TWI245947B - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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TWI245947B TW091108455A TW91108455A TWI245947B TW I245947 B TWI245947 B TW I245947B TW 091108455 A TW091108455 A TW 091108455A TW 91108455 A TW91108455 A TW 91108455A TW I245947 B TWI245947 B TW I245947B
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1245947 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於光電裝置及使用此之電子機器者。更詳 細而言，即是關於光電裝置中之像素的構成。 【先行技術】 液晶裝置等之光電裝置，係當作各種機器之直視型之 顯示裝置被使用。如此之光電裝置中，作爲像素開關用之 非線性元件的使用TFT之主動矩陣型之液晶裝置，係如第 21圖所示，在挾持作爲光電物質之液晶50的TFT陣列基板 10及對向基板20中之TFT陣列基板10上，形成像素開關用 之 TFT(薄膜電晶體/Thin Film Transistor)30，和經由該 TFT3 0電氣性連接於資料線6a之ITO膜等的透明導電性膜所 構成之像素電極9a。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 液晶裝置中之反射型或半透過、半反射型者，係以在 像素電極9a之下層側形成用以將自對向基板20側射入的外 光朝向對向基板20予以反射的光反射膜8a，以TFT陣列基 板1 0側反射自對向基板1 0側所射入之光，依據自對向基板 10側所射出之光來顯示畫像的方式爲主流。而且，雖然也 可依據於對向基板20側形成光反射膜，以對向基板20側反 射自TFT陣列基板1 0側所射入之外光，依據TFT陣列基板 10側所射出之光來顯示晝像，但是以如此構成之時，光透 過TFT陣列基板10，但因光在TFT30之形成區域等爲不透 過，故針對進行明亮顯示之點爲不利。再者，雖然亦可以 考慮在與陣列基板10、對向基板20之液晶50相反側上設置 38參紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 1245947 Α7 Β7 五、發明説明（2) 反射板之構造，但是從亮度和視差之問題來看，顯示品質 係比上述內面電極構造還差許多。 如此之反射型或半透過、半反射型之液晶裝置，當以 光反射膜8a所反射之光方向性爲強時，則明顯出現以觀看 晝像之角度不同亮度則大有不同的視角依存性。在此，以 往係製造液晶裝置之時，在第2層間絕緣膜5a(表面保護膜） 之表面上，塗布800nm〜1500nm厚度之丙烯酸等的感光性 樹脂後，使用微影成像技術將該感光性樹脂予以圖案製作 ，在光反射膜8a之下層側中之與光反射膜8a平面性重疊之 區域，藉由以規定圖案選擇性殘留凹凸形成用感光性樹脂 層1 2，而在其上層側所形成之光反射膜8a之表面上形成凹 凸圖案8a。 因此，自對向基板20射入之光，係在光反射膜8a之表 面上，因擴散並反射而朝向對向基板20，故可以抑制以液 晶裝置所顯示之畫像的視角依存性。 而且，在此，雖然以TFT作爲像素開關用之主動元件 的例予以敘述，但是，即使使用MIM(Metal Insulator* Metal) 元件等之薄膜二極體元件（TFD元件/Thin Film Diode元件） 作爲主動元件亦可。 【本發明所欲解決之課題】 但是，如以往之液晶裝置般，依據凹凸形成用感光性 樹脂層13而於光反射膜8a之表面形成凹凸圖案8g之方法中 ’因必須追加塗布感光性樹脂之工程，故有增加製造成本 3g沐紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（υοχ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 A7 B7 _ _ 五、發明説明（3) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的問題。再者，將該塗布後的感性樹脂使用微影成像技術 後也需要用以選擇性地使凹凸形成用感光樹脂層1 3殘留的 工程，故有增加製造成本之問題點。 鑒於上述之問題點，本發明之課題，係提供將製造成 本抑制成最小，並且可將具備光擴散功能之反射膜形成最 適合之狀態的光電裝置及具備此之電子機器。 【用以解決課題之手段】 爲了解決上述課題，本發明係屬於在挾持光電物質的 基板上，具有至少在每像素電氣性連接於一個或多數配線 的像素開關用之主動元件和光反射膜的光電裝置，其特徵 爲：上述光反射膜之下層側中，與該光反射膜平面性重疊 的區域，設置有以規定圖案而選擇性形成至少與上述一個 或多數配線，及形成於該些配線之層間或上層或下層的絕 緣膜中之1層同層之薄膜的凹凸形成薄膜，和該凹凸形成薄 膜之非形成區域，於上述光反射膜之表面上，藉由上述凹 凸形成用薄膜之形成區域和非形成區域形成有凹凸圖案。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明中，上述光反射膜之下層側中，與該光反射 膜平面性重疊的區域，選擇性形成至少與上述一個或多數 配線，及形成於該些配線之層間或上層或下層的絕緣膜中 之1層同層之薄膜的凹凸形成薄膜，因有無形成該凹凸形成 用薄膜而導致之段差，利用凹凸，於光反射膜之面上形成 凹凸圖案。在此，上述一個或是多數配線及形成於該些配 線之層間或上層或下層的絕緣膜，係不管是否於光反射膜 ;夺紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -6 - 1245947 A7 B7 五、發明説明（4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 配置有凹凸，必須要形成者，該些係在基板全表面上形成 規定之薄膜後’使用微影成像技術而藉由圖案製作等之方 法所形成者。因此，可以沿用形成上述一個或是多數配線 及形成於該些配線之層間或上層或下層的絕緣膜的工程， 以規定圖案選擇性地形成與該些同層之凹凸形成用薄膜。 因此’不需要追加成膜工程，可以形成具備光擴散功能之 光反射膜。再者’因也容易避開在基板上形成主動元件之 區域而形成凹凸形成薄膜，故對於執行用以形成主動元件 之細微加工則無阻礙。 而且’在此所稱之者動元件，即使是像具有MIM構造 等之TFD元件般之非線性2端子元件亦可，爲TFT亦可。再 者，若爲TFT，即使將非晶Si使用主動層，將聚矽使用於 主動層亦可，即使爲逆交錯型、順交錯型、共面型中之任 一者的構造也無妨。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明中，於上述光反射膜之下層側且上述凹凸形 成用薄膜之上層側上，形成有平坦化膜爲最佳。當形成如 此之構成時，因有無凹凸形成用薄膜而導致之段差或凹凸 係藉由平坦化膜而無稜邊，因成爲平滑之形狀而被光反射 膜之表面的凹凸圖案反映，故可以防止因稜邊所引起之視 角依存性的發生。 在此，上述平坦化膜厚係在上述圖案高低差之1 /2倍至2 倍的範圍內爲最佳。當上述平坦化膜之平均膜厚超過凹凸 圖案之高低差的2倍時，凹凸則藉由平坦膜被消去，正反射 成分過強，則書像上之視角依存性變強以替代取得明亮之 39^紙張尺度適用中國國家標準（〇泌）八4規格（210父297公釐） 1245947 A7 B7 五、發明説明（5) 畫像，對此’上述平坦化膜之膜厚未滿凹凸圖案之高低差 之1/2倍，係無法藉由平坦化膜確實消去稜邊，則發生因稜 邊引起之視角依存性。因此，當上述平坦化膜厚設定在上 述圖案高低差之1/2倍至2倍的範圍時，則可以抑制視角依存 性，同時可以確保畫像之亮度。 於本發明中，於上述凹凸形成用薄膜即使僅有1層即可 ，但是以形成2層以上爲最佳。爲了要在光反射膜之表面形 成充分具有高低差之凹凸圖案，雖然必須形成具有與可視 光區域之波長相同厚度之凹凸形成用薄膜，但是，通常， 在TFT上無法形成像如此厚之薄膜。然而，若將上述凹凸 形成用薄膜形成2層以上，薄膜即使較薄時，亦可以在光反 射膜之表面上形成具有充分高低差之凹凸圖案。 於本發明中，例如，可以採用於上述凹凸形成用薄膜 上至少包含有與上述配線中之一個相同層的導電膜的構成 。此時，由與上述配線中之一個同層的導電膜所組成之上 述凹凸形成用薄膜，係與上述配線電氣性分離爲最佳。 於本發明中，上述主動元件，係例如TFT或TFD元件 ，此時，上述配線中之一個爲掃描線。 於本發明中，上述主動元件爲TFT之時，於上述凹凸 形成用薄膜至少含有與掃描線或閘極電極相同層的導電膜 〇 如此之掃描線或聞極電極係在基板全表面上形成導電 膜後，使用微影成像技術而藉由圖案製作等之方法所形成 者。因此，因可以照舊沿用形成掃描線或閘極電極之工程 31.紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 __B7五、發明説明（6 ) ’以規定圖案選擇性形成與掃描線或閘及電極配線相同層 之凹凸形成用薄膜，故對於在光反射膜表面上形成凹凸圖 案，則不需要追加新工程。 此時，先將由和上述掃描線或上述閘極電極相同層之 導電膜所構成之上述凹凸形成用薄膜，與上述掃描線及上 述閘極電極電氣性分離，防止掃描線經由凹凸形成用薄膜 與其他構成要素成爲短路狀態，或是引起容量結合爲最佳 〇 於本發明中，上述主動元件爲TFT之時，可以採用於 上述凹凸形成用薄膜上至少含有與資料線或源極電極相同 層之導電膜的構成。如此之資料線或源極電極也與掃描線 或閘極電極相同，於基板之表面全體形成導電膜之後，使 用微影成像技術而藉由圖案製作所形成者。因此，因可照 舊沿用形成源極電極之工程，以規定圖案選擇性形成與資 料線或源極電極相同層之凹凸形成用薄膜，故對於在光反 射膜表面上形成凹凸圖案，則無需追加新工程。 此時，例如，先將由和上述資料線或上述源極電極相 同層之導電膜所構成之上述凹凸形成用薄膜，與上述資料 線及上述源極電極電氣性分離，防止掃描線或源極電極經 由凹凸形成用薄膜而與其他構成要素成爲短路狀態爲最佳 〇 採用如此之構成時，上述導電膜之膜厚各爲500nm以上 爲最佳° 於本發明中，上述導電膜相當於厚度尺寸至少1 /2之部 参紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ¥ 裝·
