機能
を備えた光反射膜を形成することができる。また、基板
上にアクティブ素子を形成する領域を避けて凹凸形成用
薄膜を形成することも容易であるので、アクティブ素子
を形成するための微細加工を行うのに支障がない。
反射膜と平面的に重なる領域には、前記一つ又は複数の
配線、およびそれらの配線の層間又は上層又は下層に形
成された絶縁膜のうちの少なくとも１層と同層の薄膜を
凹凸形成用薄膜として所定のパターンで選択的に形成
し、この凹凸形成用薄膜形成の有無に起因する段差、凹
凸を利用して、光反射膜の表面に凹凸パターンを形成す
る。ここで、前記一つ又は複数の配線およびそれらの配
線の層間又は上層又は下層に形成された絶縁膜は、光反
射膜に凹凸を付すか否かに関わらず、必ず、形成されて
いるもので、それらは、基板の表面全体に所定の薄膜を
形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングするなどの方法により形成されるものである。この
ため、前記一つ又は複数の配線およびそれらの配線の層
間又は上層又は下層に形成された絶縁膜を形成する工程
をそのまま援用して、それらと同層の凹凸形成用薄膜を
所定のパターンで選択的に形成することができる。従っ
て、成膜工程を追加する追加することなく、光拡散機能
を備えた光反射膜を形成することができる。また、基板
上にアクティブ素子を形成する領域を避けて凹凸形成用
薄膜を形成することも容易であるので、アクティブ素子
を形成するための微細加工を行うのに支障がない。
【００１１】なお、ここでいうアクティブ素子は、ＭＩ
Ｍ構造などを備えるＴＦＤ素子などといった非線形２端
子素子であってもよいし、ＴＦＴであってもよい。ま
た、ＴＦＴであれば、アモルファスＳｉを能動層に用い
ても、ポリシリコンＳｉを能動層に用いても構わない
し、逆スタガ型、順スタガ型、コプレーナー型いずれの
構造であっても差し支えない。
Ｍ構造などを備えるＴＦＤ素子などといった非線形２端
子素子であってもよいし、ＴＦＴであってもよい。ま
た、ＴＦＴであれば、アモルファスＳｉを能動層に用い
ても、ポリシリコンＳｉを能動層に用いても構わない
し、逆スタガ型、順スタガ型、コプレーナー型いずれの
構造であっても差し支えない。
【００１２】本発明において、前記光反射膜の下層側、
かつ、前記凹凸形成用薄膜よりも上層側には平坦化膜が
形成されていることが好ましい。このように構成する
と、凹凸形成用薄膜の有無に起因する段差や凹凸が、平
坦化膜によってエッジのない、なだらかな形状になって
光反射膜の表面に凹凸パターンとして反映されるので、
エッジに起因する視野角依存性の発生を防止することが
できる。
かつ、前記凹凸形成用薄膜よりも上層側には平坦化膜が
形成されていることが好ましい。このように構成する
と、凹凸形成用薄膜の有無に起因する段差や凹凸が、平
坦化膜によってエッジのない、なだらかな形状になって
光反射膜の表面に凹凸パターンとして反映されるので、
エッジに起因する視野角依存性の発生を防止することが
できる。
【００１３】ここで、前記平坦化膜の平均膜厚は、前記
凹凸パターンにおける高低差の１／２倍から２倍までの
範囲であることが好ましい。前記平坦化膜の平均膜厚が
凹凸パターンの高低差の２倍を超えると、平坦化膜によ
って凹凸が消去されてしまい、正反射成分が強すぎて、
明るい画像が得られる代わりに画像の視野角依存性が強
まってしまう。これに対して、前記平坦化膜の膜厚が凹
凸パターンの高低差の１／２倍未満では、平坦化膜によ
ってエッジを確実に消去できず、エッジに起因する視野
角依存性が発生してしまう。それ故、前記平坦化膜の膜
厚を前記凹凸パターンにおける高低差の１／２倍から２
倍までの範囲に設定すると、視野角依存性を抑えること
ができるとともに、画像の明るさも確保することができ
る。
凹凸パターンにおける高低差の１／２倍から２倍までの
範囲であることが好ましい。前記平坦化膜の平均膜厚が
凹凸パターンの高低差の２倍を超えると、平坦化膜によ
って凹凸が消去されてしまい、正反射成分が強すぎて、
明るい画像が得られる代わりに画像の視野角依存性が強
まってしまう。これに対して、前記平坦化膜の膜厚が凹
凸パターンの高低差の１／２倍未満では、平坦化膜によ
ってエッジを確実に消去できず、エッジに起因する視野
角依存性が発生してしまう。それ故、前記平坦化膜の膜
厚を前記凹凸パターンにおける高低差の１／２倍から２
倍までの範囲に設定すると、視野角依存性を抑えること
ができるとともに、画像の明るさも確保することができ
る。
【００１４】本発明において、前記凹凸形成用薄膜は、
１層のみであってもよいが、２層以上、形成されている
ことが好ましい。光反射膜の表面に十分な高低差を有す
る凹凸パターンを形成するには、可視光領域の波長と同
等の厚さを有した凹凸形成用薄膜を形成する必要がある
が、通常、ＴＦＴにはそれほど分厚い薄膜が形成されな
い。しかるに、前記凹凸形成用薄膜を２層以上、形成す
れば、薄膜が薄い場合でも、光反射膜の表面に十分な高
低差を有する凹凸パターンを形成することができる。
１層のみであってもよいが、２層以上、形成されている
ことが好ましい。光反射膜の表面に十分な高低差を有す
る凹凸パターンを形成するには、可視光領域の波長と同
等の厚さを有した凹凸形成用薄膜を形成する必要がある
が、通常、ＴＦＴにはそれほど分厚い薄膜が形成されな
い。しかるに、前記凹凸形成用薄膜を２層以上、形成す
れば、薄膜が薄い場合でも、光反射膜の表面に十分な高
低差を有する凹凸パターンを形成することができる。
【００１５】本発明においては、例えば、前記凹凸形成
用薄膜には、少なくとも、前記配線のうち一つと同層の
導電膜が含まれている構成を採用することができる。こ
の場合、前記配線のうちの一つと同層の導電膜からなる
前記凹凸形成用薄膜は、前記配線と電気的に分離されて
いることが好ましい。
用薄膜には、少なくとも、前記配線のうち一つと同層の
導電膜が含まれている構成を採用することができる。こ
の場合、前記配線のうちの一つと同層の導電膜からなる
前記凹凸形成用薄膜は、前記配線と電気的に分離されて
いることが好ましい。
【００１６】本発明において、前記アクティブ素子は、
例えば、ＴＦＴ又はＴＦＤ素子であり、この場合、前記
配線のうちの一つは走査線である。
例えば、ＴＦＴ又はＴＦＤ素子であり、この場合、前記
配線のうちの一つは走査線である。
【００１７】本発明において、前記アクティブ素子がＴ
ＦＴである場合、前記凹凸形成用薄膜には、少なくと
も、走査線またはゲート電極と同層の導電膜が含まれて
いる。このような走査線やゲート電極は、基板の表面全
体に導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用
いてパターニングすることにより形成されるものであ
る。このため、走査線またはゲート電極を形成する工程
をそのまま援用して、走査線またはゲート電極と同層の
凹凸形成用薄膜を所定のパターンで選択的に形成するこ
とができるので、光反射膜の表面に凹凸パターンを形成
するのに新たな工程を追加する必要がない。
ＦＴである場合、前記凹凸形成用薄膜には、少なくと
も、走査線またはゲート電極と同層の導電膜が含まれて
いる。このような走査線やゲート電極は、基板の表面全
体に導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用
いてパターニングすることにより形成されるものであ
る。このため、走査線またはゲート電極を形成する工程
をそのまま援用して、走査線またはゲート電極と同層の
凹凸形成用薄膜を所定のパターンで選択的に形成するこ
とができるので、光反射膜の表面に凹凸パターンを形成
するのに新たな工程を追加する必要がない。
【００１８】この場合、前記走査線または前記ゲート電
極と同層の導電膜からなる前記凹凸形成用薄膜を、前記
走査線および前記ゲート電極と電気的に分離しておき、
走査線が凹凸形成用薄膜を介して他の構成要素と短絡状
態になる、あるいは容量結合をおこすことを防止するこ
とが好ましい。
極と同層の導電膜からなる前記凹凸形成用薄膜を、前記
走査線および前記ゲート電極と電気的に分離しておき、
走査線が凹凸形成用薄膜を介して他の構成要素と短絡状
態になる、あるいは容量結合をおこすことを防止するこ
とが好ましい。
【００１９】本発明において、前記アクティブ素子がＴ
ＦＴである場合、前記凹凸形成用薄膜には、少なくと
も、データ線またはソース電極と同層の導電膜が含まれ
ている構成を採用することができる。このようなデータ
線やソース電極も、走査線やゲート電極と同様、基板の
表面全体に導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技
術を用いてパターニングすることにより形成されるもの
である。このため、ソース電極を形成する工程をそのま
ま援用して、データ線またはソース電極と同層の凹凸形
成用薄膜を所定のパターンで選択的に形成することがで
きるので、光反射膜の表面に凹凸パターンを形成するの
に新たな工程を追加する必要がない。
ＦＴである場合、前記凹凸形成用薄膜には、少なくと
も、データ線またはソース電極と同層の導電膜が含まれ
ている構成を採用することができる。このようなデータ
線やソース電極も、走査線やゲート電極と同様、基板の
表面全体に導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技
術を用いてパターニングすることにより形成されるもの
である。このため、ソース電極を形成する工程をそのま
ま援用して、データ線またはソース電極と同層の凹凸形
成用薄膜を所定のパターンで選択的に形成することがで
きるので、光反射膜の表面に凹凸パターンを形成するの
に新たな工程を追加する必要がない。
【００２０】この場合、例えば、前記データ線および前
記ソース電極と同層の導電膜からなる前記凹凸形成用薄
膜を、前記データ線および前記ソース電極と電気的に分
離しておき、データ線やソース電極が凹凸形成用薄膜を
介して他の構成要素と短絡状態になることを防止するこ
とが好ましい。
記ソース電極と同層の導電膜からなる前記凹凸形成用薄
膜を、前記データ線および前記ソース電極と電気的に分
離しておき、データ線やソース電極が凹凸形成用薄膜を
介して他の構成要素と短絡状態になることを防止するこ
とが好ましい。
【００２１】このような構成を採用する場合、前記導電
膜の膜厚は、それぞれ５００ｎｍ以上であることが好ま
しい。
膜の膜厚は、それぞれ５００ｎｍ以上であることが好ま
しい。
【００２２】本発明において、前記導電膜は、少なくと
も厚さ寸法の１／２に相当する部分がアルミニウム膜、
タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいず
れかを主成分とする合金膜からなることが好ましい。ま
た、これらの導電膜は、ドライエッチングにより加工さ
れることが好ましい。前記凹凸形成薄膜を導電膜から形
成する場合、この導電膜を分厚く形成することになる
が、このような金属材料であれば、膜の応力が比較的低
い上に成膜速度が速く、かつ、ドライエッチングにより
テーパー形状を容易に制御しながらパターニングできる
という利点がある。
も厚さ寸法の１／２に相当する部分がアルミニウム膜、
タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいず
れかを主成分とする合金膜からなることが好ましい。ま
た、これらの導電膜は、ドライエッチングにより加工さ
れることが好ましい。前記凹凸形成薄膜を導電膜から形
成する場合、この導電膜を分厚く形成することになる
が、このような金属材料であれば、膜の応力が比較的低
い上に成膜速度が速く、かつ、ドライエッチングにより
テーパー形状を容易に制御しながらパターニングできる
という利点がある。
【００２３】本発明において、前記凹凸形成用薄膜に
は、少なくとも、絶縁膜が含まれている構成を採用して
もよい。
は、少なくとも、絶縁膜が含まれている構成を採用して
もよい。
【００２４】本発明において、前記アクティブ素子が薄
膜トランジスタである場合には、前記凹凸形成用薄膜に
は、例えば、少なくとも、前記絶縁膜としてのゲート・
ソース間の絶縁のための層間絶縁膜が含まれている構成
を採用すればよい。このような層間絶縁膜は、基板の表
面全体に絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術
を用いてパターニングしてコンタクトホールが形成され
るものである。このため、層間絶縁膜およびコンタクト
ホールを形成する工程をそのまま援用して、層間絶縁膜
と同層の凹凸形成用薄膜を所定のパターンで選択的に形
成することができるので、光反射膜の表面に凹凸パター
ンを形成するのに新たな工程を追加する必要がない。
膜トランジスタである場合には、前記凹凸形成用薄膜に
は、例えば、少なくとも、前記絶縁膜としてのゲート・
ソース間の絶縁のための層間絶縁膜が含まれている構成
を採用すればよい。このような層間絶縁膜は、基板の表
面全体に絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術
を用いてパターニングしてコンタクトホールが形成され
るものである。このため、層間絶縁膜およびコンタクト
ホールを形成する工程をそのまま援用して、層間絶縁膜
と同層の凹凸形成用薄膜を所定のパターンで選択的に形
成することができるので、光反射膜の表面に凹凸パター
ンを形成するのに新たな工程を追加する必要がない。
【００２５】本発明において、前記凹凸形成用薄膜に
は、例えば、前記絶縁膜として前記アクティブ素子の下
層側に形成された下地保護膜が含まれている構成であっ
てもよい。この下地保護膜は、アクティブ素子ならびに
配線を保護するために形成されているものであるため、
凹凸形成用薄膜を形成する場合でも、成膜工程を追加す
る必要がない。また、下地保護膜の上層側には、ゲート
絶縁膜や層間絶縁膜が形成されるので、これらのゲート
絶縁膜や層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する際、
その工程をそのまま援用して、下地保護膜をパターニン
グすることが可能である。それ故、他の工程を援用して
下地保護膜と同層の凹凸形成用薄膜を所定のパターンで
選択的に形成することも可能であるので、光反射膜の表
面に凹凸パターンを形成するのに新たな工程を一切、追
加する必要がない。
は、例えば、前記絶縁膜として前記アクティブ素子の下
層側に形成された下地保護膜が含まれている構成であっ
てもよい。この下地保護膜は、アクティブ素子ならびに
配線を保護するために形成されているものであるため、
凹凸形成用薄膜を形成する場合でも、成膜工程を追加す
る必要がない。また、下地保護膜の上層側には、ゲート
絶縁膜や層間絶縁膜が形成されるので、これらのゲート
絶縁膜や層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する際、
その工程をそのまま援用して、下地保護膜をパターニン
グすることが可能である。それ故、他の工程を援用して
下地保護膜と同層の凹凸形成用薄膜を所定のパターンで
選択的に形成することも可能であるので、光反射膜の表
面に凹凸パターンを形成するのに新たな工程を一切、追
加する必要がない。
【００２６】本発明において、前記凹凸形成用薄膜に
は、例えば、前記絶縁膜として前記アクティブ素子なら
びに配線の上層側に形成された保護絶縁膜が含まれてい
る構成であってもよい。この保護絶縁膜は、アクティブ
素子ならびに配線を保護するために形成した後、フォト
リソグラフィ技術を用いてパターニングしてコンタクト
ホールが形成されるものであるため、凹凸形成用薄膜を
形成する場合でも、成膜工程ならびにパターニング工程
を追加する必要がない。
は、例えば、前記絶縁膜として前記アクティブ素子なら
びに配線の上層側に形成された保護絶縁膜が含まれてい
る構成であってもよい。この保護絶縁膜は、アクティブ
素子ならびに配線を保護するために形成した後、フォト
リソグラフィ技術を用いてパターニングしてコンタクト
ホールが形成されるものであるため、凹凸形成用薄膜を
形成する場合でも、成膜工程ならびにパターニング工程
を追加する必要がない。
【００２７】本発明において、前記絶縁膜は、少なくと
も厚さ寸法の１／２に相当する部分がシリコン酸化膜か
らなることが好ましい。前記凹凸形成薄膜を絶縁膜から
形成する場合、この絶縁膜を分厚く形成することになる
が、シリコン酸化膜であれば、膜の応力が比較的低い上
に成膜速度が速く、かつ、ドライエッチングにより良好
な形状にパターニングできるという利点がある。
も厚さ寸法の１／２に相当する部分がシリコン酸化膜か
らなることが好ましい。前記凹凸形成薄膜を絶縁膜から
形成する場合、この絶縁膜を分厚く形成することになる
が、シリコン酸化膜であれば、膜の応力が比較的低い上
に成膜速度が速く、かつ、ドライエッチングにより良好
な形状にパターニングできるという利点がある。
【００２８】本発明において、前記アクティブ素子がＴ
ＦＴであり、層間絶縁膜と同層の薄膜を凹凸形成用薄膜
として用いる場合、少なくとも前記凹凸パターンを構成
する凹部に対しては前記ＴＦＴの能動層と同層の半導体
膜が平面的に重なっていることが好ましい。凹凸パター
ンに凹部に相当する領域に対しては、層間絶縁膜と同層
の薄膜をエッチング除去する際、この領域の下地の膜あ
るいは基板材料もエッチング液あるいはエッチングガス
にさらされるおそれがあるが、凹部に相当する領域に前
記ＴＦＴの能動層と同層の半導体膜を残しておけば、こ
の半導体膜がエッチングストッパとして機能するため、
下層がエッチング除去されることを防止することがで
き、コンタミネーションの防止、凹部の形状の制御に効
果がある。
ＦＴであり、層間絶縁膜と同層の薄膜を凹凸形成用薄膜
として用いる場合、少なくとも前記凹凸パターンを構成
する凹部に対しては前記ＴＦＴの能動層と同層の半導体
膜が平面的に重なっていることが好ましい。凹凸パター
ンに凹部に相当する領域に対しては、層間絶縁膜と同層
の薄膜をエッチング除去する際、この領域の下地の膜あ
るいは基板材料もエッチング液あるいはエッチングガス
にさらされるおそれがあるが、凹部に相当する領域に前
記ＴＦＴの能動層と同層の半導体膜を残しておけば、こ
の半導体膜がエッチングストッパとして機能するため、
下層がエッチング除去されることを防止することがで
き、コンタミネーションの防止、凹部の形状の制御に効
果がある。
【００２９】本発明において、前記凹凸パターンは、隣
接する凸部が２０μｍ以下の平面距離をもって繰り返さ
れている領域を有していないことが好ましい。凹凸パタ
ーンにおいて、隣接する凸部が２０μｍ以下の平面距離
をもって繰り返されている領域が存在すると、光の波長
との関係で干渉色が発生してしまうが、このような繰り
返し領域がなければ、干渉色の発生を防止することがで
きる。
接する凸部が２０μｍ以下の平面距離をもって繰り返さ
れている領域を有していないことが好ましい。凹凸パタ
ーンにおいて、隣接する凸部が２０μｍ以下の平面距離
をもって繰り返されている領域が存在すると、光の波長
との関係で干渉色が発生してしまうが、このような繰り
返し領域がなければ、干渉色の発生を防止することがで
きる。
【００３０】本発明において、前記凹凸パターンの高低
差は５００ｎｍ以上であることが好ましく、特に、前記
凹凸パターンの高低差は８００ｎｍ以上であることが好
ましい。凹凸パターンの高低差が小さすぎると、散乱特
性において、可視領域内に周波数依存性が発生し、画像
が着色してしまうが、前記凹凸パターンの高低差が５０
０ｎｍ以上であれば、このような着色を軽減することが
でき、特に、前記凹凸パターンの高低差が８００ｎｍ以
上であれば、このような着色を確実に防止することがで
きる。
差は５００ｎｍ以上であることが好ましく、特に、前記
凹凸パターンの高低差は８００ｎｍ以上であることが好
ましい。凹凸パターンの高低差が小さすぎると、散乱特
性において、可視領域内に周波数依存性が発生し、画像
が着色してしまうが、前記凹凸パターンの高低差が５０
０ｎｍ以上であれば、このような着色を軽減することが
でき、特に、前記凹凸パターンの高低差が８００ｎｍ以
上であれば、このような着色を確実に防止することがで
きる。
【００３１】本発明において、前記凹凸形成用薄膜は、
外周縁が鋭角を有しない平面形状をもって形成されてい
ることが好ましい。このような構成は、露光マスクの設
計時、ＣＡＤ上で開口の１辺の長さを露光機のルール限
界近傍に設定すれば実現できる。例えば、使用されるフ
ォトリソグラフィ装置の解像度の２倍以下の長さよりな
る多角形として描画されたマスクを用いて前記凹凸形成
用薄膜を形成する。このように構成すると、前記凹凸形
成用薄膜の外周縁に鋭角な部分がないので、散乱特性に
周波数依存性が発生することを防止でき、かつ、画像の
視野角依存性の発生を防止することもできる。
外周縁が鋭角を有しない平面形状をもって形成されてい
ることが好ましい。このような構成は、露光マスクの設
計時、ＣＡＤ上で開口の１辺の長さを露光機のルール限
界近傍に設定すれば実現できる。例えば、使用されるフ
ォトリソグラフィ装置の解像度の２倍以下の長さよりな
る多角形として描画されたマスクを用いて前記凹凸形成
用薄膜を形成する。このように構成すると、前記凹凸形
成用薄膜の外周縁に鋭角な部分がないので、散乱特性に
周波数依存性が発生することを防止でき、かつ、画像の
視野角依存性の発生を防止することもできる。
【００３２】本発明において、前記凹凸パターンを構成
する凸部および凹部はいずれも、基板に対する傾斜角が
３度以下の平坦部分の平面寸法が１０μｍ以下であるこ
とが好ましい。このように構成すると、散乱特性に周波
数依存性が発生することを防止でき、かつ、画像の視野
角依存性の発生を防止することもできる。
する凸部および凹部はいずれも、基板に対する傾斜角が
３度以下の平坦部分の平面寸法が１０μｍ以下であるこ
とが好ましい。このように構成すると、散乱特性に周波
数依存性が発生することを防止でき、かつ、画像の視野
角依存性の発生を防止することもできる。
【００３３】本発明において、前記凹凸パターンは、隣
接する凸部間の平面距離が前記凹凸パターンの高低差の
５倍から２０倍までの範囲であることが好ましい。この
ように構成すると、視野角依存性、および画像の明るさ
の双方について良好なレベルを得ることができる。すな
わち、隣接する凸部間の平面距離が凹凸パターンの高低
差の２０倍を超えると、正反射成分が強すぎて、全反射
方向には明るい画像が得られる代わりに画像に視野角依
存性が発生してしまう。これに対して、隣接する凸部間
の平面距離が凹凸パターンの高低差の５倍未満では、視
野角依存性が発生してしまう。それ故、隣接する凸部間
の平面距離を前記凹凸パターンの高低差の５倍から２０
倍までの範囲に設定すると、視野角依存性を抑えること
ができるとともに、画像の明るさも確保することができ
る。
接する凸部間の平面距離が前記凹凸パターンの高低差の
５倍から２０倍までの範囲であることが好ましい。この
ように構成すると、視野角依存性、および画像の明るさ
の双方について良好なレベルを得ることができる。すな
わち、隣接する凸部間の平面距離が凹凸パターンの高低
差の２０倍を超えると、正反射成分が強すぎて、全反射
方向には明るい画像が得られる代わりに画像に視野角依
存性が発生してしまう。これに対して、隣接する凸部間
の平面距離が凹凸パターンの高低差の５倍未満では、視
野角依存性が発生してしまう。それ故、隣接する凸部間
の平面距離を前記凹凸パターンの高低差の５倍から２０
倍までの範囲に設定すると、視野角依存性を抑えること
ができるとともに、画像の明るさも確保することができ
る。
【００３４】本発明において、前記凹凸パターンを構成
する各凸部の間で側面の傾斜角のばらつきが面内で１０
度以下、好ましくは、５度以下であることが好ましい。
傾斜角のばらつきが大きいと、反射輝度むらが発生する
が、このようなレベルにまでばらつきを抑えておけば、
輝度むらの発生を防止することができる。このような構
成は、凹凸形成用薄膜を所定のパターンで形成すると
き、ドライエッチング、例えば、ＲＩＥ（反応性イオン
エッチング）、または高密度プラズマエッチングを行う
ことにより実現できる。
する各凸部の間で側面の傾斜角のばらつきが面内で１０
度以下、好ましくは、５度以下であることが好ましい。
傾斜角のばらつきが大きいと、反射輝度むらが発生する
が、このようなレベルにまでばらつきを抑えておけば、
輝度むらの発生を防止することができる。このような構
成は、凹凸形成用薄膜を所定のパターンで形成すると
き、ドライエッチング、例えば、ＲＩＥ（反応性イオン
エッチング）、または高密度プラズマエッチングを行う
ことにより実現できる。
【００３５】本発明において、前記凹凸パターンを構成
する各凸部は、側面の傾斜が当該凸部の中心に対して非
対称であることが好ましい。このように構成した場合、
反射光が非等方性を帯びることになり、この非等方性を
利用して表示の品位を高めることができる。例えば、前
記凹凸パターンを構成する各凸部は、側面の傾きが急峻
な方が明視方向を向いている構成とすることが好まし
い。このように構成すると、明視方向への散乱成分を強
めることができるので、明視方向側への明るさを維持し
たまま、画像全体の輝度を高めることができる。TN液晶
を用いたディスプレイに応用する場合、ラビング方向で
決定される液晶の配向方向による明視方向と一致させる
とさらに好ましい。
する各凸部は、側面の傾斜が当該凸部の中心に対して非
対称であることが好ましい。このように構成した場合、
反射光が非等方性を帯びることになり、この非等方性を
利用して表示の品位を高めることができる。例えば、前
記凹凸パターンを構成する各凸部は、側面の傾きが急峻
な方が明視方向を向いている構成とすることが好まし
い。このように構成すると、明視方向への散乱成分を強
めることができるので、明視方向側への明るさを維持し
たまま、画像全体の輝度を高めることができる。TN液晶
を用いたディスプレイに応用する場合、ラビング方向で
決定される液晶の配向方向による明視方向と一致させる
とさらに好ましい。
【００３６】このような非対称パターンを構成するにあ
たっては、前記凹凸形成用薄膜が、少なくとも複数の導
電膜からなる場合には、それら複数の導電膜の残された
凸パターンは、相互に少なくとも部分的には平面的に重
なっており、かつ、重なりの中心と各パターンの中心が
一致しない、非対称パターンである構成とする。あるい
は、前記凹凸形成用薄膜が、少なくとも複数の絶縁膜か
らなる場合には、それら複数の絶縁膜に開口された凹パ
ターンは、少なくとも部分的には平面的に重なってお
り、かつ、重なりの中心と各パターンの中心が一致しな
い、非対称パターンである構成とする。あるいは、前記
凹凸形成用薄膜は、少なくとも一つの絶縁膜と少なくと
も一つの導電膜からなる場合には、前記導電膜の残され
た凸パターンと前記絶縁膜に開口された凹パターンの中
心が平面的に非対称に分布する構成とする。
たっては、前記凹凸形成用薄膜が、少なくとも複数の導
電膜からなる場合には、それら複数の導電膜の残された
凸パターンは、相互に少なくとも部分的には平面的に重
なっており、かつ、重なりの中心と各パターンの中心が
一致しない、非対称パターンである構成とする。あるい
は、前記凹凸形成用薄膜が、少なくとも複数の絶縁膜か
らなる場合には、それら複数の絶縁膜に開口された凹パ
ターンは、少なくとも部分的には平面的に重なってお
り、かつ、重なりの中心と各パターンの中心が一致しな
い、非対称パターンである構成とする。あるいは、前記
凹凸形成用薄膜は、少なくとも一つの絶縁膜と少なくと
も一つの導電膜からなる場合には、前記導電膜の残され
た凸パターンと前記絶縁膜に開口された凹パターンの中
心が平面的に非対称に分布する構成とする。
【００３７】本発明において、前記凹凸形成用薄膜は、
前記凹凸パターンを構成する凸部の下層側の残しパター
ンが上層側の残しパターンより常に外側に形成されてな
り、前記凹凸パターンを構成する凹部の下層側の開口パ
ターンが上層側の開口パターンより内側に形成されてな
る順テーパー形状を有していることが好ましい。このよ
うに構成するにあたって、前記凹凸形成用薄膜が少なく
とも複数の導電膜からなる場合には、より上層で導電膜
が残された凸パターンは、下層で導電膜が残された凸パ
ターンの形成領域の内側領域に常に形成されている構成
とする。また、前記凹凸形成用薄膜が少なくとも複数の
絶縁膜からなる場合には、より下層で絶縁膜に開口され
た凹パターンは上層の絶縁膜に形成された凸パターンの
形成領域の内側領域に常に形成されている構成とする。
さらに、前記凹凸形成用薄膜が少なくとも一つの絶縁膜
と少なくとも一つの導電膜からなる場合には、前記導電
膜の残された凸パターンと前記絶縁膜に開口された凹パ
ターンは相互に平面的に重なり合う部分を有さない構成
とする。
前記凹凸パターンを構成する凸部の下層側の残しパター
ンが上層側の残しパターンより常に外側に形成されてな
り、前記凹凸パターンを構成する凹部の下層側の開口パ
ターンが上層側の開口パターンより内側に形成されてな
る順テーパー形状を有していることが好ましい。このよ
うに構成するにあたって、前記凹凸形成用薄膜が少なく
とも複数の導電膜からなる場合には、より上層で導電膜
が残された凸パターンは、下層で導電膜が残された凸パ
ターンの形成領域の内側領域に常に形成されている構成
とする。また、前記凹凸形成用薄膜が少なくとも複数の
絶縁膜からなる場合には、より下層で絶縁膜に開口され
た凹パターンは上層の絶縁膜に形成された凸パターンの
形成領域の内側領域に常に形成されている構成とする。
さらに、前記凹凸形成用薄膜が少なくとも一つの絶縁膜
と少なくとも一つの導電膜からなる場合には、前記導電
膜の残された凸パターンと前記絶縁膜に開口された凹パ
ターンは相互に平面的に重なり合う部分を有さない構成
とする。
【００３８】すなわち、２層以上を重ねて凹凸形成用薄
膜を形成する場合、残しパターン（凸パターン）であれ
ば、上層側に位置する凸形成用薄膜は、下層側に位置す
る凸形成用薄膜の形成領域の内側領域に形成されている
構成とする。また、逆に開口パターン（凹パターン）で
あれば、逆に上層側に位置する凹形成用薄膜の開口は、
下層側に位置する凹形成用薄膜の開口領域の外側領域に
形成されている構成とする。このように構成すると、上
層側に位置する凹凸形成用薄膜がオーバーハング状態
（逆テーパー）になるのを防止することができ、膜剥が
れや短絡を軽減できるため歩留まりよく製造可能とな
る。また、凹部と凸部を組み合わせて形成する場合、開
口部（凹部）と残し部（凸部）は平面的に重なり合わな
いように構成すれば、下層側に位置する凹凸形成用薄膜
によって形成された段差が、上層側に位置する凹凸形成
用薄膜によって打ち消されることがない。従って、この
ような構成を採用すれば、前記凹凸形成用薄膜が、複数
の絶縁膜または導電膜からなる場合、各絶縁膜または導
電膜の膜厚が８００ｎｍ以下であっても、光反射膜の表
面に十分な高低差を有する凹凸パターンを形成すること
ができる。
膜を形成する場合、残しパターン（凸パターン）であれ
ば、上層側に位置する凸形成用薄膜は、下層側に位置す
る凸形成用薄膜の形成領域の内側領域に形成されている
構成とする。また、逆に開口パターン（凹パターン）で
あれば、逆に上層側に位置する凹形成用薄膜の開口は、
下層側に位置する凹形成用薄膜の開口領域の外側領域に
形成されている構成とする。このように構成すると、上
層側に位置する凹凸形成用薄膜がオーバーハング状態
（逆テーパー）になるのを防止することができ、膜剥が
れや短絡を軽減できるため歩留まりよく製造可能とな
る。また、凹部と凸部を組み合わせて形成する場合、開
口部（凹部）と残し部（凸部）は平面的に重なり合わな
いように構成すれば、下層側に位置する凹凸形成用薄膜
によって形成された段差が、上層側に位置する凹凸形成
用薄膜によって打ち消されることがない。従って、この
ような構成を採用すれば、前記凹凸形成用薄膜が、複数
の絶縁膜または導電膜からなる場合、各絶縁膜または導
電膜の膜厚が８００ｎｍ以下であっても、光反射膜の表
面に十分な高低差を有する凹凸パターンを形成すること
ができる。
【００３９】本発明において、前記電気光学物質は、例
えば、液晶である。
えば、液晶である。
【００４０】本発明を適用した電気光学装置は、携帯電
話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器の表
示装置として用いることができる。
話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器の表
示装置として用いることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。
形態を説明する。
【００４２】［実施の形態１］ （電気光学装置の基本的な構成）図１は、本発明を適用
した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側か
ら見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図で
ある。図３は、電気光学装置の画像表示領域においてマ
トリクス状に形成された複数の画素における各種素子、
配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用い
た各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめ
てある。
した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側か
ら見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図で
ある。図３は、電気光学装置の画像表示領域においてマ
トリクス状に形成された複数の画素における各種素子、
配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用い
た各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめ
てある。
【００４３】図１および図２において、本形態の電気光
学装置１００は、シール材５２によいて貼り合わされた
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、電気光
学物質としての液晶５０が挟持されており、シール材５
２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺
見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領
域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されてお
り、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１
０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一
辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回
路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けら
れており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、
プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に
おいては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
で電気的導通をとるための上下導通材１０６が形成され
ている。
学装置１００は、シール材５２によいて貼り合わされた
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、電気光
学物質としての液晶５０が挟持されており、シール材５
２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺
見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領
域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されてお
り、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１
０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一
辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回
路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けら
れており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、
プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に
おいては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
で電気的導通をとるための上下導通材１０６が形成され
ている。
【００４４】なお、データ線駆動回路１０１および走査
線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成す
る代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡ
Ｂ（テープ オートメイテッド、ボンディング）基板を
ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対
して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続す
るようにしてもよい。なお、電気光学装置１００では、
使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッ
ドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モー
ド等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノー
マリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相
差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、
ここでは図示を省略してある。また、電気光学装置１０
０をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２
０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述
する。）に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをそ
の保護膜とともに形成する。
線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成す
る代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡ
Ｂ（テープ オートメイテッド、ボンディング）基板を
ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対
して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続す
るようにしてもよい。なお、電気光学装置１００では、
使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッ
ドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モー
ド等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノー
マリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相
差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、
ここでは図示を省略してある。また、電気光学装置１０
０をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２
０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述
する。）に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをそ
の保護膜とともに形成する。
【００４５】このような構造を有する電気光学装置１０
０の画面表示領域においては、図３に示すように、複数
の画素１００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、
およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチ
ング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、
Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３
０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに
書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線
順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ
線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにして
もよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電
気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３
ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順
に線順次で印加するように構成されている。画素電極９
ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給
される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定の
タイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを
介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、
Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電
極２１との間で一定期間保持される。
０の画面表示領域においては、図３に示すように、複数
の画素１００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、
およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチ
ング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、
Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３
０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに
書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線
順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ
線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにして
もよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電
気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３
ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順
に線順次で印加するように構成されている。画素電極９
ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給
される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定の
タイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを
介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、
Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電
極２１との間で一定期間保持される。
【００４６】ここで、液晶５０は、印加される電圧レベ
ルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこ
の液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリー
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大してい
く。その結果、全体として電気光学装置１００からは画
素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを
持つ光が出射される。
ルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこ
の液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリー
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大してい
く。その結果、全体として電気光学装置１００からは画
素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを
持つ光が出射される。
【００４７】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと
対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量
６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電
圧は、ソース電圧が印加された時間よりも走査線の本数
倍以上も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。
これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト
比の高い電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積
容量６０を形成する方法としては、図３に例示するよう
に、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３
ｂとの間に形成するCs on common構造をとる場合、ある
いは前段の走査線３ａとの間に形成するCs on gate構造
をとる場合もいずれであってもよい。
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと
対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量
６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電
圧は、ソース電圧が印加された時間よりも走査線の本数
倍以上も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。
これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト
比の高い電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積
容量６０を形成する方法としては、図３に例示するよう
に、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３
ｂとの間に形成するCs on common構造をとる場合、ある
いは前段の走査線３ａとの間に形成するCs on gate構造