、1T -9- 1245947 A7 B7 五、發明説明（7) 分係由鋁膜、鉅膜、鉬膜或以該些金屬中之任一者爲主成 分之合金膜所構成爲最佳。再者，該些導電膜係藉由乾鈾 刻法而被加工爲最佳。自導電膜形成上述凹凸形成薄膜之 時，雖然將該導電膜形成部分厚，但是若爲如此之金屬材 料，則有膜之應力比較低且成膜速度快，而且，可藉由乾 蝕刻容易一面控制錐形狀一面予以圖案製作的優點。 於本發明中，即使採甩於上述凹凸形成用薄膜上至少 包含有絕緣膜的構成亦可。 於本發明中，上述主動元件爲薄膜電晶體之時，若採 用於上述凹凸形成用薄膜上，例如至少包含有用以作爲上 述絕緣膜之閘極、源極間之絕緣之層間絕緣膜的構成即可 。如此之層間絕緣膜係在基板全表面上形成絕緣膜後，使 用微影成像技術予以圖案製作而形成觸孔者。因此，因可 以照舊沿用形成層間絕緣膜及觸孔之工程，以規定之圖案 選擇性形成與層間絕緣膜相同層之凹凸形成用薄膜，故對 於在光反射膜表面上形成凹凸圖案，則不需要追加新工程 〇 於本發明中，即使爲例如在上述絕緣膜上包含形成於 比主動元件之下層側的基底保護膜當作絕緣層的構成亦可 。該基底保護膜因係爲了保護主動元件及配線而被形成者 ，故即使於形成凹凸形成用薄膜之時，亦無需追加成膜工 程。再者，因於基底保護膜之上層側上形成閘極絕緣膜或 層間絕緣膜，故於該些閘極絕緣膜或層間絕緣膜形成觸孔 之時，可照舊沿用該工程，以規定圖案選擇性形成與基底
Vi本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 A7 ______B7_ 五、發明説明（8) 保護膜相同層之凹凸形成用薄膜，故對於在光反射之表面 上形成凹凸圖案，則無需追加任何新工程。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於本發明中，即使爲在上述凹凸形成用薄膜上，例如 包含有被形成於上述主動元件及上述配線上層側的保護絕 緣膜當作上述絕緣膜亦可。該保護絕緣膜係爲了保護主動 元件及配線而形成後，因使用微影成像技術予以圖案製作 而形成觸孔者，故即使於形成凹凸形成用薄膜之時，亦不 需要追加成膜工程及圖案製作工程。 於本發明中，上述絕緣膜相當於厚度尺寸至少丨/2之部 分係由矽氧化膜所構成爲最佳。由絕緣膜形成上述凹凸形 成薄膜之時，雖然將該絕緣膜形成部分厚，但是，若爲矽 氧化膜時，則有膜之應力比較低且成膜速度快，而且，可 藉由乾蝕刻圖案製作成良好之形狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明中，上述主動元件爲Ttft，將與層間局源膜相 同層之薄膜當作凹凸形成用薄膜使用之時，至少對於構成 上述凹凸圖案之凹部矽平面性地重疊與上述TFT之主動層 相同層之半導體膜爲最佳。對於在凹凸圖案相當於凹部之 區域，蝕刻除去與層間絕緣膜相同層之薄膜之時，雖然該 需玉之基底的膜或是基板也有被蝕刻液或鈾刻氣體侵蝕之 可能，但是若在相當於凹部之區域殘留與上述TFT之主動 層相同層之半導體膜，該半導體膜因作爲蝕刻鎖檔發揮功 會g，故可以防止下層被蝕刻除去，有防止污染，抑制凹部 之形狀的效果。 於本發明中，上述凹凸圖案係不具有鄰接凸部持有2〇 .冬紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1245947 A7 B7 五、發明説明（9) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下之平面距離而重覆之區域爲最佳。於凹凸圖案中 ，當鄰接凸部持有20 // m以下之平面距離而重複之區域時 ’光和波長之關係雖然發生干擾色，但是若無如此之重複 區域，則可擾色之發生。 於本發明中，上述凹凸圖案之高低差爲500nm以上最佳 ’尤其，上述凹凸圖案之高低差爲800nm以上爲最佳。當凹 凸圖案之高低差太小時，在散亂特性中，雖然可視區域內 發生頻率依存性，畫像被著色，但是，上述凹凸圖案之高 低差若爲500nm以上，則可以減輕如此之著色，尤其上述凹 凸圖案之高低差若爲800nm以上，則可以確實地防止如此之 著色。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明中，上述凹凸形成用薄膜係形成外周緣不具 有銳角而持有平面形狀爲最佳。如此之構成係在設計曝光 掩模時，若將在CAD上開口之一邊長度設定成曝光機之定 則界限附近，即可以實現。例如，使用以由所使用之微影 成像裝置之解像度2倍以下之長度所構成之多角形而所描畫 出之掩模，形成上述凹凸形成用薄膜。當形成如此之構成 時，因在上述凹凸形成用薄膜之外周緣無銳角部分，故可 以防止發生頻率依存性，而且，也可以防止畫像之視角依 存性之發生。 於本發明中，構成上述凹凸圖案之凸部及凹部，無論 哪一個之對基板傾斜之角度爲3度以下之平坦部分的平面尺 寸皆爲1 0 // m以下爲最佳。當形成如此之構成時，則可以 防止於散亂特性發生頻率依存性，而且，可以防止晝像視 31參紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1245947 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（10) 角依存性之發生。 於本發明中，上述凹凸圖案係在鄰接凸部間之平面距 離爲上述凹凸圖案之高低差之5倍至20倍的範圍內爲最佳。 當形成如此之構成時，可針對視角依存性及畫像之亮度取 得良好之水平。即是，當鄰接之凸部間之平面距離超過凹 凸圖案之高低差之20倍時，正反射成分過強，於全反射方 向上取得明亮之畫像，但卻於畫像發生視角依存性。對此 ，鄰接凸部間之平面距離未滿凹凸圖案之高低差的5倍，貝ij 發生視角依存性。因此，當將鄰接之凸部間之平面距離設 定在上述凹凸圖案之高低差之5倍至20倍之範圍時，可以抑 制視角依存性，同時也可以確保畫像之亮度。 於本發明中，在構成上述凹凸圖案之各凸部之間側面 傾斜角的偏差在面內爲10度以下，最好是在5度以下爲最佳 。當傾斜角之偏差較大時，雖然發生反射亮度不均，但是 若一直至如此之水平爲止抑制偏差的話，則可以防止亮度 不均之發生。如此之構成係當以規定之圖案形成凹凸形成 用薄膜時，噁藉由乾蝕刻，例如RIE(反映性離子蝕刻），或 是高密度電漿蝕刻而實現。 於本發明中，構成上述凹凸圖案之各凸部，係側面傾 斜相對於該凸部之中心爲非對稱最佳。於形成如此之構成 時，反射光則帶有非等方性，利用該非等方性可以提高顯 示之品質。例如，構成上述凹凸圖案之各凸部係以側面之 傾度爲陡峭之部分朝向明視方向的構成爲最佳。當構成如 此時，因可以強化對明視方向的散亂成分，故可以維持朝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¥ 裝_ 訂 沐紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） 1245947 A7 B7 五、發明説明（u) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 向明視方向側之亮度，提高畫像全體之亮度。應用於使用 液晶之顯示器時，與以拋光方向所決定之液晶配向方向而 形成之明視方向一致時，則更佳。 如此所構成之非對稱圖案，係設定成上述凹凸形成用 薄膜至少由多數導電膜所構成之時，該些多數導電膜之剩 餘凸圖案，係至少部分性的互相平面性重疊，而且，重疊 之中心與各圖案之中心爲不一致的非對稱圖案之構成。或 是，設定成上述凹凸形成用薄膜至少由多數絕緣膜所構成 之時，開口於該些多數絕緣膜之剩餘凸圖案，係至少部分 性互相的平面性重疊，而且，重疊之中心與各圖案之中心 爲不一致的非對稱圖案之構成。或是，設定成上述凹凸形 成用薄膜由至少一個絕緣膜和至少一個導電膜所構成，上 述導電膜之所剩餘的凸圖案和開口於上述絕緣膜之凹圖案 之中心係分布成平面性非對稱的構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明中，上述凹凸形成用薄膜係具有構成上述凹 凸圖案之凸部下層側的殘留圖案，常被形成在比上側層之 殘留圖案還外側上，構成上述凹凸圖案之凹部下層側的開 口圖案，被形成在比上側層之開口部還內側上而構成的順 圓錐形狀爲最佳。如此之構成，係在上述凹凸形成用薄膜 至少由多數導電膜所構成時，使在上層有殘留之凸圖案， 成爲常被形成在下層殘留有導電膜之凸圖案之形成區域之 內側區域的構成。再者，上述凹凸形成用薄膜至少由多數 絕緣膜所構成之時，使在下層被絕緣膜開口的凹圖案，成 爲常被形成在上層之局元膜上所形成之凸圖案之形成區域 3鉢紙張尺度適用中關家標举規格⑺ox崎）-14_ 1245947 Α7 Β7 五、發明説明（12) 的內側區域的構成。而且，於上述凹凸形成用薄膜至少由1 個絕緣膜和至少由1個導電膜所構成之時，使上述導電膜之 殘留凸圖案和開口於上述絕緣膜之凹圖案，成爲無具有互 相平面性重疊之部分的構成。 即是，重疊2層以上形成凹凸形成用薄膜之時，若爲殘 留圖案（凸圖案），則位於上層側之凸形成用薄膜，係成爲形 成在位於下層側之凸形成用薄膜之形成區域之內側區域的 構成。再者，相反的，若爲開口圖案（凹圖案），相反的位於 上層側之凹形成用薄膜之開口，係成爲被形成在位於下層 側之凹形成用薄膜之開口區域之外側區域的構成。當形成 如此之構成時，可以防止位於上層側之凹凸形成用薄膜成 爲外伸狀態（逆錐形），因可以減輕膜剝落或短路，故可良率 佳地予以製造。再者，搭配凹部和凸部而形成之時，若構 成不平面性重疊開口部（凹部）和殘留部（凸部），依據位於下 層側之凹凸形成用薄膜所形成之段差，則不會被位於上層 側之凹凸形成用薄膜消除。因此，若採用如此之構成，上 述凹凸形成用薄膜由多數絕緣膜或導電膜所構成之時，各 絕緣膜或導電膜即使爲800nm以下，亦可以於光反射膜之表 面形成具有充分高低差之凹凸圖案。 於本發明中，上述光電物質係例如液晶。 適用本發明之光電裝置可以作爲行動電話、攜帶型電 腦等之電子機器的顯示裝置使用。 【本發明之實施形態】 _紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 A7 ___B7 _ 五、發明説明（13) 參照圖面，說明本發明之實施形態。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (實施形態1 ) C光電裝置之基本構成） 第1圖係由對向基板側觀看適用本發明之光電裝置之各 構成要素的平面圖，第2圖爲第1圖之Η-r剖面圖。第3圖在 光電裝置之畫像顯示區域形成矩陣狀之多數像素中之各種 元件、配線等之等效電路圖。而且，本形態之說明所使用 之各圖，爲了使各層或各構件在圖面上成爲可辨識程度之 大小，每各層或各構件之縮尺有所不同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製3. 於第1圖及第2圖中，本形態之光電裝置100係將作爲光 電物質之液晶50挾持於藉由密封材料而所貼合之TFT陣列 基板1 0和對向基板2 0之間，在密封材料5 2之形成區域之內 側區域上，形成有由遮光性材料所構成之周邊界面53。於 密封材料5 2之外側區域上，沿著TFT陣列基板1 0之一邊形 成有資料現驅動電路101及安裝端子102，沿著鄰接於該一 邊之2邊形成有掃描線驅動電路1 〇4。於TFT陣列基板1 0之 殘留一邊，設置有用以連接被設置於晝像顯示區域之兩側 上的掃描線驅動電路1 0 4間的多數配線1 〇 5，而且，利用周 邊界面5 3之下側等也設置有預通電電路或檢查電路。再者 ’於對向基板20之隅角部之至少1處上，形成有用以取得 T F T陣列基板1 〇和對向基板2 0間電氣性導通的上下導通材 料 106。 而且，即使例如使安裝有驅動用LSI之TAB(Tape 、纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 1245947 Α7 Β7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A u t 〇 m a t e d Β ο n d i n g)基板經由異方性導電膜電氣性及機械性 ，連接於被形成在TFT陣列基板1 0之周邊部上的端子群’ 而取代將資料現驅動電路1 〇 1及掃描線驅動電路1 〇4形成於 TFT陣列基板1 0上亦可。而且，於光電裝置中，所使用之液 晶50的種類雖然各配合著TN(扭轉向列型）模態' STN(超扭 轉向列型）模態等之動作模態，或正常白色模態/正常黑色模 態，而在規定方向配置偏光膜、位相差膜、偏光板等，但 是在此省略圖示。再者，當作彩色顯示用而構成光電裝置 100之時，於對向基板20，與TFT陣列基板10之各像素電極（ 後述）相向之區域上，形成RGB之彩色濾光片及其保護膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於具有如此之構造的光電裝置1〇〇之畫面顯示區域中， 如第3圖所示般，多數像素100a構成矩陣狀之同時，於該些 各個像素1 00a上，形成用以驅動該項訴電極9a之像素開關 用的TFT30，供給像素訊號SI、S2、…Sn之資料線6a被電 氣性連接於該TFT30之源極。寫入於資料線6a之像素訊號 S 1、S2、…Sn即使依此順序線順序地供給也無妨，對相鄰 接之多數資料線6a彼此，即使供給於每群亦可。再者，掃 描線3a被電氣性連接於TFT30之閘極，以規定之時機，構 成使掃描訊號G 1、G2、…Gm可以此順序線順序且脈衝性 施加於掃描線3a上。像素電極9a係被電氣性地連接於 TFT30之汲極，依據使爲開關元件之TFT30僅在一定期間成 爲其ON狀態，將自料線6A所供給之像素訊號SI、S2、… Sn以規定時機寫入於各像素。如此一來，經由像素電極9a 而被寫入於液晶之規定電平之像素訊號S 1、S 2、…S η係在 Μ麥紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 1245947 A7 __B7_____ 五、發明説明（1$ 第2圖所示之對向基板20之對向電極21之間保持一定期間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此，液晶5 0係依據由被施加之電壓電平變化分子集 合之配向或秩序，調製光，成爲可灰階顯示。若爲正常白 色模態，則配合著被施加之電壓入射光通過該液晶50之部 分的光量降低，若爲正常黑色模態，則配合著被施加之電 壓入射光通過液晶50之部分的光量則增大。其結果，以全 體而言，自光電裝置100射出持有配合像素訊號SI、S2、… Sn之對比度的光。 而且，爲了防止被保持之像素訊號SI、S2、…Sn洩漏 ，附加與被形成在像素電極9a和對向電極之間的液晶容量 並列的存儲容量60。例如，像素第9a之電壓僅以比施加源 極電壓之時間還長掃描線之條數倍以上的時間被存儲容量 所保持。依此，電荷之保持特性被改善，可實現對比度高 之光電裝置100。而且，作爲形成存儲容量60之方法，即使 如第3圖所示般，取得形成在用以形成存儲容量60之配線的 容量線3 b之間的C s ο n c 〇 m m. ο η構造，或是取得形成於前段 之掃描線3a之間的Cs on gate的構成中之任一情形亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (TFT陣列基板之構成） 第4圖係本形態之光電裝置所使用之T F T陣列基板之相 鄰接的多數像素群之平面圖。第5圖係在第4圖之相當於A-A1泉之位置上切斷光電裝置之像素的一部分時的剖面圖。 第6圖係放大表示第5圖所示之光電裝置中，在偏離像素開 關用之TFT形成區域的區域上，將凹凸圖案形成於光反射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） " -18- 1245947 A7 B7 五、發明説明（1弓 膜之表面上之模樣的斷面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖中’在TFT陣列基板1 〇上，矩陣狀地形成由多數 透明之IT〇（Indium Tin Oxide)膜所構成之像素電極9A，對於 該些各像素電極9a各連接著像素開關用之TFT30。再者， 沿著像素電極9a之縱橫境界，形成資料線6a、掃描線3a及 容量線3b，TFT30係對資料線6a及掃描線3a連接。即是， 資料線6a係經由觸孔而電氣性地連接於TFT30之高溶度源 極區域Id，像素電極9a係經由觸孔電氣性地連接於TFT30 之高濃度汲極區域le。再者，與TFT30之通道區域lal目向 地延伸掃描線3a。而且，存儲容量60爲將用以形成像素開 關用之TFT30的半導體膜1之延伸設置部分If予以導電化者 設爲下電極，將容量線當作上電極重疊於該下電極4 1上的 構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此構成之像素區域之A - A1泉的剖面，係如第5圖所示 般，在作爲TFT陣列基板10基體的透明基板10’之表面上， 係形成厚度爲30nm〜500nm之矽氧化膜（絕緣膜）所構成之基 底保護膜11a，於該基底保護膜11a之表面上，形成厚度爲 50nm〜100 nm的島狀半導體膜la。於半導體la之表面上， 形成厚度約爲50〜150nm之矽氧化膜所構成之閘極絕緣膜2a ，於該閘極絕緣膜2a之表面上，流通著作爲閘極電極的厚 度爲300nm〜800nm之掃描線3a。該半導體膜la中，相對於 掃描線3a經由閘極絕緣膜2a而對峙的區域成爲通道區域W 。相對於該通道區域1，，在一方側上，形成具備有低濃度 源極區域1 b及高濃度源極區域1 d的源極區域’在另一方側 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐] ~ - I y - 1245947 A7 B7 五、發明説明（ 上，形成有具有低濃度汲極區域1 c及高濃度汲極區域1 e的 汲極區域。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於像素開關用之TFT30之表面側上，形成有由厚度爲 300nm〜800nm之矽氧化膜所構成之第1層間絕緣膜4a及由 厚度爲lOOnm〜300nm之矽氮化膜所構成之第2層間絕緣膜 5a(表面保護膜）。於第1層間絕緣膜4a之表面上，形成厚度 爲300nm〜800nm的資料線，該資料線6a係經由形成在第1 層間絕緣膜4a之觸孔，而電氣性連接於高濃度源極Id。於 第1層間絕緣膜4a之表面上，形成與資料線6a同時所形成之 汲極電極6b，該汲極電極6b係經由形成於第1層間絕緣膜4a 之觸孔而電氣性連接於高濃度汲極區域le。 於第2層間絕緣膜5a之上層，形成燒結聚硅氨烷塗布膜 的膜，或是由丙烯酸樹脂所構成之透明之平坦化膜7，於該 平坦化膜7之表面上，形成有由鋁膜等所構成之光反射膜8a 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於光反射膜8a之上層形成有由ITO膜所構成之像素電 極9A。像素電極9a係直接疊層於光反射膜之表面，像素電 極9a和光反射膜8a係電氣性被連接。再者，像素電極9a係 經由形成在平坦化膜7及第2層間絕緣膜5a之觸孔，而電氣 性連接於汲極電極6b。 在像素電極9a之表面側上形成由聚醯亞胺膜所構成之 配向膜12。該配向膜12係對聚醯亞胺膜施予拋光處理的膜 〇 而且，對於自高濃度汲極區域le之延伸設置部分If(下 32^：紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1245947 A7 B7 五、發明説明（1与 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電極），係依據經由與閘極絕緣膜2a同時所形成之絕緣膜（ 介電體膜）而與當作上電極之容量線3b相向，而構成存儲容 量60。 而且，TFT30雖然最好持有如上述般之LDD構造’但 是，即使在相當於低濃度源極區域1 b及低濃度汲極區域1 c 之區域上，具有部執行雜質離子注入之補償構造亦可。再 者，TFT30即使爲將閘極電極（掃描線3a之一部分）當作掩模 以高濃度注入雜質離子，自行整合地形成高濃度之源極及 汲極區域的自調整型之TFT亦可。 再者，在本形態中，雖然爲僅將TFT30之閘極電極（掃 描線3a)配置1個在源極-汲極區域之間的單閘構造’但是’ 即使將2個以上之閘極電極配置在該些之間亦可。此時’使 相同之訊號施加於各閘極電極。如此，若以雙柵（雙控制極） 或是三重門以上構成TFT30，則可以防止在通道和源極-汲 極區域之接合部的洩漏電流，可以降低0FF時之電流。若 將該些閘極之至少1個構成LDD構成或補償構造，則更可以 降低OFF電流，可以取得安定之開關元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (凹凸圖案之構成） 於如此構成的TFT陣列基板10之各像素100a，如第5圖 及第6圖所示般，在光反射膜8a之表面中，在偏離TFT30之 形成區域的區域上（參照第4圖）上’形成有具備凸部8b及凹 部8c之凹凸圖案8g。 對於構成如此之凹凸圖案8g，在本形態之TFT陣列基 ，矣紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 1245947 A7 __ B7 五、發明説明（1夺 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 板10中，首先第1，在各像素100a中之偏離TFT30之形成區 域的區域上，相當於凹凸圖案8g之凸部8b之區域上，以規 定圖案選擇性形成由與基底保護膜1 1 a相同層之絕緣膜所構 成之凸形成用薄膜1 1 g。