をとる場合もいずれであってもよい。
【００４８】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本形
態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接す
る複数の画素群の平面図である。図５は、電気光学装置
の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断
したときの断面図である。図６は、図５に示す電気光学
装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域
から外れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成
した様子を拡大して示す断面図である。
態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接す
る複数の画素群の平面図である。図５は、電気光学装置
の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断
したときの断面図である。図６は、図５に示す電気光学
装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域
から外れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成
した様子を拡大して示す断面図である。
【００４９】図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成
されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、
画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走
査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０
は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続してい
る。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介
してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続
し、画素電極９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ
３の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するよう
に走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０は、画
素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体
膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、こ
の下電極４１に容量線３ｂが上電極として重なった構造
になっている。
は、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成
されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、
画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走
査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０
は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続してい
る。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介
してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続
し、画素電極９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ
３の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するよう
に走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０は、画
素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体
膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、こ
の下電極４１に容量線３ｂが上電極として重なった構造
になっている。
【００５０】このように構成した画素領域のＡ−Ａ′線
における断面は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板
１０の基体たる透明な基板１０′の表面に、厚さが３０
０ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からな
る下地保護膜１１ａが形成され、この下地保護膜１１ａ
の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導
体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、
厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲ
ート絶縁膜２ａが形成され、このゲート絶縁膜２ａの表
面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲ
ート電極として通っている。半導体膜１ａのうち、走査
線３ａに対してゲート絶縁膜２ａを介して対峙する領域
がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域
１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよ
び高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成さ
れ、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ド
レイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されてい
る。
における断面は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板
１０の基体たる透明な基板１０′の表面に、厚さが３０
０ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からな
る下地保護膜１１ａが形成され、この下地保護膜１１ａ
の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導
体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、
厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲ
ート絶縁膜２ａが形成され、このゲート絶縁膜２ａの表
面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲ
ート電極として通っている。半導体膜１ａのうち、走査
線３ａに対してゲート絶縁膜２ａを介して対峙する領域
がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域
１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよ
び高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成さ
れ、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ド
レイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されてい
る。
【００５１】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる第１層間絶縁膜４ａ、および厚さが１００ｎｍ
〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜
５ａ（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜
４ａの表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデー
タ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶
縁膜４ａに形成されたコンタクトホールを介して高濃度
ソース領域１ｄに電気的に接続している。第１層間絶縁
膜４ａの表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイ
ン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１
層間絶縁膜４ａに形成されたコンタクトホールを介して
高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる第１層間絶縁膜４ａ、および厚さが１００ｎｍ
〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜
５ａ（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜
４ａの表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデー
タ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶
縁膜４ａに形成されたコンタクトホールを介して高濃度
ソース領域１ｄに電気的に接続している。第１層間絶縁
膜４ａの表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイ
ン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１
層間絶縁膜４ａに形成されたコンタクトホールを介して
高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００５２】第２層間絶縁膜５ａの上層には、ポリシラ
ザン塗布膜を焼成した膜、あるいはアクリル樹脂からな
る透明な平坦化膜７が形成され、この平坦化膜７の表面
には、アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成
されている。
ザン塗布膜を焼成した膜、あるいはアクリル樹脂からな
る透明な平坦化膜７が形成され、この平坦化膜７の表面
には、アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成
されている。
【００５３】光反射膜８ａの上層にはＩＴＯ膜からなる
画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、光反
射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９ａと光反
射膜８ａとは電気的に接続されている。また、画素電極
９ａは、平坦化膜７および第２層間絶縁膜５ａに形成さ
れたコンタクトホールを介してドレイン電極６ｂに電気
的に接続している。
画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、光反
射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９ａと光反
射膜８ａとは電気的に接続されている。また、画素電極
９ａは、平坦化膜７および第２層間絶縁膜５ａに形成さ
れたコンタクトホールを介してドレイン電極６ｂに電気
的に接続している。
【００５４】画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜か
らなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。
らなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。
【００５５】なお、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同
時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線３ｂが
上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成
されている。
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同
時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線３ｂが
上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成
されている。
【００５６】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、およ
び低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの
一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
うにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、およ
び低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの
一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００５７】また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電
極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいは
トリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。
極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいは
トリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。
【００５８】（凹凸パターンの構成）このように構成し
たＴＦＴアレイ基板１０の各画素１００ａには、図５お
よび図６に示すように、光反射膜８ａの表面のうち、Ｔ
ＦＴ３０の形成領域から外れた領域（図４を参照）に
は、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇ
が形成されている。
たＴＦＴアレイ基板１０の各画素１００ａには、図５お
よび図６に示すように、光反射膜８ａの表面のうち、Ｔ
ＦＴ３０の形成領域から外れた領域（図４を参照）に
は、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇ
が形成されている。
【００５９】このような凹凸パターン８ｇを構成するに
あたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、まず第
１に、各画素１００ａにおいてＴＦＴ３０の形成領域か
ら外れた領域には、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当
する領域に下地保護膜１１ａと同層の絶縁膜からなる凸
形成用薄膜１１ｇが所定のパターンで選択的に形成され
ている。これに対して、凹凸パターン８ｇの凹部８ｃに
相当する領域には、下地保護膜１１ａと同層の絶縁膜が
除去され、凸形成用薄膜１１ｇが形成されていない。
あたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、まず第
１に、各画素１００ａにおいてＴＦＴ３０の形成領域か
ら外れた領域には、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当
する領域に下地保護膜１１ａと同層の絶縁膜からなる凸
形成用薄膜１１ｇが所定のパターンで選択的に形成され
ている。これに対して、凹凸パターン８ｇの凹部８ｃに
相当する領域には、下地保護膜１１ａと同層の絶縁膜が
除去され、凸形成用薄膜１１ｇが形成されていない。
【００６０】第２に、凸形成用薄膜１１ｇの上層には、
ゲート絶縁膜２ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形成用薄
膜２ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜２ｇは凹凸形成
用薄膜１１ｇと完全に重なっている。
ゲート絶縁膜２ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形成用薄
膜２ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜２ｇは凹凸形成
用薄膜１１ｇと完全に重なっている。
【００６１】第３に、凹凸形成用薄膜２ｇの上層には、
ゲート電極３ａと同層の導電膜からなる凹凸形成用薄膜
３ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜３ｇは、凹凸形成
用薄膜２ｇの形成領域からはみ出ることなく、その中央
領域に形成されている。ここで、凹凸形成用薄膜３ｇ
は、走査線３ａ（ゲート電極）と電気的に分離された状
態にある。
ゲート電極３ａと同層の導電膜からなる凹凸形成用薄膜
３ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜３ｇは、凹凸形成
用薄膜２ｇの形成領域からはみ出ることなく、その中央
領域に形成されている。ここで、凹凸形成用薄膜３ｇ
は、走査線３ａ（ゲート電極）と電気的に分離された状
態にある。
【００６２】第４に、凹凸形成用薄膜３ｇの表面には、
第１層間絶縁膜４ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形成用
薄膜４ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜４ｇは、凹凸
形成用薄膜２ｇの形成領域からはみ出ることなく、その
中央領域に形成されている。但し、凹凸形成用薄膜４ｇ
は、凹凸形成用薄膜３ｇよりも広く形成され、この凹凸
形成用薄膜３ｇの形成領域からはみ出ている。
第１層間絶縁膜４ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形成用
薄膜４ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜４ｇは、凹凸
形成用薄膜２ｇの形成領域からはみ出ることなく、その
中央領域に形成されている。但し、凹凸形成用薄膜４ｇ
は、凹凸形成用薄膜３ｇよりも広く形成され、この凹凸
形成用薄膜３ｇの形成領域からはみ出ている。
【００６３】第５に、凹凸形成用薄膜４ｇの表面には、
データ線６ａと同層の導電膜からなる凹凸形成用薄膜６
ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜６ｇは、凹凸形成用
薄膜４ｇの形成領域からはみ出ることなく、その中央領
域に形成されている。また、凹凸形成用薄膜６ｇは、凹
凸形成用薄膜３ｇの形成領域からはみ出ることなく、そ
の中央領域に形成されている。ここで、凹凸形成用薄膜
６ｇは、データ線６ａ（ソース電極）と電気的に分離さ
れた状態にある。
データ線６ａと同層の導電膜からなる凹凸形成用薄膜６
ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜６ｇは、凹凸形成用
薄膜４ｇの形成領域からはみ出ることなく、その中央領
域に形成されている。また、凹凸形成用薄膜６ｇは、凹
凸形成用薄膜３ｇの形成領域からはみ出ることなく、そ
の中央領域に形成されている。ここで、凹凸形成用薄膜
６ｇは、データ線６ａ（ソース電極）と電気的に分離さ
れた状態にある。
【００６４】第６に、凹凸形成用薄膜６ｇの表面には、
第２層間絶縁膜５ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形成用
薄膜５ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜５ｇは、凹凸
形成用薄膜４ｇの形成領域からはみ出ることなく、その
中央領域に形成されている。但し、凹凸形成用薄膜５ｇ
は、凹凸形成用薄膜６ｇよりも広く形成され、この凹凸
形成用薄膜６ｇの形成領域から完全にはみ出ている。
第２層間絶縁膜５ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形成用
薄膜５ｇが形成され、この凹凸形成用薄膜５ｇは、凹凸
形成用薄膜４ｇの形成領域からはみ出ることなく、その
中央領域に形成されている。但し、凹凸形成用薄膜５ｇ
は、凹凸形成用薄膜６ｇよりも広く形成され、この凹凸
形成用薄膜６ｇの形成領域から完全にはみ出ている。
【００６５】このようにして形成された凹凸形成用薄膜
６ｇの表面側に、ポリシラザン塗布膜を焼成した膜、あ
るいはアクリル樹脂からなる透明な平坦化膜７が形成さ
れ、この平坦化膜７の表面にアルミニウム膜などからな
る光反射膜８ａが形成されている。このため、本形態で
は、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、
５ｇと、それらの非形成領域とによって形成された段差
や凹凸によって、光反射膜８ａの表面には、高低差Ｈ
（各凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、
５ｇの膜厚の合計値と略等しい値）が５００ｎｍ以上、
さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成さ
れ、かつ、この凹凸パターン８ｇは、平坦化膜７によっ
て、エッジのない、なだらかな形状になっている。ここ
で、平坦化膜７の膜厚は、凹凸パターン８ｇの高低差Ｈ
の１／２倍から２倍までの範囲に設定されている。
６ｇの表面側に、ポリシラザン塗布膜を焼成した膜、あ
るいはアクリル樹脂からなる透明な平坦化膜７が形成さ
れ、この平坦化膜７の表面にアルミニウム膜などからな
る光反射膜８ａが形成されている。このため、本形態で
は、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、
５ｇと、それらの非形成領域とによって形成された段差
や凹凸によって、光反射膜８ａの表面には、高低差Ｈ
（各凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、
５ｇの膜厚の合計値と略等しい値）が５００ｎｍ以上、
さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成さ
れ、かつ、この凹凸パターン８ｇは、平坦化膜７によっ
て、エッジのない、なだらかな形状になっている。ここ
で、平坦化膜７の膜厚は、凹凸パターン８ｇの高低差Ｈ
の１／２倍から２倍までの範囲に設定されている。
【００６６】しかも、いずれの凹凸形成用薄膜１１ｇ、
２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇも、外周縁が鋭角を有し
ない平面形状をもって形成されている（図４を参照）。
２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇも、外周縁が鋭角を有し
ない平面形状をもって形成されている（図４を参照）。
【００６７】また、ＴＦＴアレイ基板１０の面内方向に
おいて、凹凸パターン８ｇは、隣接する凸部８ｂが２０
μｍ以下の平面距離Ｌをもって繰り返されている領域を