對此，在相當於凹凸圖案8g之凹部 8c之區域上，與基底保護膜1 la相同層之絕緣膜被除去，無 形成凸形成薄膜llg。 第2在凹形成用薄膜1 1 g之上層，形成由與閘極絕緣膜 2a相同層之絕緣膜所構成之凹凸形成用薄膜2g，該凹凸形 成用薄膜2g係完全與凹凸形成用薄膜llg重疊。 第3，於凹凸形成用薄膜2g之上層形成由與閘極電極3a 相同層之導電層所構成之凹凸形成用薄膜3g，該凹凸形成 用薄膜3g無自凹凸形成用薄膜2g之形成區域露出，而形成 於其中央區域。在此，凹凸形成用薄膜3g係在與掃描線3a( 閘極電極）電氣性分離之狀態下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第4，於凹凸形成用薄膜3g之表面上形成由與第1層間 絕緣膜4 a相同層之絕緣膜所構成之凹凸形成用薄膜4 g，該 凹凸形成用薄膜4g無自凹凸形成用薄膜2g之形成區域露出 ，而形成於其中央區域。 但是，凹凸形成用薄膜4g係形成比凹凸形成用薄膜3g 寬廣，自該凹凸形成用薄膜3g之形成區域露出。 第5，於凹凸形成用薄膜4g之表面形成由與資料線6a 相同層之導電膜所構成之凹凸形成用薄膜6g，該凹凸形成 用薄膜6g無自凹凸形成用薄膜4g之形成區域露出，而形成 於該中央區域。再者，凹凸形成用薄膜6g無自凹凸形成用 /本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 一 " -22 - 1245947 A7 B7 五、發明説明（2C) ---------^^裝*-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 薄膜3 g之形成區域露出，而形成於該中央區域。在此，凹 凸形成用薄膜3g係在與資料線3a(源極電極）電氣性分離之 狀態。 第6，於凹凸型用薄膜6g之表面上，形成由與第2層間 絕緣膜5a相同層之絕緣膜所構成之凹凸形成用薄膜5g，該 凹凸形成用薄膜5g無自凹凸形成用薄膜4g之形成區域露出 ，而形成於該中央區域。 但是，凹凸形成用薄膜5g係形成比凹凸形成用薄膜6g ，自該凹凸形成用薄膜6g之形成區域完全露出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此一來，所形成之凹凸形成用薄膜6g之表面側上， 形成燒結聚硅氨烷塗布膜的膜，或是由丙烯酸樹脂所構成 之透明之平坦化膜7，於該平坦化膜7之表面上，形成有由 鋁膜等所構成之光反射膜8a。因此，於本形態中，依據凹 凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、5g，和藉由該些非形 成區域而所形成之段差或凹凸，在光反射膜8a之表面上， 形成局低差H(與各凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、 5g之膜厚的合計値大約相等之値）爲500以上，或更厚之 800nm以上之凹凸圖案8g，而且，該凹凸圖案8g因藉由平 坦膜7之膜厚，而無稜邊地形成平滑之形狀。在此，平坦化 膜7之膜厚，係被設定於凹凸圖案8g之高低差Η之1/2倍至2 倍的範圍內。 而且，任一之凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、 5g皆係被形成持有外周緣不具有銳角之平面形狀（參照第4 圖）。 U奈紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 1245947 A7 B7 五、發明説明（21) 再者，於TFT陣列基板1〇之面內方向，凹凸圖案8g無 具有鄰接之凸部8b持有20// m以下之平面距離l而重複之 區域，而且，凹凸圖案8g係鄰接之凸部8a間之平面距離L 在凹凸圖案8g之高低差之5倍到20倍之範圍內。 而且，構成凹凸圖案8a及凹部8b任一者皆形成傾斜角 爲3度以下之平坦部分的平面尺寸爲1 〇 // m以下，下層側之 凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、5g或開口部分係形 成傾斜角^爲3度以下之平坦部分之平面尺寸爲ι〇 # m以下 〇 而且，在構成凹凸圖案8g之各凸部8a之間，使側面之 傾斜角的偏差可形成爲1 0度以下，或更小的5度以下，使凹 凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、5g可形成爲10度以下 ，或更小的5度以下。 (對向基板之構成） 於第5圖及第6圖中，於對向基板20，在與形成在TFT 陣列基板10上之像素電極9a之縱橫之境界區域相向的區域 上，形成被稱爲黑色矩陣或是黑色條紋等之遮光膜23，其 上側層上形成有由ITO膜重之對向電極2 1。再者，於對向 電極21之上層側上，形成由聚醯亞胺膜所構成之配向膜22 ，該配向膜22係對聚醯亞胺膜施予拋光處理的膜。 (本形態之光電裝置之作用、效果） 如此所構成之光電裝置100爲反射型之液晶裝置，於像 素電極9a之下層側上形成有由鋁膜等所構成之光反射膜8a 32參紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24 - 1245947 A7 B7 _ 五、發明説明（4 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，因可以以TFT陣列基板10側反射自對向基板20 側所射入之光10側，自對向基板20側射出，故若於其間依 據液晶50以每各像素l〇〇a進行光調製，則可以依據以適當 之偏向板、位相差板配置在對向基板20之外側，利用光而 顯示所欲之畫像（反射模態）。 再者，於光電裝置100中，例如，若避開第4圖中以2中 心線所示之區域V而形成光反射膜，則可以構成半透過、半 反射型之液晶裝置。此時，在TFT陣列基板1 0側上配置背 光裝置（無圖示），令自該背光裝置所射出之光從TFT陣列 基板10側射入，可以在各像素100a上形成有像素電極9a之 區域中，經由無形成光反射膜8a之區域上，將該光透過至 對向基板20側。因此，若依據依據液晶50在每各像素100a 進行調製，則可以依據將偏向板、相位差板配置在對向基 板20及TFT陣列基板10之外側，利用自背光裝置所射出之 光，顯示所欲之畫像（透過模態）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，於本形態中，光反射膜8a之下層側中，與光反 射膜8a平面性重疊之區域上，將構成TFT30之閘極電極（掃 描線3a)、源極電極（資料線6a)及與各絕源膜中之至少1層相 同層之薄膜當作凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、5g ，而選擇性形成規定之圖案，利用因有無該凹凸形成用薄 膜而引起之段差、凹凸，而於光反射膜8a之表面形成圖案 8g，因此，以反射模態模態顯示晝像之時，以光反射膜8a 反射自對向基板20側所射入的光之時，因光擴散，故於畫 夯紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1245947 A7 B7 _ 五、發明説明（约 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 像難發生視角依存性。在此，閘極電極（掃描線3 a )、源極電 極（資料線6a)、第1層間絕緣膜4a及第2層間絕緣膜5a因係 使用微影成像技術而圖案製作形成於基板1 0’之表面全體的 薄膜者，故可以照舊沿用用以形成閘極電極（掃描線3a)、源 極電極（資料線6a)、第1層間絕緣膜4a及第2層間絕緣膜5a 的工程，以任意之圖案形成與該些各個同層之凹凸形成用 薄膜3g、4g、6g、5g，因此，針對該些凹凸形成用薄膜3g ' 4g、6g、5g，並不限於微影成像處理，可以不追加任何工 程而形成之。 再者，基底絕緣膜1 1 a及閘極絕緣膜2a因也不管是否於 光反射膜8a形成凹凸圖案8g而被成膜，故即使選擇性殘留 由與該些同層之絕緣膜所構成的凹凸形成用薄膜1 1 g、2g， 亦不需追加成膜工程。 而且，於若依據本形態，因容易避開形成TFT30之區域 形成凹凸圖案8g(凹凸形成用薄膜llg ' 2g、3g、4g、6g、 5g)，故對於藉由精細加工TFT30而予以形成則無阻礙。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，在光反射膜8a之下層側，而且凹凸形成用薄膜 6g還上層側上，使用具有流動性之材料而形成平坦化膜7， 依據該平坦化膜7，適度地消除因有無凹凸形成用薄膜11 g 、2g、3g、4g、6g、5g所引起之段差，而形成無稜邊平滑 形狀的凹凸圖案8a。因此，可以防止因稜邊而引起視角依 存性之發生。但是，當平坦化膜7之膜厚超過凹凸圖案8g之 高低差Η之2倍時，凹凸則由平坦化膜7被消除，正反射成 分過強，於畫像上發生了視角依存性以替代取得明亮之畫 參紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ29<7公釐） -26- 1245947 A7 B7 五、發明説明（θ 像，另外，平坦化膜7之膜厚在未滿凹凸圖案8g之高低差Η 之1/2倍未滿時，雖然稜邊無法依據平坦化膜確實地被消除 ，則發生了因稜邊所引起之視角依存性，但是’於本形態 中，因將平坦化膜7之膜厚設定成凹凸圖案8g中之高低差之 1/2倍至2倍的範圍內，故可以抑制視角依存性，同時可確保 晝像之亮度。 而且，因將凹凸形成用薄膜形成2層形成，故即使在形 成在光反射膜8a之表面具有充分之高低差Η的凹凸圖案之 時，亦不需要形成不適合TFT30之厚度的薄膜。 而且，在由與掃描線3a及資料線6a之各個相同層之導 電膜所構成之2層凹凸形成用薄膜3g、6g之間，位於上層側 之凹凸形成用薄膜6g係被形成於位於下層側之凹凸形成用 薄膜3g之形成區域之內側區域上而不露出。再者，於由與 基底保護膜1 1 a、閘極絕緣膜2a、第1層間絕緣膜4a及第2層 間絕緣膜5 a各個相同層之絕緣膜所構成之4層凹凸形成用薄 膜llg、2g、4g、5g之間，位於上層側之凹凸形成用薄膜， 亦形成於位於下層側之凹凸形成用薄膜之形成區域之內側 區域上而不露出。 因此，構成凹凸圖案8g之各凹凸形成用薄膜係具有順 錐形構造，不會成爲外伸狀態（逆錐形），不用擔心發生因外 伸所引起之膜剝落或膜殘留。而且，由與掃描線3a及資料 線6a之各個枏同層所殘留之導電膜所構成之導電膜的2層之 凹凸形成用薄膜3g、6g，係對構成基底保護膜1 1 a、閘極絕 緣膜2a，第1層間絕緣膜4a及第2層間絕緣膜5a的絕緣膜不 32參紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（21〇父297公釐） ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27 - 1245947 Α7 Β7 五、發明説明（2$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 平面性重疊於已鈾刻除去的開口部。