有しておらず、かつ、凹凸パターン８ｇは、隣接する凸
部８ａ間の平面距離Ｌが凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの
５倍から２０倍までの範囲にある。
おいて、凹凸パターン８ｇは、隣接する凸部８ｂが２０
μｍ以下の平面距離Ｌをもって繰り返されている領域を
有しておらず、かつ、凹凸パターン８ｇは、隣接する凸
部８ａ間の平面距離Ｌが凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの
５倍から２０倍までの範囲にある。
【００６８】さらに、凹凸パターン８ｇを構成する凸部
８ａおよび凹部８ｂはいずれも、傾斜角が３度以下の平
坦部分の平面寸法が１０μｍ以下となるように、下層側
の凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５
ｇや開口部分は、傾斜角αが３度以下の平坦部分の平面
寸法が１０μｍ以下となるように形成されている。
８ａおよび凹部８ｂはいずれも、傾斜角が３度以下の平
坦部分の平面寸法が１０μｍ以下となるように、下層側
の凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５
ｇや開口部分は、傾斜角αが３度以下の平坦部分の平面
寸法が１０μｍ以下となるように形成されている。
【００６９】しかも、凹凸パターン８ｇを構成する各凸
部８ａの間で側面の傾斜角のばらつきが１０度以下、さ
らには５度以下になるように、凹凸形成用薄膜１１ｇ、
２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇは、傾斜角βのばらつき
が１０度以下、さらには５度以下になるように形成され
ている。
部８ａの間で側面の傾斜角のばらつきが１０度以下、さ
らには５度以下になるように、凹凸形成用薄膜１１ｇ、
２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇは、傾斜角βのばらつき
が１０度以下、さらには５度以下になるように形成され
ている。
【００７０】（対向基板の構成）図５および図６におい
て、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成さ
れている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域
にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプな
どと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側に
は、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。
また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からな
る配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミ
ド膜に対してラビング処理が施された膜である。
て、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成さ
れている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域
にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプな
どと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側に
は、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。
また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からな
る配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミ
ド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００７１】（本形態の電気光学装置の作用、効果）こ
のように構成した電気光学装置１００は、反射型の液晶
装置であり、画素電極９ａの下層側にアルミニウム膜な
どからなる光反射膜８ａが形成されている。このため、
対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０
側で反射し、対向基板２０側から出射することができる
ため、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎で光
変調を行えば、対向基板２０の外側に適切な偏向板・位
相差板を配置することで外光を利用して所望の画像を表
示することができる（反射モード）。
のように構成した電気光学装置１００は、反射型の液晶
装置であり、画素電極９ａの下層側にアルミニウム膜な
どからなる光反射膜８ａが形成されている。このため、
対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０
側で反射し、対向基板２０側から出射することができる
ため、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎で光
変調を行えば、対向基板２０の外側に適切な偏向板・位
相差板を配置することで外光を利用して所望の画像を表
示することができる（反射モード）。
【００７２】また、電気光学装置１００において、例え
ば、図４で２点鎖線で示す領域８′を避けるように光反
射膜８ａを形成すれば、半透過・半反射型の液晶装置を
構成することができる。この場合、ＴＦＴアレイ基板１
０の側にバックライト装置（図示せず）を配置し、この
バックライト装置から出射された光をＴＦＴアレイ基板
１０の側から入射させれば、この光を、各画素１００ａ
において画素電極９ａが形成されている領域のうち、光
反射膜８ａが形成されていない領域を介して対向基板２
０側に透過することができる。このため、液晶５０によ
って各画素１００ａ毎で光変調を行えば、対向基板２０
ならびにＴＦＴアレイ基板１０の外側に適切な偏向板・
位相差板を配置することでバックライト装置から出射さ
れた光を利用して所望の画像を表示することができる
（透過モード）。
ば、図４で２点鎖線で示す領域８′を避けるように光反
射膜８ａを形成すれば、半透過・半反射型の液晶装置を
構成することができる。この場合、ＴＦＴアレイ基板１
０の側にバックライト装置（図示せず）を配置し、この
バックライト装置から出射された光をＴＦＴアレイ基板
１０の側から入射させれば、この光を、各画素１００ａ
において画素電極９ａが形成されている領域のうち、光
反射膜８ａが形成されていない領域を介して対向基板２
０側に透過することができる。このため、液晶５０によ
って各画素１００ａ毎で光変調を行えば、対向基板２０
ならびにＴＦＴアレイ基板１０の外側に適切な偏向板・
位相差板を配置することでバックライト装置から出射さ
れた光を利用して所望の画像を表示することができる
（透過モード）。
【００７３】また、本形態では、光反射膜８ａの下層側
のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、ＴＦ
Ｔ３０を構成するゲート電極（走査線３ａ）、ソース電
極（データ線６ａ）、および各絶縁膜のうちの少なくと
も１層と同層の薄膜を凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３
ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇとして所定のパターンで選択的に
形成し、この凹凸形成用薄膜の有無に起因する段差、凹
凸を利用して、光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇ
が形成されている。従って、反射モードで画像を表示す
る際、対向基板２０側から入射した光を光反射膜８ａで
反射される際、光が拡散するので、画像に視野角依存性
が発生しにくい。ここで、ゲート電極（走査線３ａ）、
ソース電極（データ線６ａ）、第１層間絶縁膜４ａ、お
よび第２層間絶縁膜５ａは、基板１０′の表面全体に形
成した薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングしたものであるため、ゲート電極（走査線３ａ）、
ソース電極（データ線６ａ）、第１層間絶縁膜４ａ、お
よび第２層間絶縁膜５ａを形成するための工程をそのま
ま援用して、それらと各々、同層の凹凸形成用薄膜３
ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇを任意のパターンで形成すること
ができる。従って、これらの凹凸形成用薄膜３ｇ、４
ｇ、６ｇ、５ｇについては、フォトリソソグラフィ工程
に限らず、いずれの工程をも追加することなく形成する
ことができる。
のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、ＴＦ
Ｔ３０を構成するゲート電極（走査線３ａ）、ソース電
極（データ線６ａ）、および各絶縁膜のうちの少なくと
も１層と同層の薄膜を凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３
ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇとして所定のパターンで選択的に
形成し、この凹凸形成用薄膜の有無に起因する段差、凹
凸を利用して、光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇ
が形成されている。従って、反射モードで画像を表示す
る際、対向基板２０側から入射した光を光反射膜８ａで
反射される際、光が拡散するので、画像に視野角依存性
が発生しにくい。ここで、ゲート電極（走査線３ａ）、
ソース電極（データ線６ａ）、第１層間絶縁膜４ａ、お
よび第２層間絶縁膜５ａは、基板１０′の表面全体に形
成した薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングしたものであるため、ゲート電極（走査線３ａ）、
ソース電極（データ線６ａ）、第１層間絶縁膜４ａ、お
よび第２層間絶縁膜５ａを形成するための工程をそのま
ま援用して、それらと各々、同層の凹凸形成用薄膜３
ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇを任意のパターンで形成すること
ができる。従って、これらの凹凸形成用薄膜３ｇ、４
ｇ、６ｇ、５ｇについては、フォトリソソグラフィ工程
に限らず、いずれの工程をも追加することなく形成する
ことができる。
【００７４】また、下地絶縁膜１１ａおよびゲート絶縁
膜２ａも、光反射膜８ａに凹凸パターン８ｇを形成する
か否かに関わらず成膜されるため、それらと同層の絶縁
膜からなる凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇを選択的に残す
といっても、成膜工程を追加する必要がない。
膜２ａも、光反射膜８ａに凹凸パターン８ｇを形成する
か否かに関わらず成膜されるため、それらと同層の絶縁
膜からなる凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇを選択的に残す
といっても、成膜工程を追加する必要がない。
【００７５】さらに、本形態によれば、ＴＦＴ３０を形
成する領域を避けて凹凸パターン８ｇ（凹凸形成用薄膜
１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇ）を形成するこ
とも容易であるので、ＴＦＴ３０を微細加工によって形
成するのに支障がない。
成する領域を避けて凹凸パターン８ｇ（凹凸形成用薄膜
１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇ）を形成するこ
とも容易であるので、ＴＦＴ３０を微細加工によって形
成するのに支障がない。
【００７６】また、光反射膜８ａの下層側、かつ、凹凸
形成用薄膜６ｇよりも上層側に、流動性を有する材料を
用いて平坦化膜７を形成し、この平坦化膜７によって、
凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇ
の有無に起因する段差、凹凸を適度に打ち消して、エッ
ジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを形成し
ている。従って、エッジに起因する視野角依存性の発生
を防止することができる。しかも、平坦化膜７の膜厚が
凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの２倍を超えると、平坦化
膜７によって凹凸が消去されてしまい、正反射成分が強
すぎて、明るい画像が得られる代わりに画像に視野角依
存性が発生してしまう一方、平坦化膜７の膜厚が凹凸パ
ターン８ｇの高低差Ｈの１／２倍未満では、平坦化膜７
によってエッジを確実に消去できず、エッジに起因する
視野角依存性が発生してしまうが、本形態では、平坦化
膜７の膜厚を凹凸パターン８ｇにおける高低差Ｈの１／
２倍から２倍までの範囲に設定してあるので、視野角依
存性を抑えることができるとともに、画像の明るさも確
保することができる。
形成用薄膜６ｇよりも上層側に、流動性を有する材料を
用いて平坦化膜７を形成し、この平坦化膜７によって、
凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇ
の有無に起因する段差、凹凸を適度に打ち消して、エッ
ジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを形成し
ている。従って、エッジに起因する視野角依存性の発生
を防止することができる。しかも、平坦化膜７の膜厚が
凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの２倍を超えると、平坦化
膜７によって凹凸が消去されてしまい、正反射成分が強
すぎて、明るい画像が得られる代わりに画像に視野角依
存性が発生してしまう一方、平坦化膜７の膜厚が凹凸パ
ターン８ｇの高低差Ｈの１／２倍未満では、平坦化膜７
によってエッジを確実に消去できず、エッジに起因する
視野角依存性が発生してしまうが、本形態では、平坦化
膜７の膜厚を凹凸パターン８ｇにおける高低差Ｈの１／
２倍から２倍までの範囲に設定してあるので、視野角依
存性を抑えることができるとともに、画像の明るさも確
保することができる。
【００７７】さらにまた、凹凸形成用薄膜を２層以上形
成してあるため、光反射膜８ａの表面に十分な高低差Ｈ
を有する凹凸パターン８ｇを形成する場合でも、ＴＦＴ
３０に適さない分厚い薄膜を形成する必要がない。
成してあるため、光反射膜８ａの表面に十分な高低差Ｈ
を有する凹凸パターン８ｇを形成する場合でも、ＴＦＴ
３０に適さない分厚い薄膜を形成する必要がない。
【００７８】しかも、走査線３ａおよびデータ線６ａの
各々と同層の導電膜からなる２層の凹凸形成用薄膜３
ｇ、６ｇの間では、上層側に位置する凹凸形成用薄膜６
ｇは、下層側に位置する凹凸形成用薄膜３ｇの形成領域
の内側領域に形成されてはみ出ていない。また、下地保
護膜１１ａ、ゲート絶縁膜２ａ、第１層間絶縁膜４ａ、
および第２層間絶縁膜５ａと各々同層の絶縁膜からなる
４層の凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、４ｇ、５ｇの間で
も、上層側に位置する凹凸形成用薄膜は、下層側に位置
する凹凸形成用薄膜の形成領域の内側領域に形成されて
はみ出ていない。このため、凹凸パターン８ｇを構成す
る各凹凸形成用薄膜は、順テーパー構造を有しており、
オーバーハング状態（逆テーパー）になっておらず、オ
ーバーハングに起因する膜剥がれや膜残りが発生する心
配が無い。さらにまた、走査線３ａおよびデータ線６ａ
の各々と同層に残された導電膜からなる２層の凹凸形成
用薄膜３ｇ、６ｇは、下地保護膜１１ａ、ゲート絶縁膜
２ａ、第１層間絶縁膜４ａ、および第２層間絶縁膜５ａ
を構成する絶縁膜に対してエッチング除去した開口部と
平面的に重なっていない。このため、下層側に位置する
凹凸形成用薄膜によって形成された段差、凹凸が上層側
に位置する凹凸形成用薄膜によって打ち消されてしまう
ことがないので、光反射膜８ａの表面に十分な高低差Ｈ
を有する凹凸パターン８ｇを形成することができる。
各々と同層の導電膜からなる２層の凹凸形成用薄膜３
ｇ、６ｇの間では、上層側に位置する凹凸形成用薄膜６
ｇは、下層側に位置する凹凸形成用薄膜３ｇの形成領域
の内側領域に形成されてはみ出ていない。また、下地保
護膜１１ａ、ゲート絶縁膜２ａ、第１層間絶縁膜４ａ、
および第２層間絶縁膜５ａと各々同層の絶縁膜からなる
４層の凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、４ｇ、５ｇの間で
も、上層側に位置する凹凸形成用薄膜は、下層側に位置
する凹凸形成用薄膜の形成領域の内側領域に形成されて
はみ出ていない。このため、凹凸パターン８ｇを構成す
る各凹凸形成用薄膜は、順テーパー構造を有しており、
オーバーハング状態（逆テーパー）になっておらず、オ
ーバーハングに起因する膜剥がれや膜残りが発生する心
配が無い。さらにまた、走査線３ａおよびデータ線６ａ
の各々と同層に残された導電膜からなる２層の凹凸形成
用薄膜３ｇ、６ｇは、下地保護膜１１ａ、ゲート絶縁膜
２ａ、第１層間絶縁膜４ａ、および第２層間絶縁膜５ａ
を構成する絶縁膜に対してエッチング除去した開口部と
平面的に重なっていない。このため、下層側に位置する
凹凸形成用薄膜によって形成された段差、凹凸が上層側
に位置する凹凸形成用薄膜によって打ち消されてしまう
ことがないので、光反射膜８ａの表面に十分な高低差Ｈ
を有する凹凸パターン８ｇを形成することができる。
【００７９】また、走査線３ａと同層の導電膜からなる
凹凸形成用薄膜３ｇを走査線３ａと電気的に分離した構
成にし、かつ、データ線６ａと同層の導電膜からなる凹
凸形成用薄膜６ｇをデータ線６ａと電気的に分離した構
成としてあるので、走査線３ａおよびデータ線６ａが凹
凸形成用薄膜３ｇ、６ｇを介して他の構成要素と短絡状
態になったり、３ｇ、６ｇの容量が３a、６ａの容量に
加算されることがない。
凹凸形成用薄膜３ｇを走査線３ａと電気的に分離した構
成にし、かつ、データ線６ａと同層の導電膜からなる凹
凸形成用薄膜６ｇをデータ線６ａと電気的に分離した構
成としてあるので、走査線３ａおよびデータ線６ａが凹
凸形成用薄膜３ｇ、６ｇを介して他の構成要素と短絡状
態になったり、３ｇ、６ｇの容量が３a、６ａの容量に
加算されることがない。
【００８０】また、本形態では、走査線３ａおよびデー
タ線６ａを構成する導電膜として、アルミニウム膜、タ
ンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいずれ
かを主成分とする合金膜が用いられており、これらの導
電膜は、成膜速度が比較的速く、かつ、ドライエッチン
グにより良好な形状にパターニングできるので、凹凸形
成用薄膜３ｇ、６ｇを効率よく、かつ、好適に形成する
ことができる。
タ線６ａを構成する導電膜として、アルミニウム膜、タ
ンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいずれ
かを主成分とする合金膜が用いられており、これらの導
電膜は、成膜速度が比較的速く、かつ、ドライエッチン
グにより良好な形状にパターニングできるので、凹凸形
成用薄膜３ｇ、６ｇを効率よく、かつ、好適に形成する
ことができる。
【００８１】また、本形態では、下地保護膜１１ａおよ
び第１層間絶縁膜４ａを構成する絶縁膜としてシリコン
酸化膜が用いられており、このシリコン酸化膜は、成膜
速度が比較的速く、かつ、ドライエッチングにより良好
な形状にパターニングできるので、凹凸形成用薄膜１１
ｇ、４ｇを効率よく、かつ、好適に形成することができ
る。
び第１層間絶縁膜４ａを構成する絶縁膜としてシリコン
酸化膜が用いられており、このシリコン酸化膜は、成膜
速度が比較的速く、かつ、ドライエッチングにより良好
な形状にパターニングできるので、凹凸形成用薄膜１１
ｇ、４ｇを効率よく、かつ、好適に形成することができ
る。
【００８２】また、本形態において、凹凸パターン８ｇ
は、隣接する凸部８ａが２０μｍ以下の平面距離Ｌをも
って繰り返されている領域を有してないため、干渉色の
発生を防止することができる。すなわち、凹凸パターン
８ｇにおいて、隣接する凸部２０が２０μｍ以下の平面
距離Ｌをもって繰り返されている領域が存在すると、光
の波長との関係で干渉色が発生してしまうが、このよう
な繰り返し領域がなければ、干渉色の発生を防止するこ
とができる。
は、隣接する凸部８ａが２０μｍ以下の平面距離Ｌをも
って繰り返されている領域を有してないため、干渉色の
発生を防止することができる。すなわち、凹凸パターン
８ｇにおいて、隣接する凸部２０が２０μｍ以下の平面
距離Ｌをもって繰り返されている領域が存在すると、光
の波長との関係で干渉色が発生してしまうが、このよう
な繰り返し領域がなければ、干渉色の発生を防止するこ
とができる。
【００８３】また、本形態では、凹凸パターン８ｇの高
低差Ｈを５００ｎｍ以上、さらには、８００ｎｍ以上に
してあるので、凹凸パターン８ｇの高低差Ｈが小さすぎ
て散乱特性において可視領域内に周波数依存性が発生し
て画像が着色するという事態を回避することができる。
低差Ｈを５００ｎｍ以上、さらには、８００ｎｍ以上に
してあるので、凹凸パターン８ｇの高低差Ｈが小さすぎ
て散乱特性において可視領域内に周波数依存性が発生し
て画像が着色するという事態を回避することができる。
【００８４】また、いずれの凹凸形成用薄膜１１ｇ、２
ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇも、外周縁が鋭角を有しな
い平面形状をもって形成されているため、散乱特性に周
波数依存性が発生することを防止でき、かつ、画像の視
野角依存性の発生を防止することもできる。
ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇも、外周縁が鋭角を有しな
い平面形状をもって形成されているため、散乱特性に周
波数依存性が発生することを防止でき、かつ、画像の視
野角依存性の発生を防止することもできる。
【００８５】さらに、下層側の凹凸形成用薄膜１１ｇ、
２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇや開口部分は、傾斜角α
が３度以下の平坦部分の平面寸法が１０μｍ以下となる
ように形成されているため、凹凸パターン８ｇを構成す
る凸部８ａおよび凹部８ｂも、傾斜角αが３度以下の平
坦部分の平面寸法が１０μｍ以下である。このため、散
乱特性に周波数依存性が発生することを防止でき、か
つ、画像の視野角依存性の発生を防止することもでき
る。
２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇや開口部分は、傾斜角α
が３度以下の平坦部分の平面寸法が１０μｍ以下となる
ように形成されているため、凹凸パターン８ｇを構成す
る凸部８ａおよび凹部８ｂも、傾斜角αが３度以下の平
坦部分の平面寸法が１０μｍ以下である。このため、散
乱特性に周波数依存性が発生することを防止でき、か
つ、画像の視野角依存性の発生を防止することもでき
る。
【００８６】さらに、凹凸パターン８ｇは、隣接する凸
部８ａ間の平面距離Ｌが凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの
５倍から２０倍までの範囲であるため、視野角依存性、
および画像の明るさの双方について良好なレベルを得る
ことができる。すなわち、隣接する凸部８ａ間の平面距
離Ｌが凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの２０倍を超える
と、正反射成分が強すぎて、明るい画像が得られる代わ
りに画像に視野角依存性が発生してしまう。これに対し
て、隣接する凸部８ａ間の平面距離Ｌが凹凸パターン８
ｇの高低差Ｈの５倍未満では、視野角依存性が発生して
しまう。しかるに本形態では、隣接する凸部８ａ間の平