因此，依據位於下層 側之凹凸形成薄膜所形成之段差，因無取消到依據位於下 層側之凹凸形成用薄膜而所形成之段差，凹凸則被依據位 於上層側之凹凸形成薄膜消除，故可以可以形成在光反射 膜上8a之表面上具有充分表面上具有充分的高低差Η之凹 部圖案。 再者，因爲將由與掃描線3a相同層之導電膜所構成3g 與掃描線3a電氣性分離的構成，而且，將由與資料線6a相 同層之導電膜所構成之凹凸形成用薄膜6g電氣性分離的構 成，故掃描線3 a及資料線6 a係經由凹凸形成用薄膜3 g、6 g 而使其他構成要素成爲短路狀態，3g、6g之容量則被佳算 於3a、6a之容量上。 再者，於本形態中作爲構成掃描線3a及資料線6a之導 電膜，係使用鋁膜、鉅膜、鉬膜或以該些金屬中之任一者 爲主成分之合金膜，該些導電膜因成膜速度比較快，而且 可以藉由乾蝕刻圖案製作成良好之形狀，故可以效率佳， 而且最佳地形成凹凸形成用薄膜3g、6g。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，於本形態中，作爲構成基底保護膜11a及第1層 間絕緣膜4a之絕緣膜係使用矽氧化膜，該矽氧化膜因成膜 速度比較快，而且可以藉由乾蝕刻圖案製作成良好的形狀 ，故可以效率佳，而且最佳地形成凹凸形成用薄膜11 g、4 g ο 再者，於本形態中，凹凸圖案8g因無具有鄰接之凸部 8a持有20// m以下之平面距離L而重複之區域’故可以防 Ήβ本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐） 1245947 A7 B7___ 五、發明説明（2弓 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 止干擾色之發生。即是，於凹凸圖案8g中，當存在有鄰接 之凸部20持有20// m以下之平面距離L而重複之區域時， 則以與光之波長的關係發生了干擾色，但是若無如此之重 複區域，則可以防止干擾色之發生。 再者，於本形態中，因將凹凸圖案8g之高低差設爲 500nm以上，或設成800nm以上，故可以迴避凹凸圖案8g 之高低差過小而使得散亂特性在可視區域發生頻率依存性 致使畫像著色之事態。 再者，任何之凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、 5g因皆被形成持有外周緣不具有銳角之平面形狀，故可以 防止於散亂特性發生頻率依存性，而且，亦可以防止畫像 之視角依存性之發生。 而且，下層側之凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g 、5g或開口部分因被形成傾斜角α爲3度以下之平坦部分的 平面尺寸可成爲1 0 // m以下。因此，可以防止頻率依存性 發生於散亂特性，而且，亦可以防止發生畫像之視角依存 性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，凹凸圖案8g係因鄰接之凸部8a間之平面距離L 在凹凸圖案8g之高低差Η之5倍至20倍的範圍內，故針對視 角依存性及畫像亮度之雙方可以得到良好之水準。即是， 當鄰接之凸部8a間之平面距離L超過凹凸圖案8g之高低差 Η之20倍時，正反射成分過強，於畫像上發生視角依存性以 替代取得明亮之畫像。對此，鄰接之凸部8a間之平面距離 L在未滿凹凸圖案8g之高低差Η的5倍時，則發生視角依存 t本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公着1 " -29 - 1245947 A7 B7 五、發明説明（约 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 性。所以於本形態中，因將鄰接之凸部8a間之平面距離L 設定在凹凸圖案8g之高低差Η之5倍到20倍的範圍內’故可 以抑制視角依存性，同時亦可以確保畫像之売度。 再者，於本形態中，凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g 、6g、5g因被形成爲傾斜角/3之偏差可成爲l〇度以下’又5 度以下，故在構成凹凸圖案8g之各凸部8a之間側面之傾斜 角/3的偏差在面內亦爲10度以下，又5度以下。因此，可以 防止因傾斜角/3之偏差而引起之亮度不均的發生。 (TFT之製作方法） 參照第7圖至第10圖說明製造如此構成之TFT30的方法 。第7圖、第8圖、第9圖、10圖係表示本形態之TFT陣列基 板1 1之製造方法的工程剖面圖，於其中之任一圖，皆相當 於第4圖之A-A1泉的剖面。 首先，如第7圖（A)所示般，準備藉由超音波洗淨等而潔 淨化的玻璃製等之基板10’後，在基板溫度爲150°C〜450 °C 之溫度條件下，在基板1(Τ之全面上，依據電漿CVD法將由 用以形成基底保護膜11 a之矽氧化膜所構成的絕緣膜形成 300nm〜500nm之厚度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲此時之原料氣體，可以使用例如甲硅烷和笑氣的 混合氣體或TEOS和氧，或是乙桂院和氨。 接著，在基板溫度爲150 °C〜450 °C之溫度條件下，藉 由電漿CVD法在基板1(Τ之全面上，將由非晶矽膜所構成之 半導體膜1形成50nm〜l〇〇nm之厚度。作爲此時之原料氣體 可以使用例如乙硅烷或甲硅烷。接著，對半導體膜1照射雷 紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） 1245947 A7 B7 五、發明説明（2弓 射光施予雷射退火。其結果，非晶質之半導體膜1係一度溶 解，經由冷卻固化過程而結晶化。此時，對各區域照射雷 射光之照射時間非常短，而且，照射區域對於基板全體因 也爲局部，故基板全體無同時被高溫加熱。所以，即使使 用作爲基板10’之玻璃基板等亦不會產生因熱所產生之變形 或破裂。 接著，使用微影成像技術在半導體膜1之表面上形成光 阻掩模551，依據經由該光阻掩糢551鈾刻半導膜1，則如第Ί 圖（B)所示般，形成島狀之半導體膜la(主動層）。 接著，在350°C以下之溫度條件下，對於基板10’之全面 ，藉由CVD法等於半導體膜la之表面上，將用以形成閘極 絕緣膜2a等之矽氧化膜等之絕緣膜2形成50 nm〜100nm之 厚度。作爲此時之原料氣體可以使用例如TEOS和氧氣的混 合氣體。在此所形成之絕緣膜2即使以矽氮化膜代替矽氧化 膜亦可。 接著，雖然省略圖示，但是經由規定之光阻掩膜將雜 質注入於半導體膜1 a之延伸設置部分1 f，於與容量線之間 形成用以成存儲容量60之下電極。 接著，如第7圖（C)所不般，依據濺鍍法，在基板1 〇 ’之 全面上，將用以形成掃描線3 a等之鋁膜、鉅膜、鉬膜或是 以該些金屬中之任一者爲主要成分之合金膜所構成的導電 膜3形成300nm〜800nm之厚度後，使用微影成像技術形成 光阻掩模5 52。 接著，經由光阻掩模5 5 2乾蝕刻導電膜3，如第7圖（D)所 3沐紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） … -31 - --------!^^裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 A7 B7 五、發明説明（2自 市般，形成掃描線3 a (聞極電極）及容量線3 b。此時，自 TFT3 0之形成區域偏離的區域上，殘留與掃描線3a相同層之 導電膜所構成之凹凸形成用薄膜3g。在此，凹凸形成用薄 膜3g係形成自掃描線3a電氣性分離之狀態。 接著，在像素TFT部及驅動電路之N通道TFT部（無圖 示）之側上，將掃描線3A或閘極電極當作掩模，以大約0.1 X 1013/c m2〜大約10x l〇13/c m2之投入量注入低濃量之雜質 離子（磷離子），對於掃描線3 a自己整合性地形成低濃度源 極領域1 b及低濃度汲極1 c。在此，因位於掃描線3 a之正下 方，故無導入雜質離子之部分成爲半導體膜la之通道區域 la，。 接著，如第7圖（E)所示般，在像素TFT部中，形成比 掃描線3a(閘極電極）寬幅還寬的光阻掩模5 5 3後，’以大約0.1 X 1015/c m2〜大約ΐ〇χ l〇15/c m2之投入量注入高濃量之雜質 離子（磷離子），形成高濃度源極區域lb及汲極區域1 d。 即使以不執行低濃度之雜質注入而在形成比閘極電極 寬幅還寬的光阻掩模之狀態下注入高濃度之雜質（磷離子）， 來取代該些雜質導入工程，而形成補償構造之源極區域及 汲極區域亦可。 而且，雖然省略圖示，但是依據如此之工程，形成周 邊驅動電路部之N通道TFT部，但是，此時，事先以掩模 覆蓋P通道TFT部。再者，於形成周邊驅動電路之P通道 TFT部之時，依據以光阻包覆保護像素部及N通道部，將 閘極電極當作掩模，以大約0 · 1 X 1 015 / c m2〜大約1 〇 X 1 〇15 / c 33本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I------k 裝·-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32 - 1245947 A7 B7 五、發明説明（的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) m2之投入量注入硼離子，而自己整合性地形成p通道之源 極、汲極區域。此時，即使與形成N通道TFT部之形成時 相同，將閘極電極當作掩模，以大約O.lx l〇13/c ΐϊί〜大約10 x 1013/c m2之投入量導入低濃度之雜質（硼），於聚矽膜形成 低濃度區域後，形成比閘極電極寬幅還寬之掩模，以大約 O.lx 1015/c m2〜大約i〇x i〇15/c m2之投入量注入高濃度之雜 質（硼離子），形成L D D ( L i g h 11 y D 〇 p e d D r a i η )之源極區域 及汲極區域亦可。依據該些離子注入之工程，可CMOS化 ，可內藏於與周邊驅動電路之相同基板內。 \接著，如第7圖（F)所示般，使用微影成像技術形成光阻 掩模5 54之後，經由光阻掩模554乾蝕刻絕緣膜2、11，如第8 圖（A)所示般，在下層側與凹凸形成用薄膜3g重疊之區域上 ，殘留由與閘極絕緣膜2a及基底保護膜1 la各相同層之絕緣 膜所構成之凹凸形成用薄膜2g、11 g。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，如第8圖（B)所示般，依據CVD法在掃描線3a之 表面側上，將用以形成第1層間絕緣膜4a之矽氧化膜等之絕 緣膜4形成300nm〜800nm之厚度。作爲此時之原料氣體可 以使用例如TEOS和氧氣的混合氣體。 接著，使用微影成像技術形成光阻掩模555。 接著，經由光阻掩模5 5 5對絕緣膜4進行乾鈾刻，如第8 圖（C)所示般，在第1層間絕緣膜4a中對應於源極區域及汲 極區域之部分上各形成觸孔。此時，於與凹凸形成用薄膜 3g之領域上，殘留與第1層間絕緣膜4a相同層之絕緣膜所 構成之凹凸形成用薄膜。 33參纸張尺度適用中國國家標準（〇奶）人4規格（210><297公釐） 1245947 A7 B7 五、發明説明（31) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，如第8圖（D)所示般，於第1層間絕緣膜4a之表面 側上，以濺鍍法將用以構成資料線6a(源極電極）等之由鋁膜 、鉅膜、鉬膜、再者以該些金屬爲主成分之合金膜所構成 的導電膜6形成300nm〜800nm之厚度後，使用微影成像技 術形成光阻掩模5 5 6。 接著，經由光阻掩模55 6對導電膜6進行乾蝕刻，如第8 圖（E)所示般，形成資料線6a及汲極電極6b。此時，在與凹 凸形成用薄膜4g之區域上，殘留與資料線同層之導電膜所 構成之凹凸形成用薄膜6g。該凹凸形成用薄膜6g矽形成自 資料線6a電氣性分離的狀態。 接著，如第9圖（A)所示般，依據CVD法等，在資料線 6a及汲極電極6b之表面側上，將用以形成第2層間絕緣膜5a 之矽氮化膜等之絕緣膜形成爲lOOnm〜300nm之厚度後，使 用微影成像技術，於第2層間絕緣膜5a上形成用以形成觸孔 等之光阻掩模5 57。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，經由光阻掩模5 57對絕緣膜5進行乾蝕刻，如第9 圖（B)所示般，在第2層間絕緣膜5 A中對應於汲極電極1 4之 部分上形成觸孔。此時，與凹凸形成用薄膜6g重疊之區域 上，殘留由與第2層間絕緣膜5a同層之絕緣膜所構成之凹凸 形成用薄膜5g。 接著，如第9圖（C)所示般，在第2層間絕緣膜5a及凹凸 形成用薄膜5g之表面側上，塗布含有全氫化聚硅氨烷或含 有此之組成物後，予以燒結，或塗布丙烯酸樹脂而形成平 坦化膜7。 參紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ -34 - 1245947 A7 B7__ 五、發明説明（珀 在此，平坦化膜7因係由塗布具有流動性之材料而所形 成，故於平坦化膜7之表面上，適度消除有無凹凸形成用薄 膜llg、2g、3g、4g、6g、5g所引起之段差、凹凸，形成無 稜邊平滑形狀的凹凸圖案。但是，當平坦化膜過於厚時’ 則藉由平坦化膜7凹凸被消去，另外，當平坦化膜7過於薄 時，因稜邊無法確實消去，故針對平坦化膜7之膜厚，設定 在凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、5g之合計厚度的 大約1/2倍至2倍的範圍內。 而且，全氫化聚硅氨烷係指無機聚硅氨烷之一種，依 據在大氣中燒結轉化成矽氧化膜的塗布型塗層材料。例如 ，東燃（株）所製造的聚硅氨烷，係將（SiH2NH)當作單位的無 機聚合物，可溶於二甲苯等之有機溶劑。因此，當將該無 機聚合物之有機溶媒溶液（例如，20%之二甲苯）當作塗布液 以旋轉塗層法（例如，2000rpm，20秒間）塗布後，在大氣中 以45 0 °C之溫度燒結時，與水分或氧反應，則可以取得與以 CVD法成膜之矽氧化膜同等以上的精緻非晶質之矽氧化膜 〇 接著，使用微影成像技術，於平坦化膜7形成用以形成 觸孔之光阻掩模5 5 8後，經由光阻掩模5 5 8對平坦化膜7進行 鈾刻，如第9圖（D)所示般，形成觸孔。而且，於平坦化膜7 使用感性之材料時，塗布、預烘材料之後，以微影成像法 直接感光材料予以顯像後，利用後烘取得相同之觸孔。 接著，如第10圖（A)所示般，依據濺鍍法等，在平坦化 膜7之表面上，形成具備有像鋁膜般等之反射性的金屬膜8 务紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 A7 B7 五、發明説明（珀 後’使用微影成像技術形成光阻掩模5 5 9。 接著，經由光阻掩模5 5 9對金屬膜8執行蝕刻，如第1 〇 圖（B)所75般，在規定區域上殘留光反射膜8 a。如此一來， 在所形成之光反射膜8a之表面上，依據凹凸形成用薄膜丨丄g 、2g、3g、4g、6g、5g和該些之非形成區域所形成之段差 或凹凸而形成500nm以上，又800nm以上之凹凸圖案8g，而 且’該凹凸圖案8g係藉由平坦化膜而成爲無稜邊的平滑形 狀。 接著，如1 0圖（C)所示般，於光反射膜8a之表面側上， 以濺鍍法形成厚度40nm〜200nm之ITO膜9後，使用微影成 像技術形成光阻掩模5 6 0。 接著，經由光阻掩模560對ITO膜進行蝕刻，如第10圖 (D)所不般’形成與汲極電極6 B電氣性連接之像素電極9 a。 然後如第5圖及第6圖所示般，在像素電極9a之表面側 上形成聚醯亞胺膜（配向膜12 )。對此凸版印刷令5〜10重 量％之聚醯亞胺或聚醯氨酸溶解於丁基溶纖劑或η-曱基吡咯 烷酮等之溶媒中的聚醯亞胺漆後，予以加熱、硬化（燒結）。 然後，以由人造絲纖維所構成之粉撲布朝一定方向擦拭形 成聚醯亞胺膜之基板，使聚醯亞胺分子在表面附近配列成 一定方向。其結果，液晶分子依據之後所充塡之液晶分子 和聚醯亞胺分子之相互作用配列成一定方向。 如此，製造TFT陣列基板1 〇。而且，凹凸形成用薄膜 llg、2g、3g、4g、5g雖然係形成持有外周緣具有銳角之平 面形狀爲最佳，但是，如此之構成，若在曝光掩模設計時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ⑴， -36- —--------裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 A7 B7 五、發明説明（3今 ’將在CAD上開口之一邊長度設定在曝光機之之定則界限 附近，即可以實現。再者，因在構成凹凸圖案8g之各凸部 8b之間，側面之傾斜角的偏差爲1 0度以下最佳，更佳爲5度 以下，故形成凹凸形成用薄膜之時，若進行各種乾鈾刻中 之RIE或是高密度電漿鈾刻，則可以將各凸部8b間的側面 之傾斜角之偏差抑制成較小。 (實施形態2 ) 第11圖（A)、（B)係表示本發明之實施形態2所涉及之光 電裝置之TFT陣列基板之製造方法中的其特徵性工程之工 程剖面圖。第1 2圖係放大表示本發明之實施形態2所涉及之 光電裝置中，在偏離像素開關用之TFT形成區域的區域中 ’形成凹凸圖案於光反射膜表面之樣子的剖面圖。而且’ 因本實施形態及下述所說明之任一實施形態的基本構成皆 與實施形態1相同，故共同部分賦予相同符號，圖示於第Π 圖及第12圖，省略該些說明。 於實施形態1中，如第7圖（F)、第8圖（A)所示般’鈾刻 絕緣膜2、1 1而殘留凹凸形成用薄膜2g、1 1 g後，如第8圖 (B)、（C)所示般，雖然蝕刻絕緣膜4而材流凹凸形成用薄膜 4g，但是於本形態中，如第11圖（A)所示般，直到形成絕緣 膜4爲止，不蝕刻絕緣膜2、11，經由光阻掩模5 5 5而形成絕 緣膜4之時，如第1 1圖（B)所示般，同時蝕刻絕緣膜2、11， 同時形成凹凸形成用薄膜11 g、2 g、4 g。因此，若依據本形 態，比起實施形態1，可以減少1次微影成像工程。 33夸紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210乂297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) L# 裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -37- 1245947 A7 ___B7 五、發明説明（3$ 採用如此之製造方法之時，也如第i 2圖所示般，可以 依據凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、5g和藉由該些 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之非形成區域所形成之段差或凹凸，在光反射膜8a之表面 形成凹凸圖案8g。 (實施形態3 ) 第1 3圖（A)'(B)係表示本發明之實施形態3所涉及之光 電裝置之TFT陣列基板之製造方法中，其特徵性之工程的 工程剖面圖。第1 4圖係放大表示本發明之實施形態3所涉及 之光電裝置中，在偏離像素開關用之TFT形成區域的區域 中，將凹凸圖案形成於光反射膜表面之樣子的剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於實施形態2中，如參照第11圖（A)、（B)而所說明般， 雖然同時鈾刻絕緣膜2、11，同時形成凹凸形成用薄膜llg 、2g、4g，但是，於本形態中，如第13圖（A)所示般，先將 與TFT30之半導體膜同層之半導體膜la”殘留於相當於光 反射膜8a表面之凹凸圖案8a之凹部8c的區域上，在此狀態 下，如第13圖（B)所示般，蝕刻絕緣膜4而形成凹凸形成用薄 膜4g〇 當如此地構成時，則如第14圖所示般，因半導體膜la” 作爲蝕刻鎖檔發揮功能，構成基底保護膜lla之：絕緣膜11不 被蝕刻，故基底保護膜11可殘留於TFT陣列基板10之全面 上。 再者，於本實施形態中’可以依據凹凸形成用薄膜3 g 、4g、6g、5g和藉由該些之非形成區域所形成之段差或凹 34棒纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（公釐） 1245947 A7 B7 五、發明説明（3$ 凸，在光反射膜8a之表面形成凹凸圖案8g。 (實施形態4 ) 第1 5圖係放大表示本發明之實施形態4所涉及之光電裝 置中，在偏離像素開關用之TFT形成區域的區域中，將凹 凸圖案形成於光反射膜表面之樣子的剖面圖。 於實施形態1中，如第6圖所示般，因形成使凹凸形成 用薄膜llg、2g、3g、4g、6g、5g各中心可成爲一致，故於 光反射膜8a之表面上所形成之凹凸圖案8g中，雖然各凸部 8 a之側面傾斜對凸部8 a之中心爲對稱’反射光爲等方性’ 但是，於本形態中，如第1 5圖所示般，針對凹凸形成用薄 膜llg、2g、3g、4g、5g，令其中心一致’針對凹凸形成用 薄膜6g，將其中心位置自凹凸形成用薄膜llg、2g、3g、4g 、5 g之中心位置朝向明視方向偏移。因此，導電膜所剩之 凸圖案和開口於絕緣膜之凹圖案之中心則分布成平面性非 對稱。 當如此地構成時，於形成在光反射膜8a之表面的凹凸 圖案8g中，各凸部8a之側面之傾斜對凸部8a之中心呈非對 稱，反射光則帶有非等方性。因此，可以利用該非等方性 提高顯示品質。