面距離Ｌを凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの５倍から２０
倍までの範囲に設定してあるため、視野角依存性を抑え
ることができるとともに、画像の明るさも確保すること
ができる。
部８ａ間の平面距離Ｌが凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの
５倍から２０倍までの範囲であるため、視野角依存性、
および画像の明るさの双方について良好なレベルを得る
ことができる。すなわち、隣接する凸部８ａ間の平面距
離Ｌが凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの２０倍を超える
と、正反射成分が強すぎて、明るい画像が得られる代わ
りに画像に視野角依存性が発生してしまう。これに対し
て、隣接する凸部８ａ間の平面距離Ｌが凹凸パターン８
ｇの高低差Ｈの５倍未満では、視野角依存性が発生して
しまう。しかるに本形態では、隣接する凸部８ａ間の平
面距離Ｌを凹凸パターン８ｇの高低差Ｈの５倍から２０
倍までの範囲に設定してあるため、視野角依存性を抑え
ることができるとともに、画像の明るさも確保すること
ができる。
【００８７】また、本形態では、凹凸形成用薄膜１１
ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇは、傾斜角βのばら
つきが１０度以下、さらには５度以下になるように形成
されているため、凹凸パターン８ｇを構成する各凸部８
ａの間で側面の傾斜角βのばらつきも面内で１０度以
下、さらには５度以下である。このため、傾斜角βのば
らつきに起因する輝度むらの発生を防止することができ
る。
ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇは、傾斜角βのばら
つきが１０度以下、さらには５度以下になるように形成
されているため、凹凸パターン８ｇを構成する各凸部８
ａの間で側面の傾斜角βのばらつきも面内で１０度以
下、さらには５度以下である。このため、傾斜角βのば
らつきに起因する輝度むらの発生を防止することができ
る。
【００８８】［ＴＦＴの製造方法］このような構成のＴ
ＦＴ３０を製造する方法を、図７ないし図１０を参照し
て説明する。図７、図８、図９、図１０は、本形態のＴ
ＦＴアレイ基板１１の製造方法を示す工程断面図であ
り、いずれの図においても、図４のＡ−Ａ′線における
断面に相当する。
ＦＴ３０を製造する方法を、図７ないし図１０を参照し
て説明する。図７、図８、図９、図１０は、本形態のＴ
ＦＴアレイ基板１１の製造方法を示す工程断面図であ
り、いずれの図においても、図４のＡ−Ａ′線における
断面に相当する。
【００８９】まず、図７（Ａ）に示すように、超音波洗
浄等により清浄化したガラス製等の基板１０′を準備し
た後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、
基板１０′の全面に、下地保護膜１１ａを形成するため
のシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１をプラズマＣＶＤ
法により３００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに形成する。こ
のときの原料ガスとしては、たとえばモノシランと笑気
ガスとの混合ガスやＴＥＯＳと酸素、あるいはジシラン
とアンモニアを用いることができる。
浄等により清浄化したガラス製等の基板１０′を準備し
た後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、
基板１０′の全面に、下地保護膜１１ａを形成するため
のシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１をプラズマＣＶＤ
法により３００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに形成する。こ
のときの原料ガスとしては、たとえばモノシランと笑気
ガスとの混合ガスやＴＥＯＳと酸素、あるいはジシラン
とアンモニアを用いることができる。
【００９０】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、基板１０′の全面に、非晶質シリコン膜か
らなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとし
ては、たとえばジシランやモノシランを用いることがで
きる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレ
ーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体
膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。
この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短
時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的
であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることが
ない。それ故、基板１０′としてガラス基板などを用い
ても熱による変形や割れ等が生じない。
度条件下で、基板１０′の全面に、非晶質シリコン膜か
らなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとし
ては、たとえばジシランやモノシランを用いることがで
きる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレ
ーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体
膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。
この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短
時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的
であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることが
ない。それ故、基板１０′としてガラス基板などを用い
ても熱による変形や割れ等が生じない。
【００９１】次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５１を形成し、この
レジストマスク５５１を介して半導体膜１をエッチング
することにより、図７（Ｂ）に示すように、島状の半導
体膜１ａ（能動層）を形成する。
フィ技術を用いてレジストマスク５５１を形成し、この
レジストマスク５５１を介して半導体膜１をエッチング
することにより、図７（Ｂ）に示すように、島状の半導
体膜１ａ（能動層）を形成する。
【００９２】次に、３５０℃以下の温度条件下で、基板
１０′の全面に、ＣＶＤ法などにより半導体膜１ａの表
面に、ゲート絶縁膜２ａなどを形成するためのシリコン
酸化膜などの絶縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに
形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥＯＳと
酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形
成する絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒
化膜であってもよい。
１０′の全面に、ＣＶＤ法などにより半導体膜１ａの表
面に、ゲート絶縁膜２ａなどを形成するためのシリコン
酸化膜などの絶縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに
形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥＯＳと
酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形
成する絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒
化膜であってもよい。
【００９３】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物イ
オンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を
構成するための下電極を形成する。
マスクを介して半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物イ
オンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を
構成するための下電極を形成する。
【００９４】次に、図７（Ｃ）に示すように、スパッタ
法などにより、基板１０′の全面に、走査線３ａなどを
形成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデ
ン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合
金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さ
に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジス
トマスク５５２を形成する。
法などにより、基板１０′の全面に、走査線３ａなどを
形成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデ
ン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合
金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さ
に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジス
トマスク５５２を形成する。
【００９５】次に、レジストマスク５５２を介して導電
膜３をドライエッチングし、図７（Ｄ）に示すように、
走査線３ａ（ゲート電極）および容量線３ｂを形成す
る。この際、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域に
は、走査線３ａと同層の導電膜からなる凹凸形成用薄膜
３ｇを残す。ここで、凹凸形成用薄膜３ｇは、走査線３
ａから電気的に分離した状態に形成する。
膜３をドライエッチングし、図７（Ｄ）に示すように、
走査線３ａ（ゲート電極）および容量線３ｂを形成す
る。この際、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域に
は、走査線３ａと同層の導電膜からなる凹凸形成用薄膜
３ｇを残す。ここで、凹凸形成用薄膜３ｇは、走査線３
ａから電気的に分離した状態に形成する。
【００９６】次に、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチ
ャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲ
ート電極をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2 〜
約１０×１０13／ｃｍ2 のドーズ量で低濃度の不純物イ
オン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して
自己整合的に低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイ
ン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位
置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分
は半導体膜１ａのままのチャネル領域１ａ′となる。
ャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲ
ート電極をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2 〜
約１０×１０13／ｃｍ2 のドーズ量で低濃度の不純物イ
オン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して
自己整合的に低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイ
ン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位
置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分
は半導体膜１ａのままのチャネル領域１ａ′となる。
【００９７】次に、図７（Ｅ）に示すように、画素ＴＦ
Ｔ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジ
ストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リ
ンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０
15／ｃｍ2 のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１
ｂおよびドレイン領域１ｄを形成する。
Ｔ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジ
ストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リ
ンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０
15／ｃｍ2 のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１
ｂおよびドレイン領域１ｄを形成する。
【００９８】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａを
マスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアラ
イン構造のソース領域およびドレイン領域を形成しても
よいことは勿論である。
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａを
マスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアラ
イン構造のソース領域およびドレイン領域を形成しても
よいことは勿論である。
【００９９】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレ
ジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のド
ーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合
的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。こ
の際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極
をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2 〜約１０×
１０13／ｃｍ2 のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイ
オン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成
した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃
度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ
2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のドーズ量で打ち込んで、
ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）の
ソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。ま
た、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極
より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物
（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領
域およびドレイン領域を形成してもよい。これらのイオ
ン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化が可能になり、周
辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可能となる。
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレ
ジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のド
ーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合
的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。こ
の際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極
をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2 〜約１０×
１０13／ｃｍ2 のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイ
オン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成
した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃
度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ
2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のドーズ量で打ち込んで、
ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）の
ソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。ま
た、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極
より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物
（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領
域およびドレイン領域を形成してもよい。これらのイオ
ン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化が可能になり、周
辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可能となる。
【０１００】次に、図７（Ｆ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５４を形成し
た後、レジストマスク５５４を介して絶縁膜２、１１を
ドライエッチングし、図８（Ａ）に示すように、凹凸形
成用薄膜３ｇと下層側で重なる領域には、ゲート絶縁膜
２ａおよび下地保護膜１１ａと各々同層の絶縁膜からな
る凹凸形成用薄膜２ｇ、１１ｇを残す。
ソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５４を形成し
た後、レジストマスク５５４を介して絶縁膜２、１１を
ドライエッチングし、図８（Ａ）に示すように、凹凸形
成用薄膜３ｇと下層側で重なる領域には、ゲート絶縁膜
２ａおよび下地保護膜１１ａと各々同層の絶縁膜からな
る凹凸形成用薄膜２ｇ、１１ｇを残す。
【０１０１】次に、図８（Ｂ）に示すように、走査線３
ａの表面側にＣＶＤ法などにより、第１層間絶縁膜４ａ
を形成するためのシリコン酸化膜などの絶縁膜４を３０
０ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料
ガスは、たとえばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用
いることができる。
ａの表面側にＣＶＤ法などにより、第１層間絶縁膜４ａ
を形成するためのシリコン酸化膜などの絶縁膜４を３０
０ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料
ガスは、たとえばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用
いることができる。
【０１０２】次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５５を形成する。
ジストマスク５５５を形成する。
【０１０３】次に、レジストマスク５５５を介して絶縁
膜４にドライエッチングを行い、図８（Ｃ）に示すよう
に、第１層間絶縁膜４ａにおいてソース領域およびドレ
イン領域に対応する部分にコンタクトホールをそれぞれ
形成する。この際、凹凸形成用薄膜３ｇと重なる領域に
は、第１層間絶縁膜４ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形
成用薄膜４ｇを残す。
膜４にドライエッチングを行い、図８（Ｃ）に示すよう
に、第１層間絶縁膜４ａにおいてソース領域およびドレ
イン領域に対応する部分にコンタクトホールをそれぞれ
形成する。この際、凹凸形成用薄膜３ｇと重なる領域に
は、第１層間絶縁膜４ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形
成用薄膜４ｇを残す。
【０１０４】次に、図８（Ｄ）に示すように、第１層間
絶縁膜４ａの表面側に、データ線６ａ（ソース電極）な
どを構成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリ
ブデン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とす
る合金膜からなる導電膜６をスパッタ法などで３００ｎ
ｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてレジストマスク５５６を形成する。
絶縁膜４ａの表面側に、データ線６ａ（ソース電極）な
どを構成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリ
ブデン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とす
る合金膜からなる導電膜６をスパッタ法などで３００ｎ
ｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてレジストマスク５５６を形成する。
【０１０５】次に、レジストマスク５５６を介して導電
膜６にドライエッチングを行い、図８（Ｅ）に示すよう
に、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを形成する。
この際、凹凸形成用薄膜４ｇと重なる領域には、データ
線６ａと同層の導電膜からなる凹凸形成用薄膜６ｇを残
す。この凹凸形成用薄膜６ｇは、データ線６ａから電気
的に分離した状態に形成する。
膜６にドライエッチングを行い、図８（Ｅ）に示すよう