即是，於第1 5圖所示之例中，在構成凹凸 圖案8g之各凸部8a中，因側面傾斜爲陡峭之部分朝向明視 方向，可以強化朝向明視方向的散亂成分，故可以維持朝 向明視方向之亮度，提高畫像全體之亮度。 34#紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 kl __B7___ 五、發明説明（3》 (實施形態5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第16圖係放大表示本發明之實施形態5所涉及之光電裝 置中，在偏離像素開關用之TFT形成區域的區域中，將凹 凸圖案形成於光反射膜表面之樣子的剖面圖。 使來自光反射膜8a之反射光成爲非等方性，如第1 6圖 所示般，即使針對凹凸形成用薄膜llg、2g、4g、5g，使互 相之中心成爲一致，針對凹凸形成用薄膜3g、6g，使其中 心位置自凹凸形成用薄膜llg、2g、4g、5g之中心位置偏移 至依據拋光處理而所產生之明視方向亦可。當如此地構成 時，導電膜之所殘留的凸圖案和被開口於絕緣膜之凹圖案 之中心則分布成平面性非對稱。反射光則帶有非等方性。 因此，如本形態般，在構成凹凸圖案8g之各凸部8a中，若 使側面傾斜爲陡峭之部分朝向明視方向，因可以強化朝向 明視方向的散亂成分，故可以維持朝向明視方向之亮度， 提局畫像全體之売度。 (實施形態6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 7圖係本發明之實施形態6所涉及之光電裝置之剖面 圖。 於實施形態1〜5中，形成於各像素1 〇〇a之像素開關用 之TFT 3 0雖然爲正交錯型或共面型之聚矽TFT，但是即使將 如第17圖所示般之逆交錯型之TFT或非晶矽TFT等之其他 形式之TFT，使用於像素開關用亦可。 如此地構成之時，亦如第1 7圖所示般，在TFT陣列基 34#紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - 40- 1245947 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 板1 0，若在偏離逆交錯型之TFT30之形成區域的區域上，以 規定圖案選擇性地形成由與掃描線3 a (閘極電極）相同層之導 電膜所構成之凹部形成用薄膜3g，和由與閘極絕緣膜2a相 同層之絕緣膜所構成之凹部形成用薄膜6S ’則可以依據由 該些形成區域和非形成區域所產生之段差和凹凸’於光反 射膜8a之表面形成凹凸圖案8g。 (對於電子機器的適用） 如此構成的反射型，或是半透過、半反射型之光電裝 置+100雖然可以當作各種電子機器之顯示部使用，但參照第 18圖、第19及第20圖說明其中之一例。 第1 8圖係表示將本發明所涉及之光電裝置當作顯示裝 置使用的電子機器之電路構成的方塊圖。 於第1 8圖中，電子機器係具有顯示資訊輸出源70、顯 示資訊處理電路71、電源電路72、時標振盪器73及液晶裝 置74。再者，液晶裝置74係具有液晶顯示面板75及驅動電 路76。可以使用上述之光電裝置100當作液晶裝置74。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 顯示資訊輸出源70係具備有將像 R〇M(Read Only Memory)、RAM(Rand Access Memory)等之記憶體，各種磁碟 等之存儲元件、數位畫像訊號予以同步輸出之同步電路等 ，根據藉由時標振盪器73所生成之各種時脈訊號，將像規 定格式之畫像訊號的顯示資訊供給於顯示資訊處理電路7 1 〇 顯示資訊處理電路7 1係具備有如串聯-並聯變換電路 14本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） … -41- 1245947 A7 B7 五、發明説明（3$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或放大、反轉電路、旋轉電路、伽馬修正電路、箝位電路 等之周知的各種電路，實行輸入的顯示資訊處理後，將該 畫像訊號與時脈訊號同時供給至驅動電路76。電源電路72 係供給規定電壓於各構成要素。 第1 9圖係表示本發明所涉及之電子機器之一實施形態 的攜帶型之個人電腦。在此所示之個人電腦80 1係具有具備 鍵盤81之主體部82，和液晶顯示元件83。液晶顯示元件83係 函有上述光電裝置100而所構成。 第20圖係表示本發明所涉及之電子機器之其他實施形 態的行動電話機。在此所示之行動電話機90係具有多數操 作按鈕91，和由上述光電裝置100所構成之顯示部。 【發明效果】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如同上述，本發明係在光反射膜之下層側中，與光反 射膜平面性重疊的區域，以規定圖案而選擇性地形成至少 與各配線及絕緣膜中之1層同層之薄膜的凹凸形成薄膜，利 用有無形成該凹凸形成用薄膜而所引起之段差、凹凸，於 光反射膜之表面形成凹凸圖案。在此，配線或絕緣膜等因 係不管於光反射膜上是否有賦予凹凸，一定得形成者，故 該些係在基板表面全體上形成規定之薄膜後，藉由使用微 影成像技術而予以圖案製作所形成者。因此，可如此地沿 用形成配線或絕緣膜之工程，以規定之圖案選擇性形成予 該些同層之凹凸形成用薄膜。因此，不用追加成膜工程， 則可以形成具備光擴散機能之光反射膜。再者，因容易避 4參紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -42- 1245947 A7 _____B7 __ 五、發明説明（Μ 開主動元件形成在基板上之區域而形成凹凸形成用薄膜， 故對於進行用以形成主動元件之精細加工則無阻礙。 【圖面之簡單說明】 第1圖係由對向基板側觀看光電裝置之時的平面圖。 第2圖係第1圖之H-H’線的剖面圖。 第3圖係光電裝置中，形成有被配置成矩陣狀之多數像 素的各種元件、配線等之等效電路圖。 第4圖係表示本發明之實施形態1所涉及之光電裝置中 ’形成於TFT陣列基板上之各像素之構成的平面圖。 第5圖係將本發明之實施形態1所涉及之光電裝置在相 當於第4圖A-A1泉之位置切斷時的剖面圖。 第6圖係表示放大第5圖所示之光電裝置中，在偏離像 素開關用之TFT的形成區域的區域中，形成凹凸圖案於反 射膜表面之樣子的剖面圖。 第7圖（A)〜（F)係表示本發明之實施形態1所涉及之光電 裝置之TFT陣列基板之製造方法的工程剖面圖。 第8圖（A)〜（E)係本發明之實施形態1所涉及之光電裝置 之TFT陣列基板之製造方法中，持續第7圖所示之工程而所 進行之各工程的工程剖面圖。 第9圖（A)〜（D)係本發明之實施形態1所涉及之光電裝置 之T F T陣列基板之製造方法中，持續第8圖所示之工程而所 進行之各工程的工程剖面圖。 第10圖（A)〜（D)係本發明之實施形態1所涉及之光電裝 参紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） " -43- I-------辦衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245947 A7 ___ B7 五、發明説明（4卡 置之TFT陣列基板之製造方法中，持續第9圖所示之工程而 所進行之各工程的工程剖面圖。 第1 1圖（A)、（B)係表示本發明之實施形態2所涉及之光 電裝置之TFT陣列基板之製造方法中，其特徵性之工程的 工程剖面圖。 第1 2圖係表示放大本發明之實施形態2所涉及之光電裝 置中’在偏離像素開關用之TFT形成區域的區域中，形成 凹凸圖案於反射膜表面之樣子的剖面圖。 第13圖（A)、（B)係表示本發明之實施形態3所涉及之光 電裝置之TFT陣列基板之製造方法中，其特徵性之工程的 工程剖面圖。 第14圖係表示放大本發明之實施形態3所涉及之光電裝 置中’在偏離像素開關用之TFT形成區域的區域中，形成 凹凸圖案於反射膜表面之樣子的剖面圖。 第1 5圖係表示放大本發明之實施形態4所涉及之光電裝 置中’在偏離像素開關用之TFT形成區域的區域中，形成 凹凸圖案於反射膜表面之樣子的剖面圖。 第1 6圖係表示放大本發明之實施形態5所涉及之光電裝 置中，在偏離像素開關用之TFT形成區域的區域中，形成 凹凸圖案於反射膜表面之樣子的剖面圖。 第1 7圖係本發明之實施形態6所涉及之光電裝置之剖面 圖。 第1 8圖係表示將本發明所涉及之光電裝置當作顯示裝 置使用之電子機器的電路構成之方塊圖。
Vt本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） --------裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -44- 1245947 Μ B7 五、發明説明（鈎 第19圖係表示作爲使用本發明所涉及之光電裝置之電 子機器之一實施形態的攜帶型個人電腦的說明圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第20圖係表示作爲使用本發明所涉及之光電裝置之電 子機器之一實施形態的行動電話機的說明圖。 第21圖係以往之光電裝置的剖面圖。 【符號說明】 la 半導體膜 la3 通道形成用區域 lb 低濃度源極區域 lc 低濃度汲極區域
Id 高濃度源極區域 le 高濃度汲極區域 2a 閘極絕緣膜 2g 與閘極絕緣膜同層之凹凸形成用薄膜 3 a 掃描線 3 b 容量線 3g 與掃描線同層之凹凸形成用薄膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4a 第1層間絕緣膜 4g 與第1層間絕緣膜同層之凹凸形成用薄膜 5a 第2層間絕緣膜 5g .與第2層間絕緣膜同層之凹凸形成用薄膜 6a 資料線 6g 與資料線同層之凹凸形成用薄膜 7 平坦化膜 F本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 45 1245947 A7 B7 五、發明説明（4$ 8a 光反射膜
Bb 凹凸圖案之凸部 8c 凹凸圖案之凹部 9a 像素電極 10 TFT陣列基板 11a 基底保護膜 llg 與基底保護膜同層之凹凸形成用薄膜 20 對向基板 21 對向電極 23 遮光膜
30 像素開關用之TFT 5 0 液晶 53 周邊界面 60 存儲容量 100 光電裝置 100a 像素 I-------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 娜紙張尺度適用中關家標準（c奉規格（训X·菱）

Claims (1)

1245947 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 1 · 一種光電裝置，係屬於在挾持光電物質的基板上，具 有至少在每像素電氣性連接於一個或多數配線的像素開關 用之主動元件和光反射膜的光電裝置，其特徵爲： 上述光反射膜之下層側中，與該光反射膜平面性重疊 的區域’設置有以規定圖案而選擇性形成至少與上述一個 或多數配線，及形成於該些配線之層間或上層或下層的絕 緣膜中之1層同層之薄膜的凹凸形成薄膜，和該凹凸形成薄 膜之非形成區域， 於上述光反射膜之表面上，藉由上述凹凸形成用薄膜 之形成區域和非形成區域形成有凹凸圖案。 2·如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中，於 上述光反射膜之下層側且上述凹凸形成用薄膜之上層側上 ，形成有平坦化膜。 3·如申請專利範圍第2項所記載之光電裝置，其中，上 述平坦化膜厚係在上述圖案尚低差之1 / 2倍至2倍的範圍內。 4·如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記載之光 電裝置，其中，於上述凹凸形成用薄膜上，至少包含有與 上述配線中之一個相同層的導電膜。 5_如申請專利範圍第4項所記載之光電裝置，其中，由 與上述配線中之一個同層的導電膜所組成之上述Η β开多$ 用薄膜，係與上述配線電氣性分離。 6 ·如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記載之光 電裝置，其中，上述主動元件爲薄膜電晶體或是薄膜二極 體， 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47 1245947 A8 B8 C8 D8 X、申請專利範圍 2 上述配線中之一個爲掃描線。 衊— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7·如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記載之光 電裝置，其中，上述主動元件爲薄膜電晶體， 上述配線中之一個爲資料線。 8·如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記載之光 電裝置，其中，上述主動元件爲薄膜電晶體， 上述配線也包含掃描線以及資料線， 上述凹凸形成用薄膜也包含由與掃描線和資料線之各 相同層所構成的導電膜。 9. 如申請專利範圍第8項所記載之光電裝置，其中，上 述導電膜之膜厚各具有500nm以上。 10. 如申請專利範圍第9項所記載之光電裝置，其中，上 述導電膜相當於厚度尺寸至少1/2之部分係由鋁膜、鉅膜、 鉬膜或以該些金屬中之任一者爲主成分之合金膜所構成。 i i .如申請專利範圍第1 〇項所記載之光電裝置，其中， 上述導電膜係藉由乾蝕刻法而被加工。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i 2.如申請專利範圍第11項所記載之光電裝置，其中， 於上述凹凸形成用薄膜上至少包含有絕緣膜。 13.如申請專利範圍第12項所記載之光電裝置，其中， 於上述絕緣膜上包含有由與形成於比主動元件以及配線下 層的基底保護層相同層所構成之絕緣層。 1 4.如申請專利範圍第1 3項所記載之光電裝置，其中， 上述配線爲多數，於上述絕緣膜上包含有由與用以電氣性 絕緣該些多數配線間之層間絕緣膜相同層所構成之絕緣層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 4 8 — 1245947 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 〇 15.如申請專利範圍第14項所記載之光電裝置，其中， 於上述絕緣膜上，包含有由與被形成於上述配線上層之保 護絕緣膜相同層所構成之絕緣層。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所記載之光電裝置，其中， 上述絕緣膜相當於厚度尺寸至少1/2之部分係由矽氧化膜所 構成。 17. 如申請專利範圍第16項所記載之光電裝置，其中， 上述絕緣膜係藉由乾蝕刻法所形成而構成之。 18. 如申請專利範圍第17項所記載之光電裝置，其中， 上述主動元件爲薄膜電晶體， 於上述凹凸形成用薄膜之下層上，平面性重疊著與上 述薄膜電晶體之主動層同層的半導體膜。 19. 如申請專利範圍第18項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸圖案係不具有鄰接凸部持有20 // m以下之平面距 離而重覆之區域。 2 0.如申請專利範圍第1 9項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸圖案之局低差爲500nm以上。 21. 如申請專利範圍第20項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸之高低差爲800nm以上。 22. 如申請專利範圍第2 1項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜係形成外周緣不具有銳角而持有平面 形狀。 23. 如申請專利範圍第22項所記載之光電裝置，其中， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公羡） , 讀— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4t 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 49 1245947 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 4 ± _ Η ΰ形成用薄膜係使用以由所使用之微影成像裝置之 角军像度2倍以下之長度所構成之多角形而所描畫出之掩模而 所形成。 24_如申請專利範圍第23項所記載之光電裝置，其中， 構成上述凹凸圖案之凸部及凹部，無論哪一個之對基板傾 余斗之角度爲3度以下之平坦部分的平面尺寸皆爲1〇 # m以下 〇 25. 如申請專利範圍第24項所記載之光電裝置，其中， ±述凹凸圖案係在鄰接凸部間之平面距離爲上述凹凸圖案 之高低差之5倍至20倍的範圍內。 26. 如申請專利範圍第25項所記載之光電裝置，其中， 在構成上述凹凸圖案之各凸部之間側面傾斜角的偏差在面 內爲10度以下。 27. 如申請專利範圍第26項所記載之光電裝置，其中， 在構成上述凹凸圖案之各凸部之間側面傾斜角的偏差在面 內爲5度以下。 28. 如申請專利範圍第27項所記載之光電裝置，其中， 構成上述凹凸圖案之各凸部，係側面傾斜相對於該凸部之 中心爲非對稱。 29·如申請專利範圍第28項所記載之光電裝置，其中， 構成上述凹凸圖案之各凸部，係側面傾斜爲陡峭部分朝向 明視方向。 3 0.如申請專利範圍第29項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜至少係由多數導電膜所構成， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ----------Μί-----、玎------ΜΦ C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 1245947 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 該些多數導電膜之剩餘凸圖案，係至少部分的互相平 面性重疊，而且，重疊之中心與各圖案之中心爲不一致的 非對稱圖案。 3 1.如申請專利範圍第3 0項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜至少係由多數絕緣膜所構成’ 開口於該些多數絕緣膜之剩餘凸圖案’係至少部分性 互相的平面性重疊，而且，重疊之中心與各圖案之中心爲 不一致的非對稱圖案。 3 2.如申請專利範圍第3 1項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜係由至少一個絕緣膜和至少一個導電 膜所構成， 上述導電膜之所剩餘的凸圖案和開口於上述絕緣膜之 凹圖案之中心係分布成平面性非對稱。 3 3.如申請專利範圍第32項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜，係具有構成上述凹凸圖案之凸部下 層側的殘留圖案，常被形成在比上側層之殘留圖案還外側 上，構成上述凹凸圖案之凹部下層側的開口圖案，被形成 在比上側層之開口部還內側上而構成的順圓錐形狀。 34·如申請專利範圍第33項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜至少係由多數導電膜所形成，在上層 殘留導電膜之凸圖案，係常被形成於在下層殘留導電膜之 凸圖案之形成區域之內側區域上。 3 5 ·如申請專利範圍第3 4項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜至少係由多數絕緣膜所形成，在下層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 嬗l·-----訂------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 51 1245947 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 6 開口於絕緣膜上之凹圖案，係常被形成於上層絕緣膜上所 形成之凸圖案之形成區域的內側區域上。 3 6·如申請專利範圍第35項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜至少係由一個絕緣膜和至少一個導電 膜所形成， 上述導電膜之殘留凸圖案和被開口於上述絕緣膜之凹 圖案，係不具有互相平面性重疊之部分。 3 7.如申請專利範圍第3 6項所記載之光電裝置，其中， 上述凹凸形成用薄膜係由多數絕緣膜或導電膜所形成， 各絕緣或導電膜膜厚爲800nm以下。 3 8·如申請專利範圍第37項所記載之光電裝置，其中， 上述光電物質爲液晶。 3 9.—種電子機器，其特徵爲：以申請專利範圍第1項至 第38項中之任一項所規定之光電裝置作爲顯示裝置而予以 使用。 , Mml· 訂 ^9. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 CN /\ 準 標 家 國 國 中 用 適 一尺 I張 -紙 本 A 一釐 公 97 2 X 5
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