に、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを形成する。
この際、凹凸形成用薄膜４ｇと重なる領域には、データ
線６ａと同層の導電膜からなる凹凸形成用薄膜６ｇを残
す。この凹凸形成用薄膜６ｇは、データ線６ａから電気
的に分離した状態に形成する。
【０１０６】次に、図９（Ａ）に示すように、データ線
６ａおよびドレイン電極６ｂの表面側にＣＶＤ法などに
より、第２層間絶縁膜５ａを形成するためのシリコン窒
化膜などの絶縁膜５を１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚に
形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２層
間絶縁膜５ａにコンタクトホールなどを形成するための
レジストマスク５５７を形成する。
６ａおよびドレイン電極６ｂの表面側にＣＶＤ法などに
より、第２層間絶縁膜５ａを形成するためのシリコン窒
化膜などの絶縁膜５を１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚に
形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２層
間絶縁膜５ａにコンタクトホールなどを形成するための
レジストマスク５５７を形成する。
【０１０７】次に、レジストマスク５５７を介して絶縁
膜５にドライエッチングを行い、図９（Ｂ）に示すよう
に、第２層間絶縁膜５ａのうち、ドレイン電極１４に対
応する部分にコンタクトホールを形成する。この際、凹
凸形成用薄膜６ｇと重なる領域には、第２層間絶縁膜５
ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形成用薄膜５ｇを残す。
膜５にドライエッチングを行い、図９（Ｂ）に示すよう
に、第２層間絶縁膜５ａのうち、ドレイン電極１４に対
応する部分にコンタクトホールを形成する。この際、凹
凸形成用薄膜６ｇと重なる領域には、第２層間絶縁膜５
ａと同層の絶縁膜からなる凹凸形成用薄膜５ｇを残す。
【０１０８】次に、図９（Ｃ）に示すように、第２層間
絶縁膜５ａおよび凹凸形成用薄膜５ｇの表面側に、ペル
ヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を塗布した
後、焼成して、あるいはアクリル樹脂を塗布して平坦化
膜７を形成する。
絶縁膜５ａおよび凹凸形成用薄膜５ｇの表面側に、ペル
ヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を塗布した
後、焼成して、あるいはアクリル樹脂を塗布して平坦化
膜７を形成する。
【０１０９】ここで、平坦化膜７は、流動性を有する材
料を塗布したものから形成されるため、平坦化膜７の表
面には、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６
ｇ、５ｇの有無に起因する段差、凹凸を適度に打ち消し
て、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターンが形
成される。但し、平坦化膜７が厚すぎると、平坦化膜７
によって凹凸が消去されてしまう一方、平坦化膜７が薄
すぎると、エッジを確実に消去できなため、平坦化膜７
の膜厚については、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３
ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇの合計厚さの略１／２倍から略２
倍までの範囲に設定する。
料を塗布したものから形成されるため、平坦化膜７の表
面には、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６
ｇ、５ｇの有無に起因する段差、凹凸を適度に打ち消し
て、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターンが形
成される。但し、平坦化膜７が厚すぎると、平坦化膜７
によって凹凸が消去されてしまう一方、平坦化膜７が薄
すぎると、エッジを確実に消去できなため、平坦化膜７
の膜厚については、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３
ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇの合計厚さの略１／２倍から略２
倍までの範囲に設定する。
【０１１０】なお、ペルヒドロポリシラザンとは無機ポ
リシラザンの一種であり、大気中で焼成することによっ
てシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料で
ある。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−
（ＳｉＨ2 ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、
キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無
機ポリマーの有機溶媒溶液（たとえば、２０％キシレン
溶液）を塗布液としてスピンコート法（たとえば、２０
００ｒｐｍ、２０秒間）で塗布した後、４５０℃の温度
で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、ＣＶＤ法
で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密な非晶質の
シリコン酸化膜を得ることができる。
リシラザンの一種であり、大気中で焼成することによっ
てシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料で
ある。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−
（ＳｉＨ2 ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、
キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無
機ポリマーの有機溶媒溶液（たとえば、２０％キシレン
溶液）を塗布液としてスピンコート法（たとえば、２０
００ｒｐｍ、２０秒間）で塗布した後、４５０℃の温度
で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、ＣＶＤ法
で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密な非晶質の
シリコン酸化膜を得ることができる。
【０１１１】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
平坦化膜７にコンタクトホールを形成するためのレジス
トマスク５５８を形成した後、レジストマスク５５８を
介して平坦化膜７にエッチングを行って、図９（Ｄ）に
示すように、コンタクトホールを形成する。なお、平坦
化膜７に感光性の材料を用いた場合は材料を塗布・プリ
ベークした後、フォトリソグラフィにて直接材料を感光
し、現像した後にポストベークすることで同様のコンタ
クトホールを得られる。
平坦化膜７にコンタクトホールを形成するためのレジス
トマスク５５８を形成した後、レジストマスク５５８を
介して平坦化膜７にエッチングを行って、図９（Ｄ）に
示すように、コンタクトホールを形成する。なお、平坦
化膜７に感光性の材料を用いた場合は材料を塗布・プリ
ベークした後、フォトリソグラフィにて直接材料を感光
し、現像した後にポストベークすることで同様のコンタ
クトホールを得られる。
【０１１２】次に、図１０（Ａ）に示すように、スパッ
タ法などによって、平坦化膜７の表面にアルミニウム膜
などといった反射性を備えた金属膜８を形成した後、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５９を
形成する。
タ法などによって、平坦化膜７の表面にアルミニウム膜
などといった反射性を備えた金属膜８を形成した後、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５９を
形成する。
【０１１３】次に、レジストマスク５５９を介して金属
膜８にエッチングを行い、図１０（Ｂ）に示すように、
所定領域に光反射膜８ａを残す。このようにして形成し
た光反射膜８ａの表面には、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２
ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇと、それらの非形成領域と
によって形成された段差や凹凸によって５００ｎｍ以
上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成
され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、平坦化膜７によ
って、エッジのない、なだらかな形状になっている。
膜８にエッチングを行い、図１０（Ｂ）に示すように、
所定領域に光反射膜８ａを残す。このようにして形成し
た光反射膜８ａの表面には、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２
ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇと、それらの非形成領域と
によって形成された段差や凹凸によって５００ｎｍ以
上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成
され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、平坦化膜７によ
って、エッジのない、なだらかな形状になっている。
【０１１４】次に、図１０（Ｃ）に示すように、光反射
膜８ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴ
Ｏ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５６０を形成する。
膜８ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴ
Ｏ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５６０を形成する。
【０１１５】次に、レジストマスク５６０を介してＩＴ
Ｏ膜９にエッチングを行って、図１０（Ｄ）に示すよう
に、ドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａ
を形成する。
Ｏ膜９にエッチングを行って、図１０（Ｄ）に示すよう
に、ドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａ
を形成する。
【０１１６】しかる後には、図５および図６に示すよう
に、画素電極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１
２）を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メ
チルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミ
ドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフ
レキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、
ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなる
パフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で
一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分
子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定
方向に配列する。
に、画素電極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１
２）を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メ
チルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミ
ドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフ
レキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、
ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなる
パフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で
一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分
子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定
方向に配列する。
【０１１７】このようにしてＴＦＴアレイ基板１０を製
造する。なお、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４
ｇ、６ｇ、５ｇは、外周縁が鋭角を有しない平面形状を
もって形成されていることが好ましいが、このような構
成は、露光マスクの設計時、ＣＡＤ上で開口の１辺の長
さを露光機のルール限界近傍以下に設定すれば実現でき
る。また、凹凸パターン８ｇを構成する各凸部８ｂの間
で側面の傾斜角のばらつきが１０度以下、好ましくは、
５度以下であることが好ましいので、凹凸形成用薄膜を
形成するとき、各種ドライエッチングのうち、ＲＩＥ、
または高密度プラズマエッチングを行えば、各凸部８ｂ
間での側面の傾斜角のばらつきを小さく抑えることがで
きる。
造する。なお、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４
ｇ、６ｇ、５ｇは、外周縁が鋭角を有しない平面形状を
もって形成されていることが好ましいが、このような構
成は、露光マスクの設計時、ＣＡＤ上で開口の１辺の長
さを露光機のルール限界近傍以下に設定すれば実現でき
る。また、凹凸パターン８ｇを構成する各凸部８ｂの間
で側面の傾斜角のばらつきが１０度以下、好ましくは、
５度以下であることが好ましいので、凹凸形成用薄膜を
形成するとき、各種ドライエッチングのうち、ＲＩＥ、
または高密度プラズマエッチングを行えば、各凸部８ｂ
間での側面の傾斜角のばらつきを小さく抑えることがで
きる。
【０１１８】［実施の形態２］図１１（Ａ）、（Ｂ）
は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置のＴＦＴ
アレイ基板の製造方法において、その特徴的な工程を示
す工程断面図である。図１２は、本発明の実施の形態２
に係る電気光学装置において、画素スイッチング用のＴ
ＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜の表面に凹凸
パターンを形成した様子を拡大して示す断面図である。
なお、本実施の形態、および以下に説明するいずれの実
施の形態も、基本的な構成が実施の形態１と同様である
ため、共通する部分に同一の符号を付して図１１および
図１２に図示するとともに、それらの説明を省略する。
は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置のＴＦＴ
アレイ基板の製造方法において、その特徴的な工程を示
す工程断面図である。図１２は、本発明の実施の形態２
に係る電気光学装置において、画素スイッチング用のＴ
ＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜の表面に凹凸
パターンを形成した様子を拡大して示す断面図である。
なお、本実施の形態、および以下に説明するいずれの実
施の形態も、基本的な構成が実施の形態１と同様である
ため、共通する部分に同一の符号を付して図１１および
図１２に図示するとともに、それらの説明を省略する。
【０１１９】実施の形態１では、図７（Ｆ）、図８
（Ａ）に示すように、絶縁膜２、１１をエッチングして
凹凸形成用薄膜２ｇ、１１ｇを残した後、図８（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように、絶縁膜４をエッチングして凹凸形
成用薄膜４ｇを残したが、本形態では、図１１（Ａ）に
示すように、絶縁膜４を形成するまで、絶縁膜２、１１
をエッチングせず、レジストマスク５５５を介して絶縁
膜４を形成する際、図１１（Ｂ）に示すように、絶縁膜
２、１１を同時にエッチングして、凹凸形成用薄膜１１
ｇ、２ｇ、４ｇを同時に形成する。このため、本形態に
よれば、実施の形態１と比較して、フォトリソグラフィ
工程を１回、減らすことができる。
（Ａ）に示すように、絶縁膜２、１１をエッチングして
凹凸形成用薄膜２ｇ、１１ｇを残した後、図８（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように、絶縁膜４をエッチングして凹凸形
成用薄膜４ｇを残したが、本形態では、図１１（Ａ）に
示すように、絶縁膜４を形成するまで、絶縁膜２、１１
をエッチングせず、レジストマスク５５５を介して絶縁
膜４を形成する際、図１１（Ｂ）に示すように、絶縁膜
２、１１を同時にエッチングして、凹凸形成用薄膜１１
ｇ、２ｇ、４ｇを同時に形成する。このため、本形態に
よれば、実施の形態１と比較して、フォトリソグラフィ
工程を１回、減らすことができる。
【０１２０】このような製造方法を採用した場合も、図
１２に示すように、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３
ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇと、それらの非形成領域とによっ
て形成された段差や凹凸によって、光反射膜８ａの表面
に凹凸パターン８ｇを形成することができる。
１２に示すように、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３
ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇと、それらの非形成領域とによっ
て形成された段差や凹凸によって、光反射膜８ａの表面
に凹凸パターン８ｇを形成することができる。
【０１２１】［実施の形態３］図１３（Ａ）、（Ｂ）
は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置のＴＦＴ
アレイ基板の製造方法において、その特徴的な工程を示
す工程断面図である。図１４は、本発明の実施の形態３
に係る電気光学装置において、画素スイッチング用のＴ
ＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜の表面に凹凸
パターンを形成した様子を拡大して示す断面図である。
は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置のＴＦＴ
アレイ基板の製造方法において、その特徴的な工程を示
す工程断面図である。図１４は、本発明の実施の形態３
に係る電気光学装置において、画素スイッチング用のＴ
ＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜の表面に凹凸
パターンを形成した様子を拡大して示す断面図である。
【０１２２】実施の形態２では、図１１（Ａ）、（Ｂ）
を参照して説明したように、絶縁膜２、１１を同時にエ
ッチングして、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、４ｇを同
時に形成したが、本形態では、図１３（Ａ）に示すよう
に、ＴＦＴ３０の半導体膜１ａ′と同層の半導体膜１
ａ″を、光反射膜８ａ表面の凹凸パターン８ｇの凹部８
ｃに相当する領域に残しておき、この状態で、図１３
（Ｂ）に示すように、絶縁膜４をドライエッチングして
凹凸形成用薄膜４ｇを形成する。
を参照して説明したように、絶縁膜２、１１を同時にエ
ッチングして、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、４ｇを同
時に形成したが、本形態では、図１３（Ａ）に示すよう
に、ＴＦＴ３０の半導体膜１ａ′と同層の半導体膜１
ａ″を、光反射膜８ａ表面の凹凸パターン８ｇの凹部８
ｃに相当する領域に残しておき、この状態で、図１３
（Ｂ）に示すように、絶縁膜４をドライエッチングして
凹凸形成用薄膜４ｇを形成する。
【０１２３】このように構成すると、図１４に示すよう
に、半導体膜１ａ″がエッチングストッパとして機能
し、下地保護膜１１ａを構成する絶縁膜１１がエッチン
グされないので、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に下地保
護膜１１を残すことができる。
に、半導体膜１ａ″がエッチングストッパとして機能
し、下地保護膜１１ａを構成する絶縁膜１１がエッチン
グされないので、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に下地保
護膜１１を残すことができる。
【０１２４】また、本形態では、凹凸形成用薄膜３ｇ、
４ｇ、６ｇ、５ｇと、それらの非形成領域とによって形
成された段差や凹凸によって、光反射膜８ａの表面に凹
凸パターン８ｇを形成することができる。
４ｇ、６ｇ、５ｇと、それらの非形成領域とによって形
成された段差や凹凸によって、光反射膜８ａの表面に凹
凸パターン８ｇを形成することができる。
【０１２５】［実施の形態４］図１５は、本発明の実施
の形態４に係る電気光学装置において、画素スイッチン
グ用のＴＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜の表
面に凹凸パターンを形成した様子を拡大して示す断面図
である。
の形態４に係る電気光学装置において、画素スイッチン
グ用のＴＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜の表
面に凹凸パターンを形成した様子を拡大して示す断面図
である。
【０１２６】実施の形態１では、図６に示すように、凹
凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇを
それぞれ、その中心が一致するように形成したため、光
反射膜８ａの表面に形成された凹凸パターン８ｇでは、
各凸部８ａの側面の傾斜が凸部８ａの中心に対して対称
であり、反射光が等方的であったが、本形態では、図１
５に示すように、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、
４ｇ、５ｇについては、その中心を一致させ、凹凸形成
用薄膜６ｇについては、その中心位置を凹凸形成用薄膜
１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、５ｇの中心位置から明視方
向にずらしてある。このため、導電膜の残された凸パタ
ーンと絶縁膜に開口された凹パターンの中心が平面的に
非対称に分布する。
凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇを
それぞれ、その中心が一致するように形成したため、光
反射膜８ａの表面に形成された凹凸パターン８ｇでは、
各凸部８ａの側面の傾斜が凸部８ａの中心に対して対称
であり、反射光が等方的であったが、本形態では、図１
５に示すように、凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、
４ｇ、５ｇについては、その中心を一致させ、凹凸形成
用薄膜６ｇについては、その中心位置を凹凸形成用薄膜
１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、５ｇの中心位置から明視方
向にずらしてある。このため、導電膜の残された凸パタ
ーンと絶縁膜に開口された凹パターンの中心が平面的に
非対称に分布する。
【０１２７】このように構成すると、光反射膜８ａの表
面に形成された凹凸パターン８ｇでは、各凸部８ａの側
面の傾斜が凸部８ａの中心に対して非対称となり、反射
光が非等方性を帯びることになる。従って、この非等方
性を利用して表示の品位を高めることができる。すなわ
ち、図１５に示す例では、凹凸パターン８ｇを構成する
各凸部８ａにおいて、側面の傾きの急峻な方が明視方向
に向いているので、明視方向への散乱成分を強めること
ができるので、明視方向側への明るさを維持したまま、
画像全体の輝度を高めることができる。
面に形成された凹凸パターン８ｇでは、各凸部８ａの側
面の傾斜が凸部８ａの中心に対して非対称となり、反射
光が非等方性を帯びることになる。従って、この非等方
性を利用して表示の品位を高めることができる。すなわ
ち、図１５に示す例では、凹凸パターン８ｇを構成する
各凸部８ａにおいて、側面の傾きの急峻な方が明視方向
に向いているので、明視方向への散乱成分を強めること
ができるので、明視方向側への明るさを維持したまま、
画像全体の輝度を高めることができる。
【０１２８】［実施の形態５］図１６は、本発明の実施
の形態５に係る電気光学装置において、画素スイッチン
グ用のＴＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜の表
面に凹凸パターンを形成した様子を拡大して示す断面図
である。
の形態５に係る電気光学装置において、画素スイッチン
グ用のＴＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜の表
面に凹凸パターンを形成した様子を拡大して示す断面図
である。
【０１２９】光反射膜８ａからの反射光を非等方的にす
るにあたっては、図１６に示すように、凹凸形成用薄膜
１１ｇ、２ｇ、４ｇ、５ｇについては、互いの中心を一
致させ、凹凸形成用薄膜３ｇ、６ｇについては、その中
心位置を凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、４ｇ、５ｇの中
心位置からラビング処理によって生じる明視方向にずら
してもよい。このように構成すると、導電膜の残された
凸パターンと絶縁膜に開口された凹パターンの中心が平
面的に非対称に分布する。
るにあたっては、図１６に示すように、凹凸形成用薄膜
１１ｇ、２ｇ、４ｇ、５ｇについては、互いの中心を一
致させ、凹凸形成用薄膜３ｇ、６ｇについては、その中
心位置を凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、４ｇ、５ｇの中
心位置からラビング処理によって生じる明視方向にずら
してもよい。このように構成すると、導電膜の残された
凸パターンと絶縁膜に開口された凹パターンの中心が平
面的に非対称に分布する。
【０１３０】このように構成した場合も、光反射膜８ａ
の表面に形成された凹凸パターン８ｇでは、各凸部８ａ
の側面の傾斜が凸部８ａの中心に対して非対称となり、
反射光が非等方性を帯びることになる。従って、本形態
のように、凹凸パターン８ｇを構成する各凸部８ａにお
いて、側面の傾きの急峻な方を明視方向に向かせれば、
明視方向への散乱成分を強めることができるので、明視
方向側への明るさを維持したまま、画像全体の輝度を高
めることができる。
の表面に形成された凹凸パターン８ｇでは、各凸部８ａ
の側面の傾斜が凸部８ａの中心に対して非対称となり、
反射光が非等方性を帯びることになる。従って、本形態
のように、凹凸パターン８ｇを構成する各凸部８ａにお
いて、側面の傾きの急峻な方を明視方向に向かせれば、
明視方向への散乱成分を強めることができるので、明視
方向側への明るさを維持したまま、画像全体の輝度を高
めることができる。
【０１３１】［実施の形態６］図１７は、本発明の実施
の形態６に係る電気光学装置の断面図である。
の形態６に係る電気光学装置の断面図である。
【０１３２】実施の形態１〜５では、各画素１００ａに
形成された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が正スタガ
型またはコプラーナ型のポリシリコンＴＦＴであった
が、図１７に示すように、逆スタガ型のＴＦＴやアモル
ファスシリコンＴＦＴなど、他の形式のＴＦＴを画素ス
イッチング用に用いてもよい。
形成された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が正スタガ
型またはコプラーナ型のポリシリコンＴＦＴであった
が、図１７に示すように、逆スタガ型のＴＦＴやアモル
ファスシリコンＴＦＴなど、他の形式のＴＦＴを画素ス
イッチング用に用いてもよい。
【０１３３】このように構成した場合も、図１７に示す
ように、ＴＦＴアレイ基板１０において、逆スタガ型の
ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域には、走査線３ａ
（ゲート電極）と同層の導電膜からなる凹部形成用薄膜
３ｇと、ゲート絶縁膜２ａと同層の絶縁膜からなる凹部
形成用薄膜２ｇと、データ線６ａと同層の導電膜からな
る凹部形成用薄膜６ｇとを所定のパターンに選択的に形
成すれば、それらの形成領域と非形成領域とによって生
じた段差や凹凸によって、光反射膜８ａの表面に凹凸パ
ターン８ｇを形成することができる。
ように、ＴＦＴアレイ基板１０において、逆スタガ型の
ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域には、走査線３ａ
（ゲート電極）と同層の導電膜からなる凹部形成用薄膜
３ｇと、ゲート絶縁膜２ａと同層の絶縁膜からなる凹部
形成用薄膜２ｇと、データ線６ａと同層の導電膜からな
る凹部形成用薄膜６ｇとを所定のパターンに選択的に形
成すれば、それらの形成領域と非形成領域とによって生
じた段差や凹凸によって、光反射膜８ａの表面に凹凸パ
ターン８ｇを形成することができる。
【０１３４】［電気光学装置の電子機器への適用］この
ように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の電
気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用
いることができるが、その一例を、図１８、図１９、お
よび図２０を参照して説明する。
ように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の電
気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用
いることができるが、その一例を、図１８、図１９、お
よび図２０を参照して説明する。
【０１３５】１８は、本発明に係る電気光学装置を表示
装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図
である。
装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図
である。
【０１３６】図１８において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有す
る。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および
駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述し
た電気光学装置１００を用いることができる。
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有す
る。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および
駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述し
た電気光学装置１００を用いることができる。
【０１３７】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【０１３８】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。
【０１３９】図１９は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。
【０１４０】図２０は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気
光学装置１００からなる表示部とを有している。
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気
光学装置１００からなる表示部とを有している。
【０１４１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明では、光反射膜の
下層側のうち、光反射膜と平面的に重なる領域には、各
配線および絶縁膜のうちの少なくとも１層と同層の薄膜
を凹凸形成用薄膜として所定のパターンで選択的に形成
し、この凹凸形成用薄膜形成の有無に起因する段差、凹
凸を利用して、光反射膜の表面に凹凸パターンを形成す
る。ここで、配線や絶縁膜などは、光反射膜に凹凸を付
すか否かに関わらず、必ず、形成されているもので、そ
れらは、基板の表面全体に所定の薄膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることに
より形成されるものである。このため、配線や絶縁膜を
形成する工程をそのまま援用して、それらと同層の凹凸
形成用薄膜を所定のパターンで選択的に形成することが
できる。従って、成膜工程を追加する追加することな
く、光拡散機能を備えた光反射膜を形成することができ
る。また、基板上にアクティブ素子を形成する領域を避
けて凹凸形成用薄膜を形成することも容易であるので、
アクティブ素子を形成するための微細加工を行うのに支
障がない。
下層側のうち、光反射膜と平面的に重なる領域には、各
配線および絶縁膜のうちの少なくとも１層と同層の薄膜
を凹凸形成用薄膜として所定のパターンで選択的に形成
し、この凹凸形成用薄膜形成の有無に起因する段差、凹
凸を利用して、光反射膜の表面に凹凸パターンを形成す
る。ここで、配線や絶縁膜などは、光反射膜に凹凸を付
すか否かに関わらず、必ず、形成されているもので、そ
れらは、基板の表面全体に所定の薄膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることに
より形成されるものである。このため、配線や絶縁膜を
形成する工程をそのまま援用して、それらと同層の凹凸
形成用薄膜を所定のパターンで選択的に形成することが
できる。従って、成膜工程を追加する追加することな
く、光拡散機能を備えた光反射膜を形成することができ
る。また、基板上にアクティブ素子を形成する領域を避
けて凹凸形成用薄膜を形成することも容易であるので、
アクティブ素子を形成するための微細加工を行うのに支
障がない。
【図１】電気光学装置を対向基板の側からみたときの平
面図である。
面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図３】電気光学装置において、マトリクス状に配置さ
れた複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価
回路図である。
れた複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価
回路図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置にお
いて、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示
す平面図である。
いて、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示
す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を、
図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での切断したときの断
面図である。
図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での切断したときの断
面図である。
【図６】図５に示す電気光学装置において、画素スイッ
チング用のＴＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜
の表面に凹凸パターンを形成した様子を拡大して示す断
面図である。
チング用のＴＦＴの形成領域から外れた領域で光反射膜
の表面に凹凸パターンを形成した様子を拡大して示す断
面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施の形態１に係
る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工
程断面図である。
る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工
程断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施の形態１に係
る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、図７に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図で
ある。
る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、図７に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図で
ある。
【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１に係
る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、図８に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図で
ある。
る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、図８に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図で
ある。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１に
係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、図９に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図で
ある。
係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、図９に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図で
ある。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２に
係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、その特徴的な工程を示す工程断面図である。
係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、その特徴的な工程を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置に
おいて、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域から外
れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成した様
子を拡大して示す断面図である。
おいて、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域から外
れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成した様
子を拡大して示す断面図である。
【図１３】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態３に
係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、その特徴的な工程を示す工程断面図である。
係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法におい
て、その特徴的な工程を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置に
おいて、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域から外
れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成した様
子を拡大して示す断面図である。
おいて、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域から外
れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成した様
子を拡大して示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置に
おいて、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域から外
れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成した様
子を拡大して示す断面図である。
おいて、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域から外
れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成した様
子を拡大して示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置に
おいて、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域から外
れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成した様
子を拡大して示す断面図である。
おいて、画素スイッチング用のＴＦＴの形成領域から外
れた領域で光反射膜の表面に凹凸パターンを形成した様
子を拡大して示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の
断面図である。
断面図である。
【図１８】本発明に係る電気光学装置を表示装置として
用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１９】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器
の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュ
ータを示す説明図である。
の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュ
ータを示す説明図である。
【図２０】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器
の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図２１】従来の電気光学装置の断面図である。
１ａ 半導体膜 １ａ′ チャネル形成用領域 １ｂ 低濃度ソース領域 １ｃ 低濃度ドレイン領域 １ｄ 高濃度ソース領域 １ｅ 高濃度ドレイン領域 ２ａ ゲート絶縁膜 ２ｇ ゲート絶縁膜と同層の凹凸形成用薄膜 ３ａ 走査線 ３ｂ 容量線 ３ｇ 走査線と同層の凹凸形成用薄膜 ４ａ 第１層間絶縁膜 ４ｇ 第１層間絶縁膜と同層の凹凸形成用薄膜 ５ａ 第２層間絶縁膜 ５ｇ 第２層間絶縁膜と同層の凹凸形成用薄膜 ６ａ データ線 ６ｇ データ線と同層の凹凸形成用薄膜 ７ 平坦化膜 ８ａ 光反射膜 ８ｂ 凹凸パターンの凸部 ８ｃ 凹凸パターンの凹部 ８ｇ 光反射膜表面の凹凸パターン ９ａ 画素電極 １０ ＴＦＴアレイ基板 １１ａ 下地保護膜 １１ｇ 下地保護膜と同層の凹凸形成用薄膜 ２０ 対向基板 ２１ 対向電極 ２３ 遮光膜 ３０ 画素スイッチング用のＴＦＴ ５０ 液晶 ５３ 周辺見切り ６０ 蓄積容量 １００ 電気光学装置 １００ａ 画素
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９Ｄ ３４９Ｚ 9/35 9/35 Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２Ａ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２ Ｆターム(参考） 2H091 FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Z FA41Z GA01 GA06 GA13 HA07 HA10 LA12 LA19 LA20 2H092 GA29 JA03 JA24 JA34 JA37 JA41 JA46 JB22 JB58 KA04 KA05 KB25 MA05 MA08 MA13 MA19 MA29 MA30 MA41 NA03 NA25 PA01 PA02 PA11 PA12 PA13 QA07 QA10 5C058 AA06 AB02 BA35 5C094 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 DB01 DB04 EA04 EA06 EA07 EB02 ED15 FB12 FB15 5F110 AA16 AA30 BB02 BB04 CC01 CC05 CC07 DD02 DD13 EE03 EE04 EE06 EE28 EE44 FF02 FF03 FF29 GG02 GG13 GG15 GG25 GG45 HJ01 HJ04 HJ13 HL03 HL04 HL06 HL07 HL12 HL23 HM15 NN03 NN23 NN24 NN35 NN72 PP03 QQ11
Claims (39)
- 【請求項１】 電気光学物質を挟持する基板上には、各
画素毎に少なくとも、一つ又は複数の配線に電気的に接
続する画素スイッチング用のアクティブ素子と、光反射
膜とを備えた電気光学装置において、 前記光反射膜の下層側のうち、当該光反射膜と平面的に
重なる領域には、前記一つ又は複数の配線、およびそれ
らの配線の層間又は上層又は下層に形成された絶縁膜の
うちの少なくとも１層と同層の薄膜が所定のパターンで
選択的に形成された凹凸形成用薄膜と、当該凹凸形成用
薄膜の非形成領域とが設けられ、 前記光反射膜の表面には、前記凹凸形成用薄膜の形成領
域と非形成領域とによって凹凸パターンが形成されてい
ることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記光反射膜の下層
側、かつ、前記凹凸形成用薄膜の上層側には平坦化膜が
形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記平坦化膜の平均
膜厚は、前記凹凸パターンの高低差の１／２倍から２倍
までの範囲であることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記凹凸形成用薄膜には、少なくとも、前記配線のうち
一つと同層の導電膜が含まれていることを特徴とする電
気光学装置。 - 【請求項５】 請求項４において、前記配線のうちの一
つと同層の導電膜からなる前記凹凸形成用薄膜は、前記
配線と電気的に分離されていることを特徴とする電気光
学装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記アクティブ素子は、薄膜トランジスタ又は薄膜ダイ
オード素子であり、 前記配線のうちの一つは、走査線であることを特徴とす
る電気光学装置。 - 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記アクティブ素子は薄膜トランジスタであり、 前記配線のうちの一つは、データ線であることを特徴と
する電気光学装置。 - 【請求項８】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記アクティブ素子は薄膜トランジスタであり、 前記配線は走査線ならびにデータ線をともに含み、 前記凹凸形成用薄膜は、走査線とデータ線のそれぞれと
同一の層よりなる導電膜をともに含むことを特徴とする
電気光学装置。 - 【請求項９】 請求項４ないし８のいずれかにおいて、
前記導電膜の膜厚は、それぞれ５００ｎｍ以上を有する
ことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１０】 請求項４ないし９のいずれかにおい
て、前記導電膜は、少なくとも厚さ寸法の１／２に相当
する部分がアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデン
膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金
膜からなることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１１】 請求項４ないし１０のいずれかにおい
て、前記導電膜は、ドライエッチング法によって加工さ
れたことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれかにおい
て、前記凹凸形成用薄膜には、少なくとも、絶縁膜が含
まれていることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１３】 請求項１２において、前記絶縁膜に
は、アクティブ素子ならびに配線より下層に形成されて
いる下地保護膜と同一の層よりなる絶縁層が含まれてい
ることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１４】 請求項１２または１３において、前記
配線が複数であり、 前記絶縁膜には、それら複数の配線間を電気的に絶縁す
る層間絶縁膜と同一の層よりなる絶縁層が含まれている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１５】 請求項１２ないし１４のいずれかにお
いて、前記絶縁膜には、前記配線の上層に形成されてい
る保護絶縁膜と同一の層よりなる絶縁層が含まれている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１６】 請求項１２ないし１５のいずれかにお
いて、前記絶縁膜は、少なくとも厚さ寸法の１／２に相
当する部分がシリコン酸化膜からなることを特徴とする
電気光学装置。 - 【請求項１７】 請求項１６において、前記絶縁膜は、
ドライエッチング法により形成されてなることを特徴と
する電気光学装置。 - 【請求項１８】 請求項１４ないし１７のいずれかにお
いて、前記アクティブ素子は薄膜トランジスタであり、 前記凹凸形成用薄膜の下層には、前記薄膜トランジスタ
の能動層と同層の半導体膜が平面的に重なっていること
を特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１９】 請求項１ないし１８のいずれかにおい
て、前記凹凸パターンは、隣接する凸部が２０μｍ以下
の平面距離をもって繰り返されている領域を有してない
ことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項２０】 請求項１ないし１９のいずれかにおい
て、前記凹凸パターンの高低差は、５００ｎｍ以上であ
ることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項２１】 請求項２０において、前記凹凸パター
ンの高低差は、８００ｎｍ以上であることを特徴とする
電気光学装置。 - 【請求項２２】 請求項１ないし２１のいずれかにおい
て、前記凹凸形成用薄膜は、外周縁が鋭角を有しない平
面形状をもって形成されていることを特徴とする電気光
学装置。 - 【請求項２３】 請求項２２において、前記凹凸形成用
薄膜は、使用されているフォトリソグラフィ装置の解像
度の２倍以下の長さよりなる多角形として描画されたマ
スクを用いて形成されてなることを特徴とする電気光学
装置。 - 【請求項２４】 請求項１ないし２３のいずれかにおい
て、前記凹凸パターンを構成する凸部および凹部は、い
ずれも、基板に対する傾斜角が３度以下の平坦部分の平
面寸法が１０μｍ以下であることを特徴とする電気光学
装置。 - 【請求項２５】 請求項１ないし２４のいずれかにおい
て、前記凹凸パターンは、隣接する凸部間の平面距離が
前記凹凸パターンの高低差の５倍から２０倍までの範囲
であることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項２６】 請求項１ないし２５のいずれかにおい
て、前記凹凸パターンを構成する各凸部の間で側面の傾
斜角のばらつきが面内で１０度以下であることを特徴と
する電気光学装置。 - 【請求項２７】 請求項２６において、前記凹凸パター
ンを構成する各凸部の間で側面の傾斜角のばらつきが面
内で５度以下であることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項２８】 請求項１ないし２７のいずれかにおい
て、前記凹凸パターンを構成する各凸部は、側面の傾斜
が当該凸部の中心に対して非対称であることを特徴とす
る電気光学装置。 - 【請求項２９】 請求項２８において、前記凹凸パター
ンを構成する各凸部は、側面の傾きが急峻な方が明視方
向を向いていることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３０】 請求項２８または２９において、前記
凹凸形成用薄膜は、少なくとも複数の導電膜からなり、 それら複数の導電膜の残された凸パターンは、相互に少
なくとも部分的には平面的に重なっており、かつ、重な
りの中心と各パターンの中心が一致しない、非対称パタ
ーンであることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３１】 請求項２８ないし３０のいずれかにお
いて、前記凹凸形成用薄膜は、少なくとも複数の絶縁膜
からなり、 それら複数の絶縁膜に開口された凹パターンは、少なく
とも部分的には平面的に重なっており、かつ、重なりの
中心と各パターンの中心が一致しない、非対称パターン
であることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３２】 請求項２８ないし３１のいずれかにお
いて、前記凹凸形成用薄膜は、少なくとも一つの絶縁膜
と少なくとも一つの導電膜からなり、 前記導電膜の残された凸パターンと前記絶縁膜に開口さ
れた凹パターンの中心が平面的に非対称に分布すること
を特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３３】 請求項１ないし３２のいずれかにおい
て、前記凹凸形成用薄膜は、前記凹凸パターンを構成す
る凸部の下層側の残しパターンが上層側の残しパターン
より常に外側に形成されてなり、前記凹凸パターンを構
成する凹部の下層側の開口パターンが上層側の開口パタ
ーンより内側に形成されてなる順テーパー形状を有して
いることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３４】 請求項３３において、前記凹凸形成用
薄膜は、少なくとも複数の導電膜からなり、より上層で
導電膜が残された凸パターンは、下層で導電膜が残され
た凸パターンの形成領域の内側領域に常に形成されてい
ることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３５】 請求項３３または３４において、前記
凹凸形成用薄膜は、少なくとも複数の絶縁膜からなり、
より下層で絶縁膜に開口された凹パターンは上層の絶縁
膜に形成された凸パターンの形成領域の内側領域に常に
形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３６】 請求項１ないし３５において、前記凹
凸形成用薄膜は、少なくとも一つの絶縁膜と少なくとも
一つの導電膜からなり、 前記導電膜の残された凸パターンと前記絶縁膜に開口さ
れた凹パターンは相互に平面的に重なり合う部分を有さ
ないことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３７】 請求項１ないし３６において、前記凹
凸形成用薄膜は、複数の絶縁膜または導電膜からなり、 各絶縁膜または導電膜は、膜厚が８００ｎｍ以下である
ことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３８】 請求項１ないし３７のいずれかにおい
て、前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする
電気光学装置。 - 【請求項３９】 請求項１ないし３８のいずれかに規定
する電気光学装置を表示装置として用いたことを特徴と
する電子機器。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006201357A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US7106404B2 (en) | 2003-01-24 | 2006-09-12 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal display device having surface roughness in the transmissive area and homeotropic alignment |
| US7161645B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-01-09 | Seiko Epson Corporation | Multi-gap type transflective liquid crystal display including a resin layer with tapers of different angles |
| JP2007232818A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 画像表示装置 |
| KR100792300B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2008-01-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반투과형 액정표시장치의 어레이기판 제조방법 |
| US7453548B2 (en) | 2002-12-17 | 2008-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| JP2010117726A (ja) * | 2009-12-28 | 2010-05-27 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
| US7880203B2 (en) | 2008-02-08 | 2011-02-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, electro-optical device, electronic apparatus, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing electro-optical device, and method for manufacturing electronic apparatus |
| JP2011059725A (ja) * | 2010-12-22 | 2011-03-24 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6651670B2 (en) * | 1998-02-13 | 2003-11-25 | Ventrica, Inc. | Delivering a conduit into a heart wall to place a coronary vessel in communication with a heart chamber and removing tissue from the vessel or heart wall to facilitate such communication |
| KR100433805B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-06-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| JP4286495B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2009-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2004053828A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Alps Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
| JP3705282B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法 |
| JP4000515B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2007-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器 |
| US7355337B2 (en) * | 2002-12-27 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same |
| KR100491258B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2005-05-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR20040080778A (ko) | 2003-03-13 | 2004-09-20 | 삼성전자주식회사 | 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판 |
| KR100617290B1 (ko) | 2003-12-30 | 2006-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| TWI282969B (en) * | 2004-04-29 | 2007-06-21 | Au Optronics Corp | Thin film transistor array and fabricating method thereof |
| JP4499481B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-07-07 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| EP1886355A4 (en) * | 2005-05-31 | 2015-04-01 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| JP4926063B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2012-05-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびそれを備えた電子機器 |
| US7978298B2 (en) | 2006-03-23 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| CN101432655B (zh) * | 2006-05-01 | 2013-08-21 | 夏普株式会社 | 液晶显示器和液晶显示器的制造方法 |
| CN101432656B (zh) * | 2006-05-01 | 2011-07-13 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法 |
| CN101484839B (zh) * | 2006-06-30 | 2012-07-04 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法 |
| JP4927851B2 (ja) | 2006-09-12 | 2012-05-09 | シャープ株式会社 | マイクロレンズアレイ付き液晶表示パネル、その製造方法、および液晶表示装置 |
| EP2085814A4 (en) * | 2006-10-18 | 2010-05-19 | Sharp Kk | Liquid crystal display arrangement and method for producing a liquid crystal display |
| CN101529318B (zh) | 2006-10-18 | 2011-10-12 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法 |
| JP2008140950A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| EP2124093A4 (en) * | 2006-12-14 | 2010-06-30 | Sharp Kk | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE |
| US8289461B2 (en) * | 2007-01-24 | 2012-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| CN101600987B (zh) * | 2007-01-31 | 2011-09-21 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
| US8659726B2 (en) * | 2007-04-13 | 2014-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display |
| US8384860B2 (en) | 2007-06-26 | 2013-02-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device |
| EP2506303A4 (en) * | 2009-11-27 | 2017-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN116543660A (zh) * | 2022-01-26 | 2023-08-04 | 华硕电脑股份有限公司 | 电子装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2990046B2 (ja) | 1995-08-16 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH10221704A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3270821B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2002-04-02 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3406242B2 (ja) * | 1998-10-15 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3487782B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2004-01-19 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| KR100654159B1 (ko) * | 2000-02-10 | 2006-12-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP3866522B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2007-01-10 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2001
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453548B2 (en) | 2002-12-17 | 2008-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US7161645B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-01-09 | Seiko Epson Corporation | Multi-gap type transflective liquid crystal display including a resin layer with tapers of different angles |
| US7106404B2 (en) | 2003-01-24 | 2006-09-12 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal display device having surface roughness in the transmissive area and homeotropic alignment |
| JP2006201357A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| KR100792300B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2008-01-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반투과형 액정표시장치의 어레이기판 제조방법 |
| JP2007232818A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 画像表示装置 |
| US7880203B2 (en) | 2008-02-08 | 2011-02-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, electro-optical device, electronic apparatus, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing electro-optical device, and method for manufacturing electronic apparatus |
| JP2010117726A (ja) * | 2009-12-28 | 2010-05-27 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2011059725A (ja) * | 2010-12-22 | 2011-03-24